KR101404248B1

KR101404248B1 - 전자기 간섭 흡수체로서 사용되기에 적합한 스트레치된 물품

Info

Publication number: KR101404248B1
Application number: KR1020127016442A
Authority: KR
Inventors: 더글라스 에스. 맥베인
Original assignee: 라이르드 테크놀로지스, 아이엔씨
Priority date: 2009-12-02
Filing date: 2010-12-01
Publication date: 2014-06-05
Also published as: WO2011068819A3; CN102714932B; KR20120105484A; US20120228018A1; WO2011068819A2; JP2013513241A; JP5519025B2; CN102714932A; US8641928B2

Abstract

전자기 간섭(EMI) 흡수체를 형성하는 방법의 실시예는, 적어도 일부 EMI 흡수 입자들을 정렬하기 위해 적어도 제1축을 따라 EMI 흡수 입자들을 포함하는 재료를 스트레칭하는 단계를 포함한다.

Description

전자기 간섭 흡수체로서 사용되기에 적합한 스트레치된 물품{Stretched articles suitable for use as EMI absorbers}

본 출원은 2009년 12월 2일에 출원된 미국 가출원 61/265,991의 이점을 청구한다. 상기 출원의 전체 개시가 여기 참조에 의해 통합된다.

본 발명은 전자기 간섭(EMI) 흡수체로서 사용되기에 적합한 스트레치된 물품에 관한 것이다.

이 섹션은 반드시 선행기술이 아닌 본 발명에 관련된 배경정보를 제공한다.

전자장비는 전자장비의 일 부분에서 전자장비의 다른 부분으로 방출되고 다른 부분에 간섭할 수 있는 전자기 신호를 종종 생성한다. 이 전자기 간섭(EMI)은 중요한 신호의 열화 또는 완전한 손실을 야기할 수 있으며, 그로 인해 전자장비를 비효율적 또는 작동불가능한 것으로 만든다. EMI의 역효과를 감소시키기 위해, 전기적으로 전도된 (및 때로는 자기적으로 전도된) 재료가 EMI 에너지를 흡수 및/또는 반사하기 위해 전자 회로망의 부분들 사이에 개재될 수 있다. 이러한 차폐는 벽 또는 완전한 인클로저(enclosure)의 형태를 취할 수 있으며, 전자기 신호를 생성하는 전자회로의 부분 주위에 배치거나 그리고/또는 전자기 신호에 민감한 전자회로의 부분 주위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄회로기판(PCB)의 전자회로 또는 구성요소들은 EMI를 그것의 소스내에 국한하기 위하여 그리고 EMI 소스에 인접한 다른 장치들을 절연하기 위한 차폐물(shield)들로 종종 둘러싸인다.

여기 사용되는 바와 같이, 전자기 간섭(EMI)이라는 용어는 일반적으로 전자기 간섭(EMI) 및 무선 주파수 간섭(RFI) 방출 양자를 포함하고 일컫는 것으로 여겨져야 하며, "전자기"라는 용어는 일반적으로 외부 소스 및/또는 내부 소스로부터의 전자기 및 무선 주파수 양자를 포함하고 일컫는 것으로 여겨져야 한다. 따라서 (여기서 사용되는 바와 같이) 차폐(shielding)라는 용어는, 예를 들어, 전자장비가 형성된 하우징 또는 다른 인클로저에 대하여 EMI 및 RFI의 입력 및 출력을 방지(또는 적어도 감소)하기 위한 EMI 차폐 및 RFI 차폐 양자를 포함하고 일컫는다.

이 섹션은 발명의 일반적인 요약을 제공하며, 그것의 전체 범주 또는 그것의 특징 모두의 포괄적인 개시는 아니다.

다른 실시예는 전자기 간섭(EMI) 흡수체를 포함한다. 상기 흡수체는 제1축을 따라 스트레치되며 EMI 흡수 플레이크(flake)를 포함하는 재료를 포함한다. EMI 흡수 입자들의 적어도 일부는 일반적으로 상기 제1축에 평행하게 정렬된다.

이용가능성의 다른 영역들이 여기 제공된 설명으로부터 명백해질 것이다. 이 요약 상의 설명 및 특정 실시예들은 설명의 목적으로만 제공된 것으로 본 발명의 범주를 제한하는 것을 의도하지 않는다.

본 발명의 일 실시예에 의하면 EMI 흡수 효율 또는 EMI 흡수 입자의 속성을 개선시킬 수 있고, 이에 따라 충분한 EMI 흡수 속성을 가지면서도 EMI 흡수체 입자를 덜 사용하게 하므로 EMI 흡수체를 형성시의 재료 비용을 절감할 수 있다.

여기 설명된 도면은 선택된 실시예들의 예시적인 목적을 위해서만 제공된 것이며 모든 가능한 실행을 위한 것은 아니며, 본 발명의 범주를 제한하는 것을 의도하는 것은 아니다. .
도 1은 전자기 간섭(EMI) 흡수체를 형성하는 예시적인 방법의 블럭도이다.
도 2는 EMI 흡수체를 형성하는 다른 예시적인 방법의 블럭도이다.
도 3은 스트레칭 이전에 매트릭스 재료에 부유하는 EMI 흡수 플레이크의 예를 도시한 도이다.
도 4는 스트레칭 이후에 매트릭스 재료에 부유하는 EMI 흡수 플레이크의 예를 도시한 도이다.

실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 더 자세하게 설명될 것이다.

EMI 흡수체는 전자기 에너지(즉, EMI)를 흡수하는 기능을 한다. EMI 흡수체는 손실(loss)이라고 일반적으로 불리어지는 과정을 통해 전자기 에너지를 다른 형태의 에너지로 전환한다. 전기 손실 메커니즘은 전도성 손실, 유전체 손실 및 자기 손실을 포함한다. 전도성 손실은 전자기 에너지가 열 에너지로 전환하는 것에 기인한 EMI의 감소를 말한다. 전자기 에너지는 유한한 전도성을 가지는 EMI 흡수체 내에서 흐르는 전류를 유도한다. 유한한 전도성으로 인해, 유도된 전류의 일부가 저항을 통해 열을 생성하게 된다. 유전체 손실은 비-단일 비유전율(比誘電率)(non-unitary relative dielectric constant)을 가지는 흡수체 내에서 전자기 에너지가 분자의 기계적 변위로 변환되는 것에 기인한 EMI의 감소를 말한다. 자기 손실은 EMI 흡수체 내에서 전자기 에너지가 자기 모멘트의 재정렬로 변환되는 것에 기인한 EMI의 감소를 말한다.

본 발명의 예시적인 측면들에 따르면, EMI 흡수체로서 사용하기에 적합한 스트레치된(stretched) 물품(예를 들어, 필름, 쉬트, 3차원 물체 또는 아이템 등)의 다양한 실시예들이 제공된다. 예를 들어, 실시예는 제1축을 따라 스트레치되고 EMI 흡수 플레이크(flake)를 포함하는 재료(예를 들어, 매트릭스 재료, 쉬트, 기판 등)을 일반적으로 포함하는 전자기 간섭(EMI) 흡수체를 포함한다. EMI 흡수 입자들 중 적어도 일부는 일반적으로 제1축에 평행하게 정렬되어 있다.

본 발명의 다른 예시적인 측면은 EMI 흡수체를 형성하는 방법에 관한 것이다. 전자기 간섭(EMI) 흡수체를 형성하는 방법의 실시예는, 적어도 일부의 EMI 흡수 입자들을 정렬하기 위해 EMI 흡수 입자들을 포함하는 재료(예를 들어, 매트릭스 재료, 쉬트, 기판 등)를 적어도 제1축을 따라 스트레칭하는 단계를 포함한다.

도면을 참조하면, 도 1은 본 발명의 하나 이상의 측면을 실시하는 EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 물체 또는 아이템 등)를 형성하는 예시적인 방법을 도시하고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이 방법은 EMI 흡수 플레이크를 포함하고 충전재(filler)로 채워진 매트릭스로부터 쉬트(sheet)가 만들어지거나 또는 형성되는 단계, 과정, 또는 동작(100)을 포함한다. EMI 흡수 플레이크는 매트릭스 재료에 일반적으로 무작위 또는 비정렬된 방향으로 부유하고 있을 수 있다. 대안적인 실시예들은, EMI 흡수 플레이크를 포함하고 충전재로 채워진 매트릭스 재료가 쉬트가 아닌 3차원 아이템 또는 물체로 만들어지거나 형성되는 하나 이상의 단계, 과정, 또는 동작을 포함할 수 있다. 또한, 스트레치된 물품(예를 들어, 필름, 쉬트, 3차원 물체 또는 아이템 등)은, 광범위한 적절한 과정들, 예를 들어, 압출(extrusion), 블로운 필름 압출(blown film extrusion), 스트레치 블로우 몰딩(stretch blow molding) 등에 의해, EMI 흡수 플레이크를 포함하고 충전재로 채워진 매트릭스 재료로부터 만들어지거나 형성될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, EMI 흡수체가 쉬트 압출기 및 그 유사한 것에 의해 스트레치된 다층 구조를 포함한다. 따라서, 이 실시예들에서, EMI 흡수체를 형성하는 방법은 쉬트 압출기와 그 유사한 것에 의해 다층 구조를 스트레칭하는 단계를 일반적으로 포함할 수 있다.

예로서, 도 3은 매트릭스 재료(302)에 부유하는 비정렬된 EMI 흡수 플레이크(300)를 도시한다. 이 특정 도시된 실시예에 대해서, EMI 흡수 재료는 연장된 플레이크 형태이다. 어떤 실시예들은 약 10 내지 약 140의 범위 내의 종횡비(aspect ratios)를 가지는 EMI 흡수 플레이크를 포함할 수 있다. 10보다 작거나 140보다 큰 종횡비를 가지는 EMI 흡수 플레이크 또한 사용될 수 있다. 다른 실시예들은 모두가 약 10의 종횡비를 가지는 EMI 흡수 플레이크를 가지는 반면, 다른 실시예들은 모두가 약 140의 종횡비를 가지는 EMI 흡수 플레이크를 가질 수 있다. 또 다른 실시예들에서, EMI 흡수 플레이크들은 다양한 크기를 가짐으로써 각 EMI 흡수 플레이크가 다른 EMI 흡수 플레이크와 같은 크기 또는 같은 종횡비를 가질 필요가 없다. 여기 사용되는 바와 같이, 종횡비는 더 짧은(y) 치수에 대한 더 긴(x) 치수의 비율로서 계산될 수 있다. 여기서 x 및 y 치수는 공통 면에 대하여 실질적으로 수직한다. 추가적인 실시예들은 그래뉼(granules), 회전 타원체(spheroids), 미소구체(microspheres), 타원체(ellipsoids), 불규칙한 회전 타원체(irregular spheroids), 가닥(strands), 파우더(powder), 그리고/또는 이들 형태 중 어느 하나 또는 모두의 조합 중 하나 이상을 포함하는 EMI 흡수체를 포함할 수 있다.

계속해서 도 1을 참조하면, 상기 방법은, 가령 더욱 효과적인 사용을 위해 EMI 흡수 플레이크 중 적어도 일부를 일반적으로 정렬하기 위해 적어도 제1축을 따라 쉬트가 스트레치되는 단계, 과정, 또는 동작(102)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 압출 또는 롤러에 의해, 예컨대 쉬트를 한 쌍의 롤러들 사이에서 롤링하면서 쉬트를 스트레칭함으로써 쉬트가 스트레치될 수 있다. 어떤 실시예들에서는, EMI 흡수 플레이크들 중 현저한 수의 플레이크(예를 들어, 약 20% 내지 약 70% 등)는 단계, 과정, 또는 동작(102)에서 스트레칭 이후에 정렬된다. 하나의 특정 실시예에서, 플레이크들의 70%가 스트레칭 후에 정렬되며, 다른 실시예들에서는 플레이크들의 20%가 스트레칭 이후 정렬되고, 다른 실시예들에서는 플레이크들 중 70% 이상이 스트레칭 이후 정렬되며, 또 다른 실시예들에서는 플레이크들 중 20% 이하가 스트레칭 이후 정렬된다.

도 1에 도시된 이러한 특정 예시적인 방법은 쉬트를 형성하고 스트레칭하는 것을 일컫지만, 대안적인 실시예들에서는 쉬트 이외의 다른 압출된 물체 및 아이템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예시적인 방법은 매트릭스 재료 및 EMI 흡입 재료가 블렌드된(blended) 후 쉬트가 아닌 3차원 아이템 또는 물체로 압출되는 단계, 과정, 또는 동작을 포함할 수 있다. 추가적으로, 어떤 실시예들은 EMI 흡수체로서 사용되기에 적절한 스트레치된 물품(예를 들어, 필름, 3차원 물체 또는 아이템 등)을 형성하는 다른 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예시적인 방법은 블로운 필름 압출, 스트레치 블로우 몰딩 등을 포함할 수 있다.

예로서, 도 4는 EMI 흡수 플레이크(400)의 적어도 일부가 일반적으로 단대단 관계(end-to-end relationship)로 정렬되도록 스트레칭한 이후의 EMI 흡수 플레이크(400)를 도시한다. 도 3과 도 4의 비교에 의해 도시된 바와 같이, EMI 흡수 플레이크의 길이 또는 길이방향 축이 쉬트가 스트레치되는 축(404)과 일반적으로 평행해지도록, 스트레칭은 EMI 흡수 플레이크의 적어도 일부를 길이 방향으로 이동하거나 배향되도록 한다.

제1축(예를 들어, 도 4에 도시된 축(404)등)을 따라 스트레치되는 것에 더해서, 어떤 실시예들은 EMI 흡수 플레이크들을 정렬 또는 더 정렬하기 위해 제2축을 따라 쉬트 또는 다른 물품을 스트레칭하는 것을 포함할 수 있다. 따라서, 어떤 실시예들에서는 쉬트 또는 다른 물품은 제1축만을 따라서 단축으로 스트레칭된다(X 또는 Y방향으로만 스트레칭). 반면, 다른 실시예들에서, 쉬트 또는 다른 물품은 제1 및 제2축을 따라서 양축으로 스트레칭된다(X 및 Y 양방향으로 스트레칭).

특정 실시예 및 매트릭스 재료 및 EMI 흡수체를 위해 사용되는 재료들에 따라서, 예를 들어, 어떤 실시예들에서는 쉬트 또는 다른 물품이 제1축만을 따라서 약 5% 스트레치 내지 약 100% 스트레치를 달성하도록 단축으로 스트레치될 수 있다. 예를 들어, 쉬트 또는 다른 물품은 어떤 실시예들에서는 5% 이하의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 약 5%의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 5% 이상 그러나 50% 이하의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 약 50%의 스트레치, 어떤 실시예들은 약 100% 스트레치, 어떤 실시예들에서는 100% 이상의 스트레치 등을 제1축만을 따라서 달성하도록 단축으로 스트레치될 수 있다. 이 예에서는, 100% 스트레치는, 쉬트 또는 다른 물품을 스트레칭함으로써 결과적으로 스트레치된 아이템 또는 물품이 그것이 스트레칭 이전에 각각 가지고 있었던 초기, 원래 길이 또는 폭(예를 들어, 1mm 등)의 2배인 길이 및/또는 폭(예를 들어, 2mm 등)을 갖는 것을 말한다.

또는, 예를 들어, 쉬트 또는 다른 물품은 X 및/또는 Y 방향으로 약 5% 내지 약 100% 스트레치를 달성하도록 양축으로 스트레치될 수 있다. 예로서, 쉬트 또는 다른 물품은 어떤 실시예들에서는 5% 이하의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 약 5%의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 5% 이상 그러나 50% 이하의 스트레치, 어떤 실시예들에서는 약 50%의 스트레치, 어떤 실시예들은 약 100% 스트레치, 어떤 실시예들에서는 100% 이상의 스트레치 등을 X 및/또는 Y 축을 따라 달성하도록 양축으로 스트레치될 수 있다. 이 예들에서, 100% 스트레치는 쉬트 또는 다른 물품을 스트레칭함으로써 결과적으로 스트레칭된 아이템 또는 물품이 그것이 스트레칭 이전에 각각 가지고 있었던 초기, 원래 길이 또는 폭(예를 들어, 1mm 등)의 2배인 길이 및/또는 폭(예를 들어, 2mm 등)을 갖는 것을 말한다.

예로서, 쉬트는 제1축 및 제2축을 따라서 동시에 스트레치될 수 있다. 또는, 예로서, 쉬트는 제1축 및 제2축을 따라서 순차적으로 스트레치될 수 있다. 즉 쉬트는 제1축을 따라서 우선 스트레치되고 이후 쉬트는 제2축을 따라 스트레치될 수 있다(또는 그 반대). 또한,특정 실시예에 따라서 쉬트는 제1 및/또는 제2축 중 어느 하나를 따라 반복적으로 스트레칭될 수 있다.

다양한 실시예들에서, 쉬트가 스트레치되는 제1 및 제2축은 일반적으로 서로에 대하여 수직한다. 그러한 실시예들에서, 제1축은 쉬트의 세로방향 축 또는 길이방향에 평행하게 배향될 수 있으며, 제2축은 쉬트의 측면 축 또는 폭 방향에 일반적으로 평행하게 배향될 수 있다.

다양한 범위의 EMI 흡수 입자들, 충전재들, 플레이크들 등(마이크로파 흡수 입자들, 충전재들, 플레이크들 등이라고도 함)이 본 발명의 실시예들에서 이용될 수 있다. EMI(또는 마이크로파) 흡수 입자들, 충전재들, 플레이크들 등은 다양한 전기적 도전성 및/또는 자기 재료들로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 여러 실시예들은 카르보닐 철(carbonyl iron), 센더스트(SENDUST)(약 85%의 철, 9.5%의 실리콘, 및 5.5%의 알루미늄을 포함하는 합금), 퍼몰레이(permalloy)(약 20%의 철 및 80%의 니켈을 포함하는 합금), 철 규화물(iron silicide), 철 크롬 화합물(iron-chrome compounds), 금속성 은(metallic silver), 자기합금(magnetic alloy), 자기 파우더(magnetic powders), 자기 플레이크(magnetic flakes), 자기입자(magnetic particles), 니켈기 합금 및 파우더(nickel-based alloys and powders), 크롬 합금(chrome alloys), 및 이들의 조합 중 하나 이상을 포함하는 EMI 흡수 입자들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들은 상기 재료들 중 하나 이상으로부터 형성된 하나 이상의 EMI 흡수 입자를 포함할 수 있으며, 여기서 EMI 흡수 입자들은 그래뉼, 회전 타원체, 미소구체, 타원체, 불규칙 회전 타원체, 가닥, 플레이크, 파우더, 및/또는 이 형태들 중 어느 하나 또는 모두의 조합 중 하나 이상을 포함한다. 그러한 실시예들에서, 쉬트 또는 다른 물품은 하나 이상의 축을 따라 계속 스트레치될 수 있으며, 그러한 스트레칭은 EMI 흡수 입자들 사이의 갭을 제거하거나 그리고/또는 간격을 줄이는 것을 도울 수 있으며 또한 결과적인 EMI 흡수체(예를 들어, 쉬트, 필름, 물품, 3차원 물체 또는 아이템 등)의 관통 두께(through-thickness)(z방향의 두께)를 줄이는 것을 도와 줄 수 있다. 따라서, 이것은 EMI 흡수 효율 또는 EMI 흡수 입자의 속성을 개선시킴으로써, 충분한 EMI 흡수 속성을 가지면서도 EMI 흡수체 입자를 덜 사용하게 한다(따라서 재료 비용을 줄임).

다양한 실시예들은, 예를 들어, 약 0.1마이크로미터(㎛) 내지 약 1.0㎛의 평균 두께를 가지는 개별적인 EMI 흡수 플레이크를 포함한다. 개별적인 EMI 흡수 플레이크는, 예를 들어, ㎛ 제곱으로 표현된 평균 표면적과 ㎛으로 표현된 평균 두께를 가지는 면(face)을 가질 수 있으며, 평균 표면적은 평균 두께보다 약 1000 내지 7000배 더 크다. 예시적인 EMI 흡수 플레이크는 "철 규화물 타입 IV"(Iron Silicide Type IV)라 불리우는 스튜어드 어드밴스드 머티리얼즈(Steward Advanced Materials)(www.stewardmaterials.com)사(社)에서 제조된다. 이 예에서, 플레이크 두께는 약 0.1㎛ 내지 0.3㎛이며, 플레이크 면 직경은 약 20㎛ 내지 30㎛이다. 대안적인 실시예는 상이하게 그리고 다른 크기로 구성되는 EMI 흡수 입자를 포함할 수 있다. 이 단락에서 제공되는 치수(여기 개시된 모든 치수들과 마찬가지로)는 설명의 목적으로서만 제시되는 것이고 제한의 목적을 가지지 않는다.

어떤 실시예들에서, EMI 흡수 플레이크는 자기 재료로서, 예를 들어 1.0 메가헤르쯔에서 2보다 큰 자기 상대 투과율(magnetic relative permeability)을 가지는 자기 재료를 포함한다. 하나의 특정 실시예에서, EMI 흡수 플레이크는 대략 1.0 기가헤르쯔에서 약 3.0보다 크며, 10 기가헤르쯔에서는 약 1.5보다 큰 상대적 자기 투과율을 가진다. 대안적인 실시예들은 다르게 그리고 다른 크기로 구성된 EMI 흡수체를 포함할 수 있다. 이 단락에서 제시한 이러한 특정 수치값은(여기 개시된 모든 수치값과 마찬가지로) 설명의 목적으로서만 제시된 것이고 제한의 목적으로 제시된 것이 아니다.

매트릭스 재료에 대하여, 광범위한 재료들이 사용될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들은 예컨대 폴리올레핀(polyolefins), 폴리아미드(polyamides), 폴리에스터(polyesters), 폴리우레탄(polyurethanes), 폴리카보네이트(polycarbonates), 폴리스티렌 및 스타이렌계 코폴리머(polystyrene and styrenic copolymers), 아크로릴로니트릴(acrylnitriles), 폴리비닐 염화물(polyvinyl chlorides), 폴리술폰(polysulfones), 아세탈(acetals), 폴리아릴레이트(polyarlyates), 폴리프로필렌(polypropylenes), 썰린(surlyns), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalates), 폴리스티렌(polystyrenes), 또는 이들의 조합 등과 같은 열가소성 매트릭스 재료(thermoplastic materials)를 포함한다.

매트랙스 재료는 매트릭스 재료에 부유하거나 첨가된 특정 양의 EMI 흡수 플레이크에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 어떤 실시예들은, 매트릭스 재료의 다른 이로운 속성들, 가령, 스트레치되고 스트레칭 이후에 EMI 흡수 플레이크의 정렬을 유지하는 능력을 해치지 않고, 소정 용량의 EMI 흡수 플레이크(예를 들어, 15 내지 40 용량 퍼센트, 15 이하의 용량 퍼센트, 40이상의 용량 퍼센트 등의 로딩(loading))를 수용하고 부유할 수 있는 매트릭스 재료를 포함할 수 있다.

매트릭스 재료는 전자기 에너지에 대하여 실질적으로 투명함으로써, 매트릭스 재료는 매트릭스 재료 내에서의 EMI 흡수 충전재(예를 들어, 플레이크 등)의 흡수 작용을 방해하지 않는다. 예를 들어, 약 4보다 작은 비유전율과 약 0.1보다 작은 손실 탄젠트를 보여주는 매트릭스 재료는 EMI에 대하여 충분히 투명하다. 그러나, 이 단원에서 제시되는 이 특정 수치들이(여기 개시된 모든 수치들과 마찬가지로) 설명의 목적으로만 제시되고 제한의 목적으로 제시되지 않는 것처럼, 이 범위에 벗어나는 값들 또한 고려될 수 있다.

도 2는 본 발명의 다른 예시적인 방법을 위한 단계, 과정, 또는 동작을 도시하는 과정 흐름도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이 방법은, 매트릭스 재료 및 EMI 흡수 플레이크가 블렌드되는 단계, 과정, 또는 동작(200)과 이후, 단계, 과정, 또는 동작(202)에서 쉬트로 압출되는 것을 포함한다. 이 특정 예는 압출된 쉬트를 포함한다. 대안적인 실시예들은 쉬트 또는 필름 이외의 다른 압출된 물체 및 아이템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예시적인 방법은 매트릭스 재료 및 EMI 흡수 재료가 블렌드되고 이후 쉬트 또는 필름이 아닌 3차원 물품, 아이템, 또는 물체로 압출되는 단계, 과정, 또는 동작을 포함할 수 있다. 추가적으로, 어떤 실시예들은 EMI 흡수체로서 사용되기에 적절한 스트레치된 재료(예를 들어, 필름, 쉬트, 3차원 물체 또는 아이템 등)를 형성하는 다른 과정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 예시적인 방법들은 블로운 필름 압출, 스트레치 블로우 몰딩, 등을 포함할 수 있다. 어떤 실시예들에서는, EMI 흡수체가 쉬트 압출기 및 그 유사한 것에 의해 스트레치되는 다층 구조를 포함한다. 따라서, 이 실시예들에서, EMI 흡수체를 형성하는 방법은 일반적으로 쉬트 압출기 및 그 유사한 것에 의해 다층 구조를 스트레칭하는 것을 포함할 수 있다.

도 2를 계속해서 참조하면, 쉬트는 단계, 과정, 또는 동작(204)에서 쉬트를 고체화하기 위해 냉각 드럼으로 주조된다. 쉬트는 단계, 과정, 또는 동작(206)에서 스트레칭 온도로 가열된다. 이 후, 단계, 과정, 도는 동작(208)에서 쉬트는 예를 들어 길이방향으로 스트레치된다. 단계, 과정, 또는 동작(210)에서, 쉬트는 예를 들어 횡방향으로 추가적으로 또는 대안적으로 스트레치될 수 있다. X 및 Y 방향을 따라 두 축을 따르는 양축 스트레칭은 위에서 언급한 바와 같이 순차적으로 또는 동시에 수행될 수 있다. 단계, 과정, 또는 동작(212)에서, 스트레치된 쉬트는 예를 들어 수송 또는 저장을 위해 롤(roll)로 권선되거나 또는 스풀(spool)로 권선될 수 있다.

도 2에 도시된 이러한 특정 방법에 대하여, 매트릭스 재료 및 EMI 흡수체는 위에 나열된 여러 재료들을 포함할 수 있다. 하나의 특정 실시예에서, 방법이 스트레칭 단계, 과정, 또는 동작(208, 210)의 결과로서 일반적으로 정렬되는 플레이크 철 규화물 충전재를 가지는 스트레치된 열가소성 쉬트를 생산하도록, 매트릭스 재료 및 EMI 흡수체가 선택된다. 철 규화물 플레이크의 정렬은 EMI 흡수 효율성을 개선함으로써, 충분한 EMI 흡수를 얻으면서도 EMI 흡수 충전재 재료는 덜 사용하게 한다(따라서 비용감소).

위에서 언급된 바와 같이, 도 3은 플레이크(300)가 일반적으로 비정렬되고 매트릭스 재료(302)에서 무작위로 분산되는 스트레칭 이전의 매트릭스 재료(302)에서 부유하는 EMI 흡수 플레이크(300)를 도시하고 있다. 이에 비해, 도 4는 플레이크(400)의 일부가 축(404)을 따라 일반적으로 정렬되도록 제1축(404)을 따라 스트레칭된 후의 플레이크(400)와 매트릭스 재료(402)를 도시한다. 플레이크의 이러한 스트레칭과 정렬은 플레이크 사이의 갭을 제거하거나 그리고/또는 간격을 감소시킬 뿐 아니라 결과적인 EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 아이템 또는 물체 등)의 z 방향의(도 4에서 페이지 안쪽으로)의 관통 두께 또는 두께를 감소시키는 것을 도울 수 있다. 따라서, 이것은 EMI 흡수 속성 및 플레이크의 효율성을 개선함으로써, 충분하거나 또는 양호한 EMI 흡수 속성을 가지면서도, EMI 흡수 플레이크를 덜 사용하게 한다(따라서 재료 비용 감소).

개별적인 EMI 흡수 플레이크(300, 400)의 서로에 대한 그리고 매트릭스 재료(302, 402)에 대한 상대적인 크기가 도 3 및 도 4에 설명의 목적으로만 도시되어 있다. 일반적으로, 부유하는 EMI 흡수 플레이크는 매우 작다(즉, 현미경으로만 확인할 수 있다). 작은 충전재 입자들은 EMI 흡수 쉬트의 실시예들이 상대적으로 얇은 전체 두께를 가지도록 한다.

유사하게, EMI 흡수 플레이크 또는 입자들의 상대적인 형태는 어떤 임의의 형태일 수 있다. EMI 흡수 플레이크(300, 400)의 연장된 형태가 설명의 목적으로만 도 3 및 도 4에 도시되어 있다. 다른 실시예들은 도 3 및 도 4에 도시된 것과 다른 형태를 가지는 하나 이상의 EMI 흡수 플레이크 또는 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, EMI 흡수체의 다양한 실시예들은 스트레치된 쉬트(제1 및/또는 제2축을 따라 스트레치된 쉬트) 및 그래뉼, 회전 타원체, 미소구체, 타원체, 불규칙 회전 타원체, 가닥, 플레이크, 파우더, 및/또는 이들 형태의 어느 하나 또는 모두의 조합을 포함하는 하나 이상의 EMI 흡수 충전재 또는 입자를 포함할 수 있다. 그러한 실시예들에서는, 쉬트는 하나 이상의 축을 따라 계속해서 스트레치되고, 그러한 스트레칭은 EMI 흡수 입자들 사이의 갭을 제거하고 그리고/또는 간격을 감소시키고 또한 결과적인 EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 아이템 또는 물체 등)의 z 방향의 관통두께 또는 두께를 감소시키는 것을 도울 수 있다. 따라서, 이것은 EMI 흡수 속성 또는 EMI 흡수 입자의 효율성을 개선함으로써, 충분하거나 양호한 EMI 흡수 속성을 가지면서도 그러한 EMI 흡수 입자들을 덜 사용하도록 한다(따라서 재료 비용을 감소).

동작 중에, 여기 개시된 실시예들에 따른 EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 물체 또는 아이템 등)는 EMI 흡수체에 입사된 EMI의 일부를 흡수하도록 작동가능하며, 그러 인해 동작 주파수의 범위(예를 들어, 약 10 기가헤르쯔 또는 그 이상의 주파수 범위, 약 100 메가헤르쯔 내지 약 1 기가헤르쯔의 주파수 범위 등)에 걸쳐 자신을 관통하는 EMI의 전달을 줄인다. EMI 흡수체는 손실 메카니즘에서 발생하는 전력 소산을 통해 환경으로부터 EMI의 일부를 제거할 수 있다. 이 손실 메카니즘은 유전체 재료에서 편광 손실과 유한한 전도성을 가지는 도전성 재료에서의 도전성 또는 저항성 손실을 포함한다.

EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 물체 또는 아이템 등)는 접착층을 더 포함할 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 접착층은 감압 접착체(pressure-sensitive adhesive)를 이용하여 형성된다. 감압 접착체(PSA)는 일반적으로 아크릴 섬유, 실리콘, 고무, 및 이등의 조합을 포함하는 화합물에 기초할 수 있다. 접착층은 EMI 흡수체를 EMI 쉴드의 일부, 가령, 단일편 EMI 쉴드, 다중편 쉴드의 커버, 리드(rid), 프레임, 또는 다른 부분, 개별적인 EMI 쉴딩 벽 등에 부착하기 위해 이용될 수 있다. 대안적인 부착 방법은 예를 들어 기계적 패스너(fastener)를 이용하는 것이다. 어떤 실시예들에서는, EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트 등)가 다중편 EMI 쉴드의 착탈가능한 리드 또는 커버에 부착될 수 있다. EMI 흡수체는 예를 들어 커버 또는 리드의 내면에 배치할 수 있다. 대안적으로, EMI 흡수체는 예를 들어 커버 또는 리드의 외면에 배치할 수 있다. EMI 흡수체는 커버 또는 리드의 전체 표면 또는 전체 표면보다 작은 면에 배치될 수 있다. 예를 들어, EMI 흡수체는 프레임 또는 베이스에 배치될 수 있으며, 개별적인 EMI 흡수체가 프레임 또는 베이스에 부착될 수 있는 착탈가능한 리드 또는 커버에 배치될 수 있다. EMI 흡수체는 EMI 흡수체를 가지는 것이 바람직한 사실상 어떠한 위치에도 적용될 수 있다.

여기 개시된 다양한 실시예들 중 어느 하나 이상에서, EMI 흡수체(예를 들어, 필름, 쉬트 등)는 프레임에 부착가능한 커버 및 프레임을 포함하는 쉴드에 부착될 수 있다. 예를 들어, 커버는 회로기판에 장착된 프레임에 커버를 고정하기 위한 멈춤쇠(detent)를 포함할 수 있다. 커버는 프레임을 향해 수직 하방으로 가압됨으로써, 커버를 프레임에 계합하기 위해 적어도 하나의 록킹 스냅이 계합되고 대응하는 오프닝에 록킹된다. 어떤 실시예들에서 커버는, 대응하는 개구(開口)(예를 들어, 리세스(recesses), 보이드(void), 캐비티(cavitiy), 슬롯(slot), 그루브(groove), 홀(hole), 오목부(depression), 이들의 조합 등)를 포함하는 프레임과 함께, 록킹 스냅 또는 캐치(catch)(예를 들어, 래치(latche), 탭(tab), 멈춤쇠(detent), 돌기(protuberance), 돌출부(protrusion), 리브(rib), 리지(ridge), 램프업(ramp-up), 다트(dart), 랜스(lance), 딤플(dimple), 반딤플(half-dimple), 이들의 조합 등)를 포함한다. 다른 실시예들에서, 프레임은 록킹 스냅 또는 캐치를 포함하며, 커버는 대응하는 오프닝을 포함한다. 다른 실시예들에서는, 커버 및 프레임 양자가 다른 구성요소의 대응하는 오프닝과 계합하기 위한 록킹 스냅 또는 캐치를 포함할 수 있다.

어떤 실시예들에서는 EMI 흡수체가 테이프로서 형성될 수 있다. 예를 들어 테이프는 롤로 저장될 수 있다.

어떤 실시예들에서는, 바람직한 응용 형태들, 가령, 직사각형 및 타원이 EMI 흡수체로부터 다이컷(die-cut)됨으로써, 바람직한 2차원 형태의 EMI 흡수체를 생성한다. 따라서, EMI 흡수체는 응용형태의 바람직한 윤곽을 생성하기 위해 다이컷될 수 있다.

어떤 실시예들에서는, EMI 흡수체는 어떠한 열도전성 충전재 없이 공기보다 더 양호한 열전도성을 보여줄 수 있다. 하지만, 어떤 실시예들에서는, 열도전성 충전재가 EMI 흡수 입자들(예를 들어, 플레이크 등)와 함께 매트릭스에 포함될 수 있다. 그러한 실시예들에서는, 결과적인 열도전성 EMI 흡수체 재료는, 예를 들어 전자 구성요소(예를 들어, 칩) 및 히트 싱크 사이에서의 열도전성 EMI 흡수 재료로서 적용될 수 있다. 광범위한 열도전성 충전재들(예를 들어, 세라믹 재료, 질화 알루미늄, 질화붕소, 철, 금속산화물, 및 이들의 조합)이 사용되어, 공기의 것보다 실질적으로 작은 열 임피던스 값을 가지는 열도전성 충전재들을 포함하게 된다. 예를 들어 EMI 흡수체의 다양한 실시예들(예를 들어, 필름, 쉬트, 물품, 3차원 물체 또는 아이템 등)은 매트릭스 내 EMI 흡수 입자들(예를 들어, 플레이크 등)과 열도전성 충전재들을 포함할 수 있으며, 여기서 EMI 흡수체는 적어도 제1 및/또는 제 2축을 따라 스트레칭된다.

본 발명이 완전하며 관련기술의 당업자들에게 범주를 완전히 전달하도록 실시예들이 제공된다. 본 발명의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 특정 구성요소들, 장치들, 및 방법들의 예들과 같은 많은 특정 세부사항들이 기술된다. 특정 세부사항들이 채택될 필요는 없으며, 실시예들이 많은 다른 형태로 실시될 수 있으며, 그리고 그 어떠한 것도 발명의 범주를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다는 것은 당업자들에게 명백할 것이다. 어떤 실시예들에서는, 주지의 과정, 주지의 장치 구조, 및 주지의 기술들은 상세하게 설명되지 않았다.

여기 사용되는 용어들은 특정 실시예들을 설명하기 위해서 제공된 것으로 제한하는 것을 의도하지 않는다. 여기 사용되는 바와 같이, 단수 형태들은 문백상 명백하게 그렇지 않음을 나타내지 않는 한 복수형태 또한 포함하는 것으로 의도될 수 있다. 용어 "포함하다"는 포괄적이며 따라서 언급된 특징, 정수, 단계, 동작, 부재 및/또는 구성요소의 존재를 특정하지만, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 동작, 부재, 구성요소, 및/또는 이들의 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 여기 설명된 방법 단계, 과정, 및 동작은, 수행의 순서로 특별히 정의되지 않는 한, 논의 또는 도시된 특정 순서로 그들의 수행을 반드시 요구하는 것으로 해석되지 않는다. 또한 추가적 또는 대안적인 단계가 채용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 여기 사용된 단계, 과정, 또는 동작은 단일 행위만을 수반하는 그러한 단계들, 과정들, 또는 동작들에만 제한되어서는 안된다. 대신, 여기서 사용되는 단계, 과정, 또는 동작은 단일 행위 또는 둘 이상의 행위를 말할 수 있다.

여기서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 부재들, 구성요소들, 영역들, 층들 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이들 부재들, 구성요소들, 영역들, 층들 및/또는 섹션들은 이 용어들에 한정되어서는 안된다. 이 용어들은 하나의 부재, 구성요소, 영역, 층 또는 섹션을 다른 영역, 층 또는 섹션으로부터 구별하기 위해서만 이용되는 것이다. "제1", "제2"와 같은 용어들 및 다른 숫자적 용어들은 여기 사용되는 경우, 문맥에 의해 명학하게 지정되지 않는 한, 차례 또는 순서를 내포하지 않는다. 따라서, 아래에서 논의되는 제1 부재, 구성요소, 영역, 층 또는 섹션은 실시예들의 교시로부터 벗어나지 않고 제2 부재, 구성요소, 영역, 층 또는 섹션으로 일컫을 수 있다.

특정 파라미터들(가령, 온도, 분자량, 무게 백분율)에 대한 값의 개시 및 값의 범위는 여기서 유용한 다른 값 및 값의 범위를 제외하지 않는다. 주어진 파라미터에 대한 둘 이상의 특정 예시적인 값들이 파라미터에 대해 청구될 수 있는 값들의 범위에 대한 종점들(endpoints)을 정의할 수 있다는 것이 상상될 수 있다. 예를 들어, 파라미터 X가 여기서 값 A를 가지는 것으로 예시되고 또한 값 Z를 가지는 것으로 예시되는 경우, 파라미터 X는 약 A 내지 약 Z의 값의 범위를 가질 수 있다는 것이 상상될 수 있다. 유사하게, 파라미터에 대한 둘 이상의 값의 범위의 개시(그러한 범위가 함유되거나, 중복되거나 또는 구별되든지)는, 개시된 범위들의 종점들을 이용하여 청구될 수 있는 값에 대한 범위의 모든 가능한 조합을 포함한다는 것이 상상될 수 있다. 예를 들어, 파라미터 X가 1~10, 2~9, 또는 3~8의 범위로 값들을 가진다고 여기 예시되는 경우, 파라미터 X는 1~9, 1~8, 1~3, 1~2, 2~10, 2~8, 2~3, 3~10, 및 3~9를 포함하는 다른 범위의 값들을 가질 수 있다는 것이 상상될 수 있다.

실시예들의 앞선 설명은 예시와 설명을 위해 제공되었다. 이것은 철저하거나 또는 발명을 한정는 것을 의도하지 않는다. 특정 실시예의 개별적인 부재들 또는 특징들은 특정 실시예에 한정되지 않지만, 해당되는 경우라면, 교체가능하며 특별이 도시되거나 설명되지 않아도, 선택된 실시예에 사용될 수 있다. 동일한 것이 많은 방법으로 다양화될 수 있다. 그러한 변형은 발명으로부터 벗어나는 것으로 간주되지 않고 그러한 모든 수정들은 발명의 범주에 속하는 것으로 의도된다.

300, 400: EMI 흡수 플레이크
302, 402: 매트릭스 재료
404: 축

Claims

전자기 간섭(EMI) 흡수체를 형성하는 방법에 있어서,
적어도 일부 EMI 흡수 입자들을 정렬하기 위해, EMI 흡수 입자들을 포함하는 열가소성 매트릭스 재료를 적어도 제1축을 따라 스트레칭하는 단계를 포함하고,
상기 열가소성 매트릭스 재료는 쉬트(sheet) 재료이고 그리고 상기 재료 내에 부유하는 플레이크 형태의 EMI 흡수 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서, 제2축을 따라 상기 재료를 스트레칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 2 항에 있어서, 상기 제2축은 상기 제1축에 수직인 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 2 항에 있어서, 상기 제1축을 따라 상기 재료를 스트레칭하는 단계와 상기 제2축을 따라 상기 재료를 스트레칭하는 단계가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 재료는 상기 EMI 흡수 입자들을 적어도 15 용량 퍼센트 포함하고, 상기 EMI 흡수 입자들 중 적어도 일부는 자기 입자(magnetic particle)를 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 5 항에 있어서, 스트레칭하기 전에, 상기 열가소성 매트릭스 재료 내 EMI 흡수 입자들을 부유하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트레칭 단계는 상기 쉬트를 적어도 상기 제1축을 따라 스트레칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 열가소성 매트릭스 재료 내의 상기 EMI 흡수 입자들의 용량 퍼센트는 적어도 40 용량 퍼센트이고,
상기 EMI 흡수 입자들은 1.0 기가헤르쯔에서 3.0 보다 크고 10 기가헤르쯔에서 1.5 보다 큰 상대적 자기 투과율을 가지며,
상기 EMI 흡수체는 EMI를 흡수하도록 동작함으로써, 10 기가헤르쯔 이상의 주파수 범위 및 100 메가헤르쯔 내지 1 기가헤르쯔의 주파수 범위 중 적어도 하나의 주파수 범위를 포함하는 동작주파수 범위에 걸쳐, 자신을 관통하는 EMI의 전달을 감소시키는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들을 포함하는 상기 재료를 스트레칭하는 단계는,
상기 EMI 흡수 입자들 사이의 간격을 줄이는 단계;
상기 재료의 관통 두께를 줄이는 단계; 및
상기 EMI 흡수 입자들을 포함하는 스트레치된 재료의 EMI 흡수 속성들을 개선하는 단계; 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스트레칭 단계는 상기 EMI 흡수 입자들의 적어도 일부를 상기 제1축과 평행한 길이 방향으로 정렬하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열가소성 매트릭스 재료 내의 상기 EMI 흡수 입자들의 용량 퍼센트가 적어도 40 용량 퍼센트인 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 EMI 흡수체는 EMI를 흡수하도록 동작함으로써, 10 기가헤르쯔 이상의 주파수 범위 및 100 메가헤르쯔 내지 1 기가헤르쯔의 주파수 범위 중 적어도 하나의 주파수 범위를 포함하는 동작주파수 범위에 걸쳐, 자신을 관통하는 EMI의 전달을 감소시키는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 매트릭스 재료는 철 규화물 플레이크로 채워지며,
상기 열가소성 매트릭스 재료는, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리스티렌 및 스타이렌계 코폴리머, 아크로릴로니트릴, 폴리비닐 염화물, 폴리술폰, 아세탈, 폴리아릴레이트, 폴리프로필렌, 썰린, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리스티렌, 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들은 카르보닐 철, 센더스트, 퍼몰레이, 철 규화물 및 철-크롬 화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들의 각각의 플레이크 중 적어도 일부는:
0.1㎛ 내지 1.0㎛의 평균 두께;
10 내지 140의 범위 내의 종횡비;
㎛ 제곱으로 표현되는 평균 표면적과 ㎛으로 표현되는 평균 두께를 가지는 면으로서, 상기 평균 표면적은 상기 평균 두께보다 1000 내지 7000배 더 큰, 면; 및
1.0 메가헤르쯔에서 2보다 큰 자기 상대 투과율; 중 적어도 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들을 포함하는 스트레치된 재료를 EMI 차폐 장치의 일부에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체를 형성하는 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수 물품.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수 필름.
전자기 간섭(EMI) 흡수 입자들을 포함하며 적어도 제1축을 따라 스트레치된 열가소성 매트릭스 재료를 포함하는 EMI 흡수체에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들의 적어도 일부가 상기 제1축에 평행하게 정렬되고,
상기 열가소성 매트릭스 재료는 쉬트(sheet) 재료이고 그리고 상기 열가소성 매트릭스 재료 내에 부유하는 플레이크 형태의 EMI 흡수 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항에 있어서, 상기 재료는 상기 제1축 및 제2축을 따라 스트레치된 쉬트를 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 20 항에 있어서, 상기 제2축은 상기 제1축에 수직인 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재료는 상기 EMI 흡수 입자들을 적어도 15 용량 퍼센트 포함하고, 상기 EMI 흡수 입자들 중 적어도 일부는 자기 입자(magnetic particle)를 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 22 항에 있어서, 상기 열가소성 매트릭스 재료는, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리스티렌 및 스타이렌계 코폴리머, 아크로릴로니트릴, 폴리비닐 염화물, 폴리술폰, 아세탈, 폴리아릴레이트, 폴리프로필렌, 썰린, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리스티렌, 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열가소성 매트릭스 재료 내의 상기 EMI 흡수 입자들의 용량 퍼센트는 적어도 40 용량 퍼센트이고,
상기 EMI 흡수 입자들은 1.0 기가헤르쯔에서 3.0 보다 크고 10 기가헤르쯔에서 1.5 보다 큰 상대적 자기 투과율을 가지며,
상기 EMI 흡수체는 EMI를 흡수하도록 동작함으로써, 10 기가헤르쯔 이상의 주파수 범위 및 100 메가헤르쯔 내지 1 기가헤르쯔의 주파수 범위 중 적어도 하나의 주파수 범위를 포함하는 동작주파수 범위에 걸쳐, 자신을 관통하는 EMI의 전달을 감소시키는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 플레이크 형태의 상기 EMI 흡수 입자들은 상기 제1축에 평행하게 정렬된 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 매트릭스 재료 내의 상기 EMI 흡수 입자들의 용량 퍼센트는 적어도 40 용량 퍼센트인 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들은 카르보닐 철, 센더스트, 퍼몰레이, 철 규화물, 및 철-크롬 화합물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수 입자들의 각각의 플레이크 중 적어도 일부는:
0.1㎛ 내지 1.0㎛의 평균 두께;
10 내지 140의 범위 내의 종횡비;
㎛ 제곱으로 표현되는 평균 표면적과 ㎛으로 표현되는 평균 두께를 가지는 면으로서, 상기 평균 표면적은 상기 평균 두께보다 1000 내지 7000배 더 큰, 면; 및
1.0 메가헤르쯔에서 2보다 큰 자기 상대 투과율; 중 적어도 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 EMI 흡수체가 필름인 것을 특징으로 하는 EMI 흡수체.
제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항의 EMI 흡수체가 부착된 일부를 가지는 것을 특징으로 하는 EMI 차폐 장치.