CN105051897B - 在介电基板上集成副本电路和变压器 - Google Patents

在介电基板上集成副本电路和变压器 Download PDF

Info

Publication number
CN105051897B
CN105051897B CN201480014428.XA CN201480014428A CN105051897B CN 105051897 B CN105051897 B CN 105051897B CN 201480014428 A CN201480014428 A CN 201480014428A CN 105051897 B CN105051897 B CN 105051897B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inductor
transformer
dielectric substrate
copy circuit
tft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480014428.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105051897A (zh
Inventor
J-H·兰
C·S·罗
J·金
M·F·维纶茨
J·H·洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN105051897A publication Critical patent/CN105051897A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105051897B publication Critical patent/CN105051897B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/28—Impedance matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
    • H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
    • H01F19/08—Transformers having magnetic bias, e.g. for handling pulses
    • H01F2019/085—Transformer for galvanic isolation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655—Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6672—High-frequency adaptations for passive devices for integrated passive components, e.g. semiconductor device with passive components only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

一种特定器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。

Description

在介电基板上集成副本电路和变压器
相关申请的交叉引用
本申请要求共同拥有的于2013年3月14日提交的美国非临时专利申请No.13/829,784的优先权，该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。
领域
本公开一般涉及半导体器件中的副本电路和变压器。
相关技术描述
技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如，当前存在各种各样的便携式个人计算设备，包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备，诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地，便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络传达语音和数据分组。此外，许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如，无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样，此类无线电话可处理可执行指令，包括可被用于访问因特网的软件应用，诸如web浏览器应用。如此，这些无线电话可包括显著的计算能力。
在无线通信技术领域中已经实现了多种技术突破。一种技术突破是在实现将大量微电子器件集成到半导体集成电路(IC)中的半导体制造工艺中。半导体制造技术已经降低与制造无线通信产品相关联的成本。
互补金属氧化物半导体(CMOS)制造技术可被用于制造无线通信IC。因为射频(RF)双工器使用频率选择性滤波器来用于发射-接收(TX-RX)隔离，所以高隔离要求使得难以将RF片外双工器与CMOS技术集成。表面声波(SAW)技术和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术可被用在RF双工器中以提供TX-RX隔离。然而，SAW和FBAR技术与其他技术相比可能导致相对大的模块大小和较高的成本。
概述
本公开呈现集成耦合到变压器的副本电路的系统的特定实施例。副本电路和变压器被布置在介电基板之上以达成副本电路与天线之间的阻抗匹配并提供发射-接收(TX-RX)隔离。
在一特定实施例中，一种器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。
在另一特定实施例中，一种方法包括在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该方法还包括在该玻璃类材料的表面之上形成变压器。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。
在又一特定实施例中，一种器件包括布置在介电基板之上的用于阻抗匹配的装置。用于阻抗匹配的装置包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到用于阻抗匹配的装置的用于转移能量的装置。用于转移能量的装置被配置成促成用于阻抗匹配的装置与天线之间的阻抗匹配。
在又一特定实施例中，一种方法包括在玻璃类材料的表面之上形成副本电路第一步骤。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该方法还包括在该玻璃类材料的表面之上形成变压器的第二步骤。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。
在又一特定实施例中，非瞬态计算机可读介质包括指令，该指令在由处理器执行时，使得处理器发起在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。非瞬态计算机可读介质还包括如下指令：该指令在由处理器执行时，使得处理器发起在玻璃类材料的表面之上形成变压器。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。
在又一特定实施例中，一种方法包括接收包括与半导体器件相对应的设计信息的数据文件。该方法还包括根据该设计信息制造半导体器件。半导体器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该半导体器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。
所公开的各实施例中的至少一者提供的一个特定优点是在同一介电基板之上集成副本电路和变压器可降低副本电路与变压器之间的迹线电感变化。迹线电感变化可造成副本电路和天线之间的阻抗失配，从而降低发射-接收(TX-RX)隔离。在同一介电基板之上制造副本电路和变压器可以达成副本电路与天线之间的阻抗匹配，从而改进TX-RX隔离。
本公开的其他方面、优点和特征将在阅读了整个申请后变得明了，整个申请包括下述章节：附图简述、详细描述以及权利要求。
附图简述
图1是示出包括在基板之上与变压器并排布置的副本电路的结构的特定实施例的示图；
图2是示出包括在基板之上布置在变压器之下的副本电路的结构的特定实施例的示图；
图3是示出包括在基板之上布置在变压器之上的副本电路的结构的特定实施例的示图；
图4是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第一解说性示图的示图；
图5是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第二解说性示图的示图；
图6是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第三解说性示图的示图；
图7是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第四解说性示图的示图；
图8是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第五解说性示图的示图；
图9是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第六解说性示图的示图；
图10是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第七解说性示图的示图；
图11是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第八解说性示图的示图；
图12是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第九解说性示图的示图；
图13是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十解说性示图的示图；
图14是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十一解说性示图的示图；
图15是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十二解说性示图的示图；
图16是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十三解说性示图的示图；
图17是具有并行配置的多个电感器的变压器的特定实施例的示图；
图18是具有交织配置的多个电感器的变压器的特定实施例的示图；
图19是在玻璃类材料的表面之上形成副本电路和变压器的方法的特定解说性实施例的流程图；
图20是包括副本电路和变压器的通信设备的框图；以及
图21是制造包括副本电路和变压器的电子设备的制造过程的特定解说性实施例的数据流图。
详细描述
图1是示出包括在介电基板103(例如，玻璃类材料，诸如玻璃上无源器件(POG)基板)之上与变压器102并排制造的副本电路101的结构100的实施例的示图。图1在功能框图120、截面图130、以及电路级图140中示出了结构100。
在一特定实施例中，副本电路101包括薄膜晶体管(TFT)115。TFT 115包括漏极区104、源极区105、栅极区106、沟道区107、以及栅极绝缘层108。在一特定实施例中，变压器102是纵向耦合混合变压器(VHT)。在另一实施例中，变压器102是横向耦合混合变压器。在变压器102是VHT时，变压器102可包括：布置在介电基板(例如，图1的介电基板103)的表面之上的第一电感器结构(例如，第一电感器109)；布置在介电结构和第一电感器结构之上的第二电感器结构(例如，第二电感器110)；以及布置在第一电感器结构和第二电感器结构之间的介电层(例如，介电层111)。本文中使用的术语“之上”应被解释为是相对于在此呈现的附图中所示出的定向的。变压器102还可包括在第一电感器结构与第二电感器结构之间布置的气隙。在变压器102是横向耦合混合变压器时，变压器102可包括：布置在介电基板(例如，图1的介电基板103)的表面之上的第一电感器结构；以及布置在介电基板的表面之上的第二电感器结构，其中第一电感器结构和第二电感器结构是并排的。
如图1所示，变压器102的一端可耦合到副本电路101且变压器102的另一端可耦合到天线112。TFT 115可被配置成充当可变电容器113或可变电阻器114以达成天线112与副本电路101之间的阻抗匹配，或者基本或接近阻抗匹配。变压器102可被配置成促成副本电路101与天线112之间的阻抗匹配或者基本或接近阻抗匹配。在一特定实施例中，TFT 115的源极区105耦合到漏极区104以形成可变电容器113。在一特定实施例中，栅极区106耦合到源极区105以形成可变电阻器114。
图2描绘包括在介电基板203(例如，玻璃类材料，诸如玻璃上无源器件(POG)基板)之上与变压器201一起制造的副本电路201的结构200的实施例，其中变压器202被布置在副本电路201之上。图2在高级功能框图中示出了结构200。结构200的电路级图可对应于图1的电路级图140。
在一特定实施例中，副本电路201包括薄膜晶体管(TFT)。TFT副本电路201可包括漏极区、源极区、栅极区、沟道区、以及栅极绝缘层。变压器202可以是纵向耦合混合变压器(VHT)或横向耦合混合变压器。在变压器202是VHT时，变压器202可包括：布置在介电基板(例如，介电基板203)的表面之上的第一电感器结构；布置在介电基板和第一电感器结构之上的第二电感器结构；以及布置在第一电感器结构和第二电感器结构之间的介电层。变压器202还可包括在第一电感器结构与第二电感器结构之间布置的气隙。在变压器202是横向耦合混合变压器时，变压器202可包括：布置在介电基板的表面之上的第一电感器结构；以及布置在介电基板的表面之上的第二电感器结构，其中第一电感器结构和第二电感器结构是并排的。
图3描绘包括在介电基板303(例如，玻璃类材料，诸如玻璃上无源器件(POG)基板)之上与变压器302一起制造的副本电路301的结构300的实施例，其中副本电路301被布置在变压器302之上。图3示出了结构300的功能框图。结构300的电路级图可对应于图1的电路级图140。
在一特定实施例中，副本电路301包括薄膜晶体管(TFT)。TFT副本电路301可包括漏极区、源极区、栅极区、沟道区、以及栅极绝缘层。变压器302可以是纵向耦合混合变压器(VHT)或横向耦合混合变压器。在变压器302是VHT时，变压器302可包括：布置在介电基板(例如，介电基板303)的表面之上的第一电感器结构；布置在介电基板和第一电感器结构之上的第二电感器结构；以及布置在第一电感器结构和第二电感器结构之间的介电层。变压器302还可包括在第一电感器结构与第二电感器结构之间布置的气隙。在变压器302是横向耦合混合变压器时，变压器302可包括：布置在介电基板的表面之上的第一电感器结构；以及布置在介电基板的表面之上的第二电感器结构，其中第一电感器结构和第二电感器结构是并排布置的。
如图1-3所示，在介电基板之上制造副本电路和变压器可降低副本电路与变压器之间的迹线电感变化。迹线电感变化可造成副本电路和天线(例如，图1的天线112)之间的阻抗失配，从而降低发射-接收(TX-RX)隔离。在介电基板之上制造副本电路和变压器可以达成副本电路与天线之间的阻抗匹配(或者基本或接近阻抗匹配)，从而改进TX-RX隔离。
以下描述提供了制造包括与变压器并排的副本电路的器件(如图1所示)的方法的特定实施例的细节。所描述的特征、方法、以及结构可被用来制造其中副本电路在变压器之上或变压器在副本电路之上的器件，分别如图2和图3所示。
参考图4，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第一解说性示图且一般化地指定为400。图4示出了副本电路的TFT的栅极区401和变压器的金属连接器402。该示图示出了结构400的一部分的截面图。结构400可包括介电材料作为基板403。在一实施例中，基板403可包括具有高电阻率的玻璃类材料(例如，非晶或无定形固体材料)、宽带隙半导体、或具有高电阻率的塑料基板或由其形成。玻璃类材料的示例包括碱土金属硼-铝硅酸盐(例如，康宁玻璃基板)。砷化镓(GaAs)、磷酸铟(InP)、碳化硅(SiC)、罗杰斯层叠、以及诸如塑料和环氧树脂等聚合物。在另一实施例中，基板403可包括具有高电阻率的晶体材料或由其形成，如蓝宝石(Al2O3)、石英、或陶瓷。在一特定实施例中，基板403的厚度在约0.3mm到约0.7mm的范围内。
图4被分成若干区域405-409。每一区域405-409示出了图4-14中的不同器件的形成。例如，区域405示出了TFT的形成，如图1的TFT 115。区域406示出了配置成充当可变电阻器的TFT的形成，如图1的可变电阻器114。区域407示出了配置成充当可变电容器的TFT的形成，如图1的可变电容器113。区域408示出了横向耦合混合变压器的形成。区域409示出了纵向耦合混合变压器的形成。区域405-409可以按包括至少一个变压器和至少一个TFT配置的任何配置来安排，其中TFT被用作副本电路。
栅极区401和金属连接器402是使用加成工艺来形成的。各种工艺可被用来施加、移除或图案化各层。例如，薄膜沉积工艺(如，化学气相沉积(CVD)、旋涂、溅射、电镀)可被用来形成金属层和金属间介电层；光刻可被用来形成金属层的图案；蚀刻工艺可被执行以移除不想要的材料；以及平坦化工艺(诸如旋涂、“回蚀”和化学机械抛光(CMP))可被用来创建平坦表面。取决于要被添加、移除、图案化、掺杂、或以其他方式制造的材料，其他工艺也可以或作为替换来被使用。
另外，为了便于解说和使本说明书清楚起见，仅有限数量的连接器、电感器、层和其他结构或器件被显示在各附图中。实际上，该结构可包括更多或更少连接器、电感器、层、以及其他结构或器件。
导电层404可被沉积在基板403之上以形成副本电路的TFT的栅极区401和金属连接器402。金属连接器402可被用来连接或形成变压器(如图1的变压器102)的电感器。在一特定实施例中，导电层404包括金属(如铝(Al)、钼(Mo)、或铜(Cu))或金属合金(如铝铜合金(Al-Cu)、铝钕(Al-Nd)、铝钽(Al-Ta)、或铝硅铜(AlSiCu))或它们的组合。在一特定实施例中，导电层404的厚度为约1微米(μm)。导电层404可以使用加成工艺来形成，如化学气相沉积(CVD)、旋涂、溅射、或电镀。光刻-蚀刻工艺可被用来将栅极区401和金属连接器402图案化。
参考图5，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第二解说性示图且一般化地指定为500。在图5中，在形成栅极区401和金属连接器402之后，绝缘层501被形成在基板403之上以将栅极区401与随后形成的副本电路的TFT的漏极区、源极区、以及沟道区绝缘。绝缘层501可由介电绝缘材料组成，如二氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)，氧化铝(Al2O3)，五氧化二钽(Ta2O5)，或适用于将栅极区401与漏极区、源极区以及沟道区绝缘的另一材料。绝缘层501可以通过薄膜沉积工艺来形成，如
(i)用于SiOx和SiNx的等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)，
(ii)用于Al2O3、HfO2以及ZrO2的原子层沉积(ALD)，
(iii)气相沉积(PVD)(如用于SiO2的溅射)，或
(iv)PVD工艺之后的阳极化(如用于Al2O3或Ta2O5)。
参考图6，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第三解说性示图且一般化地指定为600。在图6中，在形成绝缘层501之后，层601被形成在基板403之上以形成沟道区602。在一特定实施例中，层601由非晶硅、多晶硅、连续颗粒硅、氧化铟镓锌(IGZO)、二硫化钼(MoS2)、或石墨烯组成。层601可以使用加成工艺来形成，如等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)或溅射。光刻-蚀刻工艺可被用来将层601图案化以形成沟道区602。
参考图7，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第四解说性示图且一般化地指定为700。在图7中，在形成沟道区602之后，层701被形成在基板403之上以形成源极区702和漏极区703。在一特定实施例中(例如，在沟道601由非晶硅组成时)，层701包括杂质掺杂的非晶硅。层701可以使用加成工艺来形成，如等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)。光刻-蚀刻工艺可被用来将层701图案化以形成源极区702和漏极区703。
参考图8，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第五解说性示图且一般化地指定为800。在图8中，在形成源极区702和漏极区703之后，介电层801被形成在基板403之上以将副本电路的TFT和金属连接器与其他电路系统或器件电绝缘。介电层801可包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、或绝缘聚合物(诸如，聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、或丙烯酸)。在一特定实施例中，介电层801的厚度为约3μm。各向异性蚀刻工艺可被用来在介电层801中创建通孔(或凹陷)802。通孔(或凹陷)802可被用来形成电感器、栅极电极、源极电极、或漏极电极。在一特定实施例中，通孔(或凹陷)802的深度为约2μm。
参考图9，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第六解说性示图且一般化地指定为900。在图9中，在形成了通孔(或凹陷)802之后，导电层901被形成在基板403之上以形成栅极电极902、源极电极903、漏极电极904、以及第一电感器905。在一特定实施例中，导电层901由金属(诸如铜(Cu)、铝(Al)、或金(Au))或金属合金制成。导电层901可以使用加成工艺来形成，如化学气相沉积(CVD)、溅射、以及电镀。光刻-蚀刻工艺可被用来将导电层901图案化以形成栅极电极902、源极电极903、漏极电极904、以及第一电感器905。
参考图10，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第七解说性示图且一般化地指定为1000。在图10中，在形成了栅极电极902、源极电极903、漏极电极904、以及第一电感器905之后，在基板403之上沉积介电层1001。介电层1001可将栅极电极902、源极电极903、漏极电极904、以及第一电感器905与其他电路系统或器件绝缘。介电层1002可被形成在纵向耦合混合变压器(VHT)中的下电感器与VHT中的随后形成的上电感器之间。为了增强发射-接收(TX-RX)隔离，但不牺牲天线-到-接收机(ANT-RX)耦合效率，介电层1001可由具有低介电常数(k)的材料的组成。这可创建小耦合电容，同时维持第二电感器(图10中未示出)与第一电感器905之间的磁耦合。在一特定实施例中，介电层1001的材料可包括聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、丙烯酸、沸石咪唑框架材料(ZIF)、以及苯并环丁烯(BCB)。介电层1001可以使用加成工艺来形成，如旋涂继以热固化工艺。在一特定实施例中，介电层1002的厚度在约2μm到约7μm的范围内。
参考图11，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第八解说性示图且一般化地指定为1100。在图11中，在形成了介电层之后，导电层1101被沉积在基板403之上以形成第二电感器1102。在一特定实施例中，导电层1101由金属(诸如铜(Cu)、铝(Al)、或金(Au))、金属合金、或它们的组合来制成。导电层1101可以使用加成工艺来形成，如化学气相沉积(CVD)、溅射、以及电镀。光刻-蚀刻工艺可被用来将导电层1101图案化以形成第二电感器1102。在一特定实施例中，第二电感器1102的高度在约10μm到约15μm的范围内。
参考图12，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第九解说性示图且一般化地指定为1200。在图12中，在形成了导电层1101和第二电感器1102之后，介电层1201被沉积在基板403之上以将第二电感器1102与其他电路系统或器件绝缘。介电层1201的材料可包括聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、丙烯酸、沸石咪唑框架材料(ZIF)、或苯并环丁烯(BCB)。介电层1201可以使用加成工艺来形成，如旋涂继以热固化工艺。在一特定实施例中，介电层1201的厚度为约15μm。各向异性蚀刻工艺可被用来在介电层1201中创建凹陷1202。在一特定实施例中，凹陷1202的深度为约2um。
参考图13，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第十解说性示图且一般化地指定为1300。在图13中，在创建了介电层1201和凹陷1202之后，导电层1301被沉积在基板403之上以形成可被用来将第二电感器1102与其他电路系统或器件连接的连接器1302。在一特定实施例中，导电层1301可由金属(诸如铝(Al)或铜(Cu))或金属合金(诸如铝铜(Al-Cu)合金)制成。导电层1301可以通过薄膜沉积工艺来形成，如化学气相沉积(CVD)、溅射、以及电镀。光刻-蚀刻工艺可被用来图案化连接器1302。在一特定实施例中，连接器1302的厚度为约3μm到约5μm。
参考图14，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第十一解说性示图且一般化地指定为1400。在图14中，在形成了导电层1301并将连接器1302图案化之后，钝化层1401可被形成在基板403之上以将第二电感器1102和连接器1302与其他电路系统或器件电绝缘。
如图14所示，区域405可解说TFT(如图1的TFT 115)的截面图。如图14所示，区域406可解说配置成充当可变电阻器的TFT(如图1的可变电阻器114)的截面图。如图14所示，区域407可解说配置成充当可变电容器的TFT(如图1的可变电容器113)的截面图。如图14所示，区域408可解说横向耦合混合变压器的截面图。如图14所示，区域409可解说纵向耦合混合变压器的截面图。区域405-409可以按包括至少一个变压器和至少一个TFT配置的任何配置来安排，其中TFT被用作副本电路。
参考图15，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第十二解说性示图且一般化地指定为1500。图15示出了图10的介电层1002可由沉积牺牲层1501来代替。牺牲层1501可稍后被移除以形成气隙。气隙可增强变压器的性能(例如，增强发射-接收(TX-RX)隔离)。气隙可增强天线-到-接收机(ANT-RX)敏感度。气隙还可降低发射机-到-天线(TX-ANT)和接收机-到-天线(RX-ANT)插入损耗。在一特定实施例中，牺牲层1501中使用的材料包括钼、非晶硅(a-Si)、多晶硅、二氧化硅(SiO2)或SU-8光阻。在一特定实施例中，牺牲层1501的厚度为约5μm。
在牺牲层1501代替了介电层1002时，在形成了钝化层1401之后，各向异性蚀刻工艺可被执行以在介电层1201和钝化层1401中创建凹陷1502。凹陷1502可被用作释放孔来移除牺牲层1501以形成气隙。
参考图16，描绘了在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间形成的结构的第十三解说性示图且一般化地指定为1600。在图16中，在创建了凹陷1502之后，牺牲层1501可被移除。在移除了牺牲层1501时，在第二电感器1102与第一电感器905之间形成了气隙1601。
在一特定实施例中，不同处理技术(如镶嵌工艺)可被用来形成第一电感器905、第二电感器1102、以及导电层404和1301。在一特定实施例中，形成平面电感器的阵列。在另一实施例中，形成螺旋电感器的阵列。该阵列的电感器可以是方形、圆形、八边形，或可具有另一形状。
在一特定实施例中，第一电感器905和第二电感器1102被形成为平行配置中的多个纵向耦合电感器。该多个纵向耦合电感器可包括多个具有两个纵向耦合电感器的集合。参考图17，描绘了具有平行配置中的多个电感器的纵向耦合混合变压器(VHT)的特定解说性实施例且一般化地指定为1700。如图17所示，多个纵向耦合电感器可包括两个或更多个纵向耦合电感器结构，它们中的每一者包括通过连接器连接且是平行配置的一系列电感器1701和1702。
在一特定实施例中，代替平行配置，第一电感器905和第二电感器1102可以按交织配置来形成。参考图18，描绘了具有交织配置中的多个电感器的纵向耦合混合变压器(VHT)的特定解说性实施例且一般化地指定为1800。如图18中所解说的，在交织配置1801中，VHT包括第一类型的一系列电感器1801和第二类型的一系列电感器1802。第一类型的电感器1801和第二类型的电感器1802中的每个电感器与平行配置中的电感器的一部分相对应。第一类型的每一电感器1801与第二类型的每一电感器1802配对且与其横向部置。第一类型的一个电感器1801与第二类型的一个电感器1802的组合可被称为电感器结构。一个电感器结构可被布置在另一电感器结构之上(例如，电感器结构被平行布置)。另外，第一电感器结构的第一类型的电感器1801可以与第二电感器结构的第一类型的电感器1801相连接，其中第二电感器结构布置在第一电感器结构之上。同样，第一电感器结构的第二类型的电感器1802可以与第二电感器结构的第二类型的电感器1802相连接。第二电感器结构可被布置在第一电感器结构之上。
参考图19，描绘了在玻璃类材料的表面之上形成副本电路和变压器的方法的特定解说性实施例的流程图且一般化地指定为1900。方法1900的一个或多个操作可由集成到电子设备(诸如半导体制造工厂(例如，“加工厂”)的装备)中的处理器发起，如参照图21进一步描述的。在一特定实施例中，方法1900可被执行以制造图1的结构100、图2的结构200、或图3的结构300。
方法1900包括在1902，在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路可包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。例如，如参考图1所述，副本电路101被形成在介电基板103(例如，玻璃上无源器件(POG)基板)的表面之上。
方法1900还包括在1904在该玻璃类材料的表面之上形成变压器。变压器可耦合到副本电路。变压器可被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。例如，副本电路101可以与变压器102并排形成且在图1的介电基板103的表面之上。在另一示例中，变压器202可被形成在副本电路201之上且在图2的介电基板203的表面之上。在另一示例中，副本电路301可被形成在变压器302之上且在图3的介电基板303的表面之上。变压器可以是纵向耦合混合变压器(VHT)或横向耦合混合变压器。
参照图19的方法1900描述的一个或多个操作可通过现场可编程门阵列(FPGA)设备、专用集成电路(ASIC)、处理单元(诸如中央处理单元(CPU))、数字信号处理器(DSP)、控制器、另一硬件设备、固件设备、或其任何组合来发起。作为示例，图19的方法1900可由半导体制造装备来发起，诸如执行存储在存储器(例如非瞬态计算机可读介质)中的指令的处理器，如参考图21进一步描述的。
在玻璃类材料的表面之上形成副本电路和变压器可降低副本电路与变压器之间的迹线电感变化。迹线电感变化可造成副本电路和天线之间的阻抗失配，从而降低发射-接收(TX-RX)隔离。在玻璃类材料的表面之上形成副本电路和变压器可促成副本电路与天线之间的阻抗匹配(或基本匹配)，从而改进TX-RX隔离。
参考图20，描绘了包括布置在介电基板之上的副本电路2013和变压器2102的移动设备的特定解说性实施例并且一般化地指定为2000。移动设备2000或其各组件可包括、实现或被包括在诸如以下设备中：移动站、接入点、机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、平板、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电装置、卫星无线电装置、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、视频播放器、数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、或便携式数字视频播放器。
移动设备2000可包括处理器2001，诸如数字信号处理器(DSP)。处理器2001可以耦合到存储器2002(例如，非瞬态计算机可读介质)。
图20还示出了耦合至处理器2001和显示器2004的显示控制器2003。编码器/解码器(编解码器)2005也可耦合至处理器2001。扬声器2006和话筒2007可耦合至编解码器2005。无线控制器2008可耦合至处理器2001且可进一步耦合至天线2009。无线控制器2008可包括变压器2012和副本电路2013。变压器2012可耦合到副本电路2013。变压器2012和副本电路2013可以通过达成副本电路2013与天线2009之间的阻抗匹配(或基本匹配)，从而改进移动设备2000的发射-接收(TX-RX)隔离，来改进无线控制器2008的性能。变压器2012和副本电路2013可对应于图1的变压器102和副本电路101，可对应于图2的变压器202和副本电路201，可对应于图3的变压器302和副本电路301，或可对应于它们的组合。
在一特定实施例中，处理器2001、显示控制器2003、存储器2002、编解码器2005以及无线控制器2008被包括在系统级封装或片上系统设备2014中。输入设备2010和电源2011可耦合至片上系统设备2014。此外，在特定实施例中，并且如图20中所解说的，显示器2004、输入设备2010、扬声器2006、话筒2007、天线2009和电源2011在片上系统设备2014的外部。然而，显示器2004、输入设备2010、扬声器2006、话筒2007、天线2009和电源2011中的每一者可被耦合到片上系统设备2014的组件，诸如接口或控制器。
结合所描述的实施例，一种器件包括耦合到用于转移能量的装置的用于阻抗匹配的装置。用于阻抗匹配的装置可包括图1的副本电路101、图2的副本电路201、或图3的副本电路301。用于转移能量的装置可包括图1的变压器102、图2的变压器202、或图3的变压器302。用于阻抗匹配的装置可包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管TFT(例如，图1中的副本电路101的TFT 115)。用于转移能量的装置和用于阻抗匹配的装置可被布置在介电基板(例如，图1、2或3的介电基板)之上以促成(例如，基本达成)用于阻抗匹配的装置与天线(图1的天线112)之间的阻抗匹配。
上文公开的设备和功能性可被设计和配置在存储在计算机可读介质上的计算机文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或全部此类文件可被提供给制造处理人员以基于此类文件来制造设备。结果产生的产品包括半导体晶片，其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。半导体芯片随后被集成到电子设备中，如参照图21进一步描述的。
参照图21，描绘了电子设备制造过程的特定解说性实施例，并且将其一般指定为2100。在图21中，物理设备信息2102在制造过程2100处(诸如在研究计算机2106处)被接收。物理设备信息2102可包括表示半导体器件的至少一个物理属性的设计信息，如布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)。例如，物理器件信息2102可包括经由耦合至研究计算机2106的用户接口2104输入的物理参数、材料特性、以及结构信息。研究计算机2106包括耦合至计算机可读介质(诸如存储器2110)的处理器2108，诸如一个或多个处理核。存储器2110可存储计算机可读指令，其可被执行以使处理器2108将物理器件信息2102转换成遵循文件格式并生成库文件2112。
在一特定实施例中，库文件2112包括至少一个包括经转换的设计信息的数据文件。例如，库文件2112可包括半导体器件的库，包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)，该库被提供以与电子设计自动化(EDA)工具2120一起使用。
库文件2112可在设计计算机2114处与EDA工具2120协同使用，设计计算机2114包括耦合至存储器2118的处理器2116，诸如一个或多个处理核。EDA工具2120可被存储为存储器2118处的处理器可执行指令，以使设计计算机2114的用户能够使用库文件2112设计包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路的电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)。例如，设计计算机2114的用户可经由耦合至设计计算机2114的用户接口2124来输入电路设计信息2122。电路设计信息2122可包括表示半导体器件的至少一个物理属性的设计信息，如布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)。作为解说，电路设计性质可包括特定电路的标识以及与电路设计中其他元件的关系、定位信息、特征尺寸信息、互连信息、或表示半导体器件的物理性质的其他信息。
设计计算机2114可被配置成转换设计信息(包括电路设计信息2122)以遵循文件格式。作为解说，该文件格式化可包括以分层格式表示关于电路布局的平面几何形状、文本标记、及其他信息的数据库二进制文件格式，诸如图形数据系统(GDSII)文件格式。设计计算机2114可被配置成生成包括经变换的设计信息的数据文件，如包括描述布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)的信息以及其他电路或信息的GDSII文件2116。为了解说，数据文件可包括与片上系统(SOC)相对应的信息，该SOC包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)且还包括SOC内的附加电子电路和组件。
GDSII文件2126可在制造过程2128处被接收并且根据GDSII文件2126中的经变换的信息来制造布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)。例如，器件制造过程可包括将GDSII文件2126提供给掩模制造商2130以创建一个或多个掩模，诸如用于与光刻处理联用的掩模，其在图21中被解说为代表性掩模2132。掩模2132可在制造过程期间被用于生成一个或多个晶片2134，晶片2134可被测试并被分成管芯，诸如代表性管芯2136。管芯2136包括包含布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)的电路。
结合所描述的实施例，非瞬态计算机可读介质存储指令，该指令在由处理器执行时使处理器发起在玻璃类材料的表面之上形成变压器，以及发起在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路可包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。变压器可耦合到副本电路。变压器和副本电路可布置在玻璃类材料之上以促成(例如，基本达成)副本电路与天线之间的阻抗匹配。例如，半导体制造工厂的装备可发起图19的方法1900，如结合制造过程2128并使用GDSII文件2126。
管芯2136可被提供给封装过程2138，其中管芯2136被纳入到代表性封装2140中。例如，封装2140可包括单个管芯2136或多个管芯，诸如系统级封装(SiP)安排。封装2140可被配置成遵循一个或多个标准或规范，诸如电子器件工程联合委员会(JEDEC)标准。
关于封装2140的信息可诸如经由存储在计算机2146处的组件库被分发给各产品设计者。计算机2146可包括耦合至存储器2150的处理器2148，诸如一个或多个处理核。印刷电路板(PCB)工具可作为处理器可执行指令被存储在存储器2150处以处理经由用户接口2144从计算机2146的用户接收的PCB设计信息2142。PCB设计信息2142可包括电路板上的经封装半导体器件的物理定位信息，该经封装半导体器件与包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)的封装2140相对应。
计算机2146可被配置成变换PCB设计信息2142以生成数据文件，如具有包括电路板上的经封装半导体器件的物理定位信息以及电连接(诸如迹线和通孔)的布局的数据的GERBER文件2152，其中该经封装半导体器件与包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)的封装2140相对应。在其他实施例中，由经转换的PCB设计信息生成的数据文件可具有GERBER格式以外的格式。
GERBER文件2152可在板组装过程2154处被接收并且被用于创建根据GERBER文件2152内存储的设计信息来制造的PCB，诸如代表性PCB 2156。例如，GERBER文件2152可被上传到一个或多个机器以执行PCB生产过程的各个步骤。PCB 2156可填充有电子组件(包括封装2140)以形成代表性印刷电路组装件(PCA)2158。
PCA 2158可在产品制造商2160处被接收，并被集成到一个或多个电子设备中，诸如第一代表性电子设备2162和第二代表性电子设备2164。作为解说性非限制性示例，第一代表性电子设备2162、第二代表性电子设备2164、或这两者可以从以下组中选择：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机，在其中集成了布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)。作为另一解说性的非限定性示例，电子设备2162和2164中的一者或多者可以是远程单元(诸如移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元)、便携式数据单元(诸如个人数据助理、启用全球定位系统(GPS)的设备、导航设备)、位置固定的数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或者其任何组合。尽管图21解说了根据本公开的教导的远程单元，但本公开并不限于这些解说的单元。本公开的实施例可合适地用在包括具有存储器和片上电路系统的有源集成电路系统的任何设备中。
一种包括布置在介电基板之上的变压器和副本电路(例如，对应于图1的变压器102、副本电路101和介电基板103，对应于图2的变压器202、副本电路201和介电基板203，对应于图3的变压器302、副本电路301和介电基板303，或对应于它们的组合)的器件可被制造、处理、且纳入到电子设备中，如在解说性制造过程2100中描述的。关于图1-20公开的各实施例的一个或多个方面可被包括在各个处理阶段，诸如被包括在库文件2112、GDSII文件2126、以及GERBER文件2152内，以及被存储在研究计算机2106的存储器2110、设计计算机2114的存储器2118、计算机2146的存储器2150、在各个阶段(诸如在板组装工艺2154处)使用的一个或多个其他计算机或处理器的存储器(未示出)处，并且还被纳入到一个或多个其他物理实施例中，诸如掩模2132、管芯2136、封装2140、PCA 2158、其他产品(诸如原型电路或设备(未示出))中、或者其任何组合。尽管参照图1-20描绘了各种代表性阶段，但在其他实施例中，可使用较少阶段或者可包括附加阶段。类似地，图21的过程2100可由单个实体或由执行制造过程2100的各个阶段的一个或多个实体来执行。
技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑框、配置、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、由处理器执行的计算机软件、或这两者的组合。各种解说性组件、框、配置、模块、电路、和步骤已经在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此类功能性是被实现为硬件还是处理器可执行指令取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的范围。
结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在存储器中，诸如随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM)、电可擦式可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、压缩盘只读存储器(CD-ROM)。存储器可以是本领域已知的任何形式的非瞬态存储介质。示例性存储介质(例如，存储器)耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读取和写入信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻留在计算设备或用户终端中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在计算设备或用户终端中。
提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域技术人员皆能制作或使用所公开的实施例。对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且本文中定义的原理可被应用于其他实施例而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并非旨在被限定于本文中示出的实施例，而是应被授予与如由所附权利要求定义的原理和新颖性特征一致的最广的可能范围。

Claims (34)

1.一种电子器件，包括：
布置在由玻璃类材料形成的单个介电基板之上的副本电路，其中所述副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及
布置在所述单个介电基板之上并且耦合到所述副本电路的变压器，其中所述变压器被配置成促成所述副本电路与所述单个介电基板上的天线之间的阻抗匹配，所述变压器包括纵向耦合混合变压器(VHT)，并且该纵向耦合混合变压器(VHT)包括：
布置在所述单个介电基板的上表面之上的第一电感器结构；
布置在所述单个介电基板的所述上表面之上且布置在所述第一电感器结构之上的第二电感器结构；以及
介电层，其中所述介电层布置在所述第一电感器结构和所述第二电感器结构之间。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电感器结构包括形成在所述单个介电基板的所述上表面之上的第一对电感器，并且其中所述第二电感器结构包括形成在所述单个介电基板的所述上表面之上的第二对电感器。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一对电感器被形成于布置在所述单个介电基板之上的第一金属M1层和第三金属M3层中，并且其中所述第二对电感器被形成于布置在所述单个介电基板之上的第四金属M4层和第五金属(M5)层中。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一对电感器被形成于布置在所述单个介电基板之上的第一金属M1层和第四金属M4层中，并且其中所述第二对电感器被形成于布置在所述单个介电基板之上的第三金属M3层和第五金属M5层中。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电感器结构和所述第二电感器结构被形成为多个纵向耦合电感器。
6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，所述多个纵向耦合电感器包括多组各两个纵向耦合电感器。
7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电感器结构和所述第二电感器结构是以并行配置来形成的。
8.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述纵向耦合混合变压器
包括被布置在所述第一电感器结构与所述第二电感器之间的气隙。
9.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述TFT包括漏极区、源极区、栅极区、沟道区、以及栅极绝缘层。
10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述TFT由非晶硅、多晶硅、连续颗粒硅、氧化铟镓锌(IGZO)、二硫化钼(MoS2)、石墨烯、或它们的组合形成。
11.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电感器结构和所述第二电感器结构是以交织配置来形成的。
12.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述变压器和所述副本电路被并排布置。
13.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述变压器被布置在所述副本电路之上。
14.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述副本电路被布置在所述变压器之上。
15.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述介电基板由碱土金属硼-铝硅酸盐玻璃形成。
16.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件集成在至少一个半导体管芯中。
17.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述副本电路和所述变压器被集成到以下各项中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、或计算机。
18.一种电子器件，包括：
布置在由玻璃类材料形成的单个介电基板之上的用于阻抗匹配的装置，其中所述用于阻抗匹配的装置包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及
布置在所述单个介电基板之上且耦合到所述用于阻抗匹配的装置的用于转移能量的装置，其中所述用于转移能量的装置被配置成促成所述用于阻抗匹配的装置与所述单个介电基板上的天线之间的阻抗匹配，所述用于转移能量的装置包括：
布置在所述单个介电基板的上表面之上的用于存储能量的第一电感器装置；
布置在所述单个介电基板的所述上表面之上且布置在所述用于存储能量的第一电感器装置之上的用于存储能量的第二电感器装置；以及
介电层，其中所述介电层布置在所述用于存储能量的第一电感器装置和所述用于存储能量的第二电感器装置之间。
19.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于存储能量的第一电感器装置和所述用于存储能量的第二电感器装置被形成为多个纵向耦合电感器。
20.如权利要求19所述的器件，其特征在于，所述多个纵向耦合电感器包括多组各两个纵向耦合电感器。
21.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于存储能量的第一电感器装置和所述用于存储能量的第二电感器装置是以并行配置来形成的。
22.如权利要求21所述的器件，其特征在于，所述用于转移能量的装置
包括被布置在所述用于存储能量的第一电感器装置与所述用于存储能量的第二电感器装置之间的气隙。
23.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述TFT包括漏极区、源极区、栅极区、沟道区、以及栅极绝缘层。
24.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于存储能量的第一电感器装置和所述用于存储能量的第二电感器装置是以交织配置来形成的。
25.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于转移能量的装置和所述用于阻抗匹配的装置被并排布置。
26.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于转移能量的装置被布置在所述用于阻抗匹配的装置之上。
27.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于阻抗匹配的装置被布置在所述用于转移能量的装置之上。
28.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述器件集成在至少一个半导体管芯中。
29.如权利要求18所述的器件，其特征在于，所述用于阻抗匹配的装置和所述用于转移能量的装置被集成到以下各项中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、或计算机。
30.一种存储指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令当由处理器执行时使所述处理器：
发起在由玻璃类材料形成的单个介电基板的上表面之上形成副本电路，其中所述副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及
发起在所述单个介电基板的所述上表面之上形成纵向耦合混合变压器(VHT)，其中所述纵向耦合混合变压器(VHT)被耦合到所述副本电路，并且其中所述纵向耦合混合变压器(VHT)被配置成促成所述副本电路与所述单个介电基板上的天线之间的阻抗匹配，所述指令进一步使得所述处理器：
发起形成布置在所述单个介电基板的上表面之上的所述纵向耦合混合变压器(VHT)的第一电感器结构；
发起形成布置在所述单个介电基板的所述上表面之上且布置在所述第一电感器结构之上的所述纵向耦合混合变压器(VHT)的第二电感器结构；以及
发起形成介电层，其中所述介电层布置在所述第一电感器结构和所述第二电感器结构之间。
31.如权利要求30所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述副本电路和所述纵向耦合混合变压器(VHT)被集成到以下各项中的至少一者中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、或计算机。
32.一种用于电子设备的方法，包括：
接收数据文件，所述数据文件包括对应于半导体器件的设计信息；以及
根据所述设计信息来制造所述半导体器件，其中所述半导体器件包括：
布置在单个介电基板之上的副本电路，其中所述副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及
布置在所述单个介电基板之上且耦合到所述副本电路的纵向耦合混合变压器(VHT)，其中所述纵向耦合混合变压器(VHT)被配置成促成所述副本电路与所述单个介电基板上的天线之间的阻抗匹配，其中所述纵向耦合混合变压器(VHT)包括：
布置在所述单个介电基板的上表面之上的第一电感器结构；
布置在所述单个介电基板的所述上表面之上且布置在所述第一电感器结构之上的第二电感器结构；以及
介电层，其中所述介电层布置在所述第一电感器结构和所述第二电感器结构之间。
33.如权利要求32所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GERBER格式。
34.如权利要求32所述的方法，其特征在于，所述数据文件具有GDSII格式。
CN201480014428.XA 2013-03-14 2014-03-07 在介电基板上集成副本电路和变压器 Expired - Fee Related CN105051897B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/829,784 2013-03-14
US13/829,784 US9634645B2 (en) 2013-03-14 2013-03-14 Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
PCT/US2014/021904 WO2014150025A1 (en) 2013-03-14 2014-03-07 Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105051897A CN105051897A (zh) 2015-11-11
CN105051897B true CN105051897B (zh) 2018-10-02

Family

ID=50439488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480014428.XA Expired - Fee Related CN105051897B (zh) 2013-03-14 2014-03-07 在介电基板上集成副本电路和变压器

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9634645B2 (zh)
EP (1) EP2973695A1 (zh)
JP (1) JP6203934B2 (zh)
KR (1) KR101813972B1 (zh)
CN (1) CN105051897B (zh)
WO (1) WO2014150025A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
CN104733392B (zh) * 2015-04-17 2018-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法
US11024454B2 (en) 2015-10-16 2021-06-01 Qualcomm Incorporated High performance inductors
CN108766899A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 上海华力集成电路制造有限公司 集成电路的制造方法及其结构
CN110082976B (zh) * 2019-05-14 2022-08-02 上海天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN111172480A (zh) * 2020-01-20 2020-05-19 潘本建 一种金属制品及其制备方法
US11430797B2 (en) * 2020-06-30 2022-08-30 Qualcomm Incorporated Package embedded programmable resistor for voltage droop mitigation
WO2023090293A1 (ja) * 2021-11-17 2023-05-25 株式会社村田製作所 電子素子、および回路装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101241916A (zh) * 2001-03-19 2008-08-13 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US7935607B2 (en) * 2007-04-09 2011-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated passive device with a high resistivity substrate and method for forming the same

Family Cites Families (185)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798059A (en) 1970-04-20 1974-03-19 Rca Corp Thick film inductor with ferromagnetic core
US4815128A (en) 1986-07-03 1989-03-21 Motorola, Inc. Gateway system and method for interconnecting telephone calls with a digital voice protected radio network
US4841253A (en) 1987-04-15 1989-06-20 Harris Corporation Multiple spiral inductors for DC biasing of an amplifier
US4816784A (en) 1988-01-19 1989-03-28 Northern Telecom Limited Balanced planar transformers
US5111169A (en) 1989-03-23 1992-05-05 Takeshi Ikeda Lc noise filter
US5015972A (en) 1989-08-17 1991-05-14 Motorola, Inc. Broadband RF transformer
JPH0377360A (ja) 1989-08-18 1991-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5038104A (en) 1990-02-05 1991-08-06 Vanderbilt University Magnetometer flux pick-up coil with non-uniform interturn spacing optimized for spatial resolution
FR2662869B1 (fr) 1990-06-01 1995-06-16 Europ Agence Spatiale Procede de limitation d'une surcharge base sur la technique de controle pwm (ou lc3) et dispositif electronique de mise en óoeuvre de ce procede.
JPH0484501A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
WO1994018697A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
JP3319879B2 (ja) * 1994-07-19 2002-09-03 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH08148354A (ja) 1994-11-18 1996-06-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コモンモードチョークコイル
TW362222B (en) 1995-11-27 1999-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Coiled component and its production method
JPH1050522A (ja) 1996-07-31 1998-02-20 Matsushita Electric Works Ltd 平面コイル
JPH10144552A (ja) 1996-11-07 1998-05-29 Sony Corp 薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜インダクタ
US5831331A (en) 1996-11-22 1998-11-03 Philips Electronics North America Corporation Self-shielding inductor for multi-layer semiconductor integrated circuits
JP4030028B2 (ja) 1996-12-26 2008-01-09 シチズン電子株式会社 Ｓｍｄ型回路装置及びその製造方法
US5969582A (en) 1997-07-03 1999-10-19 Ericsson Inc. Impedance matching circuit for power amplifier
EP0915513A1 (en) 1997-10-23 1999-05-12 STMicroelectronics S.r.l. High quality factor, integrated inductor and production method thereof
US6025261A (en) 1998-04-29 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method for making high-Q inductive elements
US5986617A (en) 1998-08-31 1999-11-16 Lucent Technologies Multiband antenna matching unit
JP2000114046A (ja) 1998-10-05 2000-04-21 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランス
US6985035B1 (en) 1998-11-12 2006-01-10 Broadcom Corporation System and method for linearizing a CMOS differential pair
JP3571247B2 (ja) 1999-03-31 2004-09-29 太陽誘電株式会社 積層電子部品
JP3776281B2 (ja) 1999-04-13 2006-05-17 アルプス電気株式会社 インダクティブ素子
US6466768B1 (en) 1999-06-11 2002-10-15 Conexant Systems, Inc. Multi-band filter system for wireless communication receiver
JP2001085230A (ja) 1999-09-14 2001-03-30 Murata Mfg Co Ltd インダクタ
US6501363B1 (en) 1999-11-03 2002-12-31 Innosys, Inc. Vertical transformer
US6429763B1 (en) 2000-02-01 2002-08-06 Compaq Information Technologies Group, L.P. Apparatus and method for PCB winding planar magnetic devices
US7370403B1 (en) 2000-06-06 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating a planar spiral inductor structure having an enhanced Q value
US7606547B1 (en) 2000-07-31 2009-10-20 Marvell International Ltd. Active resistance summer for a transformer hybrid
JP4051878B2 (ja) 2000-11-08 2008-02-27 株式会社豊田自動織機 非接触給電装置
SE519893C2 (sv) 2000-11-09 2003-04-22 Ericsson Telefon Ab L M Induktorstruktur hos integrerad krets samt icke-förstörande mätning av etsningsdjup
US6437965B1 (en) 2000-11-28 2002-08-20 Harris Corporation Electronic device including multiple capacitance value MEMS capacitor and associated methods
SE0004794L (sv) 2000-12-22 2002-06-23 Ericsson Telefon Ab L M En flerskikts-symmetreringstransformatorstruktur
KR100368930B1 (ko) 2001-03-29 2003-01-24 한국과학기술원 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법
KR100382765B1 (ko) 2001-06-15 2003-05-09 삼성전자주식회사 송수신용 수동소자와 그 집적모듈 및 그 제조방법
US6801114B2 (en) 2002-01-23 2004-10-05 Broadcom Corp. Integrated radio having on-chip transformer balun
US20030151485A1 (en) 2002-02-08 2003-08-14 Charles Lewis Surface mounted inductance element
US6816784B1 (en) 2002-03-08 2004-11-09 Navteq North America, Llc Method and system using delivery trucks to collect address location data
JP2003318417A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Citizen Watch Co Ltd Ｍｏｓ型可変容量および半導体集積回路
US6714112B2 (en) 2002-05-10 2004-03-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Limited Silicon-based inductor with varying metal-to-metal conductor spacing
US6847280B2 (en) 2002-06-04 2005-01-25 Bi Technologies Corporation Shielded inductors
JP3754406B2 (ja) 2002-09-13 2006-03-15 富士通株式会社 可変インダクタおよびそのインダクタンス調整方法
TWI287239B (en) 2002-12-10 2007-09-21 Univ Nat Central Symmetric three-dimension type inductor
KR20050093808A (ko) 2002-12-27 2005-09-23 티디케이가부시기가이샤 수지조성물, 수지경화물, 시트형상 수지경화물, 적층체,프리프레그, 전자부품 및 다층기판
JP3800540B2 (ja) 2003-01-31 2006-07-26 Ｔｄｋ株式会社 インダクタンス素子の製造方法と積層電子部品と積層電子部品モジュ−ルとこれらの製造方法
US6952153B2 (en) 2003-02-04 2005-10-04 Raytheon Company Electrical transformer
WO2004070746A1 (ja) 2003-02-04 2004-08-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha スパイラルインダクタおよびトランス
JP4448298B2 (ja) 2003-07-14 2010-04-07 アルプス電気株式会社 スパイラルインダクタ
US6990729B2 (en) 2003-09-05 2006-01-31 Harris Corporation Method for forming an inductor
JP2005124126A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Seiko Epson Corp インピーダンス回路網、これを用いたフィルタ回路、増幅回路、半導体集積回路、電子機器及び無線通信装置
US20050104158A1 (en) 2003-11-19 2005-05-19 Scintera Networks, Inc. Compact, high q inductor for integrated circuit
JP2005223261A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Mitsubishi Materials Corp 積層型コモンモードチョークコイル及びその製造方法
EP1729413B1 (en) 2004-03-16 2015-12-09 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit and high-frequency component
WO2005093900A1 (en) 2004-03-26 2005-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4012526B2 (ja) 2004-07-01 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 薄膜コイルおよびその製造方法、ならびにコイル構造体およびその製造方法
JP5303096B2 (ja) * 2004-07-14 2013-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
KR100548388B1 (ko) 2004-07-20 2006-02-02 삼성전자주식회사 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법
US7808356B2 (en) 2004-08-31 2010-10-05 Theta Microelectronics, Inc. Integrated high frequency BALUN and inductors
EP1696368B1 (en) * 2005-02-28 2011-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7526256B2 (en) 2005-05-25 2009-04-28 Broadcom Corporation Transformer-based multi-band RF front-end architecture
EP2937896B1 (en) * 2005-06-02 2022-05-04 The Board of Trustees of the University of Illinois Method of transfering a printable semiconductor element
TWI280593B (en) 2005-06-16 2007-05-01 Via Tech Inc Inductor
TW200711545A (en) 2005-06-30 2007-03-16 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing a MEMS element
JP4764668B2 (ja) 2005-07-05 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 電子基板の製造方法および電子基板
EP1911167B1 (en) * 2005-07-21 2011-09-14 Telegent Systems, Inc. Boosted-bias tunable filter with run-time calibration
US7280810B2 (en) 2005-08-03 2007-10-09 Kamilo Feher Multimode communication system
KR20080031153A (ko) 2005-08-04 2008-04-08 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 인터리브된 3차원 온칩 차동 인덕터 및 트랜스포머
US7570129B2 (en) 2005-09-02 2009-08-04 Northrop Grumman Corporation 3D MMIC balun and methods of making the same
JP2007150022A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Seiko Epson Corp 電子基板、その製造方法および電子機器
KR100760915B1 (ko) 2005-12-29 2007-09-21 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 인덕터 구조 및 그 제조 방법
US7411283B2 (en) 2006-02-14 2008-08-12 Sun Microsystems, Inc. Interconnect design for reducing radiated emissions
JP4431121B2 (ja) 2006-03-31 2010-03-10 株式会社モステック 線材の製造方法、及び線材の製造装置
US20070249078A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
JP2008042609A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 分波器および無線受信機
TWI315580B (en) 2006-09-11 2009-10-01 Via Tech Inc Symmetrical inductor
US20080076354A1 (en) 2006-09-26 2008-03-27 Broadcom Corporation, A California Corporation Cable modem with programmable antenna and methods for use therewith
US7524731B2 (en) 2006-09-29 2009-04-28 Freescale Semiconductor, Inc. Process of forming an electronic device including an inductor
US7616934B2 (en) 2006-12-11 2009-11-10 Sige Semiconductor (Europe) Limited Switched impedance transformer for semiconductor circuits
KR100869741B1 (ko) 2006-12-29 2008-11-21 동부일렉트로닉스 주식회사 나선형 인덕터
US7675365B2 (en) 2007-01-10 2010-03-09 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers
TWI336922B (en) 2007-01-12 2011-02-01 Via Tech Inc Spiral inductor with multi-trace structure
US7304558B1 (en) 2007-01-18 2007-12-04 Harris Corporation Toroidal inductor design for improved Q
US20080174397A1 (en) 2007-01-19 2008-07-24 General Electric Company High quality factor, low volume, air-core inductor
JP2008182340A (ja) 2007-01-23 2008-08-07 Ngk Spark Plug Co Ltd ダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサ
KR100886351B1 (ko) 2007-01-24 2009-03-03 삼성전자주식회사 변압기 및 밸룬
US7894205B2 (en) 2007-04-05 2011-02-22 Mitsubishi Electric Corporation Variable device circuit and method for manufacturing the same
US8224400B2 (en) 2007-05-31 2012-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and techniques for reducing power consumption in a mobile computing device
KR100862489B1 (ko) 2007-06-11 2008-10-08 삼성전기주식회사 스파이럴 인덕터
US7566627B2 (en) 2007-06-29 2009-07-28 Texas Instruments Incorporated Air gap in integrated circuit inductor fabrication
JP2009038297A (ja) 2007-08-03 2009-02-19 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体装置
JP4953132B2 (ja) 2007-09-13 2012-06-13 日本電気株式会社 半導体装置
JP2009088161A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Fujitsu Media Device Kk 電子部品
TW200926218A (en) 2007-12-10 2009-06-16 Ind Tech Res Inst Planar-like inductor coupling structure
CN201156721Y (zh) 2008-02-19 2008-11-26 佳邦科技股份有限公司 具有中空气隙过电压保护机构的叠层芯片型lc滤波器
CN101960573A (zh) 2008-03-04 2011-01-26 HVVi半导体股份有限公司 硅锗碳半导体结构
US8072287B2 (en) 2008-03-27 2011-12-06 Broadcom Corporation Method and system for configurable differential or single-ended signaling in an integrated circuit
JP2009246159A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 多出力磁気誘導素子およびそれを備えた多出力超小型電力変換装置
JP2009272360A (ja) 2008-05-01 2009-11-19 Panasonic Corp インダクタおよびその製造方法
US8169050B2 (en) 2008-06-26 2012-05-01 International Business Machines Corporation BEOL wiring structures that include an on-chip inductor and an on-chip capacitor, and design structures for a radiofrequency integrated circuit
TW201001457A (en) 2008-06-30 2010-01-01 Delta Electronics Inc Magnetic component
CN102099876A (zh) 2008-07-15 2011-06-15 株式会社村田制作所 电子元器件
US9108880B2 (en) 2008-08-18 2015-08-18 The Regents Of The University Of California Nanostructured superhydrophobic, superoleophobic and/or superomniphobic coatings, methods for fabrication, and applications thereof
TWI360254B (en) 2008-09-10 2012-03-11 Advanced Semiconductor Eng Balun circuit manufactured by integrate passive de
US8049589B2 (en) 2008-09-10 2011-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Balun circuit manufactured by integrate passive device process
JP2010098199A (ja) 2008-10-18 2010-04-30 Taiyo Yuden Co Ltd インダクタンス素子及びその製造方法
US8183673B2 (en) 2008-10-21 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Through-silicon via structures providing reduced solder spreading and methods of fabricating the same
US8446243B2 (en) 2008-10-31 2013-05-21 Infineon Technologies Austria Ag Method of constructing inductors and transformers
EP2348572A4 (en) * 2008-11-14 2013-04-17 Fujikura Ltd DEVICE MULTIPLE RESIN LAYERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US8233870B2 (en) 2008-12-04 2012-07-31 Broadcom Corporation Multiple frequency band multiple standard transceiver
JP2010141246A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US7821372B2 (en) 2008-12-31 2010-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. On-chip transformer BALUN structures
US9721715B2 (en) 2009-01-22 2017-08-01 2Sentient Inc. Solid state components having an air core
US9190201B2 (en) 2009-03-04 2015-11-17 Qualcomm Incorporated Magnetic film enhanced inductor
JP5252212B2 (ja) 2009-03-12 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 信号増幅用半導体装置
US8208867B2 (en) 2009-04-09 2012-06-26 Apple Inc. Shared multiband antennas and antenna diversity circuitry for electronic devices
US8229367B2 (en) 2009-04-14 2012-07-24 Qualcomm, Incorporated Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch
TWI411353B (zh) 2009-04-27 2013-10-01 Delta Electronics Inc 多組直流負載之電流平衡供電電路
KR101215303B1 (ko) 2009-07-21 2012-12-26 한국전자통신연구원 엘티씨씨 인덕터를 포함하는 전자 장치
JP2011029222A (ja) 2009-07-21 2011-02-10 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
US8350639B2 (en) * 2009-08-26 2013-01-08 Qualcomm Incorporated Transformer signal coupling for flip-chip integration
WO2011033496A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Maradin Technologies Ltd. Micro coil apparatus and manufacturing methods therefor
WO2011045312A1 (en) 2009-10-12 2011-04-21 St-Ericsson (France) Sas Integrated transformer with multiple transformation ratios
WO2011047000A1 (en) 2009-10-14 2011-04-21 Microsemi Corporation Rf switchable balun
CN102087995A (zh) 2009-12-04 2011-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 集成电路电感及其制作方法
CN102231313B (zh) 2009-12-08 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 利用金属并联的多层堆叠电感
CN102087911A (zh) 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感
CN102103923A (zh) 2009-12-18 2011-06-22 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面变压器
KR101597214B1 (ko) * 2010-01-14 2016-02-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US20110217657A1 (en) 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
US8068003B2 (en) 2010-03-10 2011-11-29 Altera Corporation Integrated circuits with series-connected inductors
US20110229687A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Qualcomm Incorporated Through Glass Via Manufacturing Process
US20110234469A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Sony Ericsson Mobile Communications Japan, Inc. Wireless communication terminal
US8631368B2 (en) 2010-03-30 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Method and circuit to generate race condition test data at multiple supply voltages
US8384507B2 (en) 2010-06-01 2013-02-26 Qualcomm Incorporated Through via inductor or transformer in a high-resistance substrate with programmability
US9219596B2 (en) 2010-06-03 2015-12-22 Broadcom Corporation Front end module with active tuning of a balancing network
US8493126B2 (en) 2010-07-15 2013-07-23 Qualcomm Incorporated Wideband balun having a single primary and multiple secondaries
US8591262B2 (en) 2010-09-03 2013-11-26 Pulse Electronics, Inc. Substrate inductive devices and methods
JP2012058274A (ja) * 2010-09-03 2012-03-22 Hitachi Displays Ltd 表示装置
WO2012040063A1 (en) 2010-09-23 2012-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated passives and power amplifier
CN102569249B (zh) 2010-12-08 2014-01-22 财团法人工业技术研究院 立体式电感
US8552812B2 (en) 2010-12-09 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transformer with bypass capacitor
WO2012077305A1 (ja) 2010-12-10 2012-06-14 パナソニック株式会社 導電路、それを用いた半導体装置及びそれらの製造方法
KR101127478B1 (ko) 2010-12-21 2012-03-22 한국과학기술원 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로
WO2012093133A1 (en) 2011-01-04 2012-07-12 ÅAC Microtec AB Coil assembly comprising planar coil
US8754736B2 (en) 2011-01-24 2014-06-17 International Business Machines Corporation Inductor structure having increased inductance density and quality factor
US9105381B2 (en) 2011-01-24 2015-08-11 International Business Machines Corporation High frequency inductor structure having increased inductance density and quality factor
JP5707988B2 (ja) 2011-02-04 2015-04-30 株式会社村田製作所 コイル内蔵基板およびそれを備えたｄｃ−ｄｃコンバータモジュール
US20120235969A1 (en) 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Thin film through-glass via and methods for forming same
US20120244802A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Lei Feng On chip inductor
TWI454052B (zh) 2011-04-01 2014-09-21 Realtek Semiconductor Corp 單端轉雙端電路
US20120249281A1 (en) 2011-04-04 2012-10-04 General Electric Company Inductor and eddy current sensor including an inductor
US9319036B2 (en) * 2011-05-20 2016-04-19 Apple Inc. Gate signal adjustment circuit
US8354325B1 (en) 2011-06-29 2013-01-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a toroidal inductor in a semiconductor substrate
US20130016633A1 (en) 2011-07-14 2013-01-17 Lum Nicholas W Wireless Circuitry for Simultaneously Receiving Radio-frequency Transmissions in Different Frequency Bands
US8737376B2 (en) 2011-08-12 2014-05-27 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Frontend module for time division duplex (TDD) carrier aggregation
US20130050226A1 (en) 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Die-cut through-glass via and methods for forming same
JP5719259B2 (ja) 2011-09-06 2015-05-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅装置
US20130057557A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High area stacked layered metallic structures and related methods
US8995934B2 (en) 2011-12-14 2015-03-31 Apple Inc. Wireless communications circuitry with a triplexer for separating radio-frequency signals in adjacent frequency bands
KR101325549B1 (ko) 2011-12-22 2013-11-07 (주)그린파워 전류변압기 기반의 전자기장 차폐장치를 구비한 무선 전력전송 장치
CN102522181B (zh) 2012-01-04 2013-08-14 西安电子科技大学 线宽间距交变结构型平面螺旋电感
US9166640B2 (en) 2012-02-10 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Adjustable impedance matching network
US20130207745A1 (en) 2012-02-13 2013-08-15 Qualcomm Incorporated 3d rf l-c filters using through glass vias
US8716871B2 (en) 2012-02-15 2014-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Big via structure
KR101789836B1 (ko) 2012-02-27 2017-10-25 한국전자통신연구원 누설 에너지 수집 장치
GB2513725B (en) 2012-02-29 2016-01-13 Murata Manufacturing Co Multilayer inductor and power supply circuit module
JP5942530B2 (ja) 2012-03-28 2016-06-29 カシオ計算機株式会社 非接触充電システム及び電子機器
US9001031B2 (en) 2012-07-30 2015-04-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Complex passive design with special via implementation
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
KR20140068391A (ko) 2012-11-28 2014-06-09 엘지전자 주식회사 자기장의 자유도를 향상하기 위한 코일의 구조
US9203373B2 (en) 2013-01-11 2015-12-01 Qualcomm Incorporated Diplexer design using through glass via technology
US9172441B2 (en) 2013-02-08 2015-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Front end circuitry for carrier aggregation configurations
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
GB2512586B (en) 2013-04-02 2015-08-12 Broadcom Corp Switch arrangement
US20140327510A1 (en) 2013-05-06 2014-11-06 Qualcomm Incorporated Electronic device having asymmetrical through glass vias
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US20150092314A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Qualcomm Incorporated Connector placement for a substrate integrated with a toroidal inductor
US20150130579A1 (en) 2013-11-12 2015-05-14 Qualcomm Incorporated Multi spiral inductor
US20150194944A1 (en) 2014-01-09 2015-07-09 Qualcomm Incorporated Wideband matching network
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
CN203942319U (zh) 2014-07-15 2014-11-12 张立武 一种无线充电器及其工作状态指示灯

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101241916A (zh) * 2001-03-19 2008-08-13 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US7935607B2 (en) * 2007-04-09 2011-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated passive device with a high resistivity substrate and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2973695A1 (en) 2016-01-20
KR101813972B1 (ko) 2018-01-02
CN105051897A (zh) 2015-11-11
JP6203934B2 (ja) 2017-09-27
US9634645B2 (en) 2017-04-25
US20140266494A1 (en) 2014-09-18
US10116285B2 (en) 2018-10-30
WO2014150025A1 (en) 2014-09-25
US20170134007A1 (en) 2017-05-11
KR20150131205A (ko) 2015-11-24
JP2016518700A (ja) 2016-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105051897B (zh) 在介电基板上集成副本电路和变压器
CN105027236B (zh) 具有气隙结构的垂直耦合变压器
CN105493208B (zh) 具有变化厚度的电感器
CN106104807B (zh) 其中限定有间隙的半导体器件
CN105009280B (zh) 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器
KR101675923B1 (ko) 강화된 캐패시턴스를 가진 금속-산화물-금속(mom)
US20150130579A1 (en) Multi spiral inductor
US10069474B2 (en) Encapsulation of acoustic resonator devices
US9293245B2 (en) Integration of a coil and a discontinuous magnetic core
US20150035162A1 (en) Inductive device that includes conductive via and metal layer
CN106716626B (zh) 用于减小电子设备中的应力的器件和方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181002

Termination date: 20210307

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee