CN102856460A - 发光二极管元件、其制作方法以及发光装置 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管元件、其制作方法以及发光装置，该发光二极管元件包含一半导体叠层体、一第一电极及一第二电极。半导体叠层体具有大致垂直预定表面的发光有源层及位于两相反侧的第一半导体层及第二半导体层。第一电极电连接第一半导体层。第二电极电连接第二半导体层。此外，本发明还提供上述发光二极管元件的制作方法，以及具有上述发光二极管元件的发光装置。

Description

发光二极管元件、其制作方法以及发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光二极管元件，尤其涉及一种使其发光有源层垂直于基座的安装面且可自行站立于安装面上的发光二极管元件及其制作方法。

背景技术

发光二极管元件具有反应速度快、寿命长，以及体积小等优点，可广泛地作为各种型式的光源。发光二极管元件经由将半导体制程制得的发光晶粒焊接于基座上，藉以通过基座与外部电源电连接。发光晶粒主要包含一基板，以及形成在基板上的一P型半导体层、一发光有源层与一N型半导体层。在发光有源层中，电子与空穴的再结合作用可产生光子，是发光晶粒所发射的光线来源。

发光有源层所产生的光子是不具有方向性的，光子可由四面八方离开发光有源层。由于传统封装制程将发光晶粒水平地安装于基座上，以便采用打线接合或覆晶接合电连接发光晶粒的电极与基座上的焊垫。这样的安装方式使发光晶粒的发光有源层平行于基座的安装面，并造成发光有源层下表面发出的光子朝基座行进，对整体发光二极管元件的发光效率较无贡献。纵使通过在发光有源层下方形成反射层，将光子向上反射，但由于光子的行进路程较长以致可能被发光晶粒或封装材料吸收而造成的损耗，对整体发光效率的贡献仍低。

因此，美国专利US7847306披露了一种发光二极管元件，是将发光晶粒直立地安装于基座上，使发光有源层垂直于基座的安装面，藉此使发光有源层上下两相反表面所发出的光子可从发光晶粒的左右两侧分别向外射出，藉此可提高整体发光二极管元件的发光效率。

然而，上述发光二极管元件将其二电极设置在发光晶粒的同一侧表面上，由于电极会遮蔽光线，导致发光晶粒两相反表面的出光量不一致，需要额外在另一侧表面上形成不透光的遮罩层，以平衡两侧的出光量，但如此必然降低了整体的出光量。并且，为了增加有效的发光面积，常会采用梳状电极来使电流分布均匀，但所占面积较大的梳状电极会使发光晶粒两侧出光不均匀程度更加提高。

此外，由于该发光二极管元件不易以其较薄的侧面站立于安装面上，加上该发光二极管元件的二电极设置在同一侧表面上，导致重心不稳，使该发光二极管元件无法自行站立于安装面上，因此，在实际将发光二极管元件安装于基座的安装面上时，必须以额外的工具辅助固定该发光二极管元件与基座的相对位置，以便焊接的顺利完成，也因此难以适用常用的表面黏着技术来进行与基座的电连接。

发明内容

因此，本发明的一目的在于提供一种可自行站立于安装面上的发光二极管元件及其制作方法。

为达上述目的，本发明的发光二极管元件，用以安装至一预定表面，该发光二极管元件包含一半导体叠层体、一第一电极及一第二电极。该半导体叠层体具有一大致垂直该预定表面的发光有源层，以及位于该发光有源层两相反侧的一第一半导体层及一第二半导体层。该第一电极邻设于该第一半导体层并电连接该第一半导体层。该第二电极邻设于该第二半导体层上并电连接该第二半导体层。

本发明的发光二极管元件的制作方法，包含：于一透光基板上外延成长一半导体叠层体，该半导体叠层体具有一位于该透光基板上的第一半导体层、一位于该第一半导体层上的发光有源层，以及一位于该发光有源层上的第二半导体层；形成一覆盖该半导体叠层体的透光绝缘层；形成一经由该透光基板电连接该第一半导体层的第一电极；形成一经由该透光绝缘层电连接该第二半导体层的第二电极；以及使该第一电极及该第二电极分别形成一第一端面及一对齐该第一端面的第二端面。

本发明的发光二极管元件的另一制作方法，包含：于一成长基板上外延成长一半导体叠层体，该半导体叠层体具有一位于该透光基板上的第一半导体层、一位于该第一半导体层上的发光有源层，以及一位于该发光有源层上的第二半导体层；形成一覆盖该半导体叠层体的透光绝缘层；将该成长基板替换为一透光基板；形成一经由该透光基板电连接该第一半导体层的第一电极；形成一经由该透光绝缘层电连接该第二半导体层的第二电极；以及使该第一电极及该第二电极分别形成一第一端面及一对齐该第一端面的第二端面。

此外，本发明的另一目的在于提供一种具有上述发光二极管元件的发光装置。

本发明的发光装置，用以安装至一预定表面，该发光装置包含至少两个上述的发光二极管元件以及一导光层。该导光层设置于该预定表面上且位于该等发光二极管元件之间，该导光层具有一出光面以及二位于该出光面相反侧的入光面，该等入光面分别面对该等发光二极管元件。

附图说明

图1(a)为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图1(b)为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图2(a)至图2(i)为图1(a)的发光二极管元件的制作方法的各步骤的示意图；

图3为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图4(a)至图4(e)为图3的发光二极管元件的制作方法的各步骤的示意图；

图5为本发明的发光二极管元件安装于电路板的示意图；

图6为本发明的发光二极管元件安装于电路板的示意图；

图7为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图8为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图9(a)至图9(j)为图8的发光二极管元件的制作方法的各步骤的示意图；

图10为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图11为本发明的发光二极管元件的一剖视图；

图12为本发明的发光二极管元件的一剖视图；以及

图13为本发明的发光装置的一剖视图。

主要元件符号说明

发光二极管元件10     半导体叠层体11

发光有源层111        第一半导体层112

第二半导体层113      透光基板121

透光绝缘层122

第一穿孔123         第二穿孔124

第一电极13          第一端面131

第二电极14          第二端面141

第一遮罩层15        第一通孔151

第二遮罩层16        第二通孔161

暂时基板17          透光基板18

预定表面20          电路板21

焊垫211             电路板23

焊垫231             黏着剂24

金属线25            透光导电基板26

半导体叠层体31      成长基板32

第一遮罩层33        空间34

间隔层35            第二遮罩层36

第三遮罩层37        透光披覆层38

发光装置100         导光层40

出光面41            入光面42

荧光层43            电极点51

延伸部52            导电柱53

电极点54

具体实施方式

有关本发明的技术内容、详细说明，以及功效，现配合图式说明如下：

如图1(a)和图1(b)所示，本发明的发光二极管元件的第一优选实施例的一剖面图。该发光二极管元件10用以安装至一预定表面20，该预定表面20可为一基座或一电路板的安装面。该发光二极管元件10可自行站立于该预定表面20上。如图所示，该发光二极管元件10主要包含有一半导体叠层体11、一透光基板121与一透光绝缘层122、一第一电极13，以及一第二电极14。

该半导体叠层体11具有一大致垂直该预定表面20的发光有源层111，以及位于该发光有源层111两相反侧的一第一半导体层112及一第二半导体层113。具体来说，该第一半导体层112为n型半导体，该第二半导体层113为p型半导体。

在本实施例中，该透光基板121与该透光绝缘层122用以共同包覆该半导体叠层体11。该透光基板121邻接于该第一半导体层112，且具有一露出该第一半导体层112的第一穿孔123。该透光绝缘层122包覆该半导体叠层体11且具有一露出该第二半导体层113的第二穿孔124。

该第一电极13经由该透光基板121电连接该第一半导体层112。具体来说，在本实施例中，该第一电极13的一端部经由该第一穿孔123连接该第一半导体层112，而该第一电极13的另一端部则朝该预定表面20延伸，并具有一面对该预定表面20的第一端面131。

该第二电极14经由该透光绝缘层122电连接该第二半导体层113。优选地，该第一电极13的位置大致对齐该第二电极14的位置，该第一电极13及该第二电极14位于半导体叠层体11的相反两侧。具体来说，在本实施例中，该第二电极14的一端部经由该第二穿孔124连接该第二半导体层113，而该第二电极14的另一端则朝该预定表面20延伸，并具有一面对该预定表面20的一第二端面141。

并且，该第一端面131被设计为大致对齐于该第二端面141，即，该第一端面131与该第二端面141大致位于同一平面，以使本发明的发光二极管元件10在安装于该预定表面20时，可同时地接触该预定表面20。优选地，该第一端面131及该第二端面141更被设计为垂直于该半导体叠层体11的发光有源层111，以使该半导体叠层体11可垂直地安装于该预定表面20上。

由于该第一电极13与该第二电极14分别位在该发光二极管元件10的相反两侧，可由两相反方向共同支撑该发光二极管元件10于该预定表面20上，使该发光二极管元件10自行站立于该预定表面20上，无需其他额外工具辅助。并且，相互对齐的第一端面131以及第二端面141使得该发光二极管元件10可更稳固地站立于该预定表面20上。此外，由于第一电极13与该第二电极14连接于该半导体叠层体11的相反两表面，该半导体叠层体11操作时所产生的热量可从第一电极13与该第二电极14分别逸散，相较于传统位在同一侧表面上的二电极来说，具有更佳的散热效率。以下，如图2(a)至图2(i)所示，将上述发光二极管元件10的制作方法详述如下。

首先，如图2(a)所示，于一透光基板121上依序外延成长一第一半导体层112、一发光有源层111，以及一第二半导体层113。外延成长的方法可采用有机金属化学气相沉积或分子束外延，且不以此限。

接着，对该透光基板121上的该等外延层进行微影及蚀刻制程，以得到如图2(b)所示，在透光基板121上的多个半导体叠层体11。各该半导体叠层体11具有一位于该透光基板121上的第一半导体层112、一位于该第一半导体层112上的发光有源层111，以及一位于该发光有源层111上的第二半导体层113。

接着，如图2(c)所示，通过薄膜制程，形成一覆盖该等半导体叠层体11的透光绝缘层122。并且，更在该透光绝缘层122上形成一露出该第二半导体层的第二穿孔124。

然后，如图2(d)所示，在该透光基板121及该等半导体叠层体11上形成一第一遮罩层15，该第一遮罩层15具有多个连通各该第二穿孔124的第一通孔151，该第一遮罩层15的制作可采用光阻材料经由微影制程而制得，但不以此限。

如图2(e)所示，经由在该等第一通孔151以及该等第二穿孔124进行电镀或电铸制程，可形成电连接该第二半导体层113的第二电极14。

接着，如图2(f)所示，在该透光基板121上形成露出该第一半导体层112的多个第一穿孔123。然后，如图2(g)所示，在该透光基板121的下表面形成一第二遮罩层16。该第二遮罩层16具有多个连通各该第一穿孔123的第二通孔161，该第二遮罩层16的制作可采用光阻材料经由微影制程而制得，但不以此限。需注意的是，该第二通孔161对齐于该第一通孔151，至少该第二通孔161在图中的一外侧缘对齐于该第一通孔151的一外侧缘。

然后，如图2(h)所示，经由在该等第二通孔161以及该等第一穿孔123进行电镀或电铸制程，可形成多个经由该透光基板121的一侧电连接该第一半导体层112的第一电极13。

接着，将该第一遮罩层15以及第二遮罩层16去除，便得到如图2(i)的型态。由于该第二通孔161大致对齐于该第一通孔151，或至少该第二通孔161的一外侧缘对齐于该第一通孔151的一外侧缘，使得利用该第二通孔161所制得的该第一电极13大致对齐利用该第一通孔151所制得的该第二电极14，并且，该第一电极13在其远离该半导体叠层体11的一侧形成一第一端面131，大致对齐于该第二电极14在其远离该半导体叠层体11的一侧形成的一第二端面141，即，该第一端面131与该第二端面141大致位于同一平面。最后，沿该第一端面131以及第二端面141的连线对该透光基板121进行切割，便可得到如图1所示的发光二极管元件10。

如图3所示，为本发明的发光二极管元件的另一实施例，其大致与图1所示的发光二极管元件相同，其不同之处在于，该第二半导体层113邻接该透光绝缘层122的表面为一粗化面，或者在其至少一部分的表面上具有一粗化结构。借着粗化面或是粗化结构，可增加由此表面向外出射的出光量。此外，该透光基板121邻接该第一半导体层112的表面也可为一粗化面。

此外，由于常用于外延成长半导体叠层体11的透光基板121，如蓝宝石基板，其透光度并不高，以致减弱了发光二极管元件整体的出光量。为更提高出光量，本发明更进一步提供以下的制程，如图4所示，利用将透光基板121更换为透光度更高的基板，来使整体出光量更加提升。

首先，如图2(e)所示，在利用第一遮罩层15制作该第二电极14之后，如图4(a)所示，将一暂时基板17固定于该第一遮罩层15上，然后将原有的透光基板121自该等半导体叠层体11与第一遮罩层15的下表面上分离，分离的方法可为激光剥除或蚀刻，且不以此限。并且，如图4(b)所示，将一具有较高透光率的透光基板18固定于该等半导体叠层体11与第一遮罩层15的下表面。该透光基板18具有多个第一穿孔123。该等第一穿孔123可以是原先即形成于该透光基板18上的，或是将该透光基板18固定于该等半导体叠层体11与第一遮罩层15之后才加以形成的。

接着，如图4(c)至(e)所示，利用第二遮罩层16制作该等第一电极13，其过程如同图2(g)至(i)所示，在此不再重复叙述。在图4(f)中，该暂时基板17随着该第一遮罩层15以及第二遮罩层16同时去除。

如图5所示，为该发光二极管元件10的一个应用例。该发光二极管元件10可以其第一端面131及第二端面141自行站立于一电路板21上，并以表面黏着方式藉焊料22而电连接于该电路板21的焊垫211上。

或者，如图6所示，为该发光二极管元件10的另一个应用例。该发光二极管元件10以其第一端面131及第二端面141自行站立于一电路板23上，并以黏着剂24黏着于该电路板23上，且藉金属线25而电连接于该电路板23的焊垫231上。

此外，如图7所示，本发明的发光二极管元件的另一实施例，该发光二极管元件10更包含邻接该半导体叠层体10的另外至少一半导体叠层体31。该等半导体叠层体31所发光线的波长可与该半导体叠层体10所发光线的波长相同或不同。例如，可包含红光、绿光及蓝光等不同波长的光线。

接下来，如图8所示，为本发明的发光二极管元件的另一实施例，其大致上与图1(a)和图1(b)所示的发光二极管元件相同，不同之处在于，图1(a)和图1(b)的该透光基板121被图8的透光导电基板26所取代。具体来说，如图所示该透光导电基板26邻设于该第一半导体层112，该透光绝缘层122包覆该半导体叠层体11且具有一露出该第二半导体层113的穿孔124，该第一电极13经由该透光导电基板26电连接该第一半导体层112，该第二电极14经由该穿孔124连接该第二半导体层113。

以下，如图9(a)至图9(j)所示，将上述图8的发光二极管元件的制作方法详述如下：

首先，如图9(a)所示，于一成长基板32上依序外延成长一第一半导体层112、一发光有源层111，以及一第二半导体层113。外延成长的方法可采用有机金属化学气相沉积或分子束外延，且不以此限。一般来说，成长基板32考虑晶格匹配等因素，通常采用蓝宝石基板。

接着，对该成长基板32上的该等外延层进行微影及蚀刻制程，以得到如图9(b)所示，在成长基板32上的多个半导体叠层体11。各该半导体叠层体11具有一位于该成长基板32上的第一半导体层112、一位于该第一半导体层112上的发光有源层111，以及一位于该发光有源层111上的第二半导体层113。

接着，如图9(c)所示，通过薄膜制程，形成一覆盖该等半导体叠层体11的透光绝缘层122。然后，如图9(d)所示，在该等透光绝缘层122的顶面上形成一第一遮罩层33，该第一遮罩层33所遮蔽的区域对应重迭于该等透光绝缘层122的上，该第一遮罩层15的制作可采用光阻材料经由微影制程而制得，但不以此限。然后，在各个被该等透光绝缘层122覆盖的半导体叠层体11之间的空间34中形成一如图9(e)所示之间隔层35。该间隔层35环绕包覆各该半导体叠层体11，且厚度较各该半导体叠层体11为厚，具有固定且支撑该等半导体叠层体11的作用。在间隔层35形成之后，将该第一遮罩层33移除。

然后，如图9(f)所示，在该透光绝缘层122及该间隔层35上，形成一第二遮罩层36，并藉该第二遮罩层36制作该等第二电极14。接着，如图9(g)所示，将该成长基板32自该等半导体叠层体11与间隔层35的下表面上分离，分离的方法可为激光剥除或蚀刻，且不以此限。藉由该间隔层35固定且支撑该等半导体叠层体11，可不必使用前述的暂时基板，可进一步简化制程。

然后，如图9(h)所示，在该等半导体叠层体11与间隔层35的下表面贴上一透光导电基板26。接着，如图9(i)所示，在该透光导电基板26的下表面形成一第三遮罩层37，并利用第三遮罩层37形成该等第一电极13。在将该第二遮罩层36以及第三遮罩层37去除之后，便得到如图9(j)的型态。最后，对该透光导电基板26进行切割，便可得到如图8所示的发光二极管元件。

需说明的是，上述图9(a)至图9(j)的制程，成长基板32采用透光度较低且不导电的蓝宝石基板，以致需将成长基板32更换为透光导电基板26，以获得较高的透光度及导电性。在另一种情况中，若成长基板32直接采用透光度较高且可导电的碳化硅基板，也即成长基板32本身即为透光导电基板，则可省略图9(g)的去除成长基板32，以及图9(h)的换上透光导电基板26两步骤，更可达到简化制程的效果。

如图10所示，为本发明的发光二极管元件的另一实施例，与前述实施例不同的是，本实施例的发光二极管元件更可进一步省去透光基板，使第一电极13直接电连接到第一半导体层112上。其制作方式可参考图4(a)，在移除原有的透光基板121后，便制作电连接第一半导体层112的第一电极13。

如图11所示，为本发明的发光二极管元件的另一实施例，其可适用于具有共面电极的发光二极管元件，也就是说，该等电极点51、54面向半导体叠层体11的同侧(如图中左侧)，因此，其中一电极点54可藉由一贯穿透光基板121的导电柱53，连接至透光基板121的另一侧(图中右侧)，并藉一延伸部52电连接第一电极13。另一电极点51则直接电连接该第二电极14。

如图12所示，为本发明的发光二极管元件的另一实施例，与前述实施例不同的是，本实施例的发光二极管元件还包含一透光披覆层38，环绕地设置于半导体叠层体11外围。

如图13所示，本发明更提供一种发光装置100，用以安装至一预定表面20。该发光装置100包含至少两个上述本发明的发光二极管元件10，以及一导光层40，设置于该预定表面20上且位于该等发光二极管元件10之间，该导光层40具有一出光面41以及二位于该出光面41相反侧的入光面42，该等入光面41分别面对相邻两发光二极管元件10。

藉此，各该发光二极管元件10的光线可由其两侧分别进入该导光层40内，并在导光层40内传递，并由上方的出光面41出射，藉此可将发光二极管元件10的近似于点状的光源转变成为一面状光源。此外，该发光装置100还可包含一设置于该导光层40的出光面41上的荧光层43，可藉此转换出光面41所出射的光线的波长。或者，该导光层40本身也可包含荧光材料，藉此转换光线的波长。

以上所述者仅为本发明的优选实施例，并非用以限定本发明的实施范围。凡依本发明权利要求范围所作的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利所涵盖范围之内。

Claims (30)

1.一种发光二极管元件，用以安装至一预定表面，所述发光二极管元件包含：

一半导体叠层体，具有一大致垂直所述预定表面的发光有源层、以及位于所述发光有源层两相反侧的一第一半导体层及一第二半导体层；

一第一电极，邻近所述第一半导体层并电连接所述第一半导体层，所述第一电极具有一面对所述预定表面的第一端面；以及

一第二电极，邻近所述第二半导体层并电连接所述第二半导体层，所述第二电极具有一面对所述预定表面的一第二端面，且所述第一端面大致对齐于所述第二端面，所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面，其中，所述第一电极及所述第二电极位于所述半导体叠层体的相反两侧。

2.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一邻接所述第一半导体层的透光基板，且所述第一电极经由所述透光基板电连接所述第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，所述透光基板邻接所述第一半导体层的表面为一粗化面。

4.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一邻接所述第二半导体层的透光绝缘层，所述透光基板具有一露出所述第一半导体层的第一穿孔，所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的第二穿孔，所述第一电极经由所述第一穿孔连接所述第一半导体层，所述第二电极经由所述第二穿孔连接所述第二半导体层。

5.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一覆盖所述半导体叠层体的透光绝缘层，且所述透光基板为一透光导电基板，所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的穿孔，所述第一电极经由所述透光导电基板电连接所述第一半导体层，所述第二电极经由所述穿孔连接所述第二半导体层。

6.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件，其特征在于，所述第二半导体层邻接所述透光绝缘层的表面为一粗化面。

7.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含邻接所述半导体叠层体的另一半导体叠层体。

8.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件，其特征在于，还包含一环绕地设置于所述半导体叠层体外围的透光披覆层。

9.根据权利要求2所述的发光二极管元件，其特征在于，所述透光基板为供所述半导体叠层体直接外延成长于其上的一成长基板。

10.一种发光装置，用以安装至一预定表面，所述发光装置包含：

至少两个发光二极管元件，间隔地设置于所述预定表面，各所述发光二极管元件包含一半导体叠层体、一第一电极、以及一第二电极，所述半导体叠层体具有一大致垂直所述预定表面的发光有源层、以及位于所述发光有源层两相反侧的一第一半导体层及一第二半导体层，所述第一电极邻近所述第一半导体层并电连接所述第一半导体层，所述第一电极具有一面对所述预定表面的第一端面，所述第二电极邻近所述第二半导体层并电连接所述第二半导体层，所述第二电极具有一面对所述预定表面的一第二端面，且所述第一端面大致对齐于所述第二端面，所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面，其中，所述第一电极及所述第二电极位于所述半导体叠层体的相反两侧；以及

一导光层，设置于所述预定表面上且位于所述发光二极管元件之间，所述导光层具有一出光面以及分别位于所述出光面两相反侧的两个入光面，所述入光面分别面对相邻两个发光二极管元件。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，还包含一邻接所述第一半导体层的透光基板，且所述第一电极经由所述透光基板电连接所述第一半导体层。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述透光基板邻接所述第一半导体层的表面为一粗化面。

13.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管元件还包含一邻接所述第二半导体层的透光绝缘层，所述透光基板具有一露出所述第一半导体层的第一穿孔，所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的第二穿孔，所述第一电极经由所述第一穿孔连接所述第一半导体层，所述第二电极经由所述第二穿孔连接所述第二半导体层。

14.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管元件还包含一透光绝缘层，且所述透光基板为一透光导电基板，所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的穿孔，所述第一电极经由所述透光导电基板电连接所述第一半导体层，所述第二电极经由所述穿孔连接所述第二半导体层。

15.根据权利要求13或14所述的发光装置，其特征在于，所述第二半导体层邻接所述透光绝缘层的表面为一粗化面。

16.根据权利要求13或14所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管元件还包含邻接所述半导体叠层体的另一半导体叠层体。

17.根据权利要求13或14所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管元件还包含一环绕地设置于所述半导体叠层体外围的透光披覆层。

18.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述透光基板为供所述半导体叠层体直接外延成长于其上的一成长基板。

19.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，还包含一设置于所述导光层的出光面上的荧光层。

20.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述导光层包含荧光材料。

21.一种发光二极管元件的制作方法，包含：

(a)于一透光基板上外延成长一半导体叠层体，所述半导体叠层体具有一位于所述透光基板上的第一半导体层、一位于所述第一半导体层上的发光有源层、以及一位于所述发光有源层上的第二半导体层；

(b)形成一覆盖所述半导体叠层体的透光绝缘层；

(c)形成一经由所述透光基板电连接所述第一半导体层的第一电极，所述第一电极形成一第一端面；以及

(d)形成一经由所述透光绝缘层电连接所述第二半导体层的第二电极，所述第二电极形成一对齐所述第一端面的第二端面，所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面，其中，所述第一电极及所述第二电极位于所述半导体叠层体的相反两侧。

22.根据权利要求21所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，在所述透光基板上形成一露出所述第一半导体层的第一穿孔，使所述第一电极经由所述第一穿孔电连接所述第一半导体层，并在所述步骤(d)中，在所述透光绝缘层上形成一露出所述第二半导体层的第二穿孔，使所述第二电极经由所述第二穿孔电连接所述第二半导体层。

23.根据权利要求21所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述透光基板为一透光导电基板，使所述第一电极经由所述透光导电基板电连接所述第一半导体层，并在所述步骤(d)中，在所述透光绝缘层上形成一露出所述第二半导体层的穿孔，使所述第二电极经由所述穿孔电连接所述第二半导体层。

24.根据权利要求21所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，先对所述透光基板上形成一粗化面，再于所述粗化面上外延成长所述半导体叠层体。

25.根据权利要求21所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，使所述第二半导体层邻接所述透光绝缘层的表面为一粗化面。

26.一种发光二极管元件的制作方法，包含：

(a)于一成长基板上外延成长一半导体叠层体，所述半导体叠层体具有一位于所述透光基板上的第一半导体层、一位于所述第一半导体层上的发光有源层、以及一位于所述发光有源层上的第二半导体层；

(b)形成一覆盖所述半导体叠层体的透光绝缘层；

(c)将所述成长基板替换为一透光基板；

(d)形成一经由所述透光基板电连接所述第一半导体层的第一电极，所述第一电极形成一第一端面；以及

(e)形成一经由所述透光绝缘体电连接所述第二半导体层的第二电极，所述第二电极形成一对齐所述第一端面的第二端面，所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面。

27.根据权利要求26所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，在所述步骤(d)中，在所述透光基板上形成一露出所述第一半导体层的第一穿孔，使所述第一电极经由所述第一穿孔电连接所述第一半导体层，并在所述步骤(e)中，在所述透光绝缘层上形成一露出所述第二半导体层的第二穿孔，使所述第二电极经由所述第二穿孔电连接所述第二半导体层。

28.根据权利要求26所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，所述透光基板为一透光导电基板，使所述第一电极经由所述透光导电基板电连接所述第一半导体层，并在所述步骤(e)中，在所述透光绝缘层上形成一露出所述第二半导体层的穿孔，使所述第二电极经由所述穿孔电连接所述第二半导体层。

29.根据权利要求26所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，先对所述透光基板上形成一粗化面，再于所述粗化面上外延成长所述半导体叠层体。

30.根据权利要求26所述的发光二极管元件的制作方法，其特征在于，使所述第二半导体层邻接所述透光绝缘层的表面为一粗化面。

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