KR101212671B1

KR101212671B1 - Ｅｍｉ/ｒｆｉ 차폐용 수지 복합재

Info

Publication number: KR101212671B1
Application number: KR1020080125407A
Authority: KR
Inventors: 김성준; 홍창민
Original assignee: 제일모직주식회사
Priority date: 2008-12-10
Filing date: 2008-12-10
Publication date: 2012-12-14
Also published as: CN101747653A; CN101747653B; US8221654B2; US20100140565A1; TWI405220B; TW201027564A; KR20100066903A

Abstract

본 발명은 EMI/RFI 차폐용 수지 복합재에 관한 것으로서, 이 수지 복합재는 열가소성 고분자 수지; 사지(四肢, tetrapod) 휘스커; 및 저융점 금속을 포함한다.

본 발명의 EMI/RFI 차폐용 수지 복합재는 필러간의 네트워크 형성이 용이한 사지(四肢, tetrapod) 휘스커와 필러간 네트워크를 극대화시켜줄 수 있는 저융점 금속을 포함하므로, 전기 전도성이 높고, EMI/RFI 차폐에 효율적인 기능을 제공한다.

사지(四肢, tetrapod) 휘스커, 저융점금속, 전도성 고분자 복합재, EMI 차폐용 고분자 복합재, 수지복합재, 수지/금속 복합재

Description

ＥＭＩ/ＲＦＩ 차폐용 수지 복합재{EMI/RFI SHIELDING POLYMER COMPOSITE}

본 발명은 전자기파 간섭(Electromagnetic Interference: EMI) 및 무선주파 간섭(Radio Frequency Interference: RFI) 차폐용 수지 복합재에 관한 것으로서, 전기 전도성이 높고, EMI 및 RFI 차폐 능력이 우수한 EMI 및 RFI 차폐용 수지 복합재에 관한 것이다.

전자파 발생량은 고효율, 고소비전력 그리고 고집적화되는 전기/전자 제품을 통해 증가하고 있는데 이 전자파는 다른 기기 및 시스템 오작동을 유발하거나 인체에 해를 끼침으로, 전자파를 막고자 하는 효율적인 전자기파 차폐 기술이 더욱 필요로 되고 있다.

전자파 중, 전자기파 차폐 효율(EMI shielding effectiveness)은 아래 식 1로 나타낼 수 있다.

[식 1]

S.B.(Shielding effectiveness)=R+A+B

상기 식에서 R은 전자기파의 표면반사, A는 전자기파의 내부 흡수 그리고 B는 다반사를 통한 손실을 의미한다.

종래 전자파를 차폐하기 위한 방법으로는 도장/도금기술을 응용한 금속재를 이용하는 방법이 있었다.

이러한 금속재의 경우는 전도성이 높아(R값, 임피던스가 낮아) 전자기파의 표면반사를 통한 전자기파 차폐의 비율이 높고 이런 이유로 얇은 두께의 금속도 전자기파를 효과적으로 차단할 수 있는 장점이 있다.

그러나 상기 도장/도금 기술은 도금 기술을 예를 들어 설명하면, 도금 기술의 프로세스는 탈지, 에칭, 중화, 활성화, 촉진제, 금속증착, 활성화, 도금1차, 도금2차, 도금3차 등과 같이 복잡하여 고생산성을 필요로 하는 근래에는 생산가격 및 생산성 측면에서 부담이 되는 단점이 있다.

이에 반하여 고분자 복합 수지를 응용한 전자파 차폐제는 복합수지를 사출하는 공정만으로 제품화가 가능하기 때문에 생산가격 및 생산성 측면에서 매우 경제적인 방법이다.

특히 에너지, 자동차, 항공우주, 가전분야에 금속을 대체하는 소재로 광범위하게 각광받고 있는 전도성 수지 복합재는 전자/라디오파 차폐용 수지로 응용되고 있다.

그러나 고분자 복합 수지를 이용하는 복합재의 경우는 전기전도성이 금속재보다 낮으므로, 상기 식 1에 나타낸 항목 중, 표면반사와 내부흡수를 향상시키는 것이 중요하다. 따라서, 수지 복합재의 경우는 같은 재료라 할지라도 두께가 얇아지면 전자기파 차폐효율이 떨어지는 단점이 있게 된다. 수지 복합재의 전자파 차폐효율을 높이기 위해서는 표면 임피던스를 낮추어(전기전도성을 높게하여) R값을 증대시키고 내부에서의 전자기파 산란/흡수를 많이 유도하여 A값을 증가시켜야 고효율의 전자기파 차폐 복합수지를 만들 수 있다.

이러한 전자기파 차폐와 함께 라디오 주파수 간섭(radio frequency interference, RFI) 등 모든 전자 기기로부터 나오는 전자파 차폐에 관련한 종래 기술은, 금속이 표면에 코팅된 고분자 기재를 포함하는 전자파 차폐 장치(미국특허공개 제2007/0199738호); 비전도성 고분자, 전도성 고분자 및 전기전도성 금속 분말을 포함하는 전자파 차폐 물질(미국특허공개 제2007/0056769호); 전도성 파이버를 유기 습윤제와 같은 상용화제로 코팅한 후, 수지에 복합화하여 전기전도성 함침 섬유를 제조하는 방법(미국특허공개 제2002/0108699호); 비전도성 수지인 스티렌-에틸렌-부타디엔-스티렌 코폴리머와(SEBS) 계열 매트릭스 물질에 은 도금된 니켈을 전도성 필러를 포함하는 전기전도성 열가소성 엘라스토머(미국특허 제6,638,448호); 극성이 차이가 나는 두 고분자 수지 블렌드에 카본질의 전도성 필러를 함침하여 극성이 높은 쪽에 카본질의 전도성 필러가 위치하게 한 전기전도성 조성물(미국특허 제6,409,942호) 및 열성형 공정 중 기공을 형성할 수 있는 쉬트 물질 또는 고분자 담체를 포함하고, 저융점 금속 전도성 필러를 포함하는 열성형 전자파 차폐 쉬트(미국특허 제5,869,412호)를 들 수 있다.

또한, 미국특허 제5,183,594호에 사지 휘스커(tetrapod whisker) 또는 사지 휘스커와 파우더, 플래이크, 섬유상을 함께 사용하는 전도성 수지 복합재에 관하여 기술되어 있다.

그러나 이들 모두는 전자파를 차폐하는 효과가 만족할만한 수준에 도달하지 못하고 있는 실정이다.

본 발명은 전기전도성이 높고 전자파 차폐 효과가 우수한 EMI/RFI 차폐용 수지 복합재를 제공하는 것이다.

다만, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자들에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 구현예는 (A) 열가소성 고분자 수지 ; (B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커; 및 (C) 저융점 금속을 포함하는 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 구현예는 상기 수지 복합재를 사용하여 제조된 성형품을 제공하는 것이다.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.

본 발명의 EMI/RFI 차폐용 수지 복합재는 필러간의 네트워크 형성이 용이한 사지(四肢, tetrapod) 휘스커와 필러간 네트워크를 극대화 시켜줄 수 있는 저융점 금속을 포함하므로, 전기 전도성이 높고, EMI/RFI 차폐에 효율적인 기능을 제공한 다.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술한 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명은 전자기파 차폐 효율을 나타내는 하기 식 1에서, 임피던스를 낮추는 즉 전도성을 향상시키는 방법으로 전자기파 차폐 효율(shielding effectiveness, S.B.)을 향상시킬 수 있었다.

[식 1]

S.B. = R + A + B

상기 식에서, R은 전자기파의 표면 반사(전기 전도도), A는 전자기파의 내부 흡수, B는 다반사를 통한 손실을 의미한다.

이를 위한 본 발명의 일 구현예에 따른 EMI/RFI 차폐용 수지 복합재는 (A) 열가소성 고분자 수지; (B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커; 및 (C) 저융점 금속을 포함한다. 상기 열가소성 고분자 수지의 함량은 40 내지 84 부피%가 바람직하고, 사지 휘스커의 함량은 15 내지 50 부피%가 바람직하고, 저융점 금속의 함량은 1 내지 10 부피%가 바람직하다.

상기 구성을 갖는 본 발명의 수지 복합재는 상기 성분들을 혼합하여 제조하는 프로세스 공정으로 제조되며, 상기 열가소성 고분자 수지가 매트릭스를 이루고, 이 매트릭스 내에 상기 사지 휘스커 및 저융점 금속이 분산되어 네트워크를 형성하 는 구성을 갖는다.

이하 본 발명의 각 구성 성분에 대하여 자세하게 설명하도록 한다.

(A) 열가소성 고분자 수지

본 발명에서 사용된 열가소성 고분자 수지는 폴리아마이드; 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리알킬렌테레프탈레이트; 폴리아세탈; 폴리카보네이트; 폴리이미드; 폴리페닐렌옥사이드; 폴리술폰; 폴리페닐렌설파이드; 폴리아마이드 이미드; 폴리에테르 술폰; 액정고분자; 폴리에테르케톤; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌과 같은 폴리올레핀; 아크릴로니트릴부타디엔스티렌; 폴리스티렌; 신디오텍틱 폴리스티렌; 이들의 블렌드 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.

더욱 바람직한 열가소성 고분자 수지로는 결정성 고분자 수지를 들 수 있고, 결정성 수지로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 신디오텍틱 폴리스티렌, 폴리에테르에테르케톤, 폴리페닐렌설파이드 등을 사용할 수 있다. 상기 결정성 고분자 수지 중에서, 폴리페닐렌설파이드 수지가 결정화 속도가 빠르며 결정화도가 높고, 점도가 낮으며, 흡습율이 낮음과 동시에 내열도가 우수하므로 바람직하다. 이와 같이 결정성 고분자 수지를 사용하면, 결정성 고분자 수지가 수지 내 결정영역을 포함하여 전도성 필러를 결정영역 밖으로 유도하여, 필러간 네트워크 형성에 도움을 주기 때문에 바람직하다.

본 발명의 수지 복합재에서 열가소성 고분자 수지의 함량은 40 내지 84 부피%가 바람직하며, 60 내지 80 부피%가 더욱 바람직하다. 열가소성 고분자 수지의 함량이 상기 범위에 포함되면, 프로세스면이나 EMI 차폐 효율면에서 우수한 장점이 있어 바람직하다.

(B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커

본 발명에서 사용된 사지(四肢, tetrapod) 휘스커는 필러로 사용되는 것으로서, 필러간의 네트워크 형성이 용이하여 임피던스를 효율적으로 낮출 수 있는 물질이다. 또한 사지 휘스커는 자체 네-방향성의 복잡한 형태로 인해 복합재 내부 전자기파의 산란을 잘 유도함과 동시에 프로세스 공정시 이들 다리의 일부분의 마모 및 파괴 절단에 의해 복합재 내부에서의 전자기파 산란을 더욱 효율적으로 유도할 수 있다는 것이다. 결과적으로, 전자기파의 내부 흡수값(A값)을 효율적으로 높일 수 있다.

상기 사지 휘스커는 ZnO으로 형성된 것을 바람직하게 사용할 수 있으며, 이때 상기 ZnO는 Zn 분말을 열증발(Thermal evaporation)법으로 제조된 것을 바람직하게 사용할 수 있다.

또한 상기 사지 휘스커는 네 개의 다리부분과 몸통으로 구성된 휘스커로서, 다리부분의 처음에서 끝 부분까지의 길이는 2 내지 100㎛가 바람직하고, 상기 몸통 크기는 0.15 내지 10㎛가 바람직한데, 상기 범위에 포함되는 경우 휘스커간 네트워크 형성에 보다 효율적이다. 더욱 바람직하게는 다리부분의 처음에서 끝 부분까지의 길이가 10 내지 40㎛임과 동시에 다리부분의 종횡비가 30 미만, 더욱 좋게는 30 미만, 3 이상이며, 몸통 크기는 1 내지 10㎛인 것이 휘스커간의 네트워크 형성 및 고분자 용융프로세스에 더욱 적합하다.

상기 종횡비란, 사지 휘스커의 다리 부분의 길이/폭을 의미한다. 상기 종횡비가 30 이상인 경우에는 사지휘스커의 다리가 프로세스시 파괴되기 쉬어 네트워크 효과가 낮아질 수 있다.

본 발명에서 사용한 사지 휘스커는 표면이 전도성 물질로 코팅된 것을 사용하는 것이 전기 전도성을 부여할 수 있어 바람직하다.

상기 전도성 물질은 은, 구리, 알루미늄, 철, 팔라듐, 산화주석, 산화인듐, 실리콘카바이드, 지르코늄카바이드, 티타늄카바이드, 흑연 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.

본 발명의 복합재에서 사지 휘스커의 함량은 15 내지 50 부피%가 바람직하며, 20 내지 40 부피%가 보다 바람직하다. 사지 휘스커의 함량이 상기 범위내에 포함되면, 휘스커 간 네트워크 형성이 용이한 장점이 있어 바람직하다.

(C) 저융점 금속

본 발명에서 사용된 저융점 금속은 필러간 네트워크를 극대화할 수 있는 것으로서, 사지 휘스커와 함께 필러간의 네트워크 형성을 용이하게 하여 임피던스를 효율적으로 저하시킬 수 있음에 따라 전자파 차폐 효율을 보다 향상시키는 역할을 한다.

상기 저융점 금속은 두 종 이상의 금속 원소로 구성된 고용체(Solid solution)로서, 주석, 창연(蒼鉛, bismuth) 납 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 주성분으로 포함하고, 구리, 알루미늄, 니켈, 은, 게르마늄, 인듐, 아연 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 부성분으로 포함한다. 상기 주성분으로는 주석을 포함하는 것이 환경 친화적인 면에서 좋다.

상기 저융점 금속은 열가소성 고분자 수지의 복합재 프로세스 공정 온도보다 낮은 고상선 온도(Solidus temp.: 응고가 종료되는 온도)를 갖는 것이 바람직하다. 바람직하게는 열가소성 고분자 수지의 프로세스 공정 온도보다 저융점 금속의 고상선 온도가 20℃ 이상 낮은 것이 복합재 제조 공정 및 필러간의 네트워크 형성면에서 좋고, 복합재 사용 환경보다 100℃ 이상 높은 것이 안정성 면에서 좋다.

이를 보다 자세히 설명하면, 수지 복합재 제조시 저융점금속이 수지 내에서 네트워크되기 위해, 분산에 영향을 주는 저융점금속의 고상선 및 액상선 온도가 다음과 같이 즉, 액상선온도 > 수지의 융점 > 고상선 온도로 놓이는 것을 특징으로 하는 저융점금속을 사용하는 것이 바람직하다.

이러한 고상선 온도는 주성분 및 부성분의 원소 함량을 조절하여 조절할 수 있으며, 이러한 원소 함량 조절에 따라 액상선 온도(Liquidus temp.: 응고가 시작되는 온도) 및 기계적 강도 등의 물성도 조절할 수 있다.

바람직하게는, 예를 들어, 사지휘스커의 전도성 코팅물질이 알루미늄인 경우, 고용체의 성분에 알루미늄을 포함하는 것이 좋으며 마찬가지로, 전도성 코팅 물질이 구리인 경우, 고용체의 성분에 구리를 포함하는 것이 좋다.

상기 주성분 및 부성분의 원소 함량을 조절하여 저융저 금속의 고상선 온도를 조절하는 방법의 하나로는 다른 금속과 고용체를 형성하는 것을 들 수 있다. 이 방법의 일 예로는 주석/구리(97/3 중량비)의 고상선 온도는 227℃이나, 주석/구리/은(92/6/2 중량비) 고상선 온도는 217℃로 고상성 온도를 조절할 수 있다.

본 발명의 수지 복합재에서 저융점 금속의 함량은 1 내지 10 부피%가 바람직하며, 2 내지 5 부피%가 보다 바람직하다. 저융점 금속의 함량이 상기 범위내에 포함되면, 사지휘스커의 네트워크를 더욱 보강시켜주는 장점이 있어 바람직하다.

(D)유리 섬유 충진제

유리 섬유 충진제는 강도를 향상시키는 목적으로 사용되는 것으로서, 본 발명의 수지 복합재에 대하여 보다 향상된 강도가 요구되는 경우이면 수지 복합재에 유리 섬유 충진제를 더욱 첨가시킬 수도 있다.

상기 유리 섬유 충진제는 직경이 8 내지 13㎛이고, 길이가 2 내지 5mm인 일반적으로 MI/RFI 차폐용 수지 복합재에서 강도를 향상시키는 목적으로 사용되는 것은 어떠한 것도 사용할 수 있다.

유리 섬유 충진제의 함량은 수지 복합재 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하가 바람직하며, 2 내지 50 중량부가 더욱 바람직하고, 2 내지 30 중량부가 가장 바람직하다. 유리 섬유 충진제의 함량이 상기 범위 내에 포함되면 강도를 적절하게 향상시킬 수 있어 바람직하다.

(E) 기타 첨가제

본 발명의 수지 복합재는 본 발명의 목적을 벗어나지 않은 범위 내에서, 선택적으로 필요에 따라 공지의 각종 첨가제, 예를 들면, 산화방지제, 자외선 흡수제, 난연제, 활제, 또는 염료 및/또는 안료 등의 기타 첨가제를 더욱 포함할 수도 있다. 이들 첨가제들은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 그 사용량이나 사용법이 공지되어 있는데, 상기 기타 첨가제는 수지 복합재 100 중량부에 대하여 0 내지 60 중량부가 바람직하며, 1 내지 30 중량부가 더욱 바람직하다.

본 발명의 다른 구현예는 수지 복합재를 이용하여 제조된 성형품에 관한 것이다. 본 발명의 성형품은 EMI/RFI 차폐가 요구되는 분야에서 유용하게 사용될 수 있다. 특히 우수한 EMI/RFI 차폐가 요구되는 TV, PDP와 같은 디스플레이 장치, 컴퓨터, 휴대폰 및 사무자동화 기기와 같은 전기전자 제품 등의 다양한 성형품 제조에 유용하게 적용될 수 있다.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기 실시예는 본 발명의 구체적인 예시에 불과하며 본 발명의 보호범위를 한정하거나 제한하고자 하는 것은 아니다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.

실시예

(A) 열가소성 고분자 수지

열가소성 고분자 수지로는 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS)를 사용하였다. 상기 PPS 수지로는 Chevron Phillips Chemical사의 Ryton PR-35를 사용하였으며, 이는 315.5℃, 질소 분위기에서 측정된 영점도(Zero viscosity)가 1000[P]이었다.

(B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커

사지 휘스커로 Zn 분말을 사용하여 열증발(Thermal evaporation)법으로 만든 ZnO로 형성된 사지 휘스커로 다리의 길이는 10 내지 50㎛이며 몸통의 직경은 1 내지 10㎛인 사지 휘스커를 사용하였다. 또한 사지 휘스커의 표면은 은으로 코팅된 것을 사용하였다.

(C) 저융점 금속

저융점 금속으로는 주석을 주성분으로 한 주석/구리/은 저융점 금속을 사용하였다. 이때 각 원소의 혼합비율은 주석/구리/은= 92/6/2 중량%였고, 고상선 온도가 217℃, 액상선 온도가 375℃인 저융점 금속을 사용하였다.

(D) 유리섬유 충진제

유리섬유 충진제는 직경 10㎛ 길이 3mm이고 상기 열가소성 수지로 사용된 PPS와 계면접착력이 좋도록 실란계로 표면 코팅이 되어있는 유리섬유(Nippon Electric Glass사의 ECS 03 T-717PL)를 사용하였다.

상기에서 언급된 구성성분들을 이용하여 표 1의 실시예 1 내지 4 및 표 2의 비교예 5 내지 7에 나타낸 조성으로 혼합하는 프로세스 공정(온도: 300℃)으로 복합재를 제조한 후, 통상의 이축압출기와 사출기를 이용하여 펠렛을 제조하였다. 하기 표 1에서, 유리섬유 충진제 사용량을 중량부로 환산하면, 복합재 전체 100 중량부에 대하여, 6.4 중량부이다.

제조된 펠렛을 이용하여 비체적저항은 ASTM D257방법으로 측정하였으며 전자기파 차폐효율은 2.1T 두께의 시편을 이용하여 ASTM D4935방법으로 측정하여 그 결과를 하기 표 1 및 2에 각각 나타내었다.

부피%	실시예
부피%	1	2	3	4
PPS	83	78	68	63
사지(四肢, tetrapod) 휘스커	15	20	30	30
Sn/Cu/Ag 저융점금속	2	2	2	2
유리섬유 충진제	-	-	-	5
비체적 저항 (Specific Resistance)[Ω/cm]	4.0×10^-2	1.8×10^-2	6.6×10^-3	8.3×10^-3
평균 차폐 효과(Average Shielding effectiveness) [dB] at 2.1T	26	35	45	40

부피%	비교예
부피%	1	2	3
PPS	78	78	78
사지(四肢, tetrapod) 휘스커	22	-	-
은 플래이크¹⁾	-	22	-
니켈 파우더²⁾	-	-	22
비체적 저항 [Ω/cm]	3.4×10^-2	2.2×10^-2	5.8×10²
평균 차폐 효과 [dB] at 2.1T	28	22	5.5

1) 직경 10 내지 40㎛의 은 플래이크

2) 5 내지 30㎛의 니켈 파우더

상기 표 1 및 표 2에 나타낸 결과로부터, 사지 휘스커 및 저융점 금속을 사용한 실시예 2 내지 4의 경우 비체적저항이 비교예 1 내지 3보다 낮거나 동등 수준이면서, 차폐 효과가 매우 우수함을 알 수 있다. 또한, 실시예 1의 경우, 사지 휘스커 및 저융점 금속의 사용량이 비교예 1보다 작음에도, 거의 유사한 비체적 저항 및 차폐 효과가 얻어짐을 알 수 있다. 또한, 사지 휘스커 및 저융점 금속을 사용한 실시예 2와, 실시예 2에서 사용된 사지 휘스커 및 저융점 금속의 혼합 중량과 같은 양의 사지 휘스커만을 사용한 비교예 1의 경우, 실시예 2의 비체적 저항이 비교예 1보다 매우 낮고, 차폐 효과는 매우 우수한 결과가 얻어졌다.

특히 이는 실시예에서 사용된 사지 휘스커 및 저융점 금속으로 형성되는 필러간 네트워크가 사지 휘스커만 사용하거나, 은 플래이크, 니켈 파우더만을 사용한 비교예보다 우수하게 형성됨에 따른 것으로 생각된다. 또한 비교예 1과 2를 비교하면, 은 코팅된 사지 휘스커를 사용한 경우 형성되는 필러간 네트워크가 은 플래이크보다 우수함을 확인할 수 있으며 특히, 저융점 금속은 휘스커의 네트워크에 보강효과를 부여한다는 것을 확인할 수 있다.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

(A) 열가소성 고분자 수지;

(B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커; 및

(C) 저융점 금속

을 포함하고,

상기 사지 휘스커는 네 개의 다리부분과 몸통으로 구성되고,

상기 사지 휘스커의 몸통 크기는 0.15 내지 10㎛ 인 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재는

(A) 열가소성 고분자 수지 40 내지 84 부피%;

(B) 사지(四肢, tetrapod) 휘스커 15 내지 50 부피%; 및

(C) 저융점 금속 1 내지 10 부피%

를 포함하는 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 사지 휘스커는 ZnO로 형성된 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 사지 휘스커의 상기 다리부분의 처음에서 끝 부분까지의 길이는, 2 내지 100㎛인 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 사지 휘스커는 표면에 형성된 전도성 물질이 코팅된 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제5항에 있어서,

상기 전도성 물질은 은, 구리, 일루미늄, 철, 팔라듐, 산화주석, 산화인듐, 실리콘카바이드, 지르코늄카바이드, 티타늄카바이드, 흑연 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 저융점 금속은 두 종 이상의 금속 원소로 구성된 고용체(Solid solution)인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제7항에 있어서,

상기 저융점 금속은 주석, 창연, 납 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 주성분과, 구리, 알루미늄, 니켈, 은, 게르마늄, 인듐, 아연 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 부성분을 포함하는 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

상기 저융점 금속은 상기 수지 복합재의 융점보다 낮은 고상선 온도(Solidus temp.)를 갖는 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항에 있어서,

전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재는 유리 섬유 충진제를 상기 수지 복합재 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하의 양으로 더욱 포함하는 것인 전자기파 간섭/무선 주파 간섭 차폐용 수지 복합재.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 복합재를 이용하여 제조된 성형품.