CN102347244B - 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法 - Google Patents

树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102347244B
CN102347244B CN201110081012.8A CN201110081012A CN102347244B CN 102347244 B CN102347244 B CN 102347244B CN 201110081012 A CN201110081012 A CN 201110081012A CN 102347244 B CN102347244 B CN 102347244B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
carrying device
shaping mould
heater
prebasal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110081012.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102347244A (zh
Inventor
高田直毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Publication of CN102347244A publication Critical patent/CN102347244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102347244B publication Critical patent/CN102347244B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明的树脂密封装置对为了进行树脂密封而配置于成型模上的密封前基板适当进行预加热。对安装于密封前基板上的芯片进行树脂密封的树脂密封装置具备:成型模块;分别设置于各成型模块上的下型;与下型分别相对向设置的上型;设置在各下型上的由流动性树脂填满的模穴;将密封前基板搬送至各成型模块的第1搬送装置;设置于第1搬送装置上的第1加热器;第2搬送装置,将从第1搬送装置接收的密封前基板移送至模穴上方并传递至上型模具工作面;设置于第2搬送装置上的第2加热器。第1加热器在将密封前基板搬送至各成型模块的过程中分别对其进行面加热,第2加热器在将接收的密封前基板传递至上型模具工作面的过程中分别对其进行面加热。

Description

树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及对由集成电路(IntegratedCircuit:IC)的芯片或芯片状LED(LightEmittingDiode)等构成的芯片状电子部件(以下称为“芯片”。)进行树脂密封的树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法(树脂密封方法)。
背景技术
一直以来,将安装于引线框、印刷电路板等电路板(以下,简称为“基板”。)上的1个或多个芯片通过树脂成形技术使用成型模来进行树脂密封。这种情况下使用的成型模(树脂密封型)被加热至180℃左右。在树脂密封工序中,首先,在成型模的模具工作面上配置基板,使用成型模对该基板进行预热(预备加热)。接着,在由设置于成型模上的空间构成的模穴容纳安装于基板上的芯片。接着,在模穴内填充流动性树脂,使该流动性树脂硬化而形成硬化树脂。由此,用硬化树脂能够对安装于基板上的芯片进行树脂密封。
但是,在通过成型模对配置于成型模的模具工作面上的基板进行预热时,在成型模上基板被充分预热需要时间。因此,存在整体的密封时间(成形时间)变长的问题(例如,参照特开平07-321137号公报第0004段)。
为解决该问题,提出了在基板配置于成型模的模具工作面之前对基板进行预热的如下技术。第1、提出了如下方法:(略)使用于将引线框向规定方向排列的排列部等具备专用的预备加热装置,在该预备加热装置上事先将引线框加热至规定温度,并将预备加热的该引线框介由其搬送装置搬送供给至双方的模穴部,即所谓的金属模外预备加热方法(例如,参照特开平07-321137号公报第[0005]段、特开2004-273773号公报第0012段、0015段、图10)。
第2、提出了如下构成:在树脂密封装置上设置多个模具单元,在设置于各模具单元上的可动下型(成型模)上,将独立的适当的预备加热装置设置于金属模模穴部附近。预备加热装置将树脂密封前的引线框(基板)预备加热至需要的温度(例如,参照特开平07-321137号公报第0024段、图1、图5(图中的预备加热装置33))。
发明内容
发明要解决的问题
但是,上述现有技术中,第1,在使用“金属模外预备加热方法’时,有如下问题。首先,通过搬送装置将预备加热的引线框(基板)搬送至成型模的模穴部期间基板会冷却。由此,需要在成型模上对基板再次进行预热。因此,难以缩短对芯片进行树脂密封时的整体的密封时间。
第2,在设置于各模具单元上的成型模上,将独立的适当的预备加热装置设置于模穴附近,根据这样的构成,在进行成型模维护时,操作人员可能会被预备加热装置烧伤。
本发明所要解决的课题为,难以缩短对芯片进行树脂密封时的整体的密封时间的问题及成型模维护中的安全性问题。
解决问题的手段
为解决上述课题,本发明的树脂密封装置,是对安装于基板上的电子部件(芯片)进行树脂密封的树脂密封装置,其特征在于,所述装置包括第1成型模、第2成型模、第1搬送装置(搬送机构),所述第1成型模及所述第2成型模以相互对向的方式配置,在所述第1成型模及所述第2成型模中的至少一个上设置有模穴,所述第1搬送装置能将安装有未密封的电子部件的基板搬送至所述模穴附近,且所述第1搬送装置包括薄板状的第1加热器,所述第1加热器能在将所述基板搬送至所述模穴附近的过程中,以与所述基板的基板面对向的状态对所述基板进行面加热,能够以将安装在被进行所述面加热的基板上的所述电子部件浸渍于所述模穴内存在的未硬化的热硬化性树脂中的状态,使所述热硬化性树脂硬化
为解决上述课题,本发明的树脂密封电子部件的制造方法(树脂密封方法),对安装于基板上的电子部件进行树脂密封,其特征在于,所述方法包括:第1搬送工序,通过第1搬送装置将所述基板搬送至第1成型模及第2成型模的至少一个上设置的模穴附近;固定工序,在所述第1成型模或所述第2成型模上,将所述基板固定在与所述模穴重合位置的模具工作面上;锁模工序,对所述第1成型模及所述第2成型模进行锁模;树脂密封工序,以将所述电子部件浸渍于所述模穴内存在的未硬化的热硬化性树脂中的状态,使所述热硬化性树脂硬化,由此对所述电子部件进行树脂密封;开模工序,对所述第1成型模及所述第2成型模进行开模;取出工序,将进行过所述树脂密封的电子部件与所述基板及所述热硬化性树脂一同取出,在所述第1搬送工序中,通过设置于所述第1搬送装置上的薄板状的第1加热器,对所述基板进行面加热。
发明效果
根据本发明,在将密封前基板搬送至模穴附近的第1搬送装置上设置第1加热器。第1加热器形状为薄板状,在搬送密封前基板(安装有未密封电子部件的基板)过程中,对密封前基板进行面加热。由此,本发明可以达到如下效果。第1、由于在将密封前基板搬送至模穴附近的期间对密封前基板进行加热,因此,在成型模上对密封前基板进行加热的时间被缩短,或不需要加热。因此,能缩短整体的密封时间,换言之,能所缩短成型模上的循环时间。
第2、不需要在成型模的模穴附近设置独立的预备加热装置。第3、在进行成型模的维护时,能使设置了第1加热器的第1搬送装置从该成型模退回。因此,能提高成型模维护中的安全性。
附图说明
图1是显示本发明的树脂密封装置的一例的概略平面图。
图2A-C是显示从第1搬送装置搬送密封前基板的工序至第2搬送装置搬送密封前基板的工序为止的一例的部分剖面图。
图3A-D是显示从第2搬送装置将密封前基板传递至模具工作面的工序至形成密封完成的基板的工序为止的一例的部分剖面图。
附图标记说明
1树脂密封装置
2接收及送出模块
3A、3B、3C、3D成型模块
4基板供给部
5密封前基板
6转动装置
7中继装置
8交接台
9第1搬送装置
10下型(第2成型模)
11模穴
12基板位置
13第2搬送装置
14基板
15境界線
16区域
17芯片
18导线
19、23主体
20加热器(第1加热器)
21表层部
22、26、29吸引通路
24加热器(第2加热器)
25框状部
27容纳部
28上型(第1成型模)
30流动性树脂
31硬化树脂
32密封完成的基板
具体实施方式
(第1实施方案)
本发明的树脂密封装置,优选地,上述树脂密封装置分别具有多个所述第1成型模及所述第2成型模,且到多个所述第2成型模分别具有的模穴附近为止的基板的搬送距离不同。
本发明的树脂密封装置,优选地,在上述树脂密封装置中,所述第1加热器对基板进行直接加热。
本发明的树脂密封装置,优选地,在上述树脂密封装置中,所述第1搬送装置进一步将基板搬送至在所述第1成型模和所述第2成型模的任一个上与模穴重合的位置的模具工作面,并将基板传递至(deliver)该模具工作面,第1加热器对基板进行面加热直至基板被传递至模具工作面。
本发明的树脂密封装置,优选地,上述树脂密封装置进一步具有第2搬送装置和第2加热器,所述第2搬送装置从所述第1搬送装置接收所述基板,且能将所述基板搬送至所述模具工作面,所述第2加热器设置于所述第2搬送装置上,且在与所述基板面对向的状态下,能够对所述基板进行面加热直至所述基板被传递至所述模具工作面。
本发明的树脂密封装置,优选地,在上述树脂密封装置中,所述第2加热器的形状为薄板状,所述第2加热器以与所述电子部件非接触的状态,对所述基板进行面加热。
在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,所述第1成型模及所述第2成型模分别为多个,且到多个所述第2成型模分别具有的模穴附近为止的基板的搬送距离不同。
在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,在所述第1搬送工序中,所述第1加热器对基板进行直接加热。
在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,在所述第1搬送工序中,进一步将基板搬送至所述模具工作面并将所述基板传递( deliver)至所述模具工作面。
在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,进一步具有:接收工序,第2搬送装置从所述第1搬送装置接收所述基板;第2搬送工序,使用所述第2搬送装置将所述基板搬送至所述模具工作面;传递至工序,将所述基板传递至所述模具工作面,而且在所述第2搬送工序中,使用设置于所述第2搬送装置上的第2加热器,以与所述电子部件非接触的状态,对所述基板进行面加热。
在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,上述树脂密封装置的第2加热器的形状为薄板状。
本发明的电子部件的树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法中,如所述那样,从树脂密封电子部件的制造效率等观点出发,优选所述第1成型模和所述第2成型模分别为多个。在所述现有技术中,如果在树脂密封装置上设置多个模具单元,则基板被搬送的距离不同,基板的温度将出现差异。由此,有必要设置在成型模上对基板进行再预热的时间差异。因此,树脂密封工序就变得非常麻烦(例如,参照特开平07-321137号公报第0005段)。
而且,由于引线框(基板)的温度产生差异,可能会引起硬化树脂与基板的密合性产生差异。如果硬化树脂与基板的密合性降低,则经过树脂密封工序制造的产品半导体封装、LED封装等(以下称为“封装”。)中,有可能会出现由于密合不好而质量下降这样严重的问题(例如,参照东芝セミコンダクタ一社、《半导体设备的可靠性、影响半导体设备可靠性的因素、影响可靠性的制造过程因素》、《表1影响可靠性的制造过程因素》中的《组装工序密封(树脂密封)》项目、online、2010年1月、平成22年7月12日检索、网络《http//www.semicon.toshiba.co.jp/product/reliability/device/concept/1186198_7633.html》)。
另外,在现有的装置中,在设置于各模具单元的成型模中,将独立适当的预备加热装置设置于模穴附近,根据这样的构成,需要设置与模具单元数目相等的独立的预备加热装置,因此,装置成本增加。
但是,根据本发明,如所述那样,在设置有多个成型模的情况下,即使将密封前基板搬送到多个成型模的距离不同,也能使被加热的密封前基板不产生温度差异。由此,在多个成型模之间,硬化树脂与基板之间的密合性就难以产生差异。因此,能有效防止封装质量的下降。另外,不需要设置在成型模对密封前基板进行再预热的时间差异。
另外,在设置多个成型模的情况下,不需要设置与成型模的数目相等的独立的预备加热装置。因此,能控制装置成本。
另外,在本发明的电子部件的树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法中,优选地,从第1搬送装置接收密封前基板,且设置于移送机构(第2搬送装置)上的第2加热器对密封前基板进行面加热直至密封前基板被传递至模具工作面,所述移送机构用于将密封前基板移送至模具工作面。由此,直至密封前基板被传递至模具工作面期间能对密封前基板进行加热。因此,能大幅缩短整体的密封时间。进而,由此,即使将密封前基板搬送到多个成型模的距离不同,被加热的密封前基板也难以产生温度差异。因此,能更有效地防止产品质量的下降。
(实施方案1)
参照图1-图3,对本发明的树脂密封装置的实施方案1进行说明。对于本申请的任何一个图,为便于理解,适当地省略或夸张地进行概略描述。
如图1所示,实施方案1的树脂密封装置1具有接收及送出模块2和4个成形模块3A、3B、3C、3D。在接收及送出模块2上设置有,供给装置(供给机构),将树脂密封用树脂材料供给至成型模;送出装置(送出机构),将树脂密封的密封完成的基板送出至下一个工序;控制树脂密封装置1整体的控制部等。对于这些构成要素,在图示中予以省略。
在接收及送出模块2上设有基板供给部4。基板供给部4从前一个工序接收密封前基板5并将其供给至树脂密封装置1的内部。另外,接收及送出模块2上设有转动装置(转动机构)6、中继装置(中继机构)7、交接台8。
图1整体中,将各构成要素中的密封前基板5的配置位置以细的双点划线组成的长方形和细的虚线组成的长方形来假设显示。细的双点划线表示密封前基板5配置于各构成要素上面。细的虚线表示密封前基板5保持在各构成要素下面。
在4个成型模块3A、3B、3C、3D上分别设有向图中X方向(没有+、-符号的情况下指+X方向和-X方向的两个方向。以下相同。)移动的第1搬送装置9。在各成型模块3A、3B、3C、3D上分别设有下型10。在各下型10的模具工作面上分别形成有由凹部构成的模穴11,该模穴11应由流动性树脂(后述)填满。在树脂密封工序中,将密封前基板5的配置位置(俯视位置)假设为基板位置12来显示。另外,在各成型模块3A、3B、3C、3D上分别设有第2搬送装置13。另外,与下型10相对向设有上型(后述)。下型10和上型合起来构成成型模。
此外,在实际的树脂密封装置中,下型10由被称为沟槽支撑(chaseholder)的外侧部分、被称为沟槽(chase)的内侧部分和设有被称为阴模(cavityblock)的模穴的部分构成的情况较多。在图1中,省略了对这些构成要素和上型的图示。
以下,参照图1,对从基板供给部4搬送密封前基板5至基板位置12的路径进行说明。首先,将从前一个工序搬送来的密封前基板5置于基板供给部4上面。接着,使用适当的移送装置(未图示)将密封前基板5从基板供给部4移送至转动装置6上面。接着,转动装置6以密封前基板5被置于其上面的状态转动90°。接着,中继装置7通过吸附、夹紧等方法将置于转动装置6上面的密封前基板5固定在中继装置7下面。接着,中继装置7向-Y方向移动至交接台8上方,其后解除对密封前基板5的吸附等。由此,能将密封前基板5置于交接台8上面。
接着,第1搬送装置9通过吸附将被置于交接台8上面的密封前基板5固定在第1搬送装置9下面。其后,第1搬送装置9以在其下面固定密封前基板5的状态沿着轨道(未图示)向+X方向移动。第1搬送装置9将密封前基板5搬送至具有下型10的成型模块(在图1的例子中为成型模块3C),所述下型10用于将密封前基板5进行树脂密封。
接着,设置于成型模块3C上的第2搬送装置13向-Y方向移动至第1搬送装置9下方。第1搬送装置9解除对密封前基板5的吸附。由此,能将密封前基板5置于第2搬送装置13上面。
接着,第2搬送装置13以将密封前基板5置于其上面的状态向+Y方向移动。当密封前基板5到达基板位置12时第2搬送装置13停止移动,并向+Z方向移动后,将密封前基板5传递至上型(未图示)的模具工作面。上型通过吸附、夹紧等方法将密封前基板5固定在上型的模具工作面(下面)。
本实施方案的特征为,在将密封前基板5搬送至成型模块3A、3B、3C、3D任一个上的模穴11附近的过程中,将密封前基板5从模穴11附近移送至基板位置12的过程中,对密封前基板5进行预热。以下,参照图1-图3,对在这两个过程中对密封前基板5进行加热的情况进行说明。
如图2A所示,密封前基板5具有由引线框、印刷电路板等构成的基板14。基板14由假想的边界线15划分成格子状的区域16。在各区域16上安装有1个或多个芯片17。基板14的端子和芯片17的端子通过引线接合法(wirebonding)使用导线18电连接。
在本实施方案中,在图1所示的基板供给部4上面,以使密封前基板5安装了芯片17的面向下(-Z方向)的状态放置密封前基板5。因此,在基板供给部4的上面设置有用于容纳17和导线18的作为凹部的容纳部(未图示)。在树脂密封装置1的其它构成要素中,转动装置6、交接台8和第2搬送装置13上也与基板供给部4同样地设有容纳部(对于第2搬送装置13上设置的容纳部在下文进行叙述)。
第1搬送装置9具有主体19、加热器20、表层部21和吸引通路22。加热器20是为对密封前基板5进行预热而设置的第1加热器,是嵌入于设置在主体19上的凹部中的薄板状(薄板状)的发热部件。加热器20通过通电来发热。由此,加热器20介由表层部21对密封前基板5进行面加热。表层部21是为保护加热器20而设置于主体19表面上的。吸引通路22通过配管与减压箱(任一个都未图示)相连接。介由吸引通路22来吸引密封前基板5,由此密封前基板5被吸附在第1搬送装置9的下面。
如图2B、图2C所示,第2搬送装置13具有主体23、加热器24、框状部25、吸引通路26和容纳部27。加热器24是为对密封前基板5进行预热而设置的第2加热器,是嵌入于设置在主体23上的凹部中的薄板状(薄板状)的发热部件。加热器24通过通电来发热。由此,加热器24对密封前基板5进行面加热。框状部25是以重合于加热器24的外周的方式,固定在主体23的框状部件。容纳部27是由主体23和框状部25形成的空间。在密封前基板5被置于第2搬送装置13的状态下,芯片17和导线18被容纳于容纳部27(参照图2C)。
以下,参照图1-图3,对本实施方案的树脂密封电子部件的制造方法,即对密封前基板5被吸附于第1搬送装置9下面至密封前基板5上安装的芯片17被树脂密封为止的工序进行说明。在本实施方案中,使用压缩成形的方式,在模穴内填充未硬化的热硬化性树脂,使安装在所述被进行面加热的基板上的所述电子部件(芯片)浸渍于所述热硬化性树脂中,由此使所述热硬化性树脂硬化。由此,通过对安装于密封前基板5上的芯片17进行树脂密封,完成密封完成的基板(后述)。
首先,如图1和图2A所示,在交接台8上方,使密封前基板5吸附于第1搬送装置9下面。其后,使第1搬送装置9向+X方向移动。在这个过程中,加热器20介由表层部21对密封前基板5进行面加热。因此,在图1中,在第1搬送装置9将密封前基板5从交接台8搬送至成型模块3C期间,能对密封前基板5进行面加热。这意味着第1搬送装置9从交接台8至成型模块3C上的模穴11附近为止能够对密封前基板5进行面预热。
接着,如图1和图2B所示,设置于成型模块3C上的第2搬送装置13向-Y方向移动至第1搬送装置9下方。其后,第2搬送装置13向+Z方向移动,第1搬送装置9解除对密封前基板5的吸附。由此,如图2C所示,能将密封前基板5置于第2搬送装置13的上面。
接着,如图2C所示,使用吸引通路26,吸附被置于第2搬送装置13上面的密封前基板5的外周部。被吸附的密封前基板5,在与框状部25接触的部分上由加热器24传导来的热量被加热。而且,被吸附的密封前基板5在与框状部25不接触的部分,换言之俯视与容纳部27重合的部分上,由加热器24的热辐射被加热。由此,密封前基板5通过加热器24被进行面加热。
接着,如图1所示,第2搬送装置13向+Y方向移送密封前基板5直至俯视时密封前基板5与基板位置12重合。其后,如图3A所示,第2搬送装置13向+Z方向移动,解除对密封前基板5的吸附。与下型10相对向而设置的上型28,使用吸引通路29在上型28的模具工作面(下面)上吸附密封前基板5。因此,在从密封前基板5被置于第2搬送装置13上面至密封前基板5被吸附于上型28的下面期间,能通过加热器24对密封前基板5进行面加热。
如图3B所示,与此前的工序并列地,向设置于下型10上的模穴11供给由诸如环氧树脂、硅酮树脂等热硬化性树脂构成的流动性树脂30。
总结由第2搬送装置13进行的对密封前基板5的移送,则如下所述。首先,第2搬送装置13将密封前基板5移送至在俯视时与设置在下型10上的模穴11相重合的位置上的上型28的模具工作面的下方。接着,第2搬送装置13向+Z方向移动。接着,第2搬送装置13将密封前基板5传递至在俯视时与设置在下型10上的模穴11相重合的位置上的上型28的模具工作面。最后,密封前基板5被吸附在上型28上的、在俯视时与设置在下型10上的模穴11相重合的位置上的模具工作面。其后,第2搬送装置13顺次向-Z方向和-Y方向移动,从基板位置12退回(参照图1)。
接着,如图3C所示,对下型10和上型28进行锁模。由此,密封前基板5上的芯片17和导线18呈浸渍(淹没)于流动性树脂30中的状态。接着,通过设置于下型10上的加热器(未图示)对流动性树脂30进行加热。由此,使流动性树脂30硬化形成硬化树脂31(图3D参照)。
接着,如图3C、图3D所示,对下型10和上型28进行开模。通过此前的工序,密封前基板5上的芯片17和导线18通过硬化树脂31完成进行了树脂密封的密封完成的基板32。
接着,解除在上型28上的吸附,从上型28取出密封完成的基板32。其后,根据需要,使用切块机等将密封完成的基板32在边界线15上分开。由此,能从密封完成的基板32制造相当于1个或多个区域16的封装。
根据本实施方案,可以得到如下效果。首先,在将密封前基板5搬送至模穴11附近的过程中,设置于第1搬送装置9上的加热器20对密封前基板5进行加热。由此,在由下型10和上型28构成的成型模上,密封前基板5的加热时间被缩短,或不需要加热。因此,能缩短整体的密封时间,换言之能缩短成型模上的循环时间。
另外,向多个成型模搬送密封前基板5的距离不同的情况下,能使被加热的密封前基板5的温度不产生差异。由此,在多个成型模之间,硬化树脂31和基板14之间的密合性难以产生差异。因此,能有效防止封装的质量降低。另外,不需要设置在成型模上对密封前基板5进行再预热的时间差异。
另外,在设置多个成型模的情况下,不需要设置与成型模的数目相等的独立的预备加热装置。因此,能控制装置成本。
另外,不需要在成型模的模穴11附近设置独立的预备加热装置。而且,进行成型模的维护时,能使设有加热器20的第1搬送装置9和设有加热器24的第2搬送装置13从该成型模退回。因此,能提高成型模维护中的安全性。
另外,在第2搬送装置13从第1搬送装置9接收密封前基板5并将其传递至上型28的模具工作面的过程中,设置于第2搬送装置13上的加热器24对密封前基板5进行面加热。由此,直至将密封前基板5传递至上型28的模具工作面期间能够对密封前基板5进行加热。因此,能大幅缩短整体的密封时间。另外,即使将密封前基板5向多个成型模搬送的距离不同的情况下,被加热的密封前基板5也难以产生温度差异。因此,能更有效地防止产品质量的降低。
另外,分别由薄板状的加热器20和加热器24对密封前基板5进行面加热。由此,即使密封前基板5为大型基板,也能够对该密封前基板5进行均匀的加热。
(实施方案2)
作为本发明的实施方案2,可以是在图2、图3所示的第2搬送装置13上不设置加热器24的构成。关于能否采用该构成,最好在研究以下因素的基础上做出决定。
第1因素是密封前基板5的特性,尤其是热容量及热传导性。在密封前基板5的热容量大的情况下及密封前基板5的热传导性小的情况下,在第2搬送装置13将由第1搬送装置9预热的密封前基板5移送的期间,密封前基板5的温度难以降低。因此,在这些情况下可以采用本实施方案。
第2因素是由第1搬送装置9的加热器20对密封前基板5进行预热时的设定温度。该设定温度最好设定成如下温度:把在第2搬送装置13移送密封前基板5的期间密封前基板5的温度下降的部分估计在内,超过密封前基板5被树脂密封时所需温度的适当的温度。
第3因素是从第2搬送装置13接收密封前基板5到密封前基板5被吸附于上型28下面为止的时间。该时间短的情况下,第2搬送装置13移送密封前基板5期间,密封前基板5的温度难以降低。因此,在这种情况下也可以采用本实施方案。
根据本实施方案,第2搬送装置13上不设置加热器24。因此,与实施方案1相比较,第2搬送装置13的构成变得简单,因此,能更进一步控制装置成本。
以下,对所述实施方案1及对所述实施方案2的变形例进行说明。首先,在上述的说明中,作为成形的方式,对压缩成形进行了说明。但是,本发明不限于压缩成形,例如,也可以使用传递成形及注塑成形。而且,在压缩成形以外的成形方式中,作为成型模并不限于下型10和上型28。作为成型模,只要包含相对向的2个成型模就可以。
此外,在本发明的树脂密封电子部件的制造方法中,使用传递成形及注塑成形的情况下,优选使用如下电子部件树脂密封装置:例如,除了成型模(上型及下型)之外,还具有形成有能容纳未硬化的热硬化性树脂的空间的部件。所述空间,例如可以通过树脂通路(=横浇道(runner))及注入口(=门(gate))与所述成型模相连接。使用这样的装置的传递成形或注塑成形而进行的所述树脂密封工序,例如,可以通过如下的(a)~(d)的工序来实施。
(a)在成型模(上型及下型)开模的状态下,将基板固定在所述上型或所述下型上。
(b)在模穴为空的状态下,对上型和下型进行锁模。
(c)将未硬化的热硬化性树脂容纳于所述空间中并摁压,该空间不是所述模穴。由此,顺次经过所述树脂通路(=横浇道(runner))及注入口(=门),将所述未硬化的热硬化性树脂移送并注入模穴内。
(d)对所述模穴内存在的所述未硬化的热硬化性树脂进行加热。由此使所述热硬化性树脂硬化。
另外,在此前的说明中,对以使密封前基板5安装有芯片17的面向下(-Z方向)的状态将密封前基板5放置于图1所示的基板供给部4上面的情况进行了说明。但不限于此,以使密封前基板5的安装芯片17的面向上(+Z方向)的状态将密封前基板5放置于基板供给部4上面也可以。这种情况下,在图1所示的中继装置7和第1搬送装置9下面设置有用于容纳芯片17和导线18的作为凹部的容纳部(未图示)。第2搬送装置13以使密封前基板5放置于上面的状态向+Y方向移动,其中密封前基板5安装有芯片17的面向上(+Z方向)。第2搬送装置13在密封前基板5到达基板位置12时停止移动,将密封前基板5传递至上型(未图示)的模具工作面(下面)。在设置于上型的模穴中容纳有芯片17和导线18。在这种情况下,作为成形方式,能使用传递成形及注塑成形。
另外,在图1中,也可以使用适当的移送装置(移送结构)(未图示),将密封前基板5从交接台8的上面移送到第1搬送装置9上面。在这种情况下,以使密封前基板5安装有芯片17的面向上(+Z方向)的状态,进行吸附等的密封前基板5移送到第1搬送装置9上面。从第1搬送装置9接收密封前基板5的第2搬送装置13,以将密封前基板5保持在下面的状态,向+Y方向移动。第2搬送装置13,以使设置于上型上的模穴中的芯片17和导线18在俯视时相重合的方式,对上密封前基板5和上型的位置,然后停止移动。第2搬送装置13,向-Z方向移动,将安装有芯片17的面向上的密封前基板5传递至下型10的模具工作面(上面)。通过对下型10和上型(未图示)进行锁模,将芯片17和导线18容纳于设置于上型上的模穴中。在这种情况下,作为成形方式可以使用传递成形及注塑成形。
另外,可以采用如下变形例。该变形例是采用如下构成,即,在图1中,将安装有芯片17的面向上(+Z方向)的密封前基板5从交接台8上面押出而移送至第1搬送装置9上面。在这种情况下,从第1搬送装置9接收密封前基板5的第2搬送装置13以将密封前基板5保持在下面的状态向+Y方向移动。第2搬送装置13,以使设置于上型上的模穴中的芯片17和导线18在俯视时相重合的方式,对上密封前基板5和上型的位置,然后停止移动。第2搬送装置13,向-Z方向移动,将安装芯片17的面向上的密封前基板5传递至下型10的模具工作面的上面。在这种情况下,作为成形方式可以使用传递成形及注塑成形。
另外,可以采用其他的变形例。该变形例采用如下构成,即,在图1所示的树脂密封装置1,以交接台8的位置至各基板位置12之间的路径为对象,第1搬送装置9和第2搬送装置13以如下方式移动;第1,使第1搬送装置9和第2搬送装置13相重合,第1搬送装置9和第2搬送装置13一体移动。第2,第1搬送装置9和第2搬送装置13相分离,而个别移动。
根据该变形例,首先,从交接台8上面接收安装有芯片17的面向下(-Z方向)的密封前基板5的第1搬送装置9将密封前基板5保持在下面。接着,第1搬送装置9移动至第2搬送装置13正上方(或第2搬送装置13移动至第1搬送装置9正下方),第1搬送装置9和第2搬送装置13呈重合状态。接着,第1搬送装置9和第2搬送装置13一体地向+X方向和+Y方向顺次移动,到达基板位置12。这种情况下,在图2B中,第1搬送装置9和第2搬送装置13呈更接近的状态。接着,将密封前基板5从第1搬送装置9下面传递至第2搬送装置13上面。接着,第1搬送装置9向-Y方向移动并从基板位置12退回。接着,第2搬送装置13在+Z方向移动,将密封前基板5传递至上型28的模具工作面(下面)(参照图3A)。接着,第2搬送装置13在向-Z方向和-Y方向顺次移动并从基板位置12退回(参照图1)。
另外,作为与上述变形例相关的其他变形例,也可以采用如下构成,即:将安装有芯片17的面向上(+Z方向)的密封前基板5从交接台8上面移送至第1搬送装置9上面。根据该其他的变形例,第1搬送装置9和第2搬送装置13一体地向+X方向和+Y方向顺次移动,到达基板位置12。另外,最终第2搬送装置13向-Z方向移动,能够将密封前基板5传递至下型(未图示)的模具工作面(上面)。
另外,也可以采用其他的变形例。该变形例采用如下构成:在图1中,不设置第2搬送装置13,而使用在X方向和Y方向都可移动地设置的第1搬送装置9,将密封前基板5配置在下型10的上面。这种情况下,第1搬送装置9以将安装芯片17的面向上(+Z方向)的密封前基板5保持在下面的状态,向+Y方向移动。第1搬送装置9,以使设置于上型上的模穴中容纳芯片17和导线18的方式,对上密封前基板5与上型的位置,并在下型10的上面配置密封前基板5。这种情况下,作为成形方式可以使用传递成形及注塑成形。
另外,在此前的说明中,对在下型10上设置模穴11的情况(参照图3B)和在上型上设置模穴的情况进行了说明。但不限于此,使用下型和上型的两者都设有模穴的成型模时,也可以适用本发明。
另外,在此前的说明中,对使用薄板状的加热器20作为第1加热器,且介由第1搬送装置9的表层部21对密封前基板5进行面加热的情况进行了说明。但并不限于此,也可以使用加热器20不介由表层部21而直接对密封前基板5进行面加热。这种情况下,优选地,作为加热器20,使用表面由玻璃布、塑料薄膜等形成的薄板状加热器。
另外,作为第2加热器的加热器24,也可以使用通过辐射至少包含近红外线或远红外线的红外线来对密封前基板5进行加热的面状的红外线加热器。
另外,在此前的说明中,如图2C所示,对在第2搬送装置13上吸附密封前基板5的外周部的情况进行了说明。而且,对如下的情况进行了说明:在密封前基板5的被吸附的部分附近、与框状部25接触的部分,利用加热器24的热传导对密封前基板5进行加热,与框状部25不接触的部分,利用加热器24的热辐射对密封前基板5进行加热。但不限于此,也可以在密封前基板5的芯片17之间的部分,通过使用设置于第2搬送装置13上的摁压部对密封前基板5进行摁压,通过热传导对密封前基板5进行加热。由此,能使用加热器24更有效地对密封前基板5进行加热。作为摁压部,可以将具有平坦端面的突起状的摁压部以在俯视时呈分散状态的方式设置。另外,作为摁压部,可以将具有平坦端面的壁状摁压部以在俯视时呈格子状的方式设置。
另外,在此前的说明中,对通过吸附密封前基板5将密封前基板5保持在第1搬送装置9及第2搬送装置13上的情况进行了说明。取而代之,也可以通过使用只转动规定角度的多个爪挂住密封前基板5的外周部,使密封前基板5保持在第1搬送装置9及第2搬送装置13上。
另外,在各实施方案中,对为实现芯片17与基板14的电连接使用引线接合法的情况进行了说明。但不限于此,也可以使用倒装式接合等别的方式。
另外,流动性树脂30也可以是常温下呈液状的液状树脂。另外,流动性树脂30也可以是将常温下呈固体状(粉状、粒状、薄板状、平板状(tablet)等)的树脂材料熔融形成的溶融树脂。
另外,在图1中,采用了如下构成:接收及送出模块2和成型模块3A是机械固定的,在该成型模块3A上顺次固定有3个成型模块3B、3C、3D。但也可以采用如下构成来代替该构成,即:接收及送出模块2和成型模块3A形成为具有树脂密封功能的1个母模块,在该母模块上顺次固定3个成型模块3B、3C、3D。在任一个构成中,都能从具有1个成型模块3A的树脂密封装置实现具有多个成型模块(在图1的例子中,为4个成型模块3A、3B、3C、3D)的树脂密封装置1,并能实现具有希望数目的成型模块3A、3B、3C、3D、···的树脂密封装置。另外,也能在事后增减成型模块的数目。
另外,本发明并不限于上述各实施方案,在不脱离本发明的宗旨的范围内,根据需要,可以采用进行了任意且适当的组合、变更或选择的实施方案。

Claims (10)

1.一种树脂密封装置,对安装于基板上的电子部件进行树脂密封,其特征在于,
所述装置包括第1成型模、第2成型模、第1搬送装置,
所述第1成型模及所述第2成型模以相互对向的方式配置,
在所述第1成型模及所述第2成型模中的至少一个上设置有模穴,
所述第1搬送装置能将安装有未密封的电子部件的基板搬送至所述模穴附近,且所述第1搬送装置包括薄板状的第1加热器,
所述第1加热器能在将所述基板搬送至所述模穴附近的过程中,以与所述基板的基板面对向的状态对所述基板进行面加热,
能够以将安装在被进行所述面加热的基板上的所述电子部件浸渍于所述模穴内存在的未硬化的热硬化性树脂中的状态,使所述热硬化性树脂硬化,所述树脂密封装置分别具有多个所述第1成型模及所述第2成型模,
所述基板被搬送到多个所述第2成型模分别具有的所述模穴附近的搬送距离不同。
2.在权利要求1所述的树脂密封装置中,其特征在于,所述第1加热器对所述基板进行直接加热。
3.在权利要求1所述的树脂密封装置中,其特征在于,
就所述第1成型模和所述第2成型模的任一个而言,所述第1搬送装置进一步将所述基板搬送至与所述模穴重合的位置上的模具工作面,且将所述基板传递至所述模具工作面,
所述第1加热器对所述基板进行面加热直至将所述基板传递至所述模具工作面。
4.在权利要求1所述的树脂密封装置中,其特征在于,
还具有第2搬送装置和第2加热器,
所述第2搬送装置能从所述第1搬送装置接收所述基板,且将所述基板搬送至所述第1成型模和所述第2成型模的任一个上与所述模穴重合的位置的模具工作面,
所述第2加热器设置于所述第2搬送装置上,且能以与所述基板面对向的状态对所述基板进行面加热,直至将所述基板传递至所述模具工作面。
5.在权利要求4所述的树脂密封装置中,其特征在于
所述第2加热器的形状为薄板状,
所述第2加热器以与所述电子部件非接触的状态,对所述基板进行面加热。
6.一种树脂密封电子部件的制造方法,对安装于基板上的电子部件进行树脂密封,其特征在于,所述方法包括:
第1搬送工序,通过第1搬送装置将所述基板加热的同时搬送至第1成型模及第2成型模的至少一个上设置的模穴附近;
固定工序,在所述第1成型模或所述第2成型模上,将所述基板固定在与所述模穴重合位置的模具工作面上;
锁模工序,对所述第1成型模及所述第2成型模进行锁模;
树脂密封工序,以将所述电子部件浸渍于所述模穴内存在的未硬化的热硬化性树脂中的状态,使所述热硬化性树脂硬化,由此对所述电子部件进行树脂密封;
开模工序,对所述第1成型模及所述第2成型模进行开模;
取出工序,将进行过所述树脂密封的电子部件与所述基板及所述热硬化性树脂一同取出,
在所述第1搬送工序中,通过设置于所述第1搬送装置上的薄板状的第1加热器,对所述基板进行面加热,
分别使用多个所述第1成型模及所述第2成型模,
所述基板被搬送到多个所述第2成型模分别具有的所述模穴附近的搬送距离不同。
7.权利要求6所述的树脂密封电子部件的制造方法中,其特征在于,在所述第1搬送工序中,所述第1加热器对所述基板进行直接加热。
8.权利要求6所述的树脂密封电子部件的制造方法中,其特征在于,在所述第1搬送工序中,进一步将所述基板搬送至所述模具工作面,且将所述基板传递至所述模具工作面。
9.权利要求6所述的树脂密封电子部件的制造方法中,其特征在于,
还具有:接收工序,第2搬送装置从所述第1搬送装置接收所述基板;第2搬送工序,使用所述第2搬送装置将所述基板搬送至所述模具工作面;传递工序,将所述基板传递至所述模具工作面,
在所述第2搬送工序中,使用设置于所述第2搬送装置上的第2加热器,以与所述电子部件非接触的状态,对所述基板进行面加热。
10.权利要求9所述的树脂密封电子部件的制造方法中,其特征在于,所述第2加热器的形状为薄板状。
CN201110081012.8A 2010-07-29 2011-03-25 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法 Active CN102347244B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-170011 2010-07-29
JP2010170011A JP5697919B2 (ja) 2010-07-29 2010-07-29 樹脂封止装置及び樹脂封止方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102347244A CN102347244A (zh) 2012-02-08
CN102347244B true CN102347244B (zh) 2016-07-06

Family

ID=45545794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110081012.8A Active CN102347244B (zh) 2010-07-29 2011-03-25 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5697919B2 (zh)
KR (1) KR101639253B1 (zh)
CN (1) CN102347244B (zh)
MY (1) MY168665A (zh)
SG (1) SG177810A1 (zh)
TW (1) TWI543276B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5878054B2 (ja) * 2012-03-27 2016-03-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5774538B2 (ja) 2012-04-11 2015-09-09 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP5985402B2 (ja) * 2013-01-08 2016-09-06 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN105874606B (zh) * 2014-01-06 2021-01-12 Mc10股份有限公司 包封适形电子系统和器件及其制作和使用方法
JP6310724B2 (ja) * 2014-02-25 2018-04-11 Towa株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形方法
US10170339B2 (en) * 2016-10-25 2019-01-01 Nanya Technology Corporation Semiconductor structure and a manufacturing method thereof
JP6804410B2 (ja) * 2017-08-09 2020-12-23 Towa株式会社 搬送機構、樹脂成形装置、成形対象物の成形型への受け渡し方法、及び樹脂成形品の製造方法
CN113442361A (zh) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 一种提高led显示器拼接效果的封装胶的成模装置
CN113451485A (zh) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 一种防止led显示器串光的封装胶的成模装置
CN113394326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-14 顺德职业技术学院 一种防水led进水的封装胶的成模装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1503339A (zh) * 2002-11-26 2004-06-09 ������������ʽ���� 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04307218A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Matsushita Electron Corp 半導体樹脂封止装置
JPH05162138A (ja) * 1991-12-13 1993-06-29 Toshiba Corp 成形装置
JP2694509B2 (ja) 1994-05-19 1997-12-24 トーワ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法
JP3077645B2 (ja) * 1997-10-24 2000-08-14 日本電気株式会社 リードフレーム搬送装置及びそれを備えた樹脂封止装置
JP4031881B2 (ja) * 1998-12-08 2008-01-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置
JP4037564B2 (ja) * 1999-07-14 2008-01-23 第一精工株式会社 半導体装置封止装置
JP4078231B2 (ja) * 2003-03-10 2008-04-23 アピックヤマダ株式会社 成形品収納装置及び樹脂封止装置
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Towa株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
JP2009105273A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Sumitomo Heavy Ind Ltd 樹脂封止金型

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1503339A (zh) * 2002-11-26 2004-06-09 ������������ʽ���� 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料

Also Published As

Publication number Publication date
CN102347244A (zh) 2012-02-08
KR20120011773A (ko) 2012-02-08
JP2012033584A (ja) 2012-02-16
MY168665A (en) 2018-11-29
TW201205690A (en) 2012-02-01
SG177810A1 (en) 2012-02-28
KR101639253B1 (ko) 2016-07-13
JP5697919B2 (ja) 2015-04-08
TWI543276B (zh) 2016-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102347244B (zh) 树脂密封装置及树脂密封电子部件的制造方法
JP6654994B2 (ja) 回路部品の製造方法
JP7084349B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TWI688056B (zh) 樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法
JP5985402B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
TWI618202B (zh) Resin packaging device and resin packaging method
TWI688055B (zh) 樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法
CN102347245A (zh) 电路装置的制造方法
JP5550864B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
TWI635586B (zh) Resin packaging device and resin packaging method
KR20180083789A (ko) 회로 부품의 제조 방법 및 회로 부품
CN104871300A (zh) 电子零件安装装置以及电子零件的制造方法
WO2022097392A1 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TWI778332B (zh) 樹脂成形裝置以及樹脂成形品的製造方法
CN104081511A (zh) 树脂密封装置及树脂密封方法
CN109689330B (zh) 压缩成型装置、压缩成型方法、及压缩成型品的制造方法
CN113211686B (zh) 树脂成型装置及树脂成型品的制造方法
CN117296137A (zh) 成型模、树脂成型装置及树脂成型品的制造方法
JP2004253412A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant