TWI622189B - 發光二極體元件 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種發光二極體元件包含：一透明基底；兩電極引腳於該透明基底上；一LED晶粒具有兩個電極、一第一表面及一第二表面相對於該第一表面，該LED晶粒置於該透明基底上，且該LED晶粒的該兩個電極以非金屬線連接的方式對應連接於該兩個電極引腳，該兩個電極設置於該第一表面上；以及一第二基底，該LED晶粒位於透明基底及第二基底之間，使該LED晶粒被該透明基底及該第二基底包覆；其中，該第一表面包含一第一側，該兩個電極引腳互相平行地由該第一側朝著同方向遠離該第一側。

Description

發光二極體元件
本發明係關於一種發光二極體元件。
發光二極體(Light-Emitting Diode；LED)具有耗能低、低發熱、操作壽命長、防震、體積小、反應速度快以及輸出的光波長穩定等良好光電特性，因此適用於各種照明用途。隨著發光二極體朝向高功率發展，LED整體元件之操作溫度將隨之升高，傳統封裝如圖1A所示因散熱不佳容易造成在高功率應用時之發光效率下降。又如圖1B所示之LED元件係將LED晶粒101設置於一散熱器(heat sink)102上後，再經由金屬線104a、104b打線(bonding)電連接至兩電極接腳103a、103b，此種設計仰賴散熱器102散熱，以及金屬打線之製程，造成相當之成本。又以上之設計在水平方向之光場不佳，往往需再增設光學元件於LED元件上以改善水平方向之光場均勻性，造成成本支出及應用上體積或厚度之問題。
本發明係揭露一種發光二極體元件包含：一透明基底；兩電極引 腳於該透明基底上；一LED晶粒具有兩個電極、一第一表面及一第二表面相對於該第一表面，該LED晶粒置於該透明基底上，且該LED晶粒的該兩個電極以非金屬線連接的方式對應連接於該兩個電極引腳，該兩個電極設置於該第一表面上；以及一第二基底，該LED晶粒位於透明基底及第二基底之間，使該LED晶粒被該透明基底及該第二基底包覆；其中，該第一表面包含一第一側，該兩個電極引腳互相平行地自該第一側朝著同方向遠離該第一側；任一該電極引腳具有一第一端及一第二端相對於該第一端，該第一端係被該LED晶粒及該第二基底包夾，且該第二端伸出於該透明基底及該第二基底之外。
本發明之發光二極體元件可包含一自散熱層位於該透明基底上。
101‧‧‧LED晶粒
102‧‧‧散熱器
103a，103b‧‧‧電極接腳
104a，104b‧‧‧金屬線
20，200‧‧‧發光二極體元件
201‧‧‧LED晶粒
201a，201b‧‧‧電極
202a‧‧‧透明基底
203a、203b‧‧‧電極引腳
204a，204b‧‧‧金屬線
30，300‧‧‧發光二極體元件
301‧‧‧LED晶粒
301a,301b‧‧‧電極
302a‧‧‧透明基底
303a、303b‧‧‧電極引腳
304a，304b‧‧‧金屬線
307‧‧‧螢光粉層
308‧‧‧封裝材料
315‧‧‧凹槽
40，400‧‧‧發光二極體元件
401‧‧‧LED晶粒
401a，401b‧‧‧電極
402a‧‧‧第一透明基底
402b‧‧‧第二透明基底
403a，403b‧‧‧電極引腳
405‧‧‧封裝材料
501‧‧‧LED晶粒
502a‧‧‧通明基底
503a，503b‧‧‧電極引腳
509，509X，509Y‧‧‧自散熱層
510‧‧‧絕緣層
60‧‧‧發光二極體元件
601‧‧‧藍光晶粒
601’‧‧‧紅光LED晶粒
611，611a，611b‧‧‧光學元件
70，700‧‧‧發光二極體元件
701‧‧‧LED晶粒
701a，701b‧‧‧電極
702a‧‧‧透明基底層
703a，703b‧‧‧電極引腳
708‧‧‧封裝材料
709‧‧‧自散熱層
712‧‧‧基板
720‧‧‧載體
721‧‧‧基座
722a，722b‧‧‧外部電源接腳
722a’，722b’‧‧‧電源供應墊
723‧‧‧凹槽
800‧‧‧發光二極體元件
821‧‧‧照明面
831‧‧‧光學元件
900‧‧‧背光模組
920‧‧‧載體
923‧‧‧凹槽
930‧‧‧光場情形
第1A圖所示為傳統發光二極體之封裝。
第1B圖所示為傳統具散熱設計之發光二極體元件。
第2圖所示為本發明之發光二極體元件之第一實施例。
第3圖所示為本發明之發光二極體元件之第二實施例。
第4圖所示為本發明之發光二極體元件之第三實施例。
第5圖所示為本發明之發光二極體元件之第四實施例。
第6圖所示為本發明之發光二極體元件之第五實施例。
第7圖所示為本發明之發光二極體元件之第六實施例。
第8圖所示為一習知之背光模組。
第9圖所示為本發明之第七實施例，說明使用本發明實施例之發光二極體元件構成背光模組之情形。
圖2為本發明之發光二極體元件之第一實施例，其形成方法包含：如圖2(a)所示，提供一透明基底202a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)；形成複數組電極引腳203於透明基底上，每一組電極引腳203分別包含兩電極引腳203a、203b；提供複數個LED晶粒201透過一黏接材料黏接於透明基底202a上，其中，每一LED晶粒201具有兩個電極201a、201b，並與其對應之兩電極引腳203a、203b隔開一距離，其情形如圖2(b)所示；提供複數組金屬線204，每一組金屬線204分別包含兩金屬線204a，204b對應地連接每一LED晶粒201之兩電極201a、201b至電極引腳203a、203b；然後，如圖2(c)所示，切割透明基底202a以形成多個發光二極體元件20；最後，如圖2(d)所示，以一封裝材料205，例如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)包覆每一發光二極體元件20，封裝材料205內可選擇性地散佈有螢光粉(圖未示)。其中，前述切割之步驟亦可於封裝材料205包覆發光二極體元件之後進行。另外，亦可選擇性地先形成複數之凹槽(圖未示)於透明基底202a上，每一凹槽對應於每一LED晶粒201設置之位置，並使LED晶粒201置放於凹槽內。
圖2(d)為依本發明第一實施例所形成之發光二極體元件200，包含一透明基底202a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化 鋁(AlN)；一組電極引腳203於透明基底202a上，包含兩電極引腳203a，203b；一LED晶粒201置於透明基底202a上，LED晶粒201與兩電極引腳203a，203b隔開一距離，且LED晶粒201具有兩個電極201a，201b；一組金屬線204，包含兩金屬線204a，204b對應地連接LED晶粒201之兩電極201a，201b至電極引腳203a，203b；及一封裝材料205，例如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)封裝於元件20外圍，即封裝材料205封裝於透明基底202a、LED晶粒201、兩電極引腳203a，203b及兩金屬線204a，204b外圍，並露出部份之兩電極引腳203a，203b。此封裝材料205內可選擇性地散佈有螢光粉(圖未示)。另外，此透明基底202a對於LED晶粒201亦可選擇性地包含一供LED晶粒201置放之凹槽(圖未示)，使LED晶粒201置放於其中。
本發明之發光二極體元件之第二實施例如圖3所示，本實施例為第一實施例之變化。本實施例發光二極體元件之形成方法包括：如圖3(a)所示，提供一透明基底302a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)；形成複數個凹槽315；形成複數組電極引腳303於透明基底上，每一組電極引腳303分別包含兩電極引腳303a、303b；在透明基底302a上形成一螢光粉層307且塗佈於凹槽315及其側壁，其中，螢光粉層307可為混合螢光粉於一如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)之封裝材料中；提供複數個LED晶粒301透過一黏接材料黏接於透明基底302a上，其中，每一LED晶粒301具有兩個電極301a、301b，並與其對應之兩電極引腳303a、303b隔開一距離，其情形如圖3(b)所示；提供複數組金屬線304，每一組金屬線304分別包含兩金屬線304a， 304b對應地連接每一LED晶粒301之兩電極301a、301b至電極引腳303a、303b；然後，如圖3(c)所示，切割透明基底302a以形成多個發光二極體元件30，最後，如圖3(d)所示，以一封裝材料308包覆LED晶粒301、凹槽315、及/或透明基板302a上，由於透明基底302a以及LED晶粒301之間已先設有螢光粉層307，因此於本發明之一實施例中，更可選擇一含有與螢光粉層307相同之螢光粉之封裝材料308覆蓋於LED晶粒301曝露之部份，使LED晶粒301完全為包含螢光粉之封裝材料308所包覆。於本實施例，封裝材料308係完整覆蓋凹槽315之開口。與上述第一實施例不同，如此封裝材料308大致平整貼附於透明基底302a上並覆蓋LED晶粒301，有利於元件之薄化或後續若欲於其上施加光學元件之便利。其中，前述切割之步驟亦可於封裝材料308包覆發光二極體元件之後進行。
因此，依本第二實施例可形成一發光二極體元件300包含：一透明基底302a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)，透明基底302a具有一凹槽315；一螢光粉層307在透明基底302a上且塗佈於凹槽315及其側壁；一組電極引腳303於透明基底302a上，包含兩電極引腳303a，303b；一LED晶粒301置於透明基底302a上且位於凹槽315中，LED晶粒301與兩電極引腳303a，303b隔開一距離，且LED晶粒301具有兩個電極301a，301b；一組金屬線304，包含兩金屬線304a，304b對應地連接LED晶粒301之兩電極301a，301b至電極引腳303a，303b；及一封裝材料308包覆LED晶粒301、凹槽315、及/或透明基板302a上。封裝材料308例如為環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)。此封裝材料308內可選擇性地散佈有螢光粉(圖未示)，此螢光粉可與螢光粉層307 中之螢光粉相同。
本發明之發光二極體元件之第三實施例如圖4所示。本實施例之發光二極體元件之形成方法包含：如圖4(a)所示，提供一第一透明基底402a包含一透明材料，此透明材料可以為如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)；提供複數個LED晶粒401並將其固定於第一透明基底402a上，每一LED晶粒401具有兩個電極401a，401b；如圖4(b)所示，提供一第二透明基底402b包含一透明材料，此透明材料之選擇可如上述第一透明基底402a，且可與第一透明基底402a相同或不同；形成複數組電極引腳403於第二透明基底402b上，每一組電極引腳403分別包含兩電極引腳403a，403b；接著，如圖4(c)所示，將第一透明基底402a與第二透明基底402b對位接合，使每一LED晶粒401之兩個電極401a，401b分別與兩電極引腳403b，403a接觸；切割接合之第一透明基底402a與第二透明基底402b以形成多個發光二極體元件40，最後，如圖4(d)所示，以一封裝材料405，例如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)封裝於每一元件40外圍，即封裝材料405包覆接合之第一透明基底402a與第二透明基底402b，並露出部份之兩電極引腳403a，403b，此環氧樹脂或矽膠內可選擇性地散佈有螢光粉(圖未示)。另外，此第一透明基底402a對於每一LED晶粒401亦可選擇性地先形成一供LED晶粒401置放之凹槽(圖未示)，使LED晶粒401置放於其中。
因此，依本第三實施例可形成一發光二極體元件400包含：一第一透明基底402a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化 鋁(AlN)；一第二透明基底402b包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)，第二透明基底402b連接於第一透明基底402a；一組電極引腳403包含兩電極引腳403a，403b，介於該第一透明基底與該第二透明基底之間；及一LED晶粒401具有兩個電極401a，401b，置於第一透明基底402a與第二透明基底402b之間，其中，LED晶粒401之兩個電極401a，401b對應地連接於兩電極引腳403a，403b。
本發明之發光二極體元件之第四實施例如圖5所示，包含一「自散熱」(”self-heat dissipating”)之設計。本實施例可以前述第一至第三實施例中之任一為基礎，結合本實施例之自散熱層結構以提高發光二極體元件之散熱效率。本實施例之發光二極體元件之形成方法包含：如圖5(a)所示，提供一透明基底502a包含一透明材料，透明基底502a可以例如是前述各實施例中之透明基底202a、透明基底302a、第一透明基底402a、及第二透明基底402b中之任一，於透明基底502a上形成一自散熱層509包含一透明高導熱材料(例如熱導率Thermal Conductivity>100W/mK)，此材料可兼具有高熱輻射之特性。自散熱層509形成於透明基底502a上可提高發光元件之散熱效率。自散熱層509可以為導電材料，例如為薄金屬或合金或含碳之導電材料。薄金屬或合金可選用錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、錫(Pb)、銅(Cu)、鎳(Ni)、或上述金屬之合金。含碳之導電材料可為包含碳組成接近或等於100%之導電材料，例如石墨烯(Graphene)。於一實施例中，自散熱層509包含非導電材料，例如含碳之非導電材料可為碳組成接近或等於100%之非導電材料，例如鑽石或類鑽碳 (Diamond-like Carbon；DLC)。此自散熱層509可以為整層形成於透明基底502a上，或如圖5(a)所示，以例如微影蝕刻方法，形成複數之條紋圖案509Y，或如圖5(b)所示，形成網狀圖案，包括複數之縱向條紋圖案509Y及複數之橫向條紋圖案509X。以第一或第二實施例中之任一為例，則如同圖5(c)所示，一樣形成電極引腳503a，503b於透明基底502a上，並如前述所示，依序完成各步驟如圖5(d)所示。須注意的是，當自散熱層509為導電材料時，為避免短路，可形成一絕緣層510於透明基底502a與LED晶粒501之間，以電性隔絕自散熱層509與LED晶粒501。相對於傳統封裝技術在導線架(lead frame)、金屬打線、固晶材料等方向思索解決散熱問題，但其效果未必良好。本發明自散熱層結構結合於前述各實施例之透明基底上，提供發光二極體元件較大之散熱面積及良好之散熱機制(與空氣接觸之傳導及對流)，具有極佳之散熱效益。另外，當自散熱層為導電材料且形成如圖5(a)之複數之條紋圖案509Y時，部份之線條紋圖案509Y亦可選擇性地與電極引腳503a，503b相接觸，提供另一經由電極引腳503a，503b散熱之散熱路徑；當自散熱層為非導電材料時，例如鑽石，因無須考量短路問題，則不論自散熱層之圖形，自散熱層自亦可選擇性地與電極引腳503a，503b相接觸。
本發明第五實施例如圖6所示，並可結合應用於前述第一至第四實施例中。如圖6(a)所示前述各實施例均可將各發光二極體元件中之LED晶粒數目調整至包括兩個或兩個以上之LED晶粒，例如同時設置藍光LED晶粒601與紅光LED晶粒601’於一發光二極體元件中，其中藍光LED晶粒601的部份可以如前述第二實施例中，在透明基底602a、602b分別形成凹槽(圖未示)並塗佈 黃色螢光粉(圖未示)，以達成暖白光之發光二極體元件60。另外，如圖6(b)所示，亦可以在發光二極體元件600(為一發光二極體元件，例如前述第二或第三實施例之側視圖)之透明基底外圍再設置光學元件611，包括光學元件611a或光學元件611b中任一或兩者，其中光學元件611a及611b包含半球體夾置發光二極體元件600之相對側，增加發光二極體元件600之出光效率。
本發明第六實施例如圖7所示，本實施例之發光二極體元件之形成方法包含：如圖7(a)所示，提供一透明基底702a包含一透明材料，此透明材料之選擇可如第一實施例中透明基底202a所述；如圖7(b)左方所示，在透明基底702a上形成一自散熱層709，包含一透明高導熱材料，並可兼具有高熱輻射之特性。基於避免短路之考量，本實施例之自散熱層為非導電材料，例如含碳之非導電材料可為碳組成接近或等於100%之非導電材料，例如鑽石或類鑽碳(Diamond-like Carbon)。然後在透明基底702a上形成複數組電極引腳703於自散熱層709上，每一組電極引腳703分別包含兩電極引腳703a，703b；此複數組電極引腳703可由例如以蒸鍍等方法形成之一金屬層，再以微影蝕刻方法，形成複數組電極引腳703；接著，如圖7(b)右方所示，提供複數個LED晶粒701設置於一基板712上，基板712於一實施例係為一藍膜(blue tape)。將透明基底702a與基板712對位接合，使每一LED晶粒701的兩個電極701a，701b分別與兩電極引腳703b，703a接觸並固定於透明基底702a上，並使LED晶粒701與基板712分離，其中，基板712如為藍膜(blue tape)，可加熱藍膜使其黏性降低而與LED晶粒701分離，其結果如圖7(c)所示；然後切割與LED晶粒701接合之透明基底 702a以形成多個發光二極體元件70，如圖7(d)左方所示，最後以一封裝材料708，例如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)封裝於每一元件70外圍，形成如圖7(d)右方所示之發光二極體元件700，此環氧樹脂或矽膠內亦可選擇性地散佈有螢光粉(圖未示)。另外，此透明基底702a對於每一LED晶粒701亦可選擇性地先形成一供LED晶粒701置放之凹槽(圖未示)，使LED晶粒701置放於其中，甚至如圖3之第二實施例，亦可使上述螢光粉佈於凹槽中且使LED晶粒701置放於凹槽中且位於螢光粉上。
如圖7(e)所示，本實施例之發光二極體元件700可與一載體(carrier)720相配合使用。此載體720包含一基座(base)721，及兩外部電源接腳722a，722b固定於基座721，其中基座721包含有一凹槽(socket)723可供本實施例之發光二極體元件700插入固定。兩外部電源接腳722a，722b分別各自有一延伸部設置於凹槽723中，形成兩電源供應墊(power supply pad)722a’，722b’，當發光二極體元件700插入凹槽723中時，其兩電極引腳703a，703b分別與兩電源供應墊722a’，722b’相接觸，故而外部電源可由兩外部電源接腳722a，722b經由兩電源供應墊722a’，722b’而供應給發光二極體元件700。除此之外，基座721亦可設計成一散熱器(heat sink)包含一高導熱材料，故而如同圖5之第四實施例所提及，除了自散熱層709於透明基底702a上，可提供良好之散熱路徑外，由於自散熱層709與兩電極引腳703a，703b接觸，又兩電極引腳703a，703b與兩電源供應墊722a’，722b’接觸，又兩電源供應墊722a’，722b’設於凹槽723中並與基座721接觸，故當基座721設計成一散熱器時，以上將形成另一散 熱路徑，有助於散熱。而設計上，亦可使自熱散層709插於凹槽723中時直接與基座721接觸形成一散熱路徑。
本實施例之發光二極體元件700具有垂直及插拔式之特徵，故除了上述優點外，由於此垂直之特徵，即發光二極體元件700插於凹槽723時LED晶粒701係與載體720上表面S垂直，提供發光二極體元件700較大之散熱面積及良好之散熱機制(與空氣接觸之傳導及對流)，特別是自散熱層709設置於透明基底702a上所帶來之散熱效益。以一般之LED晶粒而言，其發光二極體係由p型與n型半導體層間夾置主動層(active layer)堆疊構成，主要發光面即一垂直於p型半導體層、主動層、及n型半導體層堆疊方向之平面；或以出光量來看，一般LED晶粒之側面出光量約小於總出光量之20%，故主要發光面之出光量約大於總出光量之80%，或若為雙面出光則為約大於總出光量之40%，即主要發光面之出光量至少約大於一發光二極體總出光量之30%。故以本實施例而言，LED晶粒701之主要發光面(垂直於p型半導體層、主動層、及n型半導體層堆疊方向之平面，或出光量至少約大於一發光二極體總出光量之30%之平面)即大致垂直於載體720上表面S，而與周遭空氣有較大之接觸面積，有助於散熱。而插拔式之設計省去打線(bonding)之製程成本並使修繕具有彈性。
因此，如圖7(d)右方所示，依本第六實施例可形成一發光二極體元件700包含：一透明基底702a包含一透明材料，如玻璃、藍寶石(Al2O3)、CVD鑽石、及氮化鋁(AlN)；一自散熱層709包括一透明高導熱材料於透明基底702a上；一組電極引腳703於自散熱層709上，電極引腳703包含兩電極引腳703a， 703b；一LED晶粒701置於透明基底702a上且位於自散熱層709上，LED晶粒701具有兩個電極701a，701b對應地連接至電極引腳703b，703a；及一封裝材料708，例如環氧樹脂(Epoxy)或矽膠(silicone)封裝於元件70外圍，封裝材料708包覆LED晶粒701及/或透明基板702a。
而相對於傳統之光源設備，本發明之垂直設計可有效改善水平方向之光場並減少應用上體積或厚度之問題。以應用於顯示設備之背光模組(Backlight)為例，圖8所示為一習知之背光模組。因為使用一般習知之發光二極體元件800，其封裝往往使光場偏於垂直出光，即在垂直方向(如圖中實線箭頭方向)有相對較多之出光。而為使照明面821有較均勻之光分佈，則須仰賴另行增設如圖所示之光學元件831以調整光場，使部份出光轉為水平方向(如圖中虛線箭頭)，而造成背光模組整體厚度h因光學元件831而變厚，且體積增加。相對地，當本發明之發光二極體元件應用於光源設備時，如圖9之本發明第七實施例所示，上述圖7之發光二極體元件700應用於如背光模組(Backlight)900時，因為透明基底及垂直狀態之設計，故在水平方向有良好出光。在圖9中每一發光二極體元件700垂直插入固定於載體(carrier)920上之一凹槽923，且其光場如圖中光場情形930所示，由於透明基底及垂直狀態設計，故在水平方向有良好出光，不需再增設任何光學元件即可在水平方向有均勻之光分佈。故而背光模組整體厚度大致僅為h’之晶粒之大小等級。載體(carrier)920之設計大致為如圖7(e)之載體(carrier)720所示，值得注意的是，載體(carrier)920上發光二極體元件700之配置可以交錯之方式配置，如以一個二維之笛卡兒座標系(two-dimensional Cartesian coordinate system)來說明，載體(carrier)920上凹槽923所在之平面S可以一虛擬之x座標及y座標來說明其上任一點之位置，即(xi,yj)，其中i,j為實數。如圖所示之x1,x2,x3…及y1,y2,y3…等可標示出其上各發光二極體元件700之位置，則如圖所示，x1(及x3)上之兩個發光二極體元件與x2上之兩個發光二極體元件位在交錯之y軸位置(即x1(及x3)上之兩個發光二極體元件在y1及y3，而x2上之兩個發光二極體元件在y2及y4)，或換句話說，有三個發光二極體元件分別大致位在(x1,y1),(x2,y2),(x3,y1)之位置，而大致在(x2,y1)之位置上並沒有配置發光二極體元件，因為如圖所示，(x2,y1)之位置可由大致位在(x2,y2)之位置之發光二極體元件所發出之光將其補足，如此之配置可進一步讓水平方向之光分佈更均勻。
因此，依本第七實施例可形成一光源設備，例如為一背光模組(Backlight)900包含：一第一發光二極體元件；一第二發光二極體元件；一第三發光二極體元件，一載體920具有一第一表面S，第一發光二極體元件、第二發光二極體元件、及一第三發光二極體元件均設於第一表面S上且其配置係以一交錯之方式配置，第一表面S以一二維之笛卡兒座標系(two-dimensional Cartesian coordinate system)包含一虛擬之x座標及y座標(xi,yj)，其中i,j為實數以表示其上任一點之位置，第一、第二、及第三發光二極體元件分別大致在(x1,y1),(x2,y2),(x3,y1)之位置，而大致在(x2,y1)之位置上並沒有配置發光二極體元件。
於上述各不同實施例中，具有相同功用之元件於各實施例雖具有不同之圖示標號，其具有之物理、化學、或電學等特性，除非於各別實施例有 特別限定，應認為具有相同或類似相關特性，而勿須於各實施例一一贅述。
上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發明之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。

Claims (10)

  1. 一種發光二極體元件包含：一透明基底；兩電極引腳於該透明基底上；一LED晶粒具有兩個電極、一第一表面及一第二表面相對於該第一表面，該LED晶粒置於該透明基底上，且該LED晶粒的該兩個電極以非金屬線連接的方式對應連接於該兩個電極引腳，該兩個電極設置於該第一表面上；以及一第二基底，該LED晶粒位於透明基底及第二基底之間，使該LED晶粒被該透明基底及該第二基底包覆；其中，該第一表面包含一第一側，該兩個電極引腳互相平行地自該第一側朝著同方向遠離該第一側；任一該電極引腳具有一第一端及一第二端相對於該第一端，該第一端係被該LED晶粒及該第二基底包夾，且該第二端伸出於該透明基底及該第二基底之外。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中，該兩個電極靠近該第一側設置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中，該透明基底具有一凹槽，該LED晶粒位於該凹槽內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，另包含一螢光材料在透明基底或第二基底上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中，更包含一自散熱層位於該透明基底上，且該LED晶粒位於該自散熱層上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體元件，其中，該自散熱層包括一透明高導熱材料。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體元件，其中，該自散熱層包括薄金屬、合金或石墨烯。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體元件，其中，該自散熱層為含碳之非導電材料，且該含碳之非導電材料包括鑽石、類鑽碳。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中，該兩個電極分別與該兩個電極引腳直接接觸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中，該兩個電極引腳越過該LED晶粒的該第一側。
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