CN103842862A - 线栅偏振片以及投影型影像显示设备 - Google Patents

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Abstract

线栅偏振片（10）具有基材（11）和导电体（12），基材（11）的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构，导电体（12）被设置为偏设于凹凸结构的凸部（11a）的一个侧面（11b）。又，在相对于凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，线栅偏振片（10）的相邻的两个凸部（11a）的间隔即间距P1为120nm以下，且从凸部（11a）的最高部（11c）到凹部（11d）的最低部（11e）的高度之差即凸部高度（H）为间距P1的0.8倍至1.3倍。通过将线栅偏振片（10）用于液晶显示装置，可以提供高画质的液晶显示装置。

Description

线栅偏振片以及投影型影像显示设备
技术领域
本发明涉及一种线栅偏振片以及投影型影像显示设备。
背景技术
近年来，反射型偏振件使用于液晶显示装置的机会在增加。反射型偏振件反射特定的直线偏振成分的光，透射与该特定的直线偏振成分正交的成分的光。作为反射型偏振件，例如有由双折射性树脂的层叠体构成的偏振件、多个导电体（金属细线）平行地在透明基板上延伸的线栅型偏振件。又，作为不反射或透射直线偏振成分的光，而反射或透射特定的圆偏振成分的光的偏振件，也有由胆甾相液晶构成的偏振件。在它们之中，线栅型偏振件作为具有高偏振透射率且能够得到所希望的直线偏振成分的光、并能够使与该所希望的直线偏振成分正交的直线偏振成分的光为低偏振透射率（高偏振反射率）的反射型偏振件而受到关注。另外，将相互正交的两个直线偏振成分的光的透射率之比称为透射光的消光比。
线栅型偏振件一般在金属细线的间距比射入的光的波长足够小的情况下，具有如下特性：使射入的光之中的、具有与金属细线的延伸方向正交的电场矢量的直线偏振成分的光透射，对具有金属细线的延伸方向的电场矢量的直线偏振成分的光进行反射。
作为制作线栅型偏振件的方法，已知有在基材表面制作导电体的薄膜，在薄膜上形成聚合物层之后，采用具有通过干涉曝光法或电子束描画法等制作的图案的模具在聚合物层上形成图案，采用聚合物层的图案通过对导电体的薄膜进行干法刻蚀的方法等制作金属细线的方法（专利文献1）。又，相对于凹凸形状基材，还已知有利用倾斜蒸镀法对基材凸部的侧面蒸镀导电体的方法（专利文献2）。前者需要有干涉曝光、电子束描画、干法蚀刻等所需要的、高价的制造装置，而且还具有低生产效率这样的问题。另一方面，后者的制造方法由于可以使得工序变得简易，所以能够实现高生产效率，又，由于在基材凸部的侧面蒸镀有导电体，所以能够增大导电体与基材凸部的接触面积，能够减少外力等导致的导电体的缺损。以下，将这样的线栅型偏振件称为线栅偏振片。
线栅偏振片是能够实现高偏振反射率的反射型偏振件，所以由光的重复利用带来的高亮度化成为可能，而且由于光的吸收而产生的热发生得较小，在这一点上适合于液晶显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006－084776号公报
专利文献2:日本特开2001－330728号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来，伴随着播放技术、图像技术的进步，液晶显示设备要求有更高的画质。因此，对于线栅偏振片也要求其对更高画质化的贡献。
本发明正是鉴于这一点而作出的，其目的在于，提供一种能够提供更高画质的液晶显示装置的线栅偏振片以及投影型影像显示设备。
用于解决问题的手段
本发明的线栅偏振片具有基材和导电体，所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面，所述线栅偏振片的特征在于，将所述线栅偏振片的垂直方向设为0度时，波长555nm的光的射入角度在-45度以及+45度的平行透射率（Tp）的差为4％以下。
本发明的线栅偏振片具有基材和导电体，所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面，所述线栅偏振片的特征在于，在与所述导电体或者凹凸结构的延伸方向垂直的剖面（以下，也称为剖面视图）中，相邻的两个凸部的间隔即间距P1为120nm以下，且从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍。
本发明的投影型影像显示设备包括上述的线栅偏振片、光源、以及反射型液晶显示元件，所述投影型影像显示设备的特征在于，从所述光源射出的光在所述线栅偏振片透射或者反射，并射入到所述反射型液晶显示元件，通过所述反射型液晶显示元件调制了的光在所述线栅偏振片反射或者透射以对影像进行投影。
发明效果
根据本发明，能够以更高画质提供液晶显示装置。
附图说明
图1是示出本实施方式所涉及的线栅偏振片的一例的剖面示意图。
图2是示出本实施方式所涉及的投影型影像显示设备的一例的概念图。
图3是本发明的实施例所涉及的线栅偏振片的剖面视图的SEM照片。
图4是示出本发明的实施例所涉及的线栅偏振片的平行透射率以及正交透射率的关系的图表。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
＜线栅偏振片的光学对称性与画质的关系＞
本发明的发明者为了解决上述问题进行了锐意的研究，其结果发现以下情况，以致完成本发明：线栅偏振片由于剖面视图中由导电体和基材凸部构成的结构的非对称性，其光学对称性显示出较强的非对称性，其根据目视的角度使影像状态产生变化，所以可能会对使用线栅偏振片的液晶显示装置的画质提高造成不良影响。即，本发明如以下所述。
本发明的线栅偏振片具有：在表面上具有沿特定方向延伸的凹凸结构的基材、和导电体，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一方侧面，该线栅偏振片的特征在于，在将线栅偏振片的垂直方向设为0度之时，波长555nm的光的射入角度在-45度以及+45度时的平行透射率（Tp）的差为4％以下。在具有超过4％的平行透射率的差异的情况下，观察者可以通过目视的角度识别影像状态，具体来说是明亮度的变化，因此不适合。
基于这样的结构，本发明的线栅偏振片可以适用于从各种方向被目视的液晶显示装置。
进一步地，以具有上述那样的特性的本发明的线栅偏振片的具体的结构来限定的话，例如，该线栅偏振片具有：在表面上具有沿特定方向延伸的凹凸结构的基材、和导电体，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一方侧面，在线栅偏振片中，在相对于所述凹凸结构的延伸方向垂直的方向的剖面视图中，相邻的两个凸部的间隔即间距P1为120nm以下，且从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍。
作为能够适用本发明的线栅偏振片的影像显示装置，能够例举有例如，液晶显示装置、作为投影型影像显示设备的透射型液晶投影仪、反射型液晶投影仪等。
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
＜线栅偏振片＞
图1是本发明的实施方式所涉及的线栅偏振片的剖面示意图。另外，在图1中，示出了相对于线栅偏振片10的基材11的凹凸结构的延伸方向（凸部和凹部分别延伸的图1的纸面进深方向）的垂直剖面的示意图。
如图1所示，本实施方式所涉及的线栅偏振片10具有：在表面具有沿特定方向延伸的凹凸结构的基材11、和导电体12，该导电体12被设置为偏设在基材11的表面的凸部11a的侧面11b的一方。基材11的凹凸结构是由多个凸部11a和多个凹部11ｄ反复交替而构成的。
线栅型偏振片10具有如下特性：在导电体12的间距比射入的光的波长足够小的情况下，使得射入的光中的、具有与导电体12的延伸方向正交的电场矢量的直线偏振成分的光透射，对具有导电体12的延伸方向的电场矢量的直线偏振成分的光进行反射。另外，将具有与导电体12的延伸方向的正交的电场矢量的直线偏振成分的光的透射率称为平行透射率，将具有导电体12的延伸方向的电场矢量的直线偏振成分的光的透射率称为正交透射率。为了提高被表现为平行透射率相对于正交透射率的比例的透射光的消光比，重要的是提高平行透射率并降低正交透射率。
接下来，对本实施方式所涉及的线栅偏振片10的凹凸结构的构成进行详细说明。另外，在以下的说明中，将基材11的表面的剖面视图中的相邻的两个凸部11a的间隔设为间距P1，将偏设于凸部11a的侧面11b的一方（以下，称为“一个侧面”）的导电体12的间隔设为间距P2。又，将从凸部11a的最高部11c到凹部11ｄ的最低部11e的高度之差设为凸部高度H，将凹凸结构的凸部11a的半高宽（半值全宽）设为W。
本实施方式所涉及的线栅偏振片10构成为，在剖面视图中，具有：在表面上具有沿特定方向延伸的凹凸结构的基材11、和被设为偏设于凹凸结构的凸部11a的一个侧面的导电体12，相邻的两个凸部11a的间隔即间距P1为120nm以下，且从凸部11a的最高部11c至凹部11a的最低部11e的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍。在将导电体12设置为偏设于凹凸结构的凸部11a的一个侧面11b的情况下，不将其偏设于同一凸部11a的另一个侧面，通过这样的设置，使得平行透射率的提高成为可能，因此较为优选。
本发明的线栅偏振片10的导电体12被设置为，在剖面视图中，偏设于相邻的两个凸部11a的成为非相对面的凸部11a的一个侧面11b，所以凸部11a的间距P1和导电体12的间距P2大致以相同的间隔排列。以纳米量级的微小的间距P2排列的导电体12其间距P2越小，则越能够在广泛的波长区域内呈现良好的偏振特性。在本实施方式所涉及的线栅偏振片10中，导电体12与空气（折射率为1.0）接触，通过将导电体12的间距P2设置成入射光（可见光）的1/4～1/3，能够呈现出充分实用的偏振特性。但是，考虑光学对称性的话，优选为将间距P1设为120nm以下，进一步地，设为100nm以下更为优选。另一方面，从导电体12的形状的观点来看，间距P1优选为80nm以上。通过这样设置，达成导电体12被设置为从凹凸结构的大致最低部向最高部延伸，进一步使导电体12存在于基材11的凸部11a的顶部的上方这些结构就变得容易了。
又，在剖面视图中，通过将凸部高度H设为间距P1的0.8倍至1.3倍，使得具有如下导电体12的线栅偏振片10的制作变得容易，因此较为优选，该导电体12向垂直方向（凸部方向）延伸，且具有赋予充分高的消光比的高度。采用倾斜蒸镀法形成导电体12的情况下，由于凸部11a的遮蔽效果，导电体12的生长方向为剖面视图中的倾斜方向，有时会与相邻的其他的导电体12连接。导电体12形成时的导电体12彼此的连接造成平行透射率的降低，尤其是，将间距P1设为120nm以下的话，相邻的两个凸部11a的窄间距化容易使得导电体12形成时的导电体12彼此连接，因此凸部11a的遮蔽效果的控制变得重要。
在此，通过将凸部高度H设为间距P1的1.3倍以下，可以使得采用倾斜蒸镀法得到的导电体12形成时的遮蔽效果适度，可以使得导电体12向垂直方向生长。由此，导电体12在剖面视图中为向垂直方向延伸的形状，因此可以防止相邻的导电体12的连接所导致的低透射率化。又，由于位于相邻的导电体12之间的凸部11a的面积变得足够小，所以剖面视图中的导电体12的形状为大致左右对称，光学对称性变高。又，伴随着将凸部高度H设为间距P1的1.3倍以下的、位于相邻的导电体12之间的凸部11a的面积的小尺寸化起到了有助于提高反射光的消光比这样的效果。
然而，在使得凸部高度H过小的情况下，相对于蒸镀量的导电体12的高度变高的比例降低。导电体12的高度会影响反射光的消光比，但为了高效率地制作导电体12的高度足够高的线栅偏振片10，优选为将凸部高度H设为间距P1的0.8倍以上。即，在剖面视图中，通过使凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍，可以制作光学对称性高、透射光的消光比高的线栅偏振片10。
又，在剖面视图中，将作为从凸部11a的最高部到凹部11ｄ的最低部的高度之差的凸部高度H的大致9／10H的位置设为第一高度位置（T1），将大致1／10H的位置设为第二高度位置（T2）时，将第一高度位置（T1）的凸部11a的宽度设为第二高度位置（T2）的凸部11a的宽度的0.5倍以上且1.0倍以下较为优选。另外，高度位置以凹部11ｄ的底部为基准。又，优选为将凹凸结构的凸部11a的半高宽的值设为间距P1的0.05倍至0.5倍。
通过将第一高度位置（T1）的凸部11a的宽度设为第二高度位置（T2）的凸部11a的宽度的0.5倍以上且1.0倍以下，将凸部11a的半高宽的值设为间距P1的0.05倍至0.5倍，凸部11a从底部到顶部大致向垂直方向延伸，且与间距P1相比较，变得十分细。由此，可以有效地降低剖面视图中位于相邻的导电体12之间的凸部的面积，因此能够得到具有高的光学对称性的线栅偏振片10。
又，导电体12优选为，从凹凸结构的大致最低部11e向最高部11c延伸，且至少其一部设置在凹凸结构的凸部11a的最高部11c的上方。由此，可以提高导电体12的高度，可以增大剖面视图中的导电体12的剖面积。即，伴随着剖面视图中的导电体12的剖面积的增大，位于相邻的导电体12之间的凸部11a的面积相对变小，不仅有助于光学对称性的提高，而且能够做成反射光的消光比高的线栅偏振片10。另外，由于可以增大凸部11a与导电体12的接触面积，所以起到了可以减小导电体12的脱离·剥离、即能够减少由于外力等导致的导电体12的缺损这样的效果。
又，在剖面视图中，凹凸结构的凸部11a的剖面形状优选为大致矩形形状。由此，可以减小位于相邻的导电体12之间的凸部11a的面积。
又，在剖面视图中，优选为将从凸部11a的最高部11c到导电体12的最高部的高度设为50nm以上。由此，可以提高线栅偏振片10的透射光的消光比。
又，优选为，在剖面视图中，将从第一高度位置（T1）到凸部11a的大致最高部11c之间的导电体12的水平方向的厚度设为20nm以上。由此，可以提高线栅偏振片10的透射光以及反射光的消光比。
又，优选为将凸部11a的大致9／10H的位置（第一高度位置（T1））的宽度设为15nm以上。为了实现作为反射型偏振件的合适的高平行透射率和高正交反射率，优选为使得导电体12的大致最高部11c的水平方向的厚度变厚。在通过具有优异的量产性的倾斜蒸镀法形成导电体12的情况下，位于凸部11a的最高部11c的上方的导电体12的剖面形状和凸部11a上部的剖面形状容易变为相似形状，优选为使得凸部11a上部的水平方向的厚度变厚。
（基材）
作为基材11可以使用例如玻璃等的无机材料或树脂材料。尤其采用树脂材料形成基材11时，其能够利用辊轧法（英文：roll process；日文：ロールプロセス），可以使线栅偏振片1具有柔韧性(弯曲性)，由于具有上述等优点，因此较为理想。作为可以用作基材11的树脂，例如有聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、环烯烃树脂(COP)、交联聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚苯醚树脂、改性聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚砜树脂、聚醚酮树脂等的非晶性热塑性树脂、或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、芳香族聚酯树脂、聚甲醛树脂、聚酰胺树脂等的结晶性热塑性树脂、或者丙烯酸系、环氧系、聚氨酯系等的紫外线(UV)固化型树脂或热固化型树脂。又，可以是UV固化型树脂或热固化型树脂与玻璃等的无机基板、上述的热塑性树脂、三醋酸酯树脂等组合构成基材11，或者是单独使用构成基材11。在基材11的表面也可以具有用来提高基材11和导电体12的密合性的薄膜。
基材11表面的凹凸结构，在剖面视图中，优选为矩形形状。矩形形状是指由凹部11d和凸部11a重复交替而成，其也可包括梯形形状、矩形形状、正方形形状。又，将剖面视图中的凹凸结构的轮廓视为函数的情况下的拐点前后也可以具有如抛物线那样曲率平缓变化的曲线部，也可以包含在凸部11a具有缩颈的形状。通过凹凸结构的形状，在基材11的表面上的凹凸形状的凸部11a的侧面11b以及凹部11d的底部上，利用倾斜蒸镀法可以容易地形成连续的导电体12。
另外，基材11只要在目标波长区域实质上透明即可。另外，在规定的方向上延伸是指，只要凹凸构造在规定的方向实质上延伸即可，并不需要凹凸构造的凹部11d和凸部11a各自严格地平行延伸。另外，凹凸构造的间距P1优选为120nm以下，且等间隔的情况较为理想。另外，等间隔是指，只要实质上等间隔即可，可以容许上至±10％左右的偏差。与凹凸结构的间距P1的偏差在一定范围内被容许同样地，剖面视图中的凸部高度H、凸部11a的宽度等也在一定范围（例如，上至±10％左右的偏差）内被容许。
表面具有凹凸结构的基材11的制造方法没有被特别地限定。例如，可以例举本申请人的申请日本专利第4147247号公报所记载的制造方法。根据日本专利第4147247号公报，利用具有采用干涉曝光法而制作的凹凸结构的金属压模，将凹凸结构热转印到热塑性树脂上，并在与赋予了凹凸结构的热塑性树脂的凹凸结构的延伸方向相平行的方向上实施自由端一轴延伸加工。其结果是，转印到热塑性树脂上的凹凸结构的间距被缩小，能够得到具有微细的凹凸结构的树脂版（延伸完成后）。可以利用电镀法等方法，由所述树脂版（延伸完成后）制作具有微细的凹凸结构的金属压模。利用该金属压模，在基材11表面上转印、形成微细的凹凸结构，由此能够得到具有凹凸结构的基材11。
另外，作为利用金属压模的基材11的制造方法，有使用硅系基板等的方法，所述硅系基板是通过半导体制造的光刻技术的应用制作了微细的凹凸结构的基板。将具有微细的凹凸结构的硅系基板作为铸模，制作表面上具有微细的凹凸结构的树脂版。能够采用电镀法等方法，由树脂版制作具有微细的凹凸结构的金属压模。
在此，存在有如下的情况：通过半导体制造的光刻技术的应用制作了微细的凹凸结构的硅系基板等在被照射可见光时观察到不均匀。作为所述硅系基板等表面的凹凸结构的制作手法之一，可以例举以使掩模的图案不空开间隙地邻接的方式依次转印（曝光）的方法，但以上面所述的手法制作的硅系基板等表面的不均（以下，也称为曝光不均）有时会在相邻的曝光区域的边界（接缝）周边被观察到，这种情况在凹凸结构在特定的一个方向上排列、且制作相邻的凸部11a的间隔为150nm以下的凹凸结构的情况下特别容易产生。为了消除该曝光不均，高精度地控制曝光位置是很重要的，例如，对硅系基板、或者该硅系基板的凹凸结构进行转印，但在具有凹凸结构的表面实施例如反应性离子蚀刻等的表面处理，由此可以减轻或消除曝光不均。
上述的金属压模只要能在基材11的表面转印、形成微细的凹凸结构，其外形并没有限制，可以作成平板状、圆筒状或者其他的形状。考虑到量产性的话，优选为圆筒状，由此，将圆筒状的金属压模作为版材设置于印版滚筒，连续地形成凹凸形状的辊轧法成为可能。
作为制作圆筒状的金属压模的方法，可以例举有例如将平板状的金属压模卷成圆筒状并将端部接合的手法。在此，在接合部的表面粗糙的情况下，通过辊轧法形成有凹凸形状的基材表面中的转印了接合部表面的部分会变成粗糙面，形成了所述凹凸形状的基材被卷成滚筒状，但会对粗糙面部分重叠的卷内侧以及卷外侧的基材进行局部地强力按压。另外，这里所说的接合部的表面粗糙是指具有波纹、凹凸以及／或者阶梯的形态，在目视的情况下，是指（由于表面粗糙）反射不均匀（不是镜面）的形态。
本发明所涉及的线栅偏振片的凹凸结构的间距P1为120nm以下，非常地微细，因此对粗糙面部分重叠的基材进行局部地强力按压的话，凹凸结构可能会发生变形而成为缺陷。为了防止这样的缺点，可以例举有卷筒的卷曲压力的调整、衬纸或间层材料的利用、基材的硬度调整等，尤其优选的是，对圆筒状的金属压模的接合部表面进行研磨。通过平滑接合部表面使其成为镜面，可以防止凹凸结构的变形，除此之外，由于提高凹凸结构形成时的基材与金属压模的密合性，所以可以减少缺陷的产生。
（导电体）
导电体12设于基材11的凹凸结构面。如上述那样，导电体12优选设置为，与凸部11a的一方侧面11b相接触，从凹凸结构的大致最低部11e向最高部11c延伸，又，优选为，导电体12的至少一部设置在凹凸结构的凸部11a的最高部11c的上方。
导电体12与在规定的方向上延伸的基材11的表面的凹凸结构的凸部11a大致平行地以规定的间距P2被形成为直线状，在该直线状的导电体12的周期比可见光的波长小的情况下，可以成为反射相对于导电体12在平行方向上振动的偏振成分、且透射在垂直方向上振动的偏振成分的偏振分光部件。作为导电体12可以使用铝、银、铜、白金、金，或者以这些金属为主成分的合金，且可以通过倾斜溅射法、倾斜蒸镀法形成。特别是，通过使用铝或者银形成导电体12能够减小可见光的吸收损失，因此较为理想。
＜导电体形成方法＞
<导电体形成方法>
考虑到生产率、光学特性等，导电体12的形成方法优选采用从相对于具有凹凸结构的基材11的表面的垂直方向倾斜的方向进行蒸镀的倾斜蒸镀法。倾斜蒸镀法是指，在基材11的剖面视图中，蒸镀源相对于基材11的表面的垂直方向以规定的入射角度蒸镀、层积金属的方法。入射角度由凹凸结构的凸部11a和所制作的导电体12的剖面形状来决定优选的范围，一般来说，优选为5度～45度，更优选为5度～35度。进一步，考虑到蒸镀中层积的金属的投影效果，逐渐地减小或者增大入射角度，适合于控制导电体12的高度等剖面形状。另外，在基材11的表面弯曲的情况下，也可以从相对于基材11的表面的法线方向倾斜的方向进行蒸镀。
具体来说，基材11在表面具有在特定方向以规定的间距P1大致平行地延伸的凹凸结构，相对于基材11表面的被蒸镀区域的中心的垂直方向在5度以上不到45度的方向上设置蒸镀源的中心，从而在凹凸结构上形成导电体12。进一步优选为，相对于基材11的表面的被蒸镀区域的中心的垂直方向在5度以上不到35度的角度方向上设置蒸镀源的中心。由此，能够将导电体12有选择地设置在基材11的表面的凹凸结构的凸部11a的某一方侧面11b上。另外，在边传送基材11边蒸镀的情况下，也可以是在以某一瞬间被蒸镀区域的中心和蒸镀源的中心满足上述的条件的状态下进行蒸镀。
在利用上述倾斜蒸镀法的情况下，凹凸结构的凸部11a和导电体12的延伸方向相同。为了达成本实施方式中的导电体12的形状的金属蒸镀量由凹凸结构的凸部11a的形状而定，一般来说，平均蒸镀厚度为50nm至200nm左右。这里所说的平均厚度是指，假定在平滑玻璃基板上从与玻璃面相垂直的方向蒸镀物质时的蒸镀物的厚度，作为金属蒸镀量的参考值来使用。
另外，从光学特性的观点来看，优选为通过刻蚀去除不必要的导电体12。对于刻蚀方法没有特别的限制，只要是不会给基材11、后述的介电体层带来不良影响，能够有选择性地去除导电体12的方法即可，从生产率以及导电体12的形状控制的观点出发，优选为各向同性刻蚀，例如，可以优选浸渍到碱性的水溶液中的刻蚀方法。又，在采用各向同性蚀刻的情况下，可以减轻或者消除由具有曝光不均的硅系基板制作的线栅偏振片的、因曝光不均引起的外观上的缺陷。由于本实施方式中的线栅偏振片10的间距P2小，所以在利用硅系基板的情况下，上述的曝光不均的问题容易产生，因此，采用能够减轻或消除因曝光不均所导致的缺陷的各向同性蚀刻是非常合适的。
（介电体）
在本实施方式所示的线栅楄振片10中，为了提高构成基材11的材料和导电体12之间的密合性，可以在两者之间适当地使用含有与两者的密合性都较高的介电体材料的介电体层。例如，可以使用二氧化硅等硅（Si）的氧化物、氮化物、卤化物、碳化物的单一成分或者其混合物（向介电体单一成分中混入其他元素、单一成分、或者化合物的介电体）、铝（Al）、铬（Cr）、钇（Y）、锆（Zr）、钽（Ta）、钛（Ti）、钡（Ba）、铟（In）、锡（Sn）、锌（Zn）、镁（Mg）、钙（Ca）、铈（Ce）、铜（Cu）等的金属的氧化物、氮化物、卤化物、碳化物的单一成分或者它们的混合物。作为介电体材料，只要是在想要获得透过偏振性能的波长区域内实质上透明的材料即可。对介电体材料的层积方法没有特别的限制，例如，可以适当地使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法等物理蒸镀法。
（支承基板）
作为保持具有凹凸结构的基材11的部材，可以使用支承基板。作为支承基板，可以使用玻璃等无机材料、树脂材料，优选为使用能够通过辊轧法制造线栅偏振片、且容易和其他光学部件粘结的平板状树脂材料。又，作为通过支承基板保持基材11的方法，没有特别限制，例如，可以例举粘结性物质的使用、通过加热的热粘接等。
作为树脂材料可以选用，例如，聚甲基丙烯酸树脂（PMMA）、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、环烯烃树脂（COP）、交联聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚苯醚树脂、改性聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚砜树脂、聚醚酮树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、芳香族聚酯树脂、聚甲醛树脂、聚酰胺树脂、三乙酰纤维素系树脂（TAC）等、或者丙烯酸类、环氧类、聚氨酯类等的紫外线（UV）固化型树脂或热固化型树脂。另外，也可以将UV固化型树脂或热固化型树脂，和玻璃等的无机基板、热塑性树脂等组合使用，或者单独使用。
支承基板的面内相位差，为了避免偏振度低下，优选为降低相对于规定波长的面内相位差，例如考虑利用可见光时，优选为相对于波长550nm的相位差的值为30nm以下。更为优选的情况为15nm以下。另外，为了防止线栅偏振片10引起的偏振的偏振度在面内不均匀，需要对支承基板面内的任意两点的相位差值进行管理，例如考虑利用可见光时，优选为相对于波长550nm的面内相位差值为10nm以下，更为优选的情况相位差值为5nm以下。作为具有如此特性的支承基板，优选使用三乙酰纤维素系树脂（TAC）、环烯烃树脂（COP）、聚碳酸酯树脂（PC）、聚甲基丙烯酸树脂（PMMA）等树脂材料。
（保护膜）
在本实施方式的线栅偏振片10的具有导电体12的表面，能够贴合防止由于输送时的外力导致的导电体12的缺损等的保护膜。保护膜由表现粘着性的粘着层和基体基材构成。粘着层没有限制，例如，可以采用丙烯酸类、硅类、聚氨酯类等粘着剂。又，基体基材也没有限制，例如，可以采用PET膜等，但优选为粘着层和基体基材都是光学透明的。所谓光学透明是指，至少在可见光波长范围内透射率高的意思，由此，所贴合的线栅偏振片10的状态观察变得容易。
在此，通过使保护膜的粘着层的厚度变薄，防止偏振分离特性、即线栅偏振片10的平行透射率的降低、正交透射率的上升这样的特性的降低成为可能。这是因为，在使保护膜的粘着层的厚度变薄的情况下，粘着层的弹性相对变小，与导电体的密合性变差，因此能够防止使得偏振分离特性降低的粘着层成分向导电体的移动。另外，在使保护膜的粘着层极度薄的情况下，线栅偏振片10的导电体12与所述粘着层的粘附力过度下降，所以粘着层的厚度优选为2μm以上且10μm以下。
＜反射型液晶投影仪＞
接着，对本发明的实施方式所涉及的投影型影像显示装置进行说明。作为本实施方式所涉及的投影型影像显示装置的投影仪，为利用反射型液晶显示元件的反射型液晶投影仪，作为反射型液晶投影仪的偏振分光器，可以适用上述本实施方式所涉及的线栅偏振片10。
参照图2对使用上述本实施方式所涉及的线栅偏振片的投影型影像显示装置进行说明。图2是作为投影型影像显示装置的一例的反射型液晶投影仪的示意图。如图2所示，本实施方式所涉及的反射型液晶投影仪20构成为具有：LED等的光源21；作为偏振分光器的线栅偏振片10；以及在光源的光上附加影像信息的反射型液晶显示元件22。可以根据需要具有放大投影被附加了影像信息的影像光的投影透镜23。
从光源21射出的光源光射入到作为偏振分光器的线栅偏振片10上。光源种类没有特别限制，例如可以适当地采用LED、高压水银灯等其他光源、激光等。在线栅偏振片10被偏振分离而反射的偏振光，射入到反射型液晶显示元件22上而被调制。从反射型液晶显示元件22出射的出射光（影像光），透过线栅偏振片10，在被投影透镜23放大后投影到屏幕上。
另外，线栅偏振片10优选被配置成形成有导电体的导电体结构面面向反射型液晶显示元件22。这是因为，由于线栅偏振片10的导电体结构面的相反侧的面的反射率相对较低，所以能够减少不需要的反射光、即减少杂散光，从而能够提高投影的影像光的品质。
近年来，反射型液晶投影仪趋向小型化，不能增加光源与偏振分光器之间的光路长，光源光往往都保持漫射光的形态射入至偏振分光器。作为反射型液晶投影仪的光学系统，在光源和偏振分光器之间有时会配置有前置偏振片，使得所述偏振分光器和前置偏振片的透射轴方向相正交地配置，但在光源光为漫射光的情况下，由于漫射的光源光的射入方向以及射入角度，所述透射轴方向从表面看是不正交的，而是以钝角交叉。在此，在偏振分光器的反射光的消光比低的情况下，影像品位降低，但本发明的线栅偏振片能够降低反射光的消光比，所以能够适用。作为正交反射率相对于平行反射率的比例而表现的反射光的消光比优选为50以上，更有优选为90以上，通过采用还有具有高的反射光的消光比的线栅偏振片作为偏振分光器，可以提供高影像品质的反射型液晶投影仪。
另外，作为平行透射率相对于正交透射率的比例而表现的透射光的消光比，从影像的明暗表现的观点考虑，关于555nm的波长，优选为，对于透射率85％，为3000以上，更优选为4000以上。又，对于透射率88％，优选为800以上，更优选为1000以上。
本实施方式所涉及的线栅偏振片10贴合于平滑的玻璃平板使用，或者使其弯曲地使用。例如，在贴合于平滑的玻璃平板的情况下，通过使玻璃平板的大小比所贴合的线栅偏振片10大，可以不与线栅偏振片10的端部接触地对贴合于平滑的玻璃平板的线栅偏振片10的贴合体进行处理。又，在用作偏振分光器的情况下，考虑阿贝数的影响，优选使用阿贝数大的线栅偏振片，优选使用厚度较薄的线栅偏振片。另外，能够对导电体结构面的相反侧的面进行AR（防反射）处理，或者附加蛾眼结构。
另外，本实施方式所涉及的线栅偏振片10能够在可见光、近红外光、以及红外光的区域不损害光学特性地使用，因此适合用于使用该区域的影像显示用途、拾波用途、传感器用途等。然而，并不限于所述的实施方式，可以进行各种变更来实施。另外，上述实施方式中的材质、数量等仅为一个示例，可能进行适当地变更。另外，可以在不超出本发明的技术上的思想的范围内进行适当地变更来实施。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明不为以下这些实施例所限定。首先，对实施例中的测量值的测量方法进行说明。
＜透射率的测量＞
透射率的测量采用的是大塚电子株式会社制RETS－100或者日本分光株式会社制VAP-7070。RETS-100在光源附近具有偏振件（以下、也称为测量用偏振件。），在受光器附近具有检偏振器（以下、也称为测量用检偏振器。），对测量样品进行保持的测量样品台具有一轴动作旋转轴，可以根据测量的目的使它们各自动作。VAP-7070在光源附近设有测量用偏振件，可以使得直线偏振的测量光射入至测量样品以进行分光测量。
＜透射率以及反射率的测量＞
透过率以及反射率的测量使用了日立高科技株式会社制的U-4100。U-4100在光源附近具有偏振件，保持测量样品的测量样品台和受光器具有相同的一轴动作旋转轴，能够按照测量目的各自动作。
＜面内位相差值的测量＞
作为面内相位差值的测量设备，使用了利用平行尼科耳法的偏振解析装置（王子计测机器株式会社制的KOBRA-WR）。设测量光的波长为550nm，将射入角度为0度时的相位差值作为面内相位差值。
＜折射率的测量方法＞
折射率的测量使用了折射率测量装置（Metricon公司制的激光折射率测量仪Model2010）。进行固化型树脂的测量时，在进行了固化处理之后测量折射率。根据由折射率测量装置得到的波长532nm、633nm以及824nm的折射率的测量结果，利用柯西色散公式求得折射率的波长色散图，从而求出波长589nm的折射率。
（线栅偏振片的制作方法）
接着，对本实施例所使用的线栅偏振片的制作方法进行以下说明。
（模具的制作）
应用光刻技术制作了凹凸结构在一个方向上延伸、剖面视图中的凹凸结构的间距P1为145nm或者100nm的硅系基板1～10。其中，设硅系基板1的间距P1为145nm，硅系基板2～5的间距P1为100nm、硅系基板6～10的间距P1为120nm。设硅系基板1的、从凹凸结构的凸部的最高部到凹部的最低部的高度为大致145nm，硅系基板2的上述高度大致为150nm、硅系基板3的上述高度大致为110nm、硅系基板4的上述高度大致为90nm、硅系基板5的上述高度大致为125nm、硅系基板6的上述高度大致为85nm、硅系基板7的上述高度大致为110nm、硅系基板8的上述高度大致为120nm、硅系基板9的上述高度大致为150nm、硅系基板10的上述高度大致为170nm。
在PET膜（A－4300：东洋纺株式会社制）上涂敷大约3μm丙烯酸系UV固化型树脂（折射率1.52），使得各硅系基板的凹凸结构面与UV固化型树脂相接，并分别层叠在一起。使用中心波长为365nm的UV灯，从PET膜侧进行1000mJ/cm2的UV照射，从而将硅系基板的凹凸结构转印到PET膜上。用SEM观察PET膜的表面和剖面视图中的凹凸结构时，确认了凹凸结构在一方向上延伸，能够转印硅系基板的凹凸结构。即，被转印的凹凸结构的间距是与间距P1相同的间距。在前述的PET膜的凹凸结构面上，作为导电化处理，通过溅射法用铂钯覆盖凹凸结构，之后分别电镀镍，从而制作出表面具有凹凸结构的镍压模。另外，将由间距P1为145nm的硅系基板1制作的镍压模作为模具A，将由间距P1为100nm的硅系基板2～5制作的镍压模分别作为模具B、Ｄ、E以及Ｆ，将由间距P1为120nm的硅系基板6～10制作的镍压模分别作为模具Ｇ～Ｋ。
利用所制作的模具B，通过热冲压法在厚度为0.5mm的环烯烃树脂（以下略称为COP）板的表面转印凹凸结构，制作表面具有凹凸结构的COP板B。接着，对于转印了上述各模具B表面的凹凸结构的COP板B，对其凹凸结构面进行UV-臭氧表面处理。利用紫外线表面处理装置（Photo Surface Processor，型号：PM906N-2，SEN特殊光源株式会社制），向COP板B的具有凹凸结构的面即凹凸结构面照射波长254nm的照度为34mW／cm2的UV30秒。对表面处理后的COP板B作导电化处理，通过溅射法用铂钯覆盖凹凸结构，之后分别电镀镍，从而制作镍压模。将由表面处理后的COP板B制作的镍压模作为模具C。
（使用UV固化型树脂的凹凸结构转印膜的制作）
利用上述的模具A～Ｋ，制作了表面具有凹凸构造的转印膜。基材为由厚度80μm的三乙酰纤维素系树脂构成的TAC膜（TD80UL-H：富士薄膜株式会社制），TAC膜的相对于波长550nm的面内相位差值为3.5nm。在TAC膜上涂敷大约3μm丙烯酸系UV固化型树脂（折射率1.52），并在TAC膜上叠加模具。操作中心波长为365nm的UV灯，从TAC膜侧进行1000mJ／cm2的UV照射，从而将模具的凹凸结构转印到UV固化型树脂上。将TAC膜从模具上剥离，从而制成在由UV固化型树脂构成的基材表面转印了凹凸结构的转印膜。对各模具A～Ｋ进行以上的操作，制成下述表1所示的转印膜A～Ｋ。表1中表示用SEM观察各转印膜的表面和剖面视图中的凹凸结构的结果。另外，表1中的“间距P1”为相邻的两个凸部的间隔（间距），“凸部高度H”为从凹凸结构的凸部的最高部至凹部的最低部的高度差，“凸部宽度比（Ｉ）”为通过下述关系式（1）算出的值。
式（1）
凸部宽度比＝第一高度位置的凸部的宽度／第二高度位置的凸部的宽度
在式（1）中，第一高度位置是指，在相对于凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，从凸部的最高部到凹部的最低部的高度的差即凸部高度H的大致9／10H的位置，第二高度位置是指大致1／10H的位置。
[表1]
Figure BDA0000484963230000151
（使用溅射法的介电体层的形成）
接着在各转印膜A～Ｋ的具有凹凸结构的基材表面上，通过溅射法将二氧化硅成膜作为介电体层。喷镀装置条件为Ar气体压力0.2Pa、喷镀功率770W/cm2、覆盖速度0.1nm/s，成膜使得转印膜上的介电体厚度换算成平膜为3nm。
（利用倾斜蒸镀法的导电体的形成）
接着，在各转印膜A～Ｋ的具有凹凸结构的基材表面上，通过真空蒸镀将铝（Al）成膜。Al的蒸镀条件为常温下、真空度2.0×10－3Pa、蒸镀速度40nm/s。在剖面视图中，对于转印膜A、B、Ｃ、Ｄ以及E，将相对于基材的垂直方向的蒸镀角设定为18度，蒸镀Al使得Al平均厚度为110nm。另外，在此所说的Al平均厚度是将表面平滑的玻璃基板与各转印膜A～Ｋ一起插入蒸镀装置内，测量被蒸镀的平滑玻璃基板上的Al厚度所得到的值，是指假设在平滑玻璃基板上从垂直方向蒸镀物质时的蒸镀物的厚度，作为蒸镀量的参考值来使用。
（实施例1至6以及比较例1至5）
（不必要的Al的去除）
为了去除不必要的Al，将蒸镀了Al的转印膜A～Ｋ在室温下浸渍于0.1重量％的氢氧化钠水溶液中，然后立即水洗，将膜干燥，由此，制作出平行透射率约86％的线栅偏振片A1～Ｋ1。
通过SEM观察各线栅偏振片A1～Ｋ1的剖面视图中的凹凸结构以及导电体的形状，导电体偏设于基材上的凹凸结构的凸部的一方的侧面（参照图3）。又，导电体从凹凸结构的大致最低部延伸至最高部，且至少其一部分设置在凹凸结构的凸部的最高部的上方。从凸部的最高部至导电体的最高部的高度为50nm以上。
又，表2中示出线栅偏振片A1～Ｋ1的“凸部厚度（II）”、“凸部形状”、“导电体厚度（III）”以及“导电体高度（IV）”。所谓“凸部厚度（II）”是指第一高度位置的凸部的宽度，所谓“凸部形状”是指剖面视图中的凹凸结构的形状。又，所谓“导电体厚度（III）”是指，从第一高度位置到凸部的大致最高部之间的导电体的水平方向的厚度最薄的部分的厚度，所谓“导电体高度（IV）”是指从导电体的最低部到最高部的高度。
[表2]
Figure BDA0000484963230000171
采用大塚电子株式会社制RETS-100测量的线栅偏振片A1～Ｋ1的光倾斜射入时的平行透射率。平行透射率是在测量样品台的动作旋转轴与测量用偏振件、测量用检偏振器以及作为测量对象的各线栅偏振片的透射轴方向正交的条件下，对平行透射率进行测量。将线栅偏振片的垂直方向设为0度，则向各线栅偏振片A1～Ｋ1射入的测量光的射入角度为其的-45度以及+45度。又，测量波长为人眼能强烈感测到光的波长555nm。根据所得到的平行透射率的测量结果，计算出射入角度在-45度和+45度下的平行透射率Tp（λ＝555nm）的差、即ΔTp（λ＝550nm）的绝对值。在表3中示出所计算出的光学对称性｜ΔTp（λ＝555nm）｜。另外，在光学对称性｜ΔTp（λ＝555nm）｜小的情况下，则呈现高光学对称性。
[表3]
线栅偏振片 光学对称性
A1(比较例1) 5.1％
B1(比较例2) 4.4％
C1(比较例3) 5.0％
D1(实施例1) 2.4％
E1(实施例2) 1.8％
F1(实施例3) 2.9％
G1(比较例4) 2.4％
H1(实施例4) 2.5％
I1(实施例5) 2.8％
J1(实施例6) 3.2％
K1(比较例5) 4.5％
如表3所示，比较例1、2、3以及5与实施例1至6相比较，射入角度在-45度以及45度的平行透射率差较大，为低光学对称性。比较例1与实施例1、2以及4的最大差异是间距P1，通过减小间距P1，提高了光学对称性。又，比较例2、3以及5的凸部高度H比间距P1的1.3倍大，比较例3的凸部宽度比(I)比0.5倍小。因此，在剖面视图中的相邻的导电体之间所占的凸部面积变大，光学对称性降低。为间距P1的1.3倍以下的实施例1至6的光学对称性高，可以适当采用。
(实施例7至9以及比较例6至9)
(不必要的A1的去除)
为了去除不必要的A1，将蒸镀了A1的转印膜A～K在室温下浸渍于0.1重量％的氢氧化钠水溶液中，然后立即水洗，将膜干燥，由此，制作出平行透射率约86％的线栅偏振片A1～K1。
蒸镀了A1的转印膜A、B、c、D、E、G以及H分别准备有多个，制作出使浸渍于0.1重量％氢氧化钠水溶液(室温下)的浸渍时间变化了的各线栅偏振片。不必要的A1的去除操作除了浸渍时间以外都是相同的，在浸渍于氢氧化钠水溶液之后立刻进行水洗以及干燥。另外，将所得到的线栅偏振片中的、由转印膜A、B、c、D、E、G以及H得到的线栅偏振片分别设为线栅偏振片A2、B2、C2、D2、E2、G2以及H2。
接下来，采用日本分光株式会社制VAP-7070对从所得到的线栅偏振片A2、B2、C2、Ｄ2、E2、Ｇ2以及H2的垂直方向射入测量光的情况下的平行透射率以及正交透射率进行测量。测量波长为人眼能强烈感测到光的波长555nm，在图4的图表中示出所得到的平行透射率以及正交透射率的测量结果。另外，将线栅偏振片A2作为比较例6、将线栅偏振片B2作为比较例7、将线栅偏振片Ｃ2作为比较例8、将线栅偏振片Ｄ2作为实施例7、将线栅偏振片E2作为实施例8、将线栅偏振片Ｇ2作为比较例9、将线栅偏振片H2作为实施例9。
如图4所示，线栅偏振片A2（比较例6）的间距P1大，所以正交透射率变高，透射光的消光比低。线栅偏振片B2（比较例7）、Ｃ2（比较例8）、Ｄ2（实施例7）以及E2（实施例8）的间距P1较小，为100nm，线栅偏振片B2（比较例7）具有高正交透射率。这是因为，凸部高度H相对于间距P1比较高，所以通过倾斜蒸镀法形成的导电体的导电体厚度（III）比20nm薄。作为不改变间距P1和凸部高度H地增厚导电体厚度（III）的方法之一，例举有将凸部形状做成正弦波形状，使得凸部的大致最高部的水平方向的厚度变薄的方法（线栅偏振片Ｃ2、比较例8），但发生了光学对称性的降低。因此，优选为使得凸部高度H为间距P1的1.3倍以下。
另外，与线栅偏振片Ｄ2（实施例7）相比较，线栅偏振片E2（实施例8）为高正交透射率。这是因为，由于凸部高度H小，所以通过倾斜蒸镀法形成的导电体的高度降低。相对于线栅偏振片H2（实施例9）的Ｇ2（比较例9）也是同样的情况，虽然减小凸部高度H，光学对称性变高了，但就会变成高正交透射率。虽然是通过控制蒸镀时的蒸镀量能够解決的课题，但考虑到蒸镀量的增加会导致制造效率的降低，且是高成本化的主要原因，凸部高度H优选为是间距P1的0.8倍以上。
（反射光的消光比）
用分光光度计（日立高科技株式会社制、U-4100），对测量光射入至间距P1为100nm的线栅偏振片Ｃ1（比较例3）、E1（实施例2）以及F1（实施例3）的导电体结构面的情况下的正交反射率和平行反射率进行了测量。使测量样品台的动作旋转轴和测量对象的各线栅偏振片的透射轴方向相平行，且测量样品台的动作旋转轴和测量装置的光源附近的偏振件的透射轴方向相正交。以线栅偏振片的垂直方向为0度，将向各线栅偏振片入射的测量光的角度设定为倾斜45度，对射入角度的波长555nm的正交反射率以及平行反射率进行测量。其结果在表4中示出。测量后，计算出正交反射率相对于平行反射率的比例（反射光的消光比），则线栅偏振片Ｃ1为19、线栅偏振片E1为101、线栅偏振片F1为51。
[表4]
Figure BDA0000484963230000201
如表4所示，线栅偏振片E1以及F1通过在剖面视图中使得凸部高度H为间距P1的1.3倍以下，在相邻的导电体之间所占的凸部的面积足够小，所以反射光的消光比提高了。
（实施例10至12以及比较例10）
（保护膜贴合前后的光学特性）
将在作为基体基材的PET膜上具有丙烯酸系粘着剂1（折射率1.47）的保护膜1或者保护膜2、在作为基体基材的PET膜上具有硅系粘着剂1的保护膜3或者保护膜4贴合在线栅偏振片E1的具有导电体的面上，对保护膜贴合前后的平行透射率以及正交透射率进行了测量。保护膜1和保护膜2仅仅是丙烯酸系粘着剂1的层厚度不同，保护膜1的层厚度为2.5μm，保护膜2的层厚度为10μm。又，保护膜3和保护膜4仅仅是硅系粘着剂1的层厚度不同，保护膜3的层厚度为10μm，保护膜4的层厚度为20μm。另外，光学测量采用的是日本分光株式会社制VAP－7070。
将采用保护膜1的情况作为实施例10，将采用保护膜2的情况作为实施例11，将采用保护膜3的情况作为实施例12，以及将采用保护膜4的情况作为比较例10。
在保护膜贴合之前，对线栅偏振片E1的对于波长555nm的平行透射率Tp1以及正交透射率Tc1进行了测量。接着，贴合保护膜，在室温下静置30分钟后，将所贴合的保护膜剥离，对线栅偏振片E1的对于波长555nm的平行透射率Tp2以及正交透射率Tc2进行了测量。根据Tp1、Tp2、Tc1以及Tc2，采用以下的式（2）计算出ΔTp以及ΔTc。另外，ΔTp越小，则意味着保护膜所造成的线栅偏振片的光学特性降低越少。
式（2）
ΔTp＝｜Tp1－Tp2｜
ΔTc＝｜Tc1－Tc2｜
[表5]
Figure BDA0000484963230000211
如表5所示，与比较例10相比较，实施例12的光学特性的降低少。通过使得粘着层的厚度变薄，可以防止线栅偏振片E1的平行透射率以及正交透射率的变化这样的偏振分离特性的降低。
另外，对实施例10以及实施例11进行比较的话，在光学特性方面，粘着层的厚度较薄的实施例9较为优选，但与线栅偏振片E1的导电体的密合性就难以说是良好的，贴合时的气泡混入的频度变多。这是因为与线栅偏振片的导电体的粘附力过度降低的缘故。因此，粘着层的厚度优选为2μm以上且10μm以下。
另外，本发明并不限于上述实施方式，可以进行各种变更来实施。关于上述实施方式中，在附图中所图示的大小、形状等，并不限定于此，可以在发挥本发明的效果的范围内进行适当的变更。另外，只要不脱离本发明的目的的范围，可以进行适当的变更来实施。
产业上的可利用性
根据本发明，线栅偏振片的光学对称性优异，因此可以为了高画质的液晶显示装置的实现而使用。
本申请是基于2011年10月14日申请的日本专利申请特愿2011－226736。其内容以及在本说明书中引用的日本专利第4147247号公报的内容都全部包含于本文。

Claims (13)

1.一种线栅偏振片，其具有基材和导电体，所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面，
所述线栅偏振片的特征在于，
在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，相邻的两个凸部的间隔即间距P1为120nm以下，且从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H为间距P1的0.8倍至1.3倍。
2.如权利要求1所述的线栅偏振片，其特征在于，在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，将从所述凸部的最高部到凹部的最低部的高度之差即凸部高度H的大致9／10H的位置设为第一高度位置，将大致1／10H的位置设为第二高度位置时，所述第一高度位置的所述凸部的宽度为所述第二高度位置的所述凸部的宽度的0.5倍以上且1.0倍以下，所述凹凸结构的凸部的半高宽的值为所述间距P1的0.05倍至0.5倍。
3.如权利要求1或2所述的线栅偏振片，其特征在于，所述导电体从凹凸结构的大致最低部向最高部延伸，且至少所述导电体的一部分被设置于所述凹凸结构的凸部的最高部的上方。
4.如权利要求1～3中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，所述凹凸结构的凸部的剖面形状为大致矩形形状。
5.如权利要求1～4中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，所述导电体被设置为从所述凹凸结构的大致最低部向最高部延伸，进一步地，所述导电体还存在于基材凸部的顶部的上方。
6.如权利要求1～5中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，从所述凸部的最高部到所述导电体的最高部的高度为50nm以上。
7.如权利要求1～6中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，从所述凸部的大致9／10H的第一高度位置到所述凸部的大致最高部之间的所述导电体的厚度为20nm以上。
8.如权利要求1～7中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，在相对于所述凹凸结构的延伸方向的垂直方向的剖面视图中，所述凸部的大致9／10H的第一高度位置处的宽度为15nm以上。
9.如权利要求1～8中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，所述导电体通过各向同性蚀刻而被蚀刻。
10.如权利要求1～9中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，所述凹凸结构是将表面上具有凹凸结构的硅系基板作为模版进行转印而制作成的结构。
11.如权利要求1～10中任一项所述的线栅偏振片，其特征在于，具有保护所述导电体的保护膜，所述保护膜的粘着层的厚度为2μm以上且10μm以下。
12.一种线栅偏振片，其具有基材和导电体，所述基材的表面上具有向特定方向延伸的凹凸结构，所述导电体被设置为偏设于所述凹凸结构的凸部的一个侧面，
所述线栅偏振片的特征在于，
将所述线栅偏振片的垂直方向设为0度时，波长555nm的光的射入角度在-45度以及+45度的平行透射率（Tp）的差为4％以下。
13.一种投影型影像显示设备，其包括如权利要求1或12所述的线栅偏振片、光源、以及反射型液晶显示元件，
所述投影型影像显示设备的特征在于，
从所述光源射出的光在所述线栅偏振片透射或者反射，并射入到所述反射型液晶显示元件，通过所述反射型液晶显示元件调制了的光在所述线栅偏振片反射或者透射以对影像进行投影。
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