CN114682420A - 喷嘴待机埠、用于处理衬底的装置和用于清洗喷嘴的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于处理衬底的装置。在示例性实施例中，用于处理衬底的装置包括配置成具有上部敞开的处理空间的杯状体、配置成在处理空间中支撑衬底的支撑单元、配置成具有用于向由支撑单元支撑的衬底供应处理液的处理液供应喷嘴的液体供应单元、和位于处理空间的外部且具有供喷嘴在对处理空间中的衬底进行处理前后待机的待机空间且具有用于清洗位于待机空间中的喷嘴的清洗件的喷嘴待机埠，其中喷嘴待机埠包括设置成使得喷嘴的喷嘴尖端可插入的插入孔、和配置成向插入到插入孔中的喷嘴尖端喷洒清洗液的喷洒件，其中清洗液的撞击点与喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。

Description

喷嘴待机埠、用于处理衬底的装置和用于清洗喷嘴的方法
技术领域
本公开涉及供用于对衬底进行液体处理的喷嘴待机的喷嘴待机埠、包括该喷嘴待机埠的用于处理衬底的装置以及用于在该喷嘴待机埠中对喷嘴进行清洗的方法。
背景技术
为了制造半导体器件，执行多种工艺，例如清洗、沉积、光刻、蚀刻和离子注入。在这些工艺当中，光刻工艺依次进行涂覆、曝光、显影工序。涂覆工序是在衬底表面上涂覆抗蚀剂等感光液的工序。曝光工序是对形成有感光膜的衬底上的电路图案进行曝光的工序。显影工序是选择性地对衬底的曝光区域进行显影的工序。
一般来说，涂覆工序是通过将感光液涂覆在衬底上来形成液膜的工序。液膜的厚度在涂覆工序后执行的曝光工序和显影工序中起着重要的作用。
在涂覆感光液的工序之前和之后，喷嘴在喷嘴待机埠中待机。可以当喷嘴在喷嘴待机埠中待机时，执行清洗喷嘴的工艺。在一个示例中，向喷嘴尖端供应稀释剂以清洗喷嘴。然而，在相关技术中，存在通过仅在一个方向上供应稀释剂以清洗喷嘴是无法很好地清洗喷嘴尖端的问题。
另外，存在难以在喷嘴待机埠中单独加工用于清洗喷嘴尖端的清洗液的供应管线的问题。
发明内容
本公开的一目的是提供喷嘴待机埠、包括该喷嘴待机埠的用于处理衬底的装置、以及用于使用该喷嘴待机埠来对喷嘴进行清洗的方法，该喷嘴待机埠旨在增强对用于在衬底上涂覆感光液的处理液供应喷嘴的清洗。
本公开的另一目的是提供喷嘴待机埠、包括该喷嘴待机埠的用于处理衬底的装置、以及用于使用该喷嘴待机埠来对喷嘴进行清洗的方法，该喷嘴待机埠旨在使得容易地在喷嘴待机埠中加工用于将清洗液供应到喷嘴尖端的喷洒件。
本公开的又一目的是提供喷嘴待机埠、包括该喷嘴待机埠的用于处理衬底的装置、以及用于使用该喷嘴待机埠来对喷嘴进行清洗的方法，该喷嘴待机埠旨在使喷嘴待机埠中的飞溅最小化。
本公开的目的不限于上述目的，且通过以下说明，以上未提及的其他目的对于本领域技术人员来说将显而易见。
本公开的示例性实施例提供一种用于处理衬底的装置。在示例性实施例中，用于处理衬底的装置包括：杯状体，其配置成具有上部敞开的处理空间；支撑单元，其配置成在处理空间中支撑衬底；液体供应单元，其配置成具有用于向由支撑单元支撑的衬底供应处理液的处理液供应喷嘴；以及喷嘴待机埠，其位于处理空间的外部，提供供喷嘴在对处理空间中的衬底进行处理前后待机的待机空间，并且具有用于清洗位于待机空间中的喷嘴的清洗件，其中喷嘴待机埠包括：插入孔，其设置成使得处理液供应喷嘴的喷嘴尖端可插入；以及喷洒件，其配置成向插入到插入孔中的喷嘴尖端喷洒清洗液，其中清洗液的撞击点可以与喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
在示例性实施例中，喷洒件可包括：容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的清洗液；以及喷射孔，其形成在容器中，以在预定液位的清洗液被供应到容器中时喷射清洗液。
在示例性实施例中，容器可以设置成围绕插入孔的环状。
在示例性实施例中，可以设置多个喷射孔以围绕被插入到插入孔中的喷嘴尖端。
在示例性实施例中，喷嘴待机埠还可以包括：液罐，其配置成容纳被喷射到喷嘴尖端的清洗液；以及分散件，其设置在液罐中且位于插入孔下方。
在示例性实施例中，喷嘴待机埠还可包括配置成排出液罐中的空气的排气口，并且分散件可位于排气口下方。
在示例性实施例中，分散件可以设置成球状。
在示例性实施例中，分散件的上表面可以设置成朝向底部向下倾斜。
在示例性实施例中，在分散件的下表面上可以形成有凹部。
在示例性实施例中，液体供应单元还可以包括：预润湿液供应喷嘴，其配置成将预润湿液供应到衬底上；以及支撑体，其配置成支撑处理液供应喷嘴和预润湿液供应喷嘴。
在示例性实施例中，处理液可以是光刻胶，并且清洗液和预润湿液可以作为稀释剂提供。
在示例性实施例中，随着喷嘴尖端的直径增加，预定距离可以设置成更远。
本公开的示例性实施例提供了一种喷嘴待机埠。在示例性实施例中，喷嘴待机埠可以包括：插入孔，其设置成使得喷嘴的喷嘴尖端可插入；以及喷洒件，其配置成向插入到插入孔中的喷嘴尖端喷洒清洗液，其中清洗液的撞击点可以与喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
在示例性实施例中，喷洒件可包括：容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的清洗液；以及喷射孔，其形成在容器中，以在预定液位的清洗液被供应到容器中时喷射清洗液。
在示例性实施例中，喷嘴待机埠还可以包括：液罐，其配置成容纳被喷射到喷嘴尖端的清洗液；以及分散件，其设置在液罐中且位于插入孔下方。
在示例性实施例中，随着喷嘴尖端的直径增加，预定距离可以设置成更远。
本公开的示例性实施例提供了一种用于对喷嘴进行清洗的方法。在示例性实施例中，用于对喷嘴进行清洗的方法可以包括：向具有用于喷射清洗液的喷射孔的喷嘴尖端喷洒清洗液，其中清洗液的撞击点可以与喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
在示例性实施例中，喷嘴待机埠可设置有配置成将清洗液喷洒到喷嘴尖端的喷洒件，其中喷洒件可包括：容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的清洗液；以及喷射孔，其设置成在预定液位的清洗液被供应到容器中时喷射清洗液，其中可以通过喷射孔以溢流方式喷射清洗液。
在示例性实施例中，可以设置多个喷射孔以围绕喷嘴尖端。
在示例性实施例中，随着喷嘴尖端的直径增加，预定距离可以设置成更远。
根据本公开的示例性实施例，能够增强对用于在衬底上涂覆感光液的处理液供应喷嘴的清洗。
此外，能够容易地在喷嘴待机埠中加工用于向喷嘴尖端供应清洗液的喷洒件。
此外，能够使喷嘴待机埠中的飞溅最小化。
本公开的效果不限于上述效果，本领域技术人员根据本说明书和附图将清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是根据本公开示例性实施例的衬底处理设备的平面图。
图2是图1中设备的基于A-A方向看到的截面图。
图3是图1中设备的基于B-B方向看到的截面图。
图4是图1中设备的基于C-C方向看到的截面图。
图5是示出图1中衬底处理装置的平面图。
图6是示出图1中衬底处理装置的截面图。
图7是示出图6中喷嘴单元的放大立体图。
图8是示出图5中喷嘴待机埠的截面图。
图9是示出图8中插入孔的放大截面图。
图10至图11分别是示出根据本公开的另一示例性实施例的分散件的平面图。
图12是示出向插入到图8中插入孔中的喷嘴尖端喷洒清洗液的状态的截面图。
图13是显示从图8中喷洒件喷洒清洗液的状态的照片。
图14是示出从图8中喷洒件喷洒的清洗液沿喷嘴尖端流动的状态的平面图。
图15是示出根据本公开的示例性实施例的喷嘴清洗方法的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。本公开的示例性实施例可以变更为多种形态，并且不应将本公开的范围解释为限于以下描述的示例性实施例。示例性实施例的提供旨在向本领域普通技术人员更完整地描述本公开。因此，附图中的构件的形状等将被夸大以强调更清楚的描述。
示例性实施例的装置可用于在诸如半导体晶片或平板显示面板的衬底上执行光刻工艺。特别地，示例性实施例的装置可以连接到曝光装置并且用于在衬底上执行涂覆工序和显影工序。以下，以使用晶片作为衬底的情况为例进行说明。
图1是衬底处理设备的俯视图。图2是图1中设备的基于A-A方向看到的视图。图3是图1中设备的基于B-B方向看到的视图。图4是图1中设备的基于C-C方向看到的视图。
参照图1至图4，衬底处理设备1包括装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700沿一个方向依次排成一行。
在下文中，装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700的布置方向称为第一方向12，从顶部观察时与第一方向12垂直的方向称为第二方向14，且与第一方向12和第二方向14均垂直的方向称为第三方向16。
在容纳在盒20中的状态下移动衬底W。此时，盒20具有可以相对于外部密封的结构。例如，作为盒20，可以使用在前面具有门的前开式晶圆传送盒(FOUP)。
在下文中，将详细描述装载埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载埠100具有载置台120，容纳有衬底W的盒20放置在该载置台120上。载置台120设有多个且沿第二方向14排成一行。参照图2，载置台120设有四个。
转位模块200在放置在装载埠100的载置台120上的盒20和第一缓冲模块300之间传送衬底W。转位模块200包括框架210、转位机械手220和导轨230。框架210设置成基本中空的长方体形状，并设置在装载埠100和第一缓冲模块300之间。转位模块200的框架210可以设置在与将后述的第一缓冲模块300的框架310相比更低的高度处。转位机械手220和导轨230设置在框架210中。转位机械手220具有4轴可驱动结构，使得用于直接处置衬底W的手部221可以在第一方向12、第二方向14和第三方向16上可移动地旋转。转位机械手220具有手部221、臂部222、支撑件223和支架224。手部221固定到臂部222上。臂部222设置成可伸缩结构和可旋转的结构。支撑件223的纵向沿第三方向16布置。臂部222到支撑件223上以可沿支撑件223移动。支撑件223固定地联接到支架224上。导轨230设置成其纵向沿第二方向14设置。支架224联接到导轨230上以可沿导轨230线性移动。此外，尽管未图示，框架210还设置有开门器，其用于打开和关闭盒20的门。
第一缓冲模块300包括框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360。框架310设置成中空的长方体形状，并设置在转位模块200和涂覆显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360位于框架310中。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320从底部沿第三方向16依次布置。第一缓冲器320位于与将后述的涂覆显影模块400的涂覆模块401对应的高度，且第二缓冲器330和冷却室350位于将后述的与涂覆显影模块400的显影模块402对应的高度。第一缓冲机械手360在第二方向14上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔开预定距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330分别临时储存多个衬底W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支撑件332。支撑件332设置在壳体331中并且设置成沿第三方向16彼此间隔开。在每个支撑件332上放置一个衬底W。壳体331在朝向转位机械手220的方向、朝向第一缓冲机械手360的方向和朝向将后述的显影模块402的显影机械手482的方向上具有开口(未图示)，使得转位机械手220、第一缓冲机械手360和显影机械手482将衬底W搬入至壳体331中的支撑件332上或从其搬出。第一缓冲器320具有与第二缓冲器基本相似的结构。然而，第一缓冲器320的壳体321在朝向第一缓冲机械手360的方向和朝向将后述的位于涂覆模块401中的涂覆机械手432的方向上具有开口。设置在第一缓冲器320中的支撑件322的数量和设置在第二缓冲器330中的支撑件332的数量可以彼此相同或不同。根据示例性实施例，设置在第二缓冲器330中的支撑件332的数量可以大于设置在第一缓冲器320中的支撑件322的数量。
第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送衬底W。第一缓冲机械手360具有手部361、臂部362和支撑件363。手部361固定到臂部362上。臂部362设置成可伸缩结构，使得手部361沿第二方向14可移动。臂部362联接到支撑件363上以可沿支撑件363在第三方向16上线性移动。支撑件363具有从与第二缓冲器330对应的位置延伸到与第一缓冲器320对应的位置的长度。支撑件363可以设置成与向上或向下的长度相比更长。可以简单地设置第一缓冲机械手360，使得仅沿第二方向14和第三方向16双轴驱动手部361。
冷却室350冷却衬底W。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有用于冷却供衬底W放置的上表面和衬底W的冷却装置353。对于冷却装置353，可以使用多种方法，例如通过冷却剂进行冷却、使用热电元件进行冷却等。另外，在冷却室350中可以设置有用于将衬底W定位在冷却板352上的升降销组件(未图示)。壳体351在朝向转位机械手220的方向以及朝向将后述的设置在显影模块402中的显影机械手482的方向上具有开口(未图示)，使得转位机械手220和显影机械手482可以将衬底W搬入或搬出冷却板352。另外，在冷却室350中可以设置有用于打开和关闭上述开口的门(未图示)。
涂覆显影模块400执行在曝光工序之前在衬底W上涂覆光刻胶的工序和在曝光工序之后对衬底W进行显影的工序。涂覆显影模块400通常具有基本长方体的形状。涂覆显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402布置成彼此分层地分隔。根据示例性实施例，涂层模块401位于显影模块402上方。
涂覆模块401包括将诸如抗蚀剂的感光液涂覆到衬底W上的工艺和例如在抗蚀剂涂覆工序之前和之后加热和冷却衬底W的热处理工艺。涂覆模块401具有抗蚀剂涂覆室410、烘烤室420和传送室430。抗蚀剂涂覆室410、烘烤室420和传送室430沿第二方向14依次布置。因此，抗蚀剂涂覆室410和烘烤室420在第二方向14上彼此间隔开，其中传送室430介于其间。在第一方向12和第三方向16上分别设置有多个抗蚀剂涂覆室410。在图中示出了设置有六个抗蚀剂涂覆室410的示例。在第一方向12和第三方向16上分别设置有多个烘烤室420。在图中示出了设置有六个烘烤室420的示例。然而，与此不同地，可以提供更多数量的烘烤室420。
传送室430定位成在第一方向12上与第一缓冲模块300的第一缓冲器320平行。涂覆机械手432和导轨433位于传送室430中。传送室430具有基本上矩形的形状。涂覆机械手432在烘烤室420、抗蚀剂涂覆室410、第一缓冲模块300的第一缓冲器320以及将后述的第二缓冲模块500的第一冷却室530之间传送衬底W。导轨433设置成使其纵向与第一方向12平行。导轨433引导涂覆机械手432沿第一方向12线性移动。涂覆机械手432具有手部434、臂部435、支撑件436和支架437。手部434固定到臂部435。臂部435设置成可伸缩结构，使得手部434在水平方向上可移动。支撑件436设置成使得其纵向方向沿第三方向16布置。臂部435联接到支撑件436上以在第三方向16上沿支撑件436可线性移动。支撑件436固定地联接到支架437上，并且支架437联接到导轨433上以沿导轨433可移动。
抗蚀剂涂覆室410均具有相同的结构。然而，在每个抗蚀剂涂覆室410中使用的光刻胶的类型可以彼此不同。例如，可以使用化学放大抗蚀剂作为光刻胶。抗蚀剂涂覆室410设置成用于在衬底W上涂覆光刻胶的衬底处理装置。衬底处理装置800执行液体涂覆工艺。
图5是示出图1中衬底处理装置的平面图。图6是示出图1中衬底处理装置的截面图。参照图5和图6，衬底处理装置800包括壳体810、气流提供单元820、衬底支撑单元830、处理容器850、升降单元890、液体供应单元840和喷嘴待机埠1000。
壳体810设置成矩形圆柱形状，其中具有处理空间812。在壳体810的一侧形成有开口(未图示)。开口起到用于搬入和搬出衬底W的入口。在开口中安装有门(未图示)，门打开和关闭开口。当执行衬底处理工艺时，门通过阻塞开口来关闭壳体810的处理空间812。在壳体810的下表面上形成有内排气口814和外排气口816。通过内排气口814和外排气口816将形成在壳体810中的气流排放到外部。根据示例性实施例，可以通过内部排气口814将引入处理容器850中的气流排出，且可以通过外部排气口816将形成在处理容器850外部的气流排出。
气流提供单元820在壳体810的处理空间812中形成向下的气流。气流提供单元820包括气流供应管线822、风扇824和过滤器826。气流供应管线822连接至壳体810。气流供应管线822向壳体810供应外部洁净空气。过滤器826对从气流供应管线822提供的洁净空气进行过滤。过滤器826去除空气中包含的杂质。风扇824设置在壳体810的上表面上。风扇824位于壳体810的上表面上的中央区域内。风扇824在壳体810的处理空间812中形成向下的气流。当洁净空气从气流供应管线822供应到风扇824时，风扇824向下供应洁净空气。根据示例性实施例，风扇824可以按衬底处理阶段将具有不同流速的气流供应到处理空间中。
衬底支撑单元830可以在壳体810的处理空间812中支撑衬底W。衬底支撑单元830旋转衬底W。衬底支撑单元830包括旋转卡盘832、旋转轴834和驱动器836。旋转卡盘832用作用于支撑衬底的衬底支撑件832。旋转卡盘832设置成具有圆板形状。衬底W与旋转卡盘832的上表面接触。旋转卡盘832设置成具有与衬底W相比更小的直径。根据示例性实施例，旋转卡盘832可以通过真空吸附衬底W来夹持衬底W。可选地，旋转卡盘832可以设置成静电卡盘，其用于利用静电来夹持衬底W。此外，旋转卡盘832可以用物理力夹持衬底W。
旋转轴834和驱动器836设置成用于使旋转卡盘832旋转的旋转驱动件834、836。旋转轴834在旋转卡盘832下方支撑旋转卡盘832。旋转轴834设置成使得其纵向朝向垂直方向。旋转轴834设置成绕其中心轴线可旋转。驱动器836提供驱动力以使旋转轴834旋转。例如，驱动器836可以是能够改变旋转轴的旋转速度的马达。旋转驱动件834、836可以根据衬底处理阶段使旋转卡盘832以不同的旋转速度旋转。
处理容器850位于壳体810的处理空间812中。处理容器850设置成包住衬底支撑单元830。处理容器850设置成上部开口的杯状。处理容器850包括内杯状体852和外杯状体862。
内杯状体852设置成包住旋转轴834的圆形杯状。当从顶部观察时，内杯状体852定位成与内排气口814重叠。当从顶部观察时，内杯状体852的上表面设置成使得外部区域和内部区域分别以不同的角度倾斜。根据示例性实施例，内杯状体852的外部区域随着远离衬底支撑单元830而朝向向下倾斜方向，并且内杯状体852的内部区域随着远离衬底支撑单元830而朝向向上倾斜方向。内杯状体852的外部区域和内部区域彼此相遇的点设置成在竖直方向上与衬底W的侧端对应。内杯状体852的上表面的外部区域设置成圆形。内杯状体852的上表面的外部区域设置成向下凹入。内杯状体852的上表面的外部区域可以设置成处理液流过的区域。
外杯状体862设置成包住衬底支撑单元830和内杯状体852的杯状。外杯状体862具有底壁864、侧壁866、上壁872和倾斜壁870。底壁864设置成具有中空的圆板形状。回收管线865形成在底壁864中。回收管线865回收供应到衬底W上的处理液。由回收管线865回收的处理液可以由外部液体再生系统再利用。侧壁866设置成具有包住衬底支撑单元830的圆柱形状。侧壁866在与底壁864的侧端垂直的方向上延伸。侧壁866从底壁864向上延伸。
倾斜壁870从侧壁866的上端朝向外杯状体862的内部延伸。倾斜壁870设置成向上更靠近衬底支撑单元830。倾斜壁870设置成具有环形形状。倾斜壁870的上端定位成高于由衬底支撑单元830支撑的衬底W。
升降单元890分别使内杯状体852和外杯状体862进行升降。升降单元890包括内移动件892和外移动件894。内移动件892使内杯状体852进行升降并且外移动件894使外杯状体862进行升降。
液体供应单元840将感光液和预润湿液供应到衬底W上。液体供应单元840包括移动件846和喷嘴单元1200。移动件846将喷嘴单元1200移动到处理位置或到待机位置。这里，处理位置是喷嘴单元1200面向由衬底支撑单元830支撑的衬底W的位置，待机位置是处理位置之外的位置。例如，在处理位置，喷嘴单元1200和衬底W可以定位成在垂直方向上面向彼此。
移动件846沿一个方向移动喷嘴单元1200。根据示例性实施例，移动件846可以在一个方向上线性地移动喷嘴单元1200。一个方向可以是平行于第一方向12的方向。移动件846包括导轨842和臂部844。导轨842设置成使得纵向朝向水平方向。导轨842可具有朝向第一方向12的纵向。导轨842位于处理容器850的一侧。臂部844设置在导轨842上。臂部844由设置在导轨842中的驱动件(未图示)移动。例如，驱动件可以是线性马达。当从顶部观察时，臂部844设置成具有与导轨842垂直的纵向方向的棒状。喷嘴单元1200设置在臂部844的端部的底面上。喷嘴单元1200与臂部844一起移动。
图7是示出图6中喷嘴单元的放大立体图。参照图7，喷嘴单元1200喷射感光液和预润湿液。喷嘴单元1200包括支撑体1220、预润湿液供应喷嘴1240和处理液供应喷嘴1260。支撑体1220同时支撑预润湿液供应喷嘴1240和处理液供应喷嘴1260。喷嘴1240、1260中的每一个设置成喷射孔垂直向下。当从顶部观察时，预润湿液供应喷嘴1240和处理液体供应喷嘴1260沿着与喷嘴单元1200的移动方向平行的方向布置。根据示例性实施例，预润湿液供应喷嘴1240和处理液供应喷嘴1260可以沿着作为喷嘴单元1200的移动方向的一个方向排成一行。处理液供应喷嘴1260设置有多个。在示例性实施例中，多个处理液供应喷嘴1260可沿一个方向布置，其中预润湿液供应喷嘴1240介于其间。即，多个处理液供应喷嘴1260、预润湿液供应喷嘴1240和多个处理液供应喷嘴1260可以相对于喷嘴单元1200的移动方向排成一行。
预润湿液供应喷嘴1240喷射预润湿液。可以将具有接近感光液的亲水性和疏水性的液体用作为预润湿液。在示例性实施例中，当感光液具有疏水性时，可以将稀释剂用作为预润湿液。预润湿液可增加衬底W与感光液之间的附着力。
在示例性实施例中，多个处理液供应喷嘴1260喷射感光液。在示例性实施例中，将光刻胶用作为感光液。在示例性实施例中，每个处理液供应喷嘴1260喷射相同流速的感光液。根据示例性实施例，相对于预润湿液供应喷嘴1240，在预润湿液供应喷嘴1240的一侧设置有多个处理液供应喷嘴1260，并且可以在与其相对的另一侧设置有多个处理液供应喷嘴1260。相同数量的处理液供应喷嘴1260可以分别对称地布置在预润湿液供应喷嘴1240的两侧。每个处理液供应喷嘴1260可以喷射不同类型的感光液。例如，在处理单个衬底W的过程中，多个处理液供应喷嘴1260中的一者可以喷射感光液。预润湿液供应喷嘴1240具有与处理液供应喷嘴1260相比更高的喷射端。这是为了防止感光液在被喷射时飞散并附着在预润湿液供应喷嘴1240上。
喷嘴待机埠1000提供待机空间，供喷嘴单元1200在处理空间812中处理衬底W之前和之后待机。在示例性实施例中，喷嘴待机埠1000位于处理空间812的外部。控制器在喷嘴单元1200将液体供应到衬底W上之前通过将喷嘴单元1200移动到与喷嘴待机埠1000对应的位置来保持喷嘴单元1200。在示例性实施例中，喷嘴单元1200可以在位于待机空间中时被清洗。例如，处理液供应喷嘴1260在位于待机空间中时被清洗。喷嘴待机埠1000具有用于清洗处理液供应喷嘴1260的喷洒件1205。喷洒件1205将清洗液喷洒到处理液供应喷嘴1260的喷嘴尖端以清洗喷嘴尖端。在示例性实施例中，将稀释剂用作为清洗液。
在下文中，将参照图8至图15详细描述本公开的喷嘴待机埠1000。图8是示出图5中喷嘴待机埠1000的截面图。图9是示出图8中插入孔1210的放大截面图。参照图8至图9，喷嘴待机埠1000包括插入孔1210、喷洒件1205和液罐1100。
插入孔1210设置成使得处理液供应喷嘴1260的喷嘴尖端可插入。插入孔1210设置成具有与喷嘴尖端相比更大的直径。喷洒件1205向插入到插入孔1210中的喷嘴尖端喷洒清洗液。
在示例性实施例中，喷洒件1205具有容器1240。容器1240接收并储存来自清洗液供应源1264的清洗液。1240通过清洗液供应管线1263与清洗液供应源1264连接。在清洗液供应管线1263中设置有清洗液阀1262。清洗液阀1262控制要供应到容器1240中的清洗液的供应和其供应量。在示例性实施例中，容器1240设置成围绕插入孔1210的环状。
喷射孔1230设置在容器1240中。喷射孔1230设置成在预定液位的清洗液被供应到容器1240中时喷射清洗液。喷射孔1230形成为穿过容器1240。在示例性实施例中，喷射孔1230可以设置有多个以围绕被插入到插入孔1210中的喷嘴尖端。喷射孔1230设置在容器1240的预定高度处。连接清洗液供应管线1263和容器1240的清洗液供应管1261设置在与喷射孔1230相比更低的位置。因此，通过清洗液供应管1261流入容器1240中的清洗液被储存在容器1240中直至预定液位，然后当容器1240中的清洗液填充到形成有喷射孔1230的高度时，通过喷射孔1230被喷射出。
在示例性实施例中，喷射孔1230设置有多个。每个喷射孔1230可以设置在相同的高度。因此，通过喷射孔1230喷射清洗液的时刻相同，并且通过喷射孔1230喷射的清洗液的压力设置成均等。因此，具有这样的优点：只需调节提供给清洗液供应管线1263的清洗液的流量，而无需单独设置用于在每个喷射孔1230处独立地提供相同的清洗液压力的装置。喷射孔1230可以位于相同的高度，但是如果需要，可以设置在不同的高度。
在示例性实施例中，喷射孔1230设置成以相同角度彼此间隔开。在示例性实施例中，喷射孔1230可以基于插入孔1210的中心点以45°的间隔设置有四个。可选地，喷射孔1230可以以更小或更大的间隔设置有更多或更少的数量。
由喷洒件1205喷洒的清洗液容纳在液罐1100中。在液罐1100中设置有排气管1171、排放管1191和循环管1181。
排气管1171将液罐1100的内部1155中的空气排出。在液罐1100的内部1155中产生的雾等通过排气管1171排出到外部，并且排气管1171与排气管线1174连接。排气管线1174设置有减压件1173和排气阀1172。减压件1173对液罐1100减压，使得液罐1100中的空气可以被排出。排气阀1172调节减压件1173的排气量和排气流量。
排放管1191将容纳在液罐1100中的液体排放到外部。排放管1191与排放管线1194连接。排放阀1192设置在排放管线1194中。在示例性实施例中，容纳在液罐1100中的液体通过排放管线1194自然地排放。排放阀1192控制是否排放液罐1100中的液体。
循环管1181使容纳在液罐1100中的液体循环。在示例性实施例中，循环液体通过循环管1181由循环液体供应源1183供应。在示例性实施例中，将循环液体供应作为清洗液。清洗液通过循环管1181供应且通过排出管1191排出，以防止液罐1100中的液体硬化或蒸发，导致液位低于预定液位。循环管线1184将循环液体从循环液体供应源1183供应到循环管1181。在循环管线1184中设置有循环阀1182。循环阀1182控制是否将循环液体供应到循环管1181及其供应流量。
在液罐1100中设置有分散件1160。分散件1160位于插入孔1210下方。分散件1160设置成防止从插入到插入孔1210中的喷嘴尖端滴下的清洗液直接滴入液罐1100中填充的清洗液中。当从喷嘴尖端滴下的清洗液直接滴入液罐1100中填充的清洗液中时，已通过滴下的清洗液液滴填充的清洗液飞溅以污染液罐1100的内部和喷嘴尖端。
分散件1160在从喷嘴尖端滴下的清洗液与分散件1160碰撞时减小液滴的尺寸，以防止液罐1100中填充的清洗液飞溅，且液滴在与分散件1160的碰撞过程中损失动能以防止清洗液溅出。因此，能够防止从喷嘴尖端分离的清洗液飞溅以污染喷嘴尖端和液罐1100的内部。在示例性实施例中，分散件1160可以位于排气管1171下方。因此，即使清洗液通过分散件1160飞溅，清洗液也可以通过排气口排放到外部。
在示例性实施例中，如图8所示，分散件1160可以设置成球状。因此，与分散件1160的上表面碰撞的清洗液可沿着分散件1160向下流动。
可选地，分散件1160的上表面可以如图10和11所示设置成向下倾斜。在示例性实施例中，分散件1160a的截面可以如图10所示设置成的菱形。因此，与分散件1160a的上表面1161碰撞的清洗液在分散件1160上分散开并沿着分散件1160向下流动，并且可以沿着分散件1160的下表面1162落下以引起清洗液的流动。
在示例性实施例中，在分散件1160b的下表面上可以形成有如图11所示的凹部1163。与分散件1160b的上表面1161碰撞的清洗液在分散件1160b上分散开并沿着分散件1160b向下流动。此后，清洗液沿着分散件1160b的下表面向下流动。凹部1163设置在分散件1160b的下表面上，使得即使沿着分散件1160b的下表面向下流动的清洗液飞溅到分散件1160b上，清洗液也可以沿着凹部1163向下流动。
在示例性实施例中，清洗液的撞击点可设置成与喷嘴尖端1261的中心C间隔开预定距离。图12是示出从插入到图8的插入孔1210中的喷嘴尖端1261喷洒清洗液的状态的截面图，图13是示出从图8的喷洒件1205喷洒清洗液的状态的照片，图14是示出从图8的喷洒件1205喷洒的清洗液沿喷嘴尖端1261流动的状态的平面图。
参照图12，与插入到插入孔1210中的喷嘴尖端1261的中心C，喷射孔1230用清洗液冲击喷嘴尖端1261的点间隔开D。在示例性实施例中，每个喷射孔1230用清洗液冲击喷嘴尖端1261的点彼此等距地间隔开D。在示例性实施例中，每个喷射孔1230用清洗液冲击喷嘴尖端1261的点与喷嘴尖端1261的中心C以相同的角度间隔开。参照图13，从喷射孔1230喷射的清洗液在插入孔1210的中心处形成方格。在示例性实施例中，喷嘴尖端的直径越大，预定距离可设置得越远。参考图14，从喷射孔喷射的清洗液与喷嘴尖端碰撞后向下流动，且呈螺旋状向下流动。因此，具有这样的优点：均匀清洗喷嘴尖端的外表面。
在示例性实施例中，喷嘴尖端可在喷洒件1205朝向喷嘴尖端供应清洗液时在垂直方向上移动。在示例性实施例中，喷嘴尖端可在喷洒件1205朝向喷嘴尖端供应清洗液时基于喷嘴尖端的中心旋转。
图15是示出根据本公开的示例性实施例的喷嘴清洗方法的截面图。在将喷嘴尖端插入到插入孔1210中之前将清洗液供应到清洗液供应管1261。因此，在将喷嘴尖端插入到插入孔1210中之前需要从喷射孔1230喷射清洗液。可选地，可以在将喷嘴尖端插入到插入孔1210中之后供应清洗液。从喷射孔1230喷射的清洗液清洗喷嘴尖端的外表面。清洗液沿喷嘴尖端呈螺旋状流动。此后，从喷嘴尖端滴下的清洗液通过分散件1160损失能量。清洗液沿着分散件1160向下流动以容纳在液罐1100中。
根据本公开，由于以溢流方式供应清洗液，因此具有这样的优点：不需要为了提供多个喷射点而为每个喷射孔1230提供用于供应清洗液的管道。
根据本公开，具有这样的优点：设置有分散件1160以在液罐1100中防止清洗液再次飞溅。
根据本发明，由于清洗液的撞击点与喷嘴尖端的中心点间隔开，与喷嘴尖端碰撞的清洗液沿喷嘴尖端的外表面呈螺旋状向下流动，从而增强喷嘴尖端的清洗范围和清洗效率。
重新参照图1至图4，烘烤室420对衬底W进行热处理。例如，烘烤室420执行预烘烤工序(在光刻胶被涂覆之前将衬底W加热至预定温度以从表面去除有机材料或水分)、软烘烤工序(在衬底W上涂覆有光刻胶后执行)等，并且执行在每次加热处理后进行冷却衬底W的冷却工序等。烘烤室420具有冷却板421或加热板422。冷却板421设置有冷却装置423，例如冷却剂或热电元件。此外，加热板422还设有加热装置424，例如热丝或热电元件。冷却板421和加热板422可以设置在一个烘烤室420中。可选地，一些烘烤室420可以仅包括冷却板421，而其他烘烤室420可以仅包括加热板422。
显影模块402包括用于通过供应显影剂来去除光刻胶的一部分以获得衬底W上的图案的显影工序、以及诸如在显影工序之前和之后对衬底W进行加热和冷却的热处理工序。显影模块402包括显影室460、烘烤室470和传送室480。显影室460、烘烤室470和传送室480沿第二方向14依次步骤。因此，显影室460和烘烤室470在第二方向14上彼此间隔开，其中传送室480介于其间。显影室460设置有多个，并且分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个显影室460。在图中示出了设置有六个显影室460的示例。烘烤室470分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个。在图中示出了设置有六个烘烤室470的示例。然而，与此不同地，可以设置有更多数量的烘烤室470。
传送室480定位成在第一方向12上与第一缓冲模块300的第二缓冲器330平行。显影机械手482和导轨483位于传送室480中。传送室480具有基本上矩形的形状。显影机械手482在第一缓冲模块300的烘烤室470、显影室460、第二缓冲器330和冷却室350以及第二缓冲模块500的第二冷却室540之间传送衬底W。轨道483布置成使其纵向与第一方向12平行。导轨483引导显影机械手482沿第一方向12线性移动。显影机械手482具有手部484、臂部485、支撑件486和支架487。手部484固定到臂部485。臂部485设置成可伸缩结构，使得手部484可在水平方向上移动。支撑件486设置成使得其纵向方向沿第三方向16布置。臂部485联接到支撑件486上以在第三方向16上沿支撑件486可线性移动。支撑件486固定地联接到支架487上。支架487联接到导轨483上以便沿导轨483可移动。
显影室460均具有相同的结构。然而，在每个显影室460中使用的显影剂的类型可以彼此不同。显影室460从衬底W上的光刻胶去除经光照射的区域。此时，保护膜的经光照射的区域也被去除。可以根据选择性使用的光刻胶的类型，仅去除光刻胶和保护膜的区域中没有经光照射的区域。
显影室460具有容器461、支撑板462和喷嘴463。容器461呈上部开口的杯状。支撑板462位于容器461中并且支撑衬底W。支撑板462设置成可旋转。喷嘴463将显影剂供应到位于支撑板462上的衬底W上。喷嘴463具有圆管形状，并且可以向衬底W的中心供应显影剂。可选地，喷嘴463可以具有与衬底W的直径对应的长度，且喷嘴463的喷射孔可以设置成狭缝。此外，显影室460还可包括用于供应诸如去离子水的清洗液以清洗衬底W的额外地供应了显影剂的表面的喷嘴464。
烘烤室470对衬底W进行热处理。例如，烘烤室470执行后烘烤工序(在执行显影工序之前加热衬底W)、硬烘烤工序(在执行显影工序之后加热衬底W)、冷却工序(在每个烘烤工序之后冷却所加热的衬底W)等。烘烤室470具有冷却板471或加热板472。冷却板471设置有冷却装置473，例如冷却剂或热电元件。此外，加热板472也设有加热装置474，例如热丝或热电元件。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘烤室470中。可选地，一些烘烤室470可以仅包括冷却板471，而其他烘烤室470可以仅包括加热板472。
如上所述，在涂覆显影模块400中，涂覆模块401和显影模块402设置成彼此分离。此外，当从顶部观察时，涂覆模块401和显影模块402可以具有相同的腔室布置。
第二缓冲模块500设置成在涂覆显影模块400与曝光前/曝光后处理模块600之间传送衬底W所通过的通道。此外，第二缓冲模块500在衬底W上执行预定工序，例如冷却工序或边缘曝光工序。第二缓冲模块500包括框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560。框架510具有长方体形状。缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550设置在与涂覆模块401对应的高度处。第二冷却室540设置在与显影模块402对应的高度处。缓冲器520、第一冷却室530和第二冷却室540依次沿第三方向16排成一行。当从顶部看时，缓冲器520与涂覆模块401的传送室430沿着第一方向12布置。边缘曝光室550设置成在第二方向14上与缓冲器520或第一冷却室530间隔开预定距离。
第二缓冲机械手560在缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550之间传送衬底W。第二缓冲机械手560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲机械手560可以设置成与第一缓冲机械手360类似的结构。第一冷却室530和边缘曝光室550对在涂覆模块401中处理过的衬底W执行后续工序。第一冷却室530冷却在涂覆模块401中处理过的衬底W。第一冷却室530具有与第一缓冲模块300的冷却室350类似的结构。边缘曝光室550对在第一冷却室530中进行过冷却处理的衬底W的边缘进行曝光。缓冲器520在将在边缘曝光室550中处理过的衬底W传送到将后述的前处理模块601之前暂时储存衬底W。第二冷却室540在将已在后述的后处理模块602中处理过的衬底W传送到显影模块402之前冷却衬底W。第二缓冲模块500可以进一步具有在与显影模块402对应的高度处增加的缓冲器。在这种情况下，已在后处理模块602中处理过的衬底W可以暂时储存在增加的缓冲器中，然后传送到显影模块402。
当曝光装置900执行浸没曝光工序时，曝光前/曝光后处理模块600可以在浸没曝光期间执行涂覆用于对已涂覆在衬底W上的光刻胶膜进行保护的钝化层的工序。此外，曝光前/曝光后处理模块600可以在曝光之后执行清洗衬底W的工序。此外，当使用化学放大抗蚀剂进行涂覆工序时，曝光前/曝光后处理模块600可以在曝光后进行烘烤工序。
曝光前/曝光后处理模块600具有前处理模块601和后处理模块602。前处理模块601执行对曝光工序之前的衬底W进行处理的工序，后处理模块602执行对曝光工序之后的衬底W进行处理的工序。前处理模块601和后处理模块602分层设置。根据示例性实施例，前处理模块601位于后处理模块602上方。前处理模块601设置在与涂覆模块401相同的高度处。后处理模块602设置在与显影模块402相同的高度处。前处理模块601具有保护膜涂覆室610、烘烤室620和传送室630。保护膜涂覆室610、传送室630和烘烤室620沿第二方向14依次布置。因此，保护膜涂覆室610和烘烤室620在第二方向14上彼此间隔开，其中传送室630介于其间。多个保护膜涂覆室610沿第三方向16设置并布置以形成不同的层。可选地，保护膜涂覆室610可以分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个。多个烘烤室620沿第三方向16设置并布置以形成不同的层。可选地，烘烤室620可以分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个。
传送室630定位成在第一方向12上与第二缓冲模块500的第一冷却室530平行。前处理机械手632位于传送室630中。传送室630具有基本上正方形或矩形形状。前处理机械手632在保护膜涂覆室610、烘烤室620、第二缓冲模块500的缓冲器520和将后述的接口模块700的第一缓冲器720之间传送衬底W。前处理机械手632具有手部633、臂部634和支撑件635。手部633固定到臂部634。臂部634设置成可伸缩结构和可旋转结构。臂部634联接到支撑件635上以在第三方向16上沿着支撑件635可线性移动。
保护膜涂覆室610在衬底W上涂覆用于在浸没曝光期间保护抗蚀剂膜的保护膜。保护膜涂覆室610具有壳体611、支撑板612和喷嘴613。壳体611呈上部开口的杯状。支撑板612位于壳体611中并且支撑衬底W。支撑板612设置成可旋转。喷嘴613供应用于在放置在支撑板612上的衬底W上形成保护膜的保护液。喷嘴613呈圆管状，可以向衬底W的中心供应保护液。可选地，喷嘴613的长度可以与衬底W的直径对应，并且喷嘴613的喷射孔可以设置成狭缝。在这种情况下，支撑板612可以设置成固定状态。保护液包括发泡材料。作为保护液，可以使用与光刻胶和水的亲和性低的材料。例如，保护液可以包含氟类溶剂。保护膜涂覆室610在使放置在支撑板612上的衬底W旋转时将保护液供应到衬底W的中心区域。
烘烤室620对涂覆有保护膜的衬底W进行热处理。烘烤室620具有冷却板621或加热板622。冷却板621设置有冷却装置623，例如冷却剂或热电元件。此外，加热板622也设有加热装置624，例如热丝或热电元件。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤室620中。可选地，一些烘烤室620可以仅包括加热板622，而其他烘烤室620可以仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洗室660、曝光后烘烤室670和传送室680。清洗室660、传送室680和曝光后烘烤室670沿着第二方向14依次布置。因此，清洗室660和曝光后烘烤室670在第二方向14上彼此间隔开，其中传送室680介于其间。多个清洗室660沿第三方向16设置并布置以形成不同的层。可选地，清洗室660可以分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个。多个曝光后烘烤室670可沿第三方向16设置并布置以形成不同的层。可选地，曝光后烘烤室670可以分别在第一方向12和第三方向16上设置有多个。
当从顶部观察时，传送室680定位成在第一方向12上与第二缓冲模块500的第二冷却室540平行。传送室680呈基本上正方形或矩形的形状。后处理机械手682位于传送室680中。后处理机械手682在清洗室660、曝光后烘烤室670、第二缓冲模块500的第二冷却室540、以及将后述的接口模块700的第二缓冲器730之间传送衬底W。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以设置成与设置在前处理模块601中的前处理机械手632相同的结构。
清洗室660在曝光工序之后清洗衬底W。清洗室660具有壳体661、支撑板662和喷嘴663。壳体661呈上部敞开的杯状。支撑板662位于壳体661中并且支撑衬底W。支撑板662设置成可旋转。喷嘴663将清洗液供应到放置在支撑板662上的衬底W上。作为清洗液，可以使用诸如去离子水的水。清洗室660在使放置在支撑板662上的衬底W旋转时将清洗液供应到衬底W的中心区域。可选地，在旋转衬底W时，喷嘴663可以从中心区域线性地或旋转地移动到衬底W的边缘区域。
曝光后烘烤室670加热已使用远紫外线执行过曝光工序的衬底W。在曝光后烘烤工序中，通过加热衬底W以放大光刻胶中因曝光而产生的酸来完成光刻胶的性质变化。曝光后烘烤室670具有加热板672。加热板672也设有加热装置674，例如热丝或热电元件。曝光后烘烤室670中还可包括冷却板671。冷却板671设有冷却装置673，例如冷却剂或热电元件。此外，可选地，还可以设置仅具有冷却板671的烘烤室。
如上所述，在曝光前/曝光后处理模块600中，前处理模块601和后处理模块602设置成彼此分离。此外，前处理模块601的传送室630和后处理模块602的传送室680可以设置成相同的尺寸以使得在从顶部观察时彼此完全重叠。此外，保护膜涂覆室610和清洗室660可以设置成彼此相同的尺寸以使得在从顶部观察时彼此完全重叠。此外，烘烤室620和曝光后烘烤室670可以设置成相同的尺寸以使得从顶部观察时彼此完全重叠。
接口模块700在曝光前/曝光后处理模块600和曝光装置900之间传送衬底W。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二室730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二室730和接口机械手740定位在框架710中。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此隔开预定距离并且布置成彼此堆叠。第一缓冲器720设置成高于第二缓冲器730。第一缓冲器720位于与前处理模块601对应的高度处，第二缓冲器730位于与后处理模块602对应的高度处。当从顶部观察时，第一缓冲器720与前处理模块601的传送室630沿第一方向12排成一行，而第二缓冲器730与后处理模块602的传送室630沿第一方向12排成一行。
接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光装置900之间传送衬底W。接口机械手740具有与第二缓冲机械手560基本相似的结构。
在将在前处理模块601中处理过的衬底W移动到曝光装置900之前，第一缓冲器720临时储存衬底W。此外，在将已在曝光装置900中处理过的衬底W移动到后处理模块602之前，第二缓冲器730临时储存衬底W。第一缓冲器720具有壳体721和多个支撑件722。支撑件722设置在壳体721中并布置成沿着第三方向16彼此间隔开。一个衬底W放置在每个支撑件722上。壳体721在朝向接口机械手740的方向和朝向前处理机械手632的方向上具有开口(未图示)，使得接口机械手740和前处理机械手632可以将衬底W搬入壳体721中的支撑件722或从其搬出。第二缓冲器730具有基本与第一缓冲器720类似的结构。然而，第二缓冲器730的壳体721在朝向接口机械手740的方向和朝向后处理机械手682的方向上具有开口(未图示)。如上所述，可以在接口模块中仅设置有缓冲器和机械手，而不提供用于在衬底W上执行预定工序的腔室。
接着，对使用上述衬底处理设备1进行处理的例子进行说明。
将容纳有衬底W的盒20放置在装载埠100的载置台120上。盒20的门由开门器打开。转位机械手220从盒20中取出衬底W，然后将衬底W传送到第二缓冲器330。
第一缓冲机械手360将储存在第二缓冲器330中的衬底W传送到第一缓冲器320。涂覆机械手432从第一缓冲器320中取出衬底W，然后将衬底W传送到涂覆模块401的烘烤室420。烘烤室420依次执行预烘烤和冷却工序。涂覆机械手432从烘烤室420取出衬底W，然后将衬底W传送至抗蚀剂涂覆室410。抗蚀剂涂覆室410在衬底W上涂覆光刻胶。此后，在光刻胶涂覆在衬底W上后，涂覆机械手432将衬底W从抗蚀剂涂覆室410传送到烘烤室420。烘烤室420对衬底W执行软烘烤工序。
涂覆机械手432从烘烤室420取出衬底W，然后将衬底W传送至第二缓冲模块500的第一冷却室530。在第一冷却室530中对衬底W执行冷却工序。第二缓冲机械手560将在第一冷却室530中处理过的衬底W传送到边缘曝光室550。边缘曝光室550执行对衬底W的边缘区域进行曝光的工序。第二缓冲机械手560将已经在边缘曝光室550中处理过的衬底W传送到缓冲器520。
前处理机械手632从缓冲器520中取出衬底W，然后将衬底W传送到前处理模块601的保护膜涂覆室610。保护膜涂覆室610在衬底W上涂覆保护膜。此后，前处理机械手632将衬底W从保护膜涂覆室610传送到烘烤室620。烘烤室620对衬底W进行加热和冷却等热处理。
前处理机械手632从烘烤室620取出衬底W，然后将衬底W传送至接口模块700的第一缓冲器720。接口机械手740将衬底W从第一缓冲器720传送至曝光装置900。曝光装置900对衬底W的处理过的表面执行曝光工序，例如浸没曝光工序。在曝光装置900中完成对衬底W的曝光工序后，接口机械手740将衬底W从曝光装置900传送到第二缓冲器730。
后处理机械手682从第二缓冲器730取出衬底W，然后将衬底W传送到后处理模块602的清洗室660。清洗室660通过向后衬底W表面供应清洗液来执行清洗工序。在使用清洗液完成对衬底W的清洗后，后处理机械手682立即从清洗室660中取出衬底W，然后将衬底W传送到曝光后烘烤室670。在曝光后烘烤室670的加热板672中，通过加热衬底W来去除附着在衬底W上的清洗液，同时放大光刻胶中产生的酸，使得完成光刻胶的性能改变。后处理机械手682将衬底W从曝光后烘烤室670传送到第二缓冲模块500的第二冷却室540。在第二冷却室540中进行对衬底W的冷却。
显影机械手482从第二冷却室540取出衬底W，然后将衬底W传送到显影模块402的烘烤室470。烘烤室470依次执行后烘烤和冷却工序。显影机械手482从烘烤室470取出衬底W，然后将衬底W传送到显影室460。显影室460将显影剂供应到衬底W上以执行显影工序。此后，显影机械手482将衬底W从显影室460传送到烘烤室470。烘烤室470对衬底W执行硬烘烤工序。
显影机械手482从烘烤室470取出衬底W，然后将衬底W传送到第一缓冲模块300的冷却室350。冷却室350执行冷却衬底W的工序。转位机械手360将衬底W从冷却室350传送到盒20。与此不同地，显影机械手482从烘烤室470取出衬底W，将衬底W传送到第一缓冲模块300的第二缓冲器330，然后转位机械手360将衬底W传送到盒20。

Claims (20)

1.一种用于处理衬底的装置，包括：
杯状体，其配置成具有上部敞开的处理空间；
支撑单元，其配置成在所述处理空间中支撑所述衬底；
液体供应单元，其配置成具有用于向由所述支撑单元支撑的所述衬底供应处理液的处理液供应喷嘴；和
喷嘴待机埠，其位于所述处理空间的外部，具有供所述处理液供应喷嘴在对所述处理空间中的衬底进行处理之前和之后待机的待机空间，并且具有用于清洗位于所述待机空间中的所述处理液供应喷嘴的清洗件，
其中所述喷嘴待机埠包括：
插入孔，其设置成使得所述处理液供应喷嘴的喷嘴尖端可插入；和
喷洒件，其配置成向插入到所述插入孔中的所述喷嘴尖端喷洒清洗液，
其中所述清洗液的撞击点与所述喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
2.如权利要求1所述的用于处理衬底的装置，其中所述喷洒件包括：
容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的所述清洗液；和
喷射孔，其形成在所述容器中，以在预定液位的清洗液供应到容器中时喷射所述清洗液。
3.如权利要求2所述的用于处理衬底的装置，其中所述容器设置成围绕所述插入孔的环状。
4.如权利要求2所述的用于处理衬底的装置，其中多个所述喷射孔设置成围绕被插入到所述插入孔中的所述喷嘴尖端。
5.如权利要求1所述的用于处理衬底的装置，其中所述喷嘴待机埠还包括：
液罐，其配置成容纳被喷射到所述喷嘴尖端的所述清洗液；和
分散件，其设置在所述液罐中并位于所述插入孔的下方。
6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中所述喷嘴待机埠还包括排气口，其配置成排出所述液罐中的空气，并且其中所述分散件位于所述排气口的下方。
7.如权利要求5所述的用于处理衬底的装置，其中所述分散件呈球状。
8.如权利要求5所述的用于处理衬底的装置，其中所述分散件的上表面设置成朝向底部向下倾斜。
9.如权利要求5所述的用于处理衬底的装置，其中在所述分散件的下表面上形成有凹部。
10.如权利要求1所述的用于处理衬底的装置，其中所述液体供应单元还包括：
预润湿液供应喷嘴，其用于将预润湿液供应到所述衬底上；和
支撑体，其用于支撑所述处理液供应喷嘴和所述预润湿液供应喷嘴。
11.如权利要求10所述的用于处理衬底的装置，其中所述处理液是光刻胶，且所述清洗液和所述预润湿液作为稀释剂提供。
12.如权利要求1至权利要求11中任一项所述的用于处理衬底的装置，其中随着所述喷嘴尖端的直径增加，所述预定距离设置成更远。
13.一种喷嘴待机埠，其具有供喷嘴在对处理空间中的衬底进行处理之前和之后待机的待机空间并且具有用于清洗位于所述待机空间中的所述喷嘴的清洗件，所述喷嘴待机埠包括：
插入孔，其设置成使所述喷嘴的喷嘴尖端可插入；和
喷洒件，其配置成向插入到所述插入孔中的所述喷嘴尖端喷洒清洗液，
其中所述清洗液的撞击点与所述喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
14.如权利要求13所述的喷嘴待机埠，其中所述喷洒件包括：
容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的所述清洗液；和
喷射孔，其形成在所述容器中，以在预定液位的所述清洗液供应到所述容器中时喷射所述清洗液。
15.如权利要求13所述的喷嘴待机埠，其中所述喷嘴待机埠还包括：
液罐，其用于容纳被喷射到所述喷嘴尖端的所述清洗液；和
分散件，其设置在所述液罐中且位于所述插入孔的下方。
16.如权利要求13至权利要求15中任一项所述的喷嘴待机埠，其中随着所述喷嘴尖端的直径增加，所述预定距离设置成更远。
17.一种在喷嘴待机埠中对喷嘴进行清洗的方法，包括：
向具有用于喷射清洗液的喷射孔的喷嘴尖端喷洒清洗液，其中所述清洗液的撞击点与所述喷嘴尖端的中心间隔开预定距离。
18.如权利要求17所述的对喷嘴进行清洗的方法，其中所述喷嘴待机埠设置有喷洒件，其配置成将所述清洗液喷射到所述喷嘴尖端，
其中所述喷洒件包括：
容器，其配置成接收和储存来自清洗液供应源的所述清洗液；和
喷射孔，其设置成在预定液位的所述清洗液供应到所述容器中时喷射所述清洗液，
其中通过所述喷射孔以溢流方式喷射所述清洗液。
19.如权利要求18所述的对喷嘴进行清洗的方法，其中多个所述喷射孔设置成围绕所述喷嘴尖端。
20.如权利要求18所述的对喷嘴进行清洗的方法，其中随着所述喷嘴尖端的直径增加，所述预定距离设置成更远。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101666980A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法及其装置
CN102762310A (zh) * 2010-02-12 2012-10-31 本田技研工业株式会社 喷涂枪的清洗装置及清洗方法
JP2015230957A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、ノズル洗浄方法およびノズル洗浄装置
CN107008603A (zh) * 2017-06-16 2017-08-04 蚌埠抒阳自动化设备制造有限公司 一种板材多表面喷漆加工装置
CN107442328A (zh) * 2017-09-12 2017-12-08 惠州市欧野科技有限公司 一种园林景观树干的喷涂工具
CN108906443A (zh) * 2018-09-07 2018-11-30 攀钢集团攀枝花钢钒有限公司 喷嘴清洗装置和自动喷涂的喷嘴清洗方法
CN108927303A (zh) * 2018-07-28 2018-12-04 合肥市神雕起重机械有限公司 一种起重机梁体喷漆加工生产线
CN110095268A (zh) * 2018-01-26 2019-08-06 杉野机械股份有限公司 喷嘴的摆动的测定方法及其装置

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
US5260174A (en) * 1989-02-17 1993-11-09 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object
KR970007060B1 (ko) * 1989-02-17 1997-05-02 다이닛뽕 인사쓰 가부시끼가이샤 점성액체의 도포방법 및 도포장치
US5219615A (en) * 1989-02-17 1993-06-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object
KR100230753B1 (ko) * 1991-01-23 1999-11-15 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 액도포 시스템
KR0167572B1 (ko) * 1991-09-20 1999-02-01 이노우에 아키라 기판도포장치
US5843527A (en) * 1995-06-15 1998-12-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Coating solution applying method and apparatus
JP3227642B2 (ja) * 1995-10-13 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3516195B2 (ja) * 1996-05-28 2004-04-05 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及びその装置
JP3420900B2 (ja) * 1996-10-21 2003-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
JP3566475B2 (ja) * 1996-12-03 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3578577B2 (ja) * 1997-01-28 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給方法及びその装置
US6207231B1 (en) * 1997-05-07 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and coating apparatus
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
JP3679904B2 (ja) * 1997-08-29 2005-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
JP3445937B2 (ja) * 1998-06-24 2003-09-16 東京エレクトロン株式会社 多段スピン型基板処理システム
US6270576B1 (en) * 1998-08-05 2001-08-07 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus
US6410194B1 (en) * 1999-02-04 2002-06-25 Tokyo Electron Limited Resist film forming method and resist coating apparatus
JP2002239434A (ja) * 2001-02-14 2002-08-27 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法
JP3992601B2 (ja) * 2002-01-31 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 薬液処理装置
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
US7267723B2 (en) * 2003-05-13 2007-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution supply nozzle, a substrate treating apparatus having this nozzle, and a method of manufacturing a treating solution supply nozzle
JP2006204999A (ja) 2005-01-26 2006-08-10 Seiko Epson Corp 塗布装置及び半導体装置の製造方法
JP4757126B2 (ja) * 2005-10-11 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5305331B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP5203337B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法
JP5622453B2 (ja) * 2009-07-06 2014-11-12 東京応化工業株式会社 塗布装置及びノズルの管理方法
JP5023128B2 (ja) * 2009-10-07 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 塗布現像装置及び塗布現像方法
EP2565910A4 (en) * 2010-04-28 2014-01-15 Youtec Co Ltd SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR THIN-CHEMICAL PRODUCTION
JP5656454B2 (ja) * 2010-05-28 2015-01-21 東京応化工業株式会社 塗布装置
JP5251941B2 (ja) * 2010-09-01 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2012076045A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP5788349B2 (ja) * 2012-03-19 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5965729B2 (ja) 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
JP5721145B2 (ja) * 2012-07-26 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
JP6020271B2 (ja) * 2013-03-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5939204B2 (ja) * 2013-06-12 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5954266B2 (ja) * 2013-06-27 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
TWI584351B (zh) * 2013-10-08 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd Liquid container exchange device, container-mounted module and exchange solution of chemical liquid container, substrate processing device
JP6032189B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP2015115486A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 液供給装置
JP6231956B2 (ja) * 2014-08-11 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5886935B1 (ja) * 2014-12-11 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP6512894B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
KR101842118B1 (ko) * 2015-03-31 2018-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP6319193B2 (ja) * 2015-06-03 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6404189B2 (ja) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI666684B (zh) * 2015-11-16 2019-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體
JP6680096B2 (ja) * 2016-06-13 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6769166B2 (ja) * 2016-08-10 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR102099114B1 (ko) * 2018-04-16 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7192375B2 (ja) * 2018-10-09 2022-12-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法。
KR102234619B1 (ko) * 2018-10-19 2021-04-05 세메스 주식회사 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치
KR20210006566A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7365220B2 (ja) * 2019-12-12 2023-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び処理液の温度調整方法
JP7364460B2 (ja) * 2019-12-25 2023-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7363591B2 (ja) * 2020-03-05 2023-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102553224B1 (ko) * 2020-07-20 2023-07-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR102635385B1 (ko) * 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102573602B1 (ko) * 2020-11-23 2023-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102635384B1 (ko) * 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102634281B1 (ko) * 2020-12-21 2024-02-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102479590B1 (ko) * 2020-12-30 2022-12-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102635382B1 (ko) * 2020-12-31 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101666980A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法及其装置
CN102762310A (zh) * 2010-02-12 2012-10-31 本田技研工业株式会社 喷涂枪的清洗装置及清洗方法
JP2015230957A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、ノズル洗浄方法およびノズル洗浄装置
CN107008603A (zh) * 2017-06-16 2017-08-04 蚌埠抒阳自动化设备制造有限公司 一种板材多表面喷漆加工装置
CN107442328A (zh) * 2017-09-12 2017-12-08 惠州市欧野科技有限公司 一种园林景观树干的喷涂工具
CN110095268A (zh) * 2018-01-26 2019-08-06 杉野机械股份有限公司 喷嘴的摆动的测定方法及其装置
CN108927303A (zh) * 2018-07-28 2018-12-04 合肥市神雕起重机械有限公司 一种起重机梁体喷漆加工生产线
CN108906443A (zh) * 2018-09-07 2018-11-30 攀钢集团攀枝花钢钒有限公司 喷嘴清洗装置和自动喷涂的喷嘴清洗方法

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