JP4042177B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体装置の高集積化と微細化に伴い、絶縁ゲート電界効果トランジスタ、例えばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )のゲート長の短縮化が進んでいる。
【0003】
従来から使用されているMOSFET構造の断面図の例を図11に示す。図示しない素子分離絶縁膜で区切られた例えばp型の半導体基板10の活性領域上に、例えば酸化シリコンからなるゲート絶縁膜20を介して例えばn型不純物を含有するポリシリコンからなるゲート電極30が形成されており、その両側部に例えば酸化シリコンからなるLDDサイドウォール絶縁膜21が形成されている。ゲート電極の両側部の半導体基板10中には例えばn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12が形成されており、その内側には例えばn型不純物を低濃度に含有するLDD(Lightly Doped Drain )拡散層が形成されている。
【0004】
上記のMOSFETは、ゲート電極30に電圧を印加し、基板と反対極性の電荷を半導体基板10表面に誘起し、ソース・ドレイン拡散層12間の半導体基板10表面に電流経路となるチャネルを形成し、ドレイン拡散層に与える電圧によってソース拡散層から注入される電荷を電流として取り出すものである。
【0005】
ゲート電極に印加される電圧が半導体基板10表面に反転層を誘起するのに必要な電圧、閾値電圧Vthよりも低い場合には、ソース拡散層とドレイン拡散層は分離されており、ドレイン電流は流れない。一方で、ゲート電極に印加される電圧が閾値電圧Vth以上の場合には、誘起された反転層がチャネルとなり、電流はソース拡散層からドレイン拡散層へと流れることが可能となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のMOSFETは、半導体装置の高集積化及び微細化に伴ってゲート長が短縮化され、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下する傾向が現れる。これはロールオフ(roll-off)と称され、短チャネル効果の代表的な現象として比較的古くから知られている。
【0007】
このロールオフは、ゲート長が短くなってくると、ゲート電極の下部の反転層を形成するのにゲート電極の電荷だけでなくソース・ドレイン拡散層の電荷も寄与するようになるためであり、チャネル領域がゲート電極直下の部分だけでなく、ソース・ドレイン拡散層の側部の深さ方向にわたって形成され、2次元的に電流が流れるようになり、その結果、より少ないゲート電荷、すなわちより低いゲート電圧で反転層が形成され、閾値電圧Vthが小さいほうへシフトする。
【0008】
上記のロールオフは、ゲート長が異なれば閾値電圧Vthがそれぞれ変動することを意味しており、しかも高集積時に多用されるゲート長の短いMOSFETほど閾値電圧Vthの変動が大きくなり、回路設計上、所定の特性を達成する上で問題となる。
【0009】
上記のロールオフを抑制するためには、接合深さを浅くすることが有効であることが知られている。これにより、ソース・ドレイン空乏層がチャネル側に張り出す量を少なくすることができるからである。例えば、チャネル長が0.25μmのnチャネルMOSFETにおいては、0.1μm以下にソース・ドレイン拡散層深さを浅くする必要であると言われている。
【0010】
上記の従来例のMOSFET構造においては、ソース・ドレイン拡散層の間のゲート中心側に導電性不純物の濃度をソース・ドレイン拡散層よりも低濃度に含有するLDD拡散層が形成されている。LDD拡散層はホットキャリア耐性を高めるために設けられているが、接合深さを浅くする効果もある。しかしながら、半導体装置のさらなる高集積化においては、接合深さをさらに浅くする必要がある。
【0011】
また、上記の従来例のMOSFET構造においては、ゲート電極部分がソース・ドレイン電極取り出し口よりも上部に位置するため、既にトランジスタの形成時点から平坦性がなくなっており、リソグラフィーに対しても大きいデフォーカスのマージンが必要になってくる問題がある。
【0012】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、従って、本発明の目的は、浅い接合を有することでゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制し、ゲート長の短い領域まで使用することが可能であり、さらにゲ ト電極およびソース・ドレイン電極の取り出し口の高さを揃えることが可能であるMOSFETを有する半導体装置の製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体層にトレンチ状の下側ゲート電極用凹部を形成する工程と、前記下側ゲート電極用凹部の内壁表面に下側ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記下側ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んで下側ゲート電極を形成する工程と、前記下側ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記下側ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有する下側ソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記半導体層の下側ゲート電極を形成した面上に絶縁膜を形成して半導体基板とする工程と、前記半導体層の前記絶縁膜を形成した面とは反対側の面の前記下側ゲート電極と対向する位置にトレンチ状のゲート電極用凹部を形成する工程と、前記ゲート電極用凹部の内壁表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んでゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有する。
【0014】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチ状に形成した凹部にゲート電極を埋め込んで形成するものであり、接合の深さを浅くすることが可能で、チャネル領域がゲート電極直下の部分だけでなく、ソース・ドレイン領域の側部の深さ方向にわたって形成されて2次元的に電流が流れるようになることを抑制でき、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制することができる電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。ゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制できるので、ゲート長の短い領域まで使用することが可能である。
【0015】
さらに、上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持ち、動作の制御がしやすいトランジスタとすることができる。
【0016】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記下側ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んで下側ゲート電極を形成する工程が、前記半導体基板の表面とほぼ同じ高さを有する下側ゲート電極を形成する工程を含む。ゲート電極とソース・ドレイン電極取り出し口の高さを揃えることで平坦性を有するトランジスタを形成でき、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能である。
【0017】
また、上述の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に下側ゲート電極を形成する工程と、前記下側ゲート電極の上層に下側ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記下側ゲート電極の両側部に前記下側ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚の下側ソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記下側ゲート絶縁膜、及び前記下側ソース・ドレイン領域を被覆して全面に半導体層を形成して半導体基板とする工程と、前記半導体層の前記絶縁膜と接していない面の前記下側ゲート電極と対向する位置にトレンチ状のゲート電極用凹部を形成する工程と、前記ゲート電極用凹部の内壁表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んでゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有する。
これにより上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持ち、動作の制御がしやすいトランジスタとすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態について実施例により図面を参照して説明する。
【0019】
参考例1
図1は、本参考例の半導体装置の断面図である。n型シリコン半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域があり、p型の不純物を含有するウェル11を有する。その内部に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30を有する。ゲート電極30の両側部にはゲート絶縁膜20よりも厚膜の例えば酸化シリコンからなる第1絶縁膜21を有しており、さらにその両側部にn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はウェル11の活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30とほぼ同じである。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。
【0020】
かかる構造の半導体装置は、電界効果トランジスタの接合の深さを非常に浅いものとすることができ、チャネル領域がゲート電極直下の部分だけでなく、ソース・ドレイン拡散層の側部の深さ方向にわたって形成されて2次元的に電流が流れるようになることを抑制できるので、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制することができる。即ち、ゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制し、ゲート長の短い領域まで使用することが可能である。また、ゲート電極、ソース・ドレイン拡散層及び半導体基板の表面がほぼ同じ高さであるので、ゲート電極とソース・ドレイン電極取り出し口の高さを揃えることで平坦性を有しており、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能である。
【0021】
次に、上記の本参考例の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図2(a)に示すように、n型シリコン半導体基板10にLOCOS法などにより図示しない素子分離絶縁膜を形成し、さらにp型不純物をイオン注入してp型のウェル11を形成する。
【0022】
次に、図2(b)に示すように、レジストをパターニングしてマスクとし、RIE(反応性イオンエッチング)などのエッチングを行い、ウェル11の中央部にトレンチTを形成する。この後、レジストを除去する。
【0023】
次に、図2(c)に示すように、熱酸化などによりトレンチTの内壁表面に酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20を形成する。
【0024】
次に、図3(d)に示すように、例えば酸素イオンを半導体基板10に対して斜めに角度をつけて注入して酸化シリコン層を形成し、トレンチTの両側壁部にゲート絶縁膜20よりも厚膜の第1絶縁膜21を形成する。
【0025】
次に、図3(e)に示すように、例えばCVD法によりポリシリコンを堆積させ、CMP(Chemical Mechanical Polishing )などの平坦化研磨、あるいはエッチバックなどによりトレンチT内部にポリシリコンを埋め込み、ゲート電極30を形成する。
【0026】
次に、図1に示すように、レジストをパターニングしてマスクとし、n型不純物を高濃度にイオン注入し、ソース・ドレイン拡散層12を形成し、電界効果トランジスタを形成する。このとき、ソース・ドレイン拡散層12形成のイオン注入においては、ソース・ドレイン拡散層12の膜厚がゲート電極30とほぼ同じ膜厚となるように制御する。ソース・ドレイン拡散層12の形成後にレジストを除去する。
【0027】
上記の半導体装置の製造方法によれば、接合の深さを浅くすることが可能であり、チャネル領域がゲート電極直下の部分にのみ形成されるようになり、チャネル領域がソース・ドレイン拡散層の側部の深さ方向にわたって形成され、2次元的に電流が流れるようになることを抑制でき、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制できる電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。ゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制できるので、ゲート長の短い領域まで使用することが可能である。また、ゲート電極とソース・ドレイン電極取り出し口の高さを揃えることでリソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0028】
参考例2
図4は、本参考例の半導体装置の断面図である。n型シリコン半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域があり、p型の不純物を含有するウェル11を有する。その内部に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30を有する。ゲート電極30の両側部にはn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はウェル11の活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30よりも薄く形成されている。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。半導体基板10表面は第2絶縁膜22により被覆されており、第2絶縁膜22には、ゲート電極取り出し口G、ソース・ドレイン電極取り出し口SDが開口されている。
【0029】
かかる構造の半導体装置は、電界効果トランジスタの接合の深さを非常に浅いものとすることができ、ロールオフを抑制することができ、ゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制し、ゲート長の短い領域まで使用することが可能である。さらに、ゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能となり、装置の微細化、高集積化に有利である。また、ゲート電極、ソース・ドレイン拡散層及び半導体基板の表面がほぼ同じ高さであるので平坦性を有しており、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能である。
【0030】
上記の本参考例の半導体装置の製造方法は、参考例1の半導体装置の製造方法とほぼ同様である。但し、n型シリコン半導体基板10に対して斜めに酸素イオン注入をして第1絶縁膜を形成する工程を省略し、また、n型不純物のイオン注入によりソース・ドレイン拡散層12の形成する工程において、ソース・ドレイン拡散層12の膜厚をゲート電極30よりも薄く形成するように制御する。
【0031】
上記の半導体装置の製造方法によれば、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、さらにゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能で装置の微細化、高集積化に有利な電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0032】
参考例3
図5は、本参考例の半導体装置の断面図である。絶縁性基板Iの上層にp型シリコン半導体層Sを有する半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域を有する。その活性領域に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30が埋め込まれている。ゲート電極30の両側部にはゲート絶縁膜20よりも厚膜の例えば酸化シリコンからなる第1絶縁膜21を有しており、さらにその両側部にn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はp型シリコン半導体層Sの活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30とほぼ同じである。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。
【0033】
かかる構造の半導体装置は、絶縁膜の上層に半導体層を有するSOI構造を有しており、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができる。また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制できる電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0034】
上記の本参考例の半導体装置の製造方法は、参考例1の半導体装置の製造方法とほぼ同様である。但し、半導体基板10として、絶縁性基板Iとp型シリコン半導体層Sの積層体を使用する。絶縁性基板Iとp型シリコン半導体層Sの積層体を形成する方法としては、CVD法などにより絶縁膜の上層にポリシリコンなどの半導体層を堆積させる方法のほか、絶縁膜と半導体層を張り合わせる方法、SIMOX法などの半導体層に対してイオン注入により絶縁膜を形成する方法、及びエピタキシャル成長により絶縁膜上に半導体層を形成する方法などを用いることができる。
【0035】
上記の半導体装置の製造方法によれば、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができるSOI構造を有し、また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制できる電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0036】
参考例4
図6は、本参考例の半導体装置の断面図である。絶縁性基板Iの上層にp型シリコン半導体層Sを有する半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域を有する。その活性領域に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30が埋め込まれて形成されている。ゲート電極30の両側部にはn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はp型シリコン半導体層Sの活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30よりも薄く形成されている。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。
【0037】
かかる構造の半導体装置は、絶縁膜の上層に半導体層を有するSOI構造を有しており、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができる。また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、さらにゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能で装置の微細化、高集積化に有利な電界効果トランジスタを有する半導体装置である。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置である。
【0038】
上記の本参考例の半導体装置の製造方法は、参考例2の半導体装置の製造方法とほぼ同様である。但し、半導体基板10として、絶縁性基板Iとp型シリコン半導体層Sの積層体を使用する。絶縁性基板Iとp型シリコン半導体層Sの積層体を形成する方法としては、CVD法などにより絶縁膜の上層にポリシリコンなどの半導体層を堆積させる方法のほか、絶縁膜と半導体層を張り合わせる方法、SIMOX法などの半導体層に対してイオン注入により絶縁膜を形成する方法、及びエピタキシャル成長により絶縁膜上に半導体層を形成する方法などを用いることができる。
【0039】
上記の半導体装置の製造方法によれば、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができるSOI構造を有し、また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、さらにゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能で装置の微細化、高集積化に有利な電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0040】
実施例1
図7は、本実施例の半導体装置の断面図である。絶縁性基板Iの上層にp型シリコン半導体層Sを有する半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域を有する。その活性領域に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30が埋め込まれている。ゲート電極30の両側部にはゲート絶縁膜20よりも厚膜の例えば酸化シリコンからなる第1絶縁膜21を有しており、さらにその両側部にn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はp型シリコン半導体層Sの活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30とほぼ同じである。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。
【0041】
さらに、本実施例の半導体装置は、ゲート電極30の下方のチャネル形成領域(p型シリコン半導体層)の下層に例えば酸化シリコンからなる下側ゲート絶縁膜20’を有し、さらにその下層に例えばポリシリコンからなる下側ゲート電極30’を有し、下側ゲート電極30’の両側部にゲート絶縁膜20’よりも厚膜の例えば酸化シリコンからなる下側第1絶縁膜21’を有しており、さらにその両側部にn型不純物を高濃度に含有するチャネル形成領域に接続する下側ソース・ドレイン拡散層12’を有している。
【0042】
上記の本実施例の半導体装置は、上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有する。上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持つなど、動作の制御がしやすいトランジスタとすることができる。
【0043】
さらに、本実施例の半導体装置は、絶縁膜の上層に半導体層を有するSOI構造を有しており、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができる。また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制できる電界効果トランジスタを有する半導体装置である。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置である。
【0044】
上記の本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図8(a)に示すように、参考例1の半導体装置を製造する方法と同様の方法で、p型シリコン半導体層S中に下側ゲート電極30’、下側ゲート絶縁膜20’、下側第1絶縁膜21’、及びn型不純物を高濃度に含有する下側ソース・ドレイン拡散層12’を形成し、p型シリコン半導体層Sに埋め込まれた下側の電界効果トランジスタを形成する。次に電界効果トランジスタを形成した表面を例えばCMP法などにより研磨し、平坦化する。
【0045】
次に、図8(b)に示すように、上記の電界効果トランジスタを形成した表面を被覆するようにして絶縁性基板Iを密着させた状態で熱処理により融着させ、SOI構造を形成する。次に、p型シリコン半導体層Sの膜厚が所望の厚さとなるようにp型シリコン半導体層Sの表面からCMP法などの研磨を行うか、あるいはエッチバックすることで薄膜化する。
【0046】
次に、絶縁性基板Iを張り合わせた面とは反対側のp型シリコン半導体層Sの表面に、参考例1の半導体装置の製造方法と同様の方法で、p型シリコン半導体層S中にゲート電極30、ゲート絶縁膜20、第1絶縁膜21、及びn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を形成し、先に形成した下側の電界効果トランジスタの下側ゲート電極30’とゲート電極30が対向する位置になるようにp型シリコン半導体層Sに埋め込まれた電界効果トランジスタを形成し、図7に示す半導体装置を形成する。
【0047】
上記の半導体装置の製造方法によれば、上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有する。上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持つなど、動作の制御がしやすいトランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができるSOI構造を有し、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0048】
実施例2
図9は、本実施例の半導体装置の断面図である。絶縁性基板Iの上層にp型シリコン半導体層Sを有する半導体基板10上に基板に対して図示しないLOCOS素子分離膜で区切られた領域を有する。その活性領域に例えば酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜20により囲まれた、例えばポリシリコンよりなるゲート電極30が埋め込まれている。ゲート電極30の両側部にn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を有する。ソース・ドレイン拡散層12はp型シリコン半導体層Sの活性領域に接続しており、その膜厚はゲート電極30よりも薄く形成されている。ゲート電極30、ソース・ドレイン拡散層12及び半導体基板10の表面はほぼ同じ高さにあり、平坦化されている。
【0049】
さらに、本実施例の半導体装置は、ゲート電極30の下方のチャネル形成領域(p型シリコン半導体層)の下層に例えば酸化シリコンからなる下側ゲート絶縁膜20’を有し、さらに下側ゲート絶縁膜20’の下層に例えばポリシリコンからなる下側ゲート電極30’を有し、下側ゲート電極30’の両側部にn型不純物を高濃度に含有するチャネル形成領域に接続する下側ソース・ドレイン拡散層12’を有している。
【0050】
上記の本実施例の半導体装置は、上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有し、上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持つなど、動作の制御がしやすいトランジスタとすることができる。また、絶縁膜の上層に半導体層を有するSOI構造を有しており、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができる。また、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、さらにゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能で装置の微細化、高集積化に有利な電界効果トランジスタを有する半導体装置である。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置である。
【0051】
上記の本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図10(a)に示すように、絶縁性基板Iの上層に例えばCVD法によりポリシリコン層を堆積させ、パターニングして下側ゲート電極30’を形成する。次に、例えば熱酸化などにより下側ゲート電極を被覆して酸化シリコンよりなる下側ゲート絶縁膜20’を形成する。次に、例えばポリシリコンを全面にCVD法により堆積し、エッチングによりパターニングして、n型不純物を高濃度に含有する下側ソース・ドレイン拡散層12’を形成し、絶縁性基板Iの上層に下側の電界効果トランジスタを形成する。
【0052】
次に、図10(b)に示すように、上記の電界効果トランジスタを被覆して全面に例えばCVD法によりp型不純物を含有するポリシリコン堆積させ、p型シリコン半導体層Sを形成し、SOI構造とする。エピタキシャル成長によりp型シリコン半導体層を形成することもできる。次に、p型シリコン半導体層Sの表面からCMP法などの研磨を行うか、あるいはエッチバックし、p型シリコン半導体層Sを所望の膜厚とする。
【0053】
次に、堆積したp型シリコン半導体層Sの上層に、参考例2の半導体装置の製造方法と同様の方法で、p型シリコン半導体層S中にゲート電極30、ゲート絶縁膜20、及びn型不純物を高濃度に含有するソース・ドレイン拡散層12を形成する。このとき、先に形成した下側の電界効果トランジスタの下側ゲート電極30’とゲート電極30が対向する位置になるように、p型シリコン半導体層Sに埋め込まれた電界効果トランジスタを形成して、図9に示す半導体装置を形成する。
【0054】
上記の半導体装置の製造方法によれば、上下に対をなすダブルゲート構造の電界効果トランジスタを有する。上部にあるゲート電極と下側ゲート電極とでドレイン電流の変化分と定常分をそれぞれ受け持つなど、動作の制御がしやすいトランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、デバイスの寄生容量を小さくすることなどが可能な完全素子分離構造とすることができるSOI構造を有し、接合の深さを浅くすることにより、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、さらにゲート電極の側面もチャネル形成領域とすることができるので、ゲート長が短い構造のトランジスタにおいても有効チャネル長を長くとることが可能で装置の微細化、高集積化に有利な電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、リソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【0055】
また、本発明の半導体装置をTFT構造に適用する場合には、絶縁膜上にアモルファスシリコン層あるいはポリシリコン層などを形成する通常のTFT構造の場合に適用することができる。その他、本発明の半導体装置及びその製造方法は、電界効果トランジスタを有する半導体装置であればなんでも適用でき、例えばDRAM、FRAM、ROMなどの半導体記憶装置、あるいはロジックA/Dコンバータなどの半導体装置やその他の半導体装置に適用することができる。
【0056】
本発明の半導体装置及びその製造方法は、上記の実施形態に限定されない。例えば、本実施例ではnチャネル電界効果トランジスタ構造を有する半導体装置について説明しているが、p基板あるいはpウェルのかわりにn基板あるいはp基板中のnウェル中に形成してにpチャネル型電界効果トランジスタ構造にしてもよい。nチャネル型トランジスタ構造の半導体装置とpチャネル型トランジスタ構造の半導体装置ではn型不純物とp型不純物を入れ替えれば良い。また、ソース・ドレイン領域としては、シリコン半導体層に導電性不純物を拡散した拡散層のほか、金属電極なども使用することができる。
【0057】
また、ゲート電極及びダブルゲート構造の際の下側ゲート電極は単層構造としているが、ポリサイドなどの2層以上としてよい。また、本実施形態では、シリコン半導体について、実施例の構造及びその製造方法を示したが、同様に、ゲルマニウムや化合物半導体にも適用が可能である。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【0058】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、接合の深さを浅くすることで、あるゲート長以下になると急激に閾値電圧が低下するロールオフを抑制でき、ゲート長を短縮化したときの閾値電圧の変動を抑制できるので、ゲート長の短い領域まで使用することが可能である電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。また、ゲート電極とソース・ドレイン電極取り出し口の高さを揃えることでリソグラフィーに対するデフォーカスのマージンを減らすことが可能な平坦性を有する電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の参考例1の半導体装置の断面図である。
【図2】 図2は本発明の参考例1の半導体装置の製造方法を示す断面図であり、(a)はウェルの形成工程まで、(b)はトレンチの形成工程まで、(c)はゲート絶縁膜の形成工程までを示す。
【図3】 図3は図2の続きの工程を示し、(d)は第1絶縁膜の形成工程まで、(e)はゲート電極の形成工程までを示す。
【図4】 図4は本発明の参考例2の半導体装置の断面図である。
【図5】 図5は本発明の参考例3の半導体装置の断面図である。
【図6】 図6は本発明の参考例4の半導体装置の断面図である。
【図7】 図7は本発明の実施例1の半導体装置の断面図である。
【図8】 図8は本発明の実施例1の半導体装置の製造方法を示す断面図であり、(a)は下側の電界効果トランジスタの形成工程まで、(b)は絶縁膜と半導体層を張り合わせる工程までを示す。
【図9】 図9は本発明の実施例2の半導体装置の断面図である。
【図10】 図10は本発明の実施例2の半導体装置の製造方法を示す断面図であり、(a)は下側の電界効果トランジスタの形成工程まで、(b)は半導体層の形成工程までを示す。
【図11】 図11は従来例の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
10…半導体基板、11…ウェル、12…ソース・ドレイン拡散層、12’…下側ソース・ドレイン拡散層、20…ゲート絶縁膜、20’…下側ゲート絶縁膜、21…第1絶縁膜、21’…下側第1絶縁膜、22…第2絶縁膜、30…ゲート電極、30’…下側ゲート電極、T…ゲート用トレンチ、G…ゲート電極取り出し口、SD…ソース・ドレイン電極取り出し口、I…絶縁性基板、S…半導体層。
Claims (3)
- 半導体層にトレンチ状の下側ゲート電極用凹部を形成する工程と、
前記下側ゲート電極用凹部の内壁表面に下側ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記下側ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んで下側ゲート電極を形成する工程と、
前記下側ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記下側ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有する下側ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体層の下側ゲート電極を形成した面上に絶縁膜を形成して半導体基板とする工程と、
前記半導体層の前記絶縁膜を形成した面とは反対側の面の前記下側ゲート電極と対向する位置にトレンチ状のゲート電極用凹部を形成する工程と、
前記ゲート電極用凹部の内壁表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んでゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有するソース・ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記下側ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んで下側ゲート電極を形成する工程が、前記半導体基板の表面とほぼ同じ高さを有する下側ゲート電極を形成する工程を含む
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に下側ゲート電極を形成する工程と、
前記下側ゲート電極の上層に下側ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記下側ゲート電極の両側部に前記下側ゲート電極の膜厚とほぼ同じあるいはそれ以下の膜厚の下側ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記下側ゲート絶縁膜、及び前記下側ソース・ドレイン領域を被覆して全面に半導体層を形成して半導体基板とする工程と、
前記半導体層の前記絶縁膜と接していない面の前記下側ゲート電極と対向する位置にトレンチ状のゲート電極用凹部を形成する工程と、
前記ゲート電極用凹部の内壁表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極用凹部に導電体を埋め込んでゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側部の半導体基板中に前記ゲート電極の膜厚とほぼ同じもしくはそれ以下の膜厚を有するソース・ドレイン領域を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
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