KR20080013216A - 적층형 고분자 콘덴서 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/032—Inorganic semiconducting electrolytes, e.g. MnO2
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
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Abstract
적층형 고분자 콘덴서 및 이의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서는, 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서에 있어서, 적층되는 단위 전극 사이의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법은, 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 유전체층, 전도성 고분자층 및 양극/음극용 리드 프레임이 구비된 제 1 단위 전극을 제공하는 단계, 제 1 단위 전극 상면의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층을 형성하는 단계 및 실리콘층 상에 제 2 단위 전극을 적층하는 단계를 포함한다.
전도성 고분자, 적층형 콘덴서, 실리콘층, 단위 전극
Description
도 1은 적층형 고분자 콘덴서의 제조 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 도 1의 제조 공정에 의해 제조된 적층형 고분자 콘덴서의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 제조 공정 가운데 전기화학적 산화중합 과정을 나타낸 설명도이다.
도 4는 종래 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극의 구성을 개략적으로 나타낸 설명도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극의 구성을 개략적으로 나타낸 설명도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
210, 510 : 알루미늄 박 215, 520 : 유전체층
220, 530 : 전도성 고분자층 260 : 몰딩 레진
270 : 애노드 전극 280 : 캐소드 전극
330 : 함침 용액 340 : 외부 전극
350 : 전원 공급부 360 : 함침 배쓰
540 : 카본층 550 : 실버층
560 : 도전성 접착제층 570 : 실리콘층
본 발명은 적층형 고분자 콘덴서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 보다 견고하며, 내전압 특성 및 누설전류 특성 등이 향상된 적층형 고분자 콘덴서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자 기술은 전자회로의 고밀도화, 고성능화 등의 계속적인 발전이 이루어지고 있으며, 이에 따라, 이러한 전자회로에 구비되는 전자부품 또한 경박단소화, 고신뢰성화, 칩화 및 저가격화 등이 요구되고 있는 추세이다. 대표적인 전자부품의 하나인 콘덴서 역시 이러한 요구에 부응하여 소형화, 장수명화 및 칩화에 그 연구가 집중되고 있으며, 특히 고주파 영역에서 주파수 특성이 뛰어난 대용량 콘덴서의 개발에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
대용량을 갖고 있으면서 가격이 대체로 저렴한 콘덴서로는 전해 콘덴서를 들 수 있는데, 일반적으로 이와 같은 전해 콘덴서는 액체 전해질을 함침시켜서 제작한다. 이러한 전해액을 함침한 전해 콘덴서는 이 전해액의 비저항이 대체로 높기 때문에 (102Ω／cm), 고주파 영역에서의 임피던스가 상대적으로 높고, 특히 온도 변화에 따른 저항의 변화가 심하다는 등의 이유로 인해 그 신뢰도에 문제점이 있다.
반면, 고주파 영역에서 비교적 특성이 좋은 필름, 운모, 세라믹 콘덴서 등의 경우 그 정전용량이 작기 때문에 수 ㎌의 정전용량을 갖는 콘덴서로 제작할 경우, 크기가 증대되고 제작비용이 고가가 되는 등의 문제점이 있다.
따라서, 전해 콘덴서의 저렴한 가격과 대용량을 활용할 수 있는 방법을 찾는 연구가 매우 활발하게 진행중이며, 이러한 연구는 궁극적으로 전해 콘덴서등의 등가 직렬저항(ESR)을 낮추는 것으로 집약된다고 할 수 있다. 그 이유는 고주파 영역에서 임피던스 특성을 감소시키는 요인이 바로 이러한 전해 콘덴서의 높은 등가 직렬저항에 기인하기 때문이다.
이와 같은 연구의 결과로 종래의 전해질액 대신에 N-n-부틸-이소퀴놀로니움과 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ)의 착염을 고체 전해로 사용하여 고체 전해 콘덴서를 제작하는 방법이 제안되었다[일본 특허공개 제191414호(1983), 동 제17609호(1983)]. OS-CON이라 불리우는 이 고체 전해 콘덴서는 TCNQ 착염의 비저항이 약 1Ω㎝이므로 종래의 전해액을 사용하는 전해 콘덴서보다 고주파 영역에서 임피던스 특성이 상대적으로 우수하게 나타나며, 온도에 따른 특성 변화 또한 전해액을 사용한 전해 콘덴서에 비해 적게 나타난다. 그러나, TCNQ 착체는 열적 안정성이 좋지 못하여 고온에서 분해되는 결점이 있으며, 용융점이 높아 제조에 어려움이 있다는 등의 문제점이 있다.
이와 같은 유기 고체 전해질을 사용한 고체 전해 콘덴서 이외에, 고체 전해질로 이산화망간과 같은 무기질을 사용한 고체 전해 콘덴서도 이미 제안되어 있다[일본 특허공개 제309487호(1988); Synth. Met. 41, 1133(1991)]. 이 경우, 이산화 망간은 용매에 용해되지 않기 때문에 질산망간 수용액에 함침한 뒤, 이를 건조 후 열분해하여 이산화망간을 전극상에 형성시킨다. 그런데, 이러한 고체 전해 콘덴서는 이산화망간의 비저항이 비교적 높고, 또 이산화망간을 생성할 때 상당히 높은 온도에서 열분해를 행하므로 유전체인 산화피막의 손상으로 누설전류가 증가되며, 또한 동일 작업 공정의 여러번 반복 수행과 같은 복잡한 제조 공정이 필요하다는 등의 단점을 갖는다.
이에 따라, 고체 전해질로 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜 등의 전도성 고분자 물질을 적용한 적층형 고분자 콘덴서가 등장하였다.
추후에 상세히 설명하겠지만, 통상적인 적층형 고분자 콘덴서는 유전체(dielectric)이면서 절연체(insulator) 성질을 가지는 알루미늄 산화피막(Al2O3)이 형성된 미세 다공성(micro pore) 알루미늄 에칭박(etched aluminum foil) 상에 전기화학적 산화중합에 의해 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜 등의 전도성 고분자 층이 형성됨으로써 구성된 2개 이상의 단위 전극이 적층된 구조를 갖는다.
도 4에 종래 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극의 구성을 개략적으로 나타내었다.
도 4를 참도하면, 종래 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극은 유전체층(420)이 형성된 알루미늄 에칭 박(410), 전도성 고분자층(430), 카본층(440), 실버층(450) 및 도전성 접착제층(460) 등으로 구성됨을 알 수 있다. 도전성 접착제층(460) 상에는 음극용 리드 프레임이 부착되며, 적층형 고분자 콘덴서는 이와 같 은 단위 전극이 통상 2 내지 12개 적층됨으로써 구성된다.
단위 전극의 적층 및 양극/음극용 리드 프레임의 인출이 완료되면 에폭시 몰딩(epoxy molding)으로 외장(housing)을 하여 콘덴서를 완성한다. 이때 에폭시 몰딩은 적층이 완료된 콘덴서 소자를 금형에 올려놓고 고온, 고압 분위기에서 에폭시 수지(epoxy resin)를 소자 전면에 생성하는 방법에 의해 이루어진다.
그런데, 이러한 고온, 고압 공정에 의해 형성되는 종래의 적층형 고분자 콘덴서는, 적층된 단위 전극의 사이 또는 도전성 접착제로 접착된 음극 부위 등에 파손이 발생되거나 음극용 리드 프레임이 떨어지는 등의 불량이 일어나는 경우가 많았으며, 또한, 콘덴서 소자 끝단(edge) 부위에 손상이 일어나 콘덴서의 내전압 및 누설전류 특성이 저하될 수 있다는 등의 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 보다 견고하며, 내전압 특성 및 누설전류 특성 등이 향상된 적층형 고분자 콘덴서와 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서는, 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서에 있어서, 적층되는 단위 전극 사이의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 한다.
여기서 단위 전극은, 유전체층이 형성된 미세 다공성 알루미늄 에칭 박, 미세 다공성 알루미늄 에칭 박 상에 유전체층의 적어도 일부가 드러나도록 형성된 전도성 고분자층, 드러난 유전체층과 전도성 고분자층 각각에 전기적으로 연결된 양극/음극용 리드 프레임 및 음극용 리드 프레임의 연결 부위에 형성된 제 2 실리콘층을 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서는 2개 이상 단위 전극의 적층이 완료된 콘덴서 소자의 전체적 외부면에 형성된 제 3 실리콘층을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법은, 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 유전체층, 전도성 고분자층 및 양극/음극용 리드 프레임이 구비된 제 1 단위 전극을 제공하는 단계, 제 1 단위 전극 상면의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층을 형성하는 단계 및 실리콘층 상에 제 2 단위 전극을 적층하는 단계를 포함한다.
여기서 단위 전극을 제공하는 단계는, 유전체층이 형성된 미세 다공성 알루미늄 에칭 박을 제공하는 단계, 미세 다공성 알루미늄 에칭 박 상에 유전체층의 적어도 일부가 드러나도록 전도성 고분자층을 형성하는 단계, 드러난 유전체층과 전도성 고분자층 각각에 전기적으로 연결된 양극/음극용 리드 프레임을 형성하는 단계 및 음극용 리드 프레임의 연결 부위에 제 2 실리콘층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법은, 2개 이상 단위 전극의 적층이 완료된 콘덴서 소자의 전체적 외부면에 제 3 실리콘층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있을 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것으로, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 적층형 고분자 콘덴서의 제조 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 도 1의 제조 공정에 의해 제조된 적층형 고분자 콘덴서의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예가 적용되는 고분자 콘덴서의 구성 및 제조 과정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 타발(S110), 재화성(S120) 등의 공정을 통해 알루미늄 박(210)의 표면 에 유전체층(215)을 형성한 후 소정의 크기와 형상을 갖도록 절단한다. 이후, 유전체층(215) 상에 가용성 고분자층을 코팅 형성(S130)하고, 이어 전기화학적 산화중합 방식을 통해 전도성 고분자층(220)을 형성(S140)한다.
다시 말해, 적층형 알루미늄 고분자 콘덴서의 제조를 위해 콘덴서 전극으로 유전체(dielectric)이면서 절연체(insulator) 성질을 가지는 알루미늄 산화막(Al2O3, 215)이 형성된 미세 다공성(micro pore) 알루미늄 에칭박(etched aluminum foil) 상에 전기화학적 산화중합에 의해 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리싸이오펜 (polythiophene) 등의 전도성 고분자층을 형성(S140)하는 것이다.
다음 전도성 고분자층(220) 상에 실버층(240)을 형성(S160)하게 되는데, 이때, 실버층(240)의 형성에 앞서 전도성 고분자층(220)의 평탄화 등을 위한 카본층(230) 형성 공정(S150)을 수행할 수 있다. 이상의 공정을 통해 단위 전극이 구성되며, 이와 같이 구성된 단위 전극의 적층 공정(S170)을 통해 다층 구조를 갖는 고분자 콘덴서가 형성된다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 적층형 전도성 고분자 콘덴서는, 적층되는 각각의 단위 전극 사이 공간의 적어도 일부 영역에 실리콘층이 형성됨으로써, 단위 전극 간 접착력의 향상 및 접착 영역의 보호 기능 등을 수행할 수 있도록 하였다. 각각의 단위 전극의 상세 구조에 대해서는 추후 별도의 도면을 통해 설명하도록 한다.
단위 전극의 적층이 완료되면, 애노드 전극(270)과 캐소드 전극(280)의 형성을 위한 양극/음극용 리드 프레임 형성 공정(S180)을 수행한 후, 몰딩 레진(260) 등을 이용한 몰딩 공정(S190)에 의해 고분자 콘덴서의 제조가 완료된다.
그런데, 통상 고온, 고압의 분위기에서 수행되는 몰딩 공정(S190) 중에, 실버 등의 소재로 구성된 도전성 접착제에 의해 접착된 음극용 리드 프레임에 발생될 수 있는 탈착 등의 훼손을 방지할 수 있도록, 본 발명의 실시예에 있어서는 음극용 리드 프레임의 접착 영역에 추가적인 실리콘층이 형성될 수 있도록 하였다. 또한, 단위 전극의 적층이 완료된 콘덴서 소자의 전체적인 외부면에 별도의 실리콘 층을 형성할 수 있도록 함으로써, 모서리 영역 등에 흔히 발생될 수 있는 파손을 방지할 수 있도록 하였다.
이때, 실리콘층의 형성으로 인한 전체적인 콘덴서 소자의 사이즈 증가 등을 방지할 수 있도록, 톨루엔 등의 유기 용매를 이용해 실리콘의 점도를 조절하는 것이 바람직할 수 있다.
여기서, 실리콘층은 디스펜서(dispenser)나 노즐을 이용한 부분 도포 또는 실리콘 용액이 수용된 배쓰에 콘덴서 소자를 함침시키는 등의 다양한 방식에 의해 형성 가능할 것이다. 액상의 실리콘 용액을 건조, 경화시키는 방법 또한 다양한 모든 방법의 적용이 가능하겠으나, 본 발명의 실시예에 있어서는, 100 내지 150?의 건조 오븐에서 약 30분 간 건조시키는 방법을 이용하였다.
몰딩 공정(S190)의 수행 후 마킹(marking), 에이징(aging) 및 검사(test) 등의 공정이 추가로 수행될 수 있으며, 상기의 고분자 콘덴서의 제조 과정 중 전기화 학적 산화중합 방식을 통해 전도성 고분자층(220)을 형성하는 공정(S140)에는, 전기화학적 산화중합 공정에 소요되는 전원의 공급을 위한 외부전극이 요구되는데, 이러한 외부전극은 금속 박이나 금속 박과 이의 일면에 코팅된 도전성 접착제 등으로 이루어지는 등의 구성을 가질 수 있음은 당업자에 있어 자명한 사실이므로, 이들에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
도 3은 적층형 고분자 콘덴서 제조 과정 가운데 전기화학적 산화중합 공정을 나타낸 설명도이다.
도 3을 참조하면, 절연지(315)에 의해 양극(310)과 음극(320)이 구분된 알루미늄 박은 함침 배쓰(360)에 수용된 전도성 고분자 단량체 용액(330)에 부분 함침되며, 알루미늄 박의 양극(310)과 음극(320)에 걸쳐 전원 공급부(350)로부터 인가되는 전원의 공급을 위한 외부 전극(340)이 연결 구성됨을 알 수 있다.
즉, 전기화학적 산화중합에 의해 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜 등의 전도성 고분자층을 형성하기 위해, 알루미늄 박을 가용성-전도성 고분자인 폴리아닐린 등의 수용액에 함침시킨 후 건조시킴으로써 유전체층 상에 가용성 고분자층인 폴리아닐린 층을 형성한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 외부 전극(340)을 접촉시켜 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜 등의 전도성 고분자 단량체 용액(330) 내에서 전기화학적 산화중합을 실시하여 알루미늄 박 위에 전도성 고분자 전해질 층을 생성하게 되는 것이다.
이때 전도성 고분자의 전기화학적 산화중합을 위한 외부전극(340)으로는, 전술한 바와 같이, 도전성 접착제(conductive adhesive)가 금속 박(metal foil) 에 점착된 도전성 금속 테이프(conductive metal tape)나 금속 박 등이 이용될 수 있다.
이상의 공정을 통해 형성된 전도성 고분자층은 음극용 리드 프레임과 전기적으로 연결됨으로써, 콘덴서 소자의 음극으로서의 기능을 수행하게 되는데, 음극용 리드 프레임은 실버 등의 소재로 구성된 도전성 접착제를 이용해 접착이 이루어지며, 접착된 음극용 리드 프레임 상에는 접착력을 향상시키고 외력(外力)에 의한 파손 등을 방지할 수 있도록 실리콘층이 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극의 구성을 개략적으로 나타낸 설명도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 고분자 콘덴서에 구비되는 단위 전극은, 유전체층(520)이 형성된 미세 다공성 알루미늄 에칭 박(510), 전도성 고분자층(530), 카본층(540), 실버층(550), 도전성 접착제층(560) 및 실리콘층(570) 등을 포함하여 구성된다.
즉, 정격 용량에 따라 통상 2 내지 12개의 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 적층형 전도성 고분자 콘덴서를 구성함에 있어, 각각의 단위 전극 사이 영역이나 음극용 리드 프레임의 접착 영역 또는 콘덴서 소자의 전체적인 외부 영역에 실리콘층(570)을 형성할 수 있도록 함으로써, 단위 전극 사이의 부착력, 음극용 리드 프레임의 접착력을 향상시킴과 아울러, 콘덴서 소자의 파손 등에 따른 내전압 특성, 누설전류 특성 등이 악화되는 것을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.
이때, 실리콘층의 형성으로 인한 전체적인 콘덴서 소자의 사이즈 증가 등을 방지할 수 있도록, 톨루엔 등의 유기 용매를 이용해 실리콘의 점도를 조절하는 것이 바람직하고, 실리콘층이 디스펜서나 노즐 등을 이용한 부분 도포 또는 실리콘 용액이 수용된 배쓰에 콘덴서 소자를 함침시키는 등의 다양한 방식에 의해 형성 가능하며, 실리콘 용액을 건조, 경화시키는 방법 또한 다양한 모든 방법의 적용이 가능하나, 본 발명의 실시예에 있어서는, 100 내지 150?의 건조 오븐에서 약 30분 간 건조시키는 방법을 이용하였음 등에 대해서는 전술한 바 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야만 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 적층형 고분자 콘덴서 및 이의 제조 방법에 따르면, 적층되는 단위 전극의 사이 공간, 음극용 리드 프레임의 부착 영역 및 콘덴서 소자의 전체적인 외부면 등에 실리콘층을 형성할 수 있게 되었다.
이에 따라, 적층되는 각각의 단위 전극 사이 접착력이 향상되며, 음극용 리드 프레임의 파손이 방지될 뿐만 아니라, 전체적인 콘덴서 소자의 보호가 가능하게 됨으로써, 결국, 보다 견고하고 내전압 특성, 누설전류 특성 등이 향상된 적층형 전도성 고분자 콘덴서를 제공할 수 있게 되었다는 등의 장점이 있다.
Claims (7)
- 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서에 있어서,상기 적층되는 단위 전극 사이의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층이 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서.
- 제 1 항에 있어서,상기 단위 전극은, 유전체층이 형성된 미세 다공성 알루미늄 에칭 박;상기 미세 다공성 알루미늄 에칭 박 상에 상기 유전체층의 적어도 일부가 드러나도록 형성된 전도성 고분자층;상기 드러난 유전체층 및 상기 전도성 고분자층과 각각 전기적으로 연결된 양극/음극용 리드 프레임; 및상기 음극용 리드 프레임의 연결 부위에 형성된 제 2 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 2개 이상 단위 전극의 적층이 완료된 콘덴서 소자의 전체적 외부면에 형성된 제 3 실리콘층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서.
- 제 3 항에 있어서,상기 실리콘층은, 액상의 실리콘 수지 및 상기 실리콘 수지의 점도 조절을 위해 함유된 소정량의 유기용매를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서.
- 2개 이상 단위 전극의 적층에 의해 구성되는 고분자 콘덴서의 제조 방법에 있어서,유전체층, 전도성 고분자층 및 양극/음극용 리드 프레임이 구비된 제 1 단위 전극을 제공하는 단계;상기 제 1 단위 전극 상면의 적어도 일부 영역에 제 1 실리콘층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘층 상에 제 2 단위 전극을 적층하는 단계를 포함하는 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 단위 전극을 제공하는 단계는, 유전체층이 형성된 미세 다공성 알루미늄 에칭 박을 제공하는 단계;상기 미세 다공성 알루미늄 에칭 박 상에 상기 유전체층의 적어도 일부가 드러나도록 전도성 고분자층을 형성하는 단계;상기 드러난 유전체층 및 상기 전도성 고분자층과 각각 전기적으로 연결된 양극/음극용 리드 프레임을 형성하는 단계; 및상기 음극용 리드 프레임의 연결 부위에 제 2 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 2개 이상 단위 전극의 적층이 완료된 콘덴서 소자의 전체적 외부면에 제 3 실리콘층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| CN114664568A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-06-24 | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 | 一种降低叠层电容器等效串联电阻的方法 |
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2006
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