JP2735998B2 - 液晶表示素子と液晶配向処理方法及び液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子と液晶配向処理方法及び液晶表示素子の製造方法Info
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Description
与えた液晶表示素子と液晶の配向処理方法ならびに液晶
表示素子の製造方法に関する。
晶表示装置いわゆる液晶セルは、液晶の特定な分子配列
を電界等の外部からの作用によって別の異なる分子配列
に状態変化させて、その間の光学的特性の変化を視覚的
な変化として表示に利用している。液晶分子をある特定
の配列状態にするために液晶をはさむガラス基板の表面
には配向処理を行うのが普通である。
セルなどでは、配向処理として、液晶を挟むガラス基板
を綿布のようなもので一方向に擦るいわゆるラビング法
が採用されている。
方向が互いに直交するように行い、液晶セルがネガ表示
の場合にはセルを挟む平行ニコル配置の偏光板をその偏
光軸がどちらか一方のラビング方向と平行になるように
配置し、またポジ表示の場合には、直交ニコル配置の偏
光板をその偏光軸が基板のラビング方向と平行になるよ
うに配置する。
摩擦による静電気が発生して配向膜に絶縁破壊が起きた
り、その部分の配向不良によって表示不良の原因となる
場合がある。また、アクティブ駆動方式を採用する液晶
セルで、TFT(薄膜トランジスタ)などの駆動素子や
配線が表面に形成された基板をラビングする場合には、
ラビングによる静電気によって素子や配線が破壊される
という場合がある。
ゴミが大量に発生し、そのゴミが静電気によって基板に
付着し、それが液晶セルのギャップ不良や黒点や白点と
いった表示不良の原因となる場合があることも別の問題
点である。
付で出願された先願の特願平4−236652号の明細
書には、上記のようなラビングに伴う問題点を解決する
ためにラビング処理が不要な液晶表示素子とその製造方
法について開示されている。
記載の発明の液晶表示素子の製造方法においては、2枚
の透明電極間で液晶分子が90°ツイストしているTN
−LCDを製作するには、カイラルネマチック液晶のカ
イラルピッチをpとし、ガラス基板で挟持される方向の
液晶層の厚みをdとしたときに、d/p=0.25を満
たすようなカイラルピッチpの液晶を使用する。
イラルネマチック液晶のカイラルピッチをpとし、前記
透明基板間の間隔をdとしたときに、0.15<d/p
<0.75となるようにpとdの値を選択すればよいこ
とが開示されている。つまり、セルの所望のツイスト角
とセル厚dとによって規定されるカイラルピッチpを持
った液晶を用いることにより、ラビング処理が不要な液
晶セルを得ることができることが示されている。
がある特定の配向方向を持つ微小領域の集合であるマル
チドメインが形成され、それらの配向方向はあらゆる方
向にランダムに存在する。カイラルネマチック液晶は入
射光の偏光軸を全体として所定角度回転させる。この液
晶セルに一対の偏向子を用いればポジ表示を実現でき、
視角特性が均一な液晶表示装置が得られる。
素子では、画面全体で均一な特性を得るためには、基板
上のマルチドメインは、各ドメインにおいては液晶分子
が一定方向に揃い、しかもマルチドメイン全体としての
液晶分子配列方向はあらゆる方向成分が等確率で存在し
なければならない。
うなマルチドメインは表示画面を構成する画素の最小単
位すなわち、1ドットの領域単位で成立する必要があ
る。先願の特願平4−236652号の明細書で記載の
液晶表示素子においては、積極的な配向処理を行ってな
いために、マルチドメインの全体にこのような配向が完
全に保証されるものではなかった。
6月29日付で出願された特願平5−159606号の
明細書には、光偏光記憶膜を基板面に形成し、マルチド
メインの個々の微小領域となる領域に積極的配向処理を
施して各微小領域内の一定配向を保証し、しかも同時に
マルチドメイン全体としてのランダムな配向も実現する
発明が開示されている。
法としてはこれまでに以下のようなものが発表されてい
る: (1)ジアゾアミン系染料をドープしたシリコンポリイ
ミドを用いたもの:Wayne M.Gibbons
他,NATURE Vol.351(1991)p.4
9、(2)アゾ系染料をドープしたPVA(ポリビニル
アルコール)を用いたもの:飯村靖文他:第18回液晶
討論会−日本化学会第64秋期年会−,p.34,平成
4年9月11日発行,社団法人日本化学会。もしくは、
Jpn.J.Appl.Phys.Vol.32(19
93)pp.L93−L96、(3)光重合フォトポリ
マーを用いたもの:Martin Schadt他,J
pn.J.Appl.Phys.Vol.31(199
2)pp.2155−2164。
ても、また先願の特願平5−159606号の明細書に
開示のものにおいても、液晶分子へのプレチルト角は与
えられていなかった。
基板面に対してどの程度立って(傾斜)いるかを示す角
度であるが、プレチルト角がない液晶セルではセル中央
の液晶分子が分子の両端のいずれから立ち上がるかが決
まらず、場合によってはセルの場所によって液晶分子の
立ち上がり方向が異なり安定しない。
面に渡って一定方向に配向をさせた場合(通常の配向)
であれば領域により視角特性が異なってしまい、非常に
見にくいディスプレイになってしまう。
示したマルチドメイン配向させた場合にも同様な理由に
より分子の立ち上がり方向が規定できないために、仮に
完全にランダムなマルチドメインの配向が得られたとし
ても立ち上がり方向に偏りがあるとそのランダム性が保
証できなくなり視角特性が偏ってしまう。
表示不良や素子破壊といった製品不良の原因となるラビ
ング処理を不要とするとともに、先願の特願平4−23
6652号と特願平5−159606号で開示されたマ
ルチドメイン構造の液晶セルあるいは光偏光記憶膜を用
いて積極的配向処理をする液晶表示素子においてプレチ
ルト角を与えてより安定で均一な視角特性を持った高表
示品質の液晶表示素子と配向処理方法ならびにその方法
を利用した液晶表示素子を提供することにある。
子は、少なくとも一方の透明基板に微視的に配向方向が
揃い、巨視的に配向が異なる積極的配向構造を有し、該
積極的配向構造が光偏光記憶膜を用いて形成されている
一対の透明基板と、前記一対の基板間に挟まれた液晶層
とを有し、前記基板の前記積極的配向処理を施した面が
前記液晶層の液晶分子にプレチルト角を与えるようにし
た。
は、透明基板の表面に光偏光記憶特性を持つ配向膜を形
成する工程と、前記配向膜に液晶分子にプレチルト角を
与えるための傾斜構造を形成する工程と前記配向膜に対
して偏光を照射して配向制御する工程とを有する。
は、透明基板の表面に所与の偏光の偏光方向と関連した
方向に液晶分子が配向するような光偏光記憶特性を持つ
配向膜を形成する工程と、前記基板の鉛直軸に対して傾
いた方向から前記配向膜に対して前記偏光を照射して配
向制御をする工程とを有する。
透明基板の表面に所与の偏光の偏光方向と関連した方向
に液晶分子が配向するような光偏光記憶特性を持つ配向
膜を形成する工程と、前記配向膜に対して多数の異なる
偏光方向を持った光を照射して配向制御をする工程とを
有する液晶の配向処理方法。
法においては、上述のいずれかの配向処理方法を一対の
透明基板の少なくとも一方に施した後、前記一対の基板
間に液晶材料を注入し、液晶分子にプレチルト角を与え
ることを特徴とする。
は、上述のいずれかの配向処理方法を施した透明基板を
少なくとも一方に含む一対の透明基板と、前記一対の透
明基板間に挟まれてプレチルトを与えられた液晶層とを
有する。
レチルト角を与える機能が形成されているために、液晶
分子は一定方向に立ち上がる。このため、視角特性が向
上する。
かに三つの方法をこれから説明する。
液晶分子を傾斜させるためのスロープ(傾斜)構造を物
理的に形成する方法である。この第1の方法を実施する
方法にはさらに色々な方法があることを示す。
を照射して配向処理をする際に偏光の照射方向を斜め方
向として光偏光記憶膜そのものにプレチルト角を与える
性質を持たせるものである。
て多数の異なる偏光方向を持った光、例えば自然光を照
射して光偏光記憶膜そのものにプレチルト角を与える性
質を持たせるものである。
図1は、透明ガラス基板1の表面の光偏光記憶膜2に形
成したスロープ3を持った微小凹構造4を示す斜視図と
断面図である。スロープ3は基板1の面あるいは光偏光
記憶膜2の面に対して所定角度傾斜している。界面の液
晶分子5の姿勢はこの微小凹部4で規制される。図1の
(A)は長方形の形状を持つ凹構造であり、図1の
(B)は細長い楕円形状を持つ凹構造の例である。図1
の(C)は、同図の(A),(B)の両方の場合おける
断面図である。
光記憶膜2に形成する。液晶分子5の基板面内の配向方
向は配向処理工程における光偏光記憶膜2に照射する偏
光の偏光方向で規定され、さらに微小凹構造4のスロー
プ3の角度により液晶分子5のプレチルト角θφが規定
される。微小凹構造4の横幅は液晶分子5の基板面内方
向の配向に対してある程度の自由度を持つ幅が必要であ
る。
光偏光記憶膜2に形成してもよい。図1の(D)は、微
小凸構造6の斜視図であり、図1の(E)は、その断面
図である。微小凸構造6はスロープ7を有し、スロープ
7の角度により液晶分子5のプレチルト角θφが規定さ
れることは微小凹部4の場合と同様である。
光記憶膜2に形成する方法の実施例〜について以下
に説明する。 光偏光記憶膜にフォトレジストのような感光性を与
えてフォトリソグラフィー技術における光照射によりパ
ターニングできる様な性質を持たせる。光照射の強弱、
すなわち照射光強度を凹構造4の浅い所では弱く、逆に
深い所では強くすることによってスロープ3を形成す
る。
その逆になる。スロープを形成した後に、先願の特願平
5−159606号に開示したように、微小領域間で偏
光方向の異なる偏光を光偏光記憶膜2に照射して基板面
内方向の配向処理を行う。
トレジスト(図示せず)を塗布し、所定の凹構造あるい
は凸構造パターンのパターニングをした後、光偏光記憶
膜2をエッチング処理して図1のスロープ構造を形成
し、その後で先願の特願平5−159606号に開示し
た上述の方法などにより所定の偏光を光偏光記憶膜2に
照射して基板面内方向の配向処理を行う。
ム、例えば赤外線レーザで焼き切りながら図1のような
スロープ構造を形成し、その後で先願の特願平5−15
9606号に開示した上述の方法などにより所定の偏光
を光偏光記憶膜2に照射して基板面内方向の配向処理を
行う。
スター板(図示せず)を作製しておき、そのマスター板
を光偏光記憶膜2に押しつけて図1のスロープ構造を形
成し、その後で先願の特願平5−159606号に開示
した上述の方法などにより所定の偏光を光偏光記憶膜2
に照射して基板面内方向の配向処理を行う。
プ構造は図2および図3で示すような配置が考えられ
る。図2および図3はいずれも光偏光記憶膜2に形成し
た凹微小構造4によるスロープ構造を示す斜視図であ
る。もちろん、凸微小構造6によるスロープ構造でも基
本的に同じである。
揃って配置された例である。このような一様な配置の場
合は一般的な(マルチドメイン構造でない)液晶配向の
液晶セルにプレチルトを与える方法としても適用でき
る。
構造6間の間隔は図1(A)のように実質的に無くして
連続的に並べてもよいし、またある程度の間隔を開けて
配置してもよい。
等確率でランダムに配置されている場合である。図3の
例では、先願の特願平5−159606号に開示した積
極的配向処理をしたマルチドメイン構造の液晶セルにプ
レチルト角を与える方法として適用できる。
造6で一つのドメインを作製してもよいし、あるいは一
つのドメインの中に図2のような多数の方向が揃ったス
ロープ構造を形成してもよい。
法:図4に示す方法は、図1〜図3に示したような光偏
光記憶膜2にスロープ構造を物理的に加工するのではな
く、偏光照射による配向処理工程において、偏光照射方
向を制御してプレチルト角を与えようとするものであ
る。
願平5−159606号に開示した手段などを利用でき
る。ただし、光源10から出た照射偏光11の偏光方向
12に液晶分子が配向する光偏光記憶膜2を用い、照射
偏光11の照射方向は基板1の鉛直線Pに対してある角
度傾けてある。
偏光の偏光方向12にプレチルト角θφを持って配向す
る。従来の技術の説明の欄で引用した(1)〜(3)の
三つの文献における光偏光記憶膜による配向では、いず
れも液晶分子は偏光方向に対して直角に配向しているた
めにプレチルト角は発生していない。
法:図5(A)に示すように、光偏光記憶膜2として例
えばポリビニル4−メトキシシンナメート(Poly
vinyl 4−methoxycinnamate)
を用いて、あらゆるランダムな方向の偏光成分が存在す
る例えば自然光13を基板面に照射することによりプレ
チルト角θφを得ることができることが実験的に確かめ
られている。
に対して垂直方向から照射した場合は、液晶分子は基板
に対して垂直に配向し、斜め方向から入射した光に対し
てはあるプレチルト角を持った配向をした。
°までのプレチルト角の制御ができる。なぜプレチルト
配向するのかの理由ははっきりしないが、この樹脂の性
質から以下のようであると考えられる。
線偏光により図5(C)のように光二重化し、ポリマー
間の重合を行ない、偏光方向に対して垂直方向に屈折率
の異方性を生じる(一般にベンゼン環が連なった場合、
その連なる方向に光軸を持つ正の異方性が生じることが
知られている)。
ファンデルワールス相互作用等により異方性の方向、つ
まり偏光方向に対して直角に配向する。したがって、直
線偏光を照射した場合には、偏光方向と直角の方向に配
向する。
線方向から入射した場合には、光配向制御膜上での偏光
方向は平面全ての方向を向くことになるため、平面内で
は異方性が生じない。
の成分は全ての方向の総和となるため、その方向の屈折
率が膜面上のそれより大きくなり、基板法線方向に光軸
を持つ正の異方性を生じることになり、その方向に液晶
分子が配向する。斜めから光をあてた場合も同様の理由
により入射角に応じた斜め方向に軸を持った異方性が生
じ、プレチルト角が発生する。
分子配列をプレチルト角を含めて制御するためには、光
照射に対して屈折率の異方性を生じるような材料を用い
ればよいことが判り、前記の例以外にも様々な材料の利
用が考えられる。
説明した三つの例に限らず、これら以外の方法で発生さ
せても同様な効果が得られる。たとえば、上述の第2の
方法において、偏光方向と直交する方向に配向方向を生
じる材料を用いてもよい。
は先願の特願平4−236652号と特願平5−159
606号で開示されたマルチドメイン構造の液晶セルあ
るいは光偏光記憶膜を用いて積極的配向処理をするもの
や一般的な一定方向の配向処理をした液晶表示素子とそ
の製造方法に利用して安定で均一な視角特性を持った高
表示品質の液晶表示素子とその製造方法が得られる。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々
の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自
明であろう。
諸問題が解決できるとともに、プレチルト角を与えるこ
とで液晶分子の立ち上がり方向が規定されてセル全域に
渡って均一で完全に等方的な視角特性が得られ表示品質
がより向上する。
断面図である。
置を示す斜視図である。
の配置を示す斜視図である。
法を説明するための装置の概念図である。
る方法を説明するための概念図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 少なくとも一方の透明基板に微視的に配
向方向が揃い、巨視的に配向が異なる積極的配向構造を
有し、該積極的配向構造が光偏光記憶膜を用いて形成さ
れている一対の透明基板と、 前記一対の基板間に挟まれた液晶層とを有し、 前記基板の前記積極的配向処理を施した面が前記液晶層
の液晶分子にプレチルト角を与えるようにした液晶表示
素子。 - 【請求項2】 前記積極的配向構造が、内部では配向方
向が一様に揃っている微小領域を多数含む請求項1記載
の液晶表示素子。 - 【請求項3】 前記一対の透明基板の両方に前記積極的
配向構造を有する請求項1または2に記載の液晶表示素
子。 - 【請求項4】 少なくとも一方の透明基板に微視的に配
向方向が揃い、巨視的に配向が異なる積極的配向構造を
有する一対の透明基板と、 前記一対の基板間に挟まれた液晶層とを有し、 前記基板の前記積極的配向処理を施した面が前記液晶層
の液晶分子にプレチルト角を与え、 前記積極的配向構造が、内部では配向方向が一様に揃っ
ている微小領域を多数含み、 前記微小領域の配向及び前
記基板面における前記プレチルトの前記基板面内におけ
る方向とが、全体として見た場合、前記基板面内でほぼ
あらゆる方向に等確率に分布している液晶表示素子。 - 【請求項5】 前記液晶層は前記各微小領域内で一方向
に配向した液晶分子あるいは一方の前記基板から他方の
前記基板に向かって所定角度ツイストした液晶分子を含
む請求項2記載の液晶表示素子。 - 【請求項6】 前記光偏光記憶膜は、その表面に形成し
た凹部あるいは凸部を有し、該凹部あるいは凸部は前記
基板面に対して傾斜した面を持つ請求項1記載の液晶表
示素子。 - 【請求項7】 透明基板の表面に光偏光記憶特性を持つ
配向膜を形成する工程と、 前記配向膜に液晶分子にプレチルト角を与えるための傾
斜構造を形成する工程と、 前記配向膜に対して偏光を照射して配向制御する工程と
を有する液晶の配向処理方法。 - 【請求項8】 前記傾斜構造を形成する工程は、感光性
の前記光偏光記憶特性の配向膜を使用し、前記配向膜の
表面に前記基板面に対して傾斜した面を持つ凹部あるい
は凸部を形成するフォトリソグラフィ処理を含む請求項
7記載の液晶の配向処理方法。 - 【請求項9】 前記傾斜構造を形成する工程は、前記配
向膜の上にフォトレジスト膜を形成し、所定のマスクパ
ターンで前記フォトレジスト膜を感光した後、前記配向
膜の表面に前記基板面に対して傾斜した面を持つ凹部あ
るいは凸部をエッチングにより形成する処理を含む請求
項7記載の液晶の配向処理方法。 - 【請求項10】 前記傾斜構造を形成する工程は、前記
配向膜の表面に前記基板面に対して傾斜した面を持つ凹
部あるいは凸部を高エネルギビームの照射により形成す
る処理を含む請求項7記載の液晶の配向処理方法。 - 【請求項11】 前記傾斜構造を形成する工程は、前記
配向膜の表面に凹部あるいは凸部を形成したマスター板
を押しつけて前記基板面に対して傾斜した面を持つ凹部
あるいは凸部を前記配向膜に形成する処理を含む請求項
7記載の液晶の配向処理方法。 - 【請求項12】 透明基板の表面に所与の偏光の偏光方
向と関連した方向に液晶分子が配向するような光偏光記
憶特性を持つ配向膜を形成する工程と、 前記基板の鉛直軸に対して傾いた方向から前記配向膜に
対して前記偏光を照射して配向制御をする工程とを有す
る液晶の配向処理方法。 - 【請求項13】 前記光偏光記憶特性が偏向方向と平行
に配向方向を生じるものである請求項12記載の液晶の
配向処理方法。 - 【請求項14】 前記光偏光記憶特性が偏向方向と直角
に配向方向を生じるものである請求項12記載の液晶の
配向処理方法。 - 【請求項15】 透明基板の表面に所与の偏光の偏光方
向と関連した方向に液晶分子が配向するような光偏光記
憶特性を持つ配向膜を形成する工程と、 前記配向膜に対して多数の異なる偏光方向を持った光を
照射して配向制御をする工程とを有する液晶の配向処理
方法。 - 【請求項16】 前記光偏光記憶特性が偏向方向と平行
に配向方向を生じるものである請求項15記載の液晶の
配向処理方法。 - 【請求項17】 前記光偏光記憶特性が偏向方向と直角
に配向方向を生じるものである請求項15記載の液晶の
配向処理方法。 - 【請求項18】 請求項7〜17のいずれかに記載の配
向処理方法を一対の透明基板の少なくとも一方に施した
後、前記一対の基板間に液晶材料を注入し、液晶分子に
プレチルト角を与えることを特徴とする液晶表示素子の
製造方法。 - 【請求項19】 請求項7〜17のいずれかに記載の配
向処理方法を施した透明基板を少なくとも一方に含む一
対の透明基板と、前記一対の透明基板間に挟まれてプレ
チルトを与えられた液晶層とを有する液晶表示素子。
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