CN103339749A - 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法 - Google Patents

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Abstract

公开晶片级发光二极管封装件及制造此的方法。该方法包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。据此，提供晶片级发光二极管封装件。

Description

晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
技术领域
本发明涉及发光二极管封装件及其制造方法，尤其涉及晶片级发光二极管及制造此的方法。
背景技术
发光二极管具有可以实现轻薄短小化,且节省能源和寿命能够长时间维持的优点。因此，发光二极管被利用为包括手机在内的各种显示装置的背面光源，由于贴装有发光二极管的发光二极管封装件能够呈现具有较高的显色性的白色光，因此代替诸如荧光灯等的白色光源而应用于一般照明中。
以往，通常将个别发光二极管芯片贴装到具有电极（lead electrode）的封装件，利用键合引线连接发光二极管芯片和电极，利用包封材料包封发光二极管芯片，由此形成发光二极管封装件。
根据上述现有技术的发光二极管封装件制造方法由于单独处理发光二极管芯片，因此在制造大量的发光二极管封装件时，需要花费较多的时间和费用，所以生产率较差。尤其，在贴装发光二极管芯片之后，再次形成键合引线，因此发光二极管封装件的制造工艺比较复杂。而且，利用毛细管的引线键合工艺需要用于移动毛细管（capillary）的空间，因而对小型化封装件大小方面造成制约，而且容易因引线的键合不良或断线等引起封装件的不良。
最近，随着用于生长外延层的生长基板的大小从2英寸变大到4英寸，乃至变大到6英寸，在一个生长基板上制造的发光二极管芯片达到数千个至数万个。因此，更加要求利用这种发光二极管芯片迅速地制造大量的发光二极管封装件，然而上述现有技术难以满足这种要求。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的问题在于提供一种使工艺简单化而适于大量生产的发光二极管封装件及其制造方法。
本发明所要解决的又一问题在于提供一种适于小型化的发光二极管封装件及其制造方法。
本发明所要解决的又一问题在于提供一种结构稳定的发光二极管封装件及其制造方法。
本发明所要解决的又一问题在于提供一种适于呈现混色光尤其白色光的发光二极管封装件及其制造方法。
技术方案
根据本发明的一个形态的发光二极管封装件制造方法包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体，且各个所述半导体层叠结构体包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性区域；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。
根据本发明，在晶片级上将多个半导体层叠结构体结合到第二基板，因而可简单化芯片键合工艺，且可大幅减少作业时间。
所述第二基板可以是Si、AlN、Sic、陶瓷、金属印刷电路基板、金属基印刷电路基板、有机印刷电路基板等，但并不局限于此。
所述方法还可包括在各个所述半导体层叠结构体的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别形成第一凸点及第二凸点。通过将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极，从而所述多个半导体层叠结构体可结合到所述第一电极。
在几个实施例中，还可包括形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的底部填充胶。所述第一凸点及第二凸点贯穿所述底部填充胶。为了对由半导体层叠结构体发出的光进行波长变换，所述底部填充胶可包括荧光体。而且，所述底部填充胶可以缓和第一基板与第二基板之间的热膨胀系数之差，且有助于结合第一基板和第二基板。为此，所述底部填充胶可包括用于调节热膨胀系数和/或弹性系数的填充剂。
形成所述底部填充胶的方法可包括：在所述第一基板上形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的半固化（B-stage）底部填充胶；在将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极期间，使所述半固化底部填充胶固化。所述底部填充胶材料可在所述第一基板上利用旋压覆盖（Spin coat）或层压等方法进行涂布，此后在所述第一基板上变成半固化状态。
另外，在进行所述结合之后，可以形成覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。所述波长变换器可形成为在分割所述第一基板之后覆盖所述第一基板的侧面。进而，在分割所述第一基板之后，分割区域下方的所述底部填充胶的一部分被部分去除，所述波长变换器还可形成为覆盖所述底部填充胶被部分去除而暴露的侧面。
另外，所述方法还可包括形成覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。所述水分阻挡涂层通过阻断水或水分（moisture）来保护波长变换器，进而保护半导体层叠结构体。所述水分阻挡涂层可由能够阻断水分的硅氧化物或硅氮化物形成，而且，也可以使有机材料层和无机材料层交替地层叠而形成。通过交替地层叠有机材料层和无机材料层，使得从外部流入的水分的渗透路径变长，从而可以防止水分渗透到波长变换器。
在几个实施例中，所述波长变换器可以是含有荧光体的环氧树脂或硅树脂。在其他实施例中，所述波长变换器可以是含有荧光体的玻璃。所述玻璃可利用粘接剂粘贴到第一基板的后表面，或者可通过低温直接键合而粘贴到所述第一基板的后表面。当利用低温直接键合技术时，可防止因粘接剂引起的光损失。
在几个实施例中，所述波长变换器可在分割所述第一基板之后形成。进而，所述波长变换器可填充所述多个半导体层叠结构体与所述第二基板之间的空间。即，可同时形成所述波长变换器和底部填充胶。
而且，所述方法还可包括：去除所述第一基板的分割区域下方的所述波长变换器，以按照封装件为单位分割波长变换器；形成覆盖被分割的波长变换器的水分阻挡涂层。
另外，所述方法还可包括：在所述第一基板的后表面形成用于提高光提取效率的表面织构。表面织构可利用湿式蚀刻、电子束曝光或纳米压印技术而形成。
而且，在分割所述第一基板时，可分割成使所述第一基板的侧面相对于所述第一基板的后表面的垂直方向倾斜，据此，可进一步改善光提取效率。
根据本发明的另一形态的晶片级发光二极管封装件，其包括：基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为布置于所述第一基板的前表面上的半导体层叠结构体，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性区域；具有第一电极及第二电极的第二基板；多个连接器，电连接所述半导体层叠结构体和所述第一电极及第二电极；波长变换器，覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。
与贴装个别芯片的以往的发光二极管芯片不同，所述晶片级发光二极管封装件将形成有多个半导体层叠结构体的第一基板贴装到第二基板之后分割第一基板和第二基板而制造。因此，晶片级发光二极管封装件内的第一基板和第二基板的大小大体相似，从而可以提供小型的发光二极管封装件。
另外，底部填充胶可位于所述第一基板与所述第二基板之间。所述底部填充胶加强半导体层叠结构体和所述第二基板的结合力，从而可防止半导体层叠结构体从第二基板分离。进而，所述底部填充胶可包括荧光体和填充剂中的至少一个。
而且，所述波长变换器可覆盖所述底部填充胶的侧面中的至少一部分。
另外，水分阻挡涂层可覆盖所述波长变换器。因此，可防止水分从外部渗透到波长变换器的内部。而且，所述水封阻挡涂层可覆盖所述底部填充胶的侧面。
所述水分阻挡涂层可具有有机材料层和无机材料层交替层叠的结构。这种水分阻挡涂层增加水分的渗透路径，从而使得水分难以渗透到晶片级发光二极管封装件的内部。
另外，所述波长变换器可填充所述第一基板与所述第二基板之间的空间。即，所述底部填充胶和所述波长变换器可以以相同的材料和相同的工艺形成。
在几个实施例中，所述波长变换器可以是含有荧光体的玻璃。所述玻璃可直接键合于所述第一基板的后表面。即，可以省略用于将所述玻璃粘贴到第一基板的粘接剂，因此可防止因使用粘接剂而引起的光损失。
另外，所述第一基板的后表面可包括用于提高光提取效率的表面织构，所述第一基板的侧面可相对于所述第一基板的后表面的垂直方向倾斜。
发明效果
根据本发明，在晶片级下将第一基板上的多个半导体层叠结构体结合到第一基板，并分割第一基板和第二基板而制造封装件，因此可使芯片键合工艺变得简单化，且能够大幅减少作业时间。尤其，在晶片级下制造发光二极管封装件，因此适合于封装件的小型化。进而，可利用底部填充胶提高第一基板和第二基板的结合力，从而可提供结构稳定的发光二极管封装件，且通过采用防水层而能够防止水分从外部渗透到发光二极管封装件的内部。
尤其，采用波长变换器而能够呈现混色光尤其白色光，而且利用底部填充胶和/或波长变换器，从而不仅对于朝半导体层叠结构体的上部表面发射的光，对于朝侧面及下部表面发射光也能够执行波长变换。
附图说明
图1至图7为用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
图8至图12为用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
图13至图16为用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。下面所介绍的实施例作为示例提供，以能够向本领域技术人员充分地传递本发明的思想。因此，本发明并不局限于以下所说明的实施例，可具体化为其他形态。而且，为了便于说明，附图中构成要素的宽度、长度、厚度等可能被夸张地表示。在整个说明书中，相同的符号表示相同的构成要素。
图1至图7为用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
（准备晶片20）
参照图1，准备第一基板21上形成有多个半导体层叠结构体30的晶片20。
所述晶片20包括第一基板21和在所述第一基板上排列的多个半导体层叠结构体30，而且可包括欧姆连接层31、绝缘层33、第一电极36a、第二电极36b、底部填充胶40a以及缓冲层（未图示）。所述半导体层叠结构体30可包括第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29。而且，所述第一电极（lead electrode）36a可包括第一电极焊盘35a和第一凸点37a，所述第二电极（lead electrode）36b可包括第二电极焊盘35b和第二凸点37b。
第一基板21可以是可使氮化物半导体层生长的生长基板，例如蓝宝石、碳化硅、尖晶石等。所述第一基板21是可使光透过的透明基板。
所述半导体层叠结构体30可通过通常的发光二极管芯片制造工艺而制造。即，在第一基板21上使包括第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29的外延层生长，并对这些外延层进行图案化而在所述基板21上形成多个半导体层叠结构体30。为了暴露所述第一导电型半导体层25的局部区域，可去除第二导电型半导体层29以及活性层27的一部分。
所述活性层27、所述第一导电型半导体层25及第二导电型半导体层29可由Ⅲ-N族化合物半导体（例如，（Al、Ga、In）N半导体）形成。所述第一导电型半导体层25及第二导电型半导体层29可以是单层或多层。例如，所述第一导电型和/或第二导电型半导体层25、29可包括连接层和包覆层（cladlayer），而且可包括超晶格层。而且，所述活性层27可以是单一量子阱结构或多重量子阱结构。例如，所述第一导电型可为n型，所述第二导电型可为p型，但并不局限于此，可以与之相反。缓冲层在基板21和第一导电型半导体层25之间缓和晶格失配，从而减少在半导体层25、27、29内发生的缺陷密度。
另外，所述第二导电型半导体层29上可形成有欧姆连接层31，所述第一导电型半导体层25及第二导电型半导体层29上可分别形成有第一电极焊盘25a及第二电极焊盘35b。所述欧姆连接层31可由例如Ni/Au、氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌(IZO)、氧化锌（ZnO）等之类的透明导电层形成，但并不局限于此，还可包括反射金属层。所述第一电极焊盘35a及第二电极焊盘35b可包括Ti、Cu、Ni、Al、Au或Cr，且也可以由这些中的两个以上的物质形成。所述第二电极焊盘35b可通过所述欧姆连接层与第二导电型半导体层29电连接。在形成所述电极焊盘35a、35b之前还可以形成用于覆盖半导体层叠结构体30的绝缘层33。所述绝缘层33例如可由硅氧化物或硅氮化物形成。
进而，所述第一电极焊盘35a及第二电极焊盘35b上可分别形成第一凸点37a及第二凸点37b。所述第一凸点及第二凸点为用于将多个半导体层叠结构体电连接到第二基板51的第一电极53a及第二电极53b的连接器，且结构上将所述多个半导体层叠结构体结合到第二基板51。
所述第一凸点37a及第二凸点37b由Au或焊料（solder）形成，或者可以由诸如Ni或Ni合金等的坚固的金属物质形成凸点，并在其上形成Au或焊料。而且，所述第一凸点37a及第二凸点37b可以由利用引线键合技术的钉头凸点（stud bump）形成。
另外，在形成有所述半导体层叠结构体30的基板21上可形成有底部填充胶40a。底部填充胶40a可由热固化性树脂或热可塑性树脂形成。而且，所述底部填充胶40a可包括荧光体和/或填充剂。所述荧光体可为了对朝半导体层叠结构体30的侧面发出的光进行波长变换而添加，填充剂可为了调节例如底部填充胶40a的热膨胀系数及弹性系数而添加。所述底部填充胶40a例如可利用旋压覆盖（Spin coat）或层压技术而形成，例如可采用利用挤压（squeeze）的丝网印刷技术形成。据此，底部填充胶40a可形成为覆盖半导体层叠结构体30的侧面，且覆盖其上部表面，第一凸点37a及第二凸点37b可贯穿所述底部填充胶40a而暴露至外部。
所述底部填充胶40a可在晶片20准备步骤中得以固化，但并不局限于此，在晶片20准备步骤中可以以半固化（B-stage）状态残留。此后，将所述第一凸点37a及第二凸点37b键合到第二基板21的电极53a、53b的半固化底部填充胶得以固化。
（准备封装件构件（package Member）50）
参照图2，作为封装件构件50，准备具有第一电极53a及第二电极53b的第二基板51。
所述第二基板51可以是印刷有电极53a、53b的印刷电路基板，例如可以是通常的如FR4-PCB的有机PCB、金属-PCB、金属基印刷电路板、陶瓷基板、硅基板、AlN基板或SiC基板等。
所述第二基板51为如金属PCB的导电性基板时，所述电极53a、53b可通过绝缘层而与导电性基板形成绝缘。
所述第一电极53a及第二电极53b可在第二基板51上部具有内部端子或焊盘，且可在其下部具有用于连接到外部电源的外部端子。所述第一电极53a及第二电极53b贯穿第二基板51。所述第一电极53a及第二电极53b可填满所述第二基板51的贯通孔，但并不局限于此，也可以沿着贯通孔的侧面而形成。
（晶片20和封装件构件50的结合）
参照图3，将第一凸点37a及第二凸点37b键合到第一电极53a及第二电极53b。所述第一凸点37a及第二凸点37b可利用热压焊、热超声、回流焊等键合技术键合到所述第一电极53a及第二电极53b。为了进行上述键合，在第二基板51上可以形成如Au的金属焊盘，而且在金属焊盘上还可追加形成焊膏。
另外，例如通过热压焊键合而键合所述第一凸点37a及第二凸点37b时，在调节热压焊键合工艺的温度曲线而执行金属键合的期间，首先使半固化状态的底部填充胶40a的粘度降低，以使半固化底部填充胶40a产生流动，此后，在维持温度的期间或降低温度的期间，可使所述半固化底部填充胶40a固化。据此，所述底部填充胶40a可加强晶片20和封装件构件50的结合。尤其，向所述底部填充胶40a添加填充剂，使得底部填充胶40a能够缓和所述晶片20与封装件构件50之间的热膨胀系数之差。据此，通过所述底部填充胶40a不仅可以提高发光二极管封装件的结构稳定性，还可以提高可靠性。
另外，在上述结合之后，第一基板21的后表面通过研磨（grinding）而去除一部分，从而可以使第一基板21变薄。
（形成波长变换器60）
参照图4，在完成所述结合工序之后，在第一基板21的后表面上形成波长变换器60。所述波长变换器60可通过涂布荧光体或涂布含有荧光体的树脂而形成。例如，将含有荧光体的树脂涂布到第一基板21上，并利用挤压可以以均匀的厚度形成波长变换器60。与此不同，含有荧光体的波长变换器例如还可以将玻璃粘贴到第一基板21而形成。所述玻璃可使用粘接剂粘贴到第一基板21，然而也可以不使用粘接剂而利用低温直接键合技术粘贴到第一基板21。
（分割工序）
参照图5，所述第一基板21及第二基板51被分割。当形成有底部填充胶40a时，所述底部填充胶40a也一同被分割。所述第一基板21及第二基板51可根据划线（scribing）、切断（breaking）、锯断（sawing）而进行分割，且可利用激光进行分割。据此，可以完成个别的发光二极管封装件。
所述第一基板21及第二基板51例如可利用激光在同一工序中一起被分割。据此，第一基板21和第二基板可以以几乎相同的大小形成。然而，本发明并不局限于此，也可以先分割第一基板21之后，在专门的工序中分割第二基板51。此时，如图5所示，第一基板21的大小可能稍小于第二基板51的大小。
另外，含有荧光体的波长变换器60因从外部渗透的树脂而容易使荧光体特性发生变化。尤其，所述波长变换器60由硅树脂形成时，需要保护硅树脂及荧光体使其免受从外部流入的水分的影响。为此，如图6所示，可形成覆盖波长变换器60的水分阻挡涂层70。
水分阻挡涂层70可在分割第一基板21之前形成于第一基板21的上部，以覆盖波长变换器60，此后，可与第一基板21一起被分割。或者，水分阻挡涂层70在分割第一基板21及底部填充胶40a之后形成，或者也可以在分割第二基板51之后形成。因此，水分阻挡涂层70覆盖波长变换器60及底部填充胶40a的侧面，从而可防止水分从外部渗透到发光二极管封装件的内部。
所述水分阻挡涂层70例如可由氧化硅膜或氮化硅膜形成。或者，如图7所示，所述水分阻挡涂层70也可以使有机材料层71和无机材料层73交替层叠而形成。例如，所述水分阻挡涂层70可利用例如低温真空蒸镀技术使透明的聚合物和硅（Si）或铝（Al）等金属氧化物或氮化物交替层叠而形成。这种水分阻挡涂层70使水分的渗透路径变长，从而防止水分渗透到波长变换器60。
根据本实施例，由于在晶片级下将多个半导体层叠结构体30贴装到封装件构件50，因此相比于贴装单个芯片的现有技术，制造工艺简单，从而可节省制造成本。进而，在封装件制造工序中，无需利用键合引线来电连接电极和半导体层叠结构体，因此可以消除因键合引线的断线或短路引起的封装件的不良。
以上，对在结合晶片20和封装件构件50之前，底部填充胶40a形成为覆盖多个半导体层叠结构体30的情形进行了说明，然而底部填充胶40a并不是必需的部件。进而，所述底部填充胶40a可在结合晶片和封装件构件50之后朝第一基板21和第二基板51之间的区域注入底部填充胶材料而形成。
图8至图12为用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
参照图8，根据本实施例的发光二极管封装件制造方法如参照图1至图3进行的说明，准备晶片20及封装件构件50并相互进行结合。此后，在第一基板21的后表面形成表面织构（texture）T。表面织构T可通过利用湿式蚀刻、电子束曝光或纳米压印技术蚀刻第一基板21而形成。表面织构T例如可由具有数十nm至数μm的节距（pitch）且具有1以上的纵横比（aspect ratio）的图案形成。表面织构T提高由半导体层叠结构体30发出的光的提取效率。
参照图9，第一基板21被分割。利用金刚石刀片或激光可分割成截面为倒三角形形状，因此，如图所示，在分割区域形成为，第一基板21的侧面相对于后表面的垂直方向倾斜。第一基板21的倾斜的侧面提高由半导体层叠结构体30发出的光的提取效率。
另外，所述分割区域下方的底部填充胶40a的一部分可以被去除。所述底部填充胶40a可被去除为在第二基板51上留有一部分，然而并不局限于此，也可被去除为使第二基板51的表面暴露。
参照图10，形成用于覆盖所述第一基板21的波长变换器60a。波长变换器60a可由含有荧光体的树脂形成。所述波长变换器60a覆盖第一基板21的后表面及侧面，而且，覆盖在所述分割区域内暴露的底部填充胶40a的侧面。
参照图11，第二基板51被分割，从而完成个别的发光二极管封装件。所述分割区域下方的波长变换器60a及残留的底部填充胶40a也可以一起被分割。
参照图12，如参照图6进行的说明，为了防止水分渗透到波长变换器60a，可追加形成水分阻挡涂层70。例如，可以先去除所述分割区域下方的波长变换器60a及残留着的底部填充胶40a之后，形成水分阻挡涂层70。水分阻挡涂层70可在分割第二基板51之前或之后形成。
根据本实施例，在第一基板21的后表面形成表面织构T，从而可提高光提取效率，而且，第一基板21被分割成使第一基板21的侧面倾斜，从而可进一步提高光提取效率。形成所述表面织构T且形成倾斜的侧面的技术并不局限于本实施例，在其他实施例中也可相同地适用。
另外，在本实施例中，在去除一部分第一基板21及底部填充胶40a之后形成波长变换器60a，因此可以形成覆盖半导体层叠结构体30的侧面的波长变换器60a。
图13至图16为用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件制造方法的剖面图。
参照图13，如在上面参照图8及图9进行的说明，在晶片20和封装件构件50结合之后，在第一基板21的后表面形成表面织构（texture）T，第一基板21的侧面被倾斜地分割。但是，在本实施例中，与前述的实施例不同的是，在准备晶片20的步骤中形成底部填充胶40a的工序被省略。
参照图14，形成对被分割的第一基板21进行覆盖的波长变换器60b。波长变换器60b可充填第一基板21与第二基板51之间的区域。即，可利用波长变换器60b使底部填充胶40a一起形成。所述波长变换器60b可利用含有荧光体的树脂形成，而且，可利用挤压而以均匀的厚度形成在第一基板21上。
参照图15，第二基板51被分割，从而完成个别的发光二极管封装件。第一基板21的分割区域内的波长变换器60b也可以一起被分割。
参照图16，如参照图6进行的说明，为了防止水分渗透到波长变换器60b，可追加形成水分阻挡涂层70。例如，可以先去除所述分割区域下方的波长变换器60b之后，形成覆盖波长变换器60b的水分阻挡涂层70。水分阻挡涂层70可在分割第二基板51之前或之后形成。
以上，对多种实施例进行了说明，然而应当理解，在不变更本发明的思想的范围内，限定在特定实施例而进行说明的构成要素可适用于其他实施例。而且，本发明并不局限于以上说明的实施例，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可进行多种变形和变更。

Claims (33)

1.发光二极管封装件制造方法，其中，包括：
在第一基板上形成多个半导体层叠结构体，且各个所述半导体层叠结构体包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性区域；
准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；
将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；
在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括在各个所述半导体层叠结构体的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别形成第一凸点及第二凸点，
通过将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极，从而所述多个半导体层叠结构体结合于所述第一电极。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的底部填充胶，所述第一凸点及第二凸点贯穿所述底部填充胶。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述底部填充胶包括荧光体和填充剂中的至少一个。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，形成所述底部填充胶包括：
在所述第一基板上形成覆盖所述多个半导体层叠结构体的半固化底部填充胶；
在将所述第一凸点及第二凸点键合到所述第一电极及第二电极期间，使所述半固化底部填充胶固化。
6.如权利要求3所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在进行所述结合之后，还包括形成覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器在分割所述第一基板之后形成为覆盖所述第一基板的侧面。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在分割所述第一基板之后，还包括对分割区域下方的所述底部填充胶的一部分进行部分去除，
所述波长变换器形成为覆盖所述底部填充胶被部分去除而暴露的侧面。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述水分阻挡涂层形成为使所述波长变换器埋设于封装件内。
11.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在进行所述结合之后，还包括形成覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器为含有荧光体的玻璃。
13.如权利要求12所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述玻璃通过低温直接键合而粘贴于所述基板上。
14.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括形成覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。
15.如权利要求14所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述水分阻挡涂层通过交替地层叠有机材料层和无机材料层而形成。
16.如权利要求11所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器在分割所述第一基板之后形成。
17.如权利要求16所述的发光二极管封装件制造方法，其中，所述波长变换器填充所述多个半导体层叠结构体与所述第二基板之间的空间。
18.如权利要求17所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括：
去除所述第一基板的分割区域下方的所述波长变换器，并按照封装件为单位分割波长变换器；
形成覆盖被分割的波长变换器的水分阻挡涂层。
19.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，还包括：在所述第一基板的后表面形成用于提高光提取效率的表面织构。
20.如权利要求1所述的发光二极管封装件制造方法，其中，在分割所述第一基板时，分割成使所述第一基板的侧面相对于所述第一基板的后表面的垂直方向倾斜。
21.一种晶片级发光二极管封装件，其中，包括：
第一基板；
半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为布置于所述第一基板的前表面上的半导体层叠结构体，具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性区域；
具有第一电极及第二电极的第二基板；
多个连接器，电连接所述半导体层叠结构体和所述第一电极及第二电极；
波长变换器，覆盖所述第一基板的后表面的波长变换器。
22.如权利要求21所述的晶片级发光二极管封装件，其中，还包括位于所述第一基板与所述第二基板之间的底部填充胶。
23.如权利要求22所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述底部填充胶包括荧光体和填充剂中的至少一个。
24.如权利要求22所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述波长变换器覆盖所述底部填充胶的侧面中的至少一部分。
25.如权利要求24所述的晶片级发光二极管封装件，其中，还包括覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。
26.如权利要求25所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述水分阻挡涂层覆盖所述底部填充胶的侧面。
27.如权利要求21所述的晶片级发光二极管封装件，其中，还包括覆盖所述波长变换器的水分阻挡涂层。
28.如权利要求25所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述水分阻挡涂层具有有机材料层和无机材料层交替层叠的结构。
29.如权利要求27所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述波长变换器填充所述第一基板与所述第二基板之间的空间。
30.如权利要求21所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述波长变换器为含有荧光体的玻璃。
31.如权利要求30所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述玻璃直接键合于所述第一基板的后表面。
32.如权利要求21所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述第一基板的后表面包括用于提高光提取效率的表面织构。
33.如权利要求21所述的晶片级发光二极管封装件，其中，所述第一基板的侧面相对于所述第一基板的后表面的垂直方向倾斜。
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