CN1591143B - 液晶显示器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可以通过防止研磨缺陷提高图像质量的液晶显示器件的制造方法。该方法包括：制备第一和第二基板；在所述第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在所述第一定向层上执行研磨工艺和取向排列工艺以提供一致的排列方向；以及在所述第一和第二基板之间形成液晶层。

Description

液晶显示器件的制造方法
本申请要求享有2003年8月25日的韩国申请P2003-58803号以及2004年5月31日的韩国申请P2004-39323号的权益，在此引用其内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件。更具体地说，涉及一种通过防止研磨缺陷以提高画面质量的LCD器件的制造方法。
背景技术
LCD器件由于厚度薄、重量轻、低功耗等优点，成为引人关注的阴极射线管(CRT)的替代产品。LCD器件通过向具有液态和光学特性的液晶施加电场的方法改变光学各向异性来驱动。
LCD器件根据器件中采用的液晶种类分为多种模式。特别地，LCD器件可以分为扭曲向列(TN)模式，其通过对指向矢扭曲90°排列的液晶施加电压控制液晶指向矢；多区域模式，其通过将每个像素分为多个区域以获得宽视角；光学补偿双折射(OCB)模式，其通过在基板外表面形成补偿膜，以补偿光在传播方向上产生的相变；共平面开关(IPS)模式，其通过在一基板上形成两电极，形成与两基板平行的电场；以及垂直排列(VA)模式，其通过采用负型液晶和垂直定向层，将液晶分子的纵(主)轴置于与定向层平面垂直。
通常，LCD器件包括滤色片阵列上基板、薄膜晶体管阵列下基板以及液晶层。上、下基板彼此相对，具有介电各向异性的液晶层形成于两基板之间。当LCD器件作为光学装置时，需要按预定方向排列液晶层的液晶分子。从而，定向层、有机聚合层形成于基板上，其中定向层通过研磨具有各向异性。LCD器件可以分为采用背光作为光源的透射型LCD器件，不需要背光源而采用环境光的反射型LCD器件，以及克服了透射型和反射型LCD器件缺点的透射反射型LCD器件。透射型LCD器件具有由背光源引起的高功耗的缺点，反射型LCD器件的问题在于不能应用于环境黑暗的场合。
透射反射型LCD器件在一单位像素内同时具有透射和反射部分，因而透射反射型LCD器件可以根据需要用作透射型或反射型LCD器件。因此，像素电极可以根据LCD器件的种类形成为透射电极或者反射电极。例如，透射电极可以形成在透射型LCD器件和透射反射型LCD器件的透射部分内。同时，反射电极可以形成在反射型LCD器件和透射反射型LCD器件的反射部分内。透射型LCD器件和透射反射型LCD器件的透射电极，透射从背光源发出的光，穿过下基板到达液晶层，以获得高亮度。反射型LCD器件和透射反射型LCD器件的反射电极反射通过上基板入射的环境光，以获得高亮度。
下面将介绍现有技术IPS模式LCD器件。图1示出了现有技术IPS(共平面开关)模式LCD器件的平面图。图2示出了现有技术IPS模式LCD器件的电压分布。图3A和图3B示出了IPS模式LCD器件在电压开/关情况下的平面图。
在如图1所示的现有技术IPS模式LCD器件中，栅极线12和数据线15在基板上彼此交叉形成，限定一像素区，公共线24a形成于像素区内并与栅极线12平行。同时，一薄膜晶体管TFT在栅极线12和数据线15的交叉部分形成，从公共线24a分叉的公共电极24形成在像素区内并与数据线15平行。像素电极17与薄膜晶体管TFT的漏极相连并基本平行地形成在公共电极24之间。同时，从像素电极17延伸来的存储电极25形成在栅极线12上。
在前述IPS模式LCD器件中，如果给公共电极24施加5V电压，像素电极17施加0V电压，如图2所示，一等电位平面在电极的相应部分与电极平行地形成，该等电位平面在两电极之间的部分上垂直于电极。这样，由于电场方向垂直于等电位平面，因此，在公共电极24和像素电极17间产生一平行电场，在电极上产生一垂直电场，在电极的拐角处一同产生平行电场和垂直电场。
对于IPS模式LCD器件，可以通过电场调整液晶分子的排列。例如，如图3A所示，如果向初始排列为与偏振片的透射轴同向的液晶分子31施加一电压，则如图3B所示，液晶分子31的纵轴排列为与电场方向平行。特别地，第一和第二偏振片形成在下基板和上基板的外表面上，其中第一和第二偏振片的透射轴相互垂直。由于下基板的定向层经研磨平行于任一偏振片的透射轴，因而一般显示为常黑模式。即，如果未向器件施加电压，液晶分子31将如图3A所示排列，显示黑色状态。如果向器件施加电压，如图3B所示，液晶分子31的排列则与电场平行，从而显示白色状态。在图3A和图3B中，未解释的参考号“24”和“17”分别代表公共电极和像素电极。因此，IPS模式LCD器件与TN模式LCD器件相比，具有较宽的视角。
下面将详述前述LCD器件的一种制造方法。TN模式LCD器件、透射反射模式LCD器件和IPS模式LCD器件具有相似的制造工艺。下面将介绍一种IPS模式LCD器件的制造方法。图4A至4D示出了现有技术IPS模式LCD器件的制造工艺截面图。
如图4A所示，一低阻金属层通过溅射淀积在下基板11上，随后对其构图，形成栅极线(未示出)和栅极12a。平行于栅极线的公共线(未示出)以及多个从公共线分叉出来的公共电极24同时形成。此后，栅极绝缘层13通过在包括栅极线的整个下基板11表面淀积一氮化硅SiNx层的方法形成。然后，一非晶硅层在下基板11的整个表面淀积，并有选择地去除，从而在栅极12a上的栅极绝缘层13上形成半导体层14。
参考图4B，一低阻金属层通过溅射淀积在栅极绝缘层13上，然后对其构图，形成数据线(未示出)和源极/漏极15a和15b。接着，形成多个与漏极15b相连并与数据线平行的像素电极17。像素电极17置于每个公共电极24之间，从而使像素电极17与公共电极24交替设置。此时，像素电极17可以与金属的数据线同时形成，或通过如ITO的透明导电层另外形成。而且，像素电极17和公共电极24可以以直线或Z字形形成。接着，如图4C所示，在包括数据线15的下基板11的整个表面上通过淀积或涂敷一氮化硅层或BCB的有机绝缘层形成钝化层16。此外，第一定向层50在钝化层16上形成，然后对其进行研磨。
如图4D所示，采用如Cr或CrOx的金属黑色矩阵层22在上基板21上形成以防止漏光，R/G/B滤色片层23在每个黑色矩阵22之间通过电沉积方法、色素喷射方法或涂敷方法形成，以实现各种颜色。接着，在其上淀积形成第二定向层60。同时，一密封剂(未示出)在下基板11或上基板21上形成，衬垫料(未示出)在两基板11和21的任意一个上形成。这样，两基板11和21彼此相对并粘结在一起。然后，液晶30被注入粘结在一起的下基板11和上基板21之间，第一偏振片81和第二偏振片82分别形成在下、上基板11和21的外表面上，这样就完成了现有技术IPS模式LCD器件的制造。这时，第一偏振片81和第二偏振片82的透射轴彼此垂直，其中一透射轴与电场同向。
下面详述研磨工艺。图5示出了用来解释现有技术研磨工艺的截面图。研磨工艺包括在基板上形成称作定向层的有机高聚合层，并且获得其内部各向异性。即，在基板上涂敷聚酰胺酸或可溶性聚酰亚胺，并在60℃至80℃和80℃至200℃的温度间进行处理，从而使涂敷的聚酰胺酸或可溶性聚酰亚胺形成一聚酰亚胺层。如图5所示，聚酰亚胺层采用圆柱形研磨辊70进行研磨。研磨工艺通过旋转涂覆有如尼龙或人造丝的研磨布71的圆柱形研磨辊70，使聚酰亚胺层的表面得到机械研磨。然而，圆柱形研磨辊70的研磨布71上的接缝会产生垂直带或水平带。而且，研磨布的端部会从研磨辊上脱落。
前述现有技术的IPS模式LCD器件具有以下缺点。
图6示出了现有技术LCD器件在具有阶梯镀层表面的光漏的照片。图7示出了现有技术LCD器件在不具有阶梯镀层表面的光漏的照片。参考图6，薄膜晶体管阵列基板在每种模式下在表面上具有阶梯镀层。即，在如TN模式LCD器件中，薄膜晶体管部分和栅极线与数据线的交叉部分相对高于薄膜晶体管阵列基板的其它部分。在如透射反射型LCD器件中，阶梯镀层形成于像素区内的透射部分和反射部分之间。此外，在如IPS模式LCD器件中，具有大约的阶梯镀层通过公共电极24和像素电极17的图案产生。在定向层50的研磨过程中，研磨布71不与阶梯镀层相对低的部分接触，这样会产生研磨缺陷。此外，在采用三轮掩模的IPS模式LCD器件中，大约
Figure G2004100569733D00042
的阶梯镀层在像素电极和薄膜晶体管的漏极的接触部分形成。在定向层的研磨过程中，研磨布不与阶梯镀层相对低的部分接触，这样会产生研磨缺陷。参考图6，由于在没有定向图形的部分无法控制液晶的排列，在初始黑色状态下会发生光漏。图像的质量由于较低的对比度而受到损害。同时，由于研磨布的不均匀造成定向图形不均匀，在没有阶梯镀层的表面也会由于不充分研磨而发生光漏。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种液晶显示(LCD)器件的制造方法，其能基本上克服因现有技术的局限和缺点而产生的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供一种LCD器件的制造方法，其可以防止由于研磨缺陷造成的光漏，并通过研磨工艺和离子束照射/光照射/等离子照射等优化对准工艺以提高对比度。
以下要说明本发明的附加特征和优点，其中的一部分可以从说明书中看出，或是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其他优点，根据本发明，如这里所具体和概括描述的，一种LCD器件的制造方法包括：制备第一和第二基板；在第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在第一定向层上进行研磨和取向排列工艺，以提供一致的排列方向；在第一和第二基板间形成液晶层，其中所述取向排列工艺是在第一定向层上照射光，并且其中所述光包括部分偏振光和线性偏振光其中之一。
在另一实施例中，一种LCD器件的制造方法包括：制备第一和第二基板；在第一基板上形成薄膜晶体管；在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；在第一定向层上进行研磨和取向排列工艺，以提供一致的排列方向；在第二基板上形成第二定向层；在第二定向层上进行研磨和取向排列工艺；在第一和第二基板间形成液晶层，其中所述取向排列工艺是在第一定向层上照射光，并且其中所述光包括部分偏振光和线性偏振光其中之一。
前面概括性描述和以下的详细描述都是示例性和解释性的，意欲用它们提供对所要求保护的本发明作进一步解释。
附图说明
所包括用来提供对本发明进一步理解并且包括在内构成本发明一部分的附图示出了本发明的各个实施例，并且连同文字描述一起用来解释本发明的原理。
图1示出了现有技术IPS(共平面开关)模式LCD器件的平面图；
图2示出了现有技术IPS模式LCD器件的电压分布；
图3A和图3B示出了在电压开/关时IPS模式LCD器件的平面图；
图4A至4D示出了现有技术IPS模式LCD器件制造过程的截面图；
图5示出了解释现有技术研磨工艺的截面图；
图6示出了用来解释在具有阶梯镀层的现有技术LCD器件的表面发生光漏的照片；
图7示出了用来解释不具有阶梯部分的现有技术LCD器件的表面发生光漏的照片；
图8示出了基于本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的平面图；
图9A至9E示出了沿图8所示的I-I’线提取的，基于本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的制造过程的截面图；
图10示出了基于本发明的离子束照射器件的截面图；
图11示出了基于本发明的光照射器件的示意图；
图12A至12C示出了基于本发明第二实施例的LCD器件制造过程的截面图。
图13A示出了基于本发明第一和第二实施例的另一类型的IPS模式LCD器件的平面图，图13B示出了基于本发明第一和第二实施例的另一类型的IPS模式LCD器件的平面图；
图14示出了基于本发明另一类型的IPS模式LCD器件的截面图；
图15A至15I示出了沿图8中的II-II’线提取的截面图，示出了基于本发明第三实施例采用三轮掩模工艺的LCD器件制造过程；
图16A至16D示出了基于本发明第四实施例的TN模式LCD器件的制造过程的截面图；
图17A至17E示出了基于本发明第五实施例的透射反射型LCD器件的制造过程的截面图；
图18A至18D示出了基于本发明第六实施例的VA模式LCD器件的制造过程的截面图；
图19示出了基于本发明的LCD器件中的光漏的照片。
具体实施方式
现在详细描述本发明的优选实施例，它们的实例示于附图中。在可能的情况下，将在所有的附图中使用相同的附图标记以表示相同或者相似的部件。
图8示出了基于本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的平面图。图9A至9E示出了沿图8中的I-I’线提取的IPS模式LCD器件制造过程的截面图。图10示出了基于本发明的离子束照射器件的截面图。图11示出基于本发明的光照射器件的示意图。
如图8所示，基于本发明第一实施例的LCD器件包括栅极线112、数据线115、公共线124a、薄膜晶体管TFT、公共电极124、像素电极117以及存储电极125。栅极线112和数据线115在基板上彼此垂直形成以限定一像素区。公共线124a在像素区内基本上平行于栅极线112，薄膜晶体管TFT在栅极线112与数据线115交叉的部分形成，薄膜晶体管包括栅极112a，半导体层114和源/漏极115a/115b。此外，从公共线124a分叉出来的公共电极124在像素区内平行于数据线115。像素电极117形成于基本平行的各公共电极124之间并与薄膜晶体管TFT的漏极115b相连。从像素电极117延伸而来的存储电极125在公共线124a之上形成。
下面将介绍基于本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的制造方法。
如图9A所示，具有特定阻抗的低阻金属层在下基板111上形成以防止信号延迟，然后通过照相平版印刷工艺对其构图，形成栅极线(图8中‘112’)和从栅极线分叉出来的薄膜晶体管TFT的栅极112a。低阻金属层可以以铜(Cu)，铝(Al)，钕化铝(AlNd)，钼(Mo)，铬(Cr)，钛(Ti)，钽(Ta)或钨钼合金(MoW)形成。在形成栅极线和栅极112a时，公共线(图8中‘124a’)平行于栅极线，多个从公共线分叉出来的公共电极124同时形成。进而，由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘层在包括栅极112a的下基板111的整个表面，通过PECVD(等离子增强型化学汽相淀积)工艺形成，从而形成栅极绝缘层113。然后，一非晶硅层在栅极绝缘层113上形成，并被有选择地去除，在栅极112a上的栅极绝缘层113上形成一岛状(被绝缘的)的半导体层114。此外，欧姆接触层可通过向非晶硅层注入杂质离子的方法构图。
在图9B中，由Cr，Cu，Al，Mo，Ti，Ta，MoW或AlNd构成的金属层在栅极绝缘层113的整个表面形成，并通过照相平版印刷进行构图，进而同时形成数据线115和源极/漏极115a/115b。数据线115与栅极线垂直限定了像素区，源极/漏极115a/115b在半导体层114的两侧形成。此后，一氮化硅层或BCB有机绝缘层在包括数据线115的下基板111的表面上通过淀积或涂敷形成一钝化层116和一漏极115b的接触孔(未示出，图8中的119)。其后，透明导电层(ITO或IZO)在下基板111的整个表面上淀积，对其构图以在公共电极124之间形成多个像素电极117，每个像素电极117与漏极115b相连并平行于数据线115。从而，像素电极117以与公共电极124交替的形式形成。尽管未示出，如果像素电极117采用金属材料形成，那么在形成钝化层前，像素电极117可以采用和数据线相同的材料与其同时形成。
在图9C中，具有热阻和对液晶具有很强亲和力的聚酰亚胺树脂在包括像素电极117的整个下基板111的表面上形成。然后，印刷后的聚酰亚胺树脂干燥，形成第一定向层150。通过使用离子束照射器件190，一离子束照射到第一定向层150。离子束的照射方向要和研磨方向相同这一点是很重要的。在离子束照射过第一定向层150后，如图9D所示，第一定向层150经圆柱辊170研磨，圆柱辊上覆有尼龙或人造丝的研磨布171，从而在第一偏振方向上形成一取向方向。通过在定向层上采用研磨工艺，第一定向层150的物理和化学特性发生了改变，从而形成了取向方向。取向方向可以通过取向方向排列工艺(离子束照射，光照射或等离子照射)在基板整个表面上一致形成。这样，即使由于基板上的阶梯镀层使得研磨布不能与定向层接触，也不会存在研磨缺陷的问题。
如图10所示，离子束580由离子束照射器件的等离子发射区551内中性气体的电子碰撞产生，然后经萃取区571加速，其后，通过等离子束区591发送到下基板111。具体地，离子束580通过等离子发射区551内中性气体的电子碰撞产生。然后，电子通过阳极553的加热丝发射，接着被阳极553和阴极554之间的电势差加速。这样，发射的等离子存在于腔550和等离子栅格中，并通过萃取区571和等离子束区591发射到外部。结果，等离子到达其上淀积有定向层的接地目标基板111。基板111可以根据离子束580的照射方向采用不同的放置以控制取向方向，这样可以通过控制离子束的照射角、照射时间和照射束的能量密度来控制预倾角。通常，氩离子用于离子束工艺中。也可以用光照射替代离子束照射。
定向层可以采用聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚乙烯肉桂酸脂、聚偶氮苯(polyazobenzene)、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯乙烯萘酰亚胺(polyphenylenephthalamide)、聚酯、聚亚安酯或聚甲基丙烯酸甲酯。此外，可以采用部分偏振光、线性偏振光或非偏振光。而且，可以采用波长在200nm到450nm、能量在0.1J到10J的光进行照射。采用能量在0.1J到5J之间的光可以减少对第一定向层150的损害。之后，光相对基板倾斜地照射或相对基板垂直地照射。
下面简要介绍一下光照射器件。如图11所示，光照射器件包括灯201、灯罩202、第一平面镜203、凸透镜204、偏振系统205、复眼透镜206、第二平面镜207、UV照明光度计211、曲面镜208以及第三平面镜209。灯201沿一个方向发射UV光线，并且第一平面镜203反射由灯201发射的UV光线。之后，凸透镜204聚焦由第一平面镜203反射的UV光线，偏阵系统205对凸透镜204所聚焦的光进行部分偏阵或线偏阵，复眼透镜206对偏阵光分类聚焦。之后，第二平面镜207反射由复眼透镜206传送来的光，UV照明光度计211设在第二平面镜207中以检测光的照明强度。而且，曲面镜208和第三平面镜209将光线传送到定向层。此时，可以使用，也可以不使用偏阵系统205。即，如果用UV光照射，使用非偏振光也是可能的。
如果照射部分偏振光，偏振系统205通过形成石英基板的方法形成，这样可以通过控制石英基板的数量获得合适的偏振强度。从而，在大尺寸基板上，可以方便地将光照射到基板上。此外，如果采用非偏振光，则不需要提供偏振系统205。如果采用线性偏振光，可以采用线性偏光器。在光照射的情况下，优选平行光。同时，在照射偏振光的情况下，使光的偏振方向和取向排列工艺的方向相同这一点是很重要的。这时，取向排列工艺的偏振方向可以采用垂直于研磨方向的偏振光。
如图9E所示，黑色矩阵层123在上基板121上形成以防止在和栅极线、数据线和薄膜晶体管对应的部分产生光漏，其中的液晶未控制。黑色矩阵层123可以采用具有高弹性的金属材料，如铬Cr，氧化铬CrOx或黑色树脂。接着，R/G/B滤色片层122通过电沉积、色素喷射或涂敷的方法，实现各种颜色。虽然未示出，在包括滤色片层122的上基板121上，形成一保护层，以保护滤色片层122。
接着，对液晶材料具有很强亲和力和具有强感光特性的聚酰亚胺材料在保护层上形成，从而形成第二定向层160。第二定向层160在与第一定向层150垂直的第二偏振方向上形成取向方向。与第一定向层150的取向工艺相似，第二定向层160的取向工艺通过共同执行研磨工艺和取向排列工艺(离子照射、光照射或等离子照射)来完成。接着，柱状衬垫料129在上基板121或下基板111上形成，液晶分布在上基板121或下基板的显示区域上。接着，没有注入口的密封层在上基板121或下基板111外围形成，上基板121和下基板111在真空状态下粘结到一起。或者，衬垫料可以在上基板121或下基板111外围形成有注入口的密封层后分布开，随后，上基板121和下基板111彼此粘结，其间形成有衬垫料。然后，液晶130在真空状态下被注入到上下基板121和111之间。特别地，液晶层可通过液晶注入方法或液晶分配方法形成。接着，第一和第二偏振器181和182在上下基板121和111的外表面形成，从而制成了IPS模式LCD器件。
第一和第二偏振器181和182的偏振轴的透射轴彼此垂直，其中任一透射轴都在与电场方向相同的方向形成。当无电压施加给LCD器件时，在上基板或下基板上形成的第一或第二偏振器的偏振轴，垂直于液晶分子纵(主)轴，从而显示为常黑模式。如果向LCD器件施加一电压，液晶分子的纵轴被扭曲，从而，照射到形成在下基板上的第一偏振轴上的入射光被传播到上基板的第二偏振轴上，显示为常白模式。可以通过改变偏振轴的方向和液晶分子的类型将常黑模式变为常白模式。在第一实施例的LCD器件的制造方法中，在研磨工艺后执行取向排列工艺(离子束照射，光照射或等离子照射)会更有效。
图12A至12C示出了制造基于本发明第二实施例的LCD器件过程的截面图。在基于本发明第二实施例的LCD器件的制造过程中，与图9A和9B所示的一样，形成栅极112a、公共电极124、数据线、源极/漏极115a/115b和像素电极。
如图12A所示，在基板的整个表面印刷具有热阻和对液晶具有很强亲和力的聚酰亚胺树脂，使其干燥形成聚酰亚胺，进而形成第一定向层150。随后，对第一定向层150采用附有尼龙布171的圆柱辊170进行研磨。取向方向在第一偏振方向上形成。尼龙布171在研磨过程中可能与对应于基板上阶梯部分的定向层不发生接触，因此，对应阶梯部分的定向层有可能未被排列。
因此，如图12B所示，通过采用离子束照射器件190，离子束照射在经过研磨布171研磨的第一定向层150上。离子束可以照射在第一定向层150的整个表面，或者在掩模处理第一定向层150后，照射在除了由公共电极和像素电极形成的阶梯部分外的第一定向层150的剩余部分。如图12C所示，可以采用光照射器件200代替离子束照射器件。光照射在经过研磨布171研磨的第一定向层150，从而完成取向工艺。在此情况下，光可以照射在第一定向层150的整个表面，或者在掩模处理第一定向层150后，照射在除了由公共电极和像素电极形成的阶梯镀层外的第一定向层150的剩余部分。离子束照射或光照射在与前述本发明第一实施例相同的情况下完成。
如图9E所示，第二定向层160形成在上基板121上，这里，第二定向层160形成取向图案，作为与第一定向层150的偏振方向垂直的第二偏振方向。与第一定向层150相似，取向排列工艺(离子束照射，光照射或等离子照射)可以在研磨工艺后进行，然后将两基板粘结在一起，在两基板间形成液晶层。在IPS模式LCD器件应用于本发明的第一和第二实施例，形成Z字形的公共电极124和Z字形的像素电极117时，可以一同采用前述的研磨工艺和取向排列工艺。
图13A示出了一种基于本发明第一和第二实施例的替代型IPS模式LCD器件的平面图。图13B示出了另一种基于本发明第一和第二实施例的IPS模式LCD器件的平面图。如图13A和13B所示，当IPS模式LCD器件包括Z字形的公共电极124和Z字形的像素电极117时，可以一同采用前述的研磨工艺和取向排列工艺。
在基于本发明第一和第二实施例的IPS模式LCD器件中，公共电极124可以采用与在同一层的栅极线相同的材料形成，像素电极可以采用与在同一层的源极/漏极相同的材料形成。也可以在包括由透明导电层(ITO或IZO)形成的像素电极，由与在同一层上的像素电极(ITO或IZO)相同的材料形成的公共电极的IPS模式LCD器件中采用前述的研磨工艺和取向排列工艺，以增加孔径比。
图14示出了基于本发明的IPS模式LCD器件的截面图，其中像素电极和公共电极由透明导电层形成。即，在基板上形成具有栅极112a的栅极线(未示出)，在包括栅极112a的基板的整个表面形成栅极绝缘层113。然后，在栅极112a之上的栅极绝缘层113上形成半导体层114。而且，数据线与栅极线垂直形成。同时，源极115a和漏极115b在半导体层114的两侧形成。而后，在包括源极115a和漏极115b的基板的整个表面形成具有在漏极上的一接触孔的钝化层116。然后，由透明导电层构成的公共电极124和像素电极117在像素区内钝化层116之上形成。这时，像素电极117和公共电极124以固定间隔平行形成。同时，在基板整个表面上形成第一定向层150。与本发明的第一和第二实施例相似，可以一同采用研磨工艺和取向排列工艺，以对第一定向层执行取向工艺。
在采用三轮掩模的IPS模式的LCD器件的制造方法中，因为在像素电极和薄膜晶体管的漏极之间的接触部分有阶梯部分，所以研磨工艺和取向排列工艺(采用，例如离子束照射，光照射或等离子照射)一同采用，可以防止研磨缺陷。本实施例将结合图15A至15I进行详述。其中，图15A至15I示出了基于本发明的采用三轮掩模的第三实施例的LCD器件沿图8中II-II’线提取的截面图。
如图15A所示，一具有特定低阻抗的低阻金属层在下基板111上形成以防止信号延迟，然后通过照相平版印刷工艺对其构图，形成栅极线和薄膜晶体管的栅极112a，栅极112a从栅极线分叉而来。低阻金属层可以用铜(Cu)，铝(Al)，钕化铝(AlNd)，钼(Mo)，铬(Cr)，]钛(Ti)，钽(Ta)或钨钼合金(MoW)形成。在形成栅极线和栅极112a时，公共线和多个公共电极同时形成，公共线平行于栅极线，多个公共电极124从公共线分叉而来。进而，由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘层在包括栅极112a的下基板111的整个表面，通过PECVD(等离子增强型化学汽相淀积)形成，从而形成栅极绝缘层113。然后，采用如Cr，Cu，Al，Mo，Ti，Ta，MoW或AlNd的非晶硅层135和金属层136顺序在栅极绝缘层113上形成，光刻胶137在金属层136上形成。此外，欧姆接触层可通过向非晶硅层注入杂质离子的方法构图。
在图15B中，光刻胶137通过采用网版(half-tone)掩模曝光和显影工艺构图。即，在薄膜晶体管的沟道部分、源极、漏极区域和数据线上的光刻胶137存留，其他部分的光刻胶137被去除。在薄膜晶体管沟道区的光刻胶137部分比其他区的光刻胶要薄。
如图15C所示，暴露的金属层136和非晶硅层135采用光刻胶137作为掩模有选择地被去除，从而形成数据线115和半导体层114，数据线115垂直于栅极线，限定一像素区。对应于薄膜晶体管沟道区的光刻胶137通过灰化去除。然后，对应薄膜晶体管沟道区的金属层136通过光刻胶137为掩模有选择地去除，从而在半导体层114两侧形成源极115a和漏极115b。
如图15D所示，一氮化硅层或如BCB的有机绝缘层在包括数据线115的整个下基板111表面形成，进而形成钝化层116。然后，光刻胶138形成在钝化层116上。见图15E，光刻胶138通过曝光和显影工艺构图，钝化层116采用光刻胶138为掩模选择性地去除，形成漏极115b上的接触孔。接着，像素区的钝化层116被去除。
见图15F，在包括光刻胶138的下基板111的整个表面上形成透明导电层139。接着，如图15G所示，光刻胶138通过提升方法去除，同时，光刻胶138上的透明导电层139被去除，从而在像素区形成与漏极115b连接的像素电极117。像素电极117与数据线115平行并且在公共电极间形成。特别地，多个像素电极117与公共电极以交替图案的形式形成。除了透明导电层，金属层也可以用来通过采用提升方法淀积和去除来形成像素电极。在此之上，对液晶有很强亲和力的聚酰亚胺树脂被印刷在基板上，干燥形成酰亚胺，进而形成第一定向层150。
如图15H，第一定向层150经圆柱辊170研磨，圆柱辊上附有尼龙或人造丝的研磨布171。如图15I，离子束或光照射在研磨布171研磨过的第一定向层150上，采用离子束发射器190或者光照射器200排列取向方向。离子束或光可以照射在第一定向层150的整个表面，或者在掩模处理第一定向层150后，照射到除了由像素电极和薄膜晶体管的漏极之间的接触部分的阶梯镀层外的第一定向层150的剩余部分。离子束或光的照射方向与研磨方向相同。
如本发明第一实施例，可采用等离子照射。在采用光照的情况下，定向层形成，部分偏振光，线性偏振光，或非偏振光在与本发明第一实施例相同的条件下照射。在这种情况下，在离子束照射、光照射或等离子照射后，进行研磨工艺。在本发明的第三实施例中，离子束或光的照射条件与本发明第一实施例的相同。从而，在本发明的采用三轮掩模的IPS模式LCD器件中，可以避免由于研磨缺陷造成的液晶取向方向不一致而产生的光漏以及在像素电极和漏极之间的接触部分的阶梯部分产生的光漏。从而取得高对比度。
取向排列工艺可以也被应用到各种采用研磨工艺的LCD器件上，例如TN(扭曲向列)模式，OCB(光控双折射)模式，VA(垂直排列)模式，COT(滤色片在TFT阵列上)模式和TOC(TFT阵列在滤色片上)模式，以及IPS模式。采用取向排列工艺可以解决研磨缺陷的问题。下面介绍TN模式、透射反射型和VA模式LCD器件的制造方法。
图16A至16D示出了基于本发明第四实施例的TN模式LCD器件的截面图。如图16A所示，在下基板111上形成具有特定低阻抗的低阻金属层，然后通过照相平版印刷工艺对其构图，形成栅极线(未示出)和薄膜晶体管的栅极112a，栅极112a从栅极线分叉而来。低阻金属层可以用铜(Cu)，铝(Al)，钕化铝(AlNd)，钼(Mo)，铬(Cr)，钛(Ti)，钽(Ta)或钨钼合金(MoW)形成。进而，由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘层在包括栅极112a的下基板111的整个表面，通过PECVD(等离子增强型化学汽相淀积)形成，从而形成栅极绝缘层113。然后，在栅极绝缘层113上形成非晶硅层，并被有选择地去除，在栅极112a上的栅极绝缘层113上形成一岛状的半导体层114。此外，欧姆接触层可通过向非晶硅层注入杂质离子的方法构图。一由Cr，Cu，Al，Mo，Ti，Ta，MoW或AlNd构成的金属层在栅极绝缘层113的整个表面形成，并通过照相平版印刷对其进行构图，进而同时形成数据线115和源极/漏极115a/115b。数据线115与栅极线垂直限定了象素区，源极/漏极115a/115b在半导体层114的两侧形成。此后，钝化层116在包括数据线115的整个下基板111表面形成。
见图16B，钝化层116对应漏极115b的部分被去除，形成一接触孔。接着，透明导电层在下基板111的整个表面淀积，其中透明导电层通过接触孔与漏极115b电连接。此外，透明传导层被有选择地去除，剩余部分在像素区形成像素电极117。然后，具有热阻和对液晶具有很强亲和力的聚酰亚胺树脂在包括像素电极117的整个下基板111的表面上形成。然后，印刷后的聚酰亚胺树脂干燥为酰亚胺，形成第一定向层150。
如图16C所示，第一定向层150经圆柱辊170研磨，圆柱辊上附有尼龙或人造丝的研磨布171，从而在第一定向层150上形成第一偏振方向。如图16D，第一定向层150的取向方向采用离子束照射器190或光照射器200排列。离子束可以照射在第一定向层150的整个表面上，或者在经过掩模处理的第一定向层150后，照射除了栅极线和数据线交叉部分的阶梯部分以及薄膜晶体管的阶梯镀层的剩余部分。这时，离子束或光的照射方向与研磨方向相同。
如本发明的第一实施例所述，可以采用等离子照射。在采用光照的情况下，淀积定向层，用部分偏振光、线性偏振光或非偏振光在与本发明第一实施例相同的条件下照射。在这种情况下，在离子束照射、光照射或等离子照射后，执行研磨工艺。在本发明的第四实施例中，离子束或光的照射条件与本发明第一实施例的相同。从而，实施了与本发明第一实施例相同的工艺。因此，对于TN模式的LCD器件，可以避免由于研磨缺陷造成的液晶取向不一致而产生的光漏、在栅极线和数据线的交叉部分产生的光漏以及在薄膜晶体管的阶梯镀层产生的光漏，从而获得高对比度。
此外，尽管未示出，可以将本发明第四实施例的制造方法通过在基板上形成滤色片层应用到采用TN模式工艺的TOC模式，以及通过在钝化层上形成滤色片层后形成像素电极应用到COT模式。这样，可以在上述的TOC模式和COT模式上形成一附加的保护层。
图17A至17E示出了基于本发明第五实施例的透射反射型LCD器件的制造过程的截面图。在基于本发明第五实施例的透射反射型LCD器件中，像素区分为透射部分和反射部分。
如图17A所示，一具有特定低阻抗的低阻金属层在下基板111上形成以防止信号延迟，然后通过照相平版印刷工艺对其构图，形成栅极线(未示出)和从栅极线分叉出来的薄膜晶体管的栅极112a。低阻金属层可以用铜(Cu)、铝(Al)、钕化铝(AlNd)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)或钨钼合金(MoW)形成。进而，由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘层在包括栅极112a的下基板111的整个表面，通过PECVD(等离子增强型化学汽相淀积)形成，从而形成栅极绝缘层113。然后，一非晶硅层在栅极绝缘层113上形成，并被有选择地去除，在栅极112a上的栅极绝缘层113上形成一岛状的半导体层114。此外，欧姆接触层可通过向非晶硅层注入杂质离子的方法构图。一由Cr、Cu、Al、Mo、Ti、Ta、MoW或AlNd构成的金属层在栅极绝缘层113的整个表面形成，并通过照相平版印刷对其进行构图，进而同时形成数据线115和源极/漏极115a/115b。数据线115与栅极线垂直限定了象素区，源极/漏极115a/115b在半导体层114的两侧形成。这样，钝化层116在包括数据线115的整个基板表面形成。
如图17B所示，钝化层116对应漏极115b的部分被去除，形成一接触孔。同时，透射部分的钝化层116被去除。接着，对通过接触孔与漏极115相连的金属层构图，保留在像素区反射部分上的部分，从而形成像素区反射部分的反射电极117a。此外，在基板整个表面上形成绝缘层119。
如图17C所示，绝缘层119的一部分被去除形成通向反射电极117a的接触孔。接着，在绝缘层119上形成透明导电层，其中透明导电层通过接触孔与反射电极117a电连接。此后，透明导电层被选择性地去除，保留在像素区的透射部分上的部分，从而形成透明电极117b。随后，在基板上印刷具有热阻和对液晶具有很强亲和力的聚酰亚胺树脂，干燥形成聚酰亚胺，进而形成第一定向层150。
如图17D所示，第一定向层150经圆柱辊170研磨，圆柱辊上附有尼龙或人造丝的研磨布171，从而在第一偏振方向上形成一取向方向。如图17E，采用离子束发射器190或者光照射器200排列在研磨布171研磨过的第一定向层150的取向方向。离子束可以照射在第一定向层150的整个表面，或者在掩模处理第一定向层150后，照射除了透射部分和反射部分之间的阶梯部分的第一定向层150的其它剩余部分。离子束或光的照射方向与研磨方向相同。
如本发明第一实施例所述，可以采用等离子照射。在采用光照射时，淀积定向层，用部分偏振光、线性偏振光或非偏振光在与本发明第一实施例相同的条件下对其进行照射。在这种情况下，可以在离子照射、光照射或等离子照射后采用研磨工艺。在本发明的第五实施例中，离子束或光在与本发明第一实施例相同的条件下照射。而后，进行与本发明第一实施例相同的步骤。从而，对于透射反射式LCD器件，可以避免由于研磨缺陷造成的液晶取向不一致而产生的光漏以及在透射部分和反射部分的阶梯部分产生的光漏，从而获得高对比度。
图18A至18D示出了基于本发明第六实施例的VA模式LCD器件制造过程的截面图。
如图18A所示，一具有特定低阻抗的低阻金属层在下基板111上形成以防止信号延迟，然后通过照相平版印刷工艺对其构图，形成栅极线(未示出)和从栅极线分叉出来的薄膜晶体管的栅极112a。低阻金属层可以用铜(Cu)、铝(Al)、钕化铝(AlNd)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)或钨钼合金(MoW)形成。进而，由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)构成的无机绝缘层在包括栅极112a的下基板111的整个表面，通过PECVD(等离子增强型化学汽相淀积)形成，从而形成栅极绝缘层113。在栅极绝缘层113上形成非晶硅层，并有选择地去除，在栅极112a上的栅极绝缘层113上形成一岛状的半导体层114。此外，欧姆接触层可通过向非晶硅层注入杂质离子的方法构图。一由Cr、Cu、Al、Mo、Ti、Ta、MoW或AlNd的金属层在栅极绝缘层113的整个表面形成，并通过照相平版印刷对其进行构图，同时形成数据线115和源极/漏极115a/115b。数据线115与栅极线垂直限定了象素区，源极/漏极115a/115b在半导体层114的两侧形成。从而，一钝化层116在包括数据线115的基板整个表面形成。
如图18B，钝化层116对应漏极115b的部分被去除，形成一接触孔。接着，一透明导电层在基板的整个表面形成，透明导电层通过接触孔与漏极115b电连接。接着，透明导电层被有选择地去除，剩余部分在像素区形成像素电极117。同时，一狭缝118通过去除像素电极预定部分的方法形成。此外，在与钝化层116同层形成一有机绝缘材料的介电格。而且，由有机绝缘材料构成的介电格与钝化层116在同一层上形成。可选地，可以在对面基板的公共电极上形成介电格，或者在对面基板的公共电极的预定部分上形成狭缝。然后，具有热阻和对液晶具有很强亲和力的聚酰亚胺树脂在包括像素电极117的整个基板的表面上形成。然后，印刷后的聚酰亚胺树脂干燥为酰亚胺，从而形成第一定向层150。
如图18C，第一定向层150经圆柱辊170研磨，圆柱辊上附有尼龙或人造丝的研磨布171。第一定向层经研磨具有第一偏振方向。如图18D所示，离子述或光照射在研磨布171研磨过的第一定向层150上，采用离子束发射器190或者光照射器200排列取向方向。离子束或光可以照射在第一定向层150的整个表面，或者在掩模处理第一定向层150后，照射除了栅极线与数据线交叉部分的阶梯部分、薄膜晶体管的阶梯部分以及狭缝118的阶梯部分的第一定向层150的其它剩余部分。离子束或光的照射方向与研磨方向相同。
如本发明第一实施例，可采用等离子照射。在采用光照的情况下，淀积定向层，用部分偏振光、线性偏振光或非偏振光在与本发明第一实施例相同的条件下照射。在这种情况下，在离子束照射、光照射或等离子照射后，进行研磨工艺。在本发明的第六实施例中，离子束或光的照射条件与本发明第一实施例的相同。剩余的步骤与本发明第一实施例相同。然而，可以在公共电极上形成一突起。
从而，在基于本发明的VD模式LCD器件中，可以避免由于研磨缺陷造成的液晶取向方向不一致而产生的光漏、在栅极线与数据线交叉的阶梯部分产生的光漏以及薄膜晶体管和狭缝的阶梯部分产生的光漏，从而获得高对比度。
图19示出了基于本发明的LCD器件中的光漏的照片。在图19中，光漏没有在经过附加取向排列工艺制造的LCD器件中产生。
如上所述，基于本发明的LCD器件及其制造方法具有以下优点。
在制造基于本发明的LCD器件时，取向排列工艺与研磨工艺结合采用。从而，可以通过解决由于研磨布的不均匀造成的研磨缺陷，在整个基板上取得一致的取向方向。此外，液晶被一致的取向方向统一控制，从而防止了由于研磨缺陷产生的光漏。
另外，可以通过采用离子束照射、光照射或等离子照射在阶梯部分取得统一的取向方向，从而防止在研磨工艺中研磨辊未与阶梯部分接触造成的研磨缺陷。同时，液晶分子通过在定向层的阶梯部分采用取向排列工艺控制，从而可以防止在阶梯部分的光漏。通过防止光漏，可以使LCD器件降低黑色级，取得更高的对比度，从而提高图像显示质量。
当研磨工艺在阶梯部分产生取向缺陷时，在柱状衬垫料上产生一阶梯部分。如果取向缺陷区没有被黑色矩阵层覆盖，这一取向缺陷区会产生光漏。此外，由于本发明实施例共同采用研磨工艺和取向排列工艺，即使阶梯部分在柱状衬垫料部分产生，也可以防止研磨缺陷以及防止在未被黑色矩阵覆盖的阶梯部分产生的光漏。
尽管以上参照附图解释了本发明的实施例，应该说本领域的技术人员都能理解本发明并非仅限于这些实施例，无需脱离本发明的原理还能对其作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的范围应该仅仅由权利要求书及其等效物来确定。

Claims (36)

1.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
制备第一和第二基板；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管；
在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一定向层；
在所述第一定向层上执行研磨和取向排列工艺以提供一致的排列方向；以及
在所述第一和第二基板之间形成液晶层，其中所述取向排列工艺是在第一定向层上照射光，并且其中所述光包括部分偏振光和线性偏振光其中之一，以及其中所述光垂直于研磨工艺的研磨方向偏阵。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行研磨工艺前执行取向排列工艺。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行研磨工艺后执行取向排列工艺。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一定向层的整个表面上执行取向排列工艺。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一定向层除阶梯部分外的剩余部分上使用掩模执行取向排列工艺。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的整个表面上的排列方向与取向排列工艺的排列方向相同。
7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的整个表面上的预倾角与取向排列工艺的预倾角相同。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一定向层由聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚乙烯肉桂酸脂、聚偶氮苯、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯乙烯萘酰亚胺、聚酯、聚亚安酯或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种形成。
9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光的波长在200nm到450nm之间。
10.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光相对第一基板垂直照射。
11.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光相对第一基板倾斜照射。
12.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一定向层一同执行研磨工艺和取向排列工艺。
13.按照权利要求1所述的方法，还包括：
在第二基板上形成第二定向层；以及
在第二定向层上执行研磨工艺和取向排列工序。
14.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的排列方向与第二定向层的排列方向是相同的工艺。
15.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一定向层的预倾角与第二定向层的预倾角相同。
16.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线、栅极、公共线和多个公共电极；
在第一基板上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成半导体层；
在第一基板上形成数据线和源极/漏极；
在第一基板上形成钝化层；以及
在钝化层上形成多个像素电极。
17.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线、栅极、公共线和多个公共电极；
在第一基板上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成半导体层；
在第一基板上形成数据线、源极/漏极以及多个像素电极；以及
在第一基板上形成钝化层。
18.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线和栅极；
在第一基板上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成半导体层；
在第一基板上形成数据线和源极/漏极；
在第一基板上形成钝化层；以及
在钝化层上形成多个像素电极和多个公共电极。
19.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述像素电极和公共电极由透明导电材料形成。
20.按照权利要求19所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料包括钢锡氧化物和铟锌氧化物中的一种。
21.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线、栅极、公共线和多个公共电极；
在第一基板上顺序形成栅极绝缘层、半导体层和金属层；
使用网版掩模通过有选择地去除金属层和半导体层形成数据线和源极/漏极；
在第一基板上顺序形成钝化层和光刻胶；
使用曝光和显影工艺去除漏极之上的钝化层；以及
在第一基板上通过形成导电层形成多个像素电极并使用提升法去除光刻胶和导电层。
22.按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述导电层由透明导电层和金属层中的一种形成。
23.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线和栅极；
在第一基板上形成栅极绝缘层和半导体层；
在第一基板上形成数据线和源极/漏极；
在第一基板上形成钝化层；以及
在钝化层上形成多个像素电极，所述像素电极与漏极相连。
24.按照权利要求23所述的方法，还包括在像素电极中形成狭缝。
25.按照权利要求23所述的方法，还包括在第二基板上形成公共电极以及在公共电极中形成狭缝。
26.按照权利要求23所述的方法，还包括在第二基板上形成公共电极以及在公共电极中形成介电格。
27.按照权利要求23所述的方法，还包括至少在第一和第二基板中的一个上形成介电格。
28.按照权利要求27所述的方法，其特征在于，所述介电格以钝化层的形式形成。
29.按照权利要求23所述的方法，还包括在第一基板上形成滤色片层。
30.按照权利要求23所述的方法，还包括在钝化层上形成滤色片层。
31.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管包括：
在第一基板上形成栅极线和栅极；
在第一基板上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成半导体层；
在第一基板上形成数据线和源极/漏极；
在第一基板上形成钝化层；
在像素区的反射部分的钝化层上形成反射电极，所述反射电极连接到漏极；以及
在像素区的透射部分形成透明电极，所述透明电极与所述反射电极相连。
32.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
制备第一和第二基板；
在所述第一基板上形成薄膜晶体管；
在所述第一基板上形成第一定向层；
在第一定向层上执行研磨工艺和取向排列工艺以提供一致的排列方向；
在所述第二基板上形成第二定向层；
在所述第一和第二基板之间形成液晶层，其中所述取向排列工艺是在第一定向层上照射光，并且其中所述光包括部分偏振光和线性偏振光其中之一，以及其中所述光垂直于研磨工艺的研磨方向偏阵。
33.按照权利要求32所述的方法，其特征在于，在第一定向层除阶梯部分的剩余部分上使用掩模执行取向排列工艺。
34.按照权利要求32所述的方法，其特征在于，第一定向层整个表面的排列方向与取向排列工艺的排列方向相同。
35.按照权利要求32所述的方法，其特征在于，第一定向层整个表面的预倾角与取向排列工艺的预倾角相同。
36.按照权利要求32所述的方法，其特征在于，所述第一和第二定向层由聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚乙烯肉桂酸脂、聚偶氮苯、聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯乙烯萘酰亚胺、聚酯、聚亚安酯或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种形成。
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