CN113421955B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置,包含基材以及发光二极管装置。基材包含透光体以及导线层。透光体具有透光体第一表面。导线层设置于透光体第一表面。发光二极管装置包含基座以及发光二极管芯片。基座设置于导线层相对于透光体之一侧并电连接于导线层,具有朝向透光体第一表面之基座第一表面。发光二极管芯片设置于基座第一表面。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置;具体而言,本发明特别涉及一种透明显示装置。
背景技术
随着显示科技的进步,透明显示装置已经逐渐被开发。透明显示装置通常藉由其本身具备的一定程度的透光性,让使用者能够清楚观看到装置后方的背景影像,因此可应用于建筑物窗户、汽车车窗、商店橱窗等处,备受市场关注。
如图1所示的现有技术,现有透明显示装置是在基板10之一侧设置发光二极管20,使其出光方向朝向使用者/观看者,另一侧则设置在玻璃80上以作为支撑。因为发光二极管20与使用者/观看者(符号60表示使用者/观看者之眼睛)位在玻璃80之同一侧,所以发光二极管20较容易受到来自使用者/观看者一侧的碰撞等外力作用,增加损伤的机会,减损耐用性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置,具有较佳的耐用性。
本发明的显示装置包含基材以及发光二极管装置。基材包含透光体以及导线层。透光体具有透光体第一表面。导线层设置于透光体第一表面。发光二极管装置包含基座以及发光二极管芯片。基座设置于导线层相对于透光体之一侧并电连接于导线层,具有朝向透光体第一表面之基座第一表面。发光二极管芯片设置于基座第一表面。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有技术示意图。
图2为本发明显示装置的实施例示意图。
图3为本发明显示装置的不同实施例示意图。
图4为本发明显示装置的不同实施例示意图。
其中,附图标记:
10...基板
20...发光二极管
60...眼睛
80...玻璃
100...基材
102...基材通孔
110...透光体
111...透光体第一表面
112...透光体第二表面
120...导线层
200...发光二极管装置
210...基座
211...基座第一表面
220...发光二极管芯片
221...芯片出光面
230...封装体
231...封装体出光面
240...发光二极管电极
310...焊锡
320...焊锡
330...焊锡
340...焊锡
350...焊锡
400...转接件
401...转接件第一表面
402...转接件第二表面
410...转接件电极
420...凹部
420A...转接电极位在转接件第一表面之部分
420B...转接电极位在转接件第二表面之部分
430...转接件通孔
711...第一宽度
712...第二宽度
713...第三宽度
721...第一距离
722...第二距离
723...第三距离
800...透光基板
900...显示装置
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例并配合图式以说明本发明所公开的连接组件的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。然而,以下所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围,在不悖离本发明构思精神的原则下,本领域技术人员可基于不同观点与应用以其它不同实施例实现本发明。在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,「连接」可以指物理及/或电性连接。再者,「电性连接」或「耦合」系可为二元件间存在其它元件。
应当理解,尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种组件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的「第一元件」、「部件」、「区域」、「层」或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
此外,诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个组件与另一组件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它组件的”下”侧的组件将被定向在其它组件的「上」侧。因此,示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它组件「下方」或「下方」的组件将被定向为在其它组件「上方」。因此,示例性术语「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
本文使用的「约」、「近似」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的「约」、「近似」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
如图2所示的实施例,本发明的显示装置900包含基材100以及发光二极管装置200。基材100包含透光体110以及导线层120。透光体110具有透光体第一表面111。导线层120设置于透光体第一表面111。进一步而言,透光体110具有光穿透性,导线层120由导电线路构成。在一实施例中,透光体110是由例如聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate,PET)、聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride,PVC)、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等具有可挠性的透明高分子膜片制成,导线层120是由氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、掺锑氧化锡(Antimony Doped Tin Oxide)、掺金属氧化锌(Metal-doped ZnO)、等透明导电材料制成的线路所构成。于其它实施例中,导线层120亦可使用导电银浆、导电油墨材料等制成透明与非透明线路。显示装置900进一步包含透光基板800,设置于110透光体与透光体第一表面111相反之一侧。
如图2所示的实施例,发光二极管装置200包含基座210以及发光二极管芯片220。基座210设置于导线层120相对于透光体110之一侧并电连接于导线层120,具有朝向透光体第一表面111之基座第一表面211。基座210可为片形或杯形。发光二极管芯片220设置于基座第一表面211。
透光体110更具有相对透光体第一表面111的透光体第二表面112。发光二极管芯片220更具有芯片出光面221,其中芯片出光面221与透光体第二表面112之朝向相同,且未突出于透光体第二表面112。
进一步而言,发光二极管装置200还包含封装体230以及发光二极管电极240。封装体230设置于基座第一表面211,包覆发光二极管芯片220。其中,封装体230可以是例如透明的、半透明的、或发荧光的,而且可以混入例如磷光物质等的波长转换材料。封装体230可由硅树脂、环氧树脂、玻璃、塑料或其它材料制成。封装体230相对于基座第一表面211之另一侧具有封装体出光面231。发光二极管电极240设置于基座210之边缘,且分别与发光二极管芯片220及导线层120耦接。
基于上述,发光二极管装置200是以其出光方向朝向透光基板800之方式设置于基材100上,发光二极管装置200发出的光线通过透光基板800,供位于透光基板800另一侧之使用者观看。其中,符号60表示使用者/观看者之眼睛。因为发光二极管装置200与使用者位于透光基板800之相反两侧,所以可减少发光二极管装置200受到来自透光基板800之使用者一侧的碰撞等外力作用,降低损伤的机会,提升耐用性。
更具体而言,在如图2所示的实施例中,基材100具有基材通孔102,至少部分之封装体230容置于基材通孔102中。其中,透光体110与导线层120分别具有在相对于透光基板800的垂直投影重迭的镂空部位,并共同形成基材通孔102。在不同制程中,可在设置导线层120于透光体110之后,对基材100进行穿孔以形成基材通孔102;亦可在对透光体110进行穿孔后,在透光体110有穿孔以外的位置设置导线层120,此时透光体110之穿孔实质上即为基材通孔102。
如图2所示的实施例,发光二极管装置200以封装体出光面231朝向透光基板800之方式设置于基材100上,使封装体230容置于基材通孔102中。换言之,至少部分的光二极管装置200容置于基材通孔102中。藉此,可降低显示装置900之厚度。其中,发光二极管电极240可藉由设置焊锡、导电胶310等方式与导线层120耦接。封装体出光面231具有第一宽度711,基材通孔102具有大于第一宽度711之第二宽度712,使封装体230得以容置于基材通孔102中。
在一实施例中,封装体出光面231为正方形,第一宽度711为正方形的边长,基材通孔102为正方型或圆孔,第二宽度712为正方型的边长或直径。当第一宽度711小于2mm,第二宽度712与第一宽度711的差介于0.1至0.5mm。当第一宽度711介于2至5mm,第二宽度712与第一宽度711的差介于0.1至1.5mm。当第一宽度711大于5mm,第二宽度712与第一宽度711的差介于0.2至4mm。据此,可便利封装体230容置于基材通孔102中,又避免封装体230与基材通孔102之侧壁摩擦或碰撞。
如图2所示的实施例,为了便于将基材100设置于透光基板800且避免封装体230与透光基板800触碰,基材100宜具有相当的厚度。具体而言,在一实施例中,透光体110具有与透光体第一表面111位于相反侧之透光体第二表面112,封装体出光面231与透光体第二表面112在沿垂直透光体第二表面112之方向具有第一距离721,此即封装体出光面231与透光基板800之间的距离。当第一宽度711小于2mm,第一距离721大于0.1mm。当第一宽度711介于2至5mm,第一距离721大于0.1mm。当第一宽度711大于5mm,第一距离721大于0.2mm。
在不同实施例中,基于例如基材100不方便设置穿孔等的原因,发光二极管装置200可藉由其它方式间接设置于基材100上。如图3所示的实施例,显示装置900进一步包含转接件400,设置于导线层120相对于透光体110之相反侧。发光二极管装置200设置在转接件400上。其中,转接件400包含转接件电极410,发光二极管电极240藉由转接件电极410与导线层120耦接。
更具体而言,如图3所示的实施例,转接件400为支架,具有朝向透光体110之转接件第一表面401,转接电极410设置于转接件第一表面401,使发光二极管芯片220朝向透光体110。转接件第一表面401往远离透光体110之方向形成凹部420,发光二极管装置200设置于凹部420中。其中,发光二极管电极240可藉由设置焊锡320等方式与转接电极410耦接,转接电极410可藉由设置焊锡330等方式与导线层120耦接,据此可使发光二极管电极240与导线层120耦接。支架形式的转接件400可具弹性地根据使用或制造的考虑加以调整,例如根据发光二极管装置200之外观调整其形状或转接电极410的设置方式。
如图3所示的实施例,为了避免封装体230与透光体110触碰,凹部420宜具有相当的深度。具体而言,在一实施例中,封装体出光面231与透光体第一表面111具有第二距离722。当第一宽度711小于2mm,第二距离722大于0.1mm。当第一宽度711介于2至5mm,第二距离722大于0.1mm。当第一宽度711大于5mm,第二距离722大于0.2mm。
在不同实施例中,基于节省制造成本等的考虑,可采用常见的组件作为转接件400。如图4所示的实施例,转接件400为电路板,具有位于相反侧之转接件第一表面401以及转接件第二表面402。转接件第一表面401朝向透光体110,转接电极420由转接件第一表面401延伸至转接件第二表面402。由于电路板是常见组件,有成熟的制程及稳定的质量,使用电路板作为转接件400可降低设计及制造成本。
更具体而言,转接电极420位在转接件第一表面401之部分420A与位在转接件第二表面402之部分420B分别与导线层120及发光二极管电极240连接。其中,发光二极管电极240可藉由设置焊锡340等方式与转接电极420位在转接件第二表面402之部分420B耦接,转接电极420位在转接件第一表面401之部分420A可藉由设置焊锡350等方式与导线层120耦接,据此可使发光二极管电极240与导线层120耦接。
如图4所示的实施例,转接件400具有转接件通孔430,至少部分之封装体230容置于转接件通孔430中。封装体出光面231具有第一宽度711,转接件通孔430具有大于第一宽度711之第三宽度713,使封装体230得以容置于转接件通孔430中。
在一实施例中,封装体出光面231为正方形,第一宽度711为正方形的边长,转接件通孔430为正方型或圆孔,第三宽度713为正方型的边长或直径。当第一宽度711小于2mm,第三宽度713与第一宽度711的差介于0.1至0.5mm。当第一宽度711介于2至5mm,第三宽度713与第一宽度711的差介于0.1至1.5mm。当第一宽度711大于5mm,第三宽度713与第一宽度711的差介于0.2至4mm。据此,可便利封装体230容置于转接件通孔430中,又避免封装体230与转接件通孔430之侧壁摩擦或碰撞。
如图4所示的实施例,为了避免封装体230与透光体110触碰,两者间宜具有相当的距离。具体而言,在一实施例中,封装体出光面231与透光体第一表面111具有第三距离723。当第一宽度711小于2mm,第三距离723大于0.1mm。当第一宽度711介于2至5mm,第三距离723大于0.1mm。当第一宽度711大于5mm,第三距离723大于0.2mm。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明之范例。必需指出的是,已揭露之实施例并未限制本发明之范围。相反地,包含于申请专利范围之精神及范围之修改及均等设置均包含于本发明之范围内。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示装置,其特征在于,包含:
一基材,包含:
一透光体,具有一透光体第一表面;以及
一导线层,设置于该透光体第一表面;以及
一发光二极管装置,包含:
一基座,设置于该导线层相对于该透光体的一侧并电连接于该导线层,具有一朝向该透光体第一表面的基座第一表面;
一发光二极管芯片,设置于该基座第一表面;
一封装体,设置于该基座第一表面,包覆该发光二极管芯片,该封装体相对于该基座第一表面的一侧具有一封装体出光面;该基材具有一基材通孔,至少部分的该封装体容置于该基材通孔中;以及
一发光二极管电极,设置于该基座,且分别与该发光二极管芯片及该导线层耦接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该透光体更具有相对该透光体第一表面的一透光体第二表面,该发光二极管芯片更具有一芯片出光面,该芯片出光面与该透光体第二表面的朝向相同,且未突出于该透光体第二表面。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该封装体出光面具有一第一宽度,该基材通孔具有一大于该第一宽度的第二宽度,其中:
当该第一宽度小于2mm,该第二宽度与该第一宽度的差介于0.1至0.5mm;
当该第一宽度介于2至5mm,该第二宽度与该第一宽度的差介于0.1至1.5mm;
当该第一宽度大于25m,该第二宽度与该第一宽度的差介于0.2至4mm。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该封装体出光面具有一第一宽度,该透光体具有一与该透光体第一表面位于相反侧的透光体第二表面,该封装体出光面与该透光体第二表面在沿垂直该透光体第二表面的方向具有一第一距离,其中:
当该第一宽度小于2mm,该第一距离大于0.1mm;
当该第一宽度介于2至5mm,该第一距离大于0.1mm;
当该第一宽度大于5mm,该第一距离大于0.2mm。
5.一种显示装置,其特征在于,包含:
一基材,包含:
一透光体,具有一透光体第一表面;以及
一导线层,设置于该透光体第一表面;以及
一发光二极管装置,包含:
一基座,设置于该导线层相对于该透光体的一侧并电连接于该导线层,具有一朝向该透光体第一表面的基座第一表面;
一发光二极管芯片,设置于该基座第一表面;
一封装体,设置于该基座第一表面,包覆该发光二极管芯片,该封装体相对于该基座第一表面的一侧具有一封装体出光面;以及
一发光二极管电极,设置于该基座,且分别与该发光二极管芯片及该导线层耦接;
一转接件,设置于该导线层相对于该透光体的相反侧,该发光二极管装置设置在该转接件上,其中,该转接件包含一转接件电极,该发光二极管电极借由该转接件电极与该导线层耦接。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,该透光体更具有相对该透光体第一表面的一透光体第二表面,该发光二极管芯片更具有一芯片出光面,该芯片出光面与该透光体第二表面的朝向相同,且未突出于该透光体第二表面。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,该转接件为支架,具有一朝向该透光体的转接件第一表面,一转接电极设置于该转接件第一表面,该转接件第一表面往远离该透光体的方向形成一凹部,该发光二极管装置设置于该凹部中。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,该封装体出光面具有一第一宽度,该封装体出光面与该透光体第一表面具有一第二距离,其中:
当该第一宽度小于2mm,该第二距离大于0.1mm;
当该第一宽度介于2至5mm,该第二距离大于0.1mm;
当该第一宽度大于5mm,该第二距离大于0.2mm。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,该转接件为电路板,具有位于相反侧的一转接件第一表面以及一转接件第二表面,该转接件第一表面朝向该透光体,一转接电极由该转接件第一表面延伸至该转接件第二表面,该转接电极位在该转接件第一表面的部分与位在该转接件第二表面的部分分别与该导线层及该发光二极管电极连接,该转接件具有一转接件通孔,至少部分之该封装体容置于该转接件通孔中。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,该封装体出光面具有一第一宽度,该转接件通孔具有一大于该第一宽度的第三宽度,其中:
当该第一宽度小于2mm,该第三宽度与该第一宽度的差介于0.1至0.5mm;
当该第一宽度介于2至5mm,该第三宽度与该第一宽度的差介于0.1至1.5mm;
当该第一宽度大于25m,该第三宽度与该第一宽度的差介于0.2至4mm。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1889302A1 (en) * 2005-05-25 2008-02-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system with leds
CN102856460A (zh) * 2011-06-27 2013-01-02 台达电子工业股份有限公司 发光二极管元件、其制作方法以及发光装置
CN109273574A (zh) * 2017-07-12 2019-01-25 三星电子株式会社 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置
KR20190024615A (ko) * 2017-08-28 2019-03-08 주식회사 루멘스 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치
CN110112277A (zh) * 2019-04-30 2019-08-09 厦门天马微电子有限公司 一种发光二极管、背光模组及显示装置
CN110121770A (zh) * 2017-03-13 2019-08-13 首尔半导体株式会社 显示装置制造方法
CN111916434A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 新宸科技股份有限公司 一种显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218610A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR100963743B1 (ko) * 2009-06-23 2010-06-14 한국광기술원 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
TWI403004B (en) * 2009-09-04 2013-07-21 Led package structure for increasing heat-dissipating effect and light-emitting efficiency and method for making the same
WO2018080061A2 (ko) * 2016-10-25 2018-05-03 서울반도체주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
US10497845B2 (en) * 2017-03-27 2019-12-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
TWI722405B (zh) * 2019-03-28 2021-03-21 佳世達科技股份有限公司 顯示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1889302A1 (en) * 2005-05-25 2008-02-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system with leds
CN102856460A (zh) * 2011-06-27 2013-01-02 台达电子工业股份有限公司 发光二极管元件、其制作方法以及发光装置
CN110121770A (zh) * 2017-03-13 2019-08-13 首尔半导体株式会社 显示装置制造方法
CN109273574A (zh) * 2017-07-12 2019-01-25 三星电子株式会社 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置
KR20190024615A (ko) * 2017-08-28 2019-03-08 주식회사 루멘스 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치
CN110112277A (zh) * 2019-04-30 2019-08-09 厦门天马微电子有限公司 一种发光二极管、背光模组及显示装置
CN111916434A (zh) * 2019-05-07 2020-11-10 新宸科技股份有限公司 一种显示装置

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