CN1517751A - 上基底及具有该基底的液晶显示装置 - Google Patents

上基底及具有该基底的液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1517751A
CN1517751A CNA2003101242936A CN200310124293A CN1517751A CN 1517751 A CN1517751 A CN 1517751A CN A2003101242936 A CNA2003101242936 A CN A2003101242936A CN 200310124293 A CN200310124293 A CN 200310124293A CN 1517751 A CN1517751 A CN 1517751A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
crystal indicator
electrode
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2003101242936A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100405138C (zh
Inventor
金奉柱
尹柱善
梁容豪
太胜奎
朴真奭
金炫荣
文智慧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020030001105A external-priority patent/KR100954080B1/ko
Priority claimed from KR1020030001106A external-priority patent/KR100937711B1/ko
Priority claimed from KR1020030006118A external-priority patent/KR100894044B1/ko
Priority claimed from KR1020030072908A external-priority patent/KR101023972B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1517751A publication Critical patent/CN1517751A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100405138C publication Critical patent/CN100405138C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/42—Materials having a particular dielectric constant

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置，包括下基底、上基底和液晶层。下基底包括用于显示图像的显示部分和用于向显示部分提供驱动信号的驱动部分。上基底包括公共电极和使公共电极与驱动部分电绝缘的绝缘件。绝缘件具有小于液晶层的介电常数。驱动部分和公共电极之间的寄生电容被减小，防止了驱动部分出现故障，提高了显示质量。

Description

上基底及具有该基底的液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种上基底和具有该上基底的液晶显示装置(LCD)，并尤其涉及一种为提高显示质量的上基底以及具有该上基底的液晶显示装置。
背景技术
图1是传统液晶显示装置的截面图，而图2是图1所示栅极驱动电路的输出信号图案。在图2中，x轴代表时间，而y轴代表电压。
参见图1，传统液晶显示装置40包括一个下基底10或一个阵列基底10，一个上基底20或一个彩色滤光片基底20，以及夹置在阵列基底10和彩色滤光片基底20之间的液晶层30。在彩色滤光片基底20和阵列基底10之间形成电场，通过该电场改变液晶层30的液晶分子的排列角，使得液晶显示装置40显示外部信号的图像。阵列基底10包括一个显示区DA和一个与显示区DA相邻的周边区PA。显示图像的显示部分设置在显示区DA，驱动显示部分的驱动部分设置在周边区PA。
显示区DA包括多个以矩阵形状排列的像素。每个像素包括一条栅极线、一条数据线、一个电连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管(TFT)11以及一个电连接到薄膜晶体管11的像素电极。
对栅极线施加驱动电压的栅极驱动电路16通过形成薄膜晶体管的工艺形成在周边区PA中。在周边区PA中形成栅极驱动电路16减少了制造液晶显示装置40的步骤数以及液晶显示装置40的体积和大小。
彩色滤光片基底20的公共电极24形成为面对显示区DA的像素电极12，并且液晶层30夹置在公共电极24和像素电极12之间。在公共电极24上形成盒间隙(cell gap)保持元件25，以维持液晶显示装置40的盒间隙。
因为公共电极还面对周边区PA的栅极驱动电路16并且液晶层30夹在它们之间，所以在栅极驱动电路16和公共电极24之间存在一个寄生电容。
在图2中，实线A1是正常曲线，而虚线A2是一条由于栅极驱动电路16和公共电极24之间的寄生电容造成的失真。图2表示失真电压最大点比正常曲线的电压最大点小至少5V。
根据图2，寄生电容造成栅极驱动电路16输出信号的失真和延迟，并且最终降低液晶显示装置40的显示质量。
此外，当对周边区PA施加外力时，公共电极24和栅极驱动电路16会电路短路，造成栅极驱动电路16出现故障。
发明内容
因此，提出本发明以基本上消除由相关技术的局限性和缺点所致的一个或多个问题。
本发明的一个特点在于提供一个上基底。
本发明的另一个特点在于提供一种液晶显示装置。
在上基底的一个方面中，上基底与下基底结合，其中下基底包括一个用于显示图像的显示部分和一个与显示部分相邻、用于向显示部分施加驱动信号的驱动部分，液晶层夹在上基底和下基底之间，上基底包括一个公共电极和绝缘件。绝缘件使公共电极与驱动部分电绝缘。
在液晶显示装置的另一方面中，液晶显示装置包括下基底、上基底和液晶层。下基底包括用于显示图像的显示部分和用于给显示部分提供驱动信号的驱动部分。上基底包括公共电极和使公共电极与驱动部分电绝缘的绝缘件。在下基底和上基底之间夹置液晶层。
在液晶显示装置的再一方面中，液晶显示装置包括下基底、上基底、结合件和液晶层。下基底包括显示图像的显示部分和与显示部分邻近设置的驱动部分。驱动部分给显示部分提供驱动信号。上基底上包含公共电极。结合件设置在显示部分和驱动部分之间。结合件将下基底与上基底组合起来。液晶层夹在下基底和上基底之间。
在液晶显示装置的又一方面中，液晶显示装置包括下基底、上基底和液晶层。下基底包括用于显示图像的显示部分和用于驱动显示部分的驱动部分。驱动部分包括一个将第一导电图案电连接到第二导电图案的导电层，其中第二导电图案设置在与第一导电图案不同的层上。上基底包括公共电极和绝缘件，绝缘件将公共电极与导电层绝缘。液晶层夹在下基底和上基底之间。
根据本发明，在下基底的驱动部分和上基底的公共电极之间夹置介电常数小于液晶层的一个绝缘层或空气。因此，驱动部分和公共电极之间的寄生电容减小，防止了驱动部分发生故障并提高了显示质量。另外，防止了驱动部分和公共电极之间的电路短路，使得液晶显示装置的显示质量得以提高。
而且，驱动部分和公共电极之间寄生电容得以减小，防止了驱动部分栅极驱动电路发生故障。由此也提高了液晶显示装置的显示质量。
此外，保护层保护栅极驱动电路，从而防止栅极驱动电路和公共电极电路短路，也使得液晶显示装置的显示质量得以提高。
附图说明
通过参考后面的附图及其详述，本发明的上述及其它优点将变得更加清晰，其中：
图1是传统液晶显示装置的截面图；
图2是图1所示栅极驱动电路的输出信号波形图；
图3是根据本发明第一示例性实施例的透射型液晶显示装置的截面图；
图4是图3所示阵列基底的平面图；
图5是图3所示彩色滤光片基底的平面图；
图6A、6B、6C和6D是示出制造图3所示彩色滤光片基底的过程的截面图；
图7是根据本发明第二示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图；
图8是示出图7所示显示部分的截面图；
图9是根据本发明第三示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的显示部分的截面图；
图10是根据本发明第四示例性实施例的液晶显示装置的平面图；
图11是图10所示液晶显示装置的截面图；
图12是制造图11所示彩色滤光片的过程的截面图；
图13是根据本发明第五示例性实施例的透射型液晶显示装置的截面图；
图14是图13所示阵列基底的平面图；
图15是根据本发明第六示例性实施例的透射型液晶显示装置的截面图；
图16是根据本发明第七示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图；
图17是根据本发明第八示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图；
图18是图17所示栅极驱动电路的台阶结构(stage structure)的轮廓；
图19是图17所示彩色滤光片基底的平面图。
具体实施方式
实施例1
图3是根据本发明第一实施例的透射型液晶显示装置的截面图，图4是图3所示阵列基底的平面图，而图5是图3所示彩色滤光片基底的平面图。
参见图3和4，根据本发明第一实施例的透射型液晶显示装置400包括一个下基底(或阵列基底)150、一个面对阵列基底150的上基底(或彩色滤光片基底)250以及一个夹在阵列基底150和彩色滤光片基底250之间的液晶层300。
阵列基底150包括用于显示图像的显示区DA和与显示区DA相邻、用来向显示区DA施加驱动信号的周边区PA。用于显示图像的显示部分设置在显示区DA，而驱动显示部分的驱动部分设置在周边区PA。
在显示区中形成多个矩阵形状排列的象素。每个象素包括：一个薄膜晶体管(TFT)110，该薄膜晶体管电连接到在第一方向延伸的数据线DL和在垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极线GL；以及象素电极120，象素电极120包括透明导体物质并电连接到薄膜晶体管110。具体地说，薄膜晶体管110的栅极端电连接到栅极线GL，薄膜晶体管110的源极端电连接到数据线DL，而漏极端电连接到象素电极120。
参见图3，第一有机绝缘层130夹置在薄膜晶体管110和象素电极120之间。在第一有机绝缘层130上形成一个接触孔131，使得薄膜晶体管110的漏极端经接触孔131电连接到象素电极120。象素电极120包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
阵列基底150中形成薄膜晶体管110、数据线DL和栅极线GL的部分对应于无效显示区，阵列基底150中形成象素电极120的部分对应于有效显示区。
在阵列基底150的周边区PA，形成栅极驱动电路160和数据驱动电路161。栅极驱动电路160电连接到栅极线GL以向栅极线GL施加驱动信号。栅极驱动电路160通过形成于显示部分PA中的薄膜晶体管110的制作工艺形成在阵列基底150的驱动部分DA中。
数据驱动电路161电连接到数据线DL以向数据线DL施加图像信号。数据驱动电路161形成为芯片类型，并在阵列基底150完全形成时，该数据驱动电路161附着到阵列基底150上。
彩色滤光片基底250包括一个黑色矩阵210、一个彩色滤光片220、一个调平层(leveling layer)230和一个公共电极240。
覆盖阵列基底150无效显示区的黑色矩阵210防止薄膜晶体管110、数据线DL和栅极线GL在透射型液晶显示装置40的显示屏上反射。黑色矩阵210还形成在周边区PA内，以防止栅极驱动电路160在透射型液晶显示装置400的显示屏上反射。
如图3所示，彩色滤光片220形成在阵列基底150的有效显示区中。彩色滤光片220包括R色元(color element)、G色元和B色元。彩色滤光片220形成一个象素。彩色滤光片220的一部分与黑色矩阵210的一部分重叠。
在彩色滤光片220和黑色矩阵210上设置调平层230以保护彩色滤光片220和黑色矩阵210，并平整彩色滤光片220和黑色矩阵210之间的高度差。在调平层230上沉积由透明导体物质构成的公共电极240以形成均匀的厚度。
在调平层230上形成公共电极240之后，形成一个保护层252和盒间隙保持件251。具体地说，保护层252形成在公共电极240面对栅极驱动电路160的部分上，盒间隙保持件251形成在公共电极240面对显示区DA的黑色矩阵210的部分上。
保护层252覆盖公共电极240面对栅极驱动电路160的部分以保护栅极驱动电路160。另外，该保护层252具有小于液晶层300的介电常数以减小栅极驱动电路160和公共电极240之间的寄生电容。因此，保护层252防止了栅极驱动电路160不正常工作。
夹置在阵列基底150和彩色滤光片基底250之间的盒间隙保持件251维持透射型液晶显示装置400的盒间隙的间距。盒间隙保持件251包括光敏有机绝缘层，如同保护层252。
如图3和5所示，盒间隙保持件251形成在显示区DA的无效显示区部分上以便不影响孔隙比(有效显示区面积/总面积)。盒间隙保持件251具有在数据线DL的方向上延伸的条带形状。
密封件350结合阵列基底150和彩色滤光片基底250，使得公共电极240和象素电极120彼此面对。然后，液晶层300夹置在阵列基底150和彩色滤光片基底250之间。由这些程序完成透射型液晶显示装置400。
透射型液晶显示装置400具有一个保护层252。保护层252防止公共电极240和栅极驱动电路160短路，并且通过形成保护层252来减小寄生电容。
例如，当图1中的传统液晶显示装置40的寄生电容为0.03pF时，其中该传统液晶显示装置具有处于栅极驱动电路16和公共电极24之间的液晶层30，图3所示的本发明的液晶显示装置400的寄生电容为0.34pF，比传统液晶显示装置的寄生电容小66.7％，其中本发明的液晶显示装置具有处于栅极驱动电路160和公共电极240之间的保护层252。电容与介电常数直接成正比。因而，介电常数小于液晶层300的保护层252减小了寄生电容。
在图3中，第一有机绝缘层130夹置在薄膜晶体管110和像素电极120之间。但也可以在薄膜晶体管110和像素电极之间夹置一个无机绝缘层(未示出)。另外，也可以在薄膜晶体管110和像素电极120之间不夹置任何层。
图6A、6B、6C和6D是表示制造图3所示彩色滤光片基底的过程的截面图。
参见图6A，在彩色滤光片基底250上淀积一个氧化铬(CrO2)层或一个有机黑色矩阵层。淀积在彩色滤光片基底250上的氧化铬(CrO2)层或有机黑色矩阵层被构图，使得在显示区DA的无效显示区中和周边区PA中形成一个黑色矩阵210。
在形成有黑色矩阵210的彩色滤光片基底250上，电极并构图具有红色染料的第一光致抗蚀剂(未示出)，从而形成R色元。在彩色滤光片基底250上电极具有绿色染料的第二光致抗蚀剂(未示出)并对其构图，从而形成G色元。然后，在彩色滤光片基底250上电极具有蓝色染料的第三光致抗蚀剂(未示出)并对其构图，从而形成B色元。如上所述地依次形成色元，从而完成彩色滤光片基底250。R、G、B色元中的每一种形成在有效显示区中并与黑色矩阵210重叠。
参见图6B，在黑色矩阵210和彩色滤光片220上电极一个包含光敏丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的调平层230。然后在调平层230上形成公共电极240。
调平层230平整黑色矩阵210和彩色滤光片220之间高度差，使得尽管有黑色矩阵210和彩色滤光片220，但公共电极240具有平坦的表面。
然后，包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的公共电极240形成为在调平层230上具有均匀厚度。
参见图6C和6D，在公共电极240上沉积包括光敏丙烯酸树脂的第二有机绝缘层260，以具有预定厚度。第二有机绝缘层260的厚度决定透射型液晶显示装置400的盒间隙。
在第二有机绝缘层260上，设置一个具有对应于盒间隙保持件251和保护层252的图案的光掩膜265。光掩膜265上具有对应于不存在盒间隙保持件251和保护层252的区域的开口265a。然后对其上设置有光掩膜265的第二有机绝缘层260曝光。
在用显影对第二有机绝缘层260进行处理时，在显示区DA和周边区PA中分别形成盒间隙保持件251和保护层252。
实施例2
图7是根据本发明第二实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图，而图8是图7所示显示部分的截面图。除了像素电极之外，本实施例的液晶显示装置与实施例1相同。因而相同的附图标记表示与实施例1相同的部件并省去对它们的描述。
参见图7和8，根据本发明第二实施例的反射及透射型液晶显示装置500包括一个阵列基底150、一个面对阵列基底150的彩色滤光片基底250和夹置在阵列基底150与彩色滤光片基底250之间的液晶层300。
阵列基底150包括一个显示区DA和一个与显示区DA相邻的周边区PA。
如图8所示，在显示区DA中形成薄膜晶体管110和像素电极。像素电极包括透明电极170和反射电极190。透明电极170电连接到薄膜晶体管110。薄膜晶体管110包括栅极端111、源极端112和漏极端113。薄膜晶体管110的漏极端113电连接到包含氧化铟锡(ITO)的透明电极170，以向透明电极170施加信号。
在薄膜晶体管110和透明电极170上以预定厚度淀积包含光敏丙烯酸树脂的有机绝缘层180。有机绝缘层180覆盖漏极端113和透明电极170的连接部分。有机绝缘层180还具有一个开口窗181，以暴露透明电极170的一些部分。在不形成薄膜晶体管110的区域中形成开口窗181。
有机绝缘层180的表面不平坦地形成，以提高形成在有机绝缘层180上的反射电极190的反射效率。
反射电极190由具有良好反射效率的物质、如铝(Al)、银(Ag)和铬(Cr)形成。反射电极190淀积在有机绝缘层180上以形成均匀的厚度。反射电极190经开口窗181电连接到透明电极170，使得漏极端113的信号通过透明电极170施加到反射电极190。
反射电极190通过开口窗181电连接到透明电极170，以致于不需要用来连接反射电极190和透明电极170的触点。因此提高了反射效率。
反射电极190不仅淀积在上表面上，还淀积在有机绝缘层180的侧面上。因此反射效率得以进一步提高。
形成反射电极190的区域是反射区RA，用于反射从反射及透射型液晶显示装置500的前面入射的第一光线L1。通过开口窗181暴露透明电极170的区域是一个透射区TA，用于透射从反射及透射型液晶显示装置500的背面入射的第二光线L2。
反射及透射型液晶显示装置500具有透射区TA的第一盒间隙D1和反射区RA的第二盒间隙D2。第一盒间隙D1是第二盒间隙D2的两倍，以致于第一光线L1行进与第二光线L2相同的距离。即，反射及透射型液晶显示装置500具有双盒间隙结构，该结构在透射区TA和反射区RA具有不同的盒间隙。
液晶层300包括与彩色滤光片基底250相邻的第一液晶(未示出)和与阵列基底150相邻的第二液晶(未示出)。第一液晶和第二液晶的排列角、或由第一液晶和第二液晶的长轴形成的角度被定义为液晶层300的扭转角(twisted angle)。
随着扭转角增大，反射及透射型液晶显示装置500的透射效率减小。因此，反射及透射型液晶显示装置500具有双盒间隙结构，透射区TA的第一间隙D1是反射区RA第二间隙的两倍宽，以便防止由于偏振所致的光损失。液晶层300具有扭转角为0°的均质排列以提高透射效率。
实施例3
图9是根据本发明第三实施例的反射及透射型液晶显示装置的显示部分截面图。
参见图9，显示区DA的阵列基底150包括薄膜晶体管110、像素电极、无机绝缘层175和有机绝缘层180。像素电极包括透明电极170和反射电极190。
具体地说，在包括栅极端111、源极端112和漏极端113的薄膜晶体管110形成在阵列基底150上之后，淀积无机绝缘层175，以保护薄膜晶体管110。无机绝缘层175包含透明的无机化合物，如氮化硅(SiNx)或氧化铬(Cr2O3)。无机绝缘层175包括一个用于暴露漏极端113的接触孔175a。
然后，在绝缘层175上形成透明电极170，并通过接触孔175a将透明电极170电连接到漏极端113。因此，漏极端的信号施加到透明电极170上。
然后，在其上形成薄膜晶体管110、无机绝缘层175和透明电极170的阵列基底150上淀积有机绝缘层180。在有机绝缘层180上形成一个开口窗181以暴露透明电极180的一部分。开口窗181形成在未形成薄膜晶体管的区域中，以提高反射效率。
然后，在有机绝缘层180上形成反射电极190，以形成均匀的厚度。反射电极190通过开口窗181电连接到透明电极170。因此，漏极端113的信号通过透明电极170施加到反射电极190。
再参见图7，在周边区PA的阵列基底150上形成栅极驱动电路160。栅极驱动电路160电连接到栅极线GL，使得栅极驱动电路160将栅极驱动信号施加到栅极线GL。栅极驱动电路160通过形成在显示部分PA中的薄膜晶体管110的制造工艺形成在阵列基底150的驱动部分DA中。
彩色滤光片基底250包括一个黑色矩阵210、一个具有R、G、B色元的彩色滤光片210、一个调平层230、一个包含透明导体材料的公共电极240、一个保护层252和盒间隙保持件。
具体地说，保护层252和盒间隙保持件251淀积在其上已经形成有公共电极240的彩色滤光片基底250上。保护层252淀积在周边区PA的公共电极240上、面对栅极驱动电路160。盒间隙保持件形成在显示区DA的公共电极240上。
保护层252覆盖面对栅极驱动电路1 60的公共电极240，以隔离公共电极240与栅极驱动电路160。即，保护层252是一个介电常数小于液晶层300的光敏绝缘层。保护层252防止栅极驱动电路160和公共电极240电路短路，并减小栅极驱动电路160和公共电极240之间的寄生电容。
盒间隙保持件251夹置在阵列基底150和彩色滤光片基底250之间以维持盒间隙的距离。盒间隙保持件251和保护层252可以与光敏有机绝缘层一起形成。
实施例4
图10是根据本发明第四实施例的液晶显示装置的平面图，而图11是图10所示液晶显示装置的截面图。
参见图10和11，彩色滤光片基底250包括黑色矩阵210、彩色滤光片220、调平层230和公共电极240。
彩色滤光片220包括分别显示红色、绿色和蓝色的R、G、B像素。黑色矩阵210形成在显示区中，使得黑色矩阵围绕R、G、B像素。黑色矩阵210面对形成在阵列基底上的栅极驱动电路160。
调平层230减小黑色矩阵210和彩色滤光片220之间的高度差。即，调平层230平整彩色滤光片基底250的表面。
公共电极形成在调平层230上。盒间隙保持件251和绝缘件253形成在公共电极上。盒间隙保持件251形成在显示区DA中，使得盒间隙保持件251维持阵列基底150与彩色滤光片基底250之间的盒间隙。绝缘件253形成在周边区PA的第一区B1中，并且绝缘件253夹置在公共电极240和栅极驱动电路160之间。
栅极绝缘件253具有比液晶层300低的介电常数。例如，盒间隙保持件251和绝缘件253可以包括一个有机绝缘层，如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等。
组装件(以下称作密封层(sealant))350组装阵列基底150和彩色滤光片基底250。密封层350形成在周边区PA的第二区B2中。密封层350具有比液晶层300低的介电常数。
然后，液晶材料注入到阵列基底150和彩色滤光片基底250之间以形成液晶层300。液晶层不形成在形成有栅极驱动电路160的第二区B2中。
另外，液晶层300在第一区B1中比在显示区DA中薄，或液晶层300可以不形成在第一区B1中。因此，绝缘件253和密封层350将公共电极240与栅极驱动电路160绝缘，并且绝缘件253和密封层350减小了公共电极240和栅极驱动电路160之间的寄生电容。
电容直接与介电常数成正比。因此，当把介电常数小于液晶层300的绝缘件253和密封层250夹置在公共电极240和栅极驱动电路160之间时，公共电极240和栅极驱动电路160之间的寄生电容减小，从而减少了栅极驱动电路160的故障。
图12是制造图11所示彩色滤光片的过程的截面图。
参见图12，当公共电极240形成在调平层230上时，在公共电极240上形成一个光敏层(未示出)，如丙烯酸树脂和聚酰亚胺等。
然后，将具有对应于盒间隙保持件251和绝缘层253的图案的掩膜266设置在光敏层之上。当光敏层是正感光性时，掩膜266具有除对应于盒间隙保持件251和绝缘层253的区域外的开口266a。相反，当光敏层是负感光性的时，掩膜266具有对应于盒间隙保持件251和绝缘层253的开口。
然后，对光敏层曝光、显影，从而分别在显示区DA和周边区PA中形成盒间隙保持件251和绝缘层253。绝缘层253对应于形成在图10的阵列基底第一区B1上的栅极驱动电路160。由此完成彩色滤光片基底250。
再参见图10和11，通过密封层350把经上述过程形成的彩色滤光片基底250与阵列基底150组装到一起。
在周边区PA中形成密封层350，使得密封层350覆盖周边区PA的第二区B2。
如上所述，绝缘层253和密封层251使公共电极240与栅极驱动电路160绝缘，从而减小公共电极240和栅极驱动电路160之间的寄生电容。
实施例5
图13是根据本发明第五实施例的透射型液晶显示装置的截面图，而图14是图13所示阵列基底的平面图。
参见图13和14，根据本发明第五实施例的透射型液晶显示装置600包括一个阵列基底150、一个彩色滤光片基底250、一个液晶层300和一个密封层350。彩色滤光片基底250面对阵列基底150。液晶层300夹置在阵列基底150和彩色滤光片基底250之间。密封层350结合阵列基底150和彩色滤光片基底250。
阵列基底150包括用于显示图像的显示区DA和与显示区DA相邻设置的周边区PA。
显示区DA包括多个以矩阵形状排列的像素。每个像素包括一个薄膜晶体管110和一个像素电极120。薄膜晶体管110电连接到在第一方向延伸的数据线DL和在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极线GL。像素电极120包含导电的光学透明材料。
具体地说，薄膜晶体管110包括一个电连接到栅极线GL的栅电极、电连接到数据线DL的源电极、以及电连接到像素电极120的漏电极。
周边区PA包括驱动区DRA和密封线区SLA。在驱动区DRA中设置一个用于通过驱动区DRA显示图像的驱动电路160。密封线区SLA围绕显示区DA。
栅极驱动电路160和数据驱动电路170形成在阵列基底150的驱动区DRA中。栅极驱动电路160经由设置在密封线区SLA中的连接线165电连接到设置在显示区DA中的栅极线GL。
由此，栅极驱动电路160给栅极线GL提供栅极驱动信号。栅极驱动电路160通过制造薄膜晶体管110的工艺形成。即，栅极驱动电路160和薄膜晶体管110通过相同的工艺形成。
数据驱动电路170电连接到数据线DL，从而将图像信号(或数据信号)施加到数据线DL。数据驱动电路170形成为一个芯片。因而当形成阵列基底150完成时，将对应于数据驱动电路170的芯片安装在阵列基底150上。
彩色滤光片基底250包括黑色矩阵210、彩色滤光片220、调平层230和公共电极240。在形成黑色矩阵210和彩色滤光片220时，在黑色矩阵210和彩色滤光片220上形成一个调平层230。然后，在调平层230上形成公共电极240。公共电极240包含导电的光学透明材料。
在彩色滤光片基底250和阵列基底150之间夹置盒间隙保持件251。盒间隙保持件251形成在公共电极240上，盒间隙保持件251保持彩色滤光片基底250离开阵列基底150。
密封层350在密封线区SLA将阵列基底150和彩色滤光片基底250相结合。在形成阵列基底150和彩色滤光片基底250中每一个时，密封层350将阵列基底150和彩色滤光片基底250相结合。公共电极240在显示区DA面对像素电极120，并且公共电极240在周边区PA面对栅极驱动电路160。
密封线区SLA的密封层350不覆盖栅极驱动电路160，使得栅极驱动电路160被暴露。另外，液晶层300夹置在栅极驱动电路160和公共电极240之间。
公共电极240和栅极驱动电路160之间的寄生电容直接与夹置在公共电极240和栅极驱动电路160之间的材料的介电常数成正比，并且空气具有远低于液晶层300的介电常数。因而当空气夹在公共电极240和栅极驱动电路160之间时，公共电极240和栅极驱动电路160之间的寄生电容被减小。
可以在公共电极240和栅极驱动电路160之间夹置介电常数低于液晶层300的保护层，从而保护栅极驱动电路160。
实施例6
图15是根据本发明第六实施例的透射型液晶显示装置的截面图。本实施例的液晶显示装置除了彩色滤光片基底外与实施例5相同。因此采用相同的附图标记表示与实施例中相同或相似的部件并省去对它们的描述。
参见图15，根据本发明第六实施例的液晶显示装置700包括一个阵列基底150和一个彩色滤光片基底250。阵列基底150包括显示区DA和周边区PA。在显示区中形成多个像素，使得像素呈矩阵形状排列。周边区PA设置成与显示区DA相邻。周边区PA包括一个驱动区DRA和一个密封线区SLA。密封线区SLA夹置在显示区DA和驱动区DRA之间。栅极驱动电路160形成在驱动区DRA中，而密封层350形成在密封线区SLA中。
彩色滤光片基底250面对显示区DA和密封线区SLA，彩色滤光片基底250不面对驱动区DRA。因而彩色滤光片基底250的公共电极240不面对栅极驱动电路160。
因此，当把阵列基底150和彩色滤光片基底250组装到一起时，阵列基底150的栅极驱动电路160不面对彩色滤光片基底250的公共电极240，使得栅极驱动电路160和公共电极240之间的寄生电容被消除。
实施例7
图16是根据本发明第七示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图。
参见图16，根据本发明第七示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置包括一个阵列基底150和一个彩色滤光片基底250。
阵列基底150包括一个用于显示图像的显示区DA、一个驱动区DRA和一个夹置在显示区DA及驱动区DRA之间的密封线区SLA。
在显示区DA中形成一个薄膜晶体管110、一个有机绝缘层180、一个透明电极170和一个反射电极190。透明电极170和反射电极190电连接到薄膜晶体管110。当薄膜晶体管110形成在第一基底100上时，有机绝缘层180形成在第一基底100上，使得有机绝缘层180覆盖薄膜晶体管110。
有机绝缘层180覆盖透明电极170和薄膜晶体管110的漏电极113之间的连接部分，并且有机绝缘层180包括一个用于暴露透明电极170的一部分的开口窗181。开口窗181不形成在透明电极170和薄膜晶体管110的漏电极113之间的连接部分处。有机绝缘层180包括凹凸(prominenceand depression)185，从而提高形成在有机绝缘层180上的反射电极190的反射率。
然后，在具有凹凸185的有机绝缘层180上形成反射电极190，使得反射电极190电连接到透明电极170。
栅极驱动电路160通过与制造薄膜晶体管110相同的工艺形成在阵列基底150的驱动区DRA中。栅极驱动电路160通过密封线区SLA的连接线165电连接到显示区DA的栅极线。有机绝缘层180覆盖栅极驱动电路160，从而保护栅极驱动电路160。
除去密封线区SLA的有机绝缘层180，从而增强密封层350和阵列基底150的粘合性(或密封层350和阵列基底150之间的结合力)，并同时进行密封线区SLA的有机绝缘层180的去除以及开口窗181的形成。即，不需要另外的过程来去除有机绝缘层180。
将彩色滤光片基底250布置成彩色滤光片基底250面对显示区DA和密封线区SLA。当彩色滤光片基底250和阵列基底150组装到一起时，栅极驱动电路不面对彩色滤光片基底250的公共电极240。因而不会在栅极驱动电路160和公共电极240之间产生寄生电容。
实施例8
图17是根据本发明第八示例性实施例的反射及透射型液晶显示装置的截面图。
参见图17，根据本发明第八实施例的反射及透射型液晶显示装置800包括一个阵列基底150和一个彩色滤光片基底250。
阵列基底150包括一个用于显示图像的显示区DA、一个栅极驱动区GDA和数据驱动区(未示出)。
显示区DA包括多个呈矩阵形状排列的像素。每个像素包括一个薄膜晶体管110、一个透明电极170和一个反射电极190。薄膜晶体管110电连接到在第一方向延伸的数据线和在基本上垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极线。反射电极190包含导电并光学透明的材料，如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。
薄膜晶体管110电连接到透明电极170和设置在透明电极170之上的反射电极190。
在薄膜晶体管110和透明电极170之间夹置一个有机绝缘层130。有机绝缘层130包括一个用于暴露薄膜晶体管110的漏电极的接触孔131。因而透明电极170通过接触孔131电连接到漏电极。
在栅极驱动区GDA中形成一个栅极驱动电路。栅极驱动电路和薄膜晶体管110通过同样的工艺形成。栅极驱动电路电连接到栅极线，从而把栅极驱动信号施加到栅极线。栅极驱动电路形成为一个芯片，芯片经粘贴过程安装在数据驱动区上。当栅极驱动信号施加到栅极线时，数据驱动电路将图像信号施加给数据线。
如图17所示，第一导电图案114形成在栅极驱动区GDA上。第一导电图案114和薄膜晶体管110的栅电极111被同时构图。
在栅极驱动区GDA中形成一个第二导电图案115。第二导电图案115和源电极及漏电极112和113被同时构图。
第一和第二导电图案114和115经栅极绝缘层116彼此绝缘。
在第二导电图案115和栅极绝缘层116上形成有机绝缘层130。有机绝缘层130覆盖显示区DA和栅极驱动区GDA。有机绝缘层130包括在栅极驱动区GDA处的第一和第二接触孔141和143。
第一接触孔141暴露第一导电图案114，第二接触孔143暴露第二导电图案115。
栅极绝缘层116还包括与第一接触孔对应的第三接触孔。第三接触孔暴露第一导电图案114。
导电层140形成在经第一接触孔141和第三接触孔暴露的第一导电图案114上、经第二接触孔143暴露的第二导电图案143上以及有机绝缘层130上。导电层140电连接到第一和第二导电图案114和115，使得第一和第二导电图案114和115通过导电层140彼此电连接。
导电层140可以包含导电并且光学透明的材料，如同透明电极170一样。从而导电层140和透明电极170可以同时形成。
导电层140可以包含金属，如铝和铝合金，如同反射电极190一样。因此，导电层140和反射电极190可以同时形成。
图18是图17所示栅极驱动电路的台阶结构的轮廓。
参见图17和18，栅极驱动电路包括一个具有多个彼此电连接的台阶的移位寄存器。台阶的输出端电连接到显示区DA的栅极线。
每个台阶包括第一至第七NMOS晶体管NT1，NT2，NT3，NT4，NT5，NT6和NT7以及电容器C。第一至第七NMOS晶体管NT1～NT7电连接到电容器C。具体地说，每个台阶包括第一至第七NMOS晶体管NT1～NT7的栅电极、以及从栅电极伸出的第一导电图案114。
另外，每个台阶包括第一到第七NMOS晶体管NT1～NT7的源电极和漏电极115a和115b，以及从源电极和漏电极115a和115b伸出的第二导电图案115。
栅极绝缘层116将第一导电图案114与第二导电图案115电绝缘。然而，导电层140将第一导电图案114电连接到第二导电图案115。
每个台阶包括第一、第二、第三、第四和第五接触区CON1、CON2、CON3、CON4和CON5。第一接触区CON1将第一NMOS晶体管NT1的栅电极电连接到第三NMOS晶体管NT3的源电极。第二接触区CON2将第二NMOS晶体管NT2的栅电极电连接到第七NMOS晶体管NT7的漏电极。第三接触区CON3将第七NMOS晶体管NT7的栅电极电连接到第三NMOS晶体管NT3的源电极。第四接触区CON4将第二NMOS晶体管NT2的栅电极电连接到第六NMOS晶体管NT6的源电极。第五接触区CON5将第六NMOS晶体管NT6的栅电极电连接到第六NMOS晶体管NT6的漏电极。
如上所述，第七NMOS晶体管NT7的栅电极在第三接触区CON3电连接到第三NMOS晶体管NT3的源电极。设置在第七NMOS晶体管NT7的栅电极上和第三NMOS晶体管NT3的源电极上的有机绝缘层130包括一个暴露第七NOS晶体管NT7的栅电极的第一接触孔141和暴露第三NMOS晶体管NT3的源电极的第二接触孔143。导电层140分别经第一和第二接触孔141和143电连接到第七NMOS晶体管NT7的栅电极和第三NOMS晶体管NT3的源电极。从而，第七NMOS晶体管NT7的栅电极和第三NMOS晶体管NT3的源电极彼此电连接。
图19是图17所示彩色滤光片基底的平面图。
参见图17和19，彩色滤光片基底250包括黑色矩阵210、彩色滤光片220、调平层230、公共电极240、盒间隙保持件251和绝缘件270。
当形成黑色矩阵210和彩色滤光片220时，在黑色矩阵210和彩色滤光片220上形成调平层，以便减小黑色矩阵210和彩色滤光片220之间的厚度差。
然后，在调平层230上形成公共电极240，公共电极240包含导电并光学透明的材料，如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。
在公共电极240上形成盒间隙保持件251和绝缘件270。盒间隙保持件251形成在显示区DA中，从而保持彩色滤光片基底250远离阵列基底150。
形成绝缘件270，使得绝缘件270对应于具有导电层140的第一至第五接触区CON1～CON5。即，在彩色滤光片基底250的公共电极240和形成于第一至第五接触区CON1～CON5上的绝缘层140之间夹置绝缘件270，从而绝缘件270将公共电极240与绝缘层140电绝缘。
由此，绝缘件270防止导电层140与公共电极140电路短路。
另外，绝缘件270具有小于液晶层300的介电常数，使得导电层140和公共电极140之间的寄生电容减小。
绝缘件270和盒间隙保持件251包含彼此相同的材料。即，绝缘件270和盒间隙保持件251通过相同的工序形成。
如图17所示，第二接触区CON2的第一宽度W1窄于绝缘件270的第二宽度W2。具体地说，第一宽度W1小于第二宽度W2约0.1μm。
绝缘件270的面积小于第二接触区CON2的面积，使得第一宽度W1小于第二宽度W2。
因此，导电层140可以不面对公共电极240，从而减小了导电层140和公共电极240之间的寄生电容。
如上所述，根据上基底以及具有该上基底的液晶显示装置，在下基底的驱动部分和上基底的公共电极之间夹置一个介电常数小于液晶层的绝缘层或空气。
由此减小了驱动部分和公共电极之间的寄生电容，从而防止了驱动部分出现故障，提高了显示质量。
此外，防止了驱动部分和公共电极之间的电路短路，使得液晶显示装置的显示质量得以提高。
虽然已经描述了本发明的优选实施例，但应该理解，本发明不限于这些优选实施例，本领域的技术人员在由权利要求限定的本发明的实质和范围内可以做各种变化和改型。

Claims (29)

1.一种上基底，该上基底与下基底结合，其中下基底包括一个用于显示图像的显示部分和一个与显示部分相邻、用于向显示部分施加驱动信号的驱动部分，液晶层夹在上基底和下基底之间，上基底包括：
一个公共电极；和
一个绝缘件，该绝缘件将公共电极与驱动部分电绝缘。
2.如权利要求1所述的上基底，其中，绝缘件完全覆盖驱动部分。
3.如权利要求1所述的上基底，其中，绝缘件部分覆盖驱动部分。
4.如权利要求1所述的上基底，其中，绝缘件具有小于液晶层的介电常数。
5.如权利要求1所述的上基底，还包括盒间隙保持件，其形成在形成显示部分的显示区中，以便保持上基底和下基底之间的盒间隙。
6.如权利要求5所述的上基底，其中，绝缘件和盒间隙保持件包含相同的光敏有机绝缘材料。
7.一种液晶显示装置，包括：
一个下基底，该下基底包括用于显示图像的显示部分和用于向显示部分提供驱动信号的驱动部分；
一个上基底，该上基底包括公共电极和使公共电极与驱动部分电绝缘的绝缘件；和
一个液晶层，该液晶层夹置在下基底和上基底之间。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，绝缘件完全覆盖驱动部分。
9.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，绝缘件部分覆盖驱动部分。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，还包括一个结合上基底和下基底的结合件，该结合件覆盖驱动部分的一部分。
11.如权利要求7所述的液晶显示装置，还包括设置在上基底和下基底之间的盒间隙保持件，以便维持上基底和下基底之间的盒间隙。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其中，绝缘件和盒间隙保持件包含介电常数小于液晶层的光敏有机绝缘材料。
13.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，下基底包括：
在第一方向上延伸的栅极线；
在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的数据线；
电连接到栅极线和数据线上的开关器件；和
电连接到开关器件的象素电极。
14.如权利要求13所述的液晶显示装置，其中，驱动部分对应于电连接到栅极线的栅极驱动部分。
15.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，下基底包括：
在第一方向上延伸的栅极线；
在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的数据线；
电连接到栅极线和数据线的开关器件；
电连接到开关器件的像素电极；
第一绝缘层，其包括一个暴露出透明电极的一部分的开口窗，第一绝缘层覆盖开关器件和透明电极与开关器件之间的连接部分；和
设置在第一绝缘层上的反射电极，该反射电极经由开口窗电连接到透明电极。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置，其中，下基底还包括一个夹置在开关器件和透明电极之间的第二绝缘层，第二绝缘层包括一个用于暴露开关器件的一部分的接触孔，开关器件经该接触孔电连接到透明电极。
17.一种液晶显示装置，包括：
一个下基底，其包括用于显示图像的显示部分和与显示部分邻近设置的驱动部分，驱动部分向显示部分提供驱动信号；
一个上基底，其包含公共电极；
一个结合件，该结合件设置在显示部分和驱动部分之间，将下基底与上基底组合起来；和
一个液晶层，该液晶层夹置在下基底和上基底之间。
18.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，公共电极设置在显示部分、驱动部分和结合件所设置的第一区处。
19.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，公共电极设置在显示区和结合件所设置的第二区处。
20.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，下基底包括：
在第一方向上延伸的栅极线；
在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的数据线；
电连接到栅极线和数据线的开关器件；和
电连接到开关器件的象素电极。
21.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，驱动部分对应于电连接到栅极线的栅极驱动部分，从而将驱动信号施加到栅极线。
22.如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，下基底包括：
在第一方向上延伸的栅极线；
在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的数据线；
电连接到栅极线和数据线的开关器件；
电连接到开关器件的透明电极；
绝缘层，该绝缘层包括一个用于暴露透明电极的一部分的开口窗，该绝缘层覆盖开关器件和开关器件与透明电极的连接部分；和
设置在绝缘层上的反射电极，反射电极经由开口窗电连接到透明电极。
23.如权利要求22所述的液晶显示装置，其中，绝缘层完全覆盖驱动部分。
24.一种液晶显示装置，包括：
一个下基底，其包括用于显示图像的显示部分和用于驱动显示部分的驱动部分，驱动部分包括一个将第一导电图案电连接到第二导电图案上的导电层，其中第二导电图案设置在与第一导电图案不同的层上；
一个上基底，包括公共电极和绝缘件，绝缘件将公共电极与导电层绝缘；和
一个液晶层，该液晶层夹置在下基底和上基底之间。
25.如权利要求24所述的液晶显示装置，其中，绝缘件具有小于液晶层的介电常数。
26.如权利要求24所述的液晶显示装置，还包括一个设置在下基底和上基底之间的盒间隙保持件，以保持下基底和上基底之间的盒间隙。
27.如权利要求26所述的液晶显示装置，其中，绝缘件和盒间隙保持件包含光敏丙烯酸树脂。
28.如权利要求24所述的液晶显示装置，其中，下基底还包括一个设置在第二导电图案和导电层之间的光敏有机绝缘层，该光敏有机绝缘层包括一个用于暴露第一导电图案的第一接触孔和一个用于暴露第二导电图案的第二接触孔。
29.如权利要求28所述的液晶显示装置，其中，导电层分别经由第一和第二接触孔电连接到第一和第二导电图案，从而将第一导电图案电连接到第二导电图案。
CNB2003101242936A 2003-01-08 2003-12-29 上基底及具有该基底的液晶显示装置 Expired - Lifetime CN100405138C (zh)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1105/2003 2003-01-08
KR1020030001105A KR100954080B1 (ko) 2003-01-08 2003-01-08 컬러필터기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정표시장치
KR1106/2003 2003-01-08
KR1106/03 2003-01-08
KR1020030001106A KR100937711B1 (ko) 2003-01-08 2003-01-08 액정표시장치
KR1105/03 2003-01-08
KR1020030006118A KR100894044B1 (ko) 2003-01-30 2003-01-30 액정표시장치
KR6118/03 2003-01-30
KR6118/2003 2003-01-30
KR72908/03 2003-10-20
KR1020030072908A KR101023972B1 (ko) 2003-10-20 2003-10-20 상부기판 및 이를 갖는 액정표시장치
KR72908/2003 2003-10-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1517751A true CN1517751A (zh) 2004-08-04
CN100405138C CN100405138C (zh) 2008-07-23

Family

ID=32719363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101242936A Expired - Lifetime CN100405138C (zh) 2003-01-08 2003-12-29 上基底及具有该基底的液晶显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8125601B2 (zh)
JP (2) JP4907844B2 (zh)
CN (1) CN100405138C (zh)
TW (1) TWI386705B (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221328B (zh) * 2007-01-11 2010-05-26 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN102455534A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 三星电子株式会社 显示装置
CN101261413B (zh) * 2007-03-08 2012-06-20 三星电子株式会社 阵列基板及其形成方法和具有阵列基板的显示面板
CN103472606A (zh) * 2013-09-27 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN103676382A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN104460154A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104635386A (zh) * 2015-03-13 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN104698630A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN105739186A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN106778458A (zh) * 2015-12-25 2017-05-31 深圳市汇顶科技股份有限公司 像素电路结构及指纹辨识系统
CN107329300A (zh) * 2017-07-06 2017-11-07 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN107735724A (zh) * 2015-07-01 2018-02-23 三菱电机株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
CN108132566A (zh) * 2017-12-21 2018-06-08 惠科股份有限公司 显示面板
CN109212846A (zh) * 2018-10-29 2019-01-15 惠科股份有限公司 显示装置
CN109240008A (zh) * 2018-10-29 2019-01-18 惠科股份有限公司 显示装置
CN109324429A (zh) * 2018-10-11 2019-02-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的修复方法、显示面板及装置
CN109491161A (zh) * 2018-11-29 2019-03-19 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
WO2020107664A1 (zh) * 2018-11-29 2020-06-04 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7309922B2 (en) * 2003-10-20 2007-12-18 Samsun Electronics Co., Ltd. Lower substrate, display apparatus having the same and method of manufacturing the same
JP4506231B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 東レ株式会社 Ｉｐｓ方式液晶表示装置用カラーフィルター基板およびそれを用いたｉｐｓ方式液晶表示装置
TWI269104B (en) * 2005-03-02 2006-12-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display having a repair line with reduced parasitic capacitance and method for manufacturing same
KR100740041B1 (ko) * 2005-06-30 2007-07-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼 컬럼 스페이서를 구비한 액정 패널 및 그 제조 방법
JP2008275652A (ja) * 2005-08-15 2008-11-13 Sharp Corp 電気光学装置
TWI321675B (en) * 2005-12-27 2010-03-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel
KR20070080050A (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101298693B1 (ko) * 2006-07-19 2013-08-21 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 이의 제조 방법
TWI348583B (en) * 2006-07-19 2011-09-11 Au Optronics Corp Liqud crystal display panel and active device array substrate thereof
KR100970925B1 (ko) * 2006-12-29 2010-07-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
CN101868755B (zh) * 2007-08-09 2012-11-07 夏普株式会社 液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机
JP5130916B2 (ja) * 2008-01-08 2013-01-30 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス用走査線駆動回路
JP5471028B2 (ja) * 2009-05-15 2014-04-16 三菱電機株式会社 液晶表示装置
TWI386745B (zh) * 2009-06-17 2013-02-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
WO2011043247A1 (ja) * 2009-10-08 2011-04-14 シャープ株式会社 液晶表示パネル
BR112012008252A2 (pt) * 2009-10-08 2016-03-08 Sharp Kk dispositivo de exibição de cristal líquido e método para a produção do mesmo.
KR101591476B1 (ko) * 2009-10-19 2016-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5499622B2 (ja) * 2009-10-23 2014-05-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101107165B1 (ko) * 2010-03-23 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 패널
TWI397739B (zh) * 2010-06-11 2013-06-01 Au Optronics Corp 液晶顯示面板
CN102971784B (zh) * 2010-07-02 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法
TWI440938B (zh) * 2011-06-13 2014-06-11 Au Optronics Corp 顯示裝置及其製造方法
KR101846411B1 (ko) * 2011-11-03 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101868357B1 (ko) * 2012-01-02 2018-06-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 렌즈 패널 및 이의 제조 방법
JP6120660B2 (ja) * 2013-04-25 2017-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 投射型液晶表示装置
JP2015138167A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器
KR20150102822A (ko) * 2014-02-28 2015-09-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 위한 액정 렌즈 패널 장치
TW201603249A (zh) * 2014-07-14 2016-01-16 元太科技工業股份有限公司 電路保護結構與具有電路保護結構的顯示裝置
WO2017037560A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN105487285B (zh) * 2016-02-01 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制备方法
KR20200139300A (ko) * 2019-06-03 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111474778B (zh) * 2020-05-13 2023-05-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示母板
US11028741B1 (en) 2020-08-24 2021-06-08 Apq Development, Llc Oil pick-up assembly
US11078958B1 (en) 2020-08-24 2021-08-03 Apq Development, Llc Compression limiter
USD916152S1 (en) 2020-08-24 2021-04-13 Apq Development, Llc Compression limiter
USD921045S1 (en) 2020-08-24 2021-06-01 Apq Development, Llc Oil pick-up assembly
WO2024014233A1 (ja) * 2022-07-12 2024-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4682858A (en) * 1984-08-20 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device having reduced-pressure region in communication with ferroelectric liquid crystal
JPH0682765B2 (ja) * 1985-12-25 1994-10-19 株式会社日立製作所 液晶表示素子
JPH06208139A (ja) * 1993-01-08 1994-07-26 Seiko Epson Corp Ｍｉｍ型非線形素子とその製造方法
JP3413230B2 (ja) 1993-03-02 2003-06-03 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP3184853B2 (ja) * 1993-06-24 2001-07-09 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3180531B2 (ja) 1993-09-20 2001-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TW454101B (en) * 1995-10-04 2001-09-11 Hitachi Ltd In-plane field type liquid crystal display device comprising liquid crystal molecules with more than two different kinds of reorientation directions and its manufacturing method
JPH09171192A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方 法
JP2776357B2 (ja) * 1996-01-31 1998-07-16 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3871736B2 (ja) 1996-06-25 2007-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JP3980117B2 (ja) 1997-04-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10228022A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
US6163055A (en) * 1997-03-24 2000-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4302194B2 (ja) * 1997-04-25 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10325959A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH10329889A (ja) * 1997-06-02 1998-12-15 Teijin Ltd フレキシブルコンテナ
KR100293980B1 (ko) * 1997-12-31 2001-07-12 윤종용 실에의해화소영역과격리된구동회로를갖는액정표시장치
JP4069991B2 (ja) * 1998-08-10 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
GB9825314D0 (en) * 1998-11-20 1999-01-13 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix liquid crystal display devices
JP4004672B2 (ja) * 1998-12-28 2007-11-07 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びその製造方法
JP2000199915A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
JP3904752B2 (ja) * 1999-01-26 2007-04-11 アルプス電気株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP2000310784A (ja) 1999-02-22 2000-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル、カラーフィルター及びそれらの製造方法
TWI245950B (en) * 1999-03-19 2005-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display apparatus
JP3983460B2 (ja) * 1999-07-06 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4666723B2 (ja) 1999-07-06 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4801241B2 (ja) * 1999-07-22 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR20010030164A (ko) 1999-08-31 2001-04-16 고지마 아끼로, 오가와 다이스께 터치 패널 및 그것을 이용한 표시 장치
JP3697173B2 (ja) * 2000-05-25 2005-09-21 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2002148659A (ja) * 2000-11-10 2002-05-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100731032B1 (ko) 2000-12-22 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR100715943B1 (ko) * 2001-01-29 2007-05-08 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7095460B2 (en) * 2001-02-26 2006-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same
JP3793915B2 (ja) 2001-02-28 2006-07-05 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100685946B1 (ko) * 2001-03-02 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US6882398B2 (en) * 2001-04-17 2005-04-19 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating same
KR100803177B1 (ko) * 2001-05-14 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3901004B2 (ja) * 2001-06-13 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4007779B2 (ja) * 2001-08-29 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100831280B1 (ko) * 2001-12-26 2008-05-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2003255381A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Advanced Display Inc 画像表示装置およびその製造方法
JP3763285B2 (ja) * 2002-04-16 2006-04-05 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP4502806B2 (ja) * 2002-07-26 2010-07-14 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 上部基板、これを有する液晶表示装置及びこれの製造方法
JP3674610B2 (ja) * 2002-08-05 2005-07-20 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器
KR100900537B1 (ko) * 2002-08-23 2009-06-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치, 그 검사 방법 및 제조 방법
JP4259084B2 (ja) * 2002-10-16 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 表示体構造、表示体構造の製造方法および電子機器
TWI252954B (en) * 2002-11-11 2006-04-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display device integrating driving circuit on matrix substrate
KR100911470B1 (ko) * 2003-01-30 2009-08-11 삼성전자주식회사 액정표시장치

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221328B (zh) * 2007-01-11 2010-05-26 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN101261413B (zh) * 2007-03-08 2012-06-20 三星电子株式会社 阵列基板及其形成方法和具有阵列基板的显示面板
CN102455534B (zh) * 2010-10-22 2015-10-21 三星显示有限公司 显示装置
CN102455534A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 三星电子株式会社 显示装置
CN103472606A (zh) * 2013-09-27 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN103472606B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN103676382A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
WO2015096438A1 (zh) * 2013-12-26 2015-07-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US10317758B2 (en) 2013-12-26 2019-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
CN104460154A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105739186A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN112558363A (zh) * 2014-12-31 2021-03-26 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN104635386A (zh) * 2015-03-13 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN104698630A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN107735724A (zh) * 2015-07-01 2018-02-23 三菱电机株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
CN107735724B (zh) * 2015-07-01 2020-11-27 三菱电机株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
CN106778458A (zh) * 2015-12-25 2017-05-31 深圳市汇顶科技股份有限公司 像素电路结构及指纹辨识系统
WO2019006905A1 (zh) * 2017-07-06 2019-01-10 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN107329300A (zh) * 2017-07-06 2017-11-07 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN108132566A (zh) * 2017-12-21 2018-06-08 惠科股份有限公司 显示面板
CN109324429A (zh) * 2018-10-11 2019-02-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的修复方法、显示面板及装置
CN109212846A (zh) * 2018-10-29 2019-01-15 惠科股份有限公司 显示装置
CN109240008A (zh) * 2018-10-29 2019-01-18 惠科股份有限公司 显示装置
CN109491161A (zh) * 2018-11-29 2019-03-19 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
WO2020107664A1 (zh) * 2018-11-29 2020-06-04 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
TW200500703A (en) 2005-01-01
US8125601B2 (en) 2012-02-28
JP4907844B2 (ja) 2012-04-04
JP4908612B2 (ja) 2012-04-04
US20100045916A1 (en) 2010-02-25
CN100405138C (zh) 2008-07-23
JP2004213026A (ja) 2004-07-29
TWI386705B (zh) 2013-02-21
US8149365B2 (en) 2012-04-03
JP2010170156A (ja) 2010-08-05
US20040141128A1 (en) 2004-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1517751A (zh) 上基底及具有该基底的液晶显示装置
CN1101555C (zh) 透射型液晶显示器件及其制造方法
CN1177250C (zh) 液晶显示装置
CN1288490C (zh) 液晶显示装置用基板和使用它的液晶显示装置
CN1204447C (zh) 显示装置用基板及其制造方法、以及液晶装置及电子设备
CN1192338C (zh) 电光装置及其制造方法和电子设备
CN1232869C (zh) 电光装置和电子仪器
CN1310073C (zh) 半透型液晶显示装置及其制造方法
CN1231798C (zh) 液晶装置用基板、液晶装置、和电子设备
CN1727975A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1797773A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1797159A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1463371A (zh) 滤色膜层及电光学装置
CN1533561A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1797161A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1892385A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1651982A (zh) 液晶显示装置
CN1652005A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1702533A (zh) 显示装置用基板、其制造方法及显示装置
CN1252528C (zh) 显示器件基板和具有该基板的液晶显示器件
CN1215365C (zh) 液晶显示装置
CN1624498A (zh) 滤色片基板、液晶显示板、液晶显示设备及其制法
CN1763615A (zh) 阵列基板、彩色滤光片基板、液晶显示屏及显示装置
CN1722449A (zh) 半导体器件用基板、其制造方法及其应用
CN1184512C (zh) 电光装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121026

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121026

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220823

Address after: 9-2, Guangdong Province, Shenzhen Guangming Tang Ming Road

Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20080723

CX01 Expiry of patent term