CN1677248A - 光致抗蚀剂剥离剂组合物 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种剥离剂，该剥离剂能极好地抑制铜线路或低k膜的腐蚀或损坏，并具有极好的灰化后光致抗蚀剂残余物的可除去性。本发明提供了一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物包含至少两种不同无机酸的盐、表面活性剂和金属缓蚀剂，并且具有3～10的pH；本发明还提供了一种制备半导体装置的方法，其特征在于，使用所述的光致抗蚀剂剥离剂来剥离光致抗蚀剂残余物，所述光致抗蚀剂残余物是在制备以铜或主要为铜的铜合金作为线路材料的半导体装置中产生的。

Description

光致抗蚀剂剥离剂组合物

技术领域

本发明涉及用于具有铜线路的半导体装置的光致抗蚀剂剥离剂。

背景技术

目前所知道的光致抗蚀剂剥离剂，有作用于铝合金或钨合金线路的包含无机酸盐和金属缓蚀剂的剥离剂(专利文献1和2)，以及包含有机酸盐和表面活性剂的剥离剂(专利文献3)等。

此外，目前最常用的装置在结构中具有铜线路和作为绝缘膜的低介电常数的膜(下称低k膜)。

[专利文献1]  日本未审查专利申请第2001-51429号

[专利文献2]  日本未审查专利申请第2003-223010号

[专利文献3]  日本未审查专利申请第2001-267302号

但是，由于上述现有技术文献中描述的剥离剂作用于不同的材料，所以对于目前占主流的具有铜线路并采用低k膜作为绝缘膜的那些装置，它们不能充分去除光致抗蚀剂灰化后的残余物。此外，由于在试剂的作用下，铜线路或形成连接导线的通孔的横侧面的低k膜很容易腐蚀或损坏，因此需要一种光致抗蚀剂剥离剂，它能极好地抑制铜线路或低k膜损坏，并且能极好地除去光致抗蚀剂残余物。

发明内容

本发明的目的是提供一种剥离剂，该剥离剂能极好地抑制铜线路或低k膜腐蚀或损坏，并且能极好地除去光致抗蚀剂灰化后的残余物。

为了开发一种能够解决上述问题的光致抗蚀剂剥离剂，本案发明人进行了深入的研究，结果，他们发现了一种组合物，该组合物的pH为3～10，它包含至少两种酸的来源不同的无机酸盐、表面活性剂和金属缓蚀剂，能够抑制铜线路或低k膜的损坏，并具有极好去除光致抗蚀剂灰化后的残余物的能力，于是最终完成了本发明。

也就是说，本发明提供一种光致抗蚀剂剥离剂，其特征在于，所述光致抗蚀剂剥离剂包含至少两种其酸的来源不同的无机酸盐、表面活性剂和金属缓蚀剂(下称为本发明的剥离剂)，并且提供一种使用本发明的剥离剂制备半导体装置的方法。

具体实施方式

下面将详细地说明本发明。

本发明的剥离剂包含至少两种其酸的来源不同的无机酸盐、表面活性剂和金属缓蚀剂。

此处，作为无机酸盐，可以提到由无机酸衍生的成分和碱性化合物衍生的成分形成的盐。

进而，所述无机酸可以具体列举含氧酸、氢酸和过氧酸。所述含氧酸有例如硼酸、碘酸、磷酸、焦磷酸、三聚磷酸、硫酸、次氯酸、亚氯酸、高氯酸、硝酸、亚硝酸、次磷酸、亚磷酸、亚硫酸等；所述氢酸有例如氢溴酸、氢氯酸、氢氟酸、氢碘酸、氢硫酸等；所述过氧酸有例如过氧硝酸、过氧磷酸、过氧焦磷酸、过氧硫酸、过氧焦硫酸等。

其中，优选硫酸、氢氯酸、硝酸、磷酸和氢氟酸。

此外，作为碱性化合物，可以提到碱性无机化合物和碱性有机化合物。所述碱性无机化合物可具体列举氨、羟胺、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙等。所述碱性有机化合物可具体列举：伯胺，例如甲胺、乙胺、异丙胺、一异丙胺等；仲胺，例如二乙胺、二异丙胺、二丁胺等；叔胺，例如三甲胺、三乙胺、三异丙胺、三丁胺等；链烷醇胺，例如单乙醇胺、二乙醇胺、2-氨基乙醇、2-乙氨基乙醇、2-甲氨基乙醇、N-甲基二乙醇胺、二甲氨基乙醇、二乙氨基乙醇、氮川三乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、1-氨基-2-丙醇、三乙醇胺、一丙醇胺、二丁醇胺等；氢氧化季铵，例如氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、氢氧化二甲基二乙基铵、氢氧化一甲基二乙基铵、胆碱等。

更进一步地，其中优选的碱性化合物可包括碱性无机化合物中的氨等和碱性有机化合物中的氢氧化四甲铵、胆碱等。

所述无机酸盐选自上述组合。这些无机酸盐优选为不含金属的那些盐，例如氨盐，无机酸与碱性有机化合物的组合的代表性例子包括，例如盐酸甲胺、盐酸乙胺、盐酸三甲胺、2-氨基乙醇胺盐酸盐、氮川三乙醇盐酸盐、二乙氨基乙醇盐酸盐、氯化四甲胺、氟化四甲胺、氯化胆碱等。

无机酸和碱性无机化合物的组合的代表性例子还包括，例如羟胺硫酸盐、羟胺硝酸盐、氯化羟胺、羟胺草酸盐、硫酸铵、氯化铵、硝酸铵、磷酸铵、氟化铵等。

本发明的剥离剂通常包含至少两种无机酸盐，该无机酸盐的总量为0.001重量％～30重量％，优选0.01重量％～10重量％，更优选0.1重量％～5.0重量％。

对于两种或多种无机酸盐，每种盐的比例不特别地限定，当这些盐的总重量百分比落在上述总量的范围内时是比较合适的。

当这些盐的浓度低于0.001重量％时，除去光致抗蚀剂残余物的性能会变得不充分；但是当该浓度高于30重量％时，溶解性会变差。所述剥离剂包含两种或多种酸的来源不同的无机酸的至少两种盐。

从对光致抗蚀剂残余物的可除去性的角度看，盐的优选组合可具体列举例如硝酸铵和氯化氢铵、硝酸铵和磷酸铵、羟胺硝酸盐和羟胺盐酸盐、羟胺硝酸盐和2-氨基乙醇胺盐酸盐等。

其中，更优选无机酸和碱性无机化合物的盐的组合，尤其是硝酸铵和氯化氢铵的组合、硝酸铵和磷酸铵的组合等。

本发明的剥离剂中包含的表面活性剂可以是阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的任一种。其中，该剥离剂优选包含阴离子表面活性剂。

这里，所述阴离子表面活性剂可以包括所有通常已知的阴离子表面活性剂，其中优选那些在分子结构中具有两个或多个阴离子官能团的阴离子表面活性剂。

本文使用的术语“阴离子官能团”表示在水中具有阴离子性的基团，其具体例子可包括形成磺酸的基团(下称磺酸基)、形成硫酸酯的基团(下称硫酸酯基)、形成磷酸酯的基团(下称磷酸酯基)、形成羧酸的基团(下称羧基)等。

具有磺酸基的化合物可具体列举在分子结构中具有两个或多个阴离子官能团的化合物，例如烷基二苯醚二磺酸、亚烃基二磺酸、萘磺酸-甲醛的缩合物、苯酚磺酸-甲醛的缩合物、苯基苯酚磺酸-甲醛的缩合物等；一些化合物例如烷基苯磺酸、丁二酸二烷基酯磺酸、丁二酸单烷基酯磺酸、烷基苯氧基乙氧基乙基磺酸等，或它们的盐。具有硫酸酯基团的化合物可列举：甲基牛磺酸类，例如烷基甲基牛磺酸、酰基甲基牛磺酸、脂肪酸甲基牛磺酸等；一些化合物，例如聚氧化烯烷基苯基醚硫酸酯、聚氧化烯烷基醚硫酸酯、聚氧化烯聚环苯基醚硫酸酯、聚氧化烯芳基醚硫酸酯等或它们的盐。具有磷酸酯基的化合物可列举以下化合物，例如聚氧化烯烷基醚磷酸、聚氧化烯烷基苯基醚磷酸等，或它们的盐等。具有羧基的化合物可列举：肌氨酸化合物，例如酰基肌氨酸、脂肪酸肌氨酸等；脂肪酸化合物，例如棕榈油、油酸等，或它们的盐。分子结构中具有两种不同阴离子官能团的化合物可列举如下化合物，例如具有磺酸基和羧酸基的烷基磺基丁二酸、聚氧化烯烷基磺基丁二酸等，或它们的盐。

本发明的剥离剂优选使用具有磺酸基和/或硫酸酯基的阴离子表面活性剂。

更优选的化合物可以是那些分子结构中具有两个或多个阴离子官能团的化合物，其中进一步优选烷基二苯基醚二磺酸或它的盐。

作为烷基二苯基醚二磺酸或它的盐，具体可示例为十二烷基二苯基醚二磺酸二钠、十二烷基二苯基醚二磺酸二铵或十二烷基二苯基醚二磺酸二(三乙醇胺)。

阳离子表面活性剂可包括烷基三甲基铵盐、烷基酰氨基胺和烷基二甲基苄基铵盐等表面活性剂。

此外，非离子表面活性剂可包括以下表面活性剂：聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基苯基醚、聚氧化烯乙二醇脂肪酸酯、聚氧化烯山梨醇脂肪酸酯、山梨聚糖脂肪酸酯、聚氧化烯山梨聚糖脂肪酸酯等。

本发明的剥离剂可以包含一种或两种或多种阴离子、阳离子和非离子表面活性剂。

本发明的剥离剂通常包含0.001重量％～20重量％，优选0.001重量％～10重量％，更优选0.1重量％～5重量％的表面活性剂。当表面活性剂的量低于0.001重量％时，光致抗蚀剂的剥离性能趋于不充分；当表面活性剂的浓度高于10重量％时，剥离剂的粘度或起泡增加，从而导致使用时操作困难。

本发明的剥离剂包含金属缓蚀剂。

这样的金属缓蚀剂可列举分子中含有氮原子、氧原子、磷原子和硫原子中至少一种的有机化合物，更具体地可为有机酸、糖类、在氮原子上具有至少两个烷基的叔胺化合物、分子中具有至少一个唑基的化合物、具有至少两个碳原子和至少一个巯基的脂肪醇类化合物等，其中键合有所述巯基的碳原子与键合有羟基的碳原子邻接。

此处的有机酸可包括：单羧酸，例如甲酸、乙酸、丙酸、二羟乙酸、丙酮酸和葡糖酸；二羧酸，例如2-酮基戊二酸、1，3-丙酮二羧酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、富马酸和邻苯二甲酸；羟基单羧酸，例如羟基丁酸、乳酸和水杨酸；羟基二羧酸，例如苹果酸和酒石酸；羟基三羧酸，例如柠檬酸；氨基羧酸，例如天冬氨酸和谷氨酸；等等。

其中，优选草酸、丙二酸、乳酸、葡糖酸、酒石酸、苹果酸、柠檬酸、二羟乙酸等。它们对铜线路表现出极好的腐蚀抑制效果。

糖类可包括，例如，如醛糖、酮糖等单糖及糖醇等。

具体地，醛糖可列举来苏糖、甘油醛、丙糖(treose)、赤藓糖、阿拉伯糖、木糖、核糖、阿洛糖、阿卓糖、古洛糖、艾杜糖、塔罗糖、葡萄糖、甘露糖、半乳糖等；酮糖可列举赤藓糖、核酮糖、木糖、塔格糖、山梨糖、阿洛酮糖、果糖等。糖醇可列举苏糖醇、赤藓醇、核糖醇、阿糖醇、木糖醇、塔罗糖醇、山梨糖醇、甘露糖醇、艾杜糖醇、卫矛醇等，在它们中，山梨糖醇、甘露糖醇和木糖醇是优选的，甘露糖醇是更优选的。

在氮原子上具有至少两个烷基的叔胺化合物可包括具有羟烷基和烷基的胺化合物、分子中具有环烷基和烷基的胺化合物、分子中具有两个或两个以上氮原子的多胺化合物等。

此处的烷基可列举具有1～4个碳原子的烷基，具体可为甲基、乙基、异丙基、正丙基或丁基等。

在上述胺化合物中，特别地，具有羟烷基和烷基的胺化合物可列举N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N， N-二异丙基乙醇胺、N，N-二正丙基乙醇胺等；具有环烷基的胺化合物可列举N，N-二甲基环己胺、N，N-二乙基环己胺、N，N-二异丙基环己胺、N，N-二正丙基环己胺、N，N-二丁基环己胺等。并且，分子中具有两个或多个氮原子的多胺化合物可列举四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、五甲基二亚乙基三胺、二(二甲基氨基乙基)醚、三(3-(二甲基氨基)丙基)六氢均三嗪等。

在这些中，优选二甲基环己胺、五甲基二亚乙基三胺和二(2-二甲基氨基乙基)醚。

分子中具有至少一个唑基的化合物的具体例子包括，例如苯并三唑的衍生物，例如苯并三唑、甲苯并三唑、4-甲基咪唑、5-羟甲基-4-甲基咪唑、3-氨基三唑、1-羟基苯并三唑、2′，2-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇等。

对于具有两个或多个碳原子和至少一个巯基，且其中键合所述巯基的碳原子和键合羟基的碳原子邻接的脂肪醇类化合物，其具体例子包括硫甘油、硫甘醇等。

本发明的剥离剂可以包含这些金属缓蚀剂中的两种或两种以上。

本发明的剥离剂通常包含0.0001重量％～10重量％、优选0.001重量％～5重量％、更优选0.01重量％～2重量％的这类金属缓蚀剂。当该含量低于0.0001重量％时，对铜线路的腐蚀抑制效果将不充分；当含量大于10重量％时，在剥离剂中的溶解性将不充分。

本发明的剥离剂的pH通常为3～10，优选4～9。当pH低于3时，光致抗蚀剂残余物的可除去性有时变得不充分；当pH高于10时，抑制低k膜损坏的性能变差。

如果需要，本发明的剥离剂可以包含pH调节剂。在此情况下使用的pH缓冲剂可以为通常使用的酸或碱溶液，优选不包含金属。

此外，前述无机酸和碱化合物可以包含在本发明的剥离剂中作为普通的pH调节剂。

本发明的剥离剂包含水作为溶剂。

本发明的剥离剂通常包含40重量％～99.98重量％、优选50重量％～99.98重量％、更优选70重量％～99.98重量％、特别优选90重量％～99.98重量％量的水。

另外，尽管现有技术中的光致抗蚀剂剥离剂一般是包含有机溶剂作为主成分的试剂，但是本发明的剥离剂包含水作主成分，而且仍然表现出极好的光致抗蚀剂剥离效果。近年来，由于需要减轻环境负担的原因，需要以水为主成分的剥离剂，所以本发明的剥离剂还优选包含大量的水。

如果需要，本发明的剥离剂可以包含水溶性有机溶剂。用于该目的的这类水溶性有机溶剂可以是，例如通常的醇类，如甲醇、乙醇、异丙醇等；二元醇类，例如乙二醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单异丙醚、乙二醇单丁醚、二甘醇、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单异丙醚、二甘醇单丁醚等；N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜等。

当包含这些水溶性有机溶剂时，相对于本发明的剥离剂的总量，该水溶性有机溶剂含量在5重量％至30重量％的范围内。

此外，如果需要，本发明的剥离剂还可以包含其它成分，这并不脱离本发明的范围。

这样的其它成分包括例如过氧化氢水溶液、消泡剂等。

对于消泡剂，具体地例如为乳化剂，如硅酮、聚醚、特种非离子表面活性剂、脂肪酸酯等，以及水溶性有机化合物例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、甲乙酮等。

当本发明的剥离剂包含这些其它成分时，其总量通常在0.01重量％-5重量％的范围内，优选0.1重量％～1重量％。

采用与制备光致抗蚀剂剥离剂的已知方法等同的方法来调制本发明的剥离剂。具体来说，例如，通过将溶剂与例如两种或两种以上的无机酸盐、表面活性剂、金属缓蚀剂等成分混合来得到所述剥离剂。或者，也可以分别按照成盐所需的各自当量来分别混合无机酸或碱化合物。更具体来说，例如，可以通过在溶剂中混合例如氨水、盐酸和硝酸至它们各自所需的盐浓度，收集中和产生的放热，然后依序混合其它表面活性剂、金属缓蚀剂等并将它们溶解，从而得到所述剥离剂。

此外，可以将本发明的剥离剂制备成各成分浓度相对较高的储备溶液，使用时用水将该储备溶液稀释为原始浓度的本发明的剥离剂。当剥离剂制备地点和使用地点不同时，从降低运输成本、易于保障储存空间的角度看，这个方法是有利的。

本发明的剥离剂用于半导体装置制备中使用的基片，在所述半导体装置中，连接例如晶体管等元件的导线材料由铜和以铜为主成分的铜合金组成。

此处，以铜为主成分的铜合金是指包含90质量％或高于90质量％的铜的铜合金，和包括包含异质元素例如Sn、Ag、Mg、Ni、Co、Ti、Si、Al等的铜合金。这些金属因具有低的电阻而改进了元件的高速性能，然而它们容易腐蚀，例如它们会在试剂中溶解或受损等，在这种情况下，本发明的效果是非常显著的。

作为可用本发明的剥离剂处理的膜，可以提及的是低k膜，即近来使用的线路之间的层间绝缘膜，也可以是硅的氧化物膜，即普通的层间绝缘膜，等等。

可用本发明的剥离剂处理的低k膜可以是任何膜，而不管膜的类型或成膜方法如何，只要是通常已知的即可。本文中所述的低k膜通常是指介电常数为3.0或低于3.0的绝缘膜。

这类低k膜可以是例如无机膜、基于聚有机硅氧烷的膜、芳香膜和有机膜。所述无机膜有例如FSG膜(含F的SiO₂膜)、SiOC膜(含C的SiO₂膜)和SiON膜(含N的SiO₂膜)；基于聚有机硅氧烷的膜有例如MSQ膜(甲基硅倍半氧烷(methylsilsesquioxane))、HSQ膜(氢硅倍半氧烷(hydrogensilsesquioxane))、MHSQ膜(甲基化氢硅倍半氧烷(methylatedhydrogensilsesquioxane))等；所述芳香膜有例如PAE膜(聚芳基醚)、BCB膜(二乙烯基硅烷-双-苯并环丁烯)等；所述有机膜有例如SiLk膜、多孔SiLk膜等。

特别地，适合用本发明的剥离剂处理的膜包括SiOC、MSQ、PAE(聚芳基醚)等。

使用本发明的剥离剂除去光致抗蚀剂残余物的方法包括：将半导体基片直接浸渍在本发明的剥离剂中的浸渍方法；将本发明的剥离剂喷洒到旋转的25～50片基片上的喷洒方法；将本发明的剥离剂喷洒到旋转的一片基片上的单晶片旋转方法等。

作为使用本发明的剥离剂制备半导体装置的方法，例如可以使用下述方法。

首先，在形成了例如晶体管等元件的半导体基片上形成绝缘膜例如硅的氧化物膜，使用已知的CMP技术和石版印刷术在绝缘膜上形成铜线路。接着在铜线路上形成低k膜或二氧化硅膜、氮化硅膜等。

然后，在采用石版印刷术使光致抗蚀剂形成图案后，采用该光致抗蚀剂作为掩模，使用干蚀刻技术在绝缘膜等中形成通孔。在形成通孔时，蚀刻产生的残余物附着在孔内壁上。然后，用氧等离子体等灰化除去光致抗蚀剂，再用本发明的剥离剂剥离留在通孔的底部或内壁和通孔外周的残余物。这样就可以除去不能通过灰化除去的光致抗蚀剂膜或蚀刻残余物。

然后，将铜或钨膜嵌在通孔的内部形成层间连接插头。

在该装置的制备中，如上所述，由于铜线路层暴露在蚀刻后的通孔的开口处，低介电常数膜暴露在孔的内壁，所以需要本发明的剥离剂具有防止铜腐蚀的作用或抑制低介电常数膜损坏的性能。通过在制备装置的过程中使用本发明的剥离剂，可以有效地除去光致抗蚀剂残余物和蚀刻残余物，而不会损坏铜层或低介电常数膜。

实施例

采用下列实施例更加详细地解释本发明，但这些实施例并不以任何方式限制本发明。

实施例1

在铜线路上形成通孔的过程中，评价本发明剥离剂的光致抗蚀剂残余物灰化后的可除去性和抑制铜线路和低k膜损坏的能力。

按照下述方式制备用于评价的样品。

首先，在硅晶片上形成铜线路，然后使用等离子体CVD技术在其上形成作为低k膜的SiOC膜。接着在其上形成正型光致抗蚀剂膜，曝光和显影，以便产生光致抗蚀剂图案。

在干蚀刻低k膜时，采用该光致抗蚀剂膜作为掩模，并且形成通孔。蚀刻完成后，用氧等离子体灰化的方法将光致抗蚀剂膜进行灰化，然后使用具有如表1的组成的本发明的剥离剂和对比剥离剂，对灰化后附着有光致抗蚀剂残余物的样品进行剥离处理。使用氢氧化四甲铵作为pH调节剂。

剥离处理的条件为，以500rpm的速度旋转样品，在剥离剂以150毫升/分钟的流速下，进行单晶片旋转1分钟，再用水清洗10秒钟。然后用SEM(扫描电子显微镜)观察样品的横截面。评价孔内残余物的光致抗蚀剂残余物可除去性、暴露在通孔底部的铜层的腐蚀和暴露的低k膜(SiOC)的损坏。结果表示在表1中。此外，在表1中，各个成分的值代表重量百分比，pH值代表组合后的溶液的pH值。

表1

	本发明的剥离剂1	对比剥离剂1	对比剥离剂2	对比剥离剂3
					硝酸铵	0.4	0.4	0.4	0.4
氯化铵	0.8		0.8	0.8
					草酸	0.1	0.1	0.1	0.1
十二烷基二苯基醚二磺酸二铵*	0.25	0.25	0.25
					pH调节剂	0.20	0.20		0.20
水	98.25	99.05	98.45	98.50
					pH	5.0	5.0	2.0	5.0
					孔内残余物可除去性	○	×	○	×
铜层的腐蚀	○	○	○	○
					低k膜的损坏	○	○	×	○

*具有两个阴离子官能团的阴离子表面活性剂

[评价标准]

残余物可除去性：○  良好

                △  稍差

                ×  差

铜层的腐蚀性：  ○  无腐蚀

                △  稍微腐蚀

                ×  严重腐蚀

低k膜的损坏：   ○  无损坏

                △  稍微损坏

                ×  严重损坏

如表1所示，本发明的剥离剂1具有良好的孔内残余物可除去性，对暴露在孔底部的铜层没有表现出任何腐蚀，对暴露在孔侧壁的低k膜没有表现出任何损坏。同时，在仅包含一种非金属盐的对比剥离剂1中，孔内残余物可除去性降低，在低pH2.0的对比剥离剂2和不包含表面活性剂的对比剥离剂3中，观察到了低k膜损坏。

发明效果

本发明提供一种光致抗蚀剂剥离剂，该剥离剂具有极好的抑制铜线路或低k膜腐蚀或损坏的性能，并具有极好的灰化后的光致抗蚀剂残余物的可除去性。

Claims (7)

1.一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，该组合物包含两种或多种酸的来源不同的无机酸盐、表面活性剂和金属缓蚀剂，其特征在于，所述组合物的pH在3～10的范围内。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，两种或两种以上无机酸盐中的至少一种为由无机酸和碱性无机化合物形成的盐。

3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，两种或两种以上无机酸盐中的至少一种为由无机酸和碱性有机化合物形成的盐。

4.根据权利要求1～3任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，所述两种或两种以上无机酸盐为选自硝酸盐、氯化物和磷酸盐中的盐。

5.根据权利要求1～4任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂。

6.根据权利要求1～5任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，所述金属缓蚀剂为有机酸。

7.一种制备半导体装置的方法，其特征在于，使用权利要求1～6任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂来剥离光致抗蚀剂残余物，所述光致抗蚀剂残余物是在制备以铜或主成分为铜的铜合金作为线路材料的半导体时产生的。