CN110581965B - 电子装置 - Google Patents
电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110581965B CN110581965B CN201910937786.2A CN201910937786A CN110581965B CN 110581965 B CN110581965 B CN 110581965B CN 201910937786 A CN201910937786 A CN 201910937786A CN 110581965 B CN110581965 B CN 110581965B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- section
- sensor
- semiconductor chip
- electronic device
- analog
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013268253A JP6314477B2 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 電子デバイス |
| JP2013-268253 | 2013-12-26 | ||
| CN201410800494.1A CN104754253B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-19 | 电子装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410800494.1A Division CN104754253B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-19 | 电子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110581965A CN110581965A (zh) | 2019-12-17 |
| CN110581965B true CN110581965B (zh) | 2022-07-08 |
Family
ID=52344939
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910937786.2A Active CN110581965B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-19 | 电子装置 |
| CN201410800494.1A Active CN104754253B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-19 | 电子装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410800494.1A Active CN104754253B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-19 | 电子装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9762836B2 (https=) |
| EP (2) | EP2889908B1 (https=) |
| JP (1) | JP6314477B2 (https=) |
| KR (1) | KR102333237B1 (https=) |
| CN (2) | CN110581965B (https=) |
| TW (1) | TWI654751B (https=) |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9449212B2 (en) * | 2014-12-22 | 2016-09-20 | Fingerprint Cards Ab | Capacitive fingerprint sensor with sensing elements comprising timing circuitry |
| JP6218799B2 (ja) | 2015-01-05 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| US10070088B2 (en) | 2015-01-05 | 2018-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capturing apparatus for simultaneously performing focus detection and image generation |
| JPWO2017038403A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2018-08-16 | ソニー株式会社 | 積層体 |
| JP6495145B2 (ja) | 2015-09-11 | 2019-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| WO2017057398A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 撮像素子および電子カメラ |
| KR102109316B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
| KR102314905B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2021-10-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 전자 카메라 |
| US11297258B2 (en) * | 2015-10-01 | 2022-04-05 | Qualcomm Incorporated | High dynamic range solid state image sensor and camera system |
| US10128866B2 (en) * | 2015-10-16 | 2018-11-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Fast current mode sigma-delta analog-to-digital converter |
| US9588240B1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-03-07 | General Electric Company | Digital readout architecture for four side buttable digital X-ray detector |
| JP6808409B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | イメージセンサおよび撮像装置 |
| US11924573B2 (en) | 2016-03-15 | 2024-03-05 | Trustees Of Dartmouth College | Stacked backside-illuminated quanta image sensor with cluster-parallel readout |
| CN109155832B (zh) * | 2016-03-24 | 2021-05-14 | 株式会社尼康 | 摄像元件和摄像装置 |
| JP2017183870A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 撮像処理装置、撮像処理方法、コンピュータプログラム及び電子機器 |
| US10998367B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-05-04 | Nikon Corporation | Image sensor and image-capturing apparatus |
| CN109196647B (zh) * | 2016-03-31 | 2023-08-22 | 株式会社尼康 | 摄像元件以及摄像装置 |
| JP6919154B2 (ja) | 2016-03-31 | 2021-08-18 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および電子機器 |
| JP2017188760A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法、コンピュータプログラム及び電子機器 |
| JP2017228885A (ja) | 2016-06-21 | 2017-12-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
| TWI730111B (zh) * | 2016-07-25 | 2021-06-11 | 瑞典商指紋卡公司 | 用於確定手指移動事件的方法和指紋感測系統 |
| KR102544782B1 (ko) | 2016-08-04 | 2023-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102664014B1 (ko) * | 2016-12-23 | 2024-05-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지를 촬영하는 센서 및 그 제어 방법 |
| US10841524B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-11-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element and method for controlling imaging element, imaging apparatus, and electronic apparatus |
| JP7278209B2 (ja) | 2017-04-25 | 2023-05-19 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
| JP6726362B2 (ja) * | 2017-06-20 | 2020-07-22 | シャープ株式会社 | アナログデジタル変換器および固体撮像素子 |
| US10917589B2 (en) * | 2017-06-26 | 2021-02-09 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US10686996B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-16 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| KR102380823B1 (ko) | 2017-08-16 | 2022-04-01 | 삼성전자주식회사 | 발열체를 포함하는 칩 구조체 |
| US10598546B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Detecting high intensity light in photo sensor |
| JP6976776B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-12-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、及び移動体 |
| JP7250454B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2023-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体 |
| EP3462731B1 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and moving body |
| JP6976798B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-12-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体、回路チップ |
| JP7039237B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-03-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体、回路チップ |
| KR102382860B1 (ko) | 2017-12-13 | 2022-04-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센싱 시스템 및 이의 동작 방법 |
| JP6704944B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体 |
| US11906353B2 (en) | 2018-06-11 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
| JP7316028B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2023-07-27 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置 |
| JP6753985B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-09-09 | シャープ株式会社 | アナログデジタル変換器および固体撮像素子 |
| JP7134782B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | Ad変換装置、撮像装置、撮像システム及び移動体 |
| WO2020045278A1 (en) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device with motion dependent pixel binning |
| JP7356266B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2023-10-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法 |
| WO2020075380A1 (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 記憶回路および撮像装置 |
| JP7213661B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2023-01-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
| JP7292860B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| EP3664439A1 (en) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | An optoelectronic, a reading-out method, and a uses of the optoelectronic apparatus |
| JP7295632B2 (ja) * | 2018-12-13 | 2023-06-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびシステム |
| TWI861029B (zh) | 2018-12-21 | 2024-11-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及攝像裝置 |
| CN113228609B (zh) | 2018-12-27 | 2023-05-05 | 富士胶片株式会社 | 成像元件、摄像装置、摄像方法及计算机可读存储介质 |
| JP7319780B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2023-08-02 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 |
| US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
| US11521658B2 (en) * | 2019-06-25 | 2022-12-06 | Sandisk Technologies Llc | Binary weighted voltage encoding scheme for supporting multi-bit input precision |
| DE102019213830A1 (de) * | 2019-09-11 | 2021-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung und LIDAR-System mit Sensoranordnung |
| US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
| JP7354290B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2023-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置、撮像装置の作動方法、プログラム、及び撮像システム |
| US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
| EP4175289B1 (en) * | 2020-06-25 | 2025-02-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
| US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
| JP7604201B2 (ja) * | 2020-12-03 | 2024-12-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体、半導体基板、光電変換装置の駆動方法 |
| US12022218B2 (en) | 2020-12-29 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital image sensor using a single-input comparator based quantizer |
| JP7649152B2 (ja) | 2021-02-04 | 2025-03-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および電子機器 |
| JP7649151B2 (ja) | 2021-02-04 | 2025-03-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体および半導体基板 |
| JP2022155410A (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
| JP7779016B2 (ja) * | 2021-03-30 | 2025-12-03 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
| JP2022157509A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及び撮像方法 |
| US20220408049A1 (en) * | 2021-06-22 | 2022-12-22 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-layer stacked camera-image-sensor circuit |
| JP7754175B2 (ja) * | 2021-08-25 | 2025-10-15 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
| JP7419309B2 (ja) * | 2021-09-08 | 2024-01-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US12244954B2 (en) | 2021-11-26 | 2025-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US12088948B2 (en) * | 2022-02-11 | 2024-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gray code-to-binary code converter and devices including the same |
| US12323724B2 (en) | 2022-02-17 | 2025-06-03 | Blumind Inc. | Systems and methods for analog image sensing and processing |
| WO2023218934A1 (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | イメージセンサ |
| US20260026125A1 (en) * | 2022-08-17 | 2026-01-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus |
| US12477854B2 (en) * | 2023-03-08 | 2025-11-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor signal path routing |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4338515A (en) * | 1979-09-10 | 1982-07-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Analog-digital converter for the evaluation of the output signal of an optoelectronic sensor element |
| US4394769A (en) * | 1981-06-15 | 1983-07-19 | Hughes Aircraft Company | Dual modulus counter having non-inverting feedback |
| US5280511A (en) * | 1991-09-04 | 1994-01-18 | Hitachi, Ltd. | Output circuit for a CCD with cascode depletion MOSFET loads and a feedback capacitor |
| CN101753867A (zh) * | 2005-06-02 | 2010-06-23 | 索尼株式会社 | 半导体图像传感器模块及其制造方法 |
| JP2011159958A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
Family Cites Families (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3402644B2 (ja) * | 1993-01-29 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06244420A (ja) * | 1993-02-12 | 1994-09-02 | Nippon Steel Corp | 高速a/d変換器 |
| JP4042177B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2008-02-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3550335B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2004-08-04 | エヌティティエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JPH11196321A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Canon Inc | 撮像装置及びその方法 |
| JP4473363B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2010-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 手振れ補正装置およびその補正方法 |
| JP2002142149A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Mega Chips Corp | 画像処理回路 |
| JP2002184993A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Sony Corp | 半導体装置 |
| US7397085B2 (en) * | 2000-12-31 | 2008-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Thermal coupling of matched SOI device bodies |
| US6717212B2 (en) * | 2001-06-12 | 2004-04-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Leaky, thermally conductive insulator material (LTCIM) in semiconductor-on-insulator (SOI) structure |
| JP2003169259A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Hitachi Ltd | 撮像装置 |
| JP2003174093A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JP4236152B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
| US7358121B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-04-15 | Intel Corporation | Tri-gate devices and methods of fabrication |
| JP2004179852A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | デジタルカメラ |
| JP4392492B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2010-01-06 | 国立大学法人静岡大学 | 広ダイナミックレンジイメージセンサ |
| JP4481758B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-06-16 | 株式会社東芝 | 信号処理装置及びデータ処理装置 |
| JP2006081048A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
| JP4379295B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 |
| JP4035542B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2008-01-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US20060186315A1 (en) | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Kany-Bok Lee | Active pixel image sensors |
| KR100782463B1 (ko) | 2005-04-13 | 2007-12-05 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
| JP4725183B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 撮像装置、および方法 |
| KR100738653B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-07-11 | 한국과학기술원 | 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법 |
| JP4845466B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-12-28 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4792934B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
| US8709872B2 (en) * | 2006-06-21 | 2014-04-29 | Broadcom Corporation | Integrated circuit with electromagnetic intrachip communication and methods for use therewith |
| JP2008160369A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
| JP5244644B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-24 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその応用装置 |
| JP5189391B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-04-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 光センサ |
| JP4636174B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | アナログデジタル変換装置及びアナログデジタル変換方法、並びに撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ |
| JP2010074243A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Panasonic Corp | 固体撮像装置、撮像装置 |
| CN101931756B (zh) * | 2009-06-19 | 2012-03-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种提高cmos图像传感器动态范围的装置和方法 |
| JP5343727B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2013-11-13 | カシオ計算機株式会社 | デジタルカメラ装置 |
| JP2011035701A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Curious Corp | イメージセンサ用a/d変換装置 |
| JP5829611B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2015-12-09 | 三重富士通セミコンダクター株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| WO2011148535A1 (ja) | 2010-05-27 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法 |
| TWI513301B (zh) * | 2010-06-02 | 2015-12-11 | 新力股份有限公司 | 半導體裝置,固態成像裝置及相機系統 |
| JP2012009547A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
| JP5810493B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2015-11-11 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路、電子機器、固体撮像装置、撮像装置 |
| JP5696513B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-04-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP2012191359A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sony Corp | A/d変換装置、a/d変換方法、並びにプログラム |
| JP2012191060A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、固体撮像装置、及び電子機器 |
| WO2012133192A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | ソニー株式会社 | A/d変換器、固体撮像装置および駆動方法、並びに電子機器 |
| JP5903772B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2016-04-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
| JP2012028790A (ja) * | 2011-08-19 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8890047B2 (en) | 2011-09-21 | 2014-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Stacked-chip imaging systems |
| JP2013093371A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Sony Corp | 半導体装置、および、その製造方法、固体撮像装置 |
| JP5923929B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2016-05-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
| US9036059B2 (en) * | 2011-11-01 | 2015-05-19 | Sony Corporation | Imaging apparatus for efficiently generating multiple forms of image data output by an imaging sensor |
| JP2013232473A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Nikon Corp | 撮像素子およびチップ積層構造 |
| TWI583195B (zh) * | 2012-07-06 | 2017-05-11 | 新力股份有限公司 | A solid-state imaging device and a solid-state imaging device, and an electronic device |
| JP6254827B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2017-12-27 | 日本放送協会 | 積層型集積回路及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013268253A patent/JP6314477B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-01 TW TW103134298A patent/TWI654751B/zh active
- 2014-10-09 US US14/510,935 patent/US9762836B2/en active Active
- 2014-10-15 KR KR1020140138830A patent/KR102333237B1/ko active Active
- 2014-12-17 EP EP14198537.4A patent/EP2889908B1/en active Active
- 2014-12-17 EP EP18181210.8A patent/EP3404718B1/en active Active
- 2014-12-19 CN CN201910937786.2A patent/CN110581965B/zh active Active
- 2014-12-19 CN CN201410800494.1A patent/CN104754253B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4338515A (en) * | 1979-09-10 | 1982-07-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Analog-digital converter for the evaluation of the output signal of an optoelectronic sensor element |
| US4394769A (en) * | 1981-06-15 | 1983-07-19 | Hughes Aircraft Company | Dual modulus counter having non-inverting feedback |
| US5280511A (en) * | 1991-09-04 | 1994-01-18 | Hitachi, Ltd. | Output circuit for a CCD with cascode depletion MOSFET loads and a feedback capacitor |
| CN101753867A (zh) * | 2005-06-02 | 2010-06-23 | 索尼株式会社 | 半导体图像传感器模块及其制造方法 |
| JP2011159958A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104754253B (zh) | 2019-10-22 |
| EP3404718B1 (en) | 2021-08-18 |
| JP6314477B2 (ja) | 2018-04-25 |
| CN104754253A (zh) | 2015-07-01 |
| KR102333237B1 (ko) | 2021-12-01 |
| KR20150076065A (ko) | 2015-07-06 |
| CN110581965A (zh) | 2019-12-17 |
| TW201526216A (zh) | 2015-07-01 |
| US9762836B2 (en) | 2017-09-12 |
| US20150189214A1 (en) | 2015-07-02 |
| JP2015126043A (ja) | 2015-07-06 |
| EP2889908B1 (en) | 2018-07-04 |
| EP2889908A1 (en) | 2015-07-01 |
| EP3404718A1 (en) | 2018-11-21 |
| TWI654751B (zh) | 2019-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110581965B (zh) | 电子装置 | |
| CN107482027B (zh) | 成像设备 | |
| CN102790864B (zh) | 固体摄像装置 | |
| CN103247642B (zh) | 固态成像装置及其制造方法和电子设备 | |
| KR102030178B1 (ko) | 촬상 소자, 촬상 소자의 구동 방법, 촬상 소자의 제조 방법, 및 전자 기기 | |
| US8767106B2 (en) | Comparator, AD converter, solid-state imaging device, and camera system | |
| CN107534049B (zh) | 固态图像元件、半导体装置和电子设备 | |
| KR101750606B1 (ko) | 반도체 장치, 고체 촬상 장치, 및 카메라 시스템 | |
| US9570486B2 (en) | Solid-state imaging device and switching circuit | |
| CN101841635B (zh) | 固体成像设备、其驱动方法和电子装置 | |
| KR20110098624A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및, 전자 기기 | |
| CN107888853B (zh) | 固体摄像装置 | |
| CN109714551B (zh) | 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备 | |
| WO2010030329A1 (en) | High gain read circuit for 3d integrated pixel | |
| CN103905748A (zh) | 三维架构的超高清cmos图像传感器像素电路及其控制方法 | |
| CN118138908A (zh) | 一种电荷域tdi图像传感器及其工作方法 | |
| CN121078818A (zh) | 成像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |