CN1637566B - 平板显示装置以及制造它的方法 - Google Patents
平板显示装置以及制造它的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1637566B CN1637566B CN2004100104401A CN200410010440A CN1637566B CN 1637566 B CN1637566 B CN 1637566B CN 2004100104401 A CN2004100104401 A CN 2004100104401A CN 200410010440 A CN200410010440 A CN 200410010440A CN 1637566 B CN1637566 B CN 1637566B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- thermal resistance
- pattern
- layer pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 145
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 312
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一个平板显示装置，其包括基底和具有沉积在基底上的热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案的源极/漏极电极。使用这种设计，该平板显示装置具有低的线阻，热稳定性和同象素电极相比的改进的接触电阻。
Description
技术领域
本发明涉及一种平板显示装置以及制造它的方法，尤其是涉及一种有源矩阵平板显示装置以及制造它的方法。
背景技术
有源矩阵显示装置可以包括布置成矩阵形式的单位象素。对一个有源矩阵平板显示装置，每个单位象素可以包括至少一个薄膜晶体管(TFT)，由TFT控制的象素电极，和与象素电极面对的反相电极。有机发光装置是一种将有机发光层插入在象素电极和反相电极之间的装置。相反的，液晶显示装置是一种将液晶层插入在象素电极和反相电极之间的装置。
图1是说明根据现有技术的平板显示装置的TFT的横截面图。
如在图1中所示，可以在基底10上形成半导体层20。可以将覆盖半导体层20的栅极绝缘层30形成在半导体层20上。可以将栅极电极40形成在栅极绝缘层30上。可以形成覆盖栅极电极40的中间层50。将暴露出半导体层20两端的接触孔50a形成在中间层50上。可以形成位于中间层50上并通过接触孔50a接触半导体层20的两端的源极/漏极电极55。在形成源极/漏极电极55时，平板显示装置(未示出)的信号线可以一起形成。
源极/漏极电极55和信号线可以由钼(Mo)形成，但是，Mo具有高电阻率。这意味着它可能增加信号线的线阻，引起信号线的信号延迟。信号延迟将引起平板显示装置的图像质量退化。
为了致力于此，试图形成源极/漏极电极55和包括钼(Mo)层和Mo层上的低电阻Al层的双层的信号线。但是，如果源极/漏极电极55的任意一个接触ITO层(诸如象素电极(未示出))，将会在Al层和ITO层之间形成氧化层。因此，象素电极和源极/漏极电极55之间的接触电阻可以增大。
发明内容
本发明提供一种平板显示装置，它包括具有低的线阻，热稳定性和改进的与象素电极的接触电阻的源极/漏极电极。
本发明的一方面提供了一种平板显示装置。该平板显示装置包括基底；沉积在基底上的具有热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖(capping)金属层图案的源极和漏极电极。
优选的，热电阻金属层图案是，例如Cr层，Cr合金层，Mo层和Mo合金层中的至少一种金属层，更优选的是，热电阻金属层图案可以是MoW合金层。
优选的，Al基金属层图案是，例如Al层，AlSi层，AlNd层和AlCu层中的至少一种金属层。更优选的，Al基金属层图案是AlSi层。
优选的，封盖金属层图案是Ti层或者Ta层。
优选的，扩散屏障图案是Ti层或者Ta层中的任一种。
热电阻金属层图案具有至少1000μm的厚度。与此相反，当平板显示装置还包括插入在热电阻金属层图案和Al基金属层图案之间的扩散屏障图案时，热电阻金属层图案是500μm的厚度或者更少。
更优选的，平板显示装置还包括位于基底上的半导体层，位于半导体层上的栅极电极，和位于栅极电极和半导体层上并具有暴露出半导体层端部部分的源极/漏极接触孔的中间层。在此，热电阻金属层图案、铝基金属层图案和封盖金属层图案可位于暴露的半导体层上。优选的，半导体层是多晶硅层。
本发明的另一方面提供一种制造平板显示装置的方法。该制造平板显示装置的方法包括下述步骤：在基底上形成半导体层，在半导体层上形成栅极电极，形成覆盖栅极电极和半导体层的中间层，在中间层内形成暴露半导体层端部部分的源极/漏极接触孔，以及形成通过源极/漏极接触孔接触半导体层的端部并具有所沉积的热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案的源极/漏极电极。
形成源极/漏极的步骤包括如下子步骤：在暴露的半导体层上沉积热电阻金属层并构图热电阻金属层以形成热电阻金属层图案，在热电阻金属层图案上形成扩散屏障，在扩散屏障上沉积Al基金属层，在Al基金属层上沉积封盖金属层，并构图封盖金属层和Al基金属层以形成沉积在热电阻金属层图案上的Al基金属层图案和封盖金属层图案。优选的，在沉积Al基金属层之前，对形成热电阻金属层图案的基底热处理。优选的，在热处理基底之前，在热电阻金属层图案上沉积钝化层，并在热处理之后以及沉积Al基金属层之前，将钝化层移走。
与此相反，形成源极/漏极电极的步骤包括如下子步骤：在暴露的半导体层上沉积热电阻金属层、扩散屏障、Al基金属层和封盖金属层，并构图封盖金属层，Al基金属层、扩散屏障和热电阻金属层以形成热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案。在此，热电阻金属层图案是500μm厚或者更少。此外，在这种情况下，当形成扩散屏障图案时，通过构图封盖金属层，Al基金属层，扩散屏障和热电阻金属层，来执行形成热电阻金属层，Al基金属层和封盖金属层的步骤。优选的，制造平板显示装置的方法还包括如下步骤，在沉积Al基金属层前，热处理形成热电阻金属层的基底。优选的，该方法还包括如下步骤，在热处理基底前，在热电阻金属层上沉积钝化层；并在热处理之后和在沉积Al基金属层前，移走钝化层。
附图说明
图1是说明依据现有技术的平板显示装置的TFT的横截面图；
图2A，2B，2C，和2D是说明根据本发明第一实施例的平板显示装置的制造方法的横截面图；
图3A，3B，3C，和3D是说明根据本发明第二实施例的平板显示装置的制造方法的横截面图。
具体实施方式
现在将参考附图全面描述本发明，其中显示了优选的实施例.但是本发明可以按照各种形式实施并且不是限制在下面提出的实施例中.在附图中，当一个层表示为位于另一层上或基底上时，应当理解这意味着一个层可以直接形成在基底的其它层上，或另一层(第三或者更多的)能插入在这些层之间.整个说明书中同样的附图标记指同样的部件.
如图2A所示，提供基底100。基底100可以是玻璃或塑料基底。可以将缓冲层105形成在基底100上。缓冲层105可以由硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，类似层，或者其中的多个层。缓冲层105可以是用来保护在后续步骤中形成的TFT层免受从基底100发出的杂质诸如碱性离子的杂质的影响。
优选的，可以将非晶硅层沉积在缓冲层105上，也可以将其结晶以形成多晶硅层。非晶硅层的结晶能使用准分子激光器退火(ELA)，顺序横向固化(Sequential Lateral Solidification)(SLS)，金属诱导结晶(MIC)，或金属诱导横向结晶(MILC)来获得。
接着，构图多晶硅层以在基底100上形成半导体层110。栅极绝缘层115接着可以形成在包括半导体层110的整个基底上。栅极电极材料可以沉积在栅极绝缘层115上并且可以构图以形成对应半导体层110预定区域的栅极电极。优选的，栅极电极材料可以是诸如Al，和Al合金，Mo，或者Mo合金的一种金属。更优选的，栅极电极材料可以是MoW。
接着，可以使用栅极电极120作为掩模，将离子搀杂到半导体层110中，以同时在半导体层110内形成源极/漏极区域110a以及插入在源极/漏极区域110a之间的通道区域110b。接着形成覆盖栅极电极120的中间层125。中间层125可以是硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，或其中的多个层。可以在中间层125和栅极绝缘层115上形成源极/漏极接触孔125a，每个源极/漏极接触孔125a暴露半导体层110的一个末端部分(诸如源极/漏极区域110a)。
接着，可以将热电阻金属层沉积在包含暴露的半导体层110的基底上，并且构图以形成热电阻金属层图案131a。热电阻金属层(它具有高的熔点和良好热稳定性)可以优选的包括至少一个金属层，例如Cr层，Cr合金层，Mo层，或Mo合金层。优选的，热电阻金属层是MoW合金层。优选的，热电阻金属层131a可以是至少1000μm厚。
接着，理想的是将钝化层140形成在包括热阻金属图案131a的整个基底上。钝化层140可以包括，例如硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，或其中的多个层。优选的，钝化层140可以包括硅氮化物层。其上沉积钝化层140的基底可以在大约380℃温度下热处理。热处理可以作用为激活搀杂在源极/漏极区域110a中的离子。此外，当钝化层140包括硅氮化物层时，热处理能将来自硅氮化物层的氢扩散到半导体层110中。扩散到半导体层110中的氢可以钝化半导体层110内不饱和键(dangling bond)。在这种情况下，热电阻金属层图案131a即使在热处理温度下也能展现稳定性。
如图2B所示，钝化层140可能会毡覆蚀刻(blanket etched)，由此暴露热电阻金属层图案131a和中间层125。优选的，钝化层140的毡覆蚀刻(blanket etched)可以使用干蚀刻法执行。
接着，可以将Al基金属层130c和封盖金属层130d沉积在暴露的热电阻金属层图案131a上。
Al基金属层130c可以是包含Al并具有低的电阻率的金属层.优选的，Al基金属层130c可以包含，例如Al层，AlSi层，AlNd层和AlCu层中的至少一种金属层.更优选的，Al金属层130c可以包括包含一定比率硅的AlSi层.Al基金属层130c具有优点，这是因为与热电阻金属层131a相比它具有低的电阻率.不幸地是，与热电阻金属层131a相比它具有低的熔点，并由此可能带来热不稳定性.因此，优选的是在执行热处理步骤之后再将Al基金属层130c沉积.
如果使用AlSi层，在AlSi合金中Si的比率可以是0.1至大约20wt％。优选的，该比率可以是0.1至大约5wt％之间。更优选的，该比率可以是大约0.5至大约2wt％之间。随着Si的比率的增加，层出现小丘的倾向可以降低，但是这样可能影响导电率。此外，可以将在AlSi合金中Si的比率调整到达一个适当的平衡。
由于热电阻金属层图案131a，Al基金属层130c可能不接触半导体层110。这种结构的原因是当Al基金属层130c接触半导体层110时，半导体层110中的硅能扩散到Al基金属层130c中。这种扩散可能产生缺陷。同时，当使用激光(或使用ELA或SLS)将半导体层110结晶以形成多晶硅层时，由于表面的突起多晶硅层可能具有粗造的表面。具有厚度大约是至少1000μm的热电阻金属层131a可以保证多晶硅层的表面突起以及Al基金属层130c不接触。
封盖金属层130d可以作用为阻止诸如Al基金属层130c的小丘的缺陷，并可以优选的包括Ti层或Ta层。
如图2C所示，光阻材料图案(未示出)可以形成在封盖金属层130d上，而封盖金属层130d和Al基金属层130c可以使用光阻材料图案作为掩膜蚀刻。这可以形成封盖金属层130d和Al基金属层130c。因此，可以形成沉积在基底上具有热阻金属图案131a，Al基金属层图案130c和封盖金属层图案130d的源极/漏极电极131。在同时，可以将具有另一个Al基金属层图案135c和另一个封盖金属层图案135d的信号线135形成在中间层125的预定区域。可选择的，信号线135可以形成为使得将另一个热电阻金属层图案(未示出)设置在Al基金属层图案135c的下面。由于Al基金属层图案135c具有低的电阻率，可以显著的减小信号线135的线阻。
如图2D所示，可以形成覆盖源极/漏极电极131和信号线135的通路绝缘层160。该通路绝缘层160可以由有机层，无机层，或者其中的多个层形成的。接着，在通路绝缘层160内形成暴露源极/漏极电极131任意一个的过孔160a。可以将像素电极材料沉积在暴露的源极/漏极电极131上，并且可以构图以在通路绝缘层160上形成像素电极170。
对于平板显示装置，象素电极170是，例如由铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)形成的。
由于封盖金属层图案131d，象素电极170不接触Al基金属层图案131c，并且由此不形成Al基金属层图案131c和象素电极170之间的氧化层。于是，可以防止象素电极170和源极/漏极电极131之间的接触电阻的增加。为了获得该结果，理想的是封盖金属层图案131d大约是100μm厚。
接着，对于有机发光显示装置，理想的是形成覆盖象素电极170的象素定义层175。象素定义层175可包括，例如苯并环丁烯(BCB)，丙烯酸基聚合物，或酰亚胺基聚合物材料。接着可以在象素定义层175上形成暴露象素电极170的开口175a。接下来，具有至少一个有机发光层的有机功能层200能形成在开口175a中暴露的象素电极170上。优选的，有机功能层200还可以包括下述中的至少一个：孔注入层(HIL)，孔传输层(HTL)，孔阻挡层(HBL)，电子传输层(ETL)，或电子注入层(EIL)。
最后，在有机功能层200上形成反相电极220。
可选择的，对液晶装置，可以形成覆盖象素电极170的下部调整层(未示出)。由此，可以完成液晶显示装置下部基底的制作。
图3A，3B，3C，和3D是说明根据本发明第二实施例的平板显示装置的制造方法的横截面图。
如图3A所示，提供基底100。基底100可以时玻璃或塑料基底。可以将缓冲层105形成在基底100上。缓冲层105能包括例如硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，或者其中的多个层。
优选的，可以将非晶硅层沉积在缓冲层105上，也可以将其结晶以形成多晶硅层。非晶硅层可以使用任何适当的技术包括，例如以前描述的结晶技术来结晶。
接着，可以构图多晶硅层以在基底100上形成半导体层110。栅极绝缘层115接着可以形成在包括半导体层110的整个基底上。栅极电极材料可以沉积在栅极绝缘层115上并且可以构图以形成对应半导体层110预定区域的栅极电极120。优选的，栅极电极材料可以是例如Al、Al合金、Mo、或者Mo合金的金属材料。更优选的，栅极电极材料可以是MoW。
接着，可以使用栅极电极120作为掩膜将离子搀杂在半导体层110中以在半导体层110上形成源极/漏极区域110a并限定介于源极/漏极区域110a之间的通道区域110b。接着形成覆盖栅极电极120的中间层125。中间层125可以是例如硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，或其中的多个层。并且接着，可以在中间层125和栅极绝缘层115上形成源极/漏极接触孔125a，每个源极/漏极接触孔125a暴露半导体层110的末端部分(即源极/漏极区域110a)。
接着，热电阻金属层130a可以沉积包括在源极/漏极接触孔125a中暴露的半导体层110的基底。理想的是热电阻金属层130a具有高的熔点和热稳定性。此外，可以选择一种材料，例如Cr层，Cr合金层，Mo层，或Mo合金层以作为热电阻金属层130a。优选的，热电阻金属层130a是MoW合金层。优选的，热电阻金属层130a可以是大约500μm厚或更少。更优选的，热电阻金属层130a可以是大约100至大约300μm厚。
理想的是将钝化层140形成在热电阻金属层130a上。钝化层140可以由硅氧化物层，硅氮化物层，硅氮氧化物层，或其中的多个层形成。优选的，钝化层140可以由硅氮化物层形成。接着，其上沉积钝化层140的基底可以在大约380℃温度下热处理。热处理可以作用为激活搀杂在源极/漏极区域110a中的离子。此外，当钝化层140是硅氮化物层时，热处理可将富含在硅氮化物层的氢扩散到半导体层110中。扩散在半导体层110中的氢可在半导体层110内钝化不饱和键。在这种情况下，热电阻金属层130a即使在热处理温度下也能展现稳定性。
如图3B所示，钝化层140可以被毡覆蚀刻(blanket etched)，由此暴露热电阻金属层130a。优选的，钝化层140的毡覆蚀刻(blanket etched)可以使用干蚀刻法进行。
接着，可以将Al基金属层130c和封盖金属层130d沉积在暴露的热电阻金属层130a上。
Al基金属层130c可以是包含Al的金属层，它具有低的电阻率.优选的，Al基金属层130c可以由例如Al层，AlSi层，AlNd层和AlCu层中的至少一种的金属层形成.更优选的，Al基金属层可以是包含一定比率硅的AlSi层.Al基金属层130c具有的优点在于与热电阻金属层130a相比它具有低的电阻率.不幸地是，与热电阻金属层130a相比它也具有低的熔点，并由此可以导致热的不稳定性.因此，Al基金属层130c可以在执行热处理步骤之后沉积.
由于热电阻金属层130a，Al基金属层130c可能不接触半导体层110。这种结构的原因是当Al基金属层130c接触半导体层110时，半导体层110中的硅会扩散到Al基金属层130c中。这种扩散可能产生缺陷。
可以使用激光(或使用ELA或SLS)将半导体层110结晶以形成多晶硅层，而由于表面的突起多晶硅层可能具有粗造的表面。具有大约500μm或更小厚度的热电阻金属层130a不能有效地阻止表面突起接触Al基金属层130c。此外，理想的是在形成Al基金属层130c之前，在热电阻金属层130a上形成扩散屏障130b。
理想的是扩散屏障130b包括Ti层或Ta层。此外，理想的是，扩散屏障130b可以形成为500至1500μm厚。在特定的环境下，半导体层100可以相对平滑。在当半导体层110是非晶硅层，或它是使用MIC或MILC结晶的多晶硅时，上述情况可能发生。在有较少的表面突起的这种情况下，可以不形成扩散屏障130b。
理想的是封盖金属层130d包括Ti层或Ta层。封盖金属层130d可以作用为阻止诸如Al基金属层130c的小丘的缺陷。
如图3C所示，可以将光阻材料图案(未示)形成在封盖金属层130d上。而封盖金属层130d，Al基金属层130c，扩散屏障130b和热电阻金属层130a然后可以使用光阻材料图案作为掩膜蚀刻。这种蚀刻处理可以形成沉积在基底上的热电阻金属层图案131a，扩散屏障图案131b，Al基金属层图案131c和封盖金属层图案131d。通过这样，可以形成具有热电阻金属层图案131a，扩散屏障图案131b，Al基金属层图案131c和封盖金属层图案131d的源极/漏极电极131d。源极/漏极电极131可以接触暴露的源极/漏极区域110a。理想的是使用干蚀刻法执行蚀刻。热电阻金属层130b可以是大约500厚或更少，使得，如上描述，可以同时蚀刻封盖金属层130d，Al基金属层130c，扩散屏障130b和热电阻金属层130a。
在形成源极/漏极电极131的同时，可以在中间层125上形成信号线135。该信号线可以具有包括另一个热电阻金属层图案135a，另一个扩散屏障图案135b，另一个Al基金属层图案135c，和另一个封盖金属层图案135d的结构。由于Al基金属层图案135c是由具有低的电阻率的材料制成的，信号线135可显著地减少线阻。
如图3D所示，可以形成覆盖源极/漏极电极131和信号线135的通路绝缘层160。该通路绝缘层160可以由有机层，无机层，或者其中的多个层形成的。接着，在通路绝缘层160上可形成暴露源极/漏极电极任意一个的过孔160a。可以将像素电极材料沉积在暴露的源极/漏极电极131上，并且可以构图以在通路绝缘层160上形成像素电极170。
由于封盖金属层图案131d，象素电极170不需要接触Al基金属层图案131c。由此能阻止象素电极170和源极/漏极电极131之间的接触电阻的增加。对此，理想的是封盖金属层图案131d大约是100μm厚。
此外，对于有机发光显示装置，理想的是形成覆盖象素电极170的象素定义层175.象素定义层175可包括，例如苯并环丁烯(BCB)，丙烯酸基聚合物，或酰亚胺基聚合物材料.此外，可以在象素定义层175上形成暴露象素电极170的开口175a.接下来，包括至少一个有机发光层的有机功能层200可以形成在开口175a中暴露的象素电极170上.理想的是，有机功能层200还可以包括下述层中的至少一层：孔注入层(HIL)，孔传输层(HTL)，孔阻挡层(HBL)，电子传输层(ETL)，电子注入层(EIL).接下来，在有机功能层200上形成反相电极220.
可选择的，对液晶显示装置，可以形成覆盖象素电极170的下部调整层(未示)。上述可以完成以便完成液晶显示装置的阵列基底的制作。
如上所述，依据本发明，源极/漏极电极可以形成为具有热电阻金属层，Al基金属层和封盖金属层。这种结构有益地导致了平板显示装置具有低的线阻，热稳定性和与象素电极的改进的接触电阻。
Claims (20)
1.一种平板显示装置，包括：
包括至少一个热电阻金属层图案的源极/漏极电极；
在热电阻金属层图案上的Al基金属层图案，
在Al基金属层图案上的封盖金属层图案，其沉积在基底上，和
介入热电阻金属层图案和Al基金属层图案之间的扩散屏障图案。
2.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案包括从一组Cr层，Cr合金层，Mo层和Mo合金层中选择的至少一个金属层。
3.根据权利要求2所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案包括MoW合金层。
4.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中Al基金属层图案包括从一组Al层，AlSi层，AlNd层和AlCu层中选择的至少一个金属层。
5.根据权利要求4所述的平板显示装置，其中Al基金属层图案包括AlSi层。
6.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中封盖金属层图案是Ti层或者Ta层之一。
7.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中扩散屏障图案包括Ti层或者Ta层。
8.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中热电阻金属层图案是至少大约的厚度。
9.根据权利要求1所述的平板显示装置，
其中热电阻金属层图案是大约或更小的厚度。
10.根据权利要求1所述的平板显示装置，还包括：
位于基底上的半导体层；
位于半导体层上的栅极电极；和
位于栅极电极和半导体层上并具有暴露半导体层的端部部分的源极/漏极接触孔的中间层，
其中热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案位于暴露的半导体层上。
11.根据权利要求1所述的平板显示装置，其中半导体层包括多晶硅层。
12.一种制造平板显示装置的方法，包括
在基底上形成半导体层；
在半导体层上形成栅极电极；
形成覆盖栅极电极和半导体层的中间层；
在中间层内形成暴露半导体层的端部部分的源极/漏极接触孔；以及
形成通过源极/漏极接触孔接触暴露的半导体层的端部的源极/漏极电极，
其中源极/漏极电极包括热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案的各层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成源极/漏极的步骤包括：
在暴露的半导体层上沉积热电阻金属层，并构图热电阻金属层以形成热电阻金属层图案；
在热电阻金属层图案上形成扩散屏障；
在扩散屏障上沉积Al基金属层；
在Al基金属层上沉积封盖金属层；以及
构图封盖金属层和Al基金属层以形成沉积在热电阻金属层图案上的Al基金属层图案和封盖金属层图案。
14.根据权利要求13所述的方法，包括：
在沉积Al基金属层之前，对形成热电阻金属层图案的基底热处理。
15.根据权利要求14所述的方法，包括：
在热处理基底之前，在热电阻金属层图案上沉积钝化层；以及
在热处理之后，且在沉积Al基金属层之前，将钝化层移走。
16.根据权利要求12所述的方法，其中形成源极/漏极电极的步骤包括：
在暴露的半导体层上沉积热电阻金属层、扩散屏障、Al基金属层和封盖金属层；以及
构图封盖金属层、Al基金属层、扩散屏障和热电阻金属层，以形成热电阻金属层图案、扩散屏障图案、Al基金属层图案和封盖金属层图案。
17.根据权利要求16所述的方法，其中热电阻金属层图案是大约500μm厚或者更小。
18.根据权利要求16所述的方法，其中在形成扩散屏障图案的同时，通过构图封盖金属层，Al基金属层，扩散屏障和热电阻金属层，执行形成热电阻金属层图案，Al基金属层图案和封盖金属层图案的步骤。
19.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在沉积Al基金属层前，热处理形成热电阻金属层的基底。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在热处理基底前，在热电阻金属层上沉积钝化层；并且
在热处理之后且在沉积Al基金属层之前，移走钝化层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR94815/03 | 2003-12-22 | ||
| KR94815/2003 | 2003-12-22 | ||
| KR1020030094815A KR100623247B1 (ko) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1637566A CN1637566A (zh) | 2005-07-13 |
| CN1637566B true CN1637566B (zh) | 2010-05-05 |
Family
ID=34545889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2004100104401A Active CN1637566B (zh) | 2003-12-22 | 2004-12-22 | 平板显示装置以及制造它的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7294924B2 (zh) |
| EP (1) | EP1548838B1 (zh) |
| JP (2) | JP2005181973A (zh) |
| KR (1) | KR100623247B1 (zh) |
| CN (1) | CN1637566B (zh) |
| AT (1) | ATE434269T1 (zh) |
| DE (1) | DE602004021553D1 (zh) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626008B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판표시장치 |
| WO2007011061A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100667087B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| TWI267213B (en) * | 2006-01-27 | 2006-11-21 | Ind Tech Res Inst | Organic light emitting device with integrated color filter and method of manufacturing the same |
| WO2007101120A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-07 | Acorn Technologies, Inc. | Method for making semiconductor insulated-gate field-effect transistor having multilayer deposited metal source (s) and/or drain (s) |
| JP4713433B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2011-06-29 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ |
| KR101198218B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2012-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100875432B1 (ko) | 2007-05-31 | 2008-12-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
| KR100889626B1 (ko) | 2007-08-22 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법 |
| KR100889627B1 (ko) * | 2007-08-23 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| KR100965260B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2010-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| KR100982310B1 (ko) | 2008-03-27 | 2010-09-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
| KR100989136B1 (ko) | 2008-04-11 | 2010-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
| KR101002666B1 (ko) | 2008-07-14 | 2010-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
| KR101147428B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5604855B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-10-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR101056431B1 (ko) * | 2010-06-04 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5527225B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
| JP2012252829A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP2013080159A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR101957524B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2019-06-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| KR101957525B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2019-06-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| KR102322763B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2021-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102396299B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101916936B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2018-11-08 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 소자의 제조방법 |
| CN107393828A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管 |
| CN107221610B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-03-12 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法 |
| CN115589718A (zh) * | 2021-07-05 | 2023-01-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255706B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Thin film transistor and method of manufacturing same |
| US6323917B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-11-27 | Fujitsu Limited | Thin film transistor for a liquid crystal display device and a fabrication process thereof |
| US6376861B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Thin film transistor and method for fabricating the same |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061985A (en) * | 1988-06-13 | 1991-10-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| JPH03240027A (ja) | 1990-02-19 | 1991-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| JP3587537B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2004-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JPH06188265A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3401843B2 (ja) * | 1993-06-21 | 2003-04-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置における多層配線の形成方法 |
| JPH10253976A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| US5913146A (en) * | 1997-03-18 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor |
| TW531684B (en) * | 1997-03-31 | 2003-05-11 | Seiko Epson Corporatoin | Display device and method for manufacturing the same |
| TW408359B (en) * | 1997-08-29 | 2000-10-11 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JP3308498B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2002-07-29 | 富士通株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP3514985B2 (ja) | 1998-11-06 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| US6501098B2 (en) | 1998-11-25 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device |
| JP2000307118A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP4522529B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100737910B1 (ko) | 2000-11-27 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법 |
| KR100766493B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
| JP4920140B2 (ja) | 2001-05-18 | 2012-04-18 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2003045966A (ja) | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置、電気光学装置、それを用いた投射型液晶表示装置並びに電子機器 |
| JP2003140188A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2003186422A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| KR100451849B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-10-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
| JP4216092B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP4316896B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2009-08-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置とその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-22 KR KR1020030094815A patent/KR100623247B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-07-08 JP JP2004202318A patent/JP2005181973A/ja active Pending
- 2004-12-14 US US11/010,274 patent/US7294924B2/en active Active
- 2004-12-14 DE DE602004021553T patent/DE602004021553D1/de active Active
- 2004-12-14 AT AT04090492T patent/ATE434269T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-12-14 EP EP04090492A patent/EP1548838B1/en active Active
- 2004-12-22 CN CN2004100104401A patent/CN1637566B/zh active Active
-
2007
- 2007-05-28 JP JP2007141021A patent/JP4886600B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6323917B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-11-27 | Fujitsu Limited | Thin film transistor for a liquid crystal display device and a fabrication process thereof |
| US6255706B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Thin film transistor and method of manufacturing same |
| US6376861B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Thin film transistor and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE434269T1 (de) | 2009-07-15 |
| US7294924B2 (en) | 2007-11-13 |
| JP2007311809A (ja) | 2007-11-29 |
| US20050133793A1 (en) | 2005-06-23 |
| KR100623247B1 (ko) | 2006-09-18 |
| EP1548838B1 (en) | 2009-06-17 |
| JP2005181973A (ja) | 2005-07-07 |
| EP1548838A1 (en) | 2005-06-29 |
| DE602004021553D1 (de) | 2009-07-30 |
| KR20050063412A (ko) | 2005-06-28 |
| CN1637566A (zh) | 2005-07-13 |
| JP4886600B2 (ja) | 2012-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1637566B (zh) | 平板显示装置以及制造它的方法 | |
| KR100626007B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법 | |
| US7554118B2 (en) | Thin film transistor, flat panel display having the same and a method of fabricating each | |
| US8273638B2 (en) | Thin film transistor using a metal induced crystallization process and method for fabricating the same and active matrix flat panel display using the thin film transistor | |
| US7476901B2 (en) | Poly-silicon thin film transistor array substrate and method for fabricating the same | |
| US7557501B2 (en) | Flat panel display device having molybdenum conductive layer | |
| US20110303923A1 (en) | Tft, array substrate for display apparatus including tft, and methods of manufacturing tft and array substrate | |
| KR20060000848A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP2007173652A (ja) | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、ならびに、該薄膜トランジスタ装置を備えた表示装置 | |
| KR102532306B1 (ko) | 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 | |
| US9202828B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| US20060001092A1 (en) | Thin film transistor (TFT) and flat panel display including TFT | |
| KR20040011385A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법과 평면표시장치의 제조방법및 박막 트랜지스터와 평면표시장치 | |
| US20090256151A1 (en) | Display substrate and method of manufacturing the same | |
| KR20070024017A (ko) | 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| KR100770265B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100761072B1 (ko) | 평판표시장치와 그 제조방법 | |
| KR20050104808A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 및 박막 트랜지스터를포함하는 평판 표시 장치 | |
| KR20050051866A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090109 |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121017 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121017 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |