JPH07318954A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH07318954A JPH07318954A JP10851094A JP10851094A JPH07318954A JP H07318954 A JPH07318954 A JP H07318954A JP 10851094 A JP10851094 A JP 10851094A JP 10851094 A JP10851094 A JP 10851094A JP H07318954 A JPH07318954 A JP H07318954A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶を高温度で導入して導入時間を短縮し、
しかも成分が飛散せず、表示欠陥の発生のより少ない液
晶表示素子の製造方法を提供する。 【構成】 液晶注入口を設けた空のセルと液晶とを真空
容器内に配置する工程と、前記真空容器内を排気して真
空にする工程と、前記液晶注入口を前記液晶に浸す工程
と、前記真空容器内の圧力を上昇させて前記空のセル内
に前記液晶を注入する工程と、前記注入口を通過して前
記セル内に入る液晶を所定温度以上に加熱する工程とを
有する。
しかも成分が飛散せず、表示欠陥の発生のより少ない液
晶表示素子の製造方法を提供する。 【構成】 液晶注入口を設けた空のセルと液晶とを真空
容器内に配置する工程と、前記真空容器内を排気して真
空にする工程と、前記液晶注入口を前記液晶に浸す工程
と、前記真空容器内の圧力を上昇させて前記空のセル内
に前記液晶を注入する工程と、前記注入口を通過して前
記セル内に入る液晶を所定温度以上に加熱する工程とを
有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の製造方法
に関し、特に液晶セルへの液晶注入工程に改良を施した
新規な液晶表示素子の製造方法に関する。
に関し、特に液晶セルへの液晶注入工程に改良を施した
新規な液晶表示素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子の製造は数多くの種々の工
程が組み合わされている。大まかには、半導体製造技術
等を利用した基板の製造工程と、一対の基板を対向配置
して張り合わせてセルを構成してそのセルに液晶を注入
して封止し偏光板等を取り付ける組み立て工程からな
る。
程が組み合わされている。大まかには、半導体製造技術
等を利用した基板の製造工程と、一対の基板を対向配置
して張り合わせてセルを構成してそのセルに液晶を注入
して封止し偏光板等を取り付ける組み立て工程からな
る。
【0003】例えばアクティブマトリックス型液晶表示
素子の基板の製造工程では、まず、一枚のガラス基板の
上にTFT(薄膜トランジスタ)のような駆動素子、信
号ラインと走査ラインからなるマトリックス線ならび
に、画素電極等を形成しそれらを相互接続してTFT基
板を形成する。
素子の基板の製造工程では、まず、一枚のガラス基板の
上にTFT(薄膜トランジスタ)のような駆動素子、信
号ラインと走査ラインからなるマトリックス線ならび
に、画素電極等を形成しそれらを相互接続してTFT基
板を形成する。
【0004】次に、もう一方のガラス基板に共通電極を
形成して共通電極基板を作る。TFT基板と共通電極基
板の両方に配向膜をそれぞれ形成し、ラビング処理を行
う。
形成して共通電極基板を作る。TFT基板と共通電極基
板の両方に配向膜をそれぞれ形成し、ラビング処理を行
う。
【0005】組み立て工程では、配向膜の配向方向が所
定角度になるように位置合わせしてから両基板の間にギ
ャップ制御材を挟んで重ね合わせて接着する。そして、
真空注入法あるいは毛細管注入法などにより液晶を両基
板間に注入した後、注入口を封止して完成する。
定角度になるように位置合わせしてから両基板の間にギ
ャップ制御材を挟んで重ね合わせて接着する。そして、
真空注入法あるいは毛細管注入法などにより液晶を両基
板間に注入した後、注入口を封止して完成する。
【0006】図3で従来の技術の真空注入法により液晶
をセルに注入する工程を説明する。図3(a)は注入前
で図3(b)は注入中を示す。真空容器1内に空のセル
2と液晶タンク3に入れた液晶材料4とを配置する。セ
ル2はその端部に液晶注入口21が設けられており、注
入口21は注入路22で表示部23と連通している。
をセルに注入する工程を説明する。図3(a)は注入前
で図3(b)は注入中を示す。真空容器1内に空のセル
2と液晶タンク3に入れた液晶材料4とを配置する。セ
ル2はその端部に液晶注入口21が設けられており、注
入口21は注入路22で表示部23と連通している。
【0007】この状態で、真空容器1内を真空ポンプ
(図示せず)で排気してセル2内部も含め所定の真空度
にした後、注入口21が液晶材料4に浸るように図の矢
印方向にセル2を移動する。
(図示せず)で排気してセル2内部も含め所定の真空度
にした後、注入口21が液晶材料4に浸るように図の矢
印方向にセル2を移動する。
【0008】次に、注入口21が液晶材料4に浸った状
態で真空容器1の内部に不活性ガスのようなリークガス
を導入して序々に大気圧に戻すと、図3(b)に示すよ
うに液晶材料4がセル2の表示部23に吸い込まれてい
く。
態で真空容器1の内部に不活性ガスのようなリークガス
を導入して序々に大気圧に戻すと、図3(b)に示すよ
うに液晶材料4がセル2の表示部23に吸い込まれてい
く。
【0009】そして、液晶材料が満たされたセル2をプ
レス機(図示せず)に挟んでセル厚が所定値に保持され
るよう圧力をかけながらエンドシール剤で注入口21を
封止する。
レス機(図示せず)に挟んでセル厚が所定値に保持され
るよう圧力をかけながらエンドシール剤で注入口21を
封止する。
【0010】毛細管注入法では、液晶注入口と排気口と
を有する空のセルの液晶注入口に液晶材料を滴下、もし
くは接触させると毛細管現象により液晶材料がセル内部
に導入される。
を有する空のセルの液晶注入口に液晶材料を滴下、もし
くは接触させると毛細管現象により液晶材料がセル内部
に導入される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】液晶は低温度では粘度
が高くて流動性が低く注入に時間を要する。一般に液晶
は温度が高いほど粘度が低下するので、特に大面積のセ
ルに液晶を注入する場合には出来るだけ高温度で行うこ
とが望ましい。しかし、従来の真空注入法で液晶をセル
に注入する際に液晶を高温度で長時間真空中に置くと、
液晶内の成分が真空中に飛び出して液晶材料の組成が所
望の成分と異なってしまう場合があり、成分の管理が困
難であった。
が高くて流動性が低く注入に時間を要する。一般に液晶
は温度が高いほど粘度が低下するので、特に大面積のセ
ルに液晶を注入する場合には出来るだけ高温度で行うこ
とが望ましい。しかし、従来の真空注入法で液晶をセル
に注入する際に液晶を高温度で長時間真空中に置くと、
液晶内の成分が真空中に飛び出して液晶材料の組成が所
望の成分と異なってしまう場合があり、成分の管理が困
難であった。
【0012】また、毛細管注入法では、液晶成分の飛散
は少ないが、液晶セル内に気泡が残り易いという問題が
ある。特にTFT基板のように表面に凹凸のある基板の
セルの場合や、表示画面の大きなセルに注入する場合に
は気泡が残り易く、気泡の部分は欠陥となる。
は少ないが、液晶セル内に気泡が残り易いという問題が
ある。特にTFT基板のように表面に凹凸のある基板の
セルの場合や、表示画面の大きなセルに注入する場合に
は気泡が残り易く、気泡の部分は欠陥となる。
【0013】本願と同一出願人による平成4年3月4日
に出願された特願平4−47322号明細書には、液晶
の熱光学効果を利用して液晶分子を配向させてラビング
処理を不要とする製造方法が開示されている。この発明
は、配向膜形成工程におけるラビング処理による基板で
の静電気の発生や基板上の素子の破壊や電極の短絡やラ
イン断線の発生を防止して表示装置の点欠陥やライン欠
陥を減少することができる。
に出願された特願平4−47322号明細書には、液晶
の熱光学効果を利用して液晶分子を配向させてラビング
処理を不要とする製造方法が開示されている。この発明
は、配向膜形成工程におけるラビング処理による基板で
の静電気の発生や基板上の素子の破壊や電極の短絡やラ
イン断線の発生を防止して表示装置の点欠陥やライン欠
陥を減少することができる。
【0014】また、同じく本願と同一出願人による平成
4年9月4日に出願された特願平4−236652号明
細書には、マルチドメイン構造を形成してラビング処理
の不要な液晶表示素子を提供する技術が開示されてい
る。
4年9月4日に出願された特願平4−236652号明
細書には、マルチドメイン構造を形成してラビング処理
の不要な液晶表示素子を提供する技術が開示されてい
る。
【0015】上記いずれの先願においても、その実施例
において液晶の熱光学効果を利用して液晶分子を配向さ
せている。その方法は、液晶材料を相転移温度(N−I
温度)以上に加熱して液晶材料の分子の方向がランダム
な等方性の状態でセルに導入し、その後セルを徐冷する
ことにより等方性から液晶状態に相転移させ、その過程
で基板の配向方向にそって液晶分子が配向されていく。
において液晶の熱光学効果を利用して液晶分子を配向さ
せている。その方法は、液晶材料を相転移温度(N−I
温度)以上に加熱して液晶材料の分子の方向がランダム
な等方性の状態でセルに導入し、その後セルを徐冷する
ことにより等方性から液晶状態に相転移させ、その過程
で基板の配向方向にそって液晶分子が配向されていく。
【0016】これら先願の方法では、液晶材料を真空中
で80°C以上に加熱する必要があり、先に述べた液晶
成分の飛散の問題が残る。また、特願平4−23665
2号明細書に開示の方法で液晶相で注入した場合には、
液晶の流動パターンが表示部に残り、目に見える欠陥と
なり得る。
で80°C以上に加熱する必要があり、先に述べた液晶
成分の飛散の問題が残る。また、特願平4−23665
2号明細書に開示の方法で液晶相で注入した場合には、
液晶の流動パターンが表示部に残り、目に見える欠陥と
なり得る。
【0017】本発明の目的は、液晶を高温度で真空注入
して注入時間を短縮し、しかも成分が飛散せず、表示欠
陥の発生のより少ない液晶表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
して注入時間を短縮し、しかも成分が飛散せず、表示欠
陥の発生のより少ない液晶表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子の
製造方法は、液晶注入口を設けた空のセルと液晶とを真
空容器内に配置する工程と、前記真空容器内を排気して
真空にする工程と、前記液晶注入口を前記液晶に浸す工
程と、前記真空容器内の圧力を上昇させて前記空のセル
内に前記液晶を注入する工程と、前記注入口を通過して
前記セル内に入る液晶を所定温度以上に加熱する工程と
を有する。
製造方法は、液晶注入口を設けた空のセルと液晶とを真
空容器内に配置する工程と、前記真空容器内を排気して
真空にする工程と、前記液晶注入口を前記液晶に浸す工
程と、前記真空容器内の圧力を上昇させて前記空のセル
内に前記液晶を注入する工程と、前記注入口を通過して
前記セル内に入る液晶を所定温度以上に加熱する工程と
を有する。
【0019】
【作用】本発明による液晶表示装置の製造方法おいて
は、真空注入法を利用するが、液晶が真空に晒されてい
る時には液晶は高温に加熱されない。すなわち、注入口
から注入され、画素領域に導かれる間に注入路で加熱し
て成分飛散を防ぐ。
は、真空注入法を利用するが、液晶が真空に晒されてい
る時には液晶は高温に加熱されない。すなわち、注入口
から注入され、画素領域に導かれる間に注入路で加熱し
て成分飛散を防ぐ。
【0020】
【実施例】図面を参照して本発明実施例による液晶表示
素子の製造方法を説明する。一対の透明ガラス基板に電
極や駆動素子等が半導体製造技術等を利用して形成され
る。一対の透明ガラス基板には必要に応じて配向膜が形
成される。配向膜を形成しない場合もある。一対の基板
をギャップ制御材を間に挟んで対向配置させ、液晶注入
口を設けて端部で両者が貼り合わされて空のセルが製造
される。以上工程には前述の従来の基板製造技術が利用
できる。
素子の製造方法を説明する。一対の透明ガラス基板に電
極や駆動素子等が半導体製造技術等を利用して形成され
る。一対の透明ガラス基板には必要に応じて配向膜が形
成される。配向膜を形成しない場合もある。一対の基板
をギャップ制御材を間に挟んで対向配置させ、液晶注入
口を設けて端部で両者が貼り合わされて空のセルが製造
される。以上工程には前述の従来の基板製造技術が利用
できる。
【0021】次に図1(a)に示すように、空のセル2
と液晶タンク3に入った液晶材料4が用意される。セル
2はその端部に液晶注入口21が設けられており、注入
口21は注入路24で表示部23と連通している。この
実施例の注入路24は図3の従来の技術におけるセル2
の注入路23とはその長さにおいてより長く形成してあ
る。
と液晶タンク3に入った液晶材料4が用意される。セル
2はその端部に液晶注入口21が設けられており、注入
口21は注入路24で表示部23と連通している。この
実施例の注入路24は図3の従来の技術におけるセル2
の注入路23とはその長さにおいてより長く形成してあ
る。
【0022】また、セル2の注入路24を横断する位置
に図示の点線のようにカットライン25が入れてある。
これはセル2を製造する際に基板にガラスカッター等で
浅く切り込みを入れたものである。
に図示の点線のようにカットライン25が入れてある。
これはセル2を製造する際に基板にガラスカッター等で
浅く切り込みを入れたものである。
【0023】セル2の表示部23と注入路24の一部を
覆うようなシート状のヒータ5が配置される。シートヒ
ータ5は温度コントローラ6から給電されて発熱してセ
ル2の表示部23と注入路24の一部をとを加熱するこ
とができる。加熱温度はシートヒータ5の温度をモニタ
しつつ温度コントローラ6により所望の値に制御でき
る。このようなヒータと温度コントローラは従来の技術
が使用可能である。
覆うようなシート状のヒータ5が配置される。シートヒ
ータ5は温度コントローラ6から給電されて発熱してセ
ル2の表示部23と注入路24の一部をとを加熱するこ
とができる。加熱温度はシートヒータ5の温度をモニタ
しつつ温度コントローラ6により所望の値に制御でき
る。このようなヒータと温度コントローラは従来の技術
が使用可能である。
【0024】セル2とシートヒータ5とを両面から挟む
ようにプレス治具(図示せず)にセットする。プレス治
具で圧力条件を調整してセル2に基板両面から所定の圧
力を加えてセル厚を基板面内で均一に一定に保つ。
ようにプレス治具(図示せず)にセットする。プレス治
具で圧力条件を調整してセル2に基板両面から所定の圧
力を加えてセル厚を基板面内で均一に一定に保つ。
【0025】真空容器1内に液晶タンク3とプレス治具
でセットしたセル2とシートヒータ5とを配置する。こ
の状態で、真空容器1内を真空ポンプ(図示せず)で排
気してセル2内部も含め所定の真空度にする。
でセットしたセル2とシートヒータ5とを配置する。こ
の状態で、真空容器1内を真空ポンプ(図示せず)で排
気してセル2内部も含め所定の真空度にする。
【0026】真空排気と同時に、ヒータ5でセル2を1
20℃まで加熱する。加熱後、注入口21が液晶材料4
に浸るように図の矢印方向にセル2を移動する。この場
合、注入口21だけが液晶材料4に浸されるようにして
液晶材料4がヒータ5で加熱されないようにする。
20℃まで加熱する。加熱後、注入口21が液晶材料4
に浸るように図の矢印方向にセル2を移動する。この場
合、注入口21だけが液晶材料4に浸されるようにして
液晶材料4がヒータ5で加熱されないようにする。
【0027】次に、図1(b)に示すように、注入口2
1が液晶材料4に浸った状態で真空容器1の内部に不活
性ガスのようなリークガスを導入して序々に大気圧に戻
すと、液晶材料4が注入路24を通ってセル2の表示部
23に吸い込まれていく。この間、セル2は加圧加熱さ
れている。液晶材料4は注入路24を通過する間に加熱
される。
1が液晶材料4に浸った状態で真空容器1の内部に不活
性ガスのようなリークガスを導入して序々に大気圧に戻
すと、液晶材料4が注入路24を通ってセル2の表示部
23に吸い込まれていく。この間、セル2は加圧加熱さ
れている。液晶材料4は注入路24を通過する間に加熱
される。
【0028】セル2内に液晶材料4が充填された所で加
熱を停止して、セル2を徐々に室温まで冷却する。そし
て、カットライン25から下の注入口21を含む部分を
カットライン25に沿って切り落とす。最後に加圧した
ままでエンドシール剤で注入口21を封止して、プレス
治具からセル2を取り外す。
熱を停止して、セル2を徐々に室温まで冷却する。そし
て、カットライン25から下の注入口21を含む部分を
カットライン25に沿って切り落とす。最後に加圧した
ままでエンドシール剤で注入口21を封止して、プレス
治具からセル2を取り外す。
【0029】特願平4−47322号や特願平4−23
6652号の明細書に開示の液晶表示素子の場合には、
液晶の熱光学効果を利用して液晶分子を配向させている
ので、ヒータ5の加熱温度は液晶の相転移温度(N−I
点)以上の温度にする。従って、その場合には注入路2
4を通過する間に液晶材料4はネマティック相からアイ
ソトロピック相に相転移する。注入路24の長さは液晶
材料4の移動の間にアイソトロピック相に相転移するに
十分な長さに設定される。
6652号の明細書に開示の液晶表示素子の場合には、
液晶の熱光学効果を利用して液晶分子を配向させている
ので、ヒータ5の加熱温度は液晶の相転移温度(N−I
点)以上の温度にする。従って、その場合には注入路2
4を通過する間に液晶材料4はネマティック相からアイ
ソトロピック相に相転移する。注入路24の長さは液晶
材料4の移動の間にアイソトロピック相に相転移するに
十分な長さに設定される。
【0030】液晶材料4を所望の温度まで加熱してセル
2の表示部23に注入するためには、注入路は十分な長
さが必要である。アイソトロピック相に相転移させる為
には特に必要な条件である。図1の実施例では真っ直ぐ
な注入路24であったが、注入路を曲げることにより基
板面積を有効に利用しつつ必要な十分な長さが得られ
る。図2(a),(b),(c)にそのような液晶注入
路の種々の形状の例を示す。
2の表示部23に注入するためには、注入路は十分な長
さが必要である。アイソトロピック相に相転移させる為
には特に必要な条件である。図1の実施例では真っ直ぐ
な注入路24であったが、注入路を曲げることにより基
板面積を有効に利用しつつ必要な十分な長さが得られ
る。図2(a),(b),(c)にそのような液晶注入
路の種々の形状の例を示す。
【0031】図2(a)に示す注入路26は折り返し構
造となっている。図2(b)に示す注入路27は注入口
21をセル2の角部に配置し、逆側の角部から表示部2
3に接続して注入路27の長さを確保している。図2
(c)に示す注入路28は注入口21の反対側に注入路
28から表示部23への導入口を設けて注入路28を表
示部23の周囲に配置した構造である。このように、注
入口と表示部の間に屈曲した液晶通路を設けることによ
り十分な加熱時間を得ることができる。
造となっている。図2(b)に示す注入路27は注入口
21をセル2の角部に配置し、逆側の角部から表示部2
3に接続して注入路27の長さを確保している。図2
(c)に示す注入路28は注入口21の反対側に注入路
28から表示部23への導入口を設けて注入路28を表
示部23の周囲に配置した構造である。このように、注
入口と表示部の間に屈曲した液晶通路を設けることによ
り十分な加熱時間を得ることができる。
【0032】図2のいずれの場合においても、ヒータ5
が注入口21の液晶材料と接する部分には抵触しないよ
うにし、かつヒータ5が注入路を覆うようにヒータ5の
形状を工夫することが必要である。また、図2の形状の
注入路の場合には、注入路が真っ直ぐな場合(図1)に
比べて注入口21から表示部23底端部までの直線距離
が短いためにセル2の端部のカットは不要である。セル
2に予めカットラインを入れたり、切り落としの工程が
不要であり、注入した液晶の冷却後すぐに封止すること
ができる。
が注入口21の液晶材料と接する部分には抵触しないよ
うにし、かつヒータ5が注入路を覆うようにヒータ5の
形状を工夫することが必要である。また、図2の形状の
注入路の場合には、注入路が真っ直ぐな場合(図1)に
比べて注入口21から表示部23底端部までの直線距離
が短いためにセル2の端部のカットは不要である。セル
2に予めカットラインを入れたり、切り落としの工程が
不要であり、注入した液晶の冷却後すぐに封止すること
ができる。
【0033】本発明は上記した先願に開示の液晶表示素
子の製造に適用できるだけでなく、他の液晶表示素子の
製造時の液晶注入工程においても利用でき同様な効果が
得られる。
子の製造に適用できるだけでなく、他の液晶表示素子の
製造時の液晶注入工程においても利用でき同様な効果が
得られる。
【0034】以上説明した実施例の構成、材料、数値等
はあくまでも例示であって、本発明はこれらに限るもの
ではなく、種々の変更や改良ができることは当業者にと
って自明であろう。
はあくまでも例示であって、本発明はこれらに限るもの
ではなく、種々の変更や改良ができることは当業者にと
って自明であろう。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
表示素子の製造方法おいては、液晶を加熱してセルに注
入できるので、液晶の粘度が低下して注入時間の短縮が
できる。
表示素子の製造方法おいては、液晶を加熱してセルに注
入できるので、液晶の粘度が低下して注入時間の短縮が
できる。
【0036】真空注入方式を採用しても、注入前の液晶
を真空中で加熱することがないので、液晶の成分管理が
むずかしくない。特に、特願平4−47322号や特願
平4−236652号の明細書に開示の液晶表示素子を
製造する場合には、液晶の相転移温度(N−I点)以上
の高温に加熱してもタンク内の液晶材料から成分飛散が
少ないので安定で欠陥のない液晶表示素子が作られる。
を真空中で加熱することがないので、液晶の成分管理が
むずかしくない。特に、特願平4−47322号や特願
平4−236652号の明細書に開示の液晶表示素子を
製造する場合には、液晶の相転移温度(N−I点)以上
の高温に加熱してもタンク内の液晶材料から成分飛散が
少ないので安定で欠陥のない液晶表示素子が作られる。
【0037】毛細管方式に比べセル内に気泡が発生する
ことがなく、特にTFT液晶セルのような基板表面に凹
凸が形成された場合や大面積のセルに液晶を導入する場
合でも欠陥が発生しにくい。
ことがなく、特にTFT液晶セルのような基板表面に凹
凸が形成された場合や大面積のセルに液晶を導入する場
合でも欠陥が発生しにくい。
【0038】注入口を切り落とす場合には予めカットラ
インを入れておき、液晶導入後にプレス治具にセットし
たまま切断できるので製造工程を短縮できる。液晶導
入、加熱、封止の各工程はすべてプレス治具にセットし
た状態で連続的に行えるので、従来のような液晶導入後
にエンドシールの封止工程を特別に設ける必要がなく工
程が短縮できる。
インを入れておき、液晶導入後にプレス治具にセットし
たまま切断できるので製造工程を短縮できる。液晶導
入、加熱、封止の各工程はすべてプレス治具にセットし
た状態で連続的に行えるので、従来のような液晶導入後
にエンドシールの封止工程を特別に設ける必要がなく工
程が短縮できる。
【図1】本発明の実施例による液晶表示素子の液晶導入
工程を説明する図である。
工程を説明する図である。
【図2】本発明の他の実施例による液晶表示素子の液晶
注入路の形状を示す図である。
注入路の形状を示す図である。
【図3】従来の技術による液晶表示素子の液晶導入工程
を説明する図である。
を説明する図である。
1 真空容器 2 液晶セル 3 液晶タンク 4 液晶材料 5 シート状のヒータ 6 温度コントローラ 21 液晶注入口 22 表示部 24、26、27、28 液晶注入路 25 カットライン
Claims (9)
- 【請求項1】 液晶注入口を設けた空のセルと液晶とを
真空容器内に配置する工程と、 前記真空容器内を排気して真空にする工程と、 前記液晶注入口を前記液晶に浸す工程と、 前記真空容器内の圧力を上昇させて前記空のセル内に前
記液晶を注入する工程と、 前記注入口を通過して前記セル内に入る液晶を所定温度
以上に加熱する工程とを有する液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項2】 前記空のセルは、間隙をおいて対向する
一対の基板間に画素が形成された表示部と、前記注入口
と前記表示部とを接続する液晶注入路とを有し、前記加
熱する工程において、前記注入口を通過した前記液晶は
前記液晶注入路を通過する際に加熱され、前記表示部に
入る液晶がアイソトロピック相となっているようにする
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項3】 前記液晶注入路は、前記液晶が前記液晶
注入路を通過する間に加熱されてアイソトロピック相に
相転移するに充分な所定の長さを与えられていることを
特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記所定温度が前記液晶のN−I点温度
であり、さらに前記加熱する工程の後で、前記液晶が注
入された前記セルを前記N−I点温度以下に徐々に冷却
する工程を有することを特徴とする請求項1記載の液晶
表示素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記液晶の注入工程から前記冷却工程ま
では、前記基板の両面より圧力をかけて前記セルの基板
間の厚みを一定に保つことを特徴とする請求項4記載の
液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項6】 前記空のセルは予め前記注入口と前記液
晶注入路との間に切れ目がいれてあり、前記冷却する工
程の終了後に前記切れ目にそって前記注入口を前記セル
より切り離しさらに切り口を封止する工程を有する請求
項5に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記切り口を封止する工程は、前記注入
口を切り離す工程の後に前記基板に前記圧力をかけたま
ま行うことを特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の
製造方法。 - 【請求項8】 前記加熱する工程は、シート状のヒータ
部材を前記基板と前記液晶注入通路との近傍に配置して
加熱することを特徴とする請求項2から7のいずれかに
記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項9】 一対の基板と、前記一対の基板の周辺を
注入口を除いて封止する封止剤とを有する液晶セルであ
って、前記注入口から液晶表示部の間に屈曲する液晶通
路が備えられている液晶セル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10851094A JPH07318954A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10851094A JPH07318954A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07318954A true JPH07318954A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14486615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10851094A Pending JPH07318954A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07318954A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970062773A (ko) * | 1996-02-09 | 1997-09-12 | 아베 타이죠 | 액정의 주입방법 및 그 장치 |
US7244627B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
US7291238B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-11-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display panel and liquid crystal display panel manufacturing apparatus |
DE19737860B4 (de) * | 1996-08-30 | 2007-12-13 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zum Einspritzen von Flüssigkristallmaterial in ein Flüssigkristallpaneel |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP10851094A patent/JPH07318954A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970062773A (ko) * | 1996-02-09 | 1997-09-12 | 아베 타이죠 | 액정의 주입방법 및 그 장치 |
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DE19737860B9 (de) * | 1996-08-30 | 2008-05-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zum Einspritzen von Flüssigkristallmaterial in ein Flüssigkristallpaneel |
US7291238B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-11-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display panel and liquid crystal display panel manufacturing apparatus |
SG141231A1 (en) * | 2003-06-17 | 2008-04-28 | Toshiba Matsushita Display Tec | Method of manufacturing liquid crystal display panel and liquid crystal display panel manufacturing apparatus |
US7244627B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
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