CN107452507B - 超高压电容器总成 - Google Patents

超高压电容器总成 Download PDF

Info

Publication number
CN107452507B
CN107452507B CN201710312623.6A CN201710312623A CN107452507B CN 107452507 B CN107452507 B CN 107452507B CN 201710312623 A CN201710312623 A CN 201710312623A CN 107452507 B CN107452507 B CN 107452507B
Authority
CN
China
Prior art keywords
condenser assembly
capacitor
capacitor element
anode
assembly according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710312623.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107452507A (zh
Inventor
J·彼得日莱克
J·奈华德
M·比乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera AVX Components Co.,Ltd.
Original Assignee
AVX Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVX Corp filed Critical AVX Corp
Publication of CN107452507A publication Critical patent/CN107452507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107452507B publication Critical patent/CN107452507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/008—Terminals
    • H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/07—Dielectric layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/08—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • H01G9/153—Skin fibre

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

本发明提供了一种在超高压环境下使用的电容器总成。为有助于在高压下获得良好的性能，本发明控制了电容器总成的各个方面，包括电容器元件的数量，电容器元件排列的方式和电容器元件并入电容器总成的方式和电容器元件形成的方式。例如，电容器总成包括一个阳极端子和一个阴极端子，第一电容器元件的阳极导线与阳极端子电连接，第二电容器元件的阴极与阴极端子电连接。为有助于提高电容器总成的击穿电压性能，电容器元件之间以串联方式电连接，以使第二电容器元件的阳极导线通过导电构件与第一电容器元件的阴极电连接。

Description

超高压电容器总成
技术领域
本发明涉及电解电容器领域，具体涉及超高压电容器总成。
背景技术
固体电解电容器(如钽电容器)在电子电路的微型化方面成为了一个主要的贡献者，并使此类电路在极端环境的应用成为可能。传统的固体电解电容器通过将金属粉末(如钽)按压于金属导线的周围，烧结按压的部分，接着将烧结的阳极进行阳极氧化处理，之后应用固态电解质。由于导电聚合物具有有益的低等效串联电阻(“ESR”)和“不可燃/不着火”的失效模式，本质上其通常被用作固态电解质。这种电解质可在催化剂和掺杂剂存在时，通过单体的原位聚合反应而形成。或者，使用预先准备好的导电聚合物泥浆。不管它们是如何形成的，导电聚合物电解质的一个缺点是质地比较软，这有时会导致其在电容器的形成过程中或在操作过程中从电介质中分层。此外，在非常高的电压应用程序中，介电层的质量可能会导致部分失效。例如，高压电源配电系统传输高电压到达电容器，这个电容器可以引起励磁涌流或冲击电流，特别是在快速接通或在电流尖脉冲运作期间。电容器可成功抵挡(不失效)的冲击电流峰值在某种程度与电介质的质量有关。因为，相对于临近的较厚区域，较薄区域的电阻较小，在薄区域消耗的功率通常也较大，因此，当使用冲击电流时，这些薄区域会发展成弱“热点”，这些热点最终会引起电介质的退化和击穿。
因此，目前需要一种在非常高的电压环境下具有优异性能的固体电解电容器。
发明内容
根据本发明的一个实施例，公开了一种电容器总成，包括第一电容器元件和第二电容器元件，其均含有烧结多孔的阳极本体，覆盖于阳极本体上的介电层，覆盖于介电层上的固态电解质，该固态电解质包括导电聚合物。第一阳极导线和第二阳极导线分别从第一电容器元件和第二电容器元件伸出。一个连接构件将第一电容器元件的固态电解质电连接至第二电容器元件的阳极导线。这个电容器总成也包括外壳，外壳设有内部空腔，第一电容器元件和第二电容器元件位于并气密性密封于内部空腔内，在内部空腔内设有一个含有惰性气体的气体气氛。进一步的，一阳极端子电连接于第一电容器元件的第一阳级导线，一阴极端子电连接于第二电容器元件的固态电解质。
本发明的其它特点和方面将在下文进行更详细的说明。
附图说明
参考所附附图，本发明的完整和实施公开，包括对于本领域技术人员而言的最佳实施例，将在本说明书的余下部分进行更具体的描述，其中：
图1是本发明电容器总成一个实施例的俯视图。
图2是本发明电容器总成另一个实施例的俯视图。
在本发明说明书和附图中，重复使用参考符号用于表示本发明相同或类似的特点或元件。
具体实施方式
本领域技术人员因当了解，这里的讨论仅仅是本发明的示范性实施例的描述，并不是试图对本发明更广的保护范围进行限制，该更广的保护范围在示范性实施例中得到体现。
总体来说，本发明涉及一种在超高电压环境下(如额定电压为大约600V或更高)使用的电容器总成。为有助于在如此高的电压下获得优异的性能，本发明控制了电容器总成的各个方面，包括电容器元件的数量、电容器的元件的排列方式和电容器元件并入电容器总成的方式和电容器元件形成的方式。例如，电容器总成包括一个阳极端子和一个阴极端子，第一电容器元件的阳极导线与阳极端子电连接，第二电容器元件的阴极(如固态电解质)与阴极端子电连接。为有助于提高电容器总成的击穿电压性能，电容器元件之间以串联方式电连接，以使第二电容器元件的阳极导线通过导电构件与第一电容器元件的阴极(例如固态电解质)电连接，导电构件可能由单一组分或多重组分构成。除了以一定方式电连接，电容器元件被封装并密封于含有惰性气体的气体气氛的外壳里，从而限制了供应到电容器元件的固态电解质的氧气和水分含量。
下面将更为详细地说明本发明的各种实施例。
I.电容器元件
A.阳极
电容器元件的阳极通常由阀金属复合物组成。复合物的荷质比是可变的，比如，荷质比是大约2,000μF*V/g至大约150,000μF*V/g，在一些实施例中，荷质比是大约3,000μF*V/g至大约70,000μF*V/g或更高，在一些实施例中，荷质比是大约4,000至50,000μF*V/g。正如本领域所熟知的，荷质比可以通过将电容乘以所使用的阳极氧化电压，然后，将此乘积除以阳极氧化电极体的重量确定。
阀金属复合物通常包括一种阀金属(即能够氧化的金属)，或基于阀金属的化合物，比如钽、铌、铝、铪、钛金属及它们各自的合金、氧化物、氮化物等。比如，阀金属复合物可以包含铌导电氧化物，如铌氧原子比为1:1.0±1.0的铌氧化物，在一些实施例中，铌氧原子比为1:1.0±0.3，在一些实施例中，铌氧原子比为1:1.0±0.1，在一些实施例中，铌氧原子比为1:1.0±0.05。铌氧化物可为NbO0.7、NbO1.0、NbO1.1和NbO2。此种阀金属氧化物的实例在Fife的专利号为6322912的美国专利、Fife等人的专利号为6391275的美国专利、Fife等人的专利号为6416730的美国专利、Fife的专利号为6527937的美国专利、Kimmel等人的专利号为6576099的美国专利、Fife等人的专利号为6592740的美国专利，Kimmel等人的专利号为7220397的美国专利中有描述。同样的，在Schnitter的专利公开号为2005/0019581的美国专利、在Schnitter等人的专利公开号为2005/0103638的美国专利、Thomas等人的专利公开号为2005/0013765的美国专利也有描述。
通常采用阀金属复合物粉末制成阳极本体。这种粉末可以包含各种各样形状的颗粒，比如结节状、角状、薄片状等，也可以是它们的混合物。在一个详细的实施例中，这些颗粒可为片状形态，它们为相对平坦或薄片的形状。这样的颗粒可在外表面和阳极内部之间形成一条短的传输线，也形成了一条高连续和密集的“导线至阳极”的具有高导电性的连接。除此之外，这有助于提高击穿电压(电容器失效的电压)，有助于降低等效串联电阻(“ESR”)。粒子也可以增大阳极在高压氧化时的荷质比，从而提高能量密度。使用时，薄片状的颗粒通常是扁平的。扁平的程度通常采用“纵横比”来定义，也就是颗粒的平均直径或宽度除以平均厚度(D/T)。比如，颗粒的纵横比是大约2至大约100，在一些实施例中，纵横比是大约3至大约50，在一些实施例中，纵横比是大约4至大约30。颗粒的比表面积为大约0.5m2/g至大约10.0m2/g，在一些实施例中，比表面积为大约0.7m2/g至大约5.0m2/g，在一些实施例中，比表面积为大约1.0m2/g至4.0m2/g。术语“比表面积”通常是指依据《美国化学会志》1938年第60卷309页上记载的Bruanauer、Emmet和Teller发表的物理气体吸附法(BET)测定的表面积，吸附气体为氮气惰性气体。可采用纽约塞奥塞特的QUANTACHROME公司的比表面积分析仪进行测试。该分析仪通过感应通过的被吸附物和惰性气体(如氦气)混合物的热导率变化来测定被吸附于固体表面上的氮气的量。
体积密度(也称为斯科特密度)也通常为大约0.1克每立方厘米(g/cm3)至大约2克每立方厘米(g/cm3)，在一些实施例中，体积密度为大约0.2g/cm3至大约1.5g/cm3，在一些实施例中，体积密度为大约0.4g/cm3至大约1g/cm3。体积密度可采用流量计漏斗和密度杯来测定。更具体地说，将粉末样品倒入漏斗进入杯子，直到样品完全填满杯子并溢出杯子的边缘，然后用小铲将样品整平至没有突兀，使沙子与杯子的顶部齐平。将平整的样品转移至一个天平，称量至最接近0.1克以确定密度值大小。这个仪器可从新泽西伊丽莎白的AlcanAluminum公司购买。颗粒的平均尺寸(如宽度)为大约0.1微米至大约100微米，在一些实施例中，为大约0.5微米至大约70微米，在一些实施例中，为大约1微米至50微米。
粉末也可以包括某些附加的组分。例如，将粉末与粘结剂和/或润滑剂任意地混合，以确保颗粒在挤压形成阳极本体时彼此充分粘合。所得粉末可使用任何常规粉末压制设备压实而形成颗粒。可将粉末按压于阳极导线(如钽线)的周围。应该进一步领会的是，阳极本体经过按压和/或烧结后，阳极导线可选择性地连接(如焊接)于阳极本体上。
经过压紧之后，所获得的阳极本体可切成各种所需要的形状，如正方形、长方形、圆形、椭圆形、三角形、六角形、八角形、七边形,五角形等。阳极本体也可为凹槽形状，由于它含有一个或多个沟纹、细槽、凹陷或缺口，可以增加比表面积，从而将电容器的ESR最小化和扩大电容器的响应频率。将阳极本体进行加热，即使不是全部，大部分的胶黏剂/润滑剂将被脱除。例如，阳极本体通常采用温度为大约150℃至大约500℃的火炉加热。或者，也可通过将小球与水溶液接触，将胶黏剂和润滑剂脱除，如Bishop等人的专利号为6197252的美国专利所描述的。此后，将多孔本体烧结形成完整的块状。烧结的温度、气氛和时间取决于各种各样的因素，比如，阳极的种类、阳极的尺寸等。通常，烧结发生的温度是大约800℃至大约1900℃，在一些实施方式中，温度是大约1000℃至大约1500℃，在一些实施方式中，温度是大约1100℃至大约1400℃，烧结的时间是大约5min至大约100min，在一些实施方式中，烧结的时间是大约30min至大约60min。如果需要，烧结可在限制氧原子向阳极转移的气氛中进行。例如，烧结可在还原性气氛中发生，比如，真空、惰性气体、氢气等。还原性气氛的压力大约是10托尔至大约2000托尔，在一些实施例中，压力大约是100托尔至大约1000托尔，在一些实施例中，压力大约是100托尔至大约930托尔。也可使用氢气和其它气体(如氩气或氮气)的混合物。
所获得阳极的碳和氧的含量相对比较低。例如，阳极的碳含量不超过大约50ppm，在一些实施例中，阳极的碳含量不超过大约10ppm。同样的，阳极的氧含量不超过大约3500ppm，在一些实施例中，阳极的氧含量不超过3000ppm，在一些实施例中，阳极的氧含量大约是500ppm至大约2500ppm。氧含量可采用LECO氧气分析仪测定，包括钽表面上的天然氧化物中的氧和在钽粒子中的体相氧。体相氧含量由钽的晶格周期所控制，其随着钽中氧含量的增加而线性增加，直到达到溶解极限。这个方法在Pozdeev-Freeman等人1988年发表于电子材料科学杂志第309页至311页上的《固体钽电容器的多孔阳极的临界氧含量》文章(Critical Oxygen Content In Porous Anodes Of Solid Tantalum Capacitors",Pozdeev-Freeman et al.,Journal of Materials Science:Materials In Electronics9,(1998)309-311)中有所描述，其中，采用X射线衍射分析法(XRDA)测定了钽的晶格周期。在烧结的钽阳极中，氧被限制在较薄的天然表面氧化物上，而钽的体相中几乎不含氧。
如上所述，一个阳极导线可连接于在轴向方面上延伸的阳极本体。阳极导线可为线状、薄片状等，可由由阀金属化合物组成，比如，钽、铌、铌氧化物等。导线的连接方式可使用已知的方法实现，比如，通过焊接将导线连接于本体上，或在形成过程中(如压实和/或烧结之前)将导线植入阳极本体中。
B.电介质
电介质覆盖或套住阳极本体。电介质是通过将烧结的阳极本体进行阳极氧化(“阳极化处理”)，从而在阳极本体的表面和/或内部形成一层介电层而形成的。例如，钽阳极本体经阳极氧化得到五氧化二钽(Ta2O5)。通常，阳极氧化首先是在阳极上涂覆一种溶液，例如，将阳极本体浸渍于电解质中。通常需要使用溶剂，比如水(如去离子水)。为了提高离子电导率，可以采用在溶剂中能够离解形成离子的化合物。此类化合物的实例包括，例如，酸，如下文电解质一节所述。例如，一种酸(如磷酸)占阳极氧化溶液的质量分数为大约0.01wt.％至大约5wt.％，在一些实施例中，为大约0.05wt.％至大约0.8wt.％，在一些实施例中，为大约0.1wt.％至大约0.5wt.％。如果需要，也可使用酸的混合物。
电流穿过阳极氧化溶液形成介电层。形成电压值决定介电层的厚度。例如，最初，将电源设定为恒电流模式，直到达到所需要的电压。此后，将电源转换成恒电势模式以确保所需要的介电层厚度形成于阳极本体的整个表面。当然，也可以采用其他已知的方法，比如脉冲法或阶跃恒电位法。发生阳极氧化的电压通常为大约4V至大约250V，在一些实施例中，电压为大约9V至大约200V，在一些实施例中，大约为20V至大约150V。在氧化过程中，阳极氧化溶液可以保持在升高的温度下，比如30℃或更高，在一些实施例中，温度是大约40℃至大约200℃，在一些实施例中，温度是大约50℃至大约100℃。阳极氧化也可以在室温下或更低的温度下发生。所得到的介电层会形成于阳极本体的表面或其孔内。
C.固态电解质
如上所述，固态电解质覆盖于电介质上，电介质通常作为电容器的阴极。固态电解质包含一种导电聚合物，这种导电聚合物通常为π-共轭，且氧化或还原后具有至少1μS/cm的导电率。此类π-共轭导电聚合物的实例包括，例如，聚杂环类(如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等)，聚乙炔、聚-对苯撑、聚苯酚盐等。在一个实施例中，例如，该聚合物为取代聚噻吩，具有下列结构通式的聚合物。
其中，T为O或者S；
D是任选取代的C1至C5的烯烃基(如亚甲基、乙烯基、正丙烯基，正丁烯基，正戊烯基等)；
R7为线性或支链的任选取代的C1至C18烷基(如甲基、乙基、正丙基或异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基、正十八烷基等)；任选取代的C5至C12环烷基(如环戊基、环己基、环庚基、环壬基、环癸基等)；任选取代的C6至C14芳基(如苯基、萘基等)；任选取代的C7至C18芳烷基(如，苄基，邻、间、对-甲苯基，2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-二甲苯基，三甲苯基等)；任选取代的C1至C4的烃烷基或烃基；及
q是从0到8的整数，在一些实施例中，是从0到2的整数，在一些实施例中，是0；及
n是2至5000，在一些实施例中，是4至2000，在一些实施例中，是5到1000。D或R7的取代基实例包括，例如，烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、卤素、醚、硫醚、二硫化物、亚砜、砜、磺酸酯、氨基、醛、酮、羧酸酯、羧酸、碳酸酯、羧酸盐、氰基、烷基硅烷、烷氧基硅烷基和羧酰胺基等。
特别适合的噻吩聚合物是“D”中为任意取代的C2至C3烯烃基的噻吩聚合物。比如，聚合物可为具有以下结构通式的任选取代的聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)：
如上所述的形成导电聚合物的方法是该领域中所熟知的方法。例如Merker等人的专利号为6987663的美国专利描述了由单体前体形成取代聚噻吩的各种技术。例如，单体前体有以下的结构：
其中，T、D、R7和q的定义如上文所述。特别适合的噻吩单体是“D”为可任意取代的C2至C3烯烃基的噻吩单体。例如，可采用具有以下通用结构式的任意取代3,4-烯烃二氧噻吩：
其中，R7和q的定义如上文所述。在一个具体的实施例中，q为0。一种商业上适用的3,4-乙烯基二氧噻吩的例子是Heraeus Clevios以CleviosTMM.名称销售的产品。其他合适的单体在Blohm等人的专利号为5111327的美国专利和Groenendaal等人的专利号为6635729的美国专利中有描述。也可以使用这些单体的衍生物，比如，这些单体的二聚体或者三聚体。分子量更高的衍生物，如单体的四聚体、五聚体等也适用于本发明。这些衍生物可由相同的或不同的单体单元组成，可以以纯态形式使用及另一种衍生物和/或另一种单体的混合物的形式使用。也可使用这些单体前体的氧化形式或还原形式。
可以采用各种方法形成导电聚合物层。例如，原位聚合层可在氧化催化剂的存在下，由单体的化学聚合反应形成。氧化催化剂通常包括过渡金属阳离子，如铁(III)、铜(II)、铬(VI)、铈(IV)、锰(IV)、锰(VII)、钌(III)阳离子等。为了给导电聚合物提供大量的电子和稳定聚合物的导电性，可使用掺杂剂。掺杂剂通常包括有机或无机阴离子，如磺酸离子。在某些实施例中，氧化催化剂兼具有催化作用和掺杂作用，因为它包括阳离子(如过渡金属)和阴离子(如磺酸)。例如，氧化催化剂可以是过渡金属盐，包括铁(III)离子，如卤化铁(III)(如FeCl3)或其它无机酸的铁(III)盐，如Fe(ClO4)3或Fe2(SO4)3和有机酸铁(III)盐和含有有机基的无机酸的铁(III)盐。含有有机基团的无机酸的铁(III)盐实例包括，例如，C1至C20烷醇的硫酸单酯铁(III)盐(如月桂基硫酸铁(III)盐)。同样的，有机酸的铁(III)盐的例子包括，例如，C1至C20烷基磺酸铁(III)盐(如甲烷磺酸、乙烷磺酸、丙烷磺酸、丁烷磺酸或十二烷基磺酸)；脂肪族全氟磺酸铁(III)盐(如三氟甲烷磺酸，全氟丁烷磺酸或全氟辛烷磺酸)；脂肪族C1至C20羧酸铁(III)盐(如2-乙基己基羧酸)；脂肪族全氟羧酸铁(III)盐(如三氟乙酸或全氟辛酸)；任选的被C1至C20烷基取代的芳香族磺酸铁(III)盐(如苯磺酸、邻-甲苯磺酸、对-甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸)；环烷烃磺酸铁(III)盐(如樟脑磺酸)等。也可以使用上文所提到的铁(III)盐的混合物。对-甲苯磺酸铁(III)和邻-甲苯磺酸铁(III)以及它们的混合物尤为合适。商业上适用的对-甲苯磺酸铁(III)盐是Heraeus Clevios以CleviosTMC名称销售的产品。
氧化催化剂和单体可以依次或共同使用而引发聚合反应。使用这些组件的合适涂装技术包括丝网印刷、浸渍、电泳涂覆、喷涂。例如，单体最初可以与氧化催化剂混合，以形成前体溶液。混合物一旦形成，可将其涂覆于阳极部件，让其聚合，从而在外表面上形成导电涂层。或者，氧化催化剂和单体可顺序涂覆。在一些实施例中，例如，将氧化催化剂溶解于有机溶液中(如丁醇)，以浸渍溶液的形式涂覆，将阳极部件干燥，以脱除溶剂。此后，将阳极部件浸入含有单体的溶液中。聚合反应发生的温度通为大约-10℃至大约250℃，在一些实施例中，温度为大约0℃至大约200℃，这取决于所使用的氧化剂和所需要的反应时间。如上所述的合适的聚合反应方法，在Biler的专利号为7515396的美国专利中有更详细的描述。应用这种导电涂层的其他方法，在Sakata等人的专利号分别为5457862、5473503、5729428的美国专利和Kudoh等人的专利号为5812367的美国专利中有描述。
除了原位聚合,导电聚合物固态电解质也可以以导电聚合物颗粒的分散系的形式应用。采用分散系形式的一个好处是，它可以将原位聚合过程中产生的离子种类(如Fe2+或Fe3+)的存在最少化，这些离子可以引起由于离子迁移而产生的高电场下的介质击穿。因此,与原位聚合相比，采用导电聚合物的分散系形式所得的电容器具有相对较高的击穿电压。为使阳极获得优良的浸渍效果，使用于分散系形式中的颗粒通常有微小的尺寸，例如平均尺寸(如直径)大约为1纳米至大约150纳米米，在一些实施例中，大约为2纳米至大约50纳米，在一些实施例中，大约为5纳米至40纳米。颗粒的直径可用所熟知的方法来测定，如超速离心法、激光衍射法等。颗粒的形状也同样可以是多样化的。在一个具体的实施例中，例如，颗粒的形状为球形。然而，应该理解为，本发明也适用于其他形状，如板状、棒状、盘状、条状、管状、不规则形状等。分散系中颗粒的浓度变化取决于分散系所需要的粘度和电容器所使用的分散系的特定方式。通常来说，颗粒占分散体的质量分数大约为0.1wt.％至大约10wt.％，在一些实施例中，大约为0.4wt.％至大约5wt.％，在一些实施例中，大约为0.5wt.％至大约4wt.％。
分散系通常也包含一种可提高颗粒的稳定性的平衡离子。就是说，导电聚合物(如聚噻吩或它的衍生物)的主要高分子链上通常有一个电荷，高分子链为中性的或阳性的(阳离子的)。例如，聚噻吩衍生物的主要分子链上通常带有一个正电荷。在某些情况下,聚合物的结构单元可能有正电荷和负电荷，正电荷位于主链上，负电荷可选的位于“R”基团的取代基上，如磺酸基和羧基。主链上的正电荷可被R基上的可选地存在的阴离子基团部分或完全饱和。综上所述，在这种情况下，聚噻吩可能为阳性、中性或甚至为阴性。然而，聚噻吩均被认为是阳性的，因为聚噻吩的主要分子链上有一个正电荷。
平衡离子是可以中和导电聚合物上的电荷的单体阴离子或聚合阴离子。例如，平衡离子可是聚羧酸的阴离子(如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚马来酸等)、聚磺酸(如苯乙烯磺酸(PSS)、聚乙烯基磺酸等)等。酸也可以是共聚物的酸,如含有其它可聚合单体的乙烯基羧酸和乙烯基磺酸的共聚物，如丙烯酸酯、苯乙烯等。同样的，合适的单体阴离子包括，如C1至C20烷基磺酸阴离子(如十二烷磺酸)；脂肪族全氟磺酸(如三氟甲烷磺酸、全氟丁烷磺酸、全氟辛烷磺酸)；脂肪族C1至C20羧酸(如2-乙基-己基羧酸)；脂肪族全氟羧酸(如三氟乙酸或全氟辛酸)；任选的被C1至C20烷基取代的芳香族磺酸(如苯磺酸、邻-甲苯磺酸、对-甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸)；环烷烃磺酸(如樟脑磺酸、四氟硼酸、六氟磷酸、高氯酸、六氟锑酸、六氟砷酸或六氯锑酸)等等。尤为合适的平衡离子是聚合阴离子，比如，聚合羧酸或聚合磺酸(如聚苯乙烯磺酸(“PSS”))。这些聚合阴离子的分子质量通常为大约1000至大约2000000，在一些实施例中，大约为2000至大约500000。
使用时,这种平衡离子与分散系和所得介电层中的导电聚合物的质量比通常大约为0.5:1至大约50:1，在一些实施例中，大约为1:1至大约30:1，在一些实施例中，大约为2:1至20:1。假设聚合反应过程中发生了完全转化，导电聚合物的重量对应于上述所提及的重量比例，是指在所使用的单体的计重部分。除了导电聚合物和平衡离子之外，分散系也包含一种或多种粘结剂、分散剂、填充剂、粘合剂、交联剂等等。
聚合的分散系可以应用于各种已知的技术，比如旋转涂覆、浸注、浇注、滴式应用、注射、喷涂、刮片、刷涂、印刷(如喷墨印刷、丝网印刷、移印)或浸渍。尽管分散系的粘度变化取决于所使用的技术，分散系的粘度通常大约为0.1mPas至大约100000mPas(在剪切率为100s-1时测定)，在一些实施例中，大约为1mPas至大约10000mPas，在一些实施例中，大约为10mPas至大约1500mPas，在一些实施例中，大约为100mPas至大约1000mPas。介电层一旦使用，将会被干燥或洗涤。一个或多个附加介电层也会以这样方式形成，以获得所需要的厚度。通常，在这种颗粒分散系下形成的介电层的总厚度大约为1μm至大约50μm,在一些实施例中，大约为5μm至20μm。平衡离子与导电聚合物的质量比同样大约为0.5:1至大约50:1，在一些实施例中,大约为1:1至大约30:1，在一些实施例中,大约为2:1至大约20:1。
若需要，固体电介质也包括一种羟基非离子聚合物。术语“羟基”通常指至少含有一个羟基官能团或在溶剂存在时能够具有此类官能团的化合物。不受限于理论，有人认为羟基非离子聚合物可以提高导电聚合物和内部电介质表面的接触程度，作为较高形成电压的结果，内部电介质表面在本质上通常相对平滑。这意外地提高了所得电容器的击穿电压和湿-干电容。此外，有人认为，具有一定分子质量的羟基聚合物的使用也可以将高压下化学分解的可能性最小化。例如，羟基聚合物的分子质量大约为100克每摩尔(g/mol)至10000g/mol，在一些实施例中，大约为200g/mol至2000g/mol，在一些实施例中，大约为300g/mol至大约1200g/mol，在一些实施例中，大约为400g/mol至大约800g/mol。
各种羟基非离子聚合物通常用于此目的。在一些实施例中，例如，羟基聚合物为聚烯烃基醚。聚烯烃基醚包括聚烯烃基乙二醇(如聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚环氧氯丙烷等)，聚氧杂环丁烷、聚苯醚、聚醚酮等等。聚烯烃基醚通常主要是线性的,含末端羟基的非离子聚合物。通常适用的为聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇(聚四氢呋喃)，由环氧乙烷、环氧丙烯、四氢呋喃在水中经加聚反应而得。聚烯烃基醚由二醇或多元醇经缩聚作用而得。二醇组分可选择，特别是，饱和或不饱和,有支链或无支链，包含5到36个碳原子的脂肪族二羟基化合物或芳香族二羟基化合物，比如，戊基-1,5-二醇、己基-1,6-二醇、新戊二醇、双(羟甲基)环己烷、双酚A、二聚体二醇、氢化二聚二醇或所述的二醇的混合物。另外，多元醇通常使用于聚合反应，包括，如丙三醇、二聚丙三醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇或山梨醇。
除了上面所提及的这些，其它羟基非离子聚合物也适用于本发明。这类聚合物的一些实例包括，例如，乙氧基烷基酚、乙氧基或丙氧基C6至C24脂肪醇，通式为CH3-(CH2)10-16-(O-C2H4)1-25-OH的聚氧化乙烯二醇烷基醚(如八乙二醇十二烷基单醚和五甘醇单十二烷基醚)，通式为CH3-(CH2)10-16-(O-C3H6)1-25-OH的聚氧化亚丙基二醇烷基醚。通式为C8H17-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OH的聚氧化乙烯二醇辛基酚醚(如TritonTMX-100)，通式为C9H19-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OH的氧化乙烯二醇烷基酚醚(如壬苯醇醚-9)，C8至C24脂肪酸的聚氧乙烯二醇酯，如聚氧乙烯二醇山梨醇酐烃基酯(如聚氧乙烯(20)山梨醇酐月桂酸酯，聚氧乙烯(20)山梨醇酐棕榈酸酯，聚氧乙烯(20)山梨醇酐单硬脂酸酯、聚氧乙烯(20)山梨醇酐单油酸酯，PEG-20甲基葡萄糖二硬脂酸酯、PEG-20甲基葡萄糖倍半硬脂酸酯、PEG-80蓖麻油，PEG-20蓖麻油、PEG-3蓖麻油、PEG-600二油酸酯、PEG-400二油酸酯)，和聚氧乙烯烃基丙三醇酯(如聚氧乙烯-23甘油月桂酸盐和聚氧乙烯-20甘油硬脂酸盐)；C8-C24脂肪酸的聚乙二醇醚(如聚氧乙烯-10-十六烷基醚、聚氧乙烯-10-十八烷基醚、聚氧乙烯-20-十六烷基醚、聚氧乙烯-10-油烯基醚、聚氧乙烯-20-油烯基醚、聚氧乙烯-20-异十六烷基醚、聚氧乙烯-15-十三烷基醚、聚氧乙烯-6-十三烷基醚)；聚乙二醇和聚丙二醇的嵌段共聚物(如，Poloxamers)等等，也可以是它们的混合物。
羟基非离子聚合物可以以各种方式合并入固态电解质。在一些实施例中，比如，通过如上所述的方法(如原位聚合或预聚合颗粒分散系)，非离子聚合物可以简易地合并入所形成的任何导电聚合物中。然而，在其它实施例中，非离子聚合物可使用于最初聚合物层形成之后。D.外部聚合物涂层
尽管不要求，外部聚合物涂层可应用于阳极和覆盖于固态电解质上。如上面所详细描述的，外部聚合物涂层通常包含一个或多个形成于预聚合导电粒子分散系中的介电层。外部涂层可以进一步渗透进入电容器本体的边缘部分，以提高与电解质的附着力和引起更多的机械强度的部分，这可以降低等效串联电阻和泄漏电流。如果需要，可在外部聚合物涂层中添加交联剂，以提高粘附于固态电解质的程度。通常,交联剂在外部涂层所使用的分散系应用之前使用。例如，适合的交联剂在在以下有所描述，例如，Merker等人的公开号为2007/0064376的美国专利。这些交联剂包括，如胺类(二元胺、三元胺、低聚胺、多胺等)；多价金属阳离子，如Mg、Al、Ca、Fe、Cr、Mn、Ba、Ti、Co、Ni、Cu、Ru、Ce或Zn的盐类或者化合物、磷化合物、硫化合物等等。
E.电容器的其它部件
如果需要，电容器可以包含本领域中所熟知的其它介电层。例如，一种保护涂层可以任意形成于电介质和固态电解质中之间，这样的保护涂层可由相对绝缘的树脂材料(天然的或合成的)制成，如虫胶树脂。这些和其它保护涂层材料在Fife等人专利号为6674635的美国专利有更详细的描述。如果需要，这个部件也可以分别装配有碳层(如石墨)和银层。银涂层，例如，可作为可焊接导体、接触层、和/或电容器的电荷收集器。碳涂层可以限制银涂层和固态电解质的接触。这些涂层会覆盖一些或所有的固态电解质。
一般而言，电容器大体上不含树脂(如环氧树脂)，其在传统固体电容器中通常用于封装电容器元件。除此之外，电容器元件的封装可以引起电容器元件在极端环境下的不稳定性，例如高温(如大约175℃之上)和/或高压(如大约500V之上)。
II.外壳
如上所述，至少有两个电容器元件密封于外壳之内。密封通常在至少包含一种惰性的气体气氛存在时发生，以抑制固态电解质在使用过程中的氧化。惰性气体通常包括，例如，氮气、氦气、氩气、氙气、氖气、氪气、氡气等，也可以是它们的混合物。通常，外壳内大部分的气体为惰性气体，如惰性气体占总气体的质量分数大约为50wt.％至大约100wt.％，在一些实施例，大约为75wt.％至100wt.％，在一些实施例，大约为90wt.％至大约99wt.％。如果需要，也可以使用相对少量的非惰性气体，如二氧化碳、氧气、水蒸气等。然而，在这种情况下，非惰性气体占外壳内气体的质量分数通常为15wt.％或更少，在一些实施例，10wt.％或更少，在一些实施例，大约为5wt.％或更少，在一些实施例，大约为1wt.％或更少，在一些实施例，大约为0.01wt.％至大约1wt.％。例如，水分含量(按相对湿度计)大约为10％或更少，在一些实施例，大约为5％或更少，在一些实施例，大约为1％或更少，在一些实施例，大约为0.01％至大约5％。
各种不同的材料均可用于形成外壳，例如金属、塑料、陶瓷等。在一些实施例中，例如，外壳包括一层或多层金属，如钽、铌、铝、镍、铪、钛、铜、银、钢(如不锈钢)、它们的合金(如导电氧化物)，它们的复合物(具有导电氧化物的金属涂层)等。在另一些实施例中，外壳包括一层或多层陶瓷材料，如氮化铝、氧化铝、二氧化硅、氧化镁、氧化钙、玻璃等，也可以是它们的组合物。
电容器元件可以以各种不同的技术粘贴于外壳上。例如，尽管决不要求，电容器元件以端子形成于壳体外部为后续集成电路的方式粘贴在外壳上。端子的特定结构取决于预定的应用程序。在一个实施例中，例如，电容器总成经加工成形，使其表面可固定的，仍然具有机械强度。例如，一个电容器元件的阳极导线和另一个电容器元件的阴极电连接于外部，表面可固定的端子(如衬垫、板片、平板、框架等)可以贯穿整个外壳与电容器连接。端子的厚度或高度通常以电容器总成的厚度最小化为选择基准。例如，端子的厚度大约为0.05mm至大约1mm，在一些实施例中，大约为0.05mm至大约0.5mm，在一些实施例中，大约为0.1mm至大约0.2mm。如果需要,端子的表面可以镶上镍、银、金、锡等本领域众所周知的材料，以确保最后的部件可固定于电路板上。在一些具体的实施例中，端子分别镶上镍和银薄层，安装面也镀上了锡焊层。在另一些实施例中，在端子基底金属层(如铜合金)镀上薄的外金属层(如黄金)，以进一步提高电导率。
参阅图1，电容器总成10的一个具体的实施例显示了，电容器总成包括2个电容器元件，将在下文进行更详细的描述。更具体的，电容器总成10包括串联连接的第一电容器元件20a和第二电容器元件20b。在这个实施例中，电容器元件是对齐的，所以它们的主要表面位于一个水平位置上。也就是说，由它的宽度(X方向)和长度(Y方向)规定的电容器元件20a的主要表面与电容器元件20b的相应主要表面相邻。因此，主要表面通常是共面的。或者，可调整电容器元件使它们的主要表面不共面，但在某一个方向上相互垂直，如Z方向或X方向。当然，电容器元件不需要在相同的方向上延伸。
电容器总成10的外壳包括一个外壁23和两个相对的侧壁124和125，在两个相对的侧壁124和125之间形成一个空洞526，空洞526里含有电容器元件。外壁23和侧壁124和125由一层或多层如上所述的金属、塑料或陶瓷材料组成。由上所述，电容器总成还包括外部端子(图中未示出)，各自电容器元件的阳极导线和阴极与外部端子以串联方式电气性连接至该外部端子。将导电构件应用于外壳的内部孔洞内，以促进外部端子以机械稳定的方式形成。例如，再次参考图1，电容器总成10包括由第一部件67和第二部件65构成的第一导电构件62。第一部件67和第二部件65可为完整的片状或拼接起来的分散的片状，可直接拼接或通过额外的导电元件(如金属)拼接。在所阐述的实施例中，第二部件65位于一个平面内，这个平面通常平行于导线6a延伸的横向方向(如Y方向)。第一部件67是“垂直的”，即它位于一个通常平行于导线6a延伸的横向方向的平面上。如此，第一部件67可以限制导线6a在水平方向的移动，以提高使用过程中的表面接触和机械稳定性。如果需要，可将一个绝缘材料7a(如TeflonTM垫圈)使用于导线6a的周围。第一部件67有一个连接于阳极导线6a的固定区域(图中未示出)，这个区域为U形，以进一步提高导线6a的表面接触和机械稳定性。
第二导电构件29也电连接于第二电容器元件20b的阴极(如固态电解质)上。如图所示，第二电容器元件20b也包括一个绝缘材料7b和阳极导线6b，将其调整位于与第一电容器元件20a的阳极引线6a相反的方向上。第二导电构件29通常位于平行于导线6b延伸的横向方向(如Y方向)的平面上。为了将电容器元件串联连接，也可使用一个连接构件40，连接构件40电连接于第一电容器元件20a的阴极(如固态电解质)和第二电容器元件20b的阳极导线6b。
电容器元件间的连接通常可采用各种已知技术实现，如焊接、激光焊接、导电胶粘剂等。在一些具体的实施例中，例如，第一导电构件62激光焊接于阳极引线6a上，第二导电构件29采用粘合剂粘结于第二电容器元件20b上。同样的，连接构件40采用粘结剂与第一电容器元件20a相连，连接构件40激光焊接于第二电容器元件20b的阳极导线6b上。使用时，导电粘合剂可由包含有树脂组分的导电金属颗粒构成。金属颗粒可以是银、铜、金、铂、镍、锌、铋等。树脂组分包括热固性树脂(如环氧树脂)、固化剂(如酸酐)和偶联剂(如硅烷偶联剂)。合适的导电胶黏剂在Osako等人的专利号为2006/0038304的美国专利中有描述。
尽管没有详细的描述，电容器总成包括外部的阳极和阴极端子，其由导电构件单独形成或由分散的构件与另外构件粘合而成。在图1中，例如，第一导电构件62贯穿外壁23形成外部阳极端子。或者，将一个单独的导电跟踪仪(图中未示出)连接于第一导电构件62，该第一导电构件62贯穿外壁23要么形成阳极端子，要么连接于作为阳极端子的额外导电构件。类似的，第二导电构件29穿过外壁23形成外部的阴极端子，或者将一个单独的导电跟踪仪(图中未显示)连接于第二导电构件29，第二导电构件29穿过外壁23，要么形成阳极端子，要么连接于作为阴极端子的额外导电构件。当然，本发明绝不受限于使用导电跟踪仪以形成所需要的端子。
一旦以所需的方式连接，所得的组件密封如上文所示。再次参考图1，例如，外壳也可以包括一个盖子(图中未示出)，当电容器元件放置于外壳内之后，这个盖子放置于外壁124和125的上表面。这个盖子可由陶瓷、金属(如铁、铜、镍、钴等，也可以是它们的合金)、塑料等所制成。如果需要，可将一个密封构件(图中未示出)放置于盖子与外壁124、125之间，以利于提高良好的密封性。在一些实施例中，例如，密封构件包括玻璃金属密封件ring(Goodfellow Camridge,Ltd.)等等。侧壁的高度通常以盖子接触不到电容器元件的任何表面为准，以使其不受到污染。将盖子放置于所需要的位置，使用已知技术将盖子密封外壁124和125，如焊接(如电阻焊接、激光焊接等)修补等。密封通常在如上所述的惰性气体存在时发生，以使所得组件大体上不含活性气体，如氧气或水蒸气。
如图1中所述的实施例，电容器总成包括2个电容器元件。然而，如上文所看到的，本发明通常使用多个电容器元件，如2个或更多个，在一些实施例中，为2至10个，在一些实施例中，为3至8个。参考图2，例如，图中表示出了电容器总成100的一个实施例，电容器总成100包括位于第一电容器元件20a与第二电容器元件20b之间，并与它们串联的第三电容器元件20c。电容器元件20a与第一导电元件62相连，电容器元件20b以上文所述的方式与第二导电元件29相连，第二电容器元件20b的阳极导线6a经调整与第一电容器元件20a的阳极引线6a位于相同的方向。
然而，与图1所示的实施例相反，图1中所示的连接构件通常与由单一部件构成的电容器元件相连接，图2所示的连接元件由多部件组成。也就是说，连接构件由第一部件400和第二部件500和第三电容器元件20c构成。更具体的，第三电容器元件20c包括绝缘材料7c和阳极导线6c，阳极导线6c经调整与阳极导线6a和阳极导线6b的方向相对。连接构件的第一部件400电连接于第一电容器元件20a的阴极(如固态电解质)上和第三电容器元件20c的阳极导线6c上。同样的，连接构件的第二部件500电连接于第三电容器元件20c的阴极(如固态电解质)上和第二电容器元件20b的阳极导线6b上。在一个具体的实施例中，第一导电构件62激光焊接于阳极导线6a上，第二导电构件29采用粘合剂粘合于第二电容器元件20b上。同样的，第一部件400采用粘合剂连接于第一电容器元件20a上，以及采用激光焊接于第三电容器元件20b的阳极导线6c上，第二部件500采用粘合剂粘合于第三电容器元件20c上，以及激光焊接于第二电容器元件20b的阳极导线6b上。
不管其详细结构如何，本发明的电容器总成即使放置在高压环境下，也具有优异的电气性能。例如，电容器总成具有相对较高的击穿电压(电容器失效时的电压)，如大约500V或更高，在一些实施例中，为大约600V或更高，在一些实施例中，为大约700V或更高，在一些实施例中，为大约750V至大约1500V。击穿由电容器充电0.1mAmps(充电斜率dU/dt＝10)时决定,然后测量外加电压降低超过10％的电压，即击穿电压。这个测定通常在室温下进行。同样,电容器还可以承受相对较高的冲击电流,这在高电压应用中也是常见的。冲击电流的峰值，例如，为额定电压的2倍或更高，如从大约40Amps变动至更高，在一些实施例中，大约为60Amps或更高，在一些实施例中，大约为120Amps至大约250Amps。
通过下述实施例可以更好地理解本发明。
试验方法
等效串联电阻(ESR)
等效串联电阻可采用Kelvin引线的Agilent E4980A精密LCR测试计，在直流偏压2.2伏特、峰-峰正弦信号0.5伏特时进行测定。工作频率为100KHZ，温度为23℃±2℃。
电容
电容可以采用带Kelvin引线的Agilent E4980A精密LCR测试计，在直流偏压2.2伏特、峰-峰正弦信号0.5伏特时进行测定。工作频率为120HZ，温度为23℃±2℃。
例一
采用9000μFV/g的钽粉末作为阳极样品。每个阳极样品均嵌入钽线，在1800℃烧结，接着压紧使其密度为5.3g/cm3。所得到的小球大小为4.15×3.70×2.00mm。小球在液体电解质中经阳极氧化处理至315V形成介电层。将阳极浸渍于固体含量为1.1％(CleviosTMK,Heraeus)的分散聚3,4-乙烯基二氧噻吩中，可形成导电聚合物涂层。将涂层部件在125℃下干燥20分钟，重复这过程10次。此后，将该部件浸渍于固体含量为2％的分散聚3,4-乙烯基二氧噻吩中，接着在125℃下干燥20分钟，重复这过程8次，接着再将该部件浸渍于石墨分散液中，干燥，最后，接着将部件浸渍于银分散液中，干燥。
采用铜基引线框架材料来完成电容器元件装入陶瓷外壳的装配过程。如图2所示，电容器总成包括3个串联的电容器元件。一个电容器元件的阳极导线与另一个电容器元件的阴极均电连接于外部表面可固定的端子，延伸穿过陶瓷外壳与电容器连接。所有连接处使用的粘合剂为银膏。将电容器总成放置于对流恒温烤箱中焊接膏料。之后,阳极连接采用的焊接为电阻焊接，引线框架部分和陶瓷外壳镀金焊料隆起焊盘之间在100ms期间采用300W能量。之后,将聚合约束材料用于电容器的阳极和阴极部件的顶部，并将其在在150℃下干燥2小时。将盖子盖住容器的顶部，与陶瓷的密封圈相邻近。在将密封圈和盖子间缝焊之前，将所得到的电容器总成放置入焊接室并采用氮气净化。1μF/750V电容器的多个部件(15)都采用这种方式制成。
例二
电容器元件采用与上述例一中所描述的相同方式制成。零件部件组装如图2所示(3个电容器元件串联)，但在缝焊之前不采用氮惰性气体净化。将密封圈和盖子间缝焊之前，将所得到的电容器总成放置入焊接室并采用空气净化。1μF/750V电容器的多个部件(15)都采用这种方式制成。
将例1和例2部件进行电气性能测试(即电容(“CAP”)和等效串联电阻(“ESR”)),在存储测试期间温度为150℃。所得中值结果如下所示。
那些熟知本领域的技术人员在不违背本发明精神和范围的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本发明的实质和范围内。此外，应该理解的是，各实施例的各个方面整体或部分是可以互换的。进一步，那些熟悉本领域的技术人员将了解的是，前述说明只是举例而已，并不用于限制本发明在所附的权利要求书中的进一步描述。

Claims (19)

1.一种电容器总成，包括:
第一电容器元件和第二电容器元件，所述第一电容器元件和第二电容器元件均含有一烧结的多孔阳极本体，一介电层，所述介电层覆盖所述阳极本体，以及一固态电解质，所述固态电解质覆盖介电层，所述固态电解质包括一导电聚合物，其中第一阳极导线和第二阳极导线分别从第一电容器元件和第二电容器元件伸出；
连接构件，所述连接构件将第一电容器元件的固态电解质电连接至第二电容器元件的阳极导线；
外壳，所述外壳内设有一内部空腔，第一电容器元件和第二电容器元件位于并密封于内部空腔内，其中所述的内部空腔具有气体气氛，所述的气体气氛含有惰性气体；
外部阳极端子，所述外部阳极端子电连接于第一电容器元件的第一阳极导线；以及
外部阴极端子，所述外部阴极端子电连接于第二电容器元件的固态电解质。
2.根据权利要求1所述的电容器总成，其中所述惰性气体占气体气氛的质量分数为50wt.％-100wt.％。
3.根据权利要求1所述的电容器总成，其中所述外壳由金属、塑料、陶瓷或它们的组合物制成。
4.根据权利要求1所述的电容器总成，进一步包括一第一导电构件，其中所述第一导电构件包括一第一部件，所述第一部件置于与第一阳极导线的横向垂直的方向，所述第一部件与第一阳极导线相连。
5.根据权利要求4所述的电容器总成，其中所述第一导电构件进一步包括一第二部件，所述第二部件位于平行于第一阳极导线延伸的横向的方向上。
6.根据权利要求4所述的电容器总成，其中所述的第一导电构件与阳极端子相连。
7.根据权利要求1所述的电容器总成，进一步包括一第二导电构件，所述第二导电构件电连接于第二电容器元件的固态电解质上。
8.根据权利要求7所述的电容器总成，其中所述第二导电构件与阴极端子相连。
9.根据权利要求1所述的电容器总成，所述第一阳极导线与第二导线位于相对的方向上。
10.根据权利要求1所述的电容器总成，所述电容器总成包括2-10个电容器元件。
11.根据权利要求1所述的电容器总成，进一步包括：
第三电容器元件，所述第三电容器元件位于第一电容器元件和第二电容器元件之间，所述第三电容器元件包含一烧结的多孔阳极本体，一介电层，所述介电层覆盖阳极本体，以及一固态电解质，所述固态电解质覆盖介电层，所述固态电解质包括一导电聚合物；以及从第三电容器元件伸出的阳极导线。
12.根据权利要求11所述的电容器总成，其中所述第一阳极导线与第二阳极导线位于相同的方向上。
13.根据权利要求12所述的电容器总成，其中所述第一阳极导线与第三阳极导线位于相反的方向上。
14.根据权利要求11所述的电容器总成，所述连接构件由第一部件、第二部件和第三电容器元件组成，第一部件将第一电容器元件的固态电解质和第三电容器元件的第三阳极导线电连接，第二部件将第三电容器元件的固态电解质和第二电容器元件的第二阳极导线电连接。
15.根据权利要求1所述的电容器总成，其中所述的阳极本体由含有钽、铌或它们的导电氧化物的粉末形成。
16.根据权利要求1所述的电容器总成，其中所述的导电聚合物是取代聚噻吩。
17.根据权利要求16所述的电容器总成，其中所述的取代聚噻吩是聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)。
18.根据权利要求1所述的电容器总成，其中所述的固态电解质包括多种预聚合导电聚合物颗粒。
19.根据前述权利要求中任一项所述的电容器总成，其中所述的电容器总成的击穿电压为600V或更高。
CN201710312623.6A 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成 Active CN107452507B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/657,208 US10297393B2 (en) 2015-03-13 2015-03-13 Ultrahigh voltage capacitor assembly
US14/657,208 2015-03-13
CN201610068791.0A CN105977026A (zh) 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610068791.0A Division CN105977026A (zh) 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107452507A CN107452507A (zh) 2017-12-08
CN107452507B true CN107452507B (zh) 2019-10-25

Family

ID=56800797

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710312623.6A Active CN107452507B (zh) 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成
CN201610068791.0A Pending CN105977026A (zh) 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610068791.0A Pending CN105977026A (zh) 2015-03-13 2016-01-29 超高压电容器总成

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10297393B2 (zh)
JP (2) JP6917677B2 (zh)
CN (2) CN107452507B (zh)
DE (1) DE102016203103A1 (zh)
IL (1) IL243142B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018136380A1 (en) 2017-01-17 2018-07-26 Kemet Electronics Corporation Improved wire to anode connection
US11929215B2 (en) 2017-01-17 2024-03-12 Kemet Electronics Corporation Wire to anode connection
WO2019005535A1 (en) 2017-06-29 2019-01-03 Avx Corporation MODULE CONTAINING HERMETICALLY SEALED CAPACITORS
CN112466676A (zh) * 2020-11-24 2021-03-09 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) 一种贴片式高能混合钽电容器
WO2022116927A1 (zh) * 2020-12-03 2022-06-09 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) 新型表面封装电容器及新型表面封装电容器的制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6654228B1 (en) * 2000-03-08 2003-11-25 Eveready Battery Company, Inc. Energy storage device having DC voltage converter
US7027290B1 (en) * 2003-11-07 2006-04-11 Maxwell Technologies, Inc. Capacitor heat reduction apparatus and method
US7203056B2 (en) * 2003-11-07 2007-04-10 Maxwell Technologies, Inc. Thermal interconnection for capacitor systems
CN104051157A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 Avx公司 用于极端条件下的固体电解电容器

Family Cites Families (131)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345545A (en) 1964-11-27 1967-10-03 Johnson Matthey & Mallory Ltd Solid electrolytic capacitor having minimum anode impedance
GB1069685A (en) 1965-08-31 1967-05-24 Mallory & Co Inc P R Atmosphere control within the hermetic enclosure of electrolytic-capacitor assemblies
US4085435A (en) 1976-06-14 1978-04-18 Avx Corporation Tantalum chip capacitor
US3922773A (en) 1974-07-17 1975-12-02 Corning Glass Works Method of forming a hermetic enclosure
US4107762A (en) 1977-05-16 1978-08-15 Sprague Electric Company Solid electrolyte capacitor package with an exothermically-alloyable fuse
US4479168A (en) 1983-12-19 1984-10-23 Sprague Electric Company Electrolytic capacitor with a hermetic seal
US4755908A (en) 1987-08-17 1988-07-05 Gardner Edward P Capacitor
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3814730A1 (de) 1988-04-30 1989-11-09 Bayer Ag Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren
JPH03127813A (ja) 1989-10-13 1991-05-30 Kao Corp 固体電解コンデンサの製造方法
US4945452A (en) 1989-11-30 1990-07-31 Avx Corporation Tantalum capacitor and method of making same
JPH03212920A (ja) * 1990-01-18 1991-09-18 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサおよびそのユニット
DE59010247D1 (de) 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
JPH03266411A (ja) * 1990-03-16 1991-11-27 Elna Co Ltd 電解コンデンサ装置
US5111327A (en) 1991-03-04 1992-05-05 General Electric Company Substituted 3,4-polymethylenedioxythiophenes, and polymers and electro responsive devices made therefrom
US5198968A (en) 1992-07-23 1993-03-30 Avx Corporation Compact surface mount solid state capacitor and method of making same
US5357399A (en) 1992-09-25 1994-10-18 Avx Corporation Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor
US5314606A (en) 1993-02-16 1994-05-24 Kyocera America, Inc. Leadless ceramic package with improved solderabilty
US5394295A (en) 1993-05-28 1995-02-28 Avx Corporation Manufacturing method for solid state capacitor and resulting capacitor
JP2765462B2 (ja) 1993-07-27 1998-06-18 日本電気株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5495386A (en) 1993-08-03 1996-02-27 Avx Corporation Electrical components, such as capacitors, and methods for their manufacture
JPH07135126A (ja) 1993-11-10 1995-05-23 Nec Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3070408B2 (ja) 1993-12-28 2000-07-31 日本電気株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5638253A (en) 1994-04-28 1997-06-10 Rohm Co. Ltd. Package-type solid electrolytic capacitor
JP2770746B2 (ja) 1994-09-02 1998-07-02 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5608261A (en) 1994-12-28 1997-03-04 Intel Corporation High performance and high capacitance package with improved thermal dissipation
JP2778495B2 (ja) 1994-12-28 1998-07-23 日本電気株式会社 耐熱性導電性高分子並びにその導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3127813B2 (ja) 1995-12-05 2001-01-29 ヤマハ株式会社 オーディオ用アンプの保護回路
US5812367A (en) 1996-04-04 1998-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative
JP3863232B2 (ja) 1996-09-27 2006-12-27 ローム株式会社 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の構造及びコンデンサ素子におけるチップ体の固め成形方法
GB9700566D0 (en) 1997-01-13 1997-03-05 Avx Ltd Binder removal
TW388043B (en) 1997-04-15 2000-04-21 Sanyo Electric Co Solid electrolyte capacitor
JPH11112157A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Kyocera Corp 電子部品用ケースとこれを用いた電子部品及び電解コンデンサ
JP2000058401A (ja) 1998-08-14 2000-02-25 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサ
US6391275B1 (en) 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
JP3403103B2 (ja) 1998-12-21 2003-05-06 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US6191936B1 (en) 1999-04-12 2001-02-20 Vishay Sprague, Inc. Capacitor having textured pellet and method for making same
JP3942000B2 (ja) 1999-06-01 2007-07-11 ローム株式会社 パッケージ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法
DE10004725A1 (de) 2000-02-03 2001-08-09 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren
JP3959220B2 (ja) 2000-02-04 2007-08-15 株式会社エスアイアイ・マイクロパーツ 表面実装用非水電解電池および表面実装用電気二重層キャパシタ
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
DE10016723A1 (de) 2000-04-04 2001-10-11 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Dialkoxythiophenen und Alkylendioxythiophenen
DE10029075A1 (de) 2000-06-13 2001-12-20 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von 3,4-Alkylendioxythiophen-2,5-dicarbonsäurederivaten
US6534581B1 (en) 2000-07-20 2003-03-18 Dow Corning Corporation Silicone composition and electrically conductive silicone adhesive formed therefrom
DE60123102T2 (de) 2000-11-06 2006-12-21 Cabot Corp., Boston Modifizierte sauerstoffreduzierte ventilmetalloxide
EP2289964A3 (de) 2000-11-22 2014-01-01 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Dispergierbare Polymerpulver
US6625009B2 (en) 2001-04-05 2003-09-23 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method of making the same
US6674635B1 (en) 2001-06-11 2004-01-06 Avx Corporation Protective coating for electrolytic capacitors
DE10164260A1 (de) 2001-12-27 2003-07-17 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von undotiertem, neutralem Polyethylendioxythiophen, sowie entsprechende Polyethylendioxythiophene
DE10229218A1 (de) 2002-06-28 2004-01-22 H.C. Starck Gmbh Alkylendioxythiophen-Dimere und Trimere
DE10237577A1 (de) 2002-08-16 2004-02-26 H.C. Starck Gmbh Substituierte Poly(alkylendioxythiophene) als Feststoffelektrolyte in Elektrolytkondensatoren
DE10257539A1 (de) 2002-12-10 2004-07-01 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von 2,2'-Di(3,4-ethylendioxythiophen)en
US6859353B2 (en) * 2002-12-16 2005-02-22 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Capacitor interconnect design
DE10302086A1 (de) 2003-01-21 2004-07-29 Bayer Ag Alkylendioxythiophene und Poly(alkylendioxythiophene) mit mesogenen Gruppen
US7972534B2 (en) 2003-04-02 2011-07-05 H. C. Starck Gmbh Retarding oxidants for preparing conductive polymers
DE10331673A1 (de) 2003-07-14 2005-02-10 H.C. Starck Gmbh Polythiophen mit Alkylenoxythiathiophen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren
EP1498391B1 (de) 2003-07-15 2010-05-05 H.C. Starck GmbH Niobsuboxidpulver
DE10333156A1 (de) 2003-07-22 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid
DE10343873A1 (de) 2003-09-23 2005-04-21 Starck H C Gmbh Verfahren zur Reinigung von Thiophenen
DE10347702B4 (de) 2003-10-14 2007-03-29 H.C. Starck Gmbh Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid
DE502004009915D1 (de) 2003-10-17 2009-10-01 Starck H C Gmbh Elektrolytkondensatoren mit polymerer Aussenschicht
US7495888B2 (en) 2003-10-29 2009-02-24 Showa Denko K.K. Electrolytic capacitor
DE10357571A1 (de) 2003-12-10 2005-07-28 H.C. Starck Gmbh Multifunktionelle 3,4-Alkylendioxythiophen-Derivate und diese enthaltende elektrisch leitfähige Polymere
US7948069B2 (en) 2004-01-28 2011-05-24 International Rectifier Corporation Surface mountable hermetically sealed package
JP2005217129A (ja) 2004-01-29 2005-08-11 Kyocera Corp セラミック容器およびそれを用いたタンタル電解コンデンサ
US7116548B2 (en) 2004-04-23 2006-10-03 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
DE102004022110A1 (de) 2004-05-05 2005-12-01 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
JP2006028214A (ja) 2004-07-12 2006-02-02 Nagase Chemtex Corp ポリ（３，４−ジアルコキシチオフェン）とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法
JP4550519B2 (ja) 2004-08-10 2010-09-22 セイコーインスツル株式会社 電気化学セルおよびその製造方法
CN1737072B (zh) 2004-08-18 2011-06-08 播磨化成株式会社 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法
JP2006128343A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサ
JP4903421B2 (ja) 2005-02-23 2012-03-28 京セラ株式会社 セラミック容器およびこれを用いた電池または電気二重層キャパシタ
JP2006278875A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ
DE102005016727A1 (de) 2005-04-11 2006-10-26 H.C. Starck Gmbh Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20060260713A1 (en) 2005-04-22 2006-11-23 Pyszczek Michael F Method and apparatus for providing a sealed container containing a detectable gas
DE102005033839A1 (de) 2005-07-20 2007-01-25 H.C. Starck Gmbh Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung
DE102005043828A1 (de) 2005-09-13 2007-03-22 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102005043829A1 (de) 2005-09-13 2007-04-05 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung
DE102005053646A1 (de) 2005-11-10 2007-05-16 Starck H C Gmbh Co Kg Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit
CN101982486A (zh) 2005-11-17 2011-03-02 长濑化成株式会社 聚(3,4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的制造方法
US7582958B2 (en) 2005-12-08 2009-09-01 International Rectifier Corporation Semiconductor package
DE102006002797A1 (de) 2006-01-20 2007-08-02 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von Polythiophenen
JP2007200950A (ja) 2006-01-23 2007-08-09 Fujitsu Media Device Kk 積層型固体電解コンデンサ
JP5013772B2 (ja) 2006-01-31 2012-08-29 三洋電機株式会社 電気二重層キャパシタ
DE102006020744A1 (de) 2006-05-04 2007-11-08 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Stabilisierung von Thiophenderivaten
US7563290B2 (en) 2006-07-06 2009-07-21 Kemet Electronics Corporation High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries
DE102006044067A1 (de) 2006-09-20 2008-03-27 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polythiophenen
JP4440911B2 (ja) 2006-10-13 2010-03-24 ニチコン株式会社 固体電解コンデンサ
US7554793B2 (en) 2006-11-16 2009-06-30 Kemet Electronics Corporation Low temperature curable conductive adhesive and capacitors formed thereby
JP4845699B2 (ja) 2006-12-08 2011-12-28 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法
CN101632142B (zh) 2007-03-08 2011-12-28 松下电器产业株式会社 壳体模制式电容器及其使用方法
US7515396B2 (en) 2007-03-21 2009-04-07 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer
DE102007041722A1 (de) 2007-09-04 2009-03-05 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren
DE102007046904A1 (de) 2007-09-28 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Partikel mit Kern-Schale-Struktur für leitfähige Schichten
DE102007048212A1 (de) 2007-10-08 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht
JP5041995B2 (ja) 2007-12-07 2012-10-03 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
EP2231754B1 (de) 2007-12-14 2011-07-20 Henkel AG & Co. KGaA Härtbare zusammensetzungen enthaltend wässrige dispersionen von organopolysiloxanen
JP2009217759A (ja) 2008-03-13 2009-09-24 Sage Co Ltd 車両管理装置およびプログラム
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
DE102008023008A1 (de) 2008-05-09 2009-11-12 H.C. Starck Gmbh Neuartige Polythiophene-Polyanion-Komplexe in unpolaren organischen Lösungsmitteln
DE102008024805A1 (de) 2008-05-23 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102008032578A1 (de) 2008-07-11 2010-01-14 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102008036525A1 (de) 2008-08-06 2010-02-11 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polythiophenen
CN102210037A (zh) 2008-09-09 2011-10-05 Cap-Xx有限公司 用于电子设备的封装
JP5340864B2 (ja) 2008-09-12 2013-11-13 日本碍子株式会社 ＳｉＣ／Ａｌ系複合材料及びその製法
US8075640B2 (en) 2009-01-22 2011-12-13 Avx Corporation Diced electrolytic capacitor assembly and method of production yielding improved volumetric efficiency
DE102009007594A1 (de) 2009-02-05 2010-08-12 H.C. Starck Clevios Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht.
DE102009012660A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität
US8405956B2 (en) * 2009-06-01 2013-03-26 Avx Corporation High voltage electrolytic capacitors
JP5349112B2 (ja) * 2009-03-30 2013-11-20 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US8310815B2 (en) 2009-04-20 2012-11-13 Kemet Electronics Corporation High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
JP2012004342A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US8259436B2 (en) * 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US8384282B2 (en) 2010-10-04 2013-02-26 Yujia Chen LED lamps using recycled metal containers as heat sinks and the method of making the same
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
JP2013131627A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
DE102013101443A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
JP6142280B2 (ja) * 2012-08-31 2017-06-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US8767378B2 (en) * 2012-11-02 2014-07-01 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive paste composition
JP6034958B2 (ja) 2013-04-05 2016-11-30 ルビコン株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ用外装ケース
US9236192B2 (en) 2013-08-15 2016-01-12 Avx Corporation Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6654228B1 (en) * 2000-03-08 2003-11-25 Eveready Battery Company, Inc. Energy storage device having DC voltage converter
US7027290B1 (en) * 2003-11-07 2006-04-11 Maxwell Technologies, Inc. Capacitor heat reduction apparatus and method
US7203056B2 (en) * 2003-11-07 2007-04-10 Maxwell Technologies, Inc. Thermal interconnection for capacitor systems
CN104051157A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 Avx公司 用于极端条件下的固体电解电容器

Also Published As

Publication number Publication date
US20160268054A1 (en) 2016-09-15
IL243142B (en) 2019-12-31
JP6917677B2 (ja) 2021-08-11
CN105977026A (zh) 2016-09-28
JP2016171311A (ja) 2016-09-23
JP2020145477A (ja) 2020-09-10
US10297393B2 (en) 2019-05-21
DE102016203103A1 (de) 2016-09-15
IL243142A0 (en) 2016-02-29
CN107452507A (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107452507B (zh) 超高压电容器总成
CN111524711B (zh) 稳定的含纳米复合材料的固体电解电容器
JP7384946B2 (ja) 改良されたリーク電流を有する固体電解キャパシタ
CN103578777B (zh) 在高电压下具有改善性能的固体电解电容器
CN101110297B (zh) 具有聚合物外层的电解电容器及其制备方法
CN103578778B (zh) 湿‑干电容提高的固体电解电容器
CN103295792B (zh) 超高压固体电解电容器
CN102543490B (zh) 用于高压高温应用的固体电解电容器
CN106169372B (zh) 高电容固体电解电容器
CN104425132B (zh) 用于电解电容器的细线/粗线引线组件
US7760488B2 (en) Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
JP6870922B2 (ja) 多湿雰囲気中で使用するための固体電解キャパシタアセンブリ
JP2021005726A (ja) 乾燥条件下で使用するための固体電解キャパシタ素子
CN103578768B (zh) 用在电解电容器固体电解质中的非离子表面活性剂
GB2500990A (en) Wet electrolytic capacitor comprising a copolymer of a polythiophene and at least one of a polypyrrole and a polyaniline
CN103578779A (zh) 温度稳定的固体电解电容器
CN106449102B (zh) 用于低esr电解电容器的使用载线的多路引线
CN109155199A (zh) 在高温下使用的固态电解质电容器
GB2500991A (en) Wet electrolytic capacitor with a cathode textured by sand-blasting
JP6016780B2 (ja) 導電性高分子溶液及びその製造方法、導電性高分子材料、ならびにそれを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
CN105977025B (zh) 圆柱形外壳内的低型面多阳极组件
US10403444B2 (en) Wet electrolytic capacitor containing a composite coating

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1242045

Country of ref document: HK

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: south carolina

Patentee after: Kyocera AVX Components Co.,Ltd.

Address before: south carolina

Patentee before: AVX Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder