KR20190073716A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시패널에 모듈영역을 갖는 표시장치에 관한 것으로, 적어도 하나의 모듈영역을 포함하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 외측에 배치되는 베젤영역을 포함하는 표시패널; 상기 액티브 영역에서 기판 상에 배치되는 화소 어레이를 포함하며, 상기 적어도 하나의 모듈영역은 상기 표시패널의 기판을 포함하며, 상기 적어도 하나의 모듈영역을 제외한 액티브 영역보다 두께가 작게 형성된다.

Description

표시장치{Display Apparatus}
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 발전해 왔다. 이러한 평판 표시장치로서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계발광 표시장치(Electroluminescent Display: EL), 전계방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 및 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display: ED)와 같은 다양한 평판 표시장치가 개발되어 활용되고 있다.
이러한 표시장치들에는 정보를 표시하기 위한 표시소자들을 포함하는 표시패널, 표시패널을 구동하기 위한 구동부, 및 표시패널 및 구동부에 공급할 전원을 생성하는 전원 공급부 등이 포함된다.
이들 표시장치는 사용 환경이나 용도에 따라 다양한 디자인을 갖도록 설계될 수 있으며, 이에 대응하여 영상을 표시하는 표시패널 또한 전통적인 단일의 사각형 형태로부터 부분적인 곡면부나 노치부(notch)와 같은 이형부(異形部)를 갖는 표시패널이 소비자들에게 미감을 일으킨다는 이유로 널리 사용되고 있다.
최근의 표시장치는 멀티미디어 기능을 구현하기 위한 카메라, 스피커, 센서 등의 다양한 요소들을 모듈 형태로 도입하고 있으며, 이들은 표시패널의 노치부가 형성된 영역, 즉, 표시패널의 가장자리 일부가 제거된 영역에 배치되는 것이 일반적이다.
그러나, 노치부를 확보하기 위해서는 표시패널의 일부 단면 전체를 잘라 내야 하고, 이를 구현하기 위해 추가적인 마스크를 이용하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 표시패널의 액티브 영역에 빛을 투과할 수 있는 모듈영역을 형성하고, 모듈영역에 배치되는 카메라, 스피커, 센서 등과 같은 다양한 모듈들이 표시장치의 광이나 표시장치 외부의 광에 의한 영향을 받지 않도록 할 수 있는 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적달성을 위한 본 발명의 특징에 따른 표시장치는, 적어도 하나의 모듈영역을 포함하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 외측에 배치되는 베젤영역을 포함하는 표시패널; 상기 액티브 영역에서 기판 상에 배치되는 화소 어레이를 포함하며, 상기 적어도 하나의 모듈영역은 상기 표시패널의 기판을 포함하며, 상기 적어도 하나의 모듈영역을 제외한 액티브 영역보다 두께가 작게 형성된다.
모듈영역은 광 투과영역과, 상기 광 투과영역을 에워싸도록 배치되는 적어도 하나의 댐을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 댐은 광 투과영역을 에워싸도록 배치되는 제 1 댐과, 상기 제 1 댐과 이격되어 상기 제 1 댐을 에워싸도록 배치되는 제 2 댐을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 모듈영역은 상기 모듈영역을 에워싸는 전, 후, 좌, 우 4방향의 영역 중 적어도 2개의 영역에 정보가 표시되도록 상기 액티브 영역 내에 배치될 수 있다.
모듈 영역의 광 투과영역은 상기 표시패널의 기판 상에 배치되는 보호층을 포함할 수 있다.
모듈 영역의 광 투과영역을 제외한 영역은 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 댐과, 상기 하나의 댐을 커버하는 상기 보호층을 포함할 수 있다.
베젤영역에는 상기 액티브 영역의 화소 어레이에 제 1 전위를 공급하기 위한 제 1 전위 공급전극과, 상기 제 1 전위보다 낮은 제 2 전위를 공급하기 위한 제 2 전위 공급전극이 배치되며, 상기 제 1 전위 공급전극에 연결되어 상기 액티브 영역으로 연장되는 제 1 전위 공급라인들은 상기 모듈영역을 회피하여 배치될 수 있다.
액티브 영역에는 상기 화소 어레이에 게이트 신호와 데이터 신호를 공급하기 위한 게이트 라인들 및 데이터 라인들이 배치되며, 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들은 상기 모듈영역을 회피하여 배치될 수 있다.
제 1 전위 공급전극이 배치된 베젤영역의 반대쪽 베젤영역에는 상기 화소 어레이에 상기 제 1 전위를 공급하는 다른 제 1 전위 공급전극이 배치될 수 있다.
제 1 전위 공급전극과 상기 다른 제 1 전위 공급전극은 상기 액티브 영역 좌우측 베젤영역에 배치되는 링크라인들에 의해 양단부가 서로 연결될 수 있다.
액티브 영역의 양측에 위치하는 베젤영역에는 상기 화소 어레이에 공급되는 게이트 신호를 생성하기 위한 게이트 구동부의 시프트 레지스터들이 각각 배치될 수 있다.
본 발명에 따르는 표시장치에 의하면, 별도의 마스크를 이용하지 않더라도 표시패널 제조공정을 통해 표시패널의 액티브 영역에 빛을 투과할 수 있는 모듈영역을 형성할 수 있으므로 제조공정이 복잡해 지는 것을 피할 수 있을 뿐 아니라 제조시간과 비용을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 광 투과영역을 에워싸도록 모듈영역에 적어도 하나의 댐을 배치함으로써 모듈 영역에 배치된 모듈이 표시장치의 광이나 외부의 광에 의해 영향을 받지 않게 되므로 모듈 자체의 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 모듈영역의 광 투과영역은 기판, 버퍼층, 및 제 2 보호막의 3층 구조만 남게 되고, 버퍼층을 생략할 경우 기판과 제 2 보호막의 2층 구조만 남게 되므로 광의 투과효율을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 블록도,
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 일부 영역 R1을 보다 구체적으로 도시한 평면도,
도 3은 도 2에 도시된 I-I'라인을 따라 취한 단면도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 드라이버는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 대한 설명에서는 필요에 따라 소스와 드레인 중 어느 하나를 제 1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제 2 전극으로 기술할 수 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명하기로 한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략하거나 간략히 설명한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 도시한 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 일부 영역 R1을 개략적으로 도시한 평면도로서, 모듈영역이 확대된 도면을 포함한 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I' 라인을 따라 취한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부, 게이트 구동부, 전원 공급부(PS) 및 타이밍 콘트롤러(TC) 등을 포함할 수 있다.
표시패널(10)은 정보를 표시하는 액티브 영역(AA)과, 정보가 표시되지 않는 베젤영역(BA)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 입력 영상이 표시되는 영역으로 복수의 화소들(P)이 매트릭스 타입으로 배열된 화소 어레이가 배치되는 영역이다.
베젤영역(BA)은 게이트 구동회로의 쉬프트 레지스터(SRa, SRb) 및 각종 링크 신호배선들(예를 들면, DL1~DLm)과 링크 전원 공급라인들(VDL1, VDL2, VSL1, VSL2) 및 전원 공급전극(VDLa, VDLb) 등이 배치되는 영역이다. 액티브 영역(AA)에 배치된 화소 어레이는 서로 교차하도록 배치되는 다수의 데이터라인들(D1~Dm) 및 다수의 게이트라인들(G1~Gn)과, 이들 교차영역마다 매트릭스 형태로 배치되는 화소(P)들을 포함한다.
각각의 화소(P)는 발광 다이오드(LED), 발광 다이오드(LED)에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 구동 TFT라 함)(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 세팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다. 화소 어레이의 화소(P)들은 전원 공급부(PS)로부터 제 1 전원라인들(VD1~VDm)을 통해 고전위 전압인 제 1 전원(Vdd)을 공급받고, 제 2 전원라인들(VSL1~VSL2)을 통해 저전위 전압인 제 2 전원(Vss)을 공급받는다.
제 1 전원라인들(VD1~VDm)은 칩온필름(30)이 부착된 측의 베젤영역(BA)에 배치된 하측 제 1 전원 공급전극(VDLa)과, 그 반대쪽 베젤영역에 배치된 상측 제 1 전원 공급전극(VDLb)을 통해 양측에서 전원 공급부(PS)로부터 제 1 전원(Vdd)를 공급받는다. 하측 제 1 전원 공급전극(VDLa)과 상측 제 1 전원 공급전극(VDLb)은 링크배선들(VDL1, VDL2)에 의해 양단부가 서로 연결된다. 따라서, 액티브 영역(AA)에 배치된 화소들의 위치에 따른 RC(Resistance Capacitance)증가로 인한 표시품질의 저하를 최소화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
프로그래밍부(SC)는 적어도 하나 이상의 스위치 TFT와, 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 스위치 TFT는 게이트 라인(GL)으로부터의 스캔 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써, 데이터라인들(D1~Dm)로부터의 데이터전압을 스토리지 커패시터의 일측 전극에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터에 충전된 전압의 크기에 따라 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어하여 발광 다이오드(OLED)의 발광량을 조절한다. 발광 다이오드(OLED)의 발광량은 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례한다.
화소를 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 화소를 구성하는 TFT들의 반도체층은, 비정질 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다. 발광 다이오드(LED)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 발광 구조물을 포함한다. 애노드 전극은 구동 TFT(DT)에 접속된다. 발광 구조물은 발광층(Emission layer, EML)을 포함하고, 발광층을 사이에 두고 그 일측에는 정공 주입층(Hole injection layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole transport layer, HTL)이, 그 타측에는 전자 수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron injection layer, EIL)이 각각 배치될 수 있다.
데이터 구동부는 데이터 IC(SD)가 실장되며, 일측은 소스 인쇄회로기판(20)의 일단부에 접속되고, 타측은 표시패널(10)의 베젤영역(BA)에 부착되는 칩온필름(30)을 포함한다.
데이터 IC(SD)는 타이밍 콘트롤러(TC)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생한다. 데이터 IC(SD)로부터 출력된 데이터 전압은 데이터 링크들(DL1~DLn)을 통해 데이터라인들(D1~Dm)에 공급된다.
게이트 구동부는 게이트 IC가 실장된 칩온필름이 표시패널의 일측에 배치되는 타입이나, 표시패널에 게이트 IC가 형성된 GIP 타입이 이용될 수 있다. 본 발명에서는 GIP 타입의 게이트 구동부를 예로 들어 설명하기로 한다.
GIP 타입의 게이트 구동부는 소스 인쇄회로기판(20) 상에 실장된 레벨 쉬프터(LSa, LSb)와, 표시패널(10)의 베젤영역(BA)에 형성되어, 레벨 쉬프터(LSa, LSb)로부터 공급되는 신호들을 수신하는 쉬프트 레지스터(SRa, SRb)를 포함한다.
레벨 쉬프터(LSa, LSb)는 타이밍 콘트롤러(TC)로부터 스타트 펄스(ST), 게이트 쉬프트 클럭들(GLCK), 및 플리커 신호(FLK) 등의 신호를 입력 받고, 또한 게이트 하이 전압(VGH), 게이트 로우 전압(VGL) 등의 구동 전압을 공급 받는다. 스타트 펄스(ST), 게이트 쉬프트 클럭들(GCLK) 및 플리커 신호(FLK)는 대략 0V와 3.3V 사이에서 스윙하는 신호들이다. 게이트 쉬프트 클럭들(GLCK1~n)은 소정의 위상차를 갖는 n 상 클럭신호들이다. 게이트 하이 전압(VGH)은 표시패널(10)의 박막 트랜지스터 어레이에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)의 문턱 전압 이상의 전압으로서 대략 28V 정도의 전압이고, 게이트 로우 전압(VGL)은 표시패널(10)의 박막 트랜지스터 어레이에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)의 문턱 전압보다 낮은 전압으로서 대략 -5V 내외의 전압이다.
레벨 쉬프터(LS)는 타이밍 콘트롤러(TC)로부터 입력되는 스타트 펄스(ST)와, 게이트 쉬프트 클럭들(GLCK) 각각을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프트한 쉬프트 클럭신호들(CLK)을 출력한다. 따라서, 레벨 쉬프터(LS)로부터 출력되는 스타트 펄스(VST)와 쉬프트 클럭신호들(CLK) 각각은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다. 레벨 쉬프터(LS)는 플리커 신호(FLK)에 따라 게이트 하이 전압을 낮추어 액정 셀의 킥백 전압(ΔVp)을 낮추어 플리커를 줄일 수 있다.
레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호들은 소스 드라이브 IC(SD)가 배치된 칩온필름(30)에 형성된 배선들과, 표시패널(10)의 기판에 형성된 LOG(Line On Glass) 배선들을 통해 쉬프트 레지스터(SR)에 공급될 수 있다. 쉬프트 레지스터(SR)는 GIP 공정에 의해 표시패널(10)의 베젤영역(BA) 상에 직접 형성될 수 있다.
쉬프트 레지스터(SR)는 레벨 쉬프터(LS)로부터 입력되는 스타트 펄스(VST)를 게이트 쉬프트 클럭신호들(CLK1~CLKn)에 따라 쉬프트함으로써 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 게이트펄스를 순차적으로 쉬프트시킨다. 쉬프트 레지스터(SR)로부터 출력되는 게이트 펄스는 게이트 라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급된다.
타이밍 콘트롤러(TC)는 호스트 시스템(도시 생략)으로부터 입력되는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍신호를 입력 받아 데이터 IC(SD), 및 게이트 구동부(LSa, LSb; SRa, SRb)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 데이터 IC(SD)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블 신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함할 수 있다. 게이트 구동부(LSa, LSb; SRa, SRb)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함할 수 있다.
도 1에서는 쉬프트 레지스터(SRa, SRb)가 액티브 영역(AA) 외측의 양측에 배치되어 액티브 영역(AA)의 양단부에서 게이트 라인들(G1~Gn)에 게이트 펄스를 공급하는 구성을 도시하고 있지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 쉬프트 레지스터가 액티브 영역(AA)의 일측에만 배치되어 액티브 영역(AA)의 일측에서 게이트 라인들(G1~Gn)에 게이트 펄스를 공급할 수도 있다. 쉬프트 레지스터(SRa, SRb)가 액티브 영역(AA) 외측의 양측에 배치되는 경우, 화소 어레이의 동일 수평라인에 배치된 게이트 라인에는 동일 위상, 동일 진폭의 게이트 펄스가 공급된다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 표시패널(10)은 액티브 영역(AA)과 액티브 영역(AA) 외측의 베젤영역(BA)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 문자, 도형, 그림, 사진, 영상 등의 정보를 표시하기 위한 화소 어레이가 배치되는 영역이다. 액티브 영역(AA)은 액티브 영역(AA)의 모서리부 또는 한쪽 변에 인접한 영역에 배치되는 적어도 하나의 모듈영역(MA)을 포함할 수 있다.
모듈영역(MA)은 카메라, 스피커, 센서 등이 배치되는 영역으로, 광 투과영역(TA)과 광 투과영역(TA)을 에워싸도록 배치되는 적어도 하나의 댐(도 2의 예에서는 2개 댐, DAM1, DAM2)을 포함할 수 있다.
모듈영역(MA)에는 화소, 어레이에 신호를 공급하기 게이트 라인(G1~Gn), 데이터 라인(D1~Dm)을 포함하는 신호배선, 및 전원 공급라인(VD1~VDm) 등이 배치되지 않는다.
모듈영역(MA)은 액티브 영역(AA)의 어느 곳에나 배치될 수 있으며, 그 배치 위치에 따라 평면도 상에서 모듈영역(MA)의 상측, 좌측, 우측, 및 하측의 적어도 한쪽에 정보가 표시될 수 있다.
베젤영역(BA)은 액티브 영역(AA) 외측에서 액티브 영역(AA)을 에워싸는 영역으로서, 액티브 영역(AA)의 화소 어레이에 공급할 게이트 펄스를 생성하기 위한 쉬프트 레지스터(SRa, SRb)와, 각종 신호를 공급하기 위한 신호배선들과, 각종 전원을 공급하기 위한 전원 공급배선들이 배치되는 영역이다.
다음으로 도 3을 참조하여 본 발명에 따르는 표시장치의 단면 구조에 대해 설명하기로 한다. 도 3은 모듈영역(MA)의 주변 영역에, 즉 평면도 상에서 모듈영역(MA)의 상측, 하측, 좌측, 우측에 정보가 표시되는 경우의 예를 나타낸 것으로, 이는 단순히 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이다. 따라서, 도 3 및 이와 관련된 설명으로 본 발명이 한정 해석되어서는 안 된다.
도 3을 참조하면, 기판(SUB) 상에는 단층 또는 다층구조의 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다. 기판(SUB)은 플렉서블한 반투명 물질로 형성될 수 있다 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)이 폴리이미드와 같은 물질로 형성될 경우, 후속 공정에서 기판(SUB)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 발광소자가 손상되는 것을 방지하기 위해 무기물질 및 유기물질 중의 어느 하나로 형성될 수 있다. 무기물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 중의 어느 하나를 포함하고, 유기물질은 포토 아크릴을 포함할 수 있다.
버퍼층(BUF) 상에는 액티브 영역(AA)의 각 화소마다 반도체층(A)이 배치된다. 반도체층(A)은 채널영역(CA)을 사이에 두고 이격 배치되는 소스영역(SA)과 드레인 영역(DA)을 포함한다. 소스영역(SA)과 드레인 영역(DA)은 도체화된 영역이다. 반도체층(A)은 비정질 실리콘을 이용하거나, 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘을 이용하여 형성될 수도 있다. 이와 달리, 반도체층(A)은 아연 산화물(ZnO), 인듐 아연 산화물(InZnO), 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 또는 아연 주석 산화물(ZnSnO) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 반도체층(A)은 멜로시아닌, 프탈로시아닌, 펜타센, 티오펜폴리머 등의 저분자계 또는 고분자계 유기물로 이루어질 수도 있다.
반도체층(A)이 배치된 버퍼층(BUF) 상에는 반도체층(A)을 커버하도록 게이트 절연막(GI)이 배치된다. 모듈영역(MA)에는 게이트 절연막(GI)은 배치되지 않는다. 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(GI)상에는 액티브 영역(AA)에 반도체층(A)의 채널층(CA)과 적어도 일부 영역이 중첩되도록 박막 트랜지스터의 게이트 전극(GE)과, 게이트 전극(GE)에 연결되는 게이트 라인(도시 생략)이 배치된다. 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나, 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(GE) 및 게이트 라인이 배치된 게이트 절연막(GI) 상에는 이들을 커버하도록 제 1 및 제 2 층간 절연막들(INT1, INT2)이 순차적으로 배치된다. 모듈영역(MA)에는 제 1 및 제 2 층간 절연막들(INT1, INT2)이 배치되지 않는다. 제 1 및 제 2 층간 절연막(INT1, INT2)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 층간 절연막(INT1, INT2) 중 하나는 생략될 수 있다.
제 2 층간 절연막(INT2) 상에는 액티브 영역(AA)에 박막 트랜지스터의 소스전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과, 소스 전극(SE)에 연결되는 데이터 라인(도시 생략)이 배치된다. 소스전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 게이트 절연막(GI), 제 1 및 제 2 층간 절연막(INT1, INT2)을 관통하는 콘택홀들을 통해 노출된 반도체층의 소스영역(SA)과, 드레인 영역(DA)에 각각 접속된다. 모듈영역(MA)에는 박막 트랜지스터의 소스전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 데이터 라인이 배치되지 않는다. 데이터 라인은 모듈영역(MA)의 좌측 또는 우측으로 우회하도록 배치된다.
소스전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 커버하는 패시베이션막(PAS) 상에는 평탄화막(PLN)이 배치될 수 있다. 모듈영역(MA)에는 패시베이션막(PAS)과 평탄화막(PLN)이 배치되지 않는다. 평탄화막(PLN)은 하부 구조의 단차를 완화시키면서 하부 구조를 보호하기 위한 것으로, 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있다.
평탄화막(PLN) 상에는 화소들 마다 애노드 전극(ANO)이 배치된다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화막(PLN)을 관통하는 콘택홀을 통해 노출된 박막 트랜지스터의 드레인 전극(DE)에 접속된다. 모듈영역(MA)에는 애노드 전극(ANO)이 배치되지 않는다. 애노드 전극(ANO)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다.
평탄화막(PLN) 상에는 애노드 전극(AN)을 노출시키는 개구부를 갖는 뱅크층(BN)이 형성된다. 뱅크층(BN)의 개구부는 발광영역을 정의하는 영역이다. 모듈영역(MA)의 버퍼층(BUF) 상에는 도 2에 도시된 바와 같이 뱅크층(BN)과 동일 물질로 형성되는 적어도 하나의 댐(DAM1, DAM2)이 광 투과영역(TA)을 정의하도록 배치된다.
뱅크층(BL)의 발광영역을 통해 노출된 애노드 전극(AN) 상에는 발광스택(LES)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 배치된다. 발광 스택(LES)은 뱅크층(BN)의 개구부 내의 애노드 전극(AN) 상에 정공 관련층, 유기발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성될 수 있다. 캐소드 전극(CAT)은 액티브 영역(AA)의 전영역에서 뱅크층(BN)과 발광스택(LES)을 커버하도록 제 2 평탄화막(PLN) 상에 배치될 수 있다. 다만, 캐소드 전극(CAT)은 모듈영역(MA)에는 배치되지 않는 것이 바람직하다. 캐소드 전극(CAT)은 일 함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
평탄화막(PLN) 상에는 액티브 영역(AA) 및 베젤영역(BA)에 캐소드 전극(CA)과 뱅크층(BL)을 커버하도록 제 1 보호막(PAS1)이 배치될 수 있다. 모듈영역(MA)에는 제 1 보호막(PAS1)이 배치되지 않는다.
제 1 보호막(PAS1) 상에는 봉지층(ENC)이 배치될 수 있다. 모듈영역(MA)에는 봉지층(ENC)이 배치되지 않는다. 봉지층(ENC)은 외부로부터의 수분이나 산소가 봉지층(ENC) 내부에 위치한 발광 스택(LES)으로 침투되는 것을 최소화하기 위한 것으로 무기물층과 유기물층이 번갈아 배치되는 다층 구조로 형성될 수 있다.
봉지층(ENC)과 모듈영역(MA)의 적어도 하나의 댐(DAM1, DAM2) 상에는 봉지층(ENC)과 댐(DAM1, DAM2)을 보호하기 위한 제 2 보호막(PAS2)이 배치된다.
제 2 보호막(PAS2) 상에는 외부 광이 표시패널의 표면으로부터 반사되는 표면반사, 표시패널 내부로 진행한 외부광이 표시패널 내부의 전극으로부터 반사되는 전극반사와 같은 외부광의 요인을 줄이기 위해 편광필름(도시생략)이 배치될 수 있다. 그러나, 모듈영역(MA)에는 편광필름이 배치되지 않는다.
액티브 영역(AA)의 모듈영역(MA)에 대응하는 기판(SUB)의 하면에는 카메라 모듈, 스피커 모듈, 센서 모듈과 같이 표시패널에 일체화하기 곤란한 소자들이 배치될 수 있다.
모듈영역(MA)은 빛을 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 포함하는 영역으로서, 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하는 신호배선, 전원배선, 전극 등의 불투명 물질 또는 광 투과성이 좋지 않은 절연물질 등이 제거된 영역이다. 도 3의 예에서는 설명을 간단히 하기 위해 도 2에 도시된 모듈영역(MA) 양측의 화소에 배치된 박막 트랜지스터(TFT) 및 발광 다이오드(LED) 만을 도시하였다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르는 표시장치에 의하면, 별도의 마스크를 이용하지 않더라도 표시패널 제조공정을 통해 표시패널의 액티브 영역(AA)에 빛을 투과할 수 있는 모듈영역(MA)을 형성할 수 있으므로 제조공정이 복잡해 지는 것을 피할 수 있을 뿐 아니라 제조시간과 비용을 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 광 투과영역(TA)을 에워싸도록 모듈영역(MA)에 적어도 하나의 댐(DAM1, DAM2)을 배치함으로써 모듈 영역에 배치된 모듈로부터의 신호가 광에 의한 영향을 받지 않게 되므로 모듈 자체의 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 모듈영역(MA)의 광 투과영역(TA)은 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 및 제 2 보호막(PAS2)의 3층 구조만 남게 되고, 버퍼층(BUF)을 생략할 경우 기판(BUF)과 제 2 보호막(PAS2)의 2층 구조만 남게 되므로 광의 투과효율을 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 액티브 영역(AA) 내의 원하는 위치 어디에든 모듈영역(MA)을 배치할 수 있고, 모듈영역(MA)을 제외한 나머지 전체 액티브 영역을 표시영역으로 활용할 수 있으므로 디자인 자유도가 높아지는 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 본 발명에 도시된 예에서는 전계발광 표시장치를 예로 들어 설명했으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출 표시장치(Field Emission Display Device: FED), 및 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: ED)와 같은 다양한 평판 표시장치에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 발명의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10: 표시패널 AA: 액티브 영역
BA: 베젤영역 MA: 모듈영역
TA: 광투과 영역 DAM1, DAM2: 댐
SUB: 기판 BUF: 버퍼층
BN: 뱅크층 PAS1, PAS2: 보호막

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 모듈영역을 포함하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 외측에 배치되는 베젤영역을 포함하는 표시패널;
    상기 액티브 영역에서 기판 상에 배치되는 화소 어레이를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 모듈영역은 상기 표시패널의 기판을 포함하며, 상기 적어도 하나의 모듈영역을 제외한 액티브 영역보다 두께가 작은 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모듈영역은 광 투과영역과, 상기 광 투과영역을 에워싸도록 배치되는 적어도 하나의 댐을 포함하는 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 댐은 광 투과영역을 에워싸도록 배치되는 제 1 댐과, 상기 제 1 댐과 이격되어 상기 제 1 댐을 에워싸도록 배치되는 제 2 댐을 포함하는 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 모듈영역은 상기 모듈영역을 에워싸는 전, 후, 좌, 우 4방향의 영역 중 적어도 2개의 영역에 정보가 표시되도록 상기 액티브 영역 내에 배치되는 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 모듈 영역의 광 투과영역은 상기 표시패널의 기판 상에 배치되는 보호층을 포함하는 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 모듈 영역의 광 투과영역을 제외한 영역은 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 댐과, 상기 하나의 댐을 커버하는 상기 보호층을 포함하는 표시장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베젤영역에는 상기 액티브 영역의 화소 어레이에 제 1 전위를 공급하기 위한 제 1 전위 공급전극과, 상기 제 1 전위보다 낮은 제 2 전위를 공급하기 위한 제 2 전위 공급전극이 배치되며,
    상기 제 1 전위 공급전극에 연결되어 상기 액티브 영역으로 연장되는 제 1 전위 공급라인들은 상기 모듈영역을 회피하여 배치되는 표시장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액티브 영역에는 상기 화소 어레이에 게이트 신호와 데이터 신호를 공급하기 위한 게이트 라인들 및 데이터 라인들이 배치되며, 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들은 상기 모듈영역을 회피하여 배치되는 표시장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전위 공급전극이 배치된 베젤영역의 반대쪽 베젤영역에는 상기 화소 어레이에 상기 제 1 전위를 공급하는 다른 제 1 전위 공급전극이 배치되는 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전위 공급전극과 상기 다른 제 1 전위 공급전극은 상기 액티브 영역 좌우측 베젤영역에 배치되는 링크라인들에 의해 양단부가 서로 연결되는 표시장치.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액티브 영역의 양측에 위치하는 베젤영역에는 상기 화소 어레이에 공급되는 게이트 신호를 생성하기 위한 게이트 구동부의 시프트 레지스터들이 각각 배치되는 표시장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11309367B2 (en) 2020-03-20 2022-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11552150B2 (en) 2020-04-22 2023-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device having transmissive area including transmissive hole filled with encapsulation layer

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210028319A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210063530A (ko) * 2019-11-22 2021-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220164710A (ko) 2020-04-08 2022-12-13 퀄컴 인코포레이티드 디스플레이 패널들의 컷아웃 영역들에 대한 동적 가상 마스크 레이어들 생성

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040961A (ja) * 2000-07-28 2002-02-08 Nec Corp 表示装置
JP2003177680A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2005157300A (ja) * 2003-11-22 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2005227762A (ja) * 2004-01-14 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
KR20120046040A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 애플 인크. 전자 장치를 위한 카메라 렌즈 구조 및 디스플레이 구조
KR20170015632A (ko) * 2015-07-29 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR20170117291A (ko) * 2016-04-12 2017-10-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2005227688A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Denso Corp 透明ｅｌディスプレイ
JP2006227762A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Nec Electronics Corp 半導体集積回路の設計方法、および半導体集積回路の設計装置
JP4281840B2 (ja) * 2007-03-15 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス回路基板及び表示装置
KR101406129B1 (ko) * 2012-03-28 2014-06-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2015033721A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 シャープ株式会社 表示パネル
KR102110918B1 (ko) * 2013-10-29 2020-05-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US10062317B2 (en) * 2014-10-16 2018-08-28 Lg Display Co., Ltd. Panel array for display device with narrow bezel
US10345507B2 (en) * 2014-11-05 2019-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device and display device
KR102546135B1 (ko) * 2015-09-28 2023-06-20 애플 인크. 연장된 활성 영역을 갖는 전자 디바이스 디스플레이
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR20180046960A (ko) * 2016-10-28 2018-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10572747B2 (en) * 2017-05-31 2020-02-25 Innolux Corporation Display apparatus
CN107315506B (zh) * 2017-06-30 2019-12-24 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板和显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040961A (ja) * 2000-07-28 2002-02-08 Nec Corp 表示装置
JP2003177680A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2005157300A (ja) * 2003-11-22 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2005227762A (ja) * 2004-01-14 2005-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、電子機器
KR20120046040A (ko) * 2010-10-29 2012-05-09 애플 인크. 전자 장치를 위한 카메라 렌즈 구조 및 디스플레이 구조
KR20170015632A (ko) * 2015-07-29 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR20170117291A (ko) * 2016-04-12 2017-10-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11309367B2 (en) 2020-03-20 2022-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11696482B2 (en) 2020-03-20 2023-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11552150B2 (en) 2020-04-22 2023-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device having transmissive area including transmissive hole filled with encapsulation layer
US11956998B2 (en) 2020-04-22 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device including multi-layered buffer layer

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