CN1503339A - 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料 - Google Patents

树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料 Download PDF

Info

Publication number
CN1503339A
CN1503339A CNA2003101199620A CN200310119962A CN1503339A CN 1503339 A CN1503339 A CN 1503339A CN A2003101199620 A CNA2003101199620 A CN A2003101199620A CN 200310119962 A CN200310119962 A CN 200310119962A CN 1503339 A CN1503339 A CN 1503339A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
aforementioned
resin material
substrate
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2003101199620A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100373567C (zh
Inventor
浦上浩
Ҳ
中川长
藤野欣也
高濑慎二
����һ
德山秀树
目黑弘一
西野徹
早坂昇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Socionext Inc
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, Towa Corp filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN1503339A publication Critical patent/CN1503339A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100373567C publication Critical patent/CN100373567C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

首先，以下型(1)和上型(2)打开的状态，在基板支承部(11)设置基板(14)。然后，在模腔(5)内嵌入具有与下型(1)的模腔(5)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状的树脂材料(4)。接着，通过加热树脂材料(4)生成熔融树脂(17)。然后，在由上型(2)和下型(1)形成的空间被减压的状态下合上上型(2)和下型(1)，使晶片(15)和金属丝(16)浸入熔融树脂(17)。接着，通过熔融树脂(17)的固化，形成由基板(14)和固化树脂(18)构成的树脂成形品(19)。

Description

树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料
技术领域
本发明涉及对基板上的电子元器件进行树脂封装的树脂封装方法等。
背景技术
对制造作为在基板上搭载电子元器件的树脂成形品的一例的半导体组件时使用的以往的树脂封装方法进行简单说明。
以往的树脂封装方法中，首先准备作为电子元器件的装有半导体晶片(以下简称为晶片)的印刷线路板(以下简称为基板)。然后，将基板安装于一个金属模和另一金属模对置而形成的金属模对中的一个金属模，合上金属模对。接着，经由树脂流路，在金属模对中的另一金属模中设置的模腔中注入熔融树脂。此时对熔融树脂加压。
然后，使注入的熔融树脂固化，这样就形成了树脂成形品。接着，打开金属模对，从一个金属模中取出树脂成形品，将该树脂成形品分别切割成多个半导体组件，这样就获得了作为最终产品的半导体组件。
近年与以往相比，半导体晶片的端子数有所增加，还采用半导体晶片在基板上层叠的结构，因此希望实现半导体组件的薄型化。
此外，使半导体晶片和基板通电连接的金属丝也比以往的长，且相邻的金属丝之间的间隔变窄，其结果是，利用上述以往的树脂成形方法可能会出现以下所述的问题。
首先，因为注入模腔内的熔融树脂的流动，金属丝的变形或切断的可能性有所增加。此外，相邻金属丝之间的接触也可能增加。作为解决这些问题的方法，提出了减慢熔融树脂注入模腔内的速度的方案。但是，如果熔融树脂的注入速度变慢，则被注入的熔融树脂的粘性将增大。因此，熔融树脂内的气体很难排到外部。其结果是，成形的固化树脂内部容易产生空隙(气泡)或未填充部。
近年，为了降低半导体产品的成本，对基板大型化的要求越来越强烈。在大型基板上对电子元器件进行树脂封装的情况与在小型基板上对电子元器件进行树脂封装的情况相比，熔融树脂的流动距离变长。因此，容易出现上述产生空隙或未填充部的问题。
此外，树脂流路中有时会出现树脂固化的情况，这样在树脂流路中固化的树脂会被废弃。因此，采用以往的树脂封装方法会出现浪费树脂材料的现象。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的是对装载于基板的电子元器件进行树脂封装时，在减少树脂成形品出现不良情况的可能性的同时有效利用树脂材料。
为了达到上述目的，本发明的树脂封装方法包括以下2种，任一方法都采用了上型和下型组成的金属模对，对装载于基板主表面的电子元器件进行树脂封装。以下，对本发明的这2种方法进行说明。
本发明的树脂封装方法之一包括以下步骤。首先，将基板安装于上型，然后，在设置于下型的模腔内生成熔融树脂，合上金属模对，使电子元器件浸入熔融树脂内。接着，使模腔内的熔融树脂固化，形成树脂成形品。
利用上述方法能够使熔融树脂在与基板平行的整个面几乎均一地流动，同时在非常短的时间内向模腔的深度方向流动。因此，能够防止固化树脂内残存空隙以及树脂成形品中出现固化树脂的未填充部。
在生成熔融树脂的步骤中，可对设置于模腔内的固形树脂材料加热而形成熔融树脂。利用该方法就不需要树脂流路。因此，不会在树脂流路中形成固化树脂。其结果是，能够有效利用树脂材料。
前述方法能够用于基板的电极和电子元器件的电极在规定的平面内由成形为环状的导电性材料连接的情况。这种情况下，将电子元器件浸入熔融树脂的步骤中，希望规定的平面能够在与熔融树脂的主表面几乎垂直的状态下移动。
利用上述方法，由熔融树脂向导电性材料施加的力不是使导电性材料易于变形的方向的力。因此，对导电性材料造成损伤的可能性下降。
本发明的另一树脂封装方法使用了固形树脂材料，其步骤如下所述。
首先，在下型上设置基板。然后，在基板主面上设置树脂材料使树脂材料与连接基板的电极和电子元器件的电极的导电性材料不接触，合上金属模对。接着，加热树脂材料，籍此在基板主面上生成熔融树脂。此外，电子元器件包含在熔融树脂内。然后，使熔融树脂固化，形成树脂成形品。
采用这一方法能够获得与上述第1种树脂封装方法同样的效果。
本发明的树脂封装装置具备实施上述2种树脂封装方法所需的装置。本发明的半导体器件的制造方法采用了上述2种树脂封装方法。此外，本发明的半导体器件由前述制造方法制得。
以下，对本发明的树脂材料进行说明。
本发明的树脂材料在使设置于金属模对的模腔内生成的熔融树脂固化、对装载于基板的主表面的电子元器件进行树脂封装时使用。此外，树脂材料作为熔融树脂的原料使用时为固形材料。另外，树脂材料具有对应于模腔尺寸和形状的尺寸及形状。
树脂材料从构成模腔的模面传递热量。因此，如果采用前述第2种的树脂封装方法，则可以有效利用从模面传递的热量，在非常短的时间内生成熔融树脂。
此外，前述树脂材料的构成是该树脂材料被装载于基板的主面上时，形成于基板和树脂材料之间的空间内包裹着电子元器件。这种情况下，前述空间的大小按照树脂材料不与连接基板的电极和电子元器件的电极的导电性材料接触的要求设定。
如果采用上述构成，则在采用前述第2种树脂封装方法时，能够防止因导电性材料与树脂构件接触而产生导电性材料内的应力。其结果是，树脂封装时，能够防止因产生内部应力而损伤导电性材料。
通过加热使树脂材料熔融时，为将空间内的气体导向树脂材料的外部，最好在树脂材料中设置切口部。
本发明的上述及其他目的、特征、形式和优点从附图和以下对本发明的详细说明中会更加明了。
附图说明
图1A为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示树脂材料被设置于模腔前的状态。
图1B为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示在模腔内生成熔融树脂后、合上金属模对前的状态。
图2A为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示通过合上金属模对而使装载于基板的晶片浸入熔融树脂内的状态。
图2B为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示在模腔内形成了固化树脂的状态。
图3A为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示打开金属模对后从上型取出树脂成形品前的状态。
图3B为实施方式1的树脂封装装置的部分截面图，表示金属模对合上时的模具合闭部的状态。
图4A为实施方式2的树脂封装装置的部分截面图，表示树脂材料设置于基板前的状态。
图4B为实施方式2的树脂封装装置的部分截面图，表示树脂材料设置于基板的状态。
图5A为实施方式2的树脂封装装置的部分截面图，表示通过上型与树脂材料的接触，树脂材料被加热的状态。
图5B为实施方式2的树脂封装装置的部分截面图，表示通过在金属模对合上的状态下使树脂材料熔融而在模腔内填充熔融树脂的状态。
具体实施方式
以下，通过附图对本发明的实施方式的树脂封装方法、用于该方法的树脂封装装置、采用了该方法的半导体器件的制造方法，利用该制造方法制得的半导体器件以及其中采用的树脂材料进行说明。
(实施方式1)
参考图1A～图3B对实施方式1的树脂封装方法进行说明。
如图1A及图1B所示，用于本实施方式的树脂封装方法的树脂封装装置中设置了下型1和上型2互相对置的金属模对。此外，树脂封装装置中还设置了用于合上及打开下型1和上型2的加压装置(未图示)。
图1A表示下型1和上型2之间的空间设置了搬运单元3的状态。搬运单元3处于利用未图示的驱动装置的功能而插入下型1和上型2之间的空间的状态。利用驱动装置的功能能够将搬运单元3从下型1和上型2之间的空间转移到外部。此外，成形为板状的树脂材料4通过真空吸附作用被固定于搬运单元3。在驱动装置的作用下，搬运单元3能够在支承树脂材料4的状态向下方移动。因此，本实施方式的树脂封装装置能够利用搬运单元3将树脂材料4供给到下型1的模腔5内。
下型1中设置了嵌入树脂材料4的模腔5。如后所述，该模腔5中填入了熔融树脂。此外，下型1中设置了树脂储存部6。树脂储存部6和模腔5连通。树脂储存部6与气体流路7连通。该气体流路7通过配管和真空管与减压泵(都未图示)连接。根据需要，气体流路7可与压缩空气箱这样的加压源(未图示)连接。在下型1的内部的模腔5的近旁设置了用于加热模腔5周边部的加热器8。
树脂材料4由加热固化的热固性树脂构成。此外，树脂材料4的形状及尺寸与模腔5的尺寸及形状相对应。即，模腔5的模面的形状和树脂材料4的外形几乎一致。换言之，模腔5的整个模面与树脂材料4的表面处于接触或接近的状态。此外，如图1A所示，在模腔5的上部的模具合闭部9设置了阶梯部10。树脂材料4形成对应于阶梯部10的形状。因此，为使树脂材料4和模腔5之间不形成空隙，树脂材料4被嵌入模腔5中。即，图1A所示的树脂材料4的整个侧面和下面与模腔5的整个模面实质性接触。
上型2中设置了凹状的基板支承部11。在基板支承部11的底面(图1A中的上面)设置了吸附用凹部12。吸附用凹部12与气体流路13连通。气体流路13通过配管及真空管与减压泵(都未图示)连接。利用减压泵的作用通过气体流路13，吸附用凹部12内的空气被吸入减压泵内，这样吸附用凹部12内就形成负压。其结果是，基板14被吸附于吸附基板支承部11。
考虑将基板14的主表面利用格子状的临时线分割成多个临时区域的状态。在这多个临时区域内的基板14上分别装载1个晶片15。此外，基板14和多个晶片15的电极(都未图示)分别与金属丝16通电连接。因此，如后所述，通过切断临时线，形成1个晶片15搭载于被分割的基板14的1个切片的多个半导体组件。
以下，对本实施方式的树脂封装方法进行说明。首先如图1A所示，打开下型1和上型2。然后，利用基板搬运装置(未图示)在基板支承部11设置基板14。接着，利用减压泵通过气体流路13吸去吸附用凹部12内的空气，籍此将基板14吸附于基板支承部11。
此外，搬运单元3以树脂材料4被吸附于搬运单元3的状态移动到模腔5的正上方。然后，将树脂材料4从搬运单元3卸下，这样树脂材料4就落入模腔5内。其结果是，树脂材料4被嵌入模腔5内。也可以在搬运单元3从模腔5的上方下降至模腔5的近旁后，从搬运单元3中释放出树脂材料4，使树脂材料4嵌入模腔5内。
接着，利用加热器8对下型1进行加热，籍此将在下型1内传递的热量从下型1传递到树脂材料4，因此树脂材料4被加热，其结果是，树脂材料4熔融，这样如图1B所示，生成熔融树脂17。然后，使上型2下降直至使金属丝16位于熔融树脂17的表面附近。接着，通过气体流路7一边将下型1和上型2之间的空间的空气送入减压泵内，即进行下型1和上型2之间的空间的减压，一边进行上述一系列的树脂成形步骤。
然后，如图2A所示，使上型2下降，这样就完成了下型1和上型2的合模，这样晶片15和金属丝16就浸入熔融树脂17中。此时，基板14的装载晶片15的部分的周围也被浸在熔融树脂17中。此外，使包含模腔5的空间减压，防止存在于模腔5内的气体混入熔融树脂17内。由此能够抑制熔融树脂17中空隙的产生，从模腔5溢出的熔融树脂17流入树脂储存部6内。
然后，如图2B所示，使熔融树脂17固化，其结果是，在模腔5内形成固化树脂18。利用该固化树脂18及基板14，如图2A所示的将晶片15和金属丝16包裹在其中。其结果是，形成树脂成形品19。
接着，如图3A所示，使上型2向上侧移动，籍此打开下型1和上型2。然后，从上型2中取出树脂成形品19。再根据需要，利用加压泵通过气体流路7将压缩空气送入树脂储存部6内，将形成于树脂储存部6内的固化树脂从下型1脱模。
将树脂成形品19从上型2取出时，停止利用减压泵吸去吸附用凹部12内的空气，籍此使被基板支承部11吸附的树脂成形品19落在插入其下方空间的搬运单元3上。然后，搬运单元3将树脂成形品19移送至托架等装载装置所在的位置或进行其后步骤的位置。接着，树脂成形品19被切割机切断，获得作为最终产品的半导体组件。
本实施方式的树脂封装方法的特征之一是采用了具有与模腔5的尺寸及形状相对应的形状及尺寸的树脂材料4。这样，通过在模腔5内对树脂材料4进行加热，能够在与以往相比非常短的时间内形成熔融树脂17。
本实施方式的树脂封装方法的另一特征是下型1和上型2合上时，慢慢在熔融树脂17中浸入装载于基板14的晶片15和金属丝16。
这样，熔融树脂17在非常短的时间内沿与基板14的主表面垂直的方向、即模腔5的深度方向流动。此外，熔融树脂17几乎是以整体均一地流动。熔融树脂17几乎不沿与包含环状金属丝16的面垂直的方向流动。即，熔融树脂17很难沿环状金属丝16的相反方向或易使其变形的方向流动。换言之，熔融树脂17沿与包含环状金属丝16的面平行的方向流动。总之，熔融树脂17沿环状金属丝16最不易变形的方向、即沿环状金属丝16的高度下降的方向流动。
采用上述树脂封装方法时，由于在对包含模腔5的空间减压的同时将晶片15和金属丝16浸入熔融树脂17内，所以熔融树脂17内很难混入气泡。因此，能够抑制熔融树脂17内的空隙的产生。
综上所述，采用本实施方式的树脂封装方法时，在维持熔融树脂17的粘性低、即流动性高的状态的同时，在树脂成形中不会对金属丝16施加过大的外力。其结果是，即使在大型基板上对电子元器件进行树脂封装，也能够防止树脂内空隙的形成、树脂的未填充部的形成及金属丝16的变形等不良情况的发生。
此外，采用本实施方式的树脂封装方法不需要树脂流路，所以不会残存树脂流路不需要的固化树脂，因此可实现树脂材料的有效利用。
本实施方式的树脂封装成形方法采用了具有与模腔5的尺寸及形状相对应的尺寸及形状的树脂材料4。但是，不使用树脂材料4而是向模腔5供给规定量的粒状树脂或液状树脂的树脂封装方法，也能够获得与前述的本实施方式的树脂封装方法同样的效果。
此外，如图3B所示，为了保持上型2和下型1的夹持空间的气密性，最好在合闭部9设置可变形的塑料片形成的密封构件20。该密封构件20可采用具有圆形截面的框架状构件(圆环)。
(实施方式2)
以下，参考图4A～图5B对实施方式2的树脂封装方法进行说明。图4A～图5B表示本实施方式的树脂封装装置的结构。图4A～图5B中的与采用图1A～图3B说明的实施方式1的树脂封装装置的构成要素名称相同的构成要素，因具有与实施方式1所述的同样的功能，所以对这些构成要素的功能说明不再重复。
如图4A～图5B所示，本实施方式的树脂封装装置中，在下型21上放置了基板14，基板14上放置了树脂材料22。树脂材料22具有与设置于上型25的模腔(后述)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状。此外，树脂材料22由平板部23及边缘部24构成。如图4A及图4B所示，按使平板部23沿与基板14平行的方向延伸，且使边缘部24沿分别与基板14及平板部23垂直的方向延伸的要求，在基板14上设置树脂材料22。
此时，如图4B所示，在与基板14的主表面垂直的方向，如果平板部23及边缘部24的内侧面和基板14的主表面构成的空间的高度比金属丝16的高度高，则能够防止平板部23与金属丝16的接触。另外，通过加热使树脂材料22熔融时，为了使前述空间内的气体释放到树脂材料22的外部，最好在边缘部24设置切口部。
如图5A所示，本实施方式的树脂封装装置的上型25的内部设置了加热器27。此外，在上型25中设置了模腔26。在合闭部28的上型25侧可设置与实施方式1所示的密封构件(参考图3B)同样的密封构件。在上型25及下型21的任一方可设置与实施方式1的树脂储存部6及气体流路7(参考图1A及图1B)同样的树脂储存部及气体流路。
以下对本实施方式的树脂封装方法进行说明。首先如图4A所示，以金属模打开的状态，在下型21上的规定位置放置基板14。在此状态下，被加热器8加热的下型21又加热了基板14。
然后，如图4B所示，在基板14上的规定位置设置树脂材料22。在此状态下，基板14发出的热量传递到树脂材料22，籍此树脂材料22被加热。在该热处理步骤开始前，如前所述，由于形成于树脂材料22和基板14间的空间的高度比金属丝16的高度高，所以树脂材料22不会与金属丝16接触。
接着，如图5A所示，使通过加热器27被加热的上型25接近树脂材料22的平板部23，这样树脂材料22能够被进一步加热。其结果是，由上型25和下型21两者加热的树脂材料22开始慢慢熔融。在此状态下，下型21和上型25还未完全合上。然后，随着树脂材料22的熔融和熔融树脂17的生成，上型25慢慢朝向下型21下降，通过上型25和下型21接触，完成合模。
前述一系列操作在对下型21和上型25形成的空间减压的同时进行。然后，如图5B所示，在熔融树脂17填入模腔26的状态下继续加热熔融树脂17。
以下，与实施方式1的采用图2B进行说明的步骤同样，使熔融树脂17固化，这样就形成了树脂成形品19。然后，与实施方式1的采用图3A进行说明的步骤同样，取出树脂成形品19后，将树脂成形品19移送至托架等装载装置所在的位置或进行其后步骤的位置。
本实施方式的树脂封装成形方法的特征之一是树脂材料22具有与模腔26的尺寸及形状相对应的尺寸及形状。此外，本实施方式的树脂封装成形方法的另一特征是为使金属丝16和树脂材料22不接触，形成晶片15及金属丝16包裹于基板14和树脂材料22构成的空间内的状态。本实施方式的树脂封装成形方法的又一特征是装载于基板14上的树脂材料22通过与上型25的接近或接触被加热熔融。
采用具有前述特征的本实施方式的树脂成形方法时，树脂材料22在其熔融前的固形状态不与金属丝16接触。
由树脂材料22生成的熔融树脂17在非常短的时间内沿与基板14的主面垂直的方向、即模腔5的深度方向流动，籍此装载于基板14的晶片15和金属丝16埋设在熔融树脂17内。因此，利用本实施方式的树脂封装方法与实施方式1的树脂封装方法一样，能够防止在树脂成形品的固化树脂内形成空隙、在树脂成形品中残存树脂未填充的部分及金属丝16变形等不良情况的发生。此外，采用本实施方式的树脂封装方法能够在非常短的时间内完成树脂封装。
另外，由于不需要树脂流路、不会在树脂流路形成固化树脂，所以能够有效利用树脂材料。由于基板14没有置于上型25而是置于下型21，所以不需要吸附基板14的装置。其结果是，树脂封装装置的结构简化。
前述实施方式1及2的树脂封装方法中，对树脂材料4和22由热固性树脂形成的例子进行了说明。但是，树脂材料4和22也可由热塑性树脂形成。这种情况下，在加热树脂材料4和22使其熔融的同时，采用合上上型2、25和下型1、21后，使上型2、25和下型1、21的温度分别下降的方法使熔融树脂17固化。
前述实施方式1及2的树脂封装方法中，在树脂封装装置中设置了减压泵(未图示)，采用了通过减压泵对上型2、25和下型1、21形成的空间减压的方法。但是为了抑制对树脂材料4和22中所含的气体量及树脂成形品19所要求的品质等产生的不良影响，也可采用不使用减压泵的方法。
此外，实施方式1及2的树脂封装的对象物采用了用于通电连接基板14的电极和晶片15的电极的导电性材料为金属丝16的产品。但是，也可采用直接连接基板14的电极和晶片15的电极的倒装片作为树脂封装的对象物。
基板14的材质可以是引线框架这样的金属，也可以是一般的印刷基板这样的以树脂为主的材质。此外，基板14也可以是以金属为主的基板或陶瓷基板。基板14也可以是硅基板、化合物半导体基板或SOI(硅装载于绝缘体上)基板等半导体基板，还可以是主表面印刷了Cu等形成的配线的所谓的晶片级封装用基板。这种情况下，图1的树脂材料4可以是与模腔5的尺寸及形状相对应的平板状，其厚度最好比模腔5的深度大。
设置于基板14的主表面上方的图5A的树脂材料22的尺寸和形状最好和模腔26的尺寸及形状相对应。这种情况下，树脂材料22的厚度最好比模腔26的深度大。这样树脂材料22与基板14及上型25直接接触，树脂材料22能够从上下两个方向被加热。因此，与以往的方法相比，能够在非常短的时间内使树脂材料22熔融。
基板14除了半导体基板之外，还可以是用于片状电容器等的制造的基板。
虽然对本发明进行了详细说明，但以上只是例示而已，本发明并不限于此，本发明的技术思想和范围只限定于权利要求书所述的范围。

Claims (11)

1.树脂封装方法，所述方法是采用由上型(2)及下型(1)组成的金属模对(2，1)，对装载于基板(14)主表面的电子元器件(15)进行树脂封装的方法，其特征在于，包括以下步骤，将前述基板(14)安装于前述上型(2)的步骤；在设置于前述下型(1)的模腔(5)内生成熔融树脂(17)的步骤；合上前述金属模对(2，1)，使前述电子元器件(15)浸入前述熔融树脂(17)内的步骤；使前述模腔(15)内的前述熔融树脂(17)固化，形成树脂成形品(19)的步骤。
2.如权利要求1所述的树脂封装方法，其特征还在于，前述生成熔融树脂的步骤中，对设置于前述模腔(15)内的固形树脂材料加热而形成前述熔融树脂(17)。
3.如权利要求1所述的树脂封装方法，其特征还在于，前述基板(14)的电极和前述电子元器件(15)的电极在规定的平面内利用成形为环状的导电性材料(16)连接，将前述电子元器件(15)浸入前述熔融树脂(17)的步骤中，前述规定的平面在与前述熔融树脂(17)的主表面几乎垂直的状态下移动。
4.半导体器件的制造方法，其特征在于，采用权利要求1所述的树脂封装方法制造半导体器件。
5.树脂封装方法，所述方法是采用由上型(25)及下型(21)组成的金属模对(25，21)和树脂封装用固形树脂材料(22)，对装载于基板(14)主表面的电子元器件(15)进行树脂封装的方法，其特征在于，包括以下步骤，在前述下型(21)上设置前述基板(14)的步骤；在前述基板(14)的主面上设置前述树脂材料(22)并且使前述树脂材料(22)与连接前述基板(14)的电极和前述电子元器件(15，16)的电极的导电性材料(16)不接触的步骤；合上前述金属模对(25，21)的步骤；加热前述树脂材料(22)，籍此在前述基板(14)的主面上生成熔融树脂(17)的同时，使前述电子元器件(15)包含在前述熔融树脂(17)内的步骤；使前述熔融树脂(17)固化形成树脂成形品的步骤。
6.如权利要求5所述的树脂封装方法，其特征还在于，前述树脂材料(4，22)具有与前述模腔(5，26)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状，通过从前述上型(25)向前述树脂材料(4，22)传递热量生成前述熔融树脂(17)。
7.如权利要求5所述的树脂封装方法，其特征还在于，前述树脂材料(22)的构成是该树脂材料(22)被装载于前述基板(14)的主面上时，形成于前述基板(14)和前述树脂材料(22)之间的空间内包裹着前述电子元器件(15)，前述空间的大小按照前述树脂材料(22)不与连接前述基板(14)的电极和前述电子元器件(15)的电极的导电性材料(16)接触的要求而设定。
8.半导体器件的制造方法，其特征在于，采用权利要求5所述的树脂封装方法制造半导体器件。
9.固形树脂材料(4，22)，在使设置于金属模对(2，1，25，21)的模腔(5，26)中生成的熔融树脂(17)固化、对装载于基板(14)的主表面的电子元器件(15)进行树脂封装的树脂封装方法中，所述材料作为前述熔融树脂(17)的原料使用，其特征在于，前述树脂材料(4，22)具有与前述模腔(5，26)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状。
10.如权利要求9所述的树脂材料，其特征还在于，前述树脂材料(22)的构成是该树脂材料(22)被装载于前述基板(14)的主面上时，形成于前述基板(14)和前述树脂材料(22)之间的空间内包裹着前述电子元器件(15)，前述空间的大小按照前述树脂材料(22)不与连接前述基板(14)的电极和前述电子元器件(15)的电极的导电性材料(16)接触的要求而设定。
11.如权利要求9所述的树脂材料，其特征还在于，前述树脂材料(22)中设置了切口部。
CNB2003101199620A 2002-11-26 2003-11-26 树脂封装方法、半导体器件的制造方法及固形树脂封装结构 Expired - Fee Related CN100373567C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002341965 2002-11-26
JP2002341965A JP4519398B2 (ja) 2002-11-26 2002-11-26 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007101422091A Division CN100536099C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1503339A true CN1503339A (zh) 2004-06-09
CN100373567C CN100373567C (zh) 2008-03-05

Family

ID=32321981

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101199620A Expired - Fee Related CN100373567C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂封装方法、半导体器件的制造方法及固形树脂封装结构
CNB2007101422091A Expired - Fee Related CN100536099C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂材料

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007101422091A Expired - Fee Related CN100536099C (zh) 2002-11-26 2003-11-26 树脂材料

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7056770B2 (zh)
JP (1) JP4519398B2 (zh)
KR (1) KR100929054B1 (zh)
CN (2) CN100373567C (zh)
DE (1) DE10355065B4 (zh)
TW (1) TWI277500B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7638367B2 (en) 2006-02-17 2009-12-29 Fujitsu Microelectronics Limited Method of resin sealing electronic part
CN102347244A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 东和株式会社 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
CN102820234A (zh) * 2006-01-16 2012-12-12 东和株式会社 光元件的树脂密封成形方法
CN104427845A (zh) * 2013-08-20 2015-03-18 东和株式会社 基板运送供给方法及基板运送供给装置
CN104425292A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 株式会社东芝 半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂
CN105034228A (zh) * 2014-04-30 2015-11-11 东和株式会社 片状树脂体、树脂成形装置及树脂成形方法以及成形制品的制造方法
CN107437510A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 东和株式会社 树脂密封品制造方法及树脂密封装置
CN109843536A (zh) * 2016-06-17 2019-06-04 本田技研工业株式会社 树脂成形部件的成形方法及成形系统
CN109940792A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 东和株式会社 搬送装置、树脂成形装置以及树脂成形品制造方法
CN113394326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-14 顺德职业技术学院 一种防水led进水的封装胶的成模装置
CN113437199A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 顺德职业技术学院 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置
CN113442361A (zh) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 一种提高led显示器拼接效果的封装胶的成模装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401020B1 (ko) * 2001-03-09 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP2006073586A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US20060261498A1 (en) * 2005-05-17 2006-11-23 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for encapsulating microelectronic devices
JP4587881B2 (ja) * 2005-06-10 2010-11-24 サンユレック株式会社 樹脂封止装置
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
US7675180B1 (en) 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
US7633144B1 (en) * 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US7833456B2 (en) * 2007-02-23 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for compressing an encapsulant adjacent a semiconductor workpiece
US20110233821A1 (en) 2008-09-30 2011-09-29 Towa Corporation Compression resin sealing and molding method for electronic component and apparatus therefor
TWI416674B (zh) * 2008-11-05 2013-11-21 Advanced Semiconductor Eng 封膠模具與封膠方法
WO2011105639A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형 장치 및 방법
WO2011105640A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형장치 및 압축 성형방법
TWI431697B (zh) 2010-11-08 2014-03-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件之製造方法及製造其之封裝模具
JP2013021199A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Apic Yamada Corp 樹脂吸着搬送方法及び樹脂吸着搬送装置並びに樹脂封止方法
US20130037931A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Leo M. Higgins, III Semiconductor package with a heat spreader and method of making
US9679783B2 (en) * 2011-08-11 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Molding wafer chamber
JP5969883B2 (ja) * 2012-10-03 2016-08-17 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5944866B2 (ja) * 2013-06-20 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置
JP6444707B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-26 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP6400509B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-03 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の製造方法
DE102016224949B4 (de) * 2016-12-14 2023-08-10 Vitesco Technologies Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung von mechatronischen Baugruppen
US10636765B2 (en) * 2017-03-14 2020-04-28 STATS ChipPAC Pte. Ltd. System-in-package with double-sided molding
CN108466393B (zh) * 2018-03-22 2019-08-06 上海飞骧电子科技有限公司 一种解决塑封模流问题拓宽晶元宽度的塑封方法
CN112071645B (zh) * 2020-09-10 2022-03-08 闽江学院 一种引线框式电子元器件封装方法
JP2023022859A (ja) * 2021-08-04 2023-02-16 アピックヤマダ株式会社 圧縮成形装置及び圧縮成形方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187943A (en) * 1981-05-14 1982-11-18 Nitto Electric Ind Co Ltd Sealing method of semiconductor element
JPH0197622A (ja) * 1987-10-09 1989-04-17 Sintokogio Ltd 樹脂成形品の真空成形装置
JP2505051B2 (ja) * 1990-02-01 1996-06-05 三菱電機株式会社 半導体素子用樹脂封止装置及び半導体装置の製造方法
JPH04179242A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の封止方法
GB2252746B (en) * 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
JPH0590314A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の樹脂封止成形方法
JP3059560B2 (ja) * 1991-12-25 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法およびそれに使用される成形材料
JP2781689B2 (ja) * 1992-01-22 1998-07-30 九州日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2524955B2 (ja) * 1993-04-22 1996-08-14 トーワ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2994171B2 (ja) * 1993-05-11 1999-12-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および封止用部材の製造方法
JP3199963B2 (ja) * 1994-10-06 2001-08-20 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH08330342A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JPH0936152A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3017470B2 (ja) * 1997-07-11 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
US5923959A (en) * 1997-07-23 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Ball grid array (BGA) encapsulation mold
US6117382A (en) * 1998-02-05 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Method for encasing array packages
SG92685A1 (en) * 1999-03-10 2002-11-19 Towa Corp Method of coating semiconductor wafer with resin and mold used therefor
JP3897478B2 (ja) * 1999-03-31 2007-03-22 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造装置及びその製造方法
JP3581814B2 (ja) * 2000-01-19 2004-10-27 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP4484329B2 (ja) * 2000-07-21 2010-06-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3619773B2 (ja) * 2000-12-20 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6857865B2 (en) * 2002-06-20 2005-02-22 Ultratera Corporation Mold structure for package fabrication

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102820234A (zh) * 2006-01-16 2012-12-12 东和株式会社 光元件的树脂密封成形方法
US7638367B2 (en) 2006-02-17 2009-12-29 Fujitsu Microelectronics Limited Method of resin sealing electronic part
CN102347244A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 东和株式会社 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
CN102347244B (zh) * 2010-07-29 2016-07-06 东和株式会社 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
CN104427845B (zh) * 2013-08-20 2017-06-09 东和株式会社 基板运送供给方法及基板运送供给装置
CN104427845A (zh) * 2013-08-20 2015-03-18 东和株式会社 基板运送供给方法及基板运送供给装置
CN104427845B9 (zh) * 2013-08-20 2017-08-08 东和株式会社 基板运送供给方法及基板运送供给装置
CN104425292A (zh) * 2013-09-11 2015-03-18 株式会社东芝 半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂
CN104425292B (zh) * 2013-09-11 2018-05-15 东芝存储器株式会社 半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂
CN105034228A (zh) * 2014-04-30 2015-11-11 东和株式会社 片状树脂体、树脂成形装置及树脂成形方法以及成形制品的制造方法
CN105034228B (zh) * 2014-04-30 2018-12-25 东和株式会社 片状树脂体、树脂成形装置及树脂成形方法以及成形制品的制造方法
CN107437510A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 东和株式会社 树脂密封品制造方法及树脂密封装置
CN109843536A (zh) * 2016-06-17 2019-06-04 本田技研工业株式会社 树脂成形部件的成形方法及成形系统
CN109843536B (zh) * 2016-06-17 2021-10-22 本田技研工业株式会社 树脂成形部件的成形方法及成形系统
CN109940792A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 东和株式会社 搬送装置、树脂成形装置以及树脂成形品制造方法
CN109940792B (zh) * 2017-12-21 2022-03-08 东和株式会社 搬送装置、树脂成形装置以及树脂成形品制造方法
CN113394326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-14 顺德职业技术学院 一种防水led进水的封装胶的成模装置
CN113437199A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 顺德职业技术学院 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置
CN113442361A (zh) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 一种提高led显示器拼接效果的封装胶的成模装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4519398B2 (ja) 2010-08-04
KR20040047596A (ko) 2004-06-05
CN101127313A (zh) 2008-02-20
DE10355065A1 (de) 2004-06-17
KR100929054B1 (ko) 2009-11-30
TWI277500B (en) 2007-04-01
CN100373567C (zh) 2008-03-05
CN100536099C (zh) 2009-09-02
JP2004179284A (ja) 2004-06-24
DE10355065B4 (de) 2015-05-28
US20040101631A1 (en) 2004-05-27
TW200420404A (en) 2004-10-16
US7056770B2 (en) 2006-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1503339A (zh) 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料
KR101832597B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
CN1211853C (zh) 母电子装置及其制造方法和制造装置以及电子装置及其制造方法
CN105283289B (zh) 树脂模塑用模组和树脂模塑装置
CN108025466A (zh) 树脂封装装置以及树脂封装方法
JP5817044B2 (ja) 樹脂封止装置および樹脂封止方法
CN107424939B (zh) 压缩成形装置、树脂封装品制造装置、压缩成形方法以及树脂封装品的制造方法
JP6525580B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形方法
CN108688050B (zh) 成型模、树脂成型装置、树脂成型方法及树脂成型品的制造方法
JP3207837B2 (ja) 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
JP2012146770A (ja) 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置並びに供給ハンドラ
KR101767323B1 (ko) 성형품 제조 장치 및 성형품 제조 방법
CN1934699A (zh) 半导体器件及其制造方法
JP2002043345A (ja) 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
CN109383047B (zh) 树脂成型装置以及树脂成型品的制造方法
KR20190017684A (ko) 수지 성형품의 반송 기구, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
US20050110191A1 (en) Package method of phosphoric light emitting diode
CN1317775C (zh) 发光二极管封装结构及其封装方法
CN107275236A (zh) 树脂封装装置及树脂封装方法
JP6438794B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
CN1806323A (zh) 树脂密封型半导体封装及其制造方法以及制造装置
CN1426105A (zh) 半导体器件及其制造方法
WO2016125571A1 (ja) 樹脂成形金型、樹脂成形方法、および成形品の製造方法
JP2019111692A (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
CN109689330B (zh) 压缩成型装置、压缩成型方法、及压缩成型品的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20090403

Address after: Kyoto Japan

Co-patentee after: Fujitsu Microelectronics Ltd.

Patentee after: Tung and Ko

Address before: Kyoto Japan

Co-patentee before: Fujitsu Ltd.

Patentee before: Tung and Ko

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FUJITSU SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU MICROELECTRON CO., LTD.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110725

Address after: Kyoto Japan

Co-patentee after: Fujitsu Semiconductor Corp

Patentee after: Towa Corporation

Address before: Kyoto Japan

Co-patentee before: Fujitsu Microelectronics Ltd.

Patentee before: Towa Corporation

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160309

Address after: Kyoto Japan

Patentee after: Towa Corporation

Patentee after: Co., Ltd. Suo Si future

Address before: Kyoto Japan

Patentee before: Towa Corporation

Patentee before: Fujitsu Semiconductor Corp

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080305

Termination date: 20181126

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee