CN1399161A - 用于液晶显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶显示板基板及其制造法。栅极构图包括透明绝缘基板像素区及周边区上的栅极线，和由其分出的栅电极。栅极绝缘膜在栅极构图和基板上。有源构图在栅极绝缘膜上且包括第一和第二杂质区及其间的沟道区。数据构图在有源构图和栅极绝缘膜上，包括漏极、源极和数据线。第一绝缘夹层在数据构图和栅极绝缘膜上，包括局部暴露漏电极的第一接触孔、分别暴露周边区的第一驱动晶体管的栅极和第二驱动晶体管的源/漏极的第二和第三接触孔。电极构图在第一绝缘夹层上，包括经第一接触孔与像素区的漏电极接触的第一电极构图，及经第二和第三接触孔连接第一驱动晶体管的局部暴露的栅电极和第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极的第二电极构图。

Description

用于液晶显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法
                        技术领域
本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法，更具体地，涉及液晶显示板的非晶硅薄膜晶体管基板及其制造方法，其中，栅极驱动器集成在非搀杂非晶硅薄膜晶体管基板上。
                        背景技术
在当今信息社会中，电子显示的作用越来越重要。各种电子显示器广泛地用于各种工业领域。随着电子显示领域技术的持续发展，出现了适应信息社会不同要求的具有新功能的各种电子显示器。
一般地，电子显示器是一种用于向人视觉传送信号的装置。也就是，电子显示器可以定义为这样一种电子装置，它将从各种电子设备传出的电信息信号转换为视觉可识别的光信号。另外，它可以定义为用作连接人和电子设备的桥梁的电子装置。
这些电子显示器可以分为通过光发射方法显示光信息信号的发射型显示器和通过光调制方法(如光反射、散射和干涉现象等)显示信号的非发射型显示器。作为称作有源显示器的发射型显示器，例如可以是CRT(阴极射线管)、PDP(等离子体显示板)、LED(发光二极管)、ELD(电致发光显示器)等。作为称作无源显示器的非发射型显示器，可以是LCD(液晶显示器)、EPID(电泳图象显示器)等。
CRT已经在很长一段时期内用作例如电视接受机、监视器等的图像显示装置。在显示质量和经济效率方面，CRT具有最高的市场份额，但是也有许多缺点，如大重量、大体积和高功耗。
同时，伴随着半导体技术的快速发展导致的电子器件的密集以及低电压和低功率驱动，新环境需要具有更小且更轻性能、以及更低驱动电压和更低功耗特性的平板型显示器。
在各种已开发的平板型显示器中，LCD(液晶显示器)比任何其它的显示器都小和轻，它具有低驱动电压和低能量消耗。另外，显示质量和CRT相似，因此，LCD被广泛用于各种电子装置。
LCD包括：两个基板，每个均具有在其内表面上形成的一个电极；一个液晶层，介于两个基板之间。在LCD中，电压作用到电极上，以重排液晶分子并控制经过分子而传送的光量。
在这种LCD中，一种现在主要使用的TFT-LCD，设置有形成于两个基板中的每一个上的电极和用于开关供给到每个电极上的电源的薄膜晶体管。一般地，薄膜晶体管(以下称为TFT)形成于两个基板的一侧上。
一般地，其中的TFT分别形成于单元像素区内的LCD分为非晶型TFT-LCD和多晶型TFT-LCD。多晶型TFT-LCD的优点在于，它能加快器件的运行，并能够在低能耗的情况下执行器件的驱动操作。它还有一个优点在于，用于像素的TFT和用于驱动电路的半导体器件可以一起形成。
接着，用于多晶线型TFT-LCD的驱动电路还需要一退火工艺，用以在非晶硅沉积以后，将非晶硅转变成多晶线型硅，这限制了基板的材料。换言之，当用玻璃基板时，退火工艺会使玻璃基板产生变形。
另外，因为栅极驱动器具有互补金属氧化物半导体(CMOS)的结构，所以N沟晶体管和P沟晶体管一起形成于同一个基板上。为此，和制造形成有单个沟道型晶体管的非晶TFT-LCD的工艺比较，多晶型TFT-LCD的制造工艺变得更为复杂和困难。通常，其上形成有用于LCD的TFT的基板通过利用掩膜的光刻工艺来制造。目前，要用7至9片光掩膜。
光刻工艺的工艺步聚增加得越多，制造费用越高，工艺误差的可能性越大。因此，不可避免地需要发展能减少制造彩色LCD板的TFT基板的工艺中的掩膜数量的技术。
                        发明内容
因此，本发明的第一个目的是提供一种由非晶硅制造的液晶显示板的基板，它可以通过在同一层上形成可用同一材料制造的多个元件来减少掩膜的数量。
本发明的第二目的是提供一种用于制造由非晶硅形成的液晶显示板的方法，它能通过在同一层上形成可用同一材料形成的多个元件来减少掩膜的数量。
本发明的第三目的是提供一种液晶显示板基板，其中栅极驱动器形成于TFT基板的一个边缘侧或两个边缘侧。
本发明的第四目的是提供一种用于制造由非晶硅构成的液晶显示板的方法，它能通过在形成像素电极的同时形成第一晶体管的栅极以及第二晶体管的源极和漏极而不需要另外的接触工艺来简化TFT基板的制造工艺，第二晶体管位于第一晶体管的附近，且第一晶体管和第二晶体管构成栅极驱动器的移位寄存器。
为实现本发明的上述目的，提供一种液晶显示板基板，在以上液晶显示板中，栅极构图包括分别形成于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。栅极绝缘膜形成于栅极构图和该基板上。有源构图形成于栅极绝缘膜上，且包括第一杂质区、第二杂质区和形成于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区。数据构图形成于有源构图和栅极绝缘膜上。该数据构图包括与第一杂质区接触的漏电极、与第二杂质区域接触的源电极和与漏电极连接的数据线。第一绝缘夹层形成于数据构图和栅极绝缘膜之间。第一绝缘夹层包括用于局部暴露漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域的第一驱动晶体管的栅电极的第二接触孔和用于暴露周边区域的第二驱动晶体管的源/漏电极的第三接触孔。电极构图部分形成于第一绝缘夹层上。电极构图部分包括通过第一接触孔与像素区的漏电极接触的第一电极构图，以及通过第二和第三接触孔连接第一驱动晶体管的局部暴露的栅电极和第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极的第二电极构图。
另外还提供了一液晶显示板基板，其中，栅极构图包括分别形成于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。栅极绝缘膜形成于栅极构图和基板上。有源构图形成于栅极绝缘膜上，且包括第一杂质区、第二杂质区和形成于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区。数据构图形成于有源构图和栅极绝缘膜上，且包括与第一杂质区接触的漏电极、与第二杂质区域接触的源电极和与漏电极连接的数据线。第一绝缘夹层形成于数据构图和栅极绝缘膜上。第一绝缘夹层包括用于局部暴露源电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区的漏电极的第二接触孔、用于暴露周边区域的第一驱动晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域的第二驱动晶体管的源/漏电极的第四接触孔。电极构图部分形成于第一绝缘夹层上。电极构图部分包括通过第一接触孔与像素区的源电极连接的第一电极构图、通过第二接触孔和像素区域的漏电极连接的第二电极构图，以及通过第三和第四接触孔连接第一驱动晶体管的暴露的栅电极和第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极的第三电极构图。
为了实现本发明的第二和第四目的，提供了一种制造液晶显示板基板的方法。在上述方法中，形成栅极构图，该构图包括分别形成于透明绝缘基板的像素区域和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。在栅极构图和基板上按叙述顺序形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层。在金属层上形成光致抗蚀剂构图。此处，光致抗蚀剂构图与源电极和漏电极之间的沟道区相对应的部分比与源电极和漏电极相对应的部分薄。用光致抗蚀剂构图作为掩膜来构图金属层、暴露的搀杂非晶硅层和非晶硅层，以除去沟道区的金属层，并形成包括源电极、与源电极隔开的漏电极，以及与漏电极连接并与栅极线垂直的数据线的数据构图。除去沟道区的光致抗蚀剂构图和杂质搀杂非晶硅层。在基板的合成结构上形成第一绝缘夹层。局部蚀刻第一绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区的漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域第一晶体管的栅电极的第二接触孔，以及用于暴露周边区域的第二晶体管的源/漏电极的第三接触孔。在包括第一、第二和第三接触孔的第一绝缘层上形成导电膜。构图导电膜，以形成第一电极构图和第二电极构图。第一电极构图通过第一接触孔与像素区域的漏电极连接，且第二电极构图通过第二和第三接触孔连接第一晶体管的局部暴露的栅电极和第二晶体管的暴露的源/漏电极。
另外，提供了一种用于制造液晶显示板基板的方法。在以上方法中，栅极构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。在栅极构图和基板上顺序形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层。在金属层上形成光致抗蚀剂构图。此处，光致抗蚀剂构图与源电极和漏电极之间的沟道区对应的部分比与源电极和漏电极对应的部分薄。用光致抗蚀剂构图作为掩膜来构图金属层、搀杂非晶硅层和非晶硅层，以除去沟道区的金属层，并形成包括源电极和与源电极隔开的漏电极的数据构图。除去沟道区的光致抗蚀剂构图和杂质搀杂非晶硅层。在基板的合成结构上形成第一绝缘夹层。局部蚀刻第一绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区域的漏电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区域的源电极的第二接触孔、用于暴露周边区域第一晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域第二晶体管的源/漏电极的第四接触孔。在包括第一、第二、第三和第四接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜。构图导电膜，以形成第一电极构图、第二电极构图和第三电极构图。第一电极构图通过第一接触孔与像素区域的源电极连接，第二电极构图通过第二接触孔与像素区域的漏电极连接，以及第三电极构图通过第三和第四接触孔连接第一晶体管的暴露的栅电极和第二晶体管的暴露的源/漏电极。
另外，提供了一种用于制造液晶显示板基板的方法。在上述方法中，形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区域和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。在栅极构图和基板上形成栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上形成有源构图。该有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和位于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区。形成数据构图，此构图包括放置在第一杂质区域上并与之接触的漏电极，放置在第二杂质区域上并与之接触的源电极，以及与源电极连接并垂直于栅极线的数据线。在数据构图和栅极绝缘膜上形成绝缘夹层。局部蚀刻绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区域的漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域第一驱动晶体管的栅电极的第二接触孔，以及用于暴露周边区域第二驱动晶体管的源/漏电极的第三接触孔。在包括第一、第二和第三接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜。构图导电膜，以形成第一电极构图和第二电极构图。第一电极构图通过第一接触孔与像素区的漏电极连接，且第二电极构图通过第二和第三接触孔连接第一驱动晶体管的暴露的栅电极和第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极。
另外，提供了一种用于制造液晶显示板基板的方法。在上述方法中，形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极。在栅极构图和基板上形成栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上形成有源构图。该有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和位于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区。形成数据构图，该构图包括放置在第一杂质区域上并与之接触的漏电极、放置在第二杂质区上并与之接触的源电极，以及与源电极连接并垂直于栅极线的数据线。在数据构图和栅极绝缘膜上形成绝缘夹层。局部蚀刻绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区域的源电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区域的漏电极的第二接触孔、用于暴露周边区域第一晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域第二晶体管的源/漏电极的第四接触孔。在包括第一、第二、第三和第四接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜。构图导电膜，以形成第一电极构图、第二电极构图和第三电极构图。第一电极构图通过第一接触孔与像素区域的源电极连接，第二电极构图通过第二接触孔与像素区域的漏电极连接，第三电极构图通过第三和第四接触孔连接第一晶体管的暴露的栅电极和第二晶体管的暴露的源/漏电极。
因此，根据本发明，栅极驱动区域的面积被减至最小，同时用于形成薄膜晶体管的掩膜数减至4或5片。
                        附图说明
参考附图，通过对本发明优选实施例的详细描叙，本发明的上述目的和其它优点就会更加明显，其中：
图1是液晶显示板的示意性视图；
图2是在透射栅极(TG)结构中具有单个源极驱动电路部分的1.85英寸板的平面图；
图3是图2的简化电路图；
图4是在双栅极(DG)结构中具有单个驱动电路部分的1.85英寸板的简化平面图；
图5是图4的简化电路图；
图6是根据本发明一优选实施例的用于LCD的非晶硅薄膜晶体管基板的栅极驱动区域中移位寄存器的电路图；
图7是根据本发明一优选实施例的非晶硅薄膜晶体管基板的截面图；
图8是根据本发明另一优选实施例的非晶硅薄膜晶体管基板的截面图；
图9至14是显示图7所示a-Si TFT基板中单元像素区和与之相邻部分的平面图；
图15至23是沿图9至14中的第一条线截取的截面图；
图24至29是沿图9至14中的第二条线截取的截面图；
图30是平面图，用于局部示出栅极驱动区及其相邻的像素区；
图31至35是为了形成图30所示结构而应用到单元步骤中的构图的平面图；
图36是图30中单元像素区及其相邻部分的局部细节平面图；
图37至41是局部细节平面图，用于说明单元像素区及其相邻部分中的单元步骤；
图42是图30中栅极驱动区域的局部细节平面图；
图43至47是局部细节平面图，用于说明栅极驱动区域中的单元步骤；
图48是根据本发明优选实施例的栅极驱动区域中密封部分的平面图；
图49是根据本发明优选实施例的栅极驱动区域中接触部分的细节平面图；
图50是根据本发明优选实施例的栅极驱动区域中信号线连接结构的平面图；以及
图51是DE1和DE2线、从源极驱动电路部分引出来的数据信号线和开关部分的平面图。
                      具体实施方式
现在，参照附图，详细介绍本发明的优选实施例。
图1是1.85英寸液晶显示板的示意性平面图。
参考图1，液晶显示板包括作为下基板的薄膜晶体管(TFT)基板100、作为上基板的滤色板200和夹在TFT基板100和滤色板200之间的液晶层(未显示)。
一柔性印刷电路(FPC)连接器300沿液晶显示板的一侧边缘粘接到TFT基板100上。
TFT基板100被分成像素区和周边区域。在像素区内，按矩阵形式排列像素电极。作为开关元件的薄膜晶体管分别与像素电极连接。在图1中，附图标记D.A表示显示区域。
在周边区域内，排列源极驱动电路部分400和栅极驱动电路部分500。源极驱动电路部分400将栅极驱动信号和数据驱动信号与通过FPC连接器300输入的外部图象信号分开，并将分离的数据驱动信号加载到数据线上。栅极驱动电路部分500将被源极驱动电路部分400分开的栅极驱动信号加载到栅极线上。
源极驱动电路部分400安装到玻璃上芯片(chip on glass)(COG)型TFT基板100上。源极驱动电路部分400可以是如图1所示的多个或如图2所示的单个结构。
图2是在透射栅极(TG)结构中具有单个源极驱动电路部分的1.85英寸板的简化平面图。参考图2，设置开关部分600，它允许数据信号以一定的时间间隔从源极驱动电路部分400加载到像素区域的数据线上。
图3中示出了开关部分600的电路图。另外，线DE1和DE2的平面结构、从源极驱动电路部分400引出的数据线和开关部分600示于图51。
图4是在双栅极(DG)结构中具有单个驱动电路部分的1.85英寸板的简化平面图，图5是图4的简化电路图。
参考图4和5，在双栅极结构中，栅极驱动电路部分500沿液晶显示板的两边排列。例如，位于左侧的第一栅极驱动电路部分500将栅极信号加载到与奇数像素电极连接的薄膜晶体管上，位于右侧的第二栅极驱动电路部分501将栅极信号加载到与偶数像素电极连接的薄膜晶体管上。
图1至5所示的液晶显示板每个都有包括多个移位寄存器的栅极驱动电路部分。图6示出了这些移位寄存器的电路图。
在本发明的实施例中，栅极驱动电路部分有以下特征。
首先，如图48所示，用于粘接TFT基板和滤色板的密封线被设计成与栅极驱动电路部分分开，这防止了当密封线被设置到栅极驱动电路部分的绝缘夹层上时可能发生的在互连线上的短路故障。
另外，如图49所示，电接触的数量降到最小，驱动电路被设计成具有最小的面积。换言之，宽度上相对宽的第一和第二晶体管直接和输出接线端(OUT)连接，其它的第三到第九晶体管NT3至NT9布置在中间部位。如图50所示，信号线113布置在像素区和栅极驱动区以外。
另外，使用像素电极的范围限制在接触部分内，使得电路特性不取决于所用电极的种类。
另外，随着对阻抗的敏感性变大，互连线宽度变大。(Voff＞VCK1＝VCK2＞Vst)。
实施例1
图7是根据本发明一优选实施例的非晶硅薄膜晶体管基板的截面图，示出了像素区域和周边区域内的结构。周边区域包括焊点区和栅极驱动区。
参考图7，栅极构图112a、112b、112c、112d、112e和112f布置在透明绝缘基板110的像素区和周边区域，即焊点区和栅极驱动区上。栅极构图112a～112f包括栅极线和从栅极线分出来的栅电极。栅极构图112b和112e分别布置在用作储存电容器的下电极的像素区和周边区域内。
栅极构图112a～112f为具有2500厚度的单层结构，优选地是双层结构，其中下层是约500厚的Cr层，上层是约2000厚的AlNd合金层。
焊点区位于像素区域和栅极驱动区域之间。由与栅极构图相同的层制成的栅极焊点112c布置在焊点区。像素区内的栅极线的延伸线电连接至栅极焊点112c。
在包括栅极构图112a～112f的基板100的整个表面上，设置栅极绝缘膜114。
栅极绝缘膜114优选地由厚度约为4500的氮化硅(SiNx)或氧化硅制成。
在栅极绝缘膜114上的像素区域和栅极驱动区域上布置着包括第一杂质区118a和118c、第二杂质区118b和118d以及分别形成于第一杂质区118a和118c以及第二杂质区域118b和118d之间的沟道区116a和116b的有源层构图。
沟道区116a和116b包括厚度约为2000的本征非晶硅。第一和第二杂质区域118a～118d由厚度约为500的高度搀杂有n型杂质的非本征非晶硅制成。
在有源构图118a～118d上，116a和116b布置在数据构图上。数据构图包括分别和第一杂质区域118a和118c接触的源电极120a和120e、分别和第二杂质区域118b和118d接触的漏电极120b和120f，以及垂直于栅极线的数据线(未显示)。
如图7所示，栅极驱动区内TFT的源电极120e和漏电极120f优选地在带有多个沟道的交叉指型结构(interdigital structure)中构成。换言之，偶数源电极120e交替地设置在奇数漏电极120f之间。
上储存电极120g位于栅极绝缘膜114上。上储存电极120g覆盖下储存电极112e，绝缘膜夹在其间。
在像素区域和栅极驱动区域之间的焊点区域上设置数据焊点120d，它由和栅极驱动区域的数据构图120a～120g相同的层制成。
在包含数据构图120a～120g的合成基板上设置钝化膜130，其中形成有用于局部暴露像素区域的漏电极120b的第一接触孔H1、用于局部暴露接触栅极构图112f的第二接触孔，以及用于暴露栅极驱动区域的接触数据构图120h的第三接触孔H3。以下，栅极构图112f称为“接触栅极构图”，数据构图称为“接触数据构图”。
另外，在钝化薄膜130的焊点区域内，形成第四和第五接触孔H4和H5，分别用于局部暴露栅极焊点112c和数据焊点120d。
钝化膜130包括氮化硅，并具有约1.85微米的厚度。
在包括第一至第五接触孔H1至H5的钝化膜130上，设置电极构图部分，其中，包括通过第一接触孔H1与像素区域的漏电极120b连接的像素电极(或第一电极构图)140、通过第二和第三接触孔H2和H3电连接栅极驱动区域的暴露的接触栅极构图120f和栅极驱动区域的暴露的数据构图120h的第二电极构图142，以及通过第四和第五接触孔H4和H5电连接焊点区域的栅极焊点112c和焊点区域的数据焊点120d的第三电极构图143。
这里，栅极驱动区域的第二电极构图142和焊点区域的第三电极构图143在电连接栅极构图部分和数据构图部分时，可以当作相同功能组的接触接线端。
这些接触接线端部分的详细结构示于图49中。参考图49，接触栅极构图112f的一端通过第二接触孔H2暴露，接触数据构图120h的一端通过第三接触孔H3暴露。接触栅极构图112f和接触数据构图120h通过第二电极构图142彼此电连接。优选地，它们被设计，使得第二和第三接触孔H2和H3的每一个的一条端线形成得比接触栅极构图112f和接触数据构图120h的每一个的一条端线长4微米，且自接触栅极构图112f和接触数据构图120h的每一个的一条侧线起，第二电极构图142的宽度比接触栅极构图112f和接触数据构图120h中的每一个的宽度大5微米，或总体大10微米。
在本发明的TFT基板用于透射型LCD的情况下，整个第一电极构图140、第二电极构图142和第三电极构图143都是由透明材料制成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。和上面不一样，在TFT基板用于反射型LCD的情况下，它们可能由Cr或AlNd制成。
特别是，当反射型LCD的反射电极具有特殊的不平表面时，具有不平表面的光敏有机绝缘膜被用作钝化膜。光敏有机绝缘膜的使用允许去除至少一个用于形成接触孔和不平表面的构图工艺。
第二实施例
图8是根据本发明第二实施例的非晶硅薄膜晶体管基板的截面图。
比较图7和图8，数据线的结构彼此不同。如图8所示，数据线144和像素电极140一起沉积在钝化膜130上，并与像素电极140隔开一预定间隔。
具体地说，数据线144不形成于包括有源层构图118a～118d的合成基板上的像素区上，且只布置包括与第一杂质区域118a接触的源电极120a和与第二杂质区域118b接触的漏电极120b的数据构图。
在包括数据构图的合成基板上形成钝化膜130，其中，形成用于局部暴露像素区域的源电极120a的第一接触孔H1，用于局部暴露像素区域的漏电极120b的第二接触孔H2、用于暴露栅极驱动区域的接触栅极构图112f的第三接触孔H3，以及用于暴露栅极驱动区域的接触数据构图120h的第四接触孔H4。
另外，在钝化膜130的焊点区域内，形成有分别用于局部暴露栅极焊点112c和数据焊点120d的第五和第六接触孔H5和H6。
钝化膜130包括氮化硅，且具有约1.85微米的厚度。
在包括第一接触孔H1到第六接触孔H6的钝化膜130上，设置电极构图部分。电极构图部分包括通过第一接触孔H1与像素区域的源电极120a连接的数据线(或第一电极构图)144、与数据线114分开一选定间隔且通过第二接触孔H2与像素区的漏电极120b电连接的像素电极(或第二电极构图)140、通过第三和第四接触孔H3和H4电连接栅极驱动区的暴露的接触栅极构图112f和栅极驱动区的暴露的数据构图120h的第三电极构图142，以及通过第五和第六接触孔H5和H6电连接焊点区域的栅极焊点112c和焊点区域的数据焊点120d的第四电极构图143。
这里，栅极驱动区域的第三电极构图142和焊点区域的第四电极构图143，当它们电连接栅极构图的一部分和数据构图部分时，可以看作相同功能组的接触接线端。
因为除上述元件以外的其它元件和第一实施例的相同，所以省略对它们的进一步描述。
根据实施例1和2，周边区域内的接触面积减到最小，使得栅极驱动器可以集成在最小面积内。
另外，因为栅极驱动区域里的像素电极的使用被限制在接触部分，所以电路特性不受电极种类的影响，从而可以获得稳定的电路。
第三实施例
图9至14是显示图7中a-Si TFT基板上单元像素区及其附近部分的平面图，图15至23是沿图9至14中的第一条线截取的截面图，图24至29是沿图9至14中的第二条线截取的截面图。具体地，图15是沿图9中的15-15′线截取的截面图，图24是沿图9中的24-24′线截取的截面图。
参看图9、15和24，氧化硅光遮蔽膜(未示出)形成在透明基板202上。基板202由绝缘材料，如玻璃、石英或蓝宝石形成。
在光遮蔽膜上形成栅极构图。栅极构图包括栅极线212a、从栅极线212a分出来的栅电极212d，以及从栅电极212d延伸并有开环结构的下储存电极构图212d、212b、212c，其中，下储存电极构图212d、212b、212c封住单元像素区域的边缘部分。
尽管在图中没有示出，但与像素区的栅极构图一起在周边区域形成用于接受来自外部集成电路(IC)的扫描信号的栅极焊点和接触栅极构图。栅极焊点和接触栅极构图用和像素区域的栅极构图相同的层制成。
栅极构图具有如铝(Al)或AlNd的Al合金的单层结构，或其中的Al或AlNd合金叠在Cr膜上的多层结构。栅极构图通过在基板上沉积具有上述单层结构或多层结构的膜至约2000～3000的厚度，并用传统的光刻方法构图沉积的膜而形成。(第一掩膜)
图16是沿图10的16-16′线截取的截面图，图25是沿图11的25-25′线截取的截面图。
如图10、16和25所示，在包括栅极构图212a～212d的合成基板上按叙述顺序沉积氮化硅(SiNx)栅极绝缘膜214、为搀杂质的本征非晶硅(a-Si：H)膜216和高度搀杂的非本征非晶硅(n+a-Si)膜218。
这三层214、216和218通过等离子体强化化学气相沉积(PECVD)法形成，该方法是一种化学气相沉积(CVD)方法。作为一个例子，氮化硅膜214的厚度约为4500，本征非晶膜216的厚度约为2000，非本征非晶硅膜218的厚度约为500。
在非本征非晶硅的整个表面上通过物理气相沉积方法，如溅射法形成用作源/漏电极的金属层220。
用于源/漏电极的金属层220和下置的三层218、216和214用有源掩膜一次构图。
具体地说，参考图16，正光致抗蚀剂膜250涂在用于源/漏电极的金属层220的整个表面上至一选定深度，然后将掩膜240对齐在所涂的光致抗蚀剂膜上。
掩膜240包括透明区域240b、对齐在源极区、漏极区和沟道区上的不透明区240a。
具体地说，透明区域240b的介于沟道区和源极区之间以及沟道区域和漏极区域之间的部分具有狭缝结构。因为经过这些狭缝式基板的光被衍射，所以设计成狭缝之间的间距比沟道区的间矩稍小。当紫外线用做光源时，经过狭缝的紫外线被衍射，以曝光光致抗蚀剂膜的沟道区域部分。同时，其余暴露的光致抗蚀剂膜也被暴露在紫外线之下。
曝光后的光致抗蚀剂膜被显影，因此，光致抗蚀剂掩膜构图250e得以形成，其中的沟道区域部分被除去至预定的深度。
参考图19，没有覆盖光致抗蚀剂掩膜构图250e的暴露的金属层220、下置的非本征非晶硅膜218和下置的本征非晶硅膜216被除去。此时，暴露的金属层220、非本征非晶硅膜218和本征非晶硅膜216当中的至少一个通过干法蚀刻的方法除去，使得沟道区域部分的光致抗蚀剂掩膜构图一起被除去。换言之，因为在进行显影工艺的同时，沟道区域部分的光致抗蚀剂掩膜构图250e变得非常薄，所以它在干法蚀刻过程中一起被除去。
之后，沟道区域暴露的金属膜220和下置的非本征非晶硅膜218完全被选取的蚀刻方法除去，下置的本征非晶硅膜216被去除到预定的厚度。
接着，源极/漏极区域的光致抗蚀剂掩膜构图250被除去(第二掩膜工艺)。
图12是平面图，示出了上述第二掩膜工艺完成以后的状态，图21是沿图12中的21-21′线截取的截面图，图27是沿图12中的27-27′线截取的截面图。
参考图12、21和27，源极区域的有源构图216和218延伸得与栅极线212a垂直，并覆盖有数据线220。绝缘膜214介于数据线220与有源构图216和218之间。每个有源构图216和218均具有比数据线220小的宽度。因此，延伸的有源构图216和218用于防止数据线220的断路和降低数据线220的阻抗。
图13是一平面图，示出了在图12所示的合成基板上沉积了1.85微米厚的氮化硅钝化膜222的状态，图22是沿图13中的22-22′线截取的截面图，图28是沿图13中的28-28′线截取的截面图。
参考图13、22和28，在钝化膜222的预定部分上形成用于暴露漏电极220D的选定部分的第一接触孔223。
同时，尽管在图中没有示出，与第一接触孔223一起形成了用于暴露栅极驱动区域的栅极构图的第二接触孔和用于暴露栅极驱动区域的数据构图的第三接触孔(第三掩膜)。
接着，参考图14、23和29，通过溅射方法在合成基板的整个表面上沉积约1500厚的金属膜。
如图23所示，沉积的金属膜通过使用第四掩膜而构图成两种导电构图。换言之，在像素区上构成了像素电极(或第一电极构图)，它通过第一接触孔与漏电极220D接触。尽管在图中没有显示，但还形成了第二电极构图，它通过第二和第三接触孔连接从第一晶体管的栅电极延伸的栅极构图和从第一晶体管附近的第二晶体管的源/漏电极延伸的数据构图。
如图23和28的截面图所示，构图后的像素电极224包括钝化膜222和作为绝缘层的栅极绝缘膜214，它们介于像素电极224与下储存电极212c和212d之间。构图后的像素电极224用作储存电容器的上电极。通过上述结构，液晶相保持稳定，直到施加后来的信号。
当在第三个实施例中公开的薄膜晶体管基板的制造方法用于透射型LCD时，第一电极构图224和第二电极构图是由透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。相反，当上述制造方法用于反射型LCD时，像素电极是由不透明导电材料，如Cr或AlNd合金制成。
具体地说，当用于反射型LCD的TFT基板的反射电极具有特殊的非平坦表面时，具有不平坦表面的光敏有机绝缘膜可用作钝化膜。
因为光敏有机绝缘膜不需要在其上形成光敏掩膜构图这一工艺，所以至少可以省去一道用于形成接触孔和无规则表面的构图工艺。
根据本实施例，有源构图、源电极和漏电极通过一掩膜工艺形成，且从第一薄膜晶体管的栅极延伸的接触栅极构图和从第二薄膜晶体管的源/漏电极延伸的接触数据构图在构图像素电极时同时形成。因此，用于形成薄膜晶体管的掩膜的数量可以减至4片。
第四实施例
以与实施例2的图8中所描述的相似的方法，本实施例公开了仅用4片掩膜来制造薄膜晶体管基板的方法，在该薄膜晶体管基板中，数据线形成于钝化膜上。
如图15所示，利用第一掩膜，形成包括栅电极、栅极线和下储存电极的栅极构图。然后，在合成基板的整个表面上沉积栅极绝缘膜至一选定厚度。
按与图17～21所示的相同的方法，形成包括第一和第二杂质区域的有源构图，以及包括源电极和漏电极的数据构图，但是，在像素区内不形成与源电极集成的数据线(第二掩膜)。
接着，参考图22和8，在包括有源构图和数据构图的合成基板上形成氮化硅钝化膜130。然后，在钝化膜130上形成用于局部暴露像素区域的源电极120a的第一接触孔H1、用于局部暴露像素区域的漏电极120b的第二接触孔H2、用于暴露栅极驱动区域的接触栅极构图112f的第三接触孔H3，以及用于暴露栅极驱动区域的接触数据构图120h的第四接触孔H4。(第三掩膜)
另外，在钝化膜130的焊点区域内，形成分别用于局部暴露栅极焊点112c和数据焊点120d的第五和第六接触孔H5和H6。
在包括第一接触孔H1到第六接触孔H6的钝化膜130上，沉积预定厚度的用于像素电极的金属膜。用第四掩膜来构图沉积的金属膜，从而形成电极构图。电极构图包括通过第一接触孔H1和像素区域的源电极120a连接的数据线(或第一电极构图)144、通过第二接触孔H2和像素区域的漏电极120b电连接的像素电极(或第二电极构图)140、通过第三和第四接触孔H3和H4电连接栅极驱动区域的暴露的接触栅极构图112f和栅极驱动区域的暴露的数据构图120h的第三电极构图142，以及通过第五和第六接触孔H5和H6将焊点区域的栅极焊点112c和焊点区域的数据焊点120d彼此电连接的第四电极构图143。
这里，从它们电连接栅极构图的一部分和数据构图的一部分的事实来看，可以把栅极驱动区域的第三电极构图142和焊点区域的第四电极构图143当作相同功能组的接触接线端。
和上面的实施例一样，当第四个实施例中公开的薄膜晶体管基板的制造方法用于透射型LCD时，第一电极构图144和第二电极构图140由透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。相反，当上述方法用于反射型LCD时，像素电极由不透明导电材料，如Cr或AlNd合金制成。
具体地说，当用于反射型LCD的TFT基板的反射电极具有特殊的非平坦表面时，具有不平坦表面的光敏有机绝缘膜可用作钝化膜。
因为光敏有机绝缘膜不需要在其上形成光敏掩膜构图这一工艺，所以至少可以省去一道用于形成接触孔和非平坦表面的构图工艺。
根据本实施例，有源构图、源电极和漏电极通过一掩膜工艺形成，且从第一薄膜晶体管的栅极延伸的接触栅极构图和从第二薄膜晶体管的源/漏电极延伸的接触数据构图在构图像素电极时同时形成。因此，用于形成薄膜晶体管的掩膜的数量可以减至4片。
第五实施例
本实施例在构图的布局设计上具有特点，它用于减小栅极驱动区域的接触，以用最小的面积实现电路。
图30是一平面图，局部示出了栅极驱动区域及其相邻部分。
参考图30和6，作为栅极线驱动晶体管的第一和第二晶体管NT1和NT2布置在邻近像素区域的部分上，而外部信号线CKB、CK、VDD、VSS、ST布置在离显示区域最远的位置上。
作为控制晶体管的第三到第九晶体管NT3～NT9布置在栅极线驱动晶体管区域和外部信号线区之间。
电容器(C)布置在第一栅极线驱动晶体管NT1和第二栅极线驱动晶体管NT2之间。电容器包括布置在第一驱动晶体管NT1的栅电极的下部的延伸部分上的下电极、布置在第二驱动晶体管NT2的漏电极的上部的延伸部分上的上电极，以及介于上电极和下电极之间的SiNx栅极绝缘膜。
图31至35示出了用于形成图30所示结构的单元工艺的构图。上述图7和8的截面结构与图30的平面结构部分对应。图36是单元像素区域及其相邻部分的局部细节平面图，图37至41是图30的局部细节平面图。图42是包括栅极驱动区域和焊点区域的周边区域的局部细节图，图43至47是局部细节平面图，显示了周边区域的单元工艺。
参考图31、37、43和7，栅极构图112形成于透明绝缘基板110的像素区域上。栅极构图112具有铝(Al)或如AlNd的含铝合金的单层结构，或者其中的铬(Cr)或钼(Mo)叠置在Al上的双层结构。(第一掩膜)
像素区域的栅极构图112包括沿水平方向彼此平行布置的栅极线112g、置于相邻栅极线112g之间并平行于栅极线112g的下电容器线112h、覆盖有下电容器线112h并形成于单元像素区域内的下电容器构图112I，以及从栅极线112g上分出来的栅电极112a。
如图31所示，栅极焊点112c置于像素区域和栅极驱动区域之间，以连接到栅极线112g的一端上。输出接线端OUT的栅极焊点112c接受来自外部信号处理装置的扫描信号，并将所接受的扫描信号加载到栅极线112g上。
第一驱动晶体管NT1和第二驱动晶体管NT2的栅极112d-1和112d-2具有比第三晶体管NT3到第九晶体管NT9的栅极的宽度大的宽度，如图43的细节图所示。另外，第一驱动晶体管NT1的栅电极112d-1包括朝第二驱动晶体管NT2的栅电极112d-2延伸的下储存构图112e。
图31所示的栅极构图的构图工艺完成后，在合成基板的整个表面上形成氮化硅栅极绝缘膜114。
接着，如图7所示，在栅极绝缘膜114上形成有源构图116a、116b、118a、118b、118c、118d。(第二掩膜)
图32、38和44是平面图，示出了在栅极绝缘膜114的像素区域上形成有源构图116和118的状态。
参考图32和38，形成了第一到第三有源构图。有源构图包括垂直于栅极线112g的第一有源构图118e、被栅电极112a局部覆盖的第二有源构图117，以及设置在第一有源构图118e的选定部分上并被下电容器线112h覆盖的第三有源构图118f。第二有源构图117包括第一杂质区域118a(或漏极区域)、第二杂质区域118b(或源极区域)，以及位于第一杂质区域118a和第二杂质区域118b之间的沟道区域116a。
参考图32和44，连接到栅极驱动区域的输出接线端上的第一栅极线驱动晶体管NT1和第二栅极线驱动晶体管NT2的有源构图118c-1和118c-2的宽度比第三到第九晶体管的有源构图的宽度宽。
在图32所示的有源构图中，符号“SP”所表示的片是缓冲构图(dummypattern)，它用以保护和下栅极构图交叉的源极构图。这些缓冲构图减小了其中形成有源极构图的表面的表面斜度，因此防止了上源极金属线的断路。
如图33所示，在包括有源构图的合成基板上形成源极/漏极金属构图120。(第三掩膜)源极/漏极金属构图120通过在合成基板的整个表面上沉积厚度约为1500的Cr膜并用传统的光刻方法构图该沉积的Cr膜而形成。
参考图33、39和45，在像素区域内布置与数据线112i垂直并覆盖有第一有源构图118e的数据线120i。从数据线120i分出来的源电极120a和与源电极120a隔开一定距离的漏电极120b同数据线120i一起形成于单元像素区域内，使得它们和第二有源构图117的第一和第二杂质区域118a和118b接触。
如图39所示，漏电极120b被如图31所示的下电容器构图112i覆盖，以保证足够的储存电容。
参考图33，源极/漏极焊点120d(或数据焊点)靠近栅极驱动区内的栅极焊点112c形成。源极/漏极焊点120d和栅极焊点112c通过与像素区域的像素电极一起形成的接触构图而彼此电连接，如图30所示。
第一驱动晶体管NT1和第二驱动晶体管NT2的源和漏电极形成交叉指型结构。换言之，偶数源电极120e共同连接至左侧的源极焊点120d上，奇数漏电极120f共同连接至右侧的漏极焊点上，且偶数源电极120e交替地置于奇数漏电极120f之间。
第一驱动晶体管NT1的第一奇数漏电极120f朝其宽度方向延伸，以被用于第一驱动晶体管NT1的下储存电极112e覆盖，从而，第一奇数漏电极120f用作连接在第一驱动晶体管NT1的源电极120e和栅电极112d之间的电容器C的上电极。
用于第一和第二驱动晶体管NT1和NT2的源和漏电极的交叉指型结构增加了驱动晶体管的沟道宽度，使得由非晶硅构成的薄膜晶体管的足够的驱动能力得以确保。
当如图33所示的源极/漏极金属构图120的形成完成后，在合成结构上形成钝化膜130，如图7所示。
钝化膜130是由无机绝缘材料制成。作为无机绝缘材料的例子，可以有氧化硅、氮化硅，或它们的混合物。
接着，如图34所示，用传统的光刻方法在钝化膜上形成接触孔H1～H5。(第四掩膜)
具体地说，第一接触孔H1形成于像素区域上，且第一接触孔H1局部暴露漏电极120b。第二接触孔H2和第三接触孔H3形成于栅极驱动区域上。第二接触孔H2暴露接触栅极构图，第三接触孔H3暴露接触数据构图。除了第二和第三接触孔H2和H3外，第四和第五接触孔H4和h5形成于栅极驱动区域。如同第二和第三接触孔H2和H3，第四和第五接触孔H4和H5归类成用于暴露接触栅极构图的第一组和用于暴露接触数据构图的第二组。为此，可以认为，用于暴露栅极焊点112c的接触孔包括在第二接触孔组中，而用于暴露数据焊点120d的接触孔包括在第三接触孔组中。
如图35所示，彼此相邻排列的接触孔对H2和H3通过和设置在显示区域内的像素电极构图一起同时形成的电极构图144而相互电连接。
换言之，为了彼此电连接包括栅极金属构图和源极构图的信号线，接触孔形成于钝化膜中，接着在包括接触孔的钝化膜上形成由和像素电极构图相同的材料构成的接触构图。
具体地说，在接触孔的形成完成以后，在包括接触孔的钝化膜上沉积用于像素电极的金属膜。然后用传统的光刻方法构图沉积的金属膜。
图35是平面图，示出了形成于包括接触孔的钝化膜上的像素电极构图，图41是图35所示像素电极构图的细节平面图，图47是平面图，示出了形成于栅极驱动区域的电极构图。
如图35所示，像素区域内的像素电极(或第一电极构图)140通过形成于钝化膜130上的第一接触孔H1与漏电极120b接触。
形成于周边区域的栅极驱动区域内的像素电极构图(或第二电极构图)144通过第二和第三接触孔H2和H3将暴露的栅极构图112f和暴露的数据构图120h彼此电连接。
另外，形成于周边区域的焊点区域内的像素电极构图(或第三电极构图)143将暴露的数据焊点120d和暴露的栅极焊点112c彼此电连接。
和上面的实施例相似，当第五个实施例中公开的薄膜晶体管基板的制造方法用于透射型LCD时，第一电极构图144和第二电极构图140由透明导电材料(如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))制成。相反，当上述方法用于反射型LCD时，第一和第二电极构图由不透明导电材料，如铬Cr或AlNd合金制成。
在透射型LCD情形下，当由于透明导电膜用于接触构图，于是使用具有比金属构图低的电导率的透明导电膜时，优选地，通过电极构图彼此连接的接触孔应当布置得尽可能近，以将由于接触电阻引起的对栅极驱动电路的电特性的影响减至最小。
另外，为了防止由于失配而引起的接触电阻或接触故障的增加，优选的是应当确保用于接触构图尺寸的足够的边沿至一能充分覆盖接触孔的程度。
同时，当用于反射型LCD的TFT基板的反射电极具有特殊的不平表面时，具有不平表面的光敏有机绝缘膜可用作钝化膜。
因为光敏有机绝缘膜不需要在其上形成光敏掩膜构图这一工艺，所以至少可以省去一道用于形成接触孔和不规则表面的构图工艺。
根据本发明的第五实施例，从栅极驱动区域的第一薄膜晶体管的栅电极延伸的接触栅极构图，以及从第二薄膜晶体管的源/漏电极延伸的接触数据构图在像素电极构图的时候同时形成。因此，用于形成薄膜晶体管的掩膜的数量可以减至5片。
因此，周边区域内的接触数量减至最少。所以，和面板尺寸相比，栅极驱动电路可以集成在一个最小的面积内。
另外，由于栅极驱动区域内的像素电极的应用范围限于接触部分，所以电路特性不受所用电极类型的影响，可以获得稳定的电路。
第六实施例
图8是根据本发明的非晶硅薄膜晶体管基板的截面图。
将图8与图7比较，注意数据线的结构。换言之，如图8所示，数据线144和像素电极140一起形成于钝化膜130之上，它们和像素电极140隔开一定的距离。
具体地说，如图31和32所示，在形成有栅极构图112、栅极绝缘膜114和有源构图118a-118d的合成基板的像素区域上，未形成数据线，但是形成了一包括与第一杂质区域118a接触的源电极120a和与第二杂质区域118b接触的漏电极120b的数据构图。
通过在包括有源构图的合成基板上沉积约1500厚的如Cr膜的金属膜，然后用传统的光刻方法构图沉积的金属膜，形成了如图32所示的数据构图。(第三掩膜)
如图8所示，在包括数据构图的合成基板上形成厚度约为1.85微米的氮化硅钝化膜130。
接着，用传统的光刻方法在钝化膜130上形成接触孔H1～H4。
具体地说，第一接触孔H1形成于像素区域上，第一接触孔H1局部暴露源电极120a。第二接触孔H2形成于像素区域上，且第二接触孔H2局部暴露漏电极120b。第三接触孔H3形成于栅极驱动区域上，第三接触孔H3暴露接触栅极构图112f。第四接触孔H4形成于栅极驱动区域上，第四接触孔H4暴露接触数据构图120h。
另外，在焊点区域上形成有分别用于部分暴露栅极焊点112c和数据焊点120d的第五和第六接触孔H5和H6。(第四掩膜)
接着，在包括第一到第六接触孔H1～H6的钝化膜130上形成厚度约为1500的透明导电膜。用传统的光刻方法构图沉积的透明导电膜。(第五掩膜)
换言之，形成通过第一接触孔H1与像素区域的源电极120a连接的数据线(或第一电极构图)144、通过第二接触孔H2与像素区域的漏电极120b连接的像素电极构图(或第二电极构图)140、通过第三和第四接触孔H3和H4电连接栅极驱动区域的暴露的栅极构图112f和栅极驱动区域的暴露的数据构图的第三电极构图142，以及通过第五和第六接触孔H5和H6电连接焊点区域的栅极焊点112c和焊点区域的数据焊点120d的第四电极构图143。
这里，从它们将栅极构图的一部分和数据构图的一部分彼此电连接的事实来看，把第三电极构图142和第四电极构图143看作相同类型的接触接线端。
根据本发明的第六实施例，周边区域的接触面积减为最小。因此，和面板尺寸相比，栅极驱动电路可以集成在最小的面积内。
另外，由于栅极驱动区域内的像素电极的应用范围受限于接触部分，从而电路特性不受所用电极类型的影响，所以可以获得稳定的电路。
如上所述，根据本发明，周边区域的接触面积减为最小，从而，和面板大小相比，栅极驱动电路可以集成在最小的面积内。
另外，由于栅极驱动区域内的像素电极的应用范围限于接触部分，从而电路特性不受所用电极类型的影响，可以获得稳定的电路。
另外，有源构图、源电极和漏电极通过一掩膜工艺形成，且从第一薄膜晶体管的栅极延伸的接触栅极构图和从第二薄膜晶体管的源/漏电极延伸的接触数据构图在构图像素电极的时候同时形成。因此，用于形成薄膜晶体管的掩膜的数量可以减至4片。
另外，由于数据线和像素电极同时形成，所以可以防止由于像素区域内数据构图的复杂而导致的数据构图的短路故障或断路故障。
另外，从栅极驱动区域的第一薄膜晶体管的栅电极延伸的接触栅极构图、和从第二薄膜晶体管的源/漏电极延伸的接触数据构图在构图像素电极的时候同时形成。因此，用于形成薄膜晶体管的掩膜的数量可以减至5片。
另外，由于钝化膜是由丙烯树脂基光敏有机物质构成，所以用以形成接触孔的工艺步骤的数量可以减少，从而简化了工艺。
虽然已详细介绍了本发明，但必须理解的是，在不背离所附权利要求所确定的本发明的实质和范畴的前提下，可以对本发明进行各种修改、替代和改变。

Claims (43)

1.一种液晶显示板基板，包括：
栅极构图，包括分别形成于透明绝缘基板的像素区域和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
栅极绝缘膜，形成于栅极构图和透明绝缘基板上；
有源构图，形成于栅极绝缘膜上，所述有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和形成于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区；
数据构图，形成于有源构图和栅极绝缘膜上，所述数据构图包括与第一杂质区接触的漏电极、与第二杂质区接触的源电极和与漏电极连接的数据线；
第一绝缘夹层，形成于数据构图和栅极绝缘膜上，第一绝缘夹层包括用于局部暴露漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域的第一驱动晶体管的栅电极的第二接触孔，和用于暴露周边区域的第二驱动晶体管的源/漏电极的第三接触孔；以及
电极构图部分，形成于第一绝缘夹层上，该电极构图部分包括通过第一接触孔与像素区域的漏电极接触的第一电极构图，以及通过第二和第三接触孔将第一驱动晶体管的局部暴露的栅电极与第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极连接的第二电极构图。
2.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，还包括形成于透明绝缘基板的像素区上的下电容器电极，第一下电容器电极用和栅极线相同的层制成，该下电容器电极与栅极线分开一选定的间隔，并与栅极线平行。
3.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，还包括形成于透明绝缘基板的周边区域的栅极驱动区上的下电容器电极，所述下电容器电极用和栅极线相同的层制成，并从栅极线的一侧部边缘延伸，周边区域包括栅极驱动区和焊点区。
4.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，有源构图包括非晶硅。
5.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，周边区域包括栅极驱动区和焊点区，第一和第二驱动晶体管的源和漏电极具有交叉指型结构。
6.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，第二驱动晶体管的源电极包括朝第一驱动晶体管的漏电极延伸的上电容器电极。
7.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，第一绝缘夹层包括氮化硅。
8.如权利要求1所述的液晶显示板基板，其特征在于，第一绝缘夹层包括光敏有机绝缘材料。
9.如权利要求8所述的液晶显示板基板，其特征在于，第一绝缘夹层包括形成于第一绝缘夹层的表面上的压纹。
10.一种液晶显示板基板，包括：
栅极构图，包括分别形成于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
栅极绝缘膜，形成于栅极构图和透明绝缘基板上；
有源构图，形成于栅极绝缘膜上，该有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和形成于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区；
数据构图，形成于有源构图和栅极绝缘膜上，所述数据构图包括与第一杂质区接触的漏电极、与第二杂质区接触的源电极和与漏电极连接的数据线；
第一绝缘夹层，形成于数据构图和栅极绝缘膜上，第一绝缘夹层包括用于局部暴露源电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区的漏电极的第二接触孔和用于暴露周边区域的第一驱动晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域的第二驱动晶体管的源/漏电极的第四接触孔；以及
电极构图部分，形成于第一绝缘夹层上，该电极构图部分包括通过第一接触孔与像素区域的源电极连接的第一电极构图、通过第二接触孔和像素区域的漏电极连接的第二电极构图，以及通过第三和第四接触孔将第一驱动晶体管的暴露的栅电极与第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极连接的第三电极构图。
11.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，还包括形成于透明绝缘基板的像素区上的下电容器电极，所述下电容器电极用和栅极线相同的层制成，该下电容器电极与栅极线分开一选定的间隔，且与该栅极线平行。
12.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，还包括形成于透明绝缘基板的周边区域的栅极驱动区上的下电容器电极，所述下电容器电极用和栅极线相同的层制成，并从栅极线的一侧部边缘延伸，周边区域包括栅极驱动区和焊点区。
13.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，有源构图包括非晶硅。
14.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，周边区域包括栅极驱动区和焊点区，且第一和第二驱动晶体管的源和漏电极具有交叉指型结构。
15.如权利要求14所述的液晶显示板基板，其特征在于，第二驱动晶体管的源电极包括朝第一驱动晶体管的漏电极延伸的上电容器电极。
16.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，第一绝缘夹层包括氮化硅。
17.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，第一绝缘夹层包括光敏有机绝缘材料。
18.如权利要求17所述的液晶显示板基板，其特征在于，绝缘夹层包括形成于绝缘夹层的表面上的压纹。
19.如权利要求10所述的液晶显示板基板，其特征在于，所有第一、第二和第三电极构图包括相同材料。
20.一种用于制造液晶显示板基板的方法，该方法包括步骤：
形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区域和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
在栅极构图和基板上顺序形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层；
在金属层上形成光致抗蚀剂构图，光致抗蚀剂构图包括与源电极和漏电极之间的沟道区相对应，且比与源电极和漏电极相对的其它部分薄的部分；
将光致抗蚀剂构图用作掩膜来构图暴露的金属层、搀杂非晶硅层和非晶硅层，以除去沟道区域的金属层，并形成包括源电极、与源电极隔开的漏电极，以及与漏电极连接并与栅极线垂直的数据线的数据构图；
除去沟道区域的光致抗蚀剂构图和杂质搀杂非晶硅层；
在基板的合成结构上形成第一绝缘夹层；
局部蚀刻第一绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区的漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域的第一晶体管的栅电极的第二接触孔，以及用于暴露周边区域的第二晶体管的源/漏电极的第三接触孔；
在包括第一、第二和第三接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜；以及
构图导电膜，以形成第一电极构图和第二电极构图，第一电极构图通过第一接触孔与像素区的漏电极连接，第二电极构图通过第二和第三接触孔将第一晶体管的局部暴露的栅电极与第二晶体管的暴露的源/漏电极相连。
21.如权利要求20所述的方法，形成光致抗蚀剂构图的步聚包括子步骤：
在栅极构图和基板上依次形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层；
在金属层上形成光致抗蚀剂膜；
将光致抗蚀剂膜曝光，其中，金属层上的源电极区和漏电极区之间的部分和除源电极区和漏电极区以外的第一部分被曝光至第一深度，该深度是用于全部曝光的深度，第二部分曝光至比第一深度浅的第二深度，该第二部分包括源电极区与漏电极区之间的部分和源电极区及漏电极区；以及
显影和去除光致抗蚀剂膜的曝光过的第一和第二部分。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层通过等离子体强化化学气相沉积方法形成。
23.如权利要求21所述的方法，其特征在于，光致抗蚀剂膜是正型光致抗蚀剂膜，光致抗蚀剂构图用带有透明区域和不透明区域的掩膜来形成，掩膜具有狭缝，该狭缝形成于沟道区与源极区之间和沟道区与漏极区之间的透明区域上。
24.如权利要求21所述的方法，其特征在于，暴露的金属层、杂质搀杂非晶硅层和非搀杂非晶硅层当中的至少一个通过干法蚀刻方法去除，使得在去除在形成数据构图的步聚中暴露的金属层，杂质搀杂非晶硅层和非搀杂非晶硅层时，将第二部分的光致抗蚀剂构图一起除去。
25.如权利要求20所述的方法，其特征在于，绝缘夹层包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
26.如权利要求20所述的方法，其特征在于，第一和第二电极构图都包括氧化铟锡或氧化铟锌。
27.如权利要求20所述的方法，其特征在于，第一和第二电极构图都包括不透明金属膜，且绝缘夹层包括其表面上具有压纹结构的光敏有机绝缘层。
28.一种用于制造液晶显示板基板的方法，该方法包括步骤：
形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
在带有栅极构图的透明绝缘基板上顺序形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层；
在金属层上形成光致抗蚀剂构图，其中，源电极和漏电极之间的沟道区的上表面被削平得比源电极和漏电极中的每一个的上表面低；
将光致抗蚀剂构图用作掩膜来构图金属层、搀杂非晶硅层和非晶硅层，以除去沟道区的金属层，并形成包括源电极和与源电极隔开的漏电极的数据构图；
除去沟道区域的光致抗蚀剂构图和杂质搀杂非晶硅层；
在基板的合成结构上形成第一绝缘夹层；
局部蚀刻第一绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区的漏电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区的源电极的第二接触孔、用于局部暴露周边区域的第一晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域的第二晶体管的源/漏电极的第四接触孔；
在包括第一、第二、第三和第四接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜；以及
构图导电膜，以形成第一电极构图、第二电极构图和第三电极构图，第一电极构图通过第一接触孔与像素区域的源电极连接，第二电极构图通过第二接触孔与像素区域的漏电极连接，第三电极构图通过第三和第四接触孔将第一晶体管的暴露的栅电极与第二晶体管的暴露的源/漏电极连接。
29.如权利要求28所述的方法，形成光致抗蚀剂构图的步聚包括子步骤：
在栅极构图和基板上依次形成栅极绝缘膜、非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层；
在金属层上形成光致抗蚀剂膜；
将光致抗蚀剂膜曝光，其中金属层上的源电极区与漏电极区之间的部分及除源电极区和漏电极区以外的第一部分被曝光至第一深度，该深度是用于全部曝光的深度，第二部分曝光至比第一深度浅的第二深度，该第二部分包括源电极区与漏电极区之间的部分及源电极区和漏电极区；以及
显影和去除光致抗蚀剂膜的曝光过的第一和第二部分。
30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，非搀杂非晶硅层、杂质搀杂非晶硅层和金属层通过等离子体强化化学气相沉积方法形成。
31.如权利要求29所述的方法，其特征在于，光致抗蚀剂膜是正型光致抗蚀剂膜，且光致抗蚀剂构图用带有透明区域和不透明区域的掩膜形成，该掩膜具有狭缝，该狭缝形成于沟道区与源极区之间的透明区域和沟道区与漏极区之间的透明区域的透明部分上。
32.如权利要求29所述的方法，其特征在于，金属层、杂质搀杂非晶硅层和非搀杂非晶硅层当中的至少一个用干法蚀刻方法去除，使得在去除在形成数据构图的步聚中暴露的金属层、杂质搀杂非晶硅层以及非搀杂非晶硅层时，将第二部分的光致抗蚀剂构图一起除去。
33.如权利要求29所述的方法，其特征在于，绝缘夹层包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
34.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所有第一、第二和第三电极构图包括氧化铟锡或氧化铟锌。
35.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所有第一、第二和第三电极构图包括不透明金属，且绝缘夹层是其表面上具有压纹的光敏有机绝缘膜。
36.一种用于制造液晶显示板基板的方法，该方法包括步骤：
形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
在栅极构图和透明绝缘基板上形成栅极绝缘膜；
在栅极绝缘膜上形成有源构图，该有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和位于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区；
形成数据构图，该数据构图包括设置在第一杂质区上并与之接触的漏电极、设置在第二杂质区上并与之接触的源电极，以及与源电极连接且与栅极线垂直的数据线；
在数据构图和栅极绝缘膜上形成绝缘夹层；
局部蚀刻绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区域的漏电极的第一接触孔、用于暴露周边区域的第一驱动晶体管的栅电极的第二接触孔，以及用于暴露周边区域的第二驱动晶体管的源/漏电极的第三接触孔；
在包括第一、第二和第三接触孔的绝缘夹层上形成导电膜；以及
构图导电膜，以形成第一电极构图和第二电极构图，第一电极构图通过第一接触孔与像素区的漏电极连接，第二电极构图通过第二和第三接触孔将第一驱动晶体管的暴露的栅电极与第二驱动晶体管的暴露的源/漏电极连接。
37.如权利要求36所述的方法，其特征在于，栅极构图形成于透明绝缘基板的像素区上，所述栅极构图用与栅极线相同的层形成，且包括第一下电容器电极和第二下电容器电极，该第一下电容器电极与栅极线隔开一预定间隔且与栅极线平行，该第二下电容器电极形成于透明绝缘基板的周边区域上，并从栅极线的一侧延伸。
38.如权利要求36所述的方法，其特征在于，周边区域包括栅极驱动区和焊点区，且栅极驱动区的数据构图包括第一和第二驱动晶体管的源和漏电极，源和漏电极具有交叉指型结构。
39.如权利要求38所述的方法，其特征在于，栅极驱动区域的第一驱动晶体管的漏电极包括朝第二驱动晶体管的源电极延伸的上电容器电极。
40.一种用于制造液晶显示板基板的方法，该方法包括步骤：
形成栅极构图，该构图包括分别位于透明绝缘基板的像素区域和周边区域上的栅极线，以及从栅极线分出来的栅电极；
在栅极构图和基板上形成栅极绝缘膜；
在栅极绝缘膜上形成有源构图，该有源构图包括第一杂质区、第二杂质区和位于第一杂质区与第二杂质区之间的沟道区；
形成数据构图，该数据构图包括设置在第一杂质区上并与之接触的漏电极、设置在第二杂质区上并与之接触的源电极，以及与源电极连接且与栅极线垂直的数据线；
在数据构图和栅极绝缘膜上形成第一绝缘夹层；
局部蚀刻第一绝缘夹层，以形成用于局部暴露像素区的源电极的第一接触孔、用于局部暴露像素区的漏电极的第二接触孔、用于暴露周边区域的第一晶体管的栅电极的第三接触孔，以及用于暴露周边区域的第二晶体管的源/漏电极的第四接触孔；
在包括第一、第二、第三和第四接触孔的第一绝缘夹层上形成导电膜；以及
构图导电膜，以形成第一电极构图、第二电极构图和第三电极构图，第一电极构图通过第一接触孔与像素区的源电极连接，第二电极构图通过第二接触孔与像素区的漏电极连接，第三电极构图通过第三和第四接触孔将第一晶体管的暴露的栅电极与第二晶体管的暴露的源/漏电极连接。
41.如权利要求40所述的方法，其特征在于，栅极构图形成于透明绝缘基板的像素区域上，且由与栅极线相同的层形成，该栅极构图包括第一下电容器电极和第二下电容器电极，该第一下电容器电极与栅极线隔开一预定间隔且与栅极线平行，第二下电容器电极在基板的周边区域上并由与栅极线相同的层形成，且从栅线的一侧延伸。
42.如权利要求40所述的方法，其特征在于，周边区域包括栅极驱动区和焊点区，且栅极驱动区的数据构图包括第一和第二驱动晶体管的源和漏电极，源和漏电极具有交叉指型结构。
43.如权利要求42所述的方法，其特征在于，栅极驱动区域的第一驱动晶体管的漏电极包括朝第二驱动晶体管的源电极延伸的上电容器电极。
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