JP2019109508A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 モジュール領域に配置されるカメラ、スピーカー、センサーなどの多様なモジュールが表示装置の光や表示装置の外部の光による影響を受けないようにする。【解決手段】 表示パネルにモジュール領域を有する表示装置に関するものであって、少なくとも１つのモジュール領域を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側に配置されるベゼル領域を含む表示パネルと、前記アクティブ領域で基板上に配置される画素アレイを含み、前記少なくとも１つのモジュール領域は前記表示パネルの基板を含み、前記少なくとも１つのモジュール領域を除外したアクティブ領域より薄く形成される。【選択図】 図１

Description

本発明は、表示装置に関するものである。

情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が様々な形で高まっている。例えば、体積の大きい陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）に代替する、薄くて軽くて、大面積が可能な平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＦＰＤ）が急速に開発されている。このような平板表示装置として、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＬ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、及び電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＤ）のような多様な平板表示装置が開発されて活用されている。

このような表示装置には情報を表示するための表示素子を含む表示パネル、表示パネルを駆動するための駆動部、及び表示パネル及び駆動部に供給する電源を生成する電源供給部などが含まれる。

これら表示装置は使用環境や用途によって多様なデザインで設計することができ、これに対応して映像を表示する表示パネルも従来の単一の四角形態から部分的な曲面部やノッチ部（ｎｏｔｃｈ）のような異形部を有する表示パネルが、消費者に美感を起こすという理由により広く使われている。

最近の表示装置はマルチメディア機能を具現するためのカメラ、スピーカー、センサーなどの多様な要素をモジュール形態で導入されており、これらは表示パネルのノッチ部が形成された領域、即ち、表示パネルの縁の一部が除去されることにより形成された領域に配置されることが一般的である。

しかしながら、ノッチ部を確保するためには、表示パネルの一部を断面で完全に切り出さなければならず、これを具現するために追加のマスクを用いねばならないという問題点があった。

特開２０１０−０２０２７７

本発明は、従来技術に関する上述の１つまたは複数の問題を解消したディスプレイ装置を対象とする。

本発明は、表示パネルのアクティブ領域に光を透過することができるモジュール領域を形成し、モジュール領域に配置されるカメラ、スピーカー、センサーなどの多様なモジュールが表示装置の光や表示装置の外部の光による影響を受けないようにすることができる表示装置を提供するためのものである。

このような目的を達成するために、本発明の特徴に従う表示装置は、少なくとも１つのモジュール領域を含むアクティブ領域と、アクティブ領域の外側に配置するベゼル領域を含む表示パネルと、アクティブ領域で基板上に配置される画素アレイを含み、少なくとも１つのモジュール領域は表示パネルの基板を含み、少なくとも１つのモジュール領域を除くアクティブ領域より薄く形成される。

モジュール領域は、光透過領域と、光透過領域を囲むように配置される少なくとも１つのダムを含むことができる。

少なくとも１つのダムは、光透過領域を囲むように配置される第１ダムと、第１ダムと離隔して第１ダムを囲むように配置される第２ダムとを含むことができる。

少なくとも１つのモジュール領域は、モジュール領域を囲む前後左右の４方向の領域のうち、少なくとも２つの領域に情報が表示されるようにアクティブ領域内に配置できる。

モジュール領域の光透過領域は、表示パネルの基板上に配置される保護層を含み得る。

モジュール領域の光透過領域を除外した領域は、基板上に配置する少なくとも１つのダムと、少なくとも１つのダムをカバーする保護層を含み得る。

ベゼル領域にはアクティブ領域の画素アレイに第１電位を供給するための第１電位供給電極と、第１電位より低い第２電位を供給するための第２電位供給電極が配置され、第１電位供給電極に連結されてアクティブ領域に延びる第１電位供給ラインは、モジュール領域を回避して配置できる。

アクティブ領域には画素アレイにゲート信号とデータ信号とを供給するためのゲートライン及びデータラインが配置され、ゲートライン及びデータラインはモジュール領域を回避して配置できる。

第１電位供給電極が配置されたベゼル領域の反対側ベゼル領域には画素アレイに第１電位を供給する他の第１電位供給電極が配置できる。

第１電位供給電極と他の第１電位供給電極は、アクティブ領域の左右側ベゼル領域に配置されるリンクラインにより両端部が互いに連結できる。

アクティブ領域の両側に位置するベゼル領域には画素アレイに供給されるゲート信号を生成するためのゲート駆動部のシフトレジスタが各々配置できる。

本発明に従う表示装置によれば、別途のマスクを利用しなくても表示パネル製造工程を通じて表示パネルのアクティブ領域に光が透過できるモジュール領域を形成することができるので、製造工程が複雑になることを避けることができるだけでなく、製造時間と費用を減らすことができる。

また、光透過領域を囲むようにモジュール領域に少なくとも１つのダムを配置することによって、モジュール領域に配置されたモジュールが表示装置の光や外部の光により影響を受けないようになるので、モジュール自体の機能を向上できる。

また、モジュール領域の光透過領域は、基板、バッファ層、及び第２保護膜の３層構造のみ残るようになり、バッファ層を省略する場合、基板と第２保護膜の２層構造のみ残るようになるので、光の透過効率を高められる。

本発明に関する理解を助けるために詳細な説明の一部に含まれる添付図面は、本発明に対する実施形態を提供し、詳細な説明と共に本発明の技術的特徴を説明する。

本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に図示したブロック図である。 図１に図示された表示パネルの一部領域Ｒ１をより具体的に図示した平面図である。 図２に図示されたＩ−Ｉ’ラインに沿って取った断面図である。

本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になる。本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現され、単に本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇により定義される。

本発明の実施形態を説明するための図面に開示された形状、サイズ、比率、角度、個数などは、例示的なものであるので、本発明が図示された事項に限定されるものではない。明細書の全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。本発明を説明するに当たって、関連した公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及された‘含む’、‘有する’、‘なされる’などが使われる場合、‘〜のみ’が使われない以上、他の部分が追加できる。構成要素を単数で表現した場合に、特別に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するに当たって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものとして解釈する。

位置関係に対する説明の場合、例えば、‘〜上に’、‘〜上部に’、‘〜下部に’、‘〜側に’などで２部分の位置関係が説明される場合、‘直ぐ’または‘直接’が使われない以上、２部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。

第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使用できるが、これら構成要素はこれら用語により制限されない。これら用語は単に１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下に言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素でありうる。

本明細書で、表示パネルの基板上に形成されるピクセル回路とゲートドライバは、ｐタイプＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造のＴＦＴで具現できるが、本発明の技術的思想はこれに限定されない。ＴＦＴは、ゲート（ｇａｔｅ）、ソース（ｓｏｕｒｃｅ）、及びドレイン（ｄｒａｉｎ）を含んだ３電極素子である。ソースはキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）をトランジスタに供給する電極である。ＴＦＴ内でキャリアはソースから流れ始める。ドレインは、ＴＦＴでキャリアが外部に出る電極である。即ち、ＭＯＳＦＥＴでのキャリアの流れはソースからドレインに流れる。ｐタイプＴＦＴ（ＰＭＯＳ）の場合、キャリアが正孔（ｈｏｌｅ）であるので、ソースからドレインに正孔が流れることができるように、ソース電圧がドレイン電圧より高い。ｐタイプＴＦＴで正孔がソースからドレイン側に流れるので、電流がソースからドレイン側に流れる。ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインは固定されたものでないことに注意すべきである。例えば、ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインは印加電圧によって変更できる。したがって、本明細書の実施形態に対する説明では必要によってソースとドレインのうちのいずれか１つを第１電極、ソースとドレインのうちの他の１つを第２電極と記述できる。

本発明の種々の実施形態の各々の特徴が部分的に、または全体的に互いに結合または組合せ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施形態が互いに対して独立的に実施可能であることもあり、関連関係により共に実施可能であることもある。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態に係る表示装置に対して説明する。明細書の全体にわたって同一な参照符号は実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明で、本発明と関連した公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略するか、または簡略に説明する。

以下、図１から図３を参照して本発明の実施形態に係る表示装置に対して説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置を図示したブロック図である。図２は図１に図示された表示パネルの一部領域Ｒ１を概略的に図示した平面図であって、モジュール領域が拡大された図面を含んだ平面図であり、図３は図２に図示されたＩ−Ｉ’ラインに沿って取った断面図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の実施形態に係る表示装置は、表示パネル１０、データ駆動部、ゲート駆動部、電源供給部ＰＳ、及びタイミングコントローラＴＣなどを含むことができる。

表示パネル１０は，情報を表示するアクティブ領域ＡＡと、情報が表示されないベゼル領域ＢＡを含む。

アクティブ領域ＡＡは入力映像が表示される領域であって、複数の画素Ｐがマトリックス状に配列された画素アレイが配置される領域である。

ベゼル領域ＢＡはゲート駆動回路のシフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂ、及び各種リンク信号配線（例えば、ＤＬ１〜ＤＬｍ）とリンク電源供給ライン（例えば、ＶＤＬ１、ＶＤＬ２）、 電源ライン（例えば、ＶＳＬ１、ＶＳＬ２）、及び電源供給電極ＶＤＬａ、ＶＤＬｂなどが配置される領域である。アクティブ領域ＡＡに配置された画素アレイは互いに交差するように配置される多数のデータラインＤ１〜Ｄｍ、及び多数のゲートラインＧ１〜Ｇｎと、これら交差領域毎にマトリックス状に配置される画素Ｐを含む。

各々の画素Ｐは、発光ダイオードＬＥＤ、発光ダイオードＬＥＤに流れる電流量を制御する駆動薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、駆動ＴＦＴという）ＤＴ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧をセッティングするためのプログラミング部ＳＣを含む。画素アレイの画素Ｐは電源供給部ＰＳから第１電源ラインＶＤ１〜ＶＤｍを通じて高電位電圧である第１電源Ｖｄｄの供給を受けて、第２電源ラインＶＳＬ１〜ＶＳＬ２を通じて低電位電圧である第２電源Ｖｓｓの供給を受ける。

第１電源ラインＶＤ１〜ＶＤｍはチップオンフィルム３０が付着された側のベゼル領域ＢＡに配置された下側電源供給電極ＶＤＬａと、その反対側ベゼル領域に配置された上側電源供給電極ＶＤＬｂを通じて両側で電源供給部ＰＳから第１電源Ｖｄｄの供給を受ける。下側電源供給電極ＶＤＬａと上側電源供給電極ＶＤＬｂはリンク電源供給ラインＶＤＬ１、ＶＤＬ２により両端部が互いに連結される。したがって、アクティブ領域ＡＡに配置された画素の位置に従うＲＣ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）増加による表示品質の低下を最小化できる。

プログラミング部ＳＣは少なくとも１つのスイッチＴＦＴと、少なくとも１つのストレージキャパシタを含むことができる。スイッチＴＦＴは、ゲートラインＧＬからのスキャン信号に応答してターンオンされることによって、データラインＤ１〜Ｄｍからのデータ電圧をストレージキャパシタの一側電極に印加する。駆動ＴＦＴ（ＤＴ）はストレージキャパシタに充電された電圧の大きさによって発光ダイオードＬＥＤに供給する電流量を制御して発光ダイオードＬＥＤの発光量を調節する。発光ダイオードＬＥＤの発光量は駆動ＴＦＴ（ＤＴ）から供給される電流量に比例する。

画素を構成するＴＦＴはｐタイプで具現されるか、またはｎタイプで具現できる。また、画素を構成するＴＦＴの半導体層は、非晶質シリコンまたはポリシリコンまたは酸化物を含むことができる。発光ダイオードＬＥＤは、アノード電極、カソード電極、及びアノード電極とカソード電極との間に介された発光構造物を含む。アノード電極は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に接続される。発光構造物は、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）を含み、発光層を挟んでその一側には正孔注入層（Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）及び正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）が、その他側には電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が各々配置できる。

データ駆動部は、データＩＣ（ＳＤ）が実装され、一側はソース印刷回路基板２０の一端部に接続され、他側は表示パネル１０のベゼル領域ＢＡに付着されるチップオンフィルム３０を含む。

データＩＣ（ＳＤ）は、タイミングコントローラＴＣから入力されるデジタルビデオデータをアナログガンマ補償電圧に変換してデータ電圧を発生する。データＩＣ（ＳＤ）から出力されたデータ電圧は、リンク信号配線 ＤＬ１〜ＤＬｍを通じてデータラインＤ１〜Ｄｍに供給される。

ゲート駆動部は、ゲートＩＣが実装されたチップオンフィルムが表示パネルの一側に配置されるタイプや表示パネルにゲートＩＣを形成したＧＩＰタイプが利用できる。本発明ではＧＩＰタイプのゲート駆動部を例として説明する。

ＧＩＰタイプのゲート駆動部は、ソース印刷回路基板２０上に実装されたレベルシフタＬＳａ、ＬＳｂと、表示パネル１０のベゼル領域ＢＡに形成されて、レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂから供給される信号を受信するシフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂを含む。

レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂは，タイミングコントローラＴＣからスタートパルスＳＴ、ゲートシフトクロックＧＣＬＫ、及びフリッカー信号ＦＬＫなどの信号の入力を受けて、またゲートハイ電圧ＶＧＨ、ゲートロー電圧ＶＧＬなどの駆動電圧の供給を受ける。スタートパルスＳＴ、ゲートシフトクロックＧＣＬＫ、及びフリッカー信号ＦＬＫは、０Ｖと３．３Ｖの間でスイングする信号である。ゲートシフトクロック（ＧＣＬＫ１〜ｎ）は所定の位相差を有するｎ相クロック信号である。ゲートハイ電圧ＶＧＨは、表示パネル１０の薄膜トランジスタアレイに形成された薄膜トランジスタのしきい電圧以上の電圧であって、略２８Ｖの電圧であり、ゲートロー電圧ＶＧＬは表示パネル１０の薄膜トランジスタアレイに形成された薄膜トランジスタのしきい電圧より低い電圧であって、略−５Ｖの電圧である。

レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂは、タイミングコントローラＴＣから入力されるスタートパルスＳＴと、ゲートシフトクロックＧＣＬＫの各々をゲートハイ電圧ＶＧＨとゲートロー電圧ＶＧＬにレベルシフトしたシフトクロック信号ＣＬＫを出力する。したがって、レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂから出力されるスタートパルスＶＳＴとシフトクロック信号ＣＬＫの各々はゲートハイ電圧ＶＧＨとゲートロー電圧ＶＧＬとの間でスイングする。レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂは、フリッカー信号ＦＬＫによってゲートハイ電圧を低下させ、液晶セルのキックバック電圧（ΔＶｐ）を低下させてフリッカーを減らすことができる。

レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂの出力信号は、データＩＣ（ＳＤ）が配置されたチップオンフィルム３０に形成された配線と、表示パネル１０の基板に形成されたＬＯＧ（Ｌｉｎｅ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）配線を通じてシフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂに供給できる。シフトレジスタＳＲは、ＧＩＰ工程により表示パネル１０のベゼル領域ＢＡ上に直接形成できる。

シフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂは、レベルシフタＬＳａ、ＬＳｂから入力されるスタートパルスＶＳＴをゲートシフトクロック信号ＣＬＫ１〜ＣＬＫｎによってシフトさせることによって、ゲートハイ電圧ＶＧＨとゲートロー電圧ＶＧＬとの間でスイングするゲートパルスを順次にシフトさせる。シフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂから出力されるゲートパルスは、ゲートラインＧ１〜Ｇｎに順次供給される。

タイミングコントローラＴＣは、ホストシステム（図示せず）から入力される垂直同期信号、水平同期信号、データイネーブル信号、メインクロックなどのタイミング信号の入力を受けてデータＩＣ（ＳＤ）、及びＬＳａ、ＬＳｂ、ＳＲａ、ＳＲｂを含むゲート駆動部の動作タイミングを同期させる。データＩＣ（ＳＤ）を制御するためのデータタイミング制御信号は、ソースサンプリングクロック（Ｓｏｕｒｃｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｃｌｏｃｋ、ＳＳＣ）、ソース出力イネーブル信号（Ｓｏｕｒｃｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ、ＳＯＥ）などを含むことができる。ゲート駆動部（ＬＳａ、ＬＳｂ；ＳＲａ、ＳＲｂ）を制御するためのゲートタイミング制御信号は、ゲートスタートパルス（Ｇａｔｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ、ＧＳＰ）、ゲートシフトクロック（Ｇａｔｅ Ｓｈｉｆｔ Ｃｌｏｃｋ、ＧＳＣ）、ゲート出力イネーブル信号（Ｇａｔｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ、ＧＯＥ）などを含むことができる。

図１では、シフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂがアクティブ領域ＡＡの外側の両側に配置されてアクティブ領域ＡＡの両端部でゲートラインＧ１〜Ｇｎにゲートパルスを供給する構成を図示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、シフトレジスタがアクティブ領域ＡＡの一側のみに配置されてアクティブ領域ＡＡの一側でゲートラインＧ１〜Ｇｎにゲートパルスを供給することもできる。シフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂがアクティブ領域ＡＡの外側の両側に配置される場合、画素アレイの同一水平ラインに配置されたゲートラインには、同一位相、同一振幅のゲートパルスが供給される。

図２を参照すると、本発明の表示パネル１０は、アクティブ領域ＡＡとアクティブ領域ＡＡの外側のベゼル領域ＢＡを含む。

アクティブ領域ＡＡは、文字、図形、絵、写真、映像などの情報を表示するための画素アレイが配置される領域である。アクティブ領域ＡＡは、アクティブ領域ＡＡの隅部または一側辺に隣接した領域に配置される少なくとも１つのモジュール領域ＭＡを含むことができる。

モジュール領域ＭＡは，カメラ、スピーカー、センサーなどが配置される領域であって、光透過領域ＴＡと光透過領域ＴＡを囲むように配置される少なくとも１つのダム（図２の例では２つのダム、ＤＡＭ１、ＤＡＭ２）を含むことができる。

モジュール領域ＭＡには、画素アレイに信号を供給するゲートラインＧ１〜Ｇｎ、データラインＤ１〜Ｄｍを含む信号配線、及び第１電源ラインＶＤ１〜ＶＤｍなどは配置されない。

モジュール領域ＭＡは、アクティブ領域ＡＡのどこに配置されてもよく、その配置位置によって平面図上でモジュール領域ＭＡの上側、左側、右側、及び下側の少なくとも一側に情報が表示できる。

ベゼル領域ＢＡは、アクティブ領域ＡＡの外側でアクティブ領域ＡＡを囲む領域であって、アクティブ領域ＡＡの画素アレイに供給するゲートパルスを生成するためのシフトレジスタＳＲａ、ＳＲｂと、各種の信号を供給するための信号配線と、各種の電源を供給するための電源供給配線が配置される領域である。

次に、図３を参照して本発明に係る表示装置の断面構造に対して説明する。図３は、モジュール領域ＭＡの周辺領域に、即ち平面図上でモジュール領域ＭＡの上側、下側、左側、右側に、情報が表示される場合の例を示したものであって、これは単純に本発明の理解を助けるためのものである。したがって、図３及びこれと関連した説明に本発明が限定解釈されてはならない。

図３を参照すると、基板ＳＵＢ上には単層または多層構造のバッファ層ＢＵＦが配置できる。基板ＳＵＢはフレキシブルな反透明物質で形成できる。バッファ層ＢＵＦは基板ＳＵＢがポリイミドのような物質で形成される場合、後続工程で基板ＳＵＢから流出されるアルカリ金属イオンなどの不純物により発光素子が損傷することを防止するために、無機物質及び有機物質のうち、いずれか１つで形成できる。無機物質は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のうちのいずれか１つを含み、有機物質はフォトアクリルを含むことができる。

バッファ層ＢＵＦ上にはアクティブ領域ＡＡの各画素毎に半導体層Ａが配置される。半導体層Ａは、チャンネル領域ＣＡを挟んで離隔配置されるソース領域ＳＡとドレイン領域ＤＡを含む。ソース領域ＳＡとドレイン領域ＤＡは導体化された領域である。半導体層Ａは非晶質シリコンを用いるか、または非晶質シリコンを結晶化した多結晶シリコンを用いて形成できる。これとは異なり、半導体層Ａは亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ）、または亜鉛スズ酸化物（ＺｎＳｎＯ）のうち、いずれか１つからなることができる。また、半導体層Ａは、メロシアニン、フタロシアニン、ペンタセン、チオフェンポリマーなどの低分子系または高分子系有機物からなることもできる。

半導体層Ａが配置されたバッファ層ＢＵＦ上には半導体層Ａをカバーするようにゲート絶縁膜ＧＩが配置される。モジュール領域（ＭＡ）にはゲート絶縁膜ＧＩは配置されない。ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの二重層からなることができる。

ゲート絶縁膜ＧＩ上にはアクティブ領域ＡＡに半導体層Ａのチャンネル領域ＣＡと少なくとも一部領域が重畳するように薄膜トランジスタのゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥに連結されるゲートライン（図示せず）とが配置される。ゲート電極ＧＥ及びゲートラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ、またはこれらの合金であって、単一層または多重層からなることができる。

ゲート電極ＧＥ及びゲートラインが配置されたゲート絶縁膜ＧＩ上には、これらをカバーするように第１及び第２層間絶縁膜ＩＮＴ１、ＩＮＴ２が順次に配置される。モジュール領域ＭＡには第１及び第２層間絶縁膜ＩＮＴ１、ＩＮＴ２は配置されない。第１及び第２層間絶縁膜ＩＮＴ１、ＩＮＴ２は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で形成できる。第１及び第２層間絶縁膜ＩＮＴ１、ＩＮＴ２のうちの１つは省略できる。

第２層間絶縁膜ＩＮＴ２上にはアクティブ領域ＡＡに薄膜トランジスタのソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと、ソース電極ＳＥに連結されるデータライン（図示せず）が配置される。ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥはゲート絶縁膜ＧＩ、第１及び第２層間絶縁膜ＩＮＴ１、ＩＮＴ２を貫通するコンタクトホールを通じて露出した半導体層のソース領域ＳＡと、ドレイン領域ＤＡに各々接続される。モジュール領域ＭＡには薄膜トランジスタのソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びデータラインは配置されない。データラインはモジュール領域ＭＡの左側または右側に迂回するように配置される。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥをカバーするパッシベーション膜上には平坦化膜ＰＬＮが配置できる。モジュール領域ＭＡにはパッシベーション膜と平坦化膜ＰＬＮは配置されない。平坦化膜ＰＬＮは下部構造の段差を緩和して下部構造を保護するためのものであって、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で形成できる。

平坦化膜ＰＬＮ上には画素毎にアノード電極ＡＮＯが配置される。アノード電極ＡＮＯは平坦化膜ＰＬＮを貫通するコンタクトホールを通じて露出した薄膜トランジスタのドレイン電極ＤＥに接続される。モジュール領域ＭＡにはアノード電極ＡＮＯは配置されない。アノード電極ＡＮＯはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電性物質で形成できる。

平坦化膜ＰＬＮ上にはアノード電極ＡＮＯを露出させる開口部を有するバンク層ＢＮが形成される。バンク層ＢＮの開口部は発光領域を定義する領域である。モジュール領域ＭＡのバッファ層ＢＵＦ上には図２に図示したように、バンク層ＢＮと同一物質で形成される少なくとも１つのダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２が光透過領域（ＴＡ）を定義するように配置される。

バンク層ＢＬの発光領域を通じて露出したアノード電極ＡＮＯ上には発光スタックＬＥＳとカソード電極ＣＡＴとが順次配置される。発光スタックＬＥＳはバンク層ＢＮの開口部内のアノード電極ＡＮＯ上に正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に、または逆順に積層して形成できる。カソード電極ＣＡＴは、アクティブ領域ＡＡの全領域でバンク層ＢＮと発光スタックＬＥＳをカバーするように平坦化膜ＰＬＮ上に配置できる。但し、カソード電極ＣＡＴはモジュール領域ＭＡには配置されないことが好ましい。カソード電極ＣＡＴは仕事関数が低いマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。

平坦化膜ＰＬＮ上にはアクティブ領域ＡＡ及びベゼル領域ＢＡにおけるカソード電極ＣＡＴとバンク層ＢＬとをカバーするように第１保護膜ＰＡＳ１が配置できる。モジュール領域ＭＡには第１保護膜ＰＡＳ１は配置されない。

第１保護膜ＰＡＳ１上には封止層ＥＮＣが配置できる。モジュール領域ＭＡには封止層ＥＮＣは配置されない。封止層ＥＮＣは外部からの水分や酸素が封止層ＥＮＣの内部に位置した発光スタックＬＥＳに侵入することを最小化するためのものであって、無機物層と有機物層が交互に配置される多層構造で形成できる。

封止層ＥＮＣと、モジュール領域ＭＡの少なくとも１つのダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２上には封止層ＥＮＣとダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２を保護するための第２保護膜ＰＡＳ２が配置される。

第２保護膜ＰＡＳ２上には外部光が表示パネルの表面で反射する表面反射、表示パネル内部に進行した外部光が表示パネル内部の電極で反射する電極反射のような外部光の要因を減らすために偏光フィルム（図示せず）が配置できる。しかしながら、モジュール領域ＭＡには偏光フィルムは配置されない。

アクティブ領域ＡＡのモジュール領域ＭＡに対応する基板ＳＵＢの下面にはカメラモジュール、スピーカーモジュール、センサーモジュールのように、表示パネルに一体化し難い素子が配置できる。

モジュール領域ＭＡは、光が透過できる透過領域ＴＡを含む領域であって、ゲートライン及びデータラインを含む信号配線、電源配線、電極などの不透明物質または光透過性がよくない絶縁物質などが除去された領域である。図３の例では説明を簡単にするために図２に図示したモジュール領域ＭＡの両側の画素に配置された薄膜トランジスタＴＦＴ及び発光ダイオードＬＥＤのみを図示した。

前述したように、本発明の実施形態に係る表示装置によれば、別途のマスクを利用しなくても表示パネル製造工程を通じて表示パネルのアクティブ領域ＡＡに光が透過できるモジュール領域ＭＡを形成することができるので、製造工程が複雑になることを避けることができるだけでなく、製造時間と費用を減らすことができる効果が得られる。

また、光透過領域ＴＡを囲むようにモジュール領域ＭＡに少なくとも１つのダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２を配置することによって、モジュール領域に配置されたモジュールからの信号が光による影響を受けないようになるので、モジュール自体の機能を向上させることができる。

また、モジュール領域ＭＡの光透過領域ＴＡは、基板ＳＵＢ、バッファ層ＢＵＦ、及び第２保護膜ＰＡＳ２の３層構造のみ残るようになり、バッファ層ＢＵＦを省略する場合、基板ＳＵＢと第２保護膜ＰＡＳ２の２層構造のみ残るようになるので、光の透過効率を高めることができる。

また、アクティブ領域ＡＡ内の所望の位置どこでもモジュール領域ＭＡを配置することができ、モジュール領域ＭＡを除外した残りの全体アクティブ領域を表示領域に活用できるので、デザイン自由度が高まる。

以上、説明した内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。本発明に図示された例では電界発光表示装置を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、及び電気永動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＥＤ）のような多様な平板表示装置に適用できる。したがって、本発明の技術的範囲は発明の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求範囲により定まるべきである。

Claims (11)

1. 少なくとも１つのモジュール領域を含むアクティブ領域と、前記アクティブ領域の外側に配置されるベゼル領域を含む表示パネルと、
   前記アクティブ領域で基板上に配置される画素アレイとを含み、
   前記少なくとも１つのモジュール領域は、前記表示パネルの基板を含み、前記少なくとも１つのモジュール領域を除外したアクティブ領域より薄い、表示装置。
2. 前記モジュール領域は、光透過領域と、前記光透過領域を囲むように配置される少なくとも１つのダムを含む、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記少なくとも１つのダムは、光透過領域を囲むように配置される第１ダムと、前記第１ダムと離隔して前記第１ダムを囲むように配置される第２ダムを含む、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記少なくとも１つのモジュール領域は、前記モジュール領域を囲む前後左右の４方向の領域のうち、少なくとも２つの領域に情報が表示されるように前記アクティブ領域内に配置される、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記モジュール領域の光透過領域は、前記表示パネルの基板上に配置される保護層を含む、請求項２に記載の表示装置。
6. 前記モジュール領域の光透過領域を除外した領域は、前記基板上に配置される少なくとも１つのダムと、前記１つのダムをカバーする前記保護層を含む、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記ベゼル領域には前記アクティブ領域の画素アレイに第１電位を供給するための第１電位供給電極と、前記第１電位より低い第２電位を供給するための第２電位供給電極が配置され、
   前記第１電位供給電極に連結されて前記アクティブ領域に延びる第１電位供給ラインは前記モジュール領域を回避して配置される、請求項１から６のうち、いずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記アクティブ領域には前記画素アレイにゲート信号とデータ信号とを供給するためのゲートライン及びデータラインが配置され、前記ゲートライン及び前記データラインは前記モジュール領域を回避して配置される、請求項１から６のうち、いずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記第１電位供給電極が配置されたベゼル領域の反対側ベゼル領域には前記画素アレイに前記第１電位を供給する他の第１電位供給電極が配置される、請求項７に記載の表示装置。
10. 前記第１電位供給電極と前記他の第１電位供給電極は、前記アクティブ領域左右側ベゼル領域に配置されるリンクラインにより両端部が互いに連結される、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記アクティブ領域の両側に位置するベゼル領域には、前記画素アレイに供給されるゲート信号を生成するためのゲート駆動部のシフトレジスタが各々配置される、請求項１から６のうち、いずれか一項に記載の表示装置。

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