CN102473368B - 有源矩阵基板和有源矩阵型显示装置 - Google Patents

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Abstract

线宽度较宽的干配线(13a)设置在比线宽度较窄的支配线(13b)靠上的层，在干配线(13a)与支配线(13b)电连接的区域内，干配线(13a)和支配线(13b)隔着栅极绝缘膜在俯视时重叠，在上述栅极绝缘膜中形成有接触孔，使得支配线(13b)露出，干配线(13a)与支配线(13b)通过设置在接触孔中的连接导体电连接。因此，可以实现难以发生断线不良、线宽度异常的、能够抑制驱动电路区域的扩大的TFT阵列基板。

Description

有源矩阵基板和有源矩阵型显示装置
技术领域
本发明涉及单片地形成有驱动电路及其配线的有源矩阵基板以及使用该基板的有源矩阵型显示装置。
背景技术
近年来，代替布劳恩管(CRT)而快速普及的、以液晶显示装置、有机EL显示装置为代表的使用了TFT等有源元件的有源矩阵型显示装置发挥节能、薄、轻等特征，在电视机、监视器、便携电话等中广泛地利用。
其中，在便携电话、笔记本电脑等中小型电子设备所具备的液晶显示装置中，为了实现低成本化，开始采用使用了非晶硅的栅极驱动器单片(GDM)技术，其采用范围逐步从中小型向电视机等大型产品扩大。
例如，在专利文献1中，记载了使用非晶硅薄膜来形成显示区域的像素晶体管和栅极驱动电路区域的各种晶体管的液晶显示装置用基板。
在上述液晶显示装置用基板的显示区域内，具有如下构成：上述像素晶体管的漏极电极与像素电极通过形成在钝化膜中的接触孔电连接，成为在钝化膜上设有像素电极的、所谓的Pixel OnPassivation(钝化膜上像素)的构成。此外，上述像素晶体管形成为底栅型。
另外，在上述液晶显示装置用基板的栅极驱动电路区域中也是，如图13所图示，详细内容后述的主配线150与分支配线160电连接，因此，成为与上述像素电极相同的层的电极140形成在钝化膜180上的构成。
还记载有：设于上述栅极驱动电路区域的驱动电路和其配线原样使用上述显示区域的形成所用的5张(4张)掩模工序，与上述显示区域同时形成，因此，可以不追加另外的工序地使上述栅极驱动电路区域在上述基板上集成，因此，可以降低制造成本。
下面，根据图12～图13，说明上述液晶显示装置用基板的栅极驱动电路区域的构成。
图12是示出上述液晶显示装置用基板的栅极驱动电路区域的平面图。
如图所示，在栅极驱动电路区域中的、与未图示的显示区域相邻的部分(图中右端)，形成移位寄存器的驱动晶体管，在离上述显示区域最远的栅极驱动电路区域附近，设有配线区域，在所述配线区域形成有对各自的移位寄存器施加信号的多个主配线150。
另外，在上述配线区域和形成有上述驱动晶体管的区域之间，形成有控制晶体管。
此外，记载有：用于使上述主配线150与各移位寄存器的驱动晶体管和控制晶体管连结的分支配线160，与主配线150形成在不同的层中，在上述专利文献1的构成中，主配线150形成在与栅极配线的图案(栅极图案)相同的层中，分支配线160形成在与数据配线的图案(数据图案)相同的层中。
图13是图12的C-C'截面图，示出主配线150与分支配线160的连接部的情况。
如图所示，在主配线150和分支配线160之间，设有绝缘膜170，而且，以覆盖分支配线160和绝缘膜170的方式形成有钝化膜180。
形成在绝缘膜170和钝化膜180中的孔是第1接触孔190，其使主配线150露出一部分，另一方面，形成在钝化膜180中的孔是第2接触孔200，其使分支配线160露出一部分。
如图12所示，主配线150和分支配线160在上述配线区域内具有交叉部，但是在如图13所示的上述连接部不存在交叉部。
主配线150和分支配线160成为如下构成：通过形成在上述第1接触孔190和第2接触孔200中的与像素电极相同的层的电极140电连接。
另外，记载有：优选为了减少主配线150的电容，缩小与主配线150交叉的分支配线160的线宽度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公表专利公报“特表2005-527856号公报(2005年9月15日公表)”
发明内容
发明要解决的问题
但是，如上述专利文献1的构成，在主配线150形成在与栅极图案相同的层中，分支配线160形成在与数据图案相同的层中的情况下，存在如下问题：因为下面的原因，易于发生由断线不良、线宽度异常导致的显示不良。
如图12所示，一般来说，分支配线160与主配线150相比，线宽度被较细地设置，在未图示的显示区域的像素晶体管是底栅型的情况下，主配线150的形成层成为比分支配线160的形成层靠下层。
在这种情况下，在分支配线160与主配线150交叉的部位，即，在分支配线160跨越主配线150的部位，易于发生下述现象。
作为下层膜的主配线150的锥形部是不平坦的，因此，当进行分支配线160的蚀刻时，因为蚀刻剂的蔓延，易于发生分支配线160的断线。
另外，在分支配线160的光刻工序中，在存在于下层的主配线150由铝等形成的情况下，因为主配线150造成的反射光、台阶部的抗蚀剂膜厚的不均匀性，在分支配线160跨越主配线150的部位的抗蚀剂的图案化精度降低。
即，易于发生分支配线160的线宽度偏差，该线宽度偏差的影响在线宽度被较细地设置的分支配线160中较大，还对显示质量带来影响。
为了解决该问题，可以考虑：将线宽度较宽的主配线150形成在与数据图案相同的层中，将线宽度较细的分支配线160形成在与栅极图案相同的层中。
但是，当使用图13所示上述专利文献1的连接部的构成，即，使用由与形成在2个接触孔190、200中的像素电极相同的层的电极140来连接主配线150和分支配线160的构成时，因为下面的原因，无法缩小主配线150之间的间隔，其结果是：栅极驱动电路区域变宽，在液晶显示装置用基板中增加边框区域。
图14示出将主配线150形成在与数据图案相同的层中，将分支配线160形成在与栅极图案相同的层中的情况下，使用了上述专利文献1的连接部的构成的栅极驱动电路。
当关注于主配线150与分支配线160的连接部时，分支配线160的形成层成为比主配线150的形成层靠下层。
如图所示，在上述连接部形成：第1接触孔190，其形成为使主支配线150的一部分露出；和第2接触孔200，其形成为使分支配线160的一部分露出，用形成在该接触孔190、200中的与像素电极相同的层的电极140连接主配线150和分支配线160。
根据该构成，需要从形成有上述接触孔190、200的钝化膜180上设置与像素电极相同的层的电极140，因此，第2接触孔200配置在主配线150之间的间隔W内。
即，例如，在第2接触孔200设置在主配线150的下部的情况下，在第2接触孔200中形成与像素电极相同的层的电极140是困难的，使用上述专利文献1的连接部的构成来连接主配线150和分支配线160是困难的。
因此，在上述构成中，第2接触孔200配置在主配线150之间的间隔W内，由于该第2接触孔200的存在，缩小主配线150之间的间隔W变得困难。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供难以产生断线不良、线宽度异常的、可以抑制驱动电路区域的扩大的有源矩阵基板。
另外，其目的在于提供显示质量良好的、可靠性高的有源矩阵型显示装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备：绝缘基板；TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接。
根据上述构成，线宽度较宽的上述干配线设置在比线宽度较窄的上述支配线靠上的层。
即，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成。
因此，是如下构成：线宽度较宽的干配线跨越线宽度较窄的支配线所形成的台阶，因此，难以发生断线不良，可以提高成品率。
另外，在上述干配线的光刻工序中，存在于下层的支配线的线宽度较窄，因此，可以抑制反射光、台阶部的抗蚀剂膜厚的不均匀性，可以提高图案化精度。
而且，根据上述构成，因为存在于下层的支配线的影响，通过与上述支配线的光刻工序相比图案化精度较低的上述干配线的光刻工序，形成有线宽度较宽的干配线，因此，即使在线宽度中产生偏差，该偏差造成的影响也不大。
另外，根据上述构成，在上述干配线和上述支配线电连接的区域内，上述干配线与上述支配线隔着绝缘膜在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线露出，上述支配线与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接。
因为是该构成，所以与上述现有的构成(参照图14)相比，可以实现能够缩小干配线之间的间隔、能够抑制设有驱动电路的上述周边区域的增加的有源矩阵基板。
为了解决上述问题，本发明的有源矩阵型显示装置的特征在于，具备上述有源矩阵基板。
根据上述构成，通过具备上述有源矩阵基板，可以实现显示质量良好的、可靠性高的有源矩阵型显示装置。
另外，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备：绝缘基板；TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，在与配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线相比，离上述驱动电路更远的位置，设有第2干配线，上述第2干配线和第2支配线在与上述支配线相同的层中形成，所述第2支配线电连接上述第2干配线和上述驱动电路。
另外，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备：绝缘基板；TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，在与配置在离上述驱动电路最近的位置的干配线相比离上述驱动电路更近的位置，设有第3干配线，电连接上述第3干配线与上述驱动电路的第3支配线在与上述干配线相同的层中形成。
另外，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备：绝缘基板；TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，与上述干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成，上述端子部具备上部电极和下部电极，上述下部电极在与上述支配线相同的层中形成，上述上部电极在与上述干配线相同的层或与上述像素电极相同的层中形成，上述下部电极与上述上部电极电连接。
另外，本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备：绝缘基板；TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，与上述干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成，上述端子部和用于从外部还输入其它的信号的第2端子部用相同材料形成。
发明效果
如上，本发明的有源矩阵基板是如下构成：上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，在上述TFT元件中具备多个电极层，上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接。
因此，起到可以实现难以发生断线不良、线宽度异常的、能够抑制驱动电路区域的扩大的有源矩阵基板的效果。
另外，起到可以实现显示质量良好的、可靠性较高的有源矩阵型显示装置的效果。
附图说明
图1是示出在本发明的一种实施方式的TFT阵列基板中形成有栅极驱动电路用信号配线的区域的部分放大图。
图2的(a)是在图1所示形成有栅极驱动电路用信号配线的区域内干配线与支配线连接的区域的A-A′截面图，(b)是示出其它方式的一个例子的截面图。
图3是示出上述TFT阵列基板所具备的干配线的图案化形状的图。
图4是示出上述TFT阵列基板的概要构成的图。
图5是示出干配线的图案化形状的变形例的图。
图6是示出干配线和支配线的另外其它的变形例的图。
图7是示出由多层结构形成的干配线的另外其它的变形例的图。
图8是示出在本发明的其它的实施方式的TFT阵列基板中，形成有栅极驱动电路用信号配线区域的部分放大图。
图9是示出本发明的另外其它的实施方式的形成有TFT阵列基板所具备的栅极驱动电路用信号配线的区域的部分放大图。
图10是示出在形成有图9所示栅极驱动电路用信号配线的区域内干配线与支配线连接的区域的B-B′截面图。
图11是示出本发明的另外其它的实施方式的形成有TFT阵列基板所具备的另外其它的栅极驱动电路用信号配线区域的部分放大图。
图12是示出现有的液晶显示装置用基板的栅极驱动电路区域的平面图。
图13是图12的C-C'截面图，示出主配线与支配线的连接部的情况。
图14是示出与数据图案形成在相同的层的主配线和与栅极图案形成在相同的层的分支配线使用上述图13所示连接部的构成连接时的栅极驱动电路区域的平面图。
具体实施方式
下面，根据附图详细地说明本发明的实施方式。但是，该实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只不过是一种实施方式，不应根据其来限定解释该发明的范围。
[实施方式1]
下面，根据图1～图7说明作为液晶显示装置所具备的有源矩阵基板的TFT阵列基板1的构成，所述液晶显示装置是本发明的有源矩阵型显示装置的一个例子。
图4是示出TFT阵列基板1的概要构成的图。
如图所示，在TFT阵列基板1中，具备显示区域R1和位于显示区域R1周边的周边区域R2。
在显示区域R1中，矩阵状地设有：像素TFT元件2；和像素电极3，其与像素TFT元件2连接。
如图4所示，像素TFT元件2成为如下构成：在绝缘基板4上，按顺序层叠：栅极总线GL和栅极电极层5；栅极绝缘膜6；非晶硅膜7，其作为半导体膜；源极、漏极电极层8，其形成源极电极8a和漏极电极8b以及数据总线DL；绝缘层10，其形成有接触孔9；以及像素电极3，其形成为通过接触孔9与漏极电极8b连接。
即，在本实施方式中，像素TFT元件2形成为底栅型，但是不限于此，当然也可以是顶栅型等。
另一方面，在周边区域R2内，设有栅极驱动电路11；和后述的第2端子部12，其与外带的源极驱动电路(未图示)连接。
栅极驱动电路11与栅极总线GL连接，上述源极驱动电路通过第2端子部12与数据总线DL连接，根据来自外部的信号来控制像素TFT元件2。
另外，在周边区域R2的、形成有栅极驱动电路11的区域的图中左侧，设有栅极驱动电路用信号配线13，所述栅极驱动电路用信号配线13包括：时钟信号线、电源电压线等干配线；和连接上述干配线和栅极驱动电路11的支配线。
如上，在TFT阵列基板1的周边区域R2内，单片地形成有栅极驱动电路11、第2端子部12以及栅极驱动电路用信号配线13。
图1是示出在TFT阵列基板1中形成有栅极驱动电路用信号配线13的区域的部分放大图。
如图1所示，栅极驱动电路用信号配线13包括：干配线13a；和支配线13b，其连接干配线13a和栅极驱动电路11。
另外，虽未图示，栅极驱动电路11包括多段，其中一段与多根支配线13b连接，所述多根支配线13b分别与多根不同的干配线13a连接。
在图1中，作为其一个例子，示出如下构成：与4根不同的干配线13a分别连接的4根支配线13b与构成栅极驱动电路11的各段分别连接。
在本实施方式中，图4示出的像素TFT元件2是栅极电极层5形成在比源极、漏极电极层8靠下层的底栅型，因此，干配线13a形成在源极、漏极电极层8中，支配线13b形成在栅极电极层5中。
另一方面，例如，在像素TFT元件2形成为顶栅型的情况下，在栅极电极层5中形成干配线13a，在源极、漏极电极层8中形成支配线13b。
即，如上所示，上述支配线13b由像素TFT元件2所具备的多个电极层的、比形成上述干配线13a的电极层靠下层的电极层形成即可。
下面，在所有的实施方式中，以干配线13a形成在源极、漏极电极层8中，支配线13b形成在栅极电极层5中为前提进行说明。
此外，从低负荷化的观点来看，优选支配线13b实现细线化，另外，为了实现高清晰显示画面，存在其根数也会增加的倾向，因此，以比干配线13a的线宽度窄的线宽度来形成。
特别是在使用了将与彩色显示的各原色对应的像素电极的长边配置在栅极总线延伸的方向上，削减源极驱动电路数量的技术的情况等下，支配线13b的数量进一步增加，因此，支配线13b用与干配线13a的线宽度相比更窄的线宽度来形成。
图2的(a)示出图1所示干配线13a与支配线13b连接的区域的A-A′截面，图2的(b)是示出其它的连接方式一个例子的图。
如图1和图2的(a)所示，干配线13a和支配线13b在干配线13a与支配线13b连接的区域内，在俯视时重叠，在干配线13a和支配线13b之间，作为绝缘层而设有栅极绝缘膜6。
图3是示出干配线13a的图案形状的图。
如图2的(a)和图3所示，在栅极绝缘膜6和干配线13a中，形成有接触孔(形成在栅极绝缘膜6中的孔)和贯通孔13h(形成在干配线13a中的孔)，使作为下层的支配线13b在干配线13a与支配线13b连接的区域露出。
此外，在本实施方式中，接触孔和贯通孔13h以不同的形状形成，但是也可以以相同形状形成。
另外，如图2的(a)所示，以覆盖干配线13a的方式形成绝缘层10，在绝缘层10中，形成有第2接触孔13h'，其以与接触孔和贯通孔13h至少重叠一部分的方式形成。
在接触孔和贯通孔13h以及第2接触孔13h'的形成区域内，使用与像素电极3相同的层作为连接导体14，将干配线13a与支配线13b连接。
在本实施方式中，可以不追加另外形成连接导体14的工序来制作TFT阵列基板1，作为连接导体14，使用了像素电极3的形成所用的ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)等透明导电膜，但是如果是可以电连接干配线13a和支配线13b的导电膜，则不限于此。
另外，图2的(b)示出干配线13a与支配线13b连接的区域的、另外的连接方式的一个例子。在上述连接方式中，虽未图示，半导体膜7可以形成为从干配线13a的下层露出(栅极绝缘膜6从干配线13a露出的部分)。
当蚀刻栅极绝缘膜6时，从干配线13a的下层露出的半导体膜7作为阻挡层而工作，为了保护作为其下层的栅极绝缘6，如图2的(b)所示，可以阶梯状地形成栅极绝缘膜6。
因此，根据上述构成，可以通过上述阶梯形状来减少连接导体14(像素电极3)在台阶处断开的情况。
此外，成为上述阻挡层的半导体膜7用形成像素TFT元件2所具备的半导体膜的工序来形成，因此，不伴随工序、工时的增加。
另外，半导体膜7如图2的(b)所示，在蚀刻栅极绝缘膜6后，残存在被干配线13a覆盖的区域内，但是在未被干配线13a覆盖的区域内，有时消失或以薄膜的方式残存(图2的(b)示出消失的情况)。
除了上述方法以外，在栅极绝缘膜6中，形成使支配线13b露出的接触孔13h，并且在接触孔13h中设置与支配线13b连接的连接导体14，而且，通过设置与连接导体14连接的干配线13a，也可以连接干配线13a和支配线13b。
而且，如后面在实施方式3中详述的那样，干配线13a与支配线13b还可以通过干配线13a直接连接。
上述图1示出作为连接导体14使用了与像素电极3相同的层的情况。
在上述情况下，可以通过使用栅极总线GL和栅极电极层5形成用掩模、非晶硅膜7形成用掩模、数据总线DL和源极、漏极电极层8形成用掩模、绝缘层10形成用掩模、像素电极3形成用掩模这5张掩模的5张掩模制造工序，将具备上述像素电极3的像素TFT元件2和栅极驱动电路用信号配线13在TFT阵列基板1上同时形成。
下面，更详细地说明栅极驱动电路用信号配线13的形成方法。
将上述非晶硅膜7形成用光掩模作为可以控制曝光量的中间色调掩模，在上述非晶硅膜7形成用光掩模和数据总线DL以及源极、漏极电极层8形成用光掩模中，设置图案，所述图案与分别在栅极绝缘膜6和干配线13a中形成的接触孔13h对应。
使用上述中间色调掩模，在栅极绝缘膜6的接触孔13h形成部上，不形成抗蚀剂膜，在需要残留栅极绝缘膜6和非晶硅膜7的区域上，较厚地形成上述抗蚀剂膜，在需要仅除去非晶硅膜7而残留栅极绝缘膜6的区域上，较薄地形成上述抗蚀剂膜，将上述抗蚀剂膜作为掩模进行蚀刻，由此通过5张掩模制造工序，可以形成栅极驱动电路用信号配线13。
而且，通过使用上述中间色调掩模，还可以通过上述非晶硅膜7形成用掩模、上述数据总线DL和源极、漏极电极层8形成用掩模被一张化的4张掩模制造工序，形成栅极驱动电路用信号配线13。
在本实施方式中，作为半导体膜，使用非晶硅膜7，但是不限于此，也可以使用非晶锗、非晶硅/锗、非晶硅/碳化钙等。
而且，作为上述半导体膜还可以使用多晶硅、多晶锗、多晶硅/锗、多晶硅/碳化钙等。
此外，在本实施方式中，干配线13a，即，源极、漏极电极层8可以用铝合金或钼或层叠了它们的膜来形成，但是不限于此，也可以用从钽、钨、钛、钼、铝、铜、铬、钕等中选择的元素或以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料，根据需要形成为层叠结构。
另外，支配线13b，即，栅极电极5例如可以由铝合金等形成，但是没有特别限定，也可以用从钽、钨、钛、钼、铝、铜、铬、钕等中选择的元素或以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料形成。另外，可以是在以多晶硅等为代表的半导体膜中掺杂了磷、硼等杂质的材料。
另外，特别是在支配线13b是单层的铝合金膜的情况下，当形成图案时，蚀刻部分易于成为陡峭形状，跨越具有该形状的配线的配线易于断线。
另外，作为栅极绝缘膜6例如可以使用SiNx、SiOx等无机膜，但是不限于此。
此外，绝缘层10可以用例如具有0.2μm～0.8μm程度的厚度的SiNx等无机膜形成，没有特别限定，也可以用SiOx、SiON等无机膜形成。另外，不仅可以使用无机膜，还可以使用具有1μm～4μm程度的厚度的感光性透明丙烯酸树脂等有机膜。而且，可以是无机膜和有机膜的层叠结构。
根据上述构成，如图1和图2所示，是如下构成：线宽度较宽的干配线13a设置在比线宽度较窄的支配线13b靠上的层，线宽度较宽的干配线13a跨越线宽度较窄的支配线13b所形成的台阶，因此，难以发生断线不良，可以提高成品率。
另外，在干配线13a的光刻工序中，存在于下层的支配线13b的线宽度较窄，因此，可以抑制反射光、形成在台阶部的抗蚀剂膜厚的不均匀性，可以提高图案化精度。
而且，因为存在于下层的支配线13b的影响，通过与支配线13b的光刻工序相比图案化精度差的干配线13a的光刻工序，形成线宽度较宽的干配线13a，因此，即使在线宽度中产生偏差，该偏差带来的影响也较小。
下面，举出一个例子更详细地说明，在通过与支配线13b的光刻工序相比图案化精度差的干配线13a的光刻工序而形成的干配线13a的线宽度偏差例如是±1μm的情况下，干配线13a的线宽度(50μm)形成为与支配线13b的线宽度(5μm)相比粗10倍，因此，较小地受到上述偏差的影响。
另外，根据上述构成，在干配线13a与支配线13b连接的区域内，干配线13a和支配线13b隔着栅极绝缘膜6在俯视时重叠，干配线13a和栅极绝缘膜6以支配线13b露出的方式形成，干配线13a和支配线13b由连接导体14连接。
因此，与图14所示的无法使干配线150和支配线160在连接区域内重叠的上面已述的现有构成的干配线150之间的间隔W相比，在上述图1的构成中，可以缩小干配线13a之间的间隔W1。
即，可以缩小干配线13a之间的间隔W1，可以抑制形成栅极驱动电路用信号配线13的周边区域R2的增加。
(变形例1)
图5是示出干配线13a的图案化形状的变形例的图。
虽未图示，但是优选干配线13a等宽度、等间距地形成为平行的直线状。
另外，成为如下构成：干配线13a与支配线13b连接的区域配置在干配线13a的下层。
根据上述构成，可以进一步缩小干配线13a之间的间隔W2，可以进一步抑制形成栅极驱动电路用信号配线13的周边区域R2的增加。
另外，在通过从TFT阵列基板1的里面照射UV而固化的类型的密封材料设置在栅极驱动电路用信号配线13的形成区域上的情况下，上述等宽度、等间距地形成为平行的直线状的多根干配线13a如狭缝那样起作用，因此，对上述密封材料照射的UV照射量成为大致均匀的。
因此，通过使用上述构成，可以使上述密封材料无不均地均匀地固化，因此，可以抑制由于上述密封材料的未固化成分而发生可靠性问题。
(变形例2)
图6是示出干配线13a和支配线13b的另外其它的变形例的图。
如图6所示，优选干配线13a设有多根，与干配线13a中的配置在离栅极驱动电路11最远的位置的干配线13a相比，在离栅极驱动电路11更远的位置，设有第2干配线15，第2干配线15和连接第2干配线15与栅极驱动电路11的第2支配线15a在与支配线13b相同的层中形成，所述支配线13b与栅极总线GL和栅极电极层5是相同的层。
第2干配线15和第2支配线15a从其配置上来看而不与支配线13b交叉，所述支配线13b在与栅极电极层5相同的层中形成，因此，可以在与支配线13b相同的层中形成，所述支配线13b与栅极电极层5是相同的层。
根据上述构成，第2干配线15和连接第2干配线15与栅极驱动电路11的第2支配线15a两者均在与支配线13b相同的层中形成，因此，不需要用于连接第2干配线15和第2支配线15a的另外的接触孔，可以提高成品率。
另外，第2干配线15和第2支配线15a通过相同的层的图案化来形成，因此，可以实现低电阻化。
另外，如图6所示，优选与干配线13a中的配置在离栅极驱动电路11最近的位置的干配线13a相比，在离栅极驱动电路11更近的位置，设有第3干配线16，第3干配线16和连接第3干配线16与栅极驱动电路11的第3支配线16a在与干配线13a相同的层中形成，所述干配线13a与源极、漏极电极层8是相同的层。
根据上述构成，第3干配线16和第3支配线16a从其配置上来看，不与干配线13a交叉，所述干配线13a在与源极、漏极电极层8相同的层中形成，因此，可以在与干配线13a相同的层中形成，所述干配线13a与源极、漏极电极层8是相同的层。
另外，第3干配线16和第3支配线16a两者均在与干配线13a相同的层中形成，因此，不需要用于连接第3干配线16和第3支配线16a的另外的接触孔，可以进一步提高成品率。
另外，第3支配线16a在与源极、漏极电极层8相同的层中形成，因此，当将第3支配线16a与栅极驱动电路11所具备的晶体管的源极电极或漏极电极连接时，无需设置另外的转换部件。
(变形例3)
图7是示出干配线13a的另外其它的变形例的图。
如图7所示，设有多根的干配线13a以由与支配线13b相同的层以及与像素电极3相同的层形成的配线部分地层叠的，即，多层结构来形成，干配线13a与上述配线电连接。
如图7所示，形成在干配线13a的下部的支配线13b的形状与图1相比，被较大地形成。
另外，作为连接导体14，如图2所示，使用了与像素电极3相同的层，干配线13a与支配线13b连接。
在图7中，在形成在干配线13a的下部的支配线13b上，形成2个连接点，在1根干配线13a中设置合计4个连接点，如果可以得到低电阻化效果，则上述连接点的数量没有特别限定。
即，优选设有多根的干配线13a以由与支配线13b相同的层和/或与像素电极3相同的层形成的配线部分地层叠的，即，多层结构来形成，干配线13a与上述配线电连接。
根据上述构成，干配线13a部分地具有多层结构，因此，可以进一步实现低电阻化。
而且，优选第2干配线15以由与干配线13a相同的层和/或与像素电极3相同的层形成的配线层叠的，即，多层结构来形成，所述干配线13a与源极、漏极电极层8是相同的层，第2干配线15与上述配线电连接。
如图7所示，在第2干配线15上形成有层17，所述层17由与干配线13a相同的层构成，并且具备接触孔13h并具有与第2干配线15大致相同的形状。
另外，如图2所示，作为连接导体14，使用与像素电极3相同的层，第2干配线15与上述层17连接。
此外，在图7中，在1根第2干配线15上设置3个该连接点，但是如果可以得到低电阻化的效果，则可以在信号输入端部和终端部分别设置2点，上述连接点的数量没有特别限定。
根据上述构成，第2干配线15具有多层结构，因此，可以进一步实现低电阻化。
[实施方式2]
下面，根据图8说明本发明的第2实施方式。本实施方式在设有分别与干配线13a和第2干配线15以及第3干配线16连接的端子部18方面与实施方式1不同，其它的构成如在实施方式1中所说明的。为了便于说明，对于具有与上述实施方式1的附图所示部件相同的功能的部件，附上相同的附图标记，省略其说明。
优选分别与干配线13a和第2干配线15以及第3干配线16连接、用于输入来自外部的信号的端子部18均用相同材料形成。
图8示出所有的端子部18在与支配线13b相同的层中形成的例子，所述支配线13b与栅极电极层5是相同的层。
如图8所示，第2干配线15在与支配线13b相同的层中形成，所述支配线13b与栅极电极层5是相同的层，与第2干配线15连接的端子部18也在与支配线13b相同的层中形成。
另一方面，多根干配线13a和第3干配线16在与源极、漏极电极层8相同的层中形成，因此，需要如下构成：与端子部18电连接，所述端子部18在与栅极电极层5相同的层中形成。
在本实施方式中，如图2所示，作为连接导体14使用与像素电极3相同的层，使多根干配线13a和第3干配线16与从端子部18延伸的配线连接。
在端子部18与对上述端子部18输入信号的外部电路的连接中，例如，使用3μm～5μm程度的导电性颗粒等，但是当在每一个端子部18中的膜构成不同时，产生如下问题：产生膜厚差，易于发生接触不良。
另外，作为接触检查，例如在进行导电性颗粒的压痕检查的情况下，当在每一个端子部18中的膜厚不同时，存在其判定标准变得复杂的问题。
根据上述构成，端子部18均在与相同材料的栅极电极层5相同的层中形成，因此，不会发生该问题。
在图8中，将所有的端子部18在与栅极电极层5相同的层中形成，当然也可以在与源极、漏极电极层8相同的层中形成。
而且，优选端子部18具备上部电极18a和下部电极18b，下部电极18b在与栅极电极层5相同的层中形成，上部电极18a在与源极、漏极电极层8相同的层或与像素电极3相同的层中形成，上部电极18a与下部电极18b电连接。
在图8中，下部电极18b在与栅极电极层5相同的层中形成，上部电极18a在与像素电极3相同的层中形成，上部电极18a与下部电极18b通过接触孔18h电连接。
根据上述构成，端子部18的上部电极18a在与像素电极3相同的层中形成，下部电极18b在与栅极电极层5相同的层中形成，因此，无需追加用于形成端子部18的另外的工序。
而且，优选端子部18和第2端子部12用相同材料形成，所述第2端子部12例如图4所示，用于从外部输入另外其它的信号。
在本实施方式中，端子部18和第2端子部12的上部电极18a在与像素电极3相同的层中形成，下部电极18b在与栅极电极层5相同的层中形成。
根据上述构成，TFT阵列基板1所具备的端子部12、18全部用相同材料形成，因此，在进行上述接触不良问题、导电性颗粒的压痕检查的情况下，不会发生其判定标准变得复杂的问题。
[第3实施方式]
下面，根据图9和图10说明本发明的第3实施方式。本实施方式在露出的支配线13b与干配线13a直接连接方面与实施方式1不同，其它的构成如在实施方式1中所说明的。为了便于说明，对于具有与上述实施方式1的附图所示部件相同的功能的部件，附上相同的附图标记，省略其说明。
图9是示出TFT阵列基板1所具备的其它的栅极驱动电路用信号配线13。
另外，图10是图9的B-B'截面图，示出干配线13a与支配线13b的连接部的情况。
如图9和图10所示，干配线13a在与源极、漏极电极层8相同的层中形成，与栅极驱动电路11连接的支配线13b在与栅极电极层5相同的层中形成。
另外，在干配线13a和支配线13b之间，设有栅极绝缘膜6，干配线13a和支配线13b俯视时重叠，在连接的区域内，在栅极绝缘膜6中形成有接触孔6h，使支配线13b露出。
如图9和图10所示，通过形成在接触孔6h的干配线13a将露出的支配线13b与干配线13a直接连接。
根据上述构成，干配线13a与支配线13b在所连接的区域内通过干配线13a连接。
即，作为连接导体14，原样使用干配线13a，由此无需追加另外形成连接导体14的工序。
因此，将上面已述的非晶硅膜7形成用光掩模作为可以控制曝光量的中间色调掩模，在非晶硅膜7上设置具有不同的膜厚的抗蚀剂膜，由此可以通过5张掩模制造工序，形成栅极驱动电路用信号配线13。
而且，根据上述构成，在TFT阵列基板1的周边区域的形成栅极驱动电路用信号配线13的区域内，未配置与像素电极3相同的层。
因此，当贴合TFT阵列基板1与相对基板(未图示)时所用的密封材料即使配置在栅极驱动电路用信号配线13所形成的区域内，也可以抑制密封材料内的密封间隔物(例如，直径为几微米的棒状玻璃纤维等)造成的2次接触不良。
另外，即使在将用于从TFT阵列基板1向上述相对基板侧提供信号的导电材料(例如，涂有金、银的珠)混入上述密封材料的情况下，也可以抑制漏电不良。
另外，在支配线13b是作为栅极电极层5而示例的单层铝合金膜的情况下，当形成图案时，蚀刻部分易于成为陡峭的形状，跨越具有该形状的配线的配线易于断线。
因此，如图9所示，用较粗地形成的干配线13a来跨越具有上述形状的支配线13b的构成在提高成品率方面是有效的。
[实施方式4]
下面，根据图11说明本发明的第4实施方式。为了便于说明，对于具有与上述实施方式1～3的附图所示部件相同的功能的部件，附上相同的附图标记，省略其说明。
图11示出TFT阵列基板1所具备的另外其它的栅极驱动电路用信号配线13。
在上述实施方式1～3中，以干配线13a是等宽度的为前提进行了说明，但是在本实施方式中，如图11所示，较粗地形成一部分配线13a'。
如图所示，越是离栅极驱动电路11近的干配线13a、13a'，与支配线13b的交叉部的数量越多，负荷越大，因此，优选越是形成在栅极驱动电路11的附近的干配线13a、13a'，其线宽度设置得越窄。
配置在离栅极驱动电路11最远的位置的干配线13a'从其配置上来看，不与支配线13b交叉。即，即使较粗地形成干配线13a'，在干配线13a'与支配线13b的交叉部所产生的电容也不会增加。因此，优选将希望进一步实现低电阻化的配线配置在离栅极驱动电路11最远的位置。例如，栅极截止电位与在各像素中保持液晶施加电压的期间的、TFT的漏电电流有关联，关系到对比度降低、显示不均等显示质量，因此，优选使提供该电位的配线进一步实现低电阻化，使信号实现稳定化。即，优选将提供栅极截止电位的干配线配置在离栅极驱动电路11最远的位置。
此外，优选在本实施方式中，在还设置图8所示的、第2干配线15、第2支配线15a、第3干配线16以及第3干配线16a的情况下，在支配线13b和/或第2支配线15a(在图11中未图示)与干配线13a和/或第3干配线16(在图11中未图示)的交叉部，上述各配线13a、13b、15a、16以其线宽度变窄的方式设置，使得俯视时重叠的面积变小。
在本实施方式中，如图11所示，在干配线13a与支配线13b的交叉部，干配线13a的线宽度被较窄地形成。
根据上述构成，干配线13a中间变细，使得干配线13a与支配线13b在交叉部在俯视时重叠的面积变小，因此，可以抑制在交叉部可能产生的电容。
另外，如图11所示，可以在栅极驱动电路11和5根干配线13a'、13a、13a、13a、13a之间形成其它的配线19。
即，可以不在栅极驱动电路11的紧邻处配置干配线13a'、13a、13a、13a、13a。
其它的配线19可以是显示区域配线的断线修复用配线、检查信号线、相对(共用)电极用配线、辅助电容配线等。
另外，在上述实施方式1中，如图3所示，为了露出支配线13b，在干配线13a中形成有长方形的接触孔13h，但是在本实施方式中，如图11所示，在干配线13a中形成有异形的接触孔20。
如上，为了露出支配线13b，就设置在干配线13a、栅极绝缘膜6中的接触孔而言，其形状没有特别限定。
作为本发明的有源矩阵型显示装置的一个例子的液晶显示装置是具备上述TFT阵列基板1的构成。
因此，可以实现显示质量良好的、可靠性高的液晶显示装置。
虽然省略图示，但是上述液晶显示装置例如具备TFT阵列基板1和与其相对的彩色滤光片基板，具有在该基板之间用密封材料封入了液晶层的构成。
在上面的说明中，作为有源矩阵型显示装置的一个例子，使用液晶显示装置进行了说明，但是不限于此，当然也可以在有机EL显示装置等其它的有源矩阵型显示装置中使用TFT阵列基板1。
另外，除了显示装置以外，上述TFT阵列基板1还可以在X线传感器等读取装置中使用。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述像素电极形成在比上述干配线和上述支配线靠上的层，在上述干配线中形成有贯通孔，所述贯通孔的至少一部分与上述接触孔重叠，上述支配线与上述干配线通过设置在上述接触孔和上述贯通孔中的连接导体电连接，上述连接导体由与上述像素电极相同的层的材料形成。
根据上述构成，在上述干配线与上述支配线连接的区域内，上述支配线和上述干配线通过与上述像素电极相同的层连接。
因此，可以不追加另外的工序地连接上述支配线与上述干配线。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述连接导体是干配线。
根据上述构成，在上述干配线与上述支配线电连接的区域内，上述支配线和上述干配线通过上述干配线连接。
在上述支配线与上述干配线的连接中，原样使用上述干配线，由此可以不追加另外的工序地连接上述支配线与上述干配线。
因此，不会发生由在光刻工序中的像素电极材料的形成不良、在接触孔的锥形部的像素电极材料的断线所造成的上述干配线与上述支配线的连接不良。
而且，根据上述构成，在上述有源矩阵基板中，在作为上述支配线与上述干配线连接的区域的周边区域内，未配置像素电极材料。
因此，在上述周边区域内，即使配置当贴合上述有源矩阵基板与相对基板时所用的密封材料，也可以抑制密封材料内的密封间隔物造成的2次接触不良。
另外，即使在将用于从上述有源矩阵基板向相对基板侧提供信号的导电材料混入上述密封材料的情况下，也可以抑制漏电不良。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述干配线设有多根，离上述驱动电路最远的位置的干配线的线宽度比其它的干配线的线宽度宽。
配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线从其配置上来看，不与上述支配线交叉。因此，即使较粗地形成上述干配线，在上述干配线与上述支配线的交叉部所产生的电容也不会增加。
根据上述构成，可以将配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线的线宽度较粗地形成，可以实现低电阻化。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述干配线的线宽度越在上述驱动电路的附近形成，越窄地设置。
越是离上述驱动电路近的干配线，与上述支配线的交叉部的数量越多，负荷越大，因此，较窄地设置其线宽度，可以抑制在交叉部所产生的电容。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述干配线设有多根，被等宽度、等间距地设置为平行的直线状。
根据上述构成，例如，在通过从上述有源矩阵基板的里面照射UV而固化的类型的密封材料配置在干配线部上的情况下，上述等宽度、等间距地形成为平行的直线状的多根干配线如狭缝那样起作用，因此，对上述密封材料照射的UV照射量成为均匀的。
因此，通过使用上述构成，可以使上述密封材料无不均地均匀地固化。
优选在本发明的有源矩阵基板中，由与上述支配线相同的层和/或与上述像素电极相同的层形成的配线部分地层叠于上述干配线，上述干配线与该配线电连接。
根据上述构成，上述干配线部分地具有层叠结构，因此，可以使上述干配线进一步实现低电阻化。
因此，可以缩小配线区域，可以使显示装置实现小型化。
优选在本发明的有源矩阵基板中，在与配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线相比，离上述驱动电路更远的位置，设有第2干配线，上述第2干配线和第2支配线在与上述支配线相同的层中形成，所述第2支配线电连接上述第2干配线和上述驱动电路。
上述第2干配线从其配置上来看，不与上述支配线交叉，因此，可以在与上述支配线相同的层中形成。
根据上述构成，上述第2干配线和连接上述第2干配线与上述驱动电路的第2支配线两者均在与上述支配线相同的层中形成，因此，无需用于连接上述第2干配线与上述第2支配线的接触孔，可以进一步提高成品率。
另外，上述第2干配线和连接上述第2干配线与上述驱动电路的第2支配线通过与上述支配线相同的层的图案化来形成，因此，可以实现低电阻化。
优选在本发明的有源矩阵基板中，由与上述干配线相同的层和/或与上述像素电极相同的层形成的配线层叠于上述第2干配线，上述第2干配线与该配线电连接。
根据上述构成，上述第2干配线具有层叠结构，因此，可以进一步实现低电阻化。
因此，可以缩小配线区域，可以使显示装置实现小型化。
优选在本发明的有源矩阵基板中，在上述支配线和/或上述第2支配线与上述干配线的交叉部，为了使俯视时重叠的面积变小，上述各配线以其线宽度变窄的方式设置。
根据上述构成，可以抑制在上述交叉部可能产生的电容。
优选在本发明的有源矩阵基板中，在与配置在离上述驱动电路最近的位置的干配线相比离上述驱动电路更近的位置，设有第3干配线，电连接上述第3干配线与上述驱动电路的第3支配线在与上述干配线相同的层中形成。
根据上述构成，从配置上来看，上述第3干配线不与上述干配线交叉，因此，可以在与上述干配线相同的层中形成上述第3支配线。
另外，上述第3干配线与上述第3支配线两者均在与上述干配线相同的层中形成，因此，无需用于连接该配线彼此的另外的接触孔，可以进一步提高成品率。
另外，例如，在上述驱动电路所具备的晶体管是底栅型的情况下，上述第3支配线可以不设置另外的转换部件地与上述晶体管的源极电极或漏极电极连接。
优选在本发明的有源矩阵基板中，与上述干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成。
优选在本发明的有源矩阵基板中，与上述干配线、上述第2干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述端子部与第3干配线电连接，所述第3干配线设置在与配置在离上述驱动电路最近的位置的干配线相比离上述驱动电路更近的位置，上述端子部均用相同材料形成。
在上述端子部与对上述端子部输入信号的外部电路的连接中，例如使用导电性颗粒等，但是当在上述每一个端子部中的膜构成不同时，存在如下问题：易于产生膜厚差、发生接触不良。
另外，作为接触检查，例如，在进行导电性颗粒的压痕检查的情况下，存在如下问题：当在每一个端子中的膜厚不同时，其判定标准变得复杂。
根据上述构成，上述端子部均用相同材料形成，因此，不会发生该问题。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述端子部具备上部电极和下部电极，上述下部电极在与上述支配线相同的层中形成，上述上部电极在与上述干配线相同的层或与上述像素电极相同的层中形成，上述下部电极与上述上部电极电连接。
根据上述构成，上述端子部的上部电极在与上述干配线相同的层或与上述像素电极相同的层中形成，上述端子部的下部电极在与上述支配线相同的层中形成，因此，无需追加用于形成上述端子部的另外的工序。
优选在本发明的有源矩阵基板中，上述端子部和用于从外部还输入其它的信号的第2端子部用相同材料形成。
根据上述构成，上述有源矩阵基板所具备的端子部全部用相同材料形成，因此，在进行上述接触不良的问题、导电性颗粒的压痕检查的情况下，不会产生其判定标准变得复杂的问题。
本发明不限于上述各实施方式，在权利要求示出的范围内可以进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合所得到的实施方式也包括在本发明的技术范围内。
工业上的可利用性
本发明可以在以液晶显示装置、有机EL显示装置为代表的有源矩阵型显示装置中使用。
另外，除了显示装置以外，还可以在X线传感器等读取装置中使用。
附图标记说明
1  TFT阵列基板(有源矩阵基板)
2  像素TFT元件(TFT元件)
3  像素电极
4  绝缘基板
5  栅极电极层(多个电极层)
6  栅极绝缘膜(绝缘层)
8  源极、漏极电极层(多个电极层)
11              栅极驱动电路(驱动电路)
12              第2端子部
13a、13a'       干配线
13b             支配线
13h             接触孔、贯通孔
13h'            第2接触孔
14              连接导体
15              第2干配线
15a             第2支配线
16              第3干配线
16a             第3支配线
17              配线
18              端子部
R1              显示区域
R2              周边区域

Claims (18)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：
绝缘基板；
TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；
显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及
周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，
上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，
在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，
还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，
在上述TFT元件中具备多个电极层，
上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，
上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，
在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，
上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，
上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且
在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，
上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，
在与配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线相比，离上述驱动电路更远的位置，设有第2干配线，
上述第2干配线和第2支配线在与上述支配线相同的层中形成，所述第2支配线电连接上述第2干配线和上述驱动电路。
2.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：
绝缘基板；
TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；
显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及
周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，
上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，
在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，
还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，
在上述TFT元件中具备多个电极层，
上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，
上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，
在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，
上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，
上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且
在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，
上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，
在与配置在离上述驱动电路最近的位置的干配线相比离上述驱动电路更近的位置，设有第3干配线，
电连接上述第3干配线与上述驱动电路的第3支配线在与上述干配线相同的层中形成。
3.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：
绝缘基板；
TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；
显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及
周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，
上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，
在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，
还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，
在上述TFT元件中具备多个电极层，
上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，
上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，
在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，
上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，
上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且
在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，
上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，
与上述干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成，
上述端子部具备上部电极和下部电极，
上述下部电极在与上述支配线相同的层中形成，
上述上部电极在与上述干配线相同的层或与上述像素电极相同的层中形成，
上述下部电极与上述上部电极电连接。
4.一种有源矩阵基板，其特征在于，
具备：
绝缘基板；
TFT元件，其形成在上述绝缘基板上；
显示区域，其矩阵状地设置有与上述TFT元件电连接的像素电极；以及
周边区域，其设置有用于驱动上述TFT元件的驱动电路，
上述显示区域的周边的区域是上述周边区域，
在上述周边区域具备与上述驱动电路电连接的多根支配线，
还具备与上述支配线中的一根电连接的干配线，
在上述TFT元件中具备多个电极层，
上述支配线和上述干配线在与上述电极层相同的层的电极层中形成，
上述支配线由上述TFT元件所具备的多个电极层中的比形成上述干配线的上述电极层靠下层的电极层形成，
在上述干配线和上述支配线之间设有绝缘层，
上述干配线与上述支配线中的另外一根交叉，
上述交叉部的上述干配线的线宽度设置得比上述支配线的线宽度宽，并且
在上述干配线与上述支配线中的一根电连接的区域内，上述干配线与上述支配线在俯视时重叠，在上述绝缘层中形成有接触孔，使得上述支配线中的一根露出，
上述支配线中的一根与上述干配线通过设置在上述接触孔中的连接导体电连接，
与上述干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成，
上述端子部和用于从外部还输入其它的信号的第2端子部用相同材料形成。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述像素电极形成在比上述干配线和上述支配线靠上的层，
在上述干配线中形成有贯通孔，所述贯通孔的至少一部分与上述接触孔重叠，
上述支配线与上述干配线通过设置在上述接触孔和上述贯通孔中的连接导体电连接，
上述连接导体由与上述像素电极相同的层的材料形成。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述连接导体是干配线。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述干配线设有多根，离上述驱动电路最远的位置的干配线的线宽度比其它的干配线的线宽度宽。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述干配线的线宽度，越是在上述驱动电路的附近形成的，设置得越窄。
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述干配线设有多根，被等宽度、等间距地设置为平行的直线状。
10.根据权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
由与上述支配线相同的层和/或与上述像素电极相同的层形成的配线部分地层叠于上述干配线，
上述干配线与该配线电连接。
11.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在与配置在离上述驱动电路最远的位置的干配线相比，离上述驱动电路更远的位置，设有第2干配线，
上述第2干配线和第2支配线在与上述支配线相同的层中形成，所述第2支配线电连接上述第2干配线和上述驱动电路。
12.根据权利要求1或11所述的有源矩阵基板，其特征在于，
由与上述干配线相同的层和/或与上述像素电极相同的层形成的配线层叠于上述第2干配线，
上述第2干配线与该配线电连接。
13.根据权利要求1或11所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在上述支配线和/或上述第2支配线与上述干配线的交叉部，
为了使俯视时重叠的面积变小，上述各配线以其线宽度变窄的方式设置。
14.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
与上述干配线、上述第2干配线电连接的用于输入来自外部的信号的端子部均用相同材料形成。
15.根据权利要求14所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述端子部与第3干配线电连接，所述第3干配线在与配置在离上述驱动电路最近的位置的干配线相比，设置在离上述驱动电路更近的位置，
上述端子部均用相同材料形成。
16.根据权利要求4、14、15中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述端子部具备上部电极和下部电极，
上述下部电极在与上述支配线相同的层中形成，
上述上部电极在与上述干配线相同的层或与上述像素电极相同的层中形成，
上述下部电极与上述上部电极电连接。
17.根据权利要求14或15所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述端子部和用于从外部还输入其它的信号的第2端子部用相同材料形成。
18.一种有源矩阵型显示装置，其特征在于，
具备权利要求1至17中的任一项所述的有源矩阵基板。
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