CN110121770A - 显示装置制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置制造方法，根据本发明的一实施例的显示装置制造方法，其中，包括如下步骤：在第一制造基板上形成多个发光二极管芯片；将所述多个发光二极管芯片结合到第二制造基板上；将所述第一制造基板从所述多个发光二极管芯片分离；以及将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片转移到布置有多个第一基板电极和第二基板电极的基板。根据本发明，通过减小发光二极管芯片的发光面积，具有即使供应的电流大小较小，也可以提高在发光二极管芯片中流动的电流密度的效果。

Description

显示装置制造方法
技术领域
本发明涉及一种一种显示装置制造方法，更详细地，涉及将包括于显示装置的发光二极管芯片转移到基板的显示装置制造方法。
背景技术
发光二极管是发出通过电子和空穴的再结合而发生的光的无机半导体元件。近来，发光二极管正在广泛地应用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点。发光二极管正在充分利用这些优点而快速地替代现有的光源。
利用如上所述的发光二极管的电视、显示器或者电子屏等显示装置利用TFT-LCD面板而重现颜色，并且为了将重现的颜色向外部发出而利用背光光源，近来，正在利用发光二极管作为背光源。或者，关于不利用额外的LCD而直接利用发光二极管重现颜色的显示装置的研究也正在持续地进行。
像这样，在将发光二极管用作显示装置的背光光源或者直接利用发光二极管重现色彩时，发光二极管可以在一个像素内布置有一个发光二极管。在此，为了控制各个发光二极管而可以利用TFT并利用有源矩阵(AM：active matrix)或者无源矩阵(PM：passivematrix)，在以AM驱动方式进行驱动的情形下，发光二极管的发光面积是一个像素面积的1/10,000便足够，在以PM驱动方式驱动的情形下，发光二极管的发光面积是一个像素的1/100便足够。
然而，如果利用发光面积超出必要大小的较大的发光二极管，则有可能由于发光二极管中流动的电流密度降低而导致发光二极管的发光效率下降。据此，通过使用具有发光面积相对于像素面积而言较小的发光二极管，从而可以在满足像素内的发光效率的同时提高发光二极管中流动的电流密度。
然而，由于发光面积减小，相对应地发光二极管的尺寸也会减小，像这样，如果发光二极管的尺寸减小，则在贴装众多发光二极管的工序和替换发光二极管的工序中可能具有由于发光二极管的小尺寸而难以执行工序的问题。
发明内容
技术问题
本发明期望解决的课题在于，提供应用有即使使用发光面积相对于像素面积而言较小的发光二极管，也可以提高发光二极管的贴装以及维修工序的收率的发光二极管封装件的显示装置制造方法。
技术方案
根据本发明的一实施例的显示装置制造方法，其中，可以包括如下步骤：在第一制造基板上形成多个发光二极管芯片；将所述多个发光二极管芯片结合到第二制造基板上；将所述第一制造基板从所述多个发光二极管芯片分离；以及将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片转移到布置有多个第一基板电极和第二基板电极的基板。
并且，还可以包括如下步骤：在所述多个发光二极管芯片结合到所述第二制造基板时，向第一制造基板照射激光，从而将所述多个发光二极管芯片从所述第一制造基板分离。
此时，所述转移步骤可以包括如下步骤：将所述多个发光二极管芯片结合到第三制造基板；将所述第二制造基板从所述多个发光二极管芯片分离；将所述多个发光二极管芯片结合到多个第一基板电极和第二基板电极；以及将所述第三制造基板从所述多个发光二极管芯片分离。
并且，所述第二制造基板具有伸缩性，所述转移步骤还可以包括将具有伸缩性的所述第二制造基板拉伸的步骤，所述多个发光二极管芯片结合到所述第三制造基板的步骤是将布置在被拉伸的所述第二制造基板的多个发光二极管芯片结合到所述第三制造基板的步骤。
或者，所述转移步骤可以包括如下步骤：传送装置将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片进行吸附；对第二制造基板执行加热和照射超声波中的任意一个以上，从而从所述第二制造基板将吸附在所述传送装置的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片分离；将被吸附的所述多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片结合到基板；以及从结合在所述基板的多个发光二极管芯片分离传送装置。
或者，所述转移步骤可以包括如下步骤：将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片粘结到形成有多个粘结传送部的传送板；将粘结在所述传送板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片结合到基板；以及从结合在所述基板的多个发光二极管芯片分离传送板。
此时，形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片的间距可以为子像素间距。
或者，布置在所述基板的多个第一基板电极和第二基板电极的间距可以是子像素间距。
在此，多个发光二极管芯片的形成步骤可以包括如下步骤：在所述第一制造基板上形成第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；暴露所述第一导电型半导体层的一部分；在所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上分别形成第一电极和第二电极；形成封装部以覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及在所述封装部上形成与所述第一电极和所述第二电极电连接的第一凸块和第二凸块。
根据本发明的显示装置制造方法可以包括如下步骤：在第一制造基板上形成多个发光二极管芯片；以及将形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片转移到布置有多个第一基板电极和第二基板电极的基板。
并且，为了将所述多个发光二极管芯片从所述第一制造基板分离而向第一制造基板照射激光，所述转移步骤可以是将通过激光而部分分离的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片转移到所述基板的步骤。
此时，所述转移步骤可以包括如下步骤：将形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片结合到所述第一基板电极和所述第二基板电极；以及将所述第一制造基板与结合在所述基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片分离。
在此，多个发光二极管芯片的形成步骤可以包括如下步骤：在所述第一制造基板上形成包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的发光结构体；暴露所述第一导电型半导体层的一部分；在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层上分别形成第一电极和第二电极；以覆盖所述发光结构体和所述第一电极及所述第二电极的方式形成封装部；以及在所述封装部上形成与所述第一电极和所述第二电极电连接的第一凸块和第二凸块。
并且，所述封装部可以形成为包括所述第一制造基板而将其覆盖，从而与相邻的发光二极管芯片连接。
并且，布置在所述基板的多个第一基板电极和第二基板电极的间距可以是子像素间距。
技术效果
根据本发明，通过减小发光二极管的发光面积，具有即使供应的电流大小较小，也可以提高在发光二极管芯片中流动的电流密度的效果。
并且，即使利用发光面积小的发光二极管芯片，通过使发光二极管封装件的尺寸大于发光二极管芯片的尺寸，从而具有可以提高制造显示装置的工序和用于维修显示装置的替换工序的收率的效果。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
图2是示出根据本发明的第二实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
图3是示出根据本发明的第三实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
图4是示出根据本发明的第四实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
图5是示出根据本发明的第五实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
图6是示出根据本发明的一实施例的制造显示装置的发光二极管芯片的制造方法的图。
符号说明
110：基板 120：发光二极管芯片
23：n型半导体层 25：活性层
27：p型半导体层 29：发光结构体
31：n型电极 33：p型电极
35：n型凸块 37：p型凸块
39：封装部 51：第一制造基板
53：第二制造基板 55：第三制造基板
57：第四制造基板 59:第五制造基板
132：第一基板电极 134：第二基板电极
300：传送装置 400：加热装置
500：传送板 510：粘结传送部
S：粘结部
优选实施方式
参照附图对根据本发明的优选实施例进行更加具体的说明。
图1是示出根据本发明的第一实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
参照图1，对根据本发明的第一实施例的显示装置中将发光二极管芯片120转移到基板110上的方法进行说明。
参照图1a，在第一制造基板51上布置多个发光二极管芯片120。此时，多个发光二极管芯片120可以是从外部转移到第一制造基板51上的，或者，也可以在第一制造基板51上生长并制造多个发光二极管芯片120。在此，第一制造基板51可以如基板110，具有绝缘性材料，并且可以具有预定厚度。
并且，多个发光二极管芯片120可以在第一制造基板51上以相隔预定间距P的状态布置。此时，发光二极管芯片120的相隔的间距P可以是显示装置的子像素(sub pixel)间距。
此时，各发光二极管芯片120可以借助从外部供应的电源而发光，并且可以包括发光结构体29、n型电极31、p型电极33、n型凸块35、p型凸块37以及封装部39。并且发光结构体29可以包括n型半导体层23、活性层25以及p型半导体层27。
n型半导体层23、活性层25以及p型半导体层27可以分别包括Ⅲ-Ⅴ族类的化合物半导体。作为一例，可以包括(Al、Ga、In)N等氮化物半导体。并且，n型半导体层23和p型半导体层27的位置可以互换。
n型半导体层23可以是包括n型杂质(例如，Si)的导电型半导体层，p型半导体层27可以是包括p型杂质(例如，Mg)的导电型半导体层。并且，活性层25夹设于n型半导体层23和p型半导体层27之间，并且可以包括多重量子阱结构(MQW)，可以为了能够发出期望的峰值波长的光而决定组成比。
在本实施例中，对n型半导体层23布置在下部，活性层25以及p型半导体层依次布置在n型半导体层23上部的结构的发光结构体29的结构进行说明。并且，p型半导体层27和活性层25的一部分被去除，从而n型半导体层23的一部分可以向外部暴露。
并且，在p型半导体层27的上部布置有p型电极33，从而p型电极33与p型半导体层27电连接，在向上部暴露的n型半导体层23的上部布置有n型电极31，从而n型电极31与n型半导体层23电连接。即，在本实施例中，发光二极管芯片120可以具有在相同方向上布置有n型电极31和p型电极33的水平结构。
并且，在发光结构体29的上部可以布置有封装部39，以覆盖n型电极31、p型电极33以及发光结构体29。封装部39具有电绝缘性，从而可以从外部保护发光结构体29和n型电极31以及p型电极33。在本实施例中，封装部39可以利用透明材料，并且可以根据需要而利用不透明或者半透明的材料。并且，封装部39可以具有与发光结构体29相同的宽度。
n型凸块35和p型凸块37分别布置为覆盖封装部39的部分上表面。并且，通过贯通封装部39的通孔(via)，n型凸块35可以与n型电极31电连接，p型凸块37可以与p型电极33电连接。此时，n型凸块35和p型凸块37可以在封装部39的上表面上相隔，从而彼此电绝缘。
如上所述，在多个发光二极管芯片120布置在第一制造基板51上的状态下，如图1b所示，将第一制造基板51翻转而将多个发光二极管芯片120结合到第二制造基板53。据此，多个发光二极管芯片120的n型凸块35和p型凸块37与第二制造基板53接触。
并且，如图1c所示，在第一制造基板51上部照射激光(laser)。随着照射激光，可以使第一制造基板51和多个发光二极管芯片120分离。
据此，如图1d所示，多个发光二极管芯片120可以转移到第二制造基板53。
并且，参照图1e，在多个发光二极管芯片120的上部结合第三制造基板55。如果第三制造基板55与多个发光二极管芯片120结合，则如图1f所示，去除第二制造基板53。
在此，第二制造基板53和第三制造基板55可以与第一制造基板51相同。
参照图1g，可以将结合在第三制造基板55的多个发光二极管芯片120转移到基板110。基板110配备为用于支撑发光二极管芯片120，并且可以具有绝缘性材料，可以具有预定厚度。
并且，在基板110可以布置有第一基板电极132和第二基板电极134。第一基板电极132可以从基板110的上表面向下表面方向延伸而布置，第二基板电极134也可以从基板110的上表面向下表面方向延伸而布置。并且，第一基板电极132和第二基板电极134可以相隔，从而彼此电绝缘。
并且，基板110的下部可以布置有第四制造基板57，在基板110和第四制造基板57之间可以形成有缓冲层。第四制造基板57可以具有与第一制造基板51相同的材料。并且，可以利用于此后的工序。
并且，在第一基板电极132和第二基板电极134上可以涂覆有粘结部S。
据此，如图1h所示，发光二极管芯片120的p型凸块37和n型凸块35可以分别电结合到第一基板电极132和第二基板电极134。像这样，如果发光二极管芯片120结合到基板110，则可以去除多个发光二极管芯片120上部的第三制造基板55。
图2是示出根据本发明的第二实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
参照图2，对根据本发明的第二实施例的显示装置中将发光二极管芯片120转移到基板110上的方法进行说明。
参照图2a，在第一制造基板51上布置有多个发光二极管芯片120。此时，在本实施例中，第一制造基板51可以具有与第一实施例中的第一制造基板51不同的材料。并且，本实施例中的在第一制造基板51布置多个发光二极管芯片120的过程可以是第一实施例中经过图1a至图1d的过程之后。
在此，第一制造基板51可以利用具有伸缩性的绝缘性材料。可以使第一制造基板51沿长度方向拉伸。据此，多个发光二极管芯片120的相隔距离有可以变大。
在此状态下，如图2b所示，在多个发光二极管芯片120上部结合第二制造基板53。此时，第二制造基板53可以如第一制造基板51，具有伸缩性的绝缘性材料。
并且，参照图2c，通过将第一制造基板51从多个发光二极管芯片120分离，并且将第二制造基板53沿长度方向拉伸而增加多个发光二极管芯片120的相隔距离。
像这样，在拉伸第二制造基板53而使多个发光二极管芯片120的相隔距离被拉伸的状态下，如图2d所示，将第三制造基板55结合到多个发光二极管芯片120。
并且，如图2e所示，将第二制造基板53从多个发光二极管芯片120分离，并将第三制造基板55沿长度方向拉伸，从而可以增加多个发光二极管芯片120的相隔距离。此时，第三制造基板55可以如第一制造基板51，具有伸缩性的绝缘性材料。
在拉伸第三制造基板55的状态下，如图2f所示，在多个发光二极管芯片120上部结合第四制造基板57。并且如图2g所示，将第三制造基板55分离。
并且，在第四制造基板57结合有多个发光二极管芯片120的状态下，如图2h所示，可以将第四制造基板57结合到基板110上。此时，基板110如第一实施例，可以布置有第一基板电极132和第二基板电极134。然而，第一基板电极132和第二电极可以具有与第一实施例不同的形象。第一基板电极132布置为从基板110的上表面向下表面延伸，并且布置为贯通基板110。第一基板电极132分别布置在基板110的上表面和下表面，布置在基板110的上表面的部分和布置在基板110的下表面的部分通过形成在基板110的贯通孔而彼此电连接。并且，第二基板电极134也如第一基板电极132，分别布置在基板110的上表面和下表面，布置在上表面的部分和布置在基板110的下表面的部分通过形成在基板110的贯通孔而彼此电连接。此时，第一基板电极132和第二基板电极134可以以彼此相隔的状态绝缘。
布置在基板110的上表面的第一基板电极132和第二基板电极134可以分别与n型凸块35和p型凸块37电连接，且可以分别涂覆有粘结部S，以使该第一基板电极132和第二基板电极134分别与n型凸块35和p型凸块37电结合。
像这样，如果在基板110结合有多个发光二极管芯片120，则如图2i所示，可以去除第四制造基板57。此时，在基板110的下部可以布置有第五制造基板59，在基板110和第五制造基板59之间可以布置有缓冲层。
图3是示出根据本发明的第三实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
参照图3，对根据本发明的第三实施例的显示装置中将发光二极管芯片120转移到基板110上的方法进行说明。
参照图3a，在第一制造基板51上布置有多个发光二极管芯片120。此时，在本实施例中，虽然布置有多个发光二极管芯片120的第一制造基板51与第一实施例中的图1a相同，但图3a可以是将图1a以旋转180度的状态示出的图。
并且，如图3b所示，将第二制造基板53结合在多个发光二极管芯片120的下部，并且如图3c所示，从第一制造基板51的上部照射激光。据此，可以将多个发光二极管芯片120和第一制造基板51分离。
像这样，在图3d示出了发光二极管芯片120和第一制造基板51被分离的状态。
如果在第二制造基板53上贴装有多个发光二极管芯片120，则为了将部分发光二极管芯片120转移，在其上部布置传送装置300。传送装置300可以将按预定间隔布置的发光二极管芯片120吸附，并将发光二极管芯片120从第二制造基板53转移到其他地方。此时，传送装置300可以吸附布置在第二制造基板53上的多个发光二极管芯片120中的一部分发光二极管芯片120而进行转移。
在本实施例中，对传送装置300为了转移相邻地布置的三个发光二极管芯片120中的一个发光二极管芯片120而能够进行吸附的情形进行说明，用传送装置300传送的发光二极管芯片120的个数可以根据需要而不同。
并且，如图3f所示，如果传送装置300吸附多个发光二极管芯片120，则在相关发光二极管芯片120的下部可以有加热装置400进行工作。加热装置400可以为了从第二制造基板53分离被传送装置300吸附的发光二极管芯片120而对布置有相关发光二极管芯片120的第二制造基板53进行加热并且施加超声波振动。
据此，如图3g所示，可以在传送装置300吸附多个发光二极管芯片120。
像这样，被吸附在传送装置300的多个发光二极管芯片120被移动，从而如图3h所示地结合到基板110。在此，基板110可以布置有第一基板电极132和第二基板电极134。并且，在基板110的下部可以结合有第三制造基板55和第四制造基板57。
并且，如图3i所示，传送装置300从结合在基板110上的多个发光二极管芯片120分离。并且，结合在第四制造基板57的下部的第三制造基板55可以通过加热而被分离。
在此，第二制造基板53、第三制造基板55以及第四制造基板57可以分别和第一制造基板51相同，第一制造基板51可以与第一实施例中相同。并且，第三制造基板55可以配备为用于承受在多个发光二极管芯片120从传送装置300结合到基板110时可能产生的压力。
图4是示出根据本发明的第四实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
参照图4，对根据本发明的第四实施例的显示装置中将发光二极管芯片120转移到基板110上的方法进行说明。
参照图4a，在第一制造基板51上布置有多个发光二极管芯片120。并且，由于图4a至图4d所示的工序以与第三实施例相同的工序进行，因此省略对其的详细说明。
参照图4e，在第二制造基板53上布置有多个发光二极管芯片120，在上部布置有传送板500。传送板500虽然起到与第三实施例中的传送装置300相同的作用，但在本实施例中，传送板500可以包括多个粘结传送部510。据此，多个发光二极管芯片120中的一部分发光二极管芯片120粘结到粘结传送部510，从而结合到传送板500。如图4f所示，多个粘结传送部510可以按照行和列而有规则地排列在传送板500。
这样结合到传送板500的多个发光二极管如图4g所示。
并且，粘结在传送板500的多个发光二极管芯片120可以被移动，从而如图4h所示地结合到基板110。并且如图4i所示，将传送板500和多个发光二极管芯片120分离。此时，由于基板110与第三实施例中的基板相同，因此省略对其的说明。
图5是示出根据本发明的第五实施例的将显示装置的发光二极管芯片转移到基板上的转移方法的图。
参照图5，对根据本发明的第五实施例的显示装置中将发光二极管芯片120转移到基板110上的方法进行说明。
参照图5a，在第一制造基板51上布置有多个发光二极管芯片120。此时，在本实施例中，多个发光二极管芯片120可以与第一实施例中的多个发光二极管芯片相同。然而，根据需要，发光二极管芯片120的封装部39与相邻的发光二极管芯片120相连。这是由于随着在第一制造基板51上生长并制造发光二极管芯片120，如图5a所示，在相邻的发光二极管芯片120之间可以彼此连接有封装部39。
并且，如图5b所示，可以将布置有多个发光二极管芯片120的第一制造基板51翻转而在第一制造基板51的上部照射激光。据此，第一制造基板51和各个发光二极管芯片120的一部分可以被分离。此时，发光二极管芯片120的n型半导体层23和第一制造基板51之间可以由于激光的照射而分离，根据封装部39与相邻的发光二极管芯片120相连，第一制造基板51可能不从各个第一制造基板51上完全分离。
参照图5c，在这种状态下将第一制造基板51布置在基板110上，以使多个发光二极管芯片120中的一部分发光二极管芯片120结合到基板110上。此时，如第二实施例，在基板110可以布置有第一基板电极132和第二基板电极134，并且在第一基板电极132和第二基板电极134上可以涂覆有粘结部S。据此，与基板110的第一基板电极132和第二基板电极134接触的发光二极管芯片120可以结合到基板110上。
即，如图5c所示，布置在基板110的多个第一基板电极132和第二基板电极134可以不以布置在第一制造基板51上的多个发光二极管芯片120之间的间距布置。多个第一基板电极132和第二基板电极134可以以比布置在第一制造基板51上的多个发光二极管芯片120更宽的间距布置。据此，在第一制造基板51和基板110对向的状态下，布置在第一制造基板51的多个发光二极管芯片120中的一部分发光二极管芯片120可以布置在基板110上。
在此，由于在第一基板电极132和第二基板电极134涂覆有粘结部S，只有与粘结部S结合的多个发光二极管芯片120能够结合到基板110。本实施例中，虽然示出了两个发光二极管芯片120中只有一个结合到了基板110上的情形，但其可以根据需要而改变。
据此，如图5d所示，多个发光二极管芯片120可以布置在基板110上。此时，布置在基板110上的多个发光二极管芯片120的间距可以是显示装置的子像素间距。
并且，由于本实施例中的基板110与第二实施例至第四实施例中的基板110相同，因此省略对其的说明。
图6是示出根据本发明的一实施例的制造显示装置的发光二极管芯片的制造方法的图。
参照图6对显示装置中在第一制造基板51上制造发光二极管芯片120的过程进行说明。
在图6的各个附图中，左侧的图示出了剖面图，右侧的图示出了平面图。
参照图6a，在第一制造基板51上生长n型半导体层23、活性层25以及p型半导体层27。
并且，如图6b所示，去除活性层25和p型半导体层27的一部分而使n型半导体层23向上部暴露。此时，向上部暴露的n型半导体层23可以如图6b的平面图，以T字型暴露。
并且如图6c所示，在暴露的n型半导体层23的上部形成n型电极31。n型电极31的形状也可以如暴露的n型半导体层23，形成为T字型。并且，n型电极31可以以与活性层25以及p型半导体层27相隔而绝缘的状态形成。
然后，如图6d所示，在p型半导体层27的上部形成p型电极33。此时，p型电极33可以如p型半导体层27的上表面的形状，形成为匚字形状。
并且，参照图6e，封装部39可以形成为将n型电极31、p型电极33以及发光二结构体29全部覆盖。封装部39以与发光结构体29的宽度相同的宽度形成。据此，封装部39可以不覆盖到发光结构体29的侧表面。
然后，参照图6f，通过蚀刻一部分封装部39，可以形成暴露n型电极31和p型电极33的通孔(via)。此时，通过通孔(via)暴露的n型电极31和p型电极33分别可以是n型电极31和p型电极33的一部分。
并且，参照图6g，在封装部39的上部分别形成n型凸块35和p型凸块37。n型凸块35形成在n型电极31的上部，p型凸块37布置在p型电极33的上部。并且n型凸块35可以通过形成在封装部39的通孔(via)而与n型电极31电连接，p型凸块37可以通过形成在封装部39的通孔(via)而与p型电极33电连接。
可以通过如上所述的制造方法而在第一制造基板51上制造发光二极管芯片120。
如上所说明，虽然通过参照附图的实施例而进行了针对本发明的具体说明，但上述实施例仅举例说明了本发明的优选的示例，因此不应理解为本发明仅限于所述实施例，本发明的权利范围应当按权利要求书记载的范围及其等价概念来理解。

Claims (15)

1.一种显示装置制造方法，其中，包括如下步骤：
在第一制造基板上形成多个发光二极管芯片；
将所述多个发光二极管芯片结合到第二制造基板上；
将所述第一制造基板从所述多个发光二极管芯片分离；以及
将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片转移到布置有多个第一基板电极和第二基板电极的基板。
2.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，还包括如下步骤：
在所述多个发光二极管芯片结合到所述第二制造基板时，向第一制造基板照射激光，从而将所述多个发光二极管芯片从所述第一制造基板分离。
3.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
所述转移步骤包括如下步骤：
将所述多个发光二极管芯片结合到第三制造基板；
将所述第二制造基板从所述多个发光二极管芯片分离；
将所述多个发光二极管芯片结合到多个第一基板电极和第二基板电极；以及
将所述第三制造基板从所述多个发光二极管芯片分离。
4.如权利要求3所述的显示装置制造方法，其中，
所述第二制造基板具有伸缩性，所述转移步骤还包括将具有伸缩性的所述第二制造基板拉伸的步骤，
所述多个发光二极管芯片结合到所述第三制造基板的步骤是将布置在被拉伸的所述第二制造基板的多个发光二极管芯片结合到所述第三制造基板的步骤。
5.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
所述转移步骤包括如下步骤：
传送装置将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片进行吸附；
对第二制造基板执行加热和照射超声波中的任意一个以上，从而从所述第二制造基板将吸附在所述传送装置的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片分离；
将被吸附的所述多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片结合到基板；以及
从结合在所述基板的多个发光二极管芯片分离传送装置。
6.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
所述转移步骤包括如下步骤：
将结合在所述第二制造基板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片粘结到形成有多个粘结传送部的传送板；
将粘结在所述传送板的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片结合到基板；以及
从结合在所述基板的多个发光二极管芯片分离传送板。
7.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片的间距为子像素间距。
8.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
布置在所述基板的多个第一基板电极和第二基板电极的间距是子像素间距。
9.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，
多个发光二极管芯片的形成步骤包括如下步骤：
在所述第一制造基板上形成第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；
暴露所述第一导电型半导体层的一部分；
在所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上分别形成第一电极和第二电极；
形成封装部以覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及
在所述封装部上形成与所述第一电极和所述第二电极电连接的第一凸块和第二凸块。
10.一种显示装置制造方法，其中，包括如下步骤：
在第一制造基板上形成多个发光二极管芯片；以及
将形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片转移到布置有多个第一基板电极和第二基板电极的基板。
11.如权利要求10所述的显示装置制造方法，其中，还包括：
为了将所述多个发光二极管芯片从所述第一制造基板分离而向第一制造基板照射激光，
所述转移步骤是将通过激光而部分分离的多个发光二极管芯片中的一部分发光二极管芯片转移到所述基板的步骤。
12.如权利要求10所述的显示装置制造方法，其中，
所述转移步骤包括如下步骤：
将形成在所述第一制造基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片结合到所述第一基板电极和所述第二基板电极；以及
将所述第一制造基板与结合在所述基板的多个发光二极管芯片中的至少一部分发光二极管芯片分离。
13.如权利要求10所述的显示装置制造方法，其中，
多个发光二极管芯片的形成步骤包括如下步骤：
在所述第一制造基板上形成包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的发光结构体；
暴露所述第一导电型半导体层的一部分；
在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层上分别形成第一电极和第二电极；
以覆盖所述发光结构体和所述第一电极及所述第二电极的方式形成封装部；以及
在所述封装部上形成与所述第一电极和所述第二电极电连接的第一凸块和第二凸块。
14.如权利要求13所述的显示装置制造方法，其中，
所述封装部形成为包括所述第一制造基板而将其覆盖，从而与相邻的发光二极管芯片连接。
15.如权利要求10所述的显示装置制造方法，其中，
布置在所述基板的多个第一基板电极和第二基板电极的间距是子像素间距。
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