JP2001358265A - 電磁波抑制伝熱成形体 - Google Patents
電磁波抑制伝熱成形体Info
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- JP2001358265A JP2001358265A JP2000177692A JP2000177692A JP2001358265A JP 2001358265 A JP2001358265 A JP 2001358265A JP 2000177692 A JP2000177692 A JP 2000177692A JP 2000177692 A JP2000177692 A JP 2000177692A JP 2001358265 A JP2001358265 A JP 2001358265A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コア部が突出しているＣＰＵの放熱を促進す
るとともに、ＣＰＵから放出されている電磁波の抑制も
なし得る電磁波抑制伝熱成形体を提供する。 【解決手段】 コア部２ｂを突出させて形成されている
ＣＰＵ２に用いられる電磁波抑制伝熱成形体１であっ
て、前記電磁波抑制伝熱成形体１が前記コア部２ｂを収
納する凹部１ｂを有してなるものである。
るとともに、ＣＰＵから放出されている電磁波の抑制も
なし得る電磁波抑制伝熱成形体を提供する。 【解決手段】 コア部２ｂを突出させて形成されている
ＣＰＵ２に用いられる電磁波抑制伝熱成形体１であっ
て、前記電磁波抑制伝熱成形体１が前記コア部２ｂを収
納する凹部１ｂを有してなるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電磁波抑制伝熱成形
体に関する。さらに詳しくは、コア部が突出しているＣ
ＰＵからの電磁波を抑制しながらヒートシンクへの伝熱
を促進する電磁波抑制伝熱成形体に関する。
体に関する。さらに詳しくは、コア部が突出しているＣ
ＰＵからの電磁波を抑制しながらヒートシンクへの伝熱
を促進する電磁波抑制伝熱成形体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図８に示すように、ＣＰＵ
２’の上面を放熱フィン３ａを有する金属製ヒートシン
ク３に接続させ、ＣＰＵ２’で発生した熱を放熱させる
ことがなされている。
２’の上面を放熱フィン３ａを有する金属製ヒートシン
ク３に接続させ、ＣＰＵ２’で発生した熱を放熱させる
ことがなされている。
【０００３】しかるに、最近のＣＰＵでは、図９に示す
ように、コア部２ｂがＣＰＵ２の本体２ａ上面から突出
させて設けられている。そのため、図１０に示すよう
に、単に金属製ヒートシンク３をＣＰＵ２上面に接続し
ただけでは、ＣＰＵ２の金属製ヒートシンク３への接触
面がコア部２ｂ上面だけとなるので、充分な放熱がなさ
れないという問題がある。
ように、コア部２ｂがＣＰＵ２の本体２ａ上面から突出
させて設けられている。そのため、図１０に示すよう
に、単に金属製ヒートシンク３をＣＰＵ２上面に接続し
ただけでは、ＣＰＵ２の金属製ヒートシンク３への接触
面がコア部２ｂ上面だけとなるので、充分な放熱がなさ
れないという問題がある。
【０００４】それに加えて、ＣＰＵ２からは熱以外にも
電磁波が発生しているため、この電磁波がＣＰＵ本体２
ａと金属製ヒートシンク３との隙間および放熱フィン３
ａから外部にノイズとして放出されている。
電磁波が発生しているため、この電磁波がＣＰＵ本体２
ａと金属製ヒートシンク３との隙間および放熱フィン３
ａから外部にノイズとして放出されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の課題に鑑みなされたものであって、コア部が突出し
ているＣＰＵの放熱を促進するとともに、ＣＰＵから放
出されている電磁波の抑制もなし得る電磁波抑制伝熱成
形体を提供することを目的としている。
術の課題に鑑みなされたものであって、コア部が突出し
ているＣＰＵの放熱を促進するとともに、ＣＰＵから放
出されている電磁波の抑制もなし得る電磁波抑制伝熱成
形体を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電磁波抑制伝熱
成形体は、コア部を突出させて形成されているＣＰＵに
用いられる電磁波抑制伝熱成形体であって、前記電磁波
抑制伝熱成形体が前記コア部を収納する凹部を有してな
ることを特徴とする。
成形体は、コア部を突出させて形成されているＣＰＵに
用いられる電磁波抑制伝熱成形体であって、前記電磁波
抑制伝熱成形体が前記コア部を収納する凹部を有してな
ることを特徴とする。
【０００７】本発明の電磁波抑制伝熱成形体において
は、電磁波抑制伝熱成形体は、例えば軟磁性金属粉末を
含む電磁波吸収性熱伝導性シリコーンゴム組成物からな
るものとされる。ここで、軟磁性金属粉末は、例えば鉄
および鉄合金から選ばれる少なくとも１種とされ、鉄合
金は、例えばＦｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｆ
ｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌおよび
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金から選ばれる少なくとも１種とさ
れる。
は、電磁波抑制伝熱成形体は、例えば軟磁性金属粉末を
含む電磁波吸収性熱伝導性シリコーンゴム組成物からな
るものとされる。ここで、軟磁性金属粉末は、例えば鉄
および鉄合金から選ばれる少なくとも１種とされ、鉄合
金は、例えばＦｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｆ
ｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌおよび
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金から選ばれる少なくとも１種とさ
れる。
【０００８】また、本発明の電磁波抑制伝熱成形体にお
いては、軟磁性金属粉末が、５〜８０ｖｏｌ％含有され
てなるのが好ましく、また熱伝導性フィラーを含むのも
好ましい。この場合、軟磁性金属粉末および熱伝導性フ
ィラーをぞれぞれ５〜８０ｖｏｌ％および８５〜１５ｖ
ｏｌ％を含有し、かつ軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラ
ーとの合計量が１５〜９０ｖｏｌ％とされ、また熱伝導
性フィラーが、非磁性の金属、金属酸化物、金属窒化
物、および炭化珪素から選ばれた少なくとも１種とされ
る。
いては、軟磁性金属粉末が、５〜８０ｖｏｌ％含有され
てなるのが好ましく、また熱伝導性フィラーを含むのも
好ましい。この場合、軟磁性金属粉末および熱伝導性フ
ィラーをぞれぞれ５〜８０ｖｏｌ％および８５〜１５ｖ
ｏｌ％を含有し、かつ軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラ
ーとの合計量が１５〜９０ｖｏｌ％とされ、また熱伝導
性フィラーが、非磁性の金属、金属酸化物、金属窒化
物、および炭化珪素から選ばれた少なくとも１種とされ
る。
【０００９】しかして、本発明の電磁波抑制伝熱成形体
は半導体素子に装着される。
は半導体素子に装着される。
【００１０】
【作用】本発明の電磁波抑制伝熱成形体は、前記の如く
構成されているので、ＣＰＵの放熱を促進させながら、
ＣＰＵから放出される電磁ノイズを抑制できる。
構成されているので、ＣＰＵの放熱を促進させながら、
ＣＰＵから放出される電磁ノイズを抑制できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明を実施形態に基づいて説明するが、本発明はかかる
実施形態のみに限定されるものではない。
発明を実施形態に基づいて説明するが、本発明はかかる
実施形態のみに限定されるものではない。
【００１２】図１に、本発明の一実施形態に係る電磁波
抑制伝熱成形体（以下、単に成形体という）が装着され
ている半導体素子を断面図で示す。なお、図１におい
て、図８〜図１０と同一の符号を付したものは同一また
は類似の構成要素を示す。
抑制伝熱成形体（以下、単に成形体という）が装着され
ている半導体素子を断面図で示す。なお、図１におい
て、図８〜図１０と同一の符号を付したものは同一また
は類似の構成要素を示す。
【００１３】成形体１は、ＣＰＵ本体２ａ上面と略同一
サイズの電磁波抑制能力および伝熱特性が優れた素材か
らなる平板状部材であって、その下面のＣＰＵ２のコア
２ｂに対応する位置にコア２ｂを収納する凹部１ｂが形
成されている。
サイズの電磁波抑制能力および伝熱特性が優れた素材か
らなる平板状部材であって、その下面のＣＰＵ２のコア
２ｂに対応する位置にコア２ｂを収納する凹部１ｂが形
成されている。
【００１４】成形体１に用いられる電磁波抑制能力およ
び伝熱特性が優れた素材（成形体素材）としては、例え
ば軟磁性金属粉末を含むシリコーンゴム組成物、軟磁性
金属粉末に加えて熱電伝導性フィラーを充填したシリコ
ーンゴム組成物などがあげられる。
び伝熱特性が優れた素材（成形体素材）としては、例え
ば軟磁性金属粉末を含むシリコーンゴム組成物、軟磁性
金属粉末に加えて熱電伝導性フィラーを充填したシリコ
ーンゴム組成物などがあげられる。
【００１５】軟磁性金属粉末としては、鉄およびその合
金（鉄合金）があげられる。この鉄合金としては、Ｆｅ
−Ｎｉ（パーマロイ），Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｆｅ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−ＡｌおよびＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉなどがあげられ、これらの軟磁性金属粉
末は１種を単独で用いてもよいし、あるいは２種以上混
合して用いてもよい。また、軟磁性金属粉末の形状とし
ては、扁平状、粒子状のどちらでもよいが、表面積が大
きい点より扁平状の方が好ましい。ただし、扁平状の軟
磁性金属粉末を使用する場合には、充填量が少なくなり
易いので、粒子状の軟磁性金属粉末を併用してもよい。
金（鉄合金）があげられる。この鉄合金としては、Ｆｅ
−Ｎｉ（パーマロイ），Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｆｅ
−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−ＡｌおよびＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉなどがあげられ、これらの軟磁性金属粉
末は１種を単独で用いてもよいし、あるいは２種以上混
合して用いてもよい。また、軟磁性金属粉末の形状とし
ては、扁平状、粒子状のどちらでもよいが、表面積が大
きい点より扁平状の方が好ましい。ただし、扁平状の軟
磁性金属粉末を使用する場合には、充填量が少なくなり
易いので、粒子状の軟磁性金属粉末を併用してもよい。
【００１６】扁平状の軟磁性金属粉末のサイズは、平均
粒径が０．１〜３５０μｍであればよいが、平均粒径が
０．５〜１００μｍでかつアスペクト比が５〜２０であ
るのが好ましい。また、粒子状の軟磁性金属粉末のサイ
ズは、平均粒径が０．１〜５０μｍであればよいが、平
均粒径が０．５〜２０μｍであるのが好ましい。
粒径が０．１〜３５０μｍであればよいが、平均粒径が
０．５〜１００μｍでかつアスペクト比が５〜２０であ
るのが好ましい。また、粒子状の軟磁性金属粉末のサイ
ズは、平均粒径が０．１〜５０μｍであればよいが、平
均粒径が０．５〜２０μｍであるのが好ましい。
【００１７】軟磁性金属粉末の配合量は、成形体素材の
全量に対して５〜８０ｖｏｌ％であればよいが、２０〜
７５ｖｏｌ％であるのが好ましい。というのは、５ｖｏ
ｌ％未満では充分な電磁波抑制能力を得ることが困難と
なるおそれがある一方、８０ｖｏｌ％を超えると電磁波
抑制能力のそれ以上の向上が得られなくなるばかりでな
く、成形体素材の柔軟性が損なわれるからである。
全量に対して５〜８０ｖｏｌ％であればよいが、２０〜
７５ｖｏｌ％であるのが好ましい。というのは、５ｖｏ
ｌ％未満では充分な電磁波抑制能力を得ることが困難と
なるおそれがある一方、８０ｖｏｌ％を超えると電磁波
抑制能力のそれ以上の向上が得られなくなるばかりでな
く、成形体素材の柔軟性が損なわれるからである。
【００１８】ところで、軟磁性金属粉末を含有させたシ
リコーンゴム組成物は、それ自体で良好な伝熱特性を示
すが、さらに高い伝熱特性、つまり高い放熱特性を得る
ためには熱伝導性フィラーと併用するのが好ましい。そ
の場合、併用する熱伝導性フィラーとしては、非磁性の
銅やアルミニウムなどの金属、アルミナ、シリカ、マグ
ネシウム、ベンガラ、ベリリア、チタニアなどの金属酸
化物、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などの金
属窒化物、あるいは炭化珪素を用いることができる。し
かも、これらの熱伝導性フィラーは、１種を単独で用い
てもよく、あるいは２種以上を混合して用いてもよい。
この熱伝導性フィラーの平均粒径は、０．１〜５０μｍ
であればよいが、０．５〜２０μｍであるのが好まし
い。
リコーンゴム組成物は、それ自体で良好な伝熱特性を示
すが、さらに高い伝熱特性、つまり高い放熱特性を得る
ためには熱伝導性フィラーと併用するのが好ましい。そ
の場合、併用する熱伝導性フィラーとしては、非磁性の
銅やアルミニウムなどの金属、アルミナ、シリカ、マグ
ネシウム、ベンガラ、ベリリア、チタニアなどの金属酸
化物、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などの金
属窒化物、あるいは炭化珪素を用いることができる。し
かも、これらの熱伝導性フィラーは、１種を単独で用い
てもよく、あるいは２種以上を混合して用いてもよい。
この熱伝導性フィラーの平均粒径は、０．１〜５０μｍ
であればよいが、０．５〜２０μｍであるのが好まし
い。
【００１９】また、この熱伝導性フィラーは、前記軟磁
性金属粉末との細密充填化を図り、伝熱特性の向上を図
ることを目的とするものであるから、その配合割合は成
形体組成物の全量に対して８５〜１０ｖｏｌ％であれば
よいが、７０〜２０ｖｏｌ％であるのが好ましい。その
場合、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとの合計量が
１５〜９０ｖｏｌ％となるようにされるのが好ましく、
３０〜８５ｖｏｌ％となるようにされるのがさらに好ま
しい。というのは、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラー
との合計量が９０ｖｏｌ％を超えると粘度が高くなっ
て、成形体素材を平板状に加工するのが困難となるおそ
れがあり、また硬化物の硬度も高くなるおそれがある一
方、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとの合計量が１
５ｖｏｌ％に満たないと、伝熱特性の向上効果が得られ
ないおそれがあるからである。
性金属粉末との細密充填化を図り、伝熱特性の向上を図
ることを目的とするものであるから、その配合割合は成
形体組成物の全量に対して８５〜１０ｖｏｌ％であれば
よいが、７０〜２０ｖｏｌ％であるのが好ましい。その
場合、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとの合計量が
１５〜９０ｖｏｌ％となるようにされるのが好ましく、
３０〜８５ｖｏｌ％となるようにされるのがさらに好ま
しい。というのは、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラー
との合計量が９０ｖｏｌ％を超えると粘度が高くなっ
て、成形体素材を平板状に加工するのが困難となるおそ
れがあり、また硬化物の硬度も高くなるおそれがある一
方、軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとの合計量が１
５ｖｏｌ％に満たないと、伝熱特性の向上効果が得られ
ないおそれがあるからである。
【００２０】なお、トルエン、キシレンなどの有機溶剤
に溶解させて溶液とした場合には、軟磁性金属粉末と熱
伝導性フィラーとの合計量が９０ｖｏｌ％を超えてもコ
ーティング法により成形体素材を平板状に加工できる
が、表面粗さが粗くなるために接触熱抵抗が大きくな
り、放熱特性が悪くなるという別の問題を生ずる。
に溶解させて溶液とした場合には、軟磁性金属粉末と熱
伝導性フィラーとの合計量が９０ｖｏｌ％を超えてもコ
ーティング法により成形体素材を平板状に加工できる
が、表面粗さが粗くなるために接触熱抵抗が大きくな
り、放熱特性が悪くなるという別の問題を生ずる。
【００２１】軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとを含
有させるシリコーンゴム組成物としては、シリコーンゲ
ル組成物、付加反応型シリコーンゴム組成物または過酸
化物加硫タイプのシリコーンゴム組成物を用いることが
できる。ただし、ＣＰＵ２や金属製ヒートシンク３との
密着性を向上させて界面での接触熱抵抗を小さくする点
からは硬化後のゴム硬度は低い方がよいので、低硬度タ
イプのシリコーンゴム組成物やシリコーンゲル組成物を
用いるのが好ましい。
有させるシリコーンゴム組成物としては、シリコーンゲ
ル組成物、付加反応型シリコーンゴム組成物または過酸
化物加硫タイプのシリコーンゴム組成物を用いることが
できる。ただし、ＣＰＵ２や金属製ヒートシンク３との
密着性を向上させて界面での接触熱抵抗を小さくする点
からは硬化後のゴム硬度は低い方がよいので、低硬度タ
イプのシリコーンゴム組成物やシリコーンゲル組成物を
用いるのが好ましい。
【００２２】シリコーンゴム組成物の硬化物、つまり成
形体１の硬度は、アスカーＣで８０以下であればよい
が、ＣＰＵ２や金属製ヒートシンク３との密着性を向上
させて効率よくノイズを減衰させるとともに放熱をさせ
る点から、アスカーＣで５０以下であるのが好ましい。
また、成形体１の熱伝導率は、３．０ｗ／ｍｋ以上あれ
ばよいが、４．０ｗ／ｍｋ以上であるのが好ましい。
形体１の硬度は、アスカーＣで８０以下であればよい
が、ＣＰＵ２や金属製ヒートシンク３との密着性を向上
させて効率よくノイズを減衰させるとともに放熱をさせ
る点から、アスカーＣで５０以下であるのが好ましい。
また、成形体１の熱伝導率は、３．０ｗ／ｍｋ以上あれ
ばよいが、４．０ｗ／ｍｋ以上であるのが好ましい。
【００２３】このように、本実施形態においては、電磁
波抑制能力および伝熱特性に優れた素材により成形体１
を作製し、しかもその成形体１にＣＰＵ２のコア２ｂを
収納する凹部１ｂを設けているので、成形体１をＣＰＵ
本体２ａ上面に配設すると成形体１の下面がＣＰＵ本体
２ａ上面と密着する。そのため、ＣＰＵ本体２ａからの
ノイズが抑制されるとともに、ＣＰＵ本体２ａの放熱が
促進される。
波抑制能力および伝熱特性に優れた素材により成形体１
を作製し、しかもその成形体１にＣＰＵ２のコア２ｂを
収納する凹部１ｂを設けているので、成形体１をＣＰＵ
本体２ａ上面に配設すると成形体１の下面がＣＰＵ本体
２ａ上面と密着する。そのため、ＣＰＵ本体２ａからの
ノイズが抑制されるとともに、ＣＰＵ本体２ａの放熱が
促進される。
【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明する。
明する。
【００２５】実施例１および比較例１ コアを有するＣＰＵ上面に実施形態の成形体を貼付し、
さらにその上にアルミヒートシンクを実装したもの（実
施例１）と、実施例１と同一のコアを有するＣＰＵ上面
に市販のシリコーングリースを塗布し、さらにその上に
実施例１と同一のアルミヒートシンクを実装したもの
（比較例１）を作製して、ノイズ発生状況をスペクトル
アナライザにより確認した。
さらにその上にアルミヒートシンクを実装したもの（実
施例１）と、実施例１と同一のコアを有するＣＰＵ上面
に市販のシリコーングリースを塗布し、さらにその上に
実施例１と同一のアルミヒートシンクを実装したもの
（比較例１）を作製して、ノイズ発生状況をスペクトル
アナライザにより確認した。
【００２６】測定は、図２および図３に示すように、Ｃ
ＰＵ２（動作周波数：３５０ＭＨｚ）が搭載されたマザ
ーボード６１を電波暗室５０内に設置する一方、電源６
２（１００Ｖ，６０ＨｚのＡＣ電源）、スイッチングレ
ギュレータ６３およびディスプレイ６４を電波暗室床下
ピット５２内に収納して行った。また、電波暗室５０内
に露出しているケーブル類６５を銅箔テープ６６にて被
覆した。電波暗室５０は、ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ２２ Ｃ
ｌａｓｓ Ｂに準拠したＦＣＣファインリグ電波暗室と
し、ＣＰＵ２の中心から受信アンテナ６７までの距離を
３ｍに設定して行った。また、電波暗室５０の雰囲気温
度は２１℃、湿度は６４％であった。
ＰＵ２（動作周波数：３５０ＭＨｚ）が搭載されたマザ
ーボード６１を電波暗室５０内に設置する一方、電源６
２（１００Ｖ，６０ＨｚのＡＣ電源）、スイッチングレ
ギュレータ６３およびディスプレイ６４を電波暗室床下
ピット５２内に収納して行った。また、電波暗室５０内
に露出しているケーブル類６５を銅箔テープ６６にて被
覆した。電波暗室５０は、ＣＩＳＰＲ Ｐｕｂ２２ Ｃ
ｌａｓｓ Ｂに準拠したＦＣＣファインリグ電波暗室と
し、ＣＰＵ２の中心から受信アンテナ６７までの距離を
３ｍに設定して行った。また、電波暗室５０の雰囲気温
度は２１℃、湿度は６４％であった。
【００２７】なお、電源６２、スイッチングレギュレー
タ６３およびディスプレイ６４を電波暗室床下ピット５
２内に収納したのは、電源６２、スイッチングレギュレ
ータ６３およびディスプレイ６４からのノイズにより測
定精度が低下するのを避けるためであり、またケーブル
類６５を銅箔テープ６６にて被覆したのは、ケーブル類
６５より不要ノイズが発生するのを避けるためである。
タ６３およびディスプレイ６４を電波暗室床下ピット５
２内に収納したのは、電源６２、スイッチングレギュレ
ータ６３およびディスプレイ６４からのノイズにより測
定精度が低下するのを避けるためであり、またケーブル
類６５を銅箔テープ６６にて被覆したのは、ケーブル類
６５より不要ノイズが発生するのを避けるためである。
【００２８】実施例１および比較例１の測定結果を図４
および図５にそれぞれ示す。
および図５にそれぞれ示す。
【００２９】図４および図５により、放射ノイズの最大
レベルを示す１ＧＨｚにおけるレベルは、実施例１が４
１．１ｄＢであり、比較例１が４６．６ｄＢであるのが
わかる。したがって、実施例１においては比較例１より
放射ノイズレベルが５．５ｄＢ改善されているのがわか
る。
レベルを示す１ＧＨｚにおけるレベルは、実施例１が４
１．１ｄＢであり、比較例１が４６．６ｄＢであるのが
わかる。したがって、実施例１においては比較例１より
放射ノイズレベルが５．５ｄＢ改善されているのがわか
る。
【００３０】実施例２および比較例２ コアを有するＣＰＵ上面に実施形態の成形体を貼付し、
さらにその上にアルミヒートシンクを実装したもの（実
施例２）と、図６に示すように、実施例２と同一のコア
２ｂを有するＣＰＵ２上面に実施例２の成形体に用いら
れている電波吸収体と同一材質の電波吸収体シート４を
ＣＰＵ２上面に沿って貼付し、さらにその上に実施例２
と同一のアルミヒートシンク３を実装したもの（比較例
２）を作製し、アルミヒートシンク３のフィン３ａ先端
の温度を熱電対により測定した。測定は、実施例２およ
び比較例２のＣＰＵ２をそれぞれ恒温室に入れて行っ
た。
さらにその上にアルミヒートシンクを実装したもの（実
施例２）と、図６に示すように、実施例２と同一のコア
２ｂを有するＣＰＵ２上面に実施例２の成形体に用いら
れている電波吸収体と同一材質の電波吸収体シート４を
ＣＰＵ２上面に沿って貼付し、さらにその上に実施例２
と同一のアルミヒートシンク３を実装したもの（比較例
２）を作製し、アルミヒートシンク３のフィン３ａ先端
の温度を熱電対により測定した。測定は、実施例２およ
び比較例２のＣＰＵ２をそれぞれ恒温室に入れて行っ
た。
【００３１】図７に測定結果を示す。なお、図７におい
て、点線は実施例２の測定結果を示し、実線は比較例２
の測定結果を示す。
て、点線は実施例２の測定結果を示し、実線は比較例２
の測定結果を示す。
【００３２】図７より、実施例２においてはＣＰＵの稼
働後１００分程度で定常状態に達しているのに対し、比
較例２においては稼働後１６０分程度で定常状態に達し
ているのがわかる。また、最高温度は、実施例２におい
ては６４℃程度であるのに対し、比較例２では７４℃程
度であるのがわかる。したがって、実施例２は比較例２
より効率よく放熱しているのが理解される。
働後１００分程度で定常状態に達しているのに対し、比
較例２においては稼働後１６０分程度で定常状態に達し
ているのがわかる。また、最高温度は、実施例２におい
ては６４℃程度であるのに対し、比較例２では７４℃程
度であるのがわかる。したがって、実施例２は比較例２
より効率よく放熱しているのが理解される。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の電磁波抑
制伝熱成形体によれば、ＣＰＵの放熱を促進させながら
ＣＰＵから放出される電磁ノイズを抑制できるという優
れた効果が得られる。
制伝熱成形体によれば、ＣＰＵの放熱を促進させながら
ＣＰＵから放出される電磁ノイズを抑制できるという優
れた効果が得られる。
【図１】本発明の一実施形態に係る成形体が装着されて
いる半導体素子の縦断面図である。
いる半導体素子の縦断面図である。
【図２】実施例１および比較例１に使用された測定装着
のブロック図である。
のブロック図である。
【図３】実施例１および比較例１に使用された測定方法
の概略図である。
の概略図である。
【図４】実施例１の周波数成分に対するノイズレベルを
示す図である。
示す図である。
【図５】比較例１の周波数成分に対するノイズレベルを
示す図である。
示す図である。
【図６】比較例２の半導体素子の縦断面図である。
【図７】実施例２および比較例２の時間経過に対する放
熱フィン先端の温度変化を示す図である。
熱フィン先端の温度変化を示す図である。
【図８】従来の半導体素子の縦断面図である。
【図９】コア部が突出しているＣＰＵの概略斜視図であ
る。
る。
【図１０】コア部が突出しているＣＰＵに金属製ヒート
シンクを実装した状態の縦断面図である。
シンクを実装した状態の縦断面図である。
１ 成形体 ２ ＣＰＵ ２ａ ＣＰＵ本体 ２ｂ コア ３ 金属製ヒートシンク
Claims (9)
- 【請求項１】 コア部を突出させて形成されているＣＰ
Ｕに用いられる電磁波抑制伝熱成形体であって、前記電
磁波抑制伝熱成形体が前記コア部を収納する凹部を有し
てなることを特徴とする電磁波抑制伝熱成形体。 - 【請求項２】 電磁波抑制伝熱成形体が軟磁性金属粉末
を含む電磁波吸収性熱伝導性シリコーンゴム組成物から
なることを特徴とする請求項１記載の電磁波抑制伝熱成
形体。 - 【請求項３】 軟磁性金属粉末が、鉄および鉄合金から
選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項
２記載の電磁波抑制伝熱成形体。 - 【請求項４】 鉄合金が、Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆ
ｅ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ，Ｆｅ−Ｃｒ
−ＡｌおよびＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金から選ばれる少なく
とも１種であることを特徴とする請求項３記載の電磁波
抑制伝熱成形体。 - 【請求項５】 軟磁性金属粉末が、５〜８０ｖｏｌ％含
有されてなることを特徴とする請求項２記載の電磁波抑
制伝熱成形体。 - 【請求項６】 熱伝導性フィラーを含むことを特徴とす
る請求項２記載の電磁波抑制伝熱成形体。 - 【請求項７】 軟磁性金属粉末および熱伝導性フィラー
をぞれぞれ５〜８０ｖｏｌ％および８５〜１５ｖｏｌ％
を含有し、かつ軟磁性金属粉末と熱伝導性フィラーとの
合計量が１５〜９０ｖｏｌ％であることを特徴とする請
求項６記載の電磁波抑制伝熱成形体。 - 【請求項８】 熱伝導性フィラーが、非磁性の金属、金
属酸化物、金属窒化物、および炭化珪素から選ばれた少
なくとも１種であることを特徴とする請求項６記載の電
磁波抑制伝熱成形体。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項８記載の電磁波抑
制伝熱成形体が装着されてなることを特徴とする半導体
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177692A JP2001358265A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 電磁波抑制伝熱成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177692A JP2001358265A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 電磁波抑制伝熱成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358265A true JP2001358265A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18679242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000177692A Withdrawn JP2001358265A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 電磁波抑制伝熱成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608326B2 (en) | 2002-10-21 | 2009-10-27 | Laird Technologies, Inc. | Thermally conductive EMI shield |
| JP2011086666A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Denso Corp | 冷却装置および車載電子装置 |
| US8634195B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Heatsink with substance embedded to suppress electromagnetic interference |
| US11229147B2 (en) | 2015-02-06 | 2022-01-18 | Laird Technologies, Inc. | Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide |
| JP2022052761A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | レアード テクノロジーズ インコーポレイテッド | 熱伝導性電磁干渉（ｅｍｉ）吸収体 |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000177692A patent/JP2001358265A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
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| US7608326B2 (en) | 2002-10-21 | 2009-10-27 | Laird Technologies, Inc. | Thermally conductive EMI shield |
| US7842381B2 (en) | 2002-10-21 | 2010-11-30 | Laird Technologies, Inc. | Thermally conductive EMI shield |
| JP2011086666A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Denso Corp | 冷却装置および車載電子装置 |
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| US11229147B2 (en) | 2015-02-06 | 2022-01-18 | Laird Technologies, Inc. | Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide |
| US11678470B2 (en) | 2015-02-06 | 2023-06-13 | Laird Technologies, Inc. | Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide |
| JP2022052761A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | レアード テクノロジーズ インコーポレイテッド | 熱伝導性電磁干渉（ｅｍｉ）吸収体 |
| JP7264962B2 (ja) | 2020-09-23 | 2023-04-25 | レアード テクノロジーズ インコーポレイテッド | 熱伝導性電磁干渉（ｅｍｉ）吸収体 |
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