JP2007200950A - 積層型固体電解コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】 良好な耐湿性能を実現することができ超薄型の積層型固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 積層型固体電解コンデンサ（１００）は、導電性を有する基板（１３）と、基板（１３）上に配置されたコンデンサ素子（２００）と、基板（１３）上に接続されコンデンサ素子（２００）を覆い基板（１３）と導通する金属キャップ（１１）とを備え、コンデンサ素子（２００）の陰極（２４）と基板（１３）とは、導通していることを特徴とする。
【選択図】 図５

Description

本発明は、積層型固体電解コンデンサに関する。

固体電解コンデンサは、電解コンデンサの中でも周波数特性が優れていることから注目されている。固体電解コンデンサには、巻回型固体電解コンデンサ、積層型固体電解コンデンサ等がある。積層型固体電解コンデンサの外装は、一般的には、エポキシ樹脂でモールドした構造を有している。しかしながら、エポキシ樹脂モールドの外装にはいくつかの欠点があった。

一般的に、エポキシ樹脂モールドの方法として、トランスファーモールドが用いられている。しかしながら、この方法においては、エポキシ樹脂を１５０℃以上に加熱し、かつ、数気圧以上の圧力でエポキシ樹脂が流し込まれる。それにより、重合素子に多大なストレスがかかる。その結果、漏れ電流の増加、ショート等が発生しやすくなる。また、高温のエポキシ樹脂が重合素子の電極箔の間に入り込む。その結果、ポリマーが剥離することによる特性劣化が発生するおそれがある。

また、外装モールドに使用されるエポキシ樹脂には、充填密度を高めるためのフィラーが含有されている。それにより、分子レベルの空隙が無数に存在する。その結果、耐湿性に欠点が生じる。加えてエポキシ樹脂外装の場合、実装時の加熱によりパッケージクラックが発生する可能性がある。これを回避するためには、外形寸法に比例してある一定の厚さが必要となる。その結果、超薄型のパッケージを実現することができない。

そこで、トランスファーモールド以外の方法として、一液性エポキシ樹脂を含浸させた熱融着テープを重合素子に貼り付け、加熱により溶解したエポキシ樹脂でモールドする方法が提案された（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−１１６７１３号公報

しかしながら、特許文献１の技術によって作製された固体電解コンデンサにおいては、外装モールド材料がエポキシ樹脂であることから、良好な耐湿性能を実現することが困難である。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、良好な耐湿性能を実現することができる超薄型の積層型固体電解コンデンサを提供することを目的とする。

本発明に係る積層型固体電解コンデンサは、導電性を有する基板と、基板上に配置されたコンデンサ素子と、基板上に接続されコンデンサ素子を覆い基板と導通する金属キャップとを備え、コンデンサ素子の陰極と基板とは導通していることを特徴とするものである。

本発明に係る積層型固体電解コンデンサにおいては、密封性が高く外部環境からの遮断効果が大きい金属キャップによってコンデンサ素子が覆われている。この場合、高い耐湿性能を実現することができる。それにより、本発明に係る積層型固体電解コンデンサの特性劣化を抑制することができる。また、金属キャップおよび基板が陰極として機能することから、本発明に係る積層型固体電解コンデンサのＥＳＬを低減させることができる。

金属キャップは、基板に溶接されていてもよい。この場合、金属キャップと基板との電気抵抗をより効果的に抑制することができる。また、基板は、金属または表面に金属が形成されたセラミックスからなり、陰極端子を備え、少なくとも１つの貫通孔を有し、積層型固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の陽極から貫通孔を介して外部に引き出された陽極端子をさらに備えていてもよい。

貫通孔における基板と陽極端子との間に、絶縁部材が設けられていてもよい。この場合、基板と陽極端子との短絡を防止することができる。また、絶縁部材は、ガラスまたはゴムからなっていてもよい。この場合、本発明に係る積層型固体電解コンデンサの密封性が向上する。

基板の下面において、陽極端子と陰極端子との間に絶縁層が設けられていてもよい。この場合、陽極端子と陰極端子との短絡を防止することができる。また、金属キャップの内面には、絶縁性層が形成されていてもよい。この場合、コンデンサ素子と金属キャップとの短絡を防止することができる。

コンデンサ素子は、弁作用を有する金属からなる陽極箔の表面に、セパレータを含む固体電解質層、カーボンペーストおよび引き出し陰極層が順に形成された単位素子を含み、基板と単位素子の引き出し陰極層とは、導通していてもよい。また、コンデンサ素子は、単位素子が複数積層された構造を有し、複数の単位素子のうち、最下段の単位素子の引き出し陰極層と基板とが導通していてもよい。

コンデンサ素子は、弁作用を有する金属からなる陽極箔の上下面に、セパレータを含む固体電解質層と固体電解質層側の面に炭化物粒子を保持する陰極箔とが順に形成された単位素子を含み、基板と陰極箔とは、導通していてもよい。この場合、陰極箔を構成する金属と固体電解質層とは、直接的に接触するのではなく有機物である炭化物粒子を介して接触することになる。それにより、陰極箔と固体電解質層との密着性が向上する。また、積層型固体電解コンデンサへの通電時には、陰極箔、炭化物粒子および固体電解質層が導通することになる。それにより、炭化物粒子および固体電解質層は、積層型固体電解コンデンサの陰極としての容量に影響を及ぼさず、陽極側の静電容量が積層型固体電解コンデンサの容量となる。

単位素子の陰極箔は、互いに導通していてもよい。また、コンデンサ素子は、単位素子が複数積層された構造を有し、複数の単位素子の各陰極箔は、互いに導通していてもよい。

本発明によれば、高い耐湿性能を実現することができる。それにより、本発明に係る積層型固体電解コンデンサの特性劣化を抑制することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る積層型の固体電解コンデンサ１００を説明するための図である。図１（ａ）は固体電解コンデンサ１００の断面図であり、図１（ｂ）は固体電解コンデンサ１００の上面図であり、図１（ｃ）は固体電解コンデンサ１００の底面図である。図１（ａ）に示すように、固体電解コンデンサ１００は、ケース部１０内にコンデンサ素子２００が収容された構造を有する。

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ケース部１０は、ベース基板１３上に金属キャップ１１が配置された構造を有する。金属キャップ１１は、ベース基板１３にシーム溶接等によって溶接されていてもよい。金属キャップ１１は、銅、アルミニウム、ＳＰＣ鋼板、コバルト鋼板、ステンレス等の金属から構成される。

ベース基板１３は、導電性を有し、容易にハンダ付けが可能であり、水分透過性の低い材料から構成されている。例えば、銅、アルミニウム、ＳＰＣ鋼板、コバルト鋼板、ステンレス等の金属、表面にめっき等により金属層が形成されたセラミックス等をベース基板１３として用いることができる。金属キャップ１１の内側には、絶縁性層１２がコートされている。それにより、コンデンサ素子２００と金属キャップ１１との短絡を防止することができる。なお、絶縁性層１２としては、絶縁性を有する樹脂、ナイロン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等を用いることができる。

また、図１（ａ）および図１（ｃ）に示すように、ベース基板１３の両端近傍には、貫通孔が形成されている。それぞれの貫通孔には、陽極端子３１が配置されている。陽極端子３１と貫通孔との隙間には、絶縁部材３２が形成されている。それにより、陽極端子３１とベース基板１３との短絡を防止することができる。

陽極端子３１は、容易にハンダ付け可能な導電性材料から構成される。例えば、ＳＰＣ鋼、コバルト鋼等を陽極端子３１として用いることができる。陽極端子３１は、後述する陽極箔２１の引き出し部に接続されている。また、ベース基板１３は、下面において両貫通孔の間に凸部３３を備える。凸部３３は、後述するように、陰極端子として機能する。凸部３３と陽極端子３１との間には、絶縁シート３４が形成されている。それにより、凸部３３と陽極端子３１との短絡を防止することができる。

絶縁部材３２は、硬質ガラス、軟質ガラス等のガラス、ゴム等から構成される。ベース基板１３としてＳＰＣ鋼板等の線膨張係数が比較的大きい材料を用いた場合、絶縁部材３２として軟質ガラスを用いることが好ましい。一方、ベース基板１３としてコバルト鋼板等の線膨張係数が比較的小さい材料を用いた場合、絶縁部材３２として硬質ガラスを用いることが好ましい。これらの場合、ケース部１０の密封性を向上させることができる。

続いて、図１（ａ）および図２を参照しつつ、コンデンサ素子２００の詳細について説明する。図２は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面のうちコンデンサ素子２００の断面を示す図である。図１（ａ）および図２に示すように、コンデンサ素子２００は、単位素子２０が複数積層された複層素子構造を有する。本実施の形態に係るコンデンサ素子２００は、ベース基板１３上に導電性の接着剤２５を介して単位素子２０が２つ積層された構造を有する。単位素子２０の積層数を調整することにより、任意の容量に設定することができる。

接着剤２５は、銀等の導電性材料から構成される。単位素子２０は、陽極箔２１全体の表面に、固体電解質層２２、カーボンペースト層２３および引き出し陰極層２４が順に形成された構造を有する。陽極箔２１は、表面に誘電体酸化皮膜が形成された弁金属からなる。陽極箔２１に用いられる弁金属としては、アルミニウム等の金属があげられる。誘電体酸化皮膜は、弁金属の表面にエッチング処理および化成酸化処理を施すことによって形成することができる。

陽極箔２１は、誘電体酸化皮膜が形成された弁金属を所定の形状に抜き取ることによって形成することができる。この抜き取りの際、陽極箔２１の端面において弁金属が露出し、誘電体酸化皮膜の欠損が発生する。したがって、露出した弁金属上に酸化皮膜を新たに形成する必要がある。例えば、抜き取り後に化成処理および熱処理を数回施すことによって、弁金属の露出部に誘電体酸化皮膜を新たに形成することができる。この化成処理は、アジピン酸アンモニウム濃度０．５ｗｔ％〜２ｗｔ％を主体とした化成液を用いて誘電体酸化皮膜の化成電圧値に近似した電圧で行われる。また、熱処理は、２００℃〜２８０℃の温度範囲で行われる。

固体電解質層２２は、セパレータを備える。固体電解質層２２において、セパレータ内と、セパレータおよび陽極箔２１の間とに固体電解質が形成されている。セパレータは、例えば、ＰＥＴ繊維、アクリル繊維等の高分子繊維を単独または混紗した合成繊維を主体とする。固体電解質は、ＰＥＤＴ（３，４−ポリエチレンジオキシチエフェン）等からなる。この固体電解質は、セパレータに重合性モノマーおよび酸化剤を適量含浸させることによって形成することができる。ここで、固体電解質の形成方法について説明する。

まず、陽極箔２１表面及びセパレータ上に、固体電解質となるモノマーおよび酸化剤の混合液を形成させる。ここで用いるモノマーは、揮発性溶媒との混合溶剤である。この混合溶剤におけるモノマー濃度は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％の範囲内であり、１０ｗｔ％〜３５ｗｔ％であることが好ましい。また、酸化剤は４０ｗｔ％〜６０ｗｔ％程度のアルコール系溶剤である。本実施の形態においては６０ｗｔ％濃度の酸化剤を使用している。次に、陽極箔及びセパレータに形成させた混合液を加熱重合法により、固体電解質２２を形成させる。

なお、固体電解質層２２が露出する部分には、絶縁層２６が形成されている。それにより、固体電解質層２２から固体電解質が染み上がることが防止される。絶縁層２６は、例えば、シリコン樹脂やエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性を備えた合成樹脂からなる。

引き出し陰極層２４は、銀ペースト等から構成される。本実施の形態においては、下側の単位素子２０の引き出し陰極層２４とベース基板１３とが接着剤２５を介して電気的に接続されている。それにより、ベース基板１３および金属キャップ１１は、陰極としても機能する。

本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００は、密封性が高く外部環境からの遮断効果が大きい金属キャップ１１およびベース基板１３によってコンデンサ素子２００が密封されていることから、高い耐湿性能を実現する。したがって、固体電解コンデンサ１００の特性劣化を抑制することができる。また、ケース部１０全体が陰極として機能することから、本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００のＥＳＬを低減させることができる。

（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａを説明するための図である。図３（ａ）は固体電解コンデンサ１００ａの断面図であり、図３（ｂ）は固体電解コンデンサ１００ａの上面図であり、図３（ｃ）は固体電解コンデンサ１００ａの底面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、固体電解コンデンサ１００ａが図１の固体電解コンデンサ１００と異なる点は、コンデンサ素子２００の代わりにコンデンサ素子２００ａが配置されている点である。

コンデンサ素子２００ａは、陽極箔２１ａの上下面のそれぞれに、固体電解質層２２および陰極箔２７が順に積層された単位素子２０ａが複数積層された構造を有する。本実施の形態に係るコンデンサ素子２００ａは、単位素子２０ａが２つ積層されている。コンデンサ素子２００ａは、導電性の接着剤２５によってベース基板１３上に接着されている。それにより、金属キャップ１１およびベース基板１３は、陰極として機能する。

陽極箔２１ａが図１の陽極箔２１と異なる点は、形状である。詳細は、後述する。陰極箔２７は、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の金属からなる。本実施の形態においては、陰極箔２７はアルミニウム箔から構成される。陰極箔２７の表面には、炭化物の蒸着処理または物理的吸着処理が施されている。その結果、炭化物粒子が陰極箔２７の表面に吸着している。

このように、陰極箔２７を構成する金属と固体電解質層２２とは、直接的に接触するのではなく有機物である炭化物粒子を介して接触することになる。それにより、陰極箔２７と固体電解質層２２との密着性が向上する。また、通常の酸化皮膜のエッチングピットよりも炭化物粒子同士の空隙の方が広くなるため、固体電解質層２２内の固体電解質が効率よく形成される。それにより、陰極箔２７と固体電解質層２２との界面抵抗が減少し、ｔａｎδおよびＥＳＲが低下する。その結果、固体電解コンデンサ１００ａの周波数特性が向上する。

さらに、固体電解コンデンサ１００ａへの通電時には、陰極箔２７、炭化物粒子および固体電解質層２２が導通することになる。それにより、炭化物粒子および固体電解質層２２は、固体電解コンデンサ１００ａの陰極としての容量に影響を及ぼさず、陽極側の静電容量が固体電解コンデンサ１００ａの容量となる。また、固体電解コンデンサ１００ａの容量が増大することから、単位素子２０ａの積層数を低減させることができる。それにより、固体電解コンデンサ１００ａを薄型化することができる。なお、単位素子２０ａの積層数を調整することにより、任意の容量に設定することができる。

炭化物粒子は、炭素を含む素材であれば特に限定されない。炭化物粒子としては、例えば、カーボン、グラファイト、窒化炭素、炭化物、炭化化合物等を用いることができる。なお、炭化物粒子は、陰極箔２７の表面に形成されるウィスカによって保持されていてもよい。

陰極箔２７には引き出し部が形成されている。各陰極箔２７の引き出し部は、溶接部２８によって接続されている。それにより、各陰極箔２７は、電気的に接続されている。溶接部２８は、レーザ溶接、抵抗溶接、超音波溶接等により形成されている。陽極箔２１は、引き出し部を介して陽極端子３１に接続されている。

図４は、陽極箔２１および陰極箔２７の形状について説明するための図である。図４（ａ）は固体電解コンデンサ１００ａを上面側から見た透過図であり、図４（ｂ）は陽極箔２１の平面図であり、図４（ｃ）は陰極箔２７の平面図である。図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、陽極箔２１ａおよび陰極箔２７は、平板状の一枚箔である。各陽極箔２１ａおよび各陰極箔２７には、引き出し部が一体的に形成されている。陽極箔２１ａの引き出し部および陰極箔２７の引き出し部は、各箔に対して垂直な方向から見た場合に互いに重複しないように配置されている。なお、上述の図３は、図４のＣ−Ｃ線断面図である。また、図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。

本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａは、密封性が高く外部環境からの遮断効果が大きい金属キャップ１１およびベース基板１３によってコンデンサ素子２００ａが密封されていることから、高い耐湿性能を実現する。したがって、固体電解コンデンサ１００ａの特性劣化を抑制することができる。また、ケース部１０全体が陰極として機能することから、本実施の形態に係る固体電解コンデンサ１００ａのＥＳＬを低減させることができる。

以下、上記実施の形態に係る固体電解コンデンサを作製し、その特性を調べた。

（実施例１）
実施例１においては、図１の固体電解コンデンサ１００を作製した。陽極箔２１として、エッチング処理および化成処理が施されたアルミニウム箔を用いた。陽極箔２１は、所定の大きさになるように抜き取った。次に、陽極箔２１に対してアジピン酸アンモニウム濃度０．５ｗｔ％〜２ｗｔ％を主体とした化成液を用いて陽極箔２１の酸化皮膜の化成電圧値に近似した電圧で化成処理を施し、２００℃〜２８０℃の温度範囲で熱処理を施した。陽極箔２１の箔厚は、１００μｍ〜１１０μｍである。

次に、陽極箔２１の両面に固体電解質層２２を形成した。モノマー混合溶剤２５ｗｔ％と酸化剤６０ｗｔ％とを陽極箔２１の両面およびセパレータに形成させ、３０℃から徐々に昇温させ、１５０℃で終了させた。固体電解質層２２の膜厚は、３０μｍ〜５０μｍである。

その後、固体電解質層２２上に、カーボンペースト層２３および引き出し陰極層２４を形成し、固体電解質層２２の両端に絶縁層２６を形成し、単位素子２０を完成させた。カーボンペースト層２３の膜厚は１０μｍ以下であり、陰極層２４の膜厚は１０μｍ以下である。陰極層２４には、銀ペーストを用いた。この単位素子２０を接着剤２５を介してベース基板１３上に２つ積層してコンデンサ素子２００を完成させた。接着剤２５には、銀を用いた。

その後、陽極箔２１を陽極端子３１に接続させた。さらに、金属キャップ１１をコンデンサ素子２００に被せ、ベース基板１３と金属キャップ１１とをプロジェクション溶接によって接続した。金属キャップ１１の高さは、１．７ｍｍである。ベース基板１３及び陽極端子３１にはコバルト鋼を用い、絶縁部材３２には硬質ガラスを用いた。ベース基板１３の厚さは、０．７ｍｍである。なお、実施例１に係る固体電解コンデンサの容量は、２．５Ｖ１０００μＦである。

（実施例２）
実施例２においては、図３〜図５の固体電解コンデンサ１００ａを作製した。陽極箔２１ａとして、エッチング処理および化成処理が施されたアルミニウム箔を用いた。陽極箔２１ａの箔厚は、１００μｍ〜１１０μｍである。また、陰極箔２７として、箔厚が５０μｍであり、表面に炭化物粒子が保持されたものを用いた。陽極箔２１ａおよび陰極箔２７は、所定の大きさになるように抜き取った。次に、陽極箔２１ａに対してアジピン酸アンモニウム濃度０．５ｗｔ％〜２ｗｔ％を主体とした化成液を用いて陽極箔２１ａの酸化皮膜の化成電圧値に近似した電圧で化成処理を施し、２００℃〜２８０℃の温度範囲で熱処理を施した。

次に、陽極箔２１ａの片面に固体電解質層２２を形成した。モノマー混合溶剤２５ｗｔ％と酸化剤６０ｗｔ％とを陽極箔２１の両面およびセパレータに形成させ、３０℃から徐々に昇温させ、１５０℃で終了させた。固体電解質層２２の膜厚は、３０μｍ〜５０μｍである。

その後、固体電解質層２２上に、陰極箔２７を貼り合わせ、単位素子２０ａを完成させた。この単位素子２０ａを接着剤複数積層してコンデンサ素子２００ａを完成させた。その後、陽極箔２１ａを陽極端子３１に接続させ、陰極箔２７の引き出し部を超音波溶接により接続した。さらに、金属キャップ１１をコンデンサ素子２００ａに被せ、ベース基板１３と金属キャップ１１とをプロジェクション溶接によって接続した。金属キャップ１１の高さは、１．７ｍｍである。ベース基板１３及び陽極端子３１にはコバルト鋼を用い、絶縁部材３２には硬質ガラスを用いた。ベース基板１３の厚さは、０．７ｍｍである。なお、実施例２に係る固体電解コンデンサの容量は、２．５Ｖ１０００μＦである。

（比較例）
比較例においては、実施例１に係るコンデンサ素子２００を従来のリードフレームに取り付け、エポキシ樹脂をトランスファーモールドによって外装して、固体電解コンデンサを作製した。なお、比較例に係る固体電解コンデンサの容量は、２．５Ｖ１０００μＦである。

（分析）
実施例１，２および比較例に係る固体電解コンデンサの静電容量、ｔａｎδ、漏れ電流およびＥＳＲの値を表１に示す。実施例１，２および比較例の固体電解コンデンサはそれぞれ３０個ずつ作製されており、表１の各値はそれらの平均値を示している。

表１に示すように、実施例１，２に係る固体電解コンデンサにおいては、比較例に係る固体電解コンデンサに比較して、静電容量が増加し、ｔａｎδおよびＥＳＲが大幅に低減している。特に、漏れ電流が大幅に低下している。このことは、金属ケースおよびベース基板によってコンデンサ素子が密封されたためであると考えられる。

次に、９０℃、９５Ｒｈ％の高温高湿度条件下で１０００時間放置した場合の実施例１，２および比較例に係る固体電解コンデンサの特性変化を表２に示す。表２の各値も、平均値を示している。

表２に示すように、比較例に係る固体電解コンデンサは、全てショートした。したがって、静電容量、ｔａｎδおよびＥＳＲのいずれも測定することができなかった。一方、実施例１，２に係る固体電解コンデンサにおいては、静電容量、ｔａｎδ、漏れ電流およびＥＳＲに目立った変化は見られなかった。このことは、金属ケースおよびベース基板によってコンデンサ素子が完全密封されたために高温高湿度条件下における耐湿性が向上したからであると考えられる。

本発明の第１の実施の形態に係る積層型の固体電解コンデンサを説明するための図である。 図１（ａ）のＡ−Ａ線断面のうちコンデンサ素子の断面を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る固体電解コンデンサを説明するための図である。 陽極箔および陰極箔の形状について説明するための図である。 図３のＢ−Ｂ線断面図である。

符号の説明

１０ ケース部
１１ 金属キャップ
１２ 絶縁性層
１３ ベース基板
２０，２０ａ 単位素子
２１，２１ａ 陽極箔
２２ 固体電解質層
２３ カーボンペースト層
２４ 引き出し陰極層
２７ 陰極箔
２８ 溶接部
３１ 陽極端子
３２ 絶縁部材
３３ 凸部
１００，１００ａ 固体電解コンデンサ
２００，２００ａ コンデンサ素子

Claims (12)

1. 導電性を有する基板と、
   前記基板上に配置されたコンデンサ素子と、
   前記基板上に接続され、前記コンデンサ素子を覆い、前記基板と導通する金属キャップとを備え、
   前記コンデンサ素子の陰極と前記基板とは、導通していることを特徴とする積層型固体電解コンデンサ。
2. 前記金属キャップは、前記基板に溶接されていることを特徴とする請求項１記載の積層型固体電解コンデンサ。
3. 前記基板は、金属または表面に金属が形成されたセラミックスからなり、陰極端子を備え、少なくとも１つの貫通孔を有し、
   前記積層型固体電解コンデンサは、前記コンデンサ素子の陽極から前記貫通孔を介して外部に引き出された陽極端子をさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の積層型固体電解コンデンサ。
4. 前記貫通孔における前記基板と前記陽極端子との間に、絶縁部材が設けられていることを特徴とする請求項３記載の積層型固体電解コンデンサ。
5. 前記絶縁部材は、ガラスまたはゴムからなることを特徴とする請求項４記載の積層型固体電解コンデンサ。
6. 前記基板の下面において、前記陽極端子と前記陰極端子との間に絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の積層型固体電解コンデンサ。
7. 前記金属キャップの内面には、絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の積層型固体電解コンデンサ。
8. 前記コンデンサ素子は、弁作用を有する金属からなる陽極箔の表面に、セパレータを含む固体電解質層、カーボンペーストおよび引き出し陰極層が順に形成された単位素子を含み、
   前記基板と前記単位素子の引き出し陰極層とは、導通していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の積層型固体電解コンデンサ。
9. 前記コンデンサ素子は、前記単位素子が複数積層された構造を有し、
   前記複数の単位素子のうち、最下段の単位素子の引き出し陰極層と前記基板とが導通していることを特徴とする請求項８記載の積層型固体電解コンデンサ。
10. 前記コンデンサ素子は、弁作用を有する金属からなる陽極箔の上下面に、セパレータを含む固体電解質層と前記固体電解質層側の面に炭化物粒子を保持する陰極箔とが順に形成された単位素子を含み、前記基板と前記陰極箔とは、導通していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の積層型固体電解コンデンサ。
11. 前記単位素子の陰極箔は、互いに導通していることを特徴とする請求項１０記載の積層型固体電解コンデンサ。
12. 前記コンデンサ素子は、前記単位素子が複数積層された構造を有し、
    前記複数の単位素子の各陰極箔は、互いに導通していることを特徴とする請求項１０または１１記載の積層型固体電解コンデンサ。
    
    

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