CN107207950A - 具有碳化硅的导热电磁干扰(emi)吸收剂 - Google Patents

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Abstract

根据各种方面，公开了导热EMI吸收剂的示例性实施方式，其通常包括导热颗粒、EMI吸收颗粒以及碳化硅。碳化硅以足以协同地增强热导率和/或EMI吸收的量存在。举例而言，导热EMI吸收剂的示例性实施方式可以包括碳化硅、磁性碎片、锰锌铁氧体、氧化铝以及羰基铁。

Description

具有碳化硅的导热电磁干扰(EMI)吸收剂
相关申请的交叉引用
本申请是2015年2月6日提交的美国第62/112758号临时专利申请、2015年4月10日提交的美国第14/683870号专利申请以及2015年10月30日提交的美国第14/928189号专利申请的PCT国际申请。
美国第14/683870号专利申请要求美国第62/112758号临时专利申请的权益和优先权。
美国第14/928189号专利申请是2015年4月10日提交的美国第14/683870号专利申请的部分继续，并且还要求美国第62/112758号临时专利申请的权益和优先权。
此处以引证的方式将上述申请的整个公开并入。
技术领域
本公开总体涉及导热电磁干扰(EMI)吸收剂。
背景技术
本节提供了与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术。
诸如半导体、晶体管等的电部件通常具有电部件最佳操作的预设计温度。理想地，预设计的温度接近于周围空气的温度。但电部件的操作生成热量，如果不去除热量，那么将使得电部件在显著高于其正常或期望操作温度的温度下操作。这种过高的温度会不利地影响电部件的操作特性和关联装置的操作。
为了避免或至少减少来自热量生成的不利操作特性，例如应通过从操作的电部件向散热器传导热量来去除热量。然后通过传统的对流和/或辐射技术冷却散热器。在传导期间，热量可以由电部件与散热器之间的直接表面接触和/或由电部件和散热器表面借助中间介质或热界面材料(TIM)的接触从操作的电部件传递到散热器。为了与使间隙填充有作为较差热导体的空气相比提高热传递，热界面材料可以用于填充热界面材料之间的间隙。
除了生成热量之外，电子装置的操作在设备的电子电路内生成电磁辐射。这种辐射可能导致电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)，该EMI或RFI会干扰特定接近度内的其他电子装置的操作。在没有充足屏蔽的情况下，EMI/RFI干扰会引起重要信号的劣化或完全损失，从而致使电子设备低效或不可操作。
减轻EMI/RFI效应的常见技术方案时通过使用能够吸收和/或反射和/或重新引导EMI能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常被采用来使EMI/RFI局部化在其源内，并且使接近EMI/RFI源的其他装置绝缘。
如这里所用的术语“EMI”应被认为通常包括且是指EMI发射和RFI发射，并且术语“电磁”应被认为通常包括且是指来自外部源和内部源的电磁频率和射频。因此，术语屏蔽(如这里所用的)广泛地包括且是指诸如通过吸收、反射、阻挡和/或重新引导能量或其某一组合减轻(或限制)EMI和/或RFI，使得它例如对于政府依从性和/或电子部件系统的内部功能不再干扰。
发明内容
本节提供了公开的简要综述，并且不是其全范围或其所有特征的综合公开。
根据各种方面，公开了导热EMI吸收剂的示例性实施方式，导热EMI吸收剂包括导热颗粒、EMI吸收颗粒以及碳化硅。碳化硅以足以协同地增强热导率和/或EMI吸收的量存在。举例而言，导热EMI吸收剂的示例性实施方式包括碳化硅、磁性碎片、锰锌铁氧体以及羰基铁。
进一步的应用领域根据这里所提供的描述将变得显而易见。该综述中的描述和具体示例仅是用于例示的目的，并且不旨在限制本公开的范围。
附图说明
这里所描述的附图仅用于例示所选实施方式而不是所有可能的实施，并且不旨在限制本公开的范围。
图1是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉以及氧化铝的两种不同的导热EMI吸收剂的衰减或吸收(单位为分贝每厘米(dB/cm))对频率(单位为千兆赫(GHz))的线图，并且还为了比较目的而示出了不包括任何碳化硅的导热EMI吸收剂；
图2是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉以及氧化铝的两种不同的导热EMI吸收剂的衰减(dB/cm)对频率(GHz)的线图；
图3是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片的两种导热EMI吸收剂的传输衰减比(RTP)(单位为分贝(dB))对频率(GHz)的线图，其中，导热EMI吸收剂具有1毫米(mm)和2.5mm的厚度；
图4是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片的两种导热EMI吸收剂的吸收能力(％)对频率(GHz)的线图，其中，导热EMI吸收剂具有1mm和2.5mm的厚度；
图5是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片的导热EMI吸收剂的衰减(dB/cm)对频率(GHz)的线图；
图6是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片的导热EMI吸收剂的磁导率(u)对频率(GHz)的线图；以及
图7是例示了根据示例性实施方式的、对于包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片的导热EMI吸收剂的介电常数(e)对频率(GHz)的线图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述示例实施方式。
这里公开了包括碳化硅的导热EMI吸收剂的示例性实施方式。例如，公开了包括碳化硅、羰基铁粉以及氧化铝的导热EMI吸收剂的示例性实施方式。在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂还包括锰锌(MnZn)铁氧体和磁性碎片。
如这里公开的，发明人已经发现：碳化硅(SiC)与导热材料(例如，氧化铝(Al2O3)、陶瓷等)以及EMI吸收材料(例如，羰基铁粉(CIP)、磁性碎片、锰锌(MnZn)铁氧体、其他EMI吸收材料等)协同工作以增强导热率和EMI吸收(如图1、图2以及图5等所示)。产生的导热EMI吸收剂具有高热导率(例如，至少2瓦特每米每开尔文(W/m-K)或更高等)和高EMI吸收或衰减(例如，至少1GHz频率下的至少9分贝每厘米(dB/cm)、至少15GHz的频率下的至少17dB/cm)。仅举例而言，这里公开了可以包括碳化硅(例如，大约21至27体积分数(vol％)等)、羰基铁粉(例如，大约8至38vol％等)以及氧化铝(例如，大约6至44vol％等)的导热EMI吸收剂的示例性实施方式。仅举例而言，这里还公开了可以包括碳化硅(例如，大约4至10vol％等)、羰基铁粉(例如，大约3至5vol％等)、氧化铝(例如，大约18至23vol％等)、锰锌铁氧体(例如，大约27至40vol％等)以及碎片状磁性材料(例如，大约2至4vol％等)的导热EMI吸收剂的示例性实施方式。
领域尚未知碳化硅协同起作用以提供改进的热导率和高EMI吸收的实例。以下四个示例示出了碳化硅对热导率和EMI吸收具有的协同效应。从实践的观点，已经满足领域中的需要。借助碳化硅在前三个示例配方中对氧化铝和羰基铁粉具有的协同的存在，发明人已经生成了一种与传统吸收剂相比以较少的氧化铝具有较好的热导率和/或以较少的羰基铁粉具有较好的吸收的导热EMI吸收合成物。在第四示例配方中，锰锌铁氧体和磁性碎片连同碳化硅、氧化铝以及羰基铁粉的存在提供一种具有低频(诸如1GHz至5GHz之间)下的极高衰减的导热EMI吸收合成物。
以下四个示例配方打算例示特定实施方式的一般原理和特性，并且不旨在限制权利要求的范围。在其他示例性实施方式中，可以改变各配方的体积百分比，以改进或优化产品的特定特性。
在这些示例配方中，碳化硅具有大约30微米的平均粒度，粒度在大约16微米至大约49微米的范围内。碳化硅颗粒在形状上大多数为球形。一种氧化铝颗粒的粒度的范围从大约1微米至大约9微米(例如，平均粒度为大约2微米等)。另一种或第二种氧化铝颗粒的粒度的范围从大约26微米至大约65微米(例如，平均粒度为大约45微米等)。羰基铁颗粒的粒度范围从大约1微米至大约6微米。碳化硅、氧化铝以及羰基铁颗粒在形状上全部大多数为球形。
导热EMI吸收剂的第一示例配方包括37体积百分比的羰基铁粉、26体积百分比的碳化硅、7体积百分比的氧化铝、27.7体积百分比的硅酮基体、2.2体积百分比的分散剂以及0.1体积百分比的交联剂。在该第一示例中，分散剂是异丙基三异硬脂酰钛酸酯(Isopropyltriisostearoyl titanate)，并且交联剂是氢化物封端的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物(Methylhydrogensiloxane-Dimethylsiloxane copolymer)。该第一示例配方具有热导率3W/m-K。
导热EMI吸收剂的第二示例配方包括9体积百分比的羰基铁粉、22体积百分比的碳化硅、43体积百分比的氧化铝、24.4体积百分比的硅酮基体、1.5体积百分比的分散剂以及0.1体积百分比的交联剂。在该第二示例中，分散剂是异丙基三异硬脂酰钛酸酯，并且交联剂是氢化物封端的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物。该第二示例配方具有热导率4W/m-K。
导热EMI吸收剂的第三示例配方包括10体积百分比的羰基铁粉、27体积百分比的碳化硅、34体积百分比的氧化铝、27.1体积百分比的硅酮基体、1.8体积百分比的分散剂以及0.1体积百分比的交联剂。在该第三示例中，分散剂是异丙基三异硬脂酰钛酸酯，并且交联剂是氢化物封端的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物。该第三示例配方具有热导率3.5W/m-K。
图1和图2是例示了上述第一配方和第二配方的衰减或吸收(dB/cm)对频率(GHz)的示例性线图。为了比较目的，图1还示出了不包括任何碳化硅的传统导热EMI吸收剂(在图1中被标记为对照物)的衰减或吸收(dB/cm)对频率(GHz)。图1和图2所示的结果仅为了例示的目的而提供，而不是为了限制的目的而提供。
传统吸收剂(对照物)包括43体积百分比的羰基铁粉、0体积百分比的碳化硅、22体积百分比的氧化铝、33.1体积百分比的硅酮基体、1.7体积百分比的分散剂以及0.2体积百分比的交联剂。对于对照物，分散剂是异丙基三异硬脂酰钛酸酯，并且交联剂是氢化物封端的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物。对照物具有热导率2W/m-K。
与三个示例配方相比，传统吸收剂具有最低热导率2W/m-K。相比之下，第一配方尽管具有7％体积的较少的氧化铝，但具有更高的热导率3W/m-K。由此，这一点示出了碳化硅对热导率具有的协同效应。
如图1所示，第二配方的衰减优于传统吸收剂或对照物。尽管如此，与43％体积羰基铁粉的传统吸收剂相比，第二配方仅具有9％体积的羰基铁粉。第二配方还具有是传统吸收剂热导率两倍的热导率4W/m-K。
图1还示出了第一配方的衰减优于或高于传统吸收剂(例如，增加为大约三倍(3x)等)。第一配方还具有热导率3W/m-K，其高于传统吸收剂的热导率2W/m-K。
导热EMI吸收剂的第四示例配方包括32.1体积百分比的锰锌铁氧体、3体积百分比的碎片状磁性材料(例如，磁性碎片或含有铁、硅以及铝的碎片状合金等)、4体积百分比的羰基铁粉、4.8体积百分比的碳化硅、4.1体积百分比的硅油、1.6体积百分比的钛酸酯偶联剂、2.9体积百分比的硅油中5.5wt％(重量百分比)的交联剂、19.5体积百分比的氧化铝(例如，3.7体积百分比的具有大约2微米的平均粒度的第一类型或等级的氧化铝和15.8体积百分比的具有大约45微米的平均粒度的第二类型或等级的氧化铝等)、以及28体积百分比的硅凝胶(或14体积百分比的部分A硅凝胶和14体积百分比的部分B硅凝胶)。
就重量百分比而言，第四示例配方包括47.7重量百分比的锰锌铁氧体、5.9重量百分比的碎片状磁性材料、9重量百分比的羰基铁粉、4.5重量百分比的碳化硅、1.2重量百分比的硅油、0.5重量百分比的钛酸酯偶联剂、0.8重量百分比的硅油中5.5wt％(重量百分比)的交联剂、22.5重量百分比的氧化铝(例如，4.5重量百分比的具有大约2微米的平均粒度的第一类型或等级的氧化铝以及18重量百分比的具有大约45微米的平均粒度的第二类型或等级的氧化铝等)、以及8重量百分比的硅凝胶(或4重量百分比的部分A硅凝胶和4重量百分比的部分B硅凝胶(silicone gel))。
同样在该第四示例配方中，锰锌铁氧体具有大约6.5微米的平均粒度和不规则的球形形状。碎片状磁性材料具有大约80微米的直径和大约1微米的厚度，从而具有大约80的纵横比。碎片状磁性材料可以包括含有铁、硅以及铝的合金(诸如包括大约6至12％的硅、大约3至10％的铝以及余量的铁的合金(例如，包括大约85％铁、大约9.5％硅以及大约5.5％铝的磁性金属合金、包括大约85％铁、大约9％硅以及大约6％铝的磁性金属合金等))。
该第四示例配方具有2W/m-K或更多的热导率。该第四示例配方还具有从1千兆赫至6千兆赫的频率下的至少大约9分贝每厘米的衰减。
图3至图7是例示了具有上述第四配方的导热EMI吸收剂的性能数据的示例性线图。图3至图8所示的结果仅为了例示的目的而提供，而不是为了限制的目的而提供。
更具体地，图3是例示了传输衰减比(RTP)(dB)对频率(GHz)的线图。通常，图3示出了具有第四配方的导热EMI吸收剂针对1GHz至6GHz之间的频率具有良好的RTP(例如，大于大约2dB等)。作为背景，传输衰减比基于IEC6233是50欧姆微带测量，其中：
Rtp＝-10Log(10|S21|/10|(1-10|S11||/10))，
1＝>你在线中设置的能量
S21＝>穿过该线的能量
S11＝>被反射的能量
图4是例示了吸收能力(％)对频率(GHz)的线图。通常，图4示出了具有第四配方的导热EMI吸收剂针对1GHz至6GHz之间的频率具有良好吸收率(％)(例如，大于30％等)。例如，2.5毫米厚样本针对1GHz具有至少大约50％的吸收能力7并且针对2GHz至6GHz之间的频率具有大于70％的吸收能力。同样，例如，1毫米厚样本在1GHz处具有至少大约30％的吸收能力并且针对2GHz至6GHz之间的频率具有大于70％的吸收能力。
图5是例示了衰减(dB/cm)对频率(GHz)的线图。通常，图5示出了具有第四配方的导热EMI吸收剂针对1GHz至18GHz之间的频率具有良好衰减(例如，从1GHz至6GHz大于9dB/cm等)。例如，具有第四配方的导热EMI吸收剂在1GHz处具有至少大约11dB/cm、在2GHz处具有至少大约25dB/cm、在3GHz处具有至少大约36dB/cm、在4GHz处具有至少大约44dB/cm、在5GHz处具有至少大约49dB/cm以及在6GHz处具有至少大约52dB/cm的衰减。
图6和图7是分别例示了具有第四配方的导热EMI吸收剂的磁导率(u)和介电常数(e)对频率(GHz)的线图。通常，磁导率和介电常数被测量且然后可以被输入到方程中，以计算反映EMI吸收的衰减。具有更高虚数磁导率(u”)和更高虚数介电常数(e”)的材料将具有更高的衰减。材料的其他特性还可以从这四个参数(即，图6所示的实数磁导率(u’)和虚数磁导率(u”)以及图7所示的实数介电常数(e”)和虚数介电常数(e’))导出。
图6和图7示出了具有第四配方的导热EMI吸收剂针对1GHz至6GHz之间的频率具有良好的磁导率和介电常数。
因此，公开了具有针对低频(例如，从1GHz至6GHz)的高EMI吸收或衰减(例如，在至少1GHz频率处至少9分贝每厘米(dB/cm))和高热导率(例如，至少2W/mk或更高等)的导热EMI吸收剂的示例性实施方式。导热EMI吸收剂还可以具有高磁导率(例如，在10MHz处的磁导率23等)。如这里所公开的，导热EMI吸收剂的示例性实施方式可以包含碳化硅、氧化铝、羰基铁粉、锰锌(MnZn)铁氧体以及磁性碎片或碎片状磁性材料(例如，碎片状仙都斯特合金磁性金属粉末、碎片状坡莫合金、含有铁、硅以及铝的碎片状合金、含有铁和镍的碎片状合金、具有较高磁导率的碎片状材料等)的材料(例如，软硅凝胶等)，以进行良好的热量传递和微波吸收。
举例而言，磁性碎片或碎片状磁性材料可以包括含有铁、硅以及铝的合金(诸如包括大约6至12％的硅、大约3至10％的铝以及余量的铁的合金(例如，包括大约85％铁、大约9.5％硅以及大约5.5％铝的磁性金属合金、包括大约85％铁、大约9％硅以及大约6％铝的磁性金属合金)等)。用另外示例的方式，磁性碎片或碎片状磁性材料可以包括含有铁和铝的合金(诸如包括大约20％铁和大约80％镍的合金)。同样，举例而言，导热EMI吸收剂可以被置于芯片(或其他热源)与散热器(或其他散热装置或部件)之间，以导走热量，并且防止(或至少抑制)EMI能量到达散热器并辐射出。在这种情况下，导热EMI吸收剂可以允许消除噪声抑制器。
对于EMI吸收或衰减，第一样本配方、第二样本配方以及第三样本配方中的每个分别包括37vol％、9vol％以及10vol％量的羰基铁粉。有利地，羰基铁粉提供用于从大约5GHz至大约15GHz范围的关注频率的较好的性能。其他示例性实施方式可以代替羰基铁粉和/或除了包括不同量的羰基铁粉之外，还包括一种或更多种其他EMI吸收剂。例如，第四配方除了包括羰基铁粉之外，还包括锰锌铁氧体和磁性碎片或含有铁、硅以及铝的碎片状合金。更具体地，示例性的第四配方包括32.1体积百分比的锰锌铁氧体、3体积百分比的碎片状磁性材料以及4体积百分比的羰基铁粉。其他示例性实施方式可以代替锰锌铁氧体、磁性碎片和/或羰基铁粉和/或除了包括不同量的锰锌铁氧体、磁性碎片和/或羰基铁粉之外，还包括一种或更多种其他EMI吸收剂。
可以用于示例性实施方式的EMI吸收剂的示例包括硅化铁、铁颗粒、氧化铁、铁合金、铁铬化合物、仙都斯特合金(SENDUST)、坡莫合金、铁氧体、磁合金、磁粉、磁性碎片、磁性颗粒、镍基合金和粉末、铬合金、羰基铁(例如，羰基铁粉等)、其组合等。EMI吸收剂可以包括细粒、球体、微球体、椭圆体、不规则球体、股、碎片、颗粒、粉末和/或这些形状中的任意或所有的组合。在一些示例性实施方式中，EMI吸收剂可以包括磁性材料(诸如在大于1.0兆赫处具有2的相对磁导率的磁性材料)。例如，EMI吸收剂可以在大于大致1.0千兆赫处具有大约3.0的相对磁导率以及在大于10千兆赫处具有大约1.5的相对磁导率。另选实施方式可以包括不同配置且不同尺寸的EMI吸收剂。该段落中提供的这些具体数值(如这里公开的所有数值)仅是用于例示的目的，而不是用于限制的目的。
针对热导率，第一示例配方、第二示例配方、第三示例配方以及第四示例配方中的每个示例配方分别包括7vol％、43vol％、34vol％以及19.5vol％的量的氧化铝。有利地，氧化铝成本较低且可以各种粒度使用，这允许嵌套或包装氧化铝颗粒，以提高氧化铝的体积负载，以得到更高的热导率。其他示例性实施方式可以代替氧化铝或除了包括氧化铝之外还包括一种或更多种其他热导体或导热填料。例如，一些示例性实施方式可以包括具有至少1W/m-K(瓦特每米-开尔文)或更多的热导率的其他导热填料(诸如具有多达数百W/m-K的热导率的铜填料等)。同样例如，其他示例性实施方式可以包括以下导热填料中的一种或更多种：氧化锌、氮化硼、氮化硅、铝、氮化铝、氧化铝、铁、金属氧化物、石墨、陶瓷、其组合(例如，氧化物和氧化锌等)等。另外，示例性实施方式还可以包括不同级(例如，不同尺寸、不同垂度、不同形状等)的相同(或不同)导热填料。例如，导热EMI吸收剂可以包括两种不同尺寸的氮化硼。通过改变导热填料的类型和级别，可以根据期望改变导热EMI吸收剂的最终特性(例如，热导率、成本、硬度等)。在这里所公开的示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以具有至少2W/m-K或更高的热导率。
第一示例配方、第二示例配方、第三示例配方以及第四示例配方包括硅酮基体(例如，硅酮弹性体、硅凝胶等)。在其他示例性实施方式中，基体可以包括其他材料(诸如包括聚氨酯、橡胶(例如，SBR、丁晴橡胶、丁基橡胶、异戊二烯、EPDM等)等的其他热固性聚合物)。用另外示例的方式，基体材料可以包括热塑性基体材料、聚烯烃、聚酰胺、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和苯乙烯共聚物、丙烯腈、聚氯乙烯、聚砜、乙缩醛、聚丙烯酸酯、聚丙烯、沙林树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、其组合等。基体可以基于特定填料(例如，碳化硅、氧化铝、羰基铁粉、锰锌铁氧体、磁性碎片、其他填料等)和/或可以被悬浮或添加到基体的填料的特定数量来选择。基体还可以为对电磁能大致透明的，使得基体不妨碍基体中EMI吸收填料的吸收动作。例如，展示小于大致4的相对介电常数和小于大致0.1的损耗正切的基体对EMI足够透明。然而，因为该段落中提供的这些具体数值(如这里公开的所有数值)仅是用于例示的目的，而不是用于限制的目的，所以也预期该范围外部的值。
仅举例而言，以下是可以用于制作包括碳化硅、羰基铁粉以及氧化铝的导热EMI吸收剂(诸如具有上述第一示例配方、第二示例配方或第三示例配方的导热EMI吸收剂)的示例性过程的描述。在第一步骤或操作中，高速混合器可以用于混合硅凝胶部分A和B连同分散剂和交联剂，直到良好混合为止(例如，混合大约2分钟等)。在第二步骤或操作中，然后可以在混合的同时缓慢添加羰基铁粉(例如，大约5分钟等)，直到羰基铁粉与硅聚合物良好混合且被硅聚合物弄湿为止。在第三步骤或操作中，接着可以在混合的同时缓慢添加碳化硅(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第四步骤或操作中，可以在混合的同时缓慢添加具有第一或更小粒度的氧化铝(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第五步骤或操作中，可以在混合的同时缓慢添加具有第二或更大粒度的氧化铝(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第六步骤或操作中，可以继续混合(例如，大约5分钟等)，直到混合物彻底光滑为止。在第七步骤或操作中，可以将混合物置于真空下(例如，大约5分钟)，以去除空气。第八步骤或操作可以包括可以将砑光辊之间的间隙设置为期望的产品厚度。在第九步骤或操作中，可以在砑光辊之间的两个离型膜之间碾压混合物。在第十步骤或操作中，可以在烤箱中固化产生的片(例如，取决于厚度以285华氏度固化大约1至2小时等)。
仅用另外示例的方式，以下是可以用于制作包括碳化硅、羰基铁粉、氧化铝、锰锌铁氧体以及磁性碎片的导热EMI吸收剂(诸如具有上述第四配方的导热EMI吸收剂)的示例性过程的描述。在第一步骤或操作中，混合器可以用于混合硅凝胶部分A和B连同分散剂和交联剂，直到良好混合为止(例如，混合大约2分钟等)。在第二步骤或操作中，然后可以在混合的同时缓慢添加羰基铁粉(例如，大约5分钟等)，直到羰基铁粉与硅聚合物良好混合且被硅聚合物弄湿为止。在第三步骤或操作中，接着可以在混合的同时缓慢添加碳化硅(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第四步骤或操作中，可以在混合的同时缓慢添加具有第一或更小粒度的氧化铝(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第五步骤或操作中，可以在混合的同时缓慢添加具有第二或更大粒度的氧化铝(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第六步骤或操作中，接着可以在混合的同时缓慢添加锰锌铁氧体(例如，大约5分钟等)，直到良好混合为止。在第七步骤或操作中，可以在混合的同时缓慢添加磁性碎片(例如，大约30分钟等)，直到磁性碎片与硅聚合物良好混合且被硅聚合物弄湿为止。在第八步骤或操作中，可以继续混合(例如，大约10分钟等)，直到混合物彻底光滑为止。可以取决于厚度在烤箱中(例如，以285华氏度等)固化产生的片预定的时间量(例如，对于0.1英寸的厚度固化大约6小时或更多，以具有干净的外皮等)。可以发生在固化过程之前的一些另外步骤可以包括将混合物置于真空下(例如，大约5分钟等)，以去除空气；可以将砑光辊之间的间隙设置为期望的产品厚度；以及在砑光辊之间的两个离型膜之间碾压混合物。
在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂还可以包括粘合剂层(诸如压敏粘合剂(PSA)等)。压敏粘合剂(PSA)通常可以基于包括丙烯酸、硅、橡胶及其组合的化合物。粘合剂层可以用于将导热EMI吸收剂粘到EMI屏蔽件的一部分(诸如粘到单片EMI屏蔽件，粘到多片屏蔽件的盖、罩、框架或其他部分，粘到不连续的EMI屏蔽墙等)。还可以使用另选的粘贴方法(诸如例如，机械紧固件)。在其他示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以为发黏或自粘的，使得导热EMI吸收剂可以在没有粘合剂层的情况下自粘到另一个表面。
在一些实施方式中，导热EMI吸收剂可以贴附到EMI屏蔽件的罩或盖(例如，单片EMI屏蔽件的罩或盖、多片EMI屏蔽件的可去除罩或盖、来自莱尔德(Laird)科技的EMI屏蔽件的罩或盖等)。导热EMI吸收剂例如可以被置于盖或罩的内表面上。另选地，导热EMI吸收剂例如可以被置于盖或罩的外表面上。导热EMI吸收剂可以被置于盖或罩的整个表面上或少于整个表面上。例如，导热EMI吸收剂可以被置于框架或底座上，并且单独的导热EMI吸收剂可以被置于可贴附到框架或底座的可去除罩或盖上。导热EMI吸收剂实际上可以被涂敷在将期望具有导热EMI吸收剂的任意位置处。
在示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以用于限定或提供从热源到散热装置或部件的导热热路径的一部分。这里所公开的导热EMI吸收剂可以用于例如帮助将热能(例如，热量等)传导离开电子装置的热源(例如，一个或更多个热量生成部件、中央处理单元(CPU)、管芯、半导体装置等)。例如，导热EMI吸收剂可以被大体定位在热源与散热装置或部件(例如，热传播器、散热器、热管、装置外壳等)之间，以建立热量可以从热源向散热装置传递(例如，传导)所沿着的热接合点、热界面、热路径或导热热路径。在操作期间，导热EMI吸收剂然后可以用以允许从热源沿着导热路径向散热装置传递热量(例如，允许传导热量等)。导热EMI吸收剂可以类似地用于热间隙垫且允许消除噪声抑制器。
这里所公开的导热EMI吸收剂的示例实施方式可以与大范围的散热装置或部件(例如，热传播器、散热器、热管、装置外壳等)、热量生成部件、热源、散热器以及关联装置一起使用。例如，热源可以包括一个或更多个热量生成部件或装置(例如，CPU、底部填充内的模具、半导体装置、倒装芯片、图形处理单元(GPU)、数字信号处理器(DSP)、多处理器系统、集成电路、多核处理器等)。通常，热源可以包括具有比导热EMI吸收剂更高温度或以其他方式向导热EMI吸收剂提供或传递热量而不管热量是由热源生成还是仅借助或经由热源传递的任意部件或装置。仅举例而言，示例性应用包括印刷电路板、高频微处理器、中央处理单元、图形处理单元、膝上型计算机、笔记本计算机、台式个人计算机、计算机服务器、热试验台等。因此，本公开的方面不应限于与任何一个具体类型的热量生成部件、热源或关联装置一起使用。
在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以被配置为具有允许导热EMI吸收剂在被放置为与配套表面(包括非平坦、弯曲或不均匀的配套表面)接触时紧密符合配套表面的足够共形性、依从性和/或柔软度。在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂具有允许导热EMI吸收剂在被放置为与电子部件接触时较紧密地符合电子部件的尺寸和外形的足够可变形性、依从性、共形性、可压缩性和/或柔性。
在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂即使在没有经受相变或回流的情况下也是共形的。在其他示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以包括相变材料。在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以包括在不必融化或经受相变的情况下是共形的非相变填隙料、间隙垫或油灰。
导热EMI吸收剂可以能够通过在低温(例如，20℃至25℃的室温等)下弯曲来对于耐受性或间隙调节。举例而言，导热EMI吸收剂可以具有小于或等于大约300磅力每平方英寸(lpf/in2)或2.1兆帕(MPa)的杨氏模量。在示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以具有落在从大约200lpf/in2到大约300lpf/in2或从大约1.4MPa至大约2.1MPa的范围内的杨氏模量。同样举例而言，导热EMI吸收剂可以具有小于或等于60的肖氏00硬度。在示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以具有落在从大约50到大约60的范围内的肖氏00硬度。
在一些示例性实施方式中，导热EMI吸收剂可以为共形的，并且具有用于允许导热EMI吸收剂在被放置为与电部件接触时较紧密地符合电部件的尺寸和外形的足够可压缩性和柔性。例如，导热EMI吸收剂可以沿着EMI屏蔽件的盖的内表面，使得导热EMI吸收剂可以在EMI屏蔽件被安装到电部件上的印刷电路板时抵靠电部件压缩。通过以该较紧密嵌合和封装的方式啮合电部件，导热EMI吸收剂可以在耗散热能时从电部件向盖导走热量。
在一些实施方式中，导热EMI吸收剂可以被形成为带。带例如可以被存储在滚筒上。在一些实施方式中，期望的应用形状(例如，矩形、圆形、椭圆形等)可以从导热EMI吸收剂模切，从而产生任意期望的二维形状的导热EMI吸收剂。因此，导热EMI吸收剂可以被模切为产生应用形状的期望轮廓。
在操作中，根据这里所公开的示例性实施方式的导热EMI吸收剂可以操作为吸收入射在EMI吸收剂上的一部分，从而在操作频率的范围内(例如，从大约1GHz至至少大约5GHz的频率范围、从大约5GHz的频率范围至至少大约15GHz的频率范围、从大约2GHz至至少大约18GHz的频率范围等)减少EMI的透过。EMI吸收剂可以借助因损耗机制产生的功耗来去除来自环境的EMI的一部分。这些损耗机制包括介电材料中的极化损耗和具有有限电导率的导电材料中的传导或欧姆损耗。
作为背景，EMI吸收剂用以吸收电磁能量(即，EMI)。EMI吸收剂借助俗称为损耗的过程将电磁能转换成另一种形式的能量。电损耗机制包括电导率损耗、介电损耗以及磁化损耗。电导率损耗是指因电磁能到热能的转换而引起的EMI的降低。电磁能感应在具有有限电导率的EMI吸收剂内流动的电流。有限电导率产生借助电阻生成热量的感应电流的一部分。介电损耗是指因电磁能到具有非统一相对介电常数的吸收剂内分子的机械位移的转换而产生的EMI的降低。磁化损耗是指因电磁能到EMI吸收剂内的磁矩的重新对齐的转换而引起的EMI的降低。
示例实施方式被提供为使得本公开将彻底，并且将向本领域技术人员完全传达范围。阐述大量具体细节，诸如具体部件、装置以及方法的示例，以提供本公开的实施方式的彻底理解。将对本领域技术人员显而易见的是，不需要采用具体细节，示例实施方式可以以许多不同的形式来具体实施，并且没有内容应被解释为限制本公开的范围。在一些示例实施方式中，未详细描述公知过程、公知装置结构以及公知技术。另外，可以用本发明的一个或更多个示例性实施方式实现的优点和改进仅为了例示的目的而提供，并且不限制本公开的范围(因为这里所公开的示例性实施方式可以提供上述优点以及改进中的全部或一个也不提供，并且仍然落在本公开的范围内)。
这里所公开的具体维数、具体材料和/或具体形状在本质上是示例，并且不限制本公开的范围。这里用于给定参数的特定值和特定值范围的公开不是可以用于这里所公开示例中的一个或更多个中的其他值和值范围的穷尽。而且，预想的是用于这里叙述的具体参数的任意两个特定值可以限定可以适于给定参数的值范围的端点(即，用于给定参数的第一值和第二值的公开可以被解释为公开还可以对于给定参数采用第一值和第二值之间的任意值)。例如，如果这里将参数X例证为具有值A且还被例证为具有值Z，则预想参数X可以具有从大约A至大约Z的值范围。类似地，预想用于参数的两个或更多个值范围(不管这种范围是嵌套的、交叠的还是不同的)的公开包含用于可以使用所公开范围的端点夹持的值范围的所有可能组合。例如，如果参数X在这里被例证为具有范围1-10或2-9或3-8内的值，则还预想参数X可以具有包括1-9、1-8、1-3、1-2、2-10、2-8、2-3、3-10以及3-9的其他值范围。
这里所用的术语仅是为了描述特定示例实施方式的目的且不旨在限制。如这里所用的，单数形式“一”可以旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚指示。术语“包括”和“具有”是包括的，因此指定所叙述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。这里所述的方法步骤、过程以及操作不被解释为必须需要以所讨论或例示的特定顺序进行它们的执行，除非特别识别为执行顺序。还要理解，可以采用另外或另选步骤。
当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“啮合到”、“连接到”或“耦合到”另一个元件或层时，元件或层可以直接在另一个元件或层上、直接啮合、连接或耦合到另一个元件或层，或者介入元件或层可以存在。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件或层上、“直接啮合到”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一个元件或层时，可以没有介入元件或层存在。用于描述元件之间的关系的其他词应以同样的样式来解释(例如，“在……之间”对“直接在……之间”、“相邻”对“直接相邻”等)。如这里所用的，术语“和/或”包括关联所列项中的一个或更多个的任意和全部组合。
术语“大约”在应用于值时指示计算或测量允许值些微不精确(在值上接近准确；近似或合理地接近值；差不多)。如果出于某一原因，由“大约”提供的不精确在领域中未另外以该普通意义理解，那么如这里所用的“大约”指示可能由普通测量方法或使用这种参数而引起的至少变化。例如，术语“大体”、“大约”以及“大致”在这里可以用于意指在制造容差内。或者，例如，如这里在修改发明或所采用的成分或反应物的量时所用的术语“大约”是指可能由于所用的典型测量和处理流程而发生(例如，在现实世界中制作浓缩液或溶液时，由于这些流程中的偶然误差而产生；由于用于制作合成物或进行方法的成分的制造、源或纯度的差异而产生)的数量的变化。术语“大约”还包含由于用于由特定初始混合物产生的合成物的不同平衡条件而不同的量。不论是否被术语“大约”修改，权利要求包括数量的等效。
虽然术语第一、第二、第三等在这里可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅可以用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分。诸如“第一”、“第二”以及其他数字术语的术语在用于这里时不暗示顺序，除非上下文清楚指示。由此，第一元件、部件、区域、层或部分可以在不偏离示例实施方式的示教的情况下被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
空间上相对的术语(诸如“内”、“外”、“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)在这里为了描述方便可以用于如附图例示的描述一个元件或特征到另一个元件或特征的关系。空间上相对的术语可以旨在除了包含附图中描绘的方位之外还包含使用或操作中装置的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，那么被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。由此，示例术语“下方”可以包含上方和下方方位这两者。装置可以以其他方式来定向(旋转90度或处于其他方位)，因此解释这里所用的空间上相对的描述符。
已经为了例示和描述的目的而提供了实施方式的前面描述。不旨在穷尽或限制本公开。特定实施方式的独立元件、预期或所叙述用途或特征通常不限于该特定实施方式，反而在适当的情况下可互换，并且可以用于所选实施方式(即使未具体示出或描述该实施方式)。同样的内容还可以以许多方式来改变。这种变化不被认为是本公开的偏离，并且所有这种修改旨在被包括在本公开的范围内。

Claims (25)

1.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括包含导热颗粒、EMI吸收颗粒、碳化硅以及锰锌铁氧体的材料。
2.根据权利要求1所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述EMI吸收颗粒包括磁性碎片；和/或
所述碳化硅以足以协同地增强热导率和/或EMI吸收的量存在。
3.根据权利要求1所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述EMI吸收颗粒包括羰基铁粉和/或磁性碎片；以及
所述导热颗粒包括氧化铝。
4.根据权利要求1所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述EMI吸收颗粒包括磁性碎片和羰基铁粉；
所述导热颗粒包括氧化铝；以及
所述材料包括基体，该基体包括所述磁性碎片、所述羰基铁粉、所述氧化铝、所述锰锌铁氧体以及所述碳化硅。
5.根据权利要求4所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述磁性碎片包括包含铁、硅以及铝的合金；或包含铁和镍的合金；和/或
所述基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述磁性碎片、所述羰基铁粉、所述氧化铝、所述锰锌铁氧体以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收剂包括大约2至4体积百分比的所述磁性碎片、大约3至5体积百分比的羰基铁粉、大约18至23体积百分比的所述氧化铝、大约27至40体积百分比的所述锰锌铁氧体以及大约4至10体积百分比的所述碳化硅；和/或
所述导热EMI吸收剂包括大约3体积百分比的所述磁性碎片、大约4体积百分比的羰基铁粉、大约19.5体积百分比的所述氧化铝、大约32.1体积百分比的所述锰锌铁氧体以及大约4.8体积百分比的所述碳化硅。
6.根据权利要求1所述的导热EMI吸收剂，
其中，所述导热EMI吸收剂被配置为具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少大约9分贝每厘米的衰减；和/或
其中，
所述材料包括硅酮基体；
所述导热颗粒包括氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化硅、铝、氮化铝、铁、金属氧化物、石墨以及陶瓷中的一种或更多种；并且
所述EMI吸收颗粒包括羰基铁、硅化铁、氧化铁、铁合金、铁铬化合物、仙都斯特合金SENDUST、坡莫合金、铁氧体、磁合金、磁粉、磁性碎片、磁性颗粒、镍基合金、镍基粉末以及铬合金。
7.一种屏蔽件，该屏蔽件包括沿着所述屏蔽件的一部分的、根据前述权利要求中任一项所述的导热EMI吸收剂。
8.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括基体，该基体包括一种或更多种热导体、一种或更多种EMI吸收剂、磁性碎片、锰锌铁氧体以及碳化硅，其中，所述碳化硅以足以产生协同效应的量存在，并且所述导热EMI吸收剂被配置为对于具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和/或针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少大约9分贝每厘米的衰减。
9.根据权利要求8所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述一种或更多种热导体包括氧化铝，并且所述一种或更多种EMI吸收剂包括羰基铁；和/或
所述磁性碎片包括包含铁、硅以及铝的合金，或包含铁和镍的合金。
10.根据权利要求9所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述氧化铝、所述羰基铁、所述磁性碎片、所述锰铁氧体以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收剂包括大约2至4体积百分比的所述磁性碎片、大约3至5体积百分比的羰基铁、大约18至23体积百分比的所述氧化铝、大约27至40体积百分比的所述锰锌铁氧体以及大约4至10体积百分比的所述碳化硅；或
所述导热EMI吸收剂包括大约3体积百分比的所述磁性碎片、大约4体积百分比的羰基铁、大约19.5体积百分比的所述氧化铝、大约32.1体积百分比的所述锰锌铁氧体以及大约4.8体积百分比的所述碳化硅。
11.一种屏蔽件，该屏蔽件包括沿着所述屏蔽件的一部分的、根据权利要求8至10中任一项所述的导热EMI吸收合成物。
12.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括聚合物基体，该聚合物基体包括氧化铝、羰基铁、碳化硅、锰锌铁氧体以及磁性碎片，其中，所述导热EMI吸收剂被配置为具有至少2瓦特每米每开尔文的热导率和/或针对从1千兆赫至6千兆赫的频率的至少大约9分贝每厘米的衰减。
13.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括包含导热颗粒、EMI吸收颗粒以及碳化硅的材料，其中，所述碳化硅以足以协同地增强热导率和/或EMI吸收的量存在。
14.根据权利要求13所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述导热颗粒包括氧化铝；
所述EMI吸收颗粒包括羰基铁粉；以及
所述材料包括包含所述氧化铝、所述羰基铁以及所述碳化硅的基体。
15.根据权利要求14所述的导热EMI吸收剂，
其中，所述基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述氧化铝、所述羰基铁粉以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收剂包括大约6至44体积百分比的所述氧化铝、大约8至39体积百分比的所述羰基铁粉以及大约21至27体积百分比的所述碳化硅；和/或
其中，
所述导热EMI吸收剂包括大约7体积百分比的所述氧化铝、大约37体积百分比的所述羰基铁粉以及大约26体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约3瓦特每米每开尔文的热导率；或
所述导热EMI吸收剂包括大约43体积百分比的所述氧化铝、大约9体积百分比的所述羰基铁粉以及大约22体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约4瓦特每米每开尔文的热导率；或
所述导热EMI吸收剂包括大约34体积百分比的所述氧化铝、大约10体积百分比的所述羰基铁粉以及大约27体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约3.5瓦特每米每开尔文的热导率。
16.根据权利要求13所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述材料包括聚合物基体，该聚合物基体负载有所述导热颗粒、所述EMI吸收颗粒以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收剂包括至少大约6体积百分比的所述导热颗粒、至少大约8体积百分比的所述EMI吸收颗粒以及至少大约21体积百分比的所述碳化硅；和/或
所述导热EMI吸收剂具有大于2瓦特每米每开尔文的热导率；和/或
所述导热EMI吸收剂被配置为具有至少3瓦特每米每开尔文的热导率和在至少5千兆赫的频率处的至少大约9分贝每厘米和/或在至少15千兆赫的频率处的至少大约17分贝每厘米的衰减。
17.根据权利要求1所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述材料包括硅酮基体；
所述导热颗粒包括氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化硅、铝、氮化铝、铁、金属氧化物、石墨以及陶瓷中的一种或更多种；以及
所述EMI吸收颗粒包括羰基铁、硅化铁、氧化铁、铁合金、铁铬化合物、仙都斯特合金SENDUST、坡莫合金、铁氧体、磁合金、磁粉、磁性碎片、磁性颗粒、镍基合金、镍基粉末以及铬合金中的一种或更多种。
18.一种屏蔽件，该屏蔽件包括沿着所述屏蔽件的一部分的、根据权利要求13至18中任一项所述的导热EMI吸收剂。
19.一种导热电磁干扰EMI吸收合成物，该EMI吸收合成物包括包含一种或更多种热导体、一种或更多种EMI吸收剂以及碳化硅的基体，其中，所述碳化硅以足以产生协同效应的量存在，并且所述导热EMI吸收合成物具有大于2瓦特每米每开尔文的热导率。
20.根据权利要求19所述的导热EMI吸收合成物，其中，
所述碳化硅以足以协同地增强热导率和EMI吸收的量存在；和/或
所述一种或更多种热导体包括氧化铝；并且所述一种或更多种EMI吸收剂包括羰基铁粉。
21.根据权利要求19所述的导热EMI吸收合成物，
其中，所述基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述氧化铝、所述羰基铁粉以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收合成物包括大约6至44体积百分比的所述氧化铝、大约8至38体积百分比的所述羰基铁粉以及大约21至27体积百分比的所述碳化硅；和/或
其中，
所述导热EMI吸收合成物包括大约7体积百分比的所述氧化铝、大约37体积百分比的所述羰基铁粉以及大约26体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约3瓦特每米每开尔文的热导率；或
所述导热EMI吸收合成物包括大约43体积百分比的所述氧化铝、大约9体积百分比的所述羰基铁粉以及大约22体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约4瓦特每米每开尔文的热导率；或
所述导热EMI吸收合成物包括大约34体积百分比的所述氧化铝、大约10体积百分比的所述羰基铁粉以及大约27体积百分比的所述碳化硅，和/或具有大约3.5瓦特每米每开尔文的热导率。
22.根据权利要求19所述的导热EMI吸收合成物，
其中，所述导热EMI吸收合成物具有至少3瓦特每米每开尔文的热导率和针对至少5千兆赫的频率的至少大约9分贝每厘米和/或针对至少15千兆赫的频率的至少大约17分贝每厘米的衰减；和/或
其中，
所述基体包括硅酮基体；
所述一种或更多种热导体包括氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化硅、铝、氮化铝、铁、金属氧化物、石墨以及陶瓷中的一种或更多种；并且
所述一种或更多种EMI吸收颗粒包括羰基铁、硅化铁、氧化铁、铁合金、铁铬化合物、仙都斯特合金SENDUST、坡莫合金、铁氧体、磁合金、磁粉、磁性碎片、磁性颗粒、镍基合金、镍基粉末以及铬合金中的一种或更多种。
23.一种屏蔽件，该屏蔽件包括沿着所述屏蔽件的一部分的、根据权利要求19至22中任一项所述的导热EMI吸收剂。
24.一种导热电磁干扰EMI吸收剂，该EMI吸收剂包括聚合物基体，该聚合物基体包括氧化铝、羰基铁粉以及碳化硅，其中，所述导热EMI吸收剂具有大于2瓦特每米每开尔文的热导率。
25.根据权利要求18所述的导热EMI吸收剂，其中，
所述碳化硅以足以协同地增强热导率和EMI吸收的量存在，其中，所述导热EMI吸收剂具有至少3瓦特每米每开尔文的热导率和在至少5千兆赫的频率处的至少大约9分贝每厘米和/或在至少15千兆赫的频率处的至少大约17分贝每厘米的衰减；和/或
所述聚合物基体包括硅酮弹性体基体，该硅酮弹性体基体负载有所述氧化铝、所述羰基铁粉以及所述碳化硅，使得所述导热EMI吸收合成物包括至少大约6体积百分比的所述氧化铝、至少大约8体积百分比的所述羰基铁粉以及至少大约21体积百分比的所述碳化硅。
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