CN115602698A - 生长基板、显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种生长基板、显示面板及其制作方法。生长基板和显示面板包括：基底，所述基底包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区以及位于多个所述芯片生长区之间的非生长区，所述生长基板还包括吸光层，所述吸光层设于所述基底的入光侧和/或出光侧，且在所述基底上的正投影覆盖所述非生长区。本方案的生长基板、显示面板及其制作方法能够在无需暂态基板的情况下，实现制备RGB三色产品的显示面板。
Description
技术领域
本申请属于显示照明设备技术领域，具体涉及一种生长基板、显示面板及其制作方法。
背景技术
目前，在LED(发光二极管)的大量转移中，可直接将生长制备有发光二极管的生长基板与驱动背板对组。具体地，需先将生长制备好的发光二极管与驱动背板上的绑定区进行绑定，然后再采用LLO(激光剥离)制程以将发光二极管与生长基板的基底相剥离。其中，该转移方法无需额外的转移中间步骤和暂态基板等，且方法简单、成本低。
但是，若同一驱动背板在经历两次或两次以上LLO(激光剥离)制程后，激光会对绑定区内的绑定点和驱动背板上的线路造成损伤。因此，该方法只能进行一次激光剥离，进而导致只能将一个生长基板上的同种颜色的发光二极管转移至驱动背板上，如制备RRR的产品(驱动背板上原用于绑定其他颜色的发光二极管的位置区域都一次性绑定发光为红色的发光二极管)，无法制备RGB三色产品的显示面板。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生长基板、显示面板及其制作方法，能够在无需暂态基板的情况下，实现制备RGB三色产品的显示面板。
本发明第一方面公开了一种生长基板，包括：基底，所述基底包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区以及位于多个所述芯片生长区之间的非生长区，所述生长基板还包括吸光层，所述吸光层设于所述基底的入光侧和/或出光侧，且在所述基底上的正投影覆盖所述非生长区。
在本发明的一种示例性实施例中，所述吸光层设于所述基底的入光侧，所述吸光层在所述基底上的正投影还覆盖各所述芯片生长区在所述基底上的正投影的边缘；其中，所述芯片生长区的出光侧生长有发光芯片。
在本发明的一种示例性实施例中，所述吸光层的厚度范围为1um-3um，且所述吸光层的光密度值大于4.0。
在本发明的一种示例性实施例中，所述生长基板还包括反射层，所述反射层设于所述基底的入光侧或出光侧，所述反射层在所述基底上的正投影与所述吸光层在所述基底上的正投影相重合。
在本发明的一种示例性实施例中，所述生长基板还包括隔热层，所述隔热层设于所述吸光层与所述基底之间；其中，所述隔热层在所述基底上的正投影覆盖所述吸光层在所述基底上的正投影。
在本发明的一种示例性实施例中，所述生长基板还包括反射层和隔热层，所述吸光层、所述反射层和所述隔热层均位于所述基底的入光侧，所述隔热层位于所述反射层与所述吸光层之间，所述反射层相对于所述吸光层更靠近所述基底。
本发明第二方面公开了一种显示面板的制作方法，包括：提供驱动背板，所述驱动背板具有多个阵列排布的绑定区；提供生长基板，所述生长基板包括基底、发光芯片和吸光层，所述基底包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区以及位于多个所述芯片生长区之间的非生长区，所述发光芯片对应形成在所述芯片生长区，所述吸光层在所述基底上的正投影覆盖所述非生长区；将所述生长基板与所述驱动背板进行对位连接，以使所述基底上的发光芯片与其对位的所述绑定区进行绑定；在所述生长基板远离所述驱动背板的一侧提供光源；在所述发光芯片与其对位的所述绑定区绑定之后，利用所述光源发出的光线将所述发光芯片与所述基底相剥离。
在本发明的一种示例性实施例中，所述制作方法还包括：在所述基底上形成覆盖所述多个发光芯片的保护层。
在本发明的一种示例性实施例中，所述制作方法还包括：在所述基底上依次形成反射层和隔热层，所述隔热层位于所述吸光层与所述反射层之间，其中，所述反射层、所述隔热层在所述基底上的正投影均覆盖所述非生长区在所述基底上的正投影。
本发明第三方面公开了一种显示面板，所述显示面板根据上述的制作方法制成。
本申请方案具有以下有益效果：
本发明方案的生长基板在采用激光剥离的方式转移芯片至驱动背板上时，激光会向着芯片生长区照射，以用于剥离对应芯片生长区设置的发光芯片；同时激光还会向着非生长区照射，而吸光层设于基底的入光侧和/或出光侧，且在基底上的正投影覆盖非生长区，并用于吸收自基底入光侧照射向非生长区对应的光线。因此，当激光自基底入光侧照射向非生长区上的光线会被吸光层吸收部分激光能量，进而降低激光照射至驱动背板上的绑定区以及驱动背板上的其他线路层的几率，防止驱动背板造成受损，避免驱动背板无法进行后续的发光芯片转移。故，本发明的生长基板在与驱动背板直接对组(称作directbonding)时，无需额外的转移中间步骤和暂态基底就可实现将发光芯片多次转移至同一驱动背板上，最终能够用于制作RGB三色产品的显示面板。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例一所述的生长基板的部分截面结构示意图。
图2示出了本发明实施例一所述的基底的平面结构示意图。
图3示出了本发明实施例一所述的基底设有发光芯片的立体结构示意图。
图4示出了本发明实施例一所述的基底设有吸光层、反射层和隔热层的立体结构示意图。
图5示出了本发明实施例二所述的显示面板的步骤S1-S4的制作流程框图。
图6示出了本发明实施例二所述的显示面板的步骤S21-S25的制作流程框图。
图7示出了本发明实施例二所述的生长基板转移至驱动背板上时的截面结构示意图。
图8示出了本发明实施例二所述的生长基板转移至驱动背板上时的光线路径示意图。
附图标记说明：
11、基底；11a、第一表面；11b、第二表面；111、芯片生长区；112、非生长区；12、发光芯片；121、导电连接部；13、吸光层；14、反射层；15、隔热层；16、保护层；20、驱动背板；21、绑定区。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
实施例一
如图1至图4所示，本发明实施例提供了一种生长基板，用于直接将生长制备完成的发光芯片12与驱动背板20进行对组(称作direct bonding)。
示例的，发光芯片12例如为LED(发光二极管)，发光二极管通过驱动背板20上的铟或锡(In/Sn)点熔融再冷却，以实现固定发光二极管的导电连接部121，完成发光二极管绑定(bonding)在驱动背板20上，之后再通过激光将发光二极管与生长基板相剥离(LLO)，从而完成转移。
应理解的是，生长基板用于直接将生长制备好LED(发光二极管)与驱动背板20进行对组(称作direct bonding)这种方法无需额外的转移中间步骤和暂态基底等，方法简单且成本低。
在一些实施例中，生长基板需制备转移RGB三色产品(红、绿、蓝三种颜色的发光二极管)时，可以先进行一种颜色的发光二极管进行转移(比如RLED)，再进行转移另外两种颜色的发光二极管。即转移红色发光二极管时，驱动背板20上另外两种颜色的发光二极管的位置需要空出来。
示例的，两两LED pitch(两个发光二极管之间的间距)等于3倍像素pitch(3倍显示器的像素间距)。
在本实施例中，生长基板包括用于生长发光芯片12的基底11。其中，基底11为蓝宝石材料制成。
示例的，发光芯片12为Mini LED(次毫米发光二极管)。即发光芯片12的尺寸介于50～200μm之间的LED(发光二极管)器件。由Mini LED像素阵列、驱动电路组成且像素中心间距为0.3-1.5mm的单元。
示例的，发光芯片12为Micro LED(微米发光二极管)。Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED(发光二极管)为发光像素单元，将其组装到驱动背板20上形成高密度LED阵列的显示技术。
在本实施例中，基底11包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区111以及位于多个芯片生长区111之间的非生长区112。
应理解的是，芯片生长区111和非生长区112共同覆盖整个基底11的表面，芯片生长区111与发光芯片12一一对应设置。
在本实施例中，生长基板还包括吸光层13，吸光层13设于基底11的入光侧和/或出光侧，且在基底11上的正投影覆盖非生长区112，用于吸收自基底11入光侧照射向非生长区112对应的光线。
应理解的是，基底11包括相对设置的第一表面11a和第二表面11b，入光侧为第二表面11b，出光侧为第一表面11a。
在本发明中，生长基板在采用激光剥离的方式转移芯片至驱动背板20上时，激光会向着芯片生长区111照射，以用于剥离对应芯片生长区111设置的发光芯片12；同时激光还会向着非生长区112照射，而吸光层13设于基底11的入光侧和/或出光侧，且在基底11上的正投影覆盖非生长区112，并用于吸收自基底11入光侧照射向非生长区112对应的光线。因此，当激光自基底11入光侧照射向非生长区112上的光线会被吸光层13吸收部分激光能量，能够降低激光照射至驱动背板20上的绑定区21以及驱动背板20上的其他线路层，防止驱动背板20造成受损，避免驱动背板20无法进行后续的发光芯片12转移。
综上，本发明的生长基板在与驱动背板20直接对组(称作direct bonding)时，无需额外的转移中间步骤和暂态基底就可实现将发光芯片12多次转移至同一驱动背板20上，最终能够用于制作RGB三色产品的显示面板。
在本实施例中，吸光层13设于基底11的入光侧，吸光层13在基底11上的正投影还覆盖各芯片生长区111在基底11上的正投影的边缘。
应理解的是，吸光层13在基底11的入光侧的表面上的正投影与芯片生长区111在基底11的入光侧的表面上的正投影的周侧边缘相交叠，保证光线不会自吸光层13与芯片生长区111之间对应的空隙处发生漏光。且为保证有足够多的光线会照射在芯片生长区111以实现发光芯片12的剥离，只需使得吸光层13在基底11的入光侧的表面上的正投影与芯片生长区111在基底11的入光侧的表面上的正投影的周侧边缘相交叠即可，无需完全覆盖芯片生长区111。
当然，在其他实施例中，吸光层13也可设于基底11的出光侧。此时，吸光层13在基底11上的正投影与各芯片生长区111在基底11上的正投影的边缘无缝衔接，以保证光线不会自吸光层13与芯片生长区111之间对应的空隙处发生漏光。示例的，吸光层13例如采用PMMA(丙烯酸树脂)或PI(聚酰亚胺)等材料形成的黑色吸光层13。
此外，吸光层13也可为多个，分别设置在基底11的出光侧和入光侧，进一步地降低激光自非生长区112透过基底11。
示例的，吸光层13采用光刻工艺形成于基底11的上方。
在本实施例中，吸光层13的厚度范围为1um-3um，吸光层13的光密度值大于4.0。
可选地，吸光层13的厚度为1.15um、1.32um、1.46um、1.63um、1.85um、1.93um、2.12um、2.37um、2.45um、2.68um、2.82um或2.94um等。
在本实施例中，芯片生长区111用于生长发光芯片12，发光芯片12位于基底11的出光侧。
示例的，发光芯片12与吸光层13可以同时形成在基底11的同一侧。
在本实施例中，发光芯片12与吸光层13分别位于基底11的两个不同侧。其中，将发光芯片12与吸光层13分别位于基底11的两个不同侧，一方面能够方便发光芯片12与吸光层13的光刻工序，降低工艺难度；另一方面，发光芯片12在吸光层13的制程中几乎不会受到影响。
在一些实施例中，生长基板还包括反射层14，反射层14设于基底11的入光侧或出光侧，反射层14在基底11上的正投影与吸光层13在基底11上的正投影相重合。
示例的，反射层14为反射金属层(Ag、Al、Mg等金属)，其厚度为10nm-100nm左右。
可选地，反射层14的厚度为12nm、15nm、17nm、19nm、32nm、35nm、39nm、41nm、44nm、46nm、53nm、55nm、66nm、70nm、79nm、83nm、89nm、94nm或99nm。
示例的，反射层14通过在基底11上通过PVD(物理气相沉积)或蒸镀，形成反射金属层，然后通过光刻形成图形，最终以得到反射层14。
在本实施例中，反射层14设于基底11的入光侧，也即与发光芯片12分别位于基底11的两侧。一方面能够方便发光芯片12与反射层14的光刻工序，降低工艺难度；另一方面，发光芯片12在反射层14的制程中几乎不会受到影响。
当然，在其他实施例中，反射层14也可设于基底11的出光侧，只要保证向着非生长区112照射的光线通过出光侧后或者通过入光侧前会经过反射层14即可。
在一些实施例中，生长基板还包括隔热层15，隔热层15设于吸光层13与基底11之间。
示例的，隔热层15采用SiNx材料形成，具体为通过CVD(气相沉积法)形成隔热层15，其厚度为200-500nm。
可选地，隔热层15的厚度为210nm、215nm、220nm、233nm、247nm、268nm、290nm、310nm、250nm、294nm、310nm、346nm、410nm、415nm、420nm、433nm、447nm、468nm或490nm。
在本实施例中，隔热层15在基底11上的正投影覆盖吸光层13在基底11上的正投影。
在本实施例中，反射层14、吸光层13在基底11上的正投影均与隔热层15在基底11上的正投影相重合。
当然，在其他实施例中，只要能够保证反射层14、吸光层13在基底11上的正投影均覆盖非生长区112，且隔热层15在基底11上的正投影覆盖吸光层13在基底11上的正投影即可，以便于隔热层15将吸光层13与反射层14以及基底11分隔开，防止吸光层13吸收激光能量后发热严重，导致基底11受热发生形变，影响转移精度。
在本实施例中，吸光层13、反射层14和隔热层15均位于基底11的入光侧。
在本实施例中，反射层14相对于吸光层13更靠近基底11的入光侧。
示例的，反射层14覆盖于基底11上的非生长区112，隔热层15覆盖在反射层14的入光侧，吸光层13覆盖于隔热层15的入光侧。
应理解的是，激光自基底11的入光侧照入时，首先经过吸光层13，通过吸光层13吸收部分激光能量，然后再透过隔热层15，直至照射在反射层14上，通过反射层14将透过隔热层15的激光反射至吸光层13上，最后通过吸光层13吸收激光能量。因此，可以进一步地避免光线透过基底11的非生长区112。
此外，需要注意的是，反射层14相对于吸光层13更靠近基底11的入光侧，也即说明激光是先经过吸光层13，并被吸光层13吸收大部分光线后，再经过反射层14反射至吸光层13。此时，即使经反射层14反射至吸光层13的部分激光穿过吸光层13射向激光器，也只剩下少部分激光能量，几乎不可能损坏激光器。而若是吸光层13相对于反射层14更靠近基底11的入光侧，那么，激光器发出的激光未被吸收就先经过反射层14，反射层14会将大部分激光直接反射至激光器，其能量很容易损害激光器。
此外，在其他实施例中，若不考虑成本的影响，反射层14与隔热层15还可以位于两张吸光层13之间，此时，能够完全避免激光自非生长区112对应的位置穿过基底11。
在本实施例中，发光芯片12包括与基底11的出光侧相接触的P型半导体层或者N型半导体层。P型半导体层或者N型半导体层均由GaN(氮化镓)形成。因此，当激光器发出的光线自基底11的入光侧向着基底11的出光侧照射至发光芯片12的氮化镓后，发光芯片12会与基底11的出光侧相脱离，从而实现发光芯片12与基底11的剥离。
在本实施例中，发光芯片12为微米发光二极管芯片(Micro LED芯片)。且各发光芯片12均包括未掺杂半导体层、以及依次层叠设置在未掺杂半导体层上方的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。
应理解的是，N型半导体层即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体层，而P型半导体层又称空穴型半导体层，是以带正电的空穴导电为主的半导体层。其中，N型半导体层例如由N型掺杂氮化镓形成；P型半导体层例如由P型掺杂氮化镓形成。
实施例二
结合图5至图8所示，本发明第二方面公开了一种显示面板的制作方法，其采用实施例一中的生长基板将发光芯片12转移至显示面板的驱动背板20上。
在本实施例中，显示面板的制作方法包括：
S1：提供驱动背板20，驱动背板20具有多个阵列排布的绑定区21。绑定区21内设有用于连接发光芯片12的导电连接部121的铟或锡(In/Sn)点。
S2：提供生长基板，生长基板包括基底11、发光芯片12和吸光层13，基底11包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区111以及位于多个芯片生长区111之间的非生长区112，发光芯片12对应形成在芯片生长区111，吸光层13在基底11上的正投影覆盖非生长区112。
其中，基底11采用蓝宝石材料制成。
在本实施例中，如图6所示，形成生长基板包括：
S21：在基底11的第一表面11a上制作多个间隔设置的发光芯片12，各发光芯片12一一对应位于芯片生长区111内。其中，芯片生长区111的大小根据发光芯片12的大小设置，保证芯片生长区111被发光芯片12完全覆盖。
示例的，发光芯片12为微米发光二极管芯片(Micro LED芯片)。且各发光芯片12均包括未掺杂半导体层、以及依次层叠设置在未掺杂半导体层上方的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。
应理解的是，发光芯片12与第一表面11a相接触的为P型半导体层或者N型半导体层。其中，N型半导体层例如由N型掺杂氮化镓形成；P型半导体层例如由P型掺杂氮化镓形成。
示例的，发光芯片12还包括导电连接部121，导电连接部121设置于发光芯片12远离第一表面11a的一侧，用于与显示面板的驱动背板20相绑定。
在本实施例中，发光芯片12例如为发光颜色为红、绿或蓝色的微米发光二极管芯片的一种。
S22：在基底11的第一表面11a上形成覆盖多个发光芯片12的保护层16，保护层16为有机保护层16，以保护发光芯片12在后续制程中不受损伤。
S23：在基底11的第二表面11b上形成反射层14，反射层14在基底11上的第二表面11b的正投影覆盖非生长区112在基底11上的第二表面11b的正投影。其中，第二表面11b与第一表面11a相对设置，且第二表面11b为基底11的入光面，第一表面11a为基底11的出光面。
示例的，反射层14为反射金属层(Ag、Al、Mg等金属)，厚度10nm-100nm左右。
示例的，反射层14通过在基底11上通过PVD(物理气相沉积)或蒸镀，形成反射金属层，然后通过光刻形成图形，最终以得到反射层14。
S24：在基底11的第二表面11b上形成覆盖反射层14的隔热层15。隔热层15在基底11上的第二表面11b的正投影覆盖非生长区112在基底11上的第二表面11b的正投影。
示例的，隔热层15采用SiNx材料形成，具体为通过CVD(气相沉积法)形成隔热层15，其厚度为200-500nm。
S25：在基底11的第二表面11b上形成吸光层13，吸光层13在基底11上的正投影至少覆盖非生长区112。
示例的，吸光层13例如采用PMMA(丙烯酸树脂)或PI(聚酰亚胺)等材料形成的黑色吸光层13。
示例的，吸光层13采用光刻工艺形成于基底11的上方。
在本实施例中，吸光层13的厚度为1-3um，以保证光密度大于4.0。
可选地，吸光层13的厚度为1.15um、1.32um、1.46um、1.63um、1.85um、1.93um、2.12um、2.37um、2.45um、2.68um、2.82um或2.94um等。
在本实施例中，反射层14、吸光层13在基底11上的正投影均与隔热层15在基底11上的正投影相重合。
应理解的是，吸光层13在基底11的第二表面11b上的正投影与芯片生长区111在基底11的第二表面11b上的正投影的周侧边缘相交叠，保证光线不会自吸光层13与芯片生长区111之间对应的空隙处发生漏光。且为保证有足够多的光线会照射在芯片生长区111以实现发光芯片12的剥离，只需使得吸光层13在基底11的第二表面11b上的正投影与芯片生长区111在基底11的第二表面11b的正投影的周侧边缘相交叠即可，无需完全覆盖芯片生长区111在基底11的第二表面11b上的正投影。
S3：将生长基板与驱动背板20进行对位连接，以使基底11上的发光芯片12与其对位的绑定区21进行绑定。
示例的，发光芯片12通过驱动背板20上的铟或锡(In/Sn)点熔融再冷却，以将导电连接部121固定在驱动背板20上的绑定区21，最终完成发光芯片12绑定于驱动背板20上。
在本实施例中，多个绑定区21间隔设置，一个发光芯片12对应设置在一个绑定区21内。其中，单个生长基板上的发光芯片12数量小于单个驱动背板20上绑定区21的数量。
S4：在生长基板远离驱动背板20的一侧提供光源。在发光芯片12与其对位的绑定区21绑定之后，利用光源发出的光线将发光芯片12与基底11相剥离。
示例的，通过LLO(激光剥离)的方式，使激光在基底11的正上方自第二表面11b的一侧照向第一表面11a。
应理解的是，当激光器发出的光线自第二表面11b的一侧向着第一表面11a照射至发光芯片12的氮化镓后，发光芯片12会与第一表面11a相脱离，从而实现发光芯片12与基底11的剥离。
在本实施例中，因为LLO(激光剥离)是发光芯片12绑定在驱动背板20后再进行。因此，若需制备RGB三色产品的显示面板，需要按照S1-S4的步骤先进行一种颜色转移(比如发光为R颜色的发光芯片12)，再重复S1-S4的步骤两次以进行发光为G/B颜色的发光芯片12，即可制备RGB三色产品的显示面板。
示例的，即转移发光R颜色的发光芯片12时，驱动背板20上用于绑定发光G\B颜色的发光芯片12的绑定区21的位置需要空出来，此时，生长基板的吸光层13在驱动背板20上的正投影至少覆盖用于发光G\B颜色的发光芯片12对应的绑定区21位置；在转移发光G颜色的发光芯片12时，驱动背板20上用于绑定发光R\B颜色的发光芯片12的绑定区21的位置需要空出来，此时，生长基板的吸光层13在驱动背板20上的正投影至少覆盖用于发光R\B颜色的发光芯片12对应的绑定区21位置；以此类推，在转移发光B颜色的发光芯片12时，驱动背板20上用于绑定发光R\G颜色的发光芯片12的绑定区21的位置需要空出来，此时，生长基板的吸光层13在驱动背板20上的正投影至少覆盖用于发光R\G颜色的发光芯片12对应的绑定区21位置。
应理解的是，依次重复步骤S1-S4n次即可转移n种发光芯片12。其中，需要注意的是，每次转移发光芯片12至驱动背板20的绑定区21时，非生长区112和芯片生长区111的位置相较于前一次转移发光芯片12至驱动背板20的绑定区21时的位置可能会根据实际情况发生变化，但只要保证非生长区112和芯片生长区111的共同覆盖基底11，且吸光层13在基底11上的正投影至少完全覆盖非生长区112，以及发光芯片12在基底11上的正投影完全覆盖芯片生长区111即可。
在本实施例中，在制作由R(红色)、G(绿色)以及B(蓝色)三色显示面板产品时，单个驱动背板20上绑定区21的数量为单个生长基板上的发光芯片12的三倍。若是，制作由R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)以及W(白色)四种颜色形成的显示面板时，单个驱动背板20上绑定区21的数量为单个生长基板上的发光芯片12的四倍。其中，单个驱动背板20上绑定区21的数量与单个生长基板上的发光芯片12的数量关系以此类推。
应理解的是，在制作三色显示面板产品时，需进行三次发光芯片12转移，第一次进行发光芯片12转移后(如转移RLED)，两个发光芯片12之间还应保留两个未绑定发光芯片12的绑定区21，以方便进行后续两次发光芯片12(如转移G LED、B LED)的转移；第二次进行发光芯片12转移后(如转移G LED)，两个发光芯片12之间还应保留一个未绑定发光芯片12的绑定区21，以方便进行最后一次发光芯片12(如转移B LED)的转移；最后一次进行发光芯片12转移时，直接将发光芯片12(如转移B LED)转移至剩余的绑定区21上即可。
本实施例中的显示面板在完成发光芯片12制作后，在制备好的发光芯片12的基底11的第二表面11b，多个芯片生长区111之间的非生长区112上先通过PVD或蒸镀形成反射层14(Ag、Al、Mg等金属形成)，其厚度10nm～100nm左右；再通过CVD形成隔热层15，厚度200～500nm；之后涂布一层吸光层13(PMMA或PI材料)，厚度在1～3um，以保证光密度(OD)在4.0以上。
当生长基板在LLO时，基底上有发光芯片12的部分，激光会照在发光芯片12的GaN上，使发光芯片12顺利剥离；而无发光芯片12的部分，激光会先照射在吸光层13上，其会吸收部分激光能量，通过隔热层15，防止吸光层13吸收激光能量后发热严重，导致基底11受热发生形变，影响转移精度；且未被吸收的激光通过反射层14会再次射向吸光层13，以保证激光能量可以被吸收完全。因此，最终能够降低激光照射至驱动背板20上的绑定区21以及驱动背板20上的其他线路层，防止驱动背板20造成受损，避免驱动背板20无法进行后续的发光芯片12转移。
综上，本发明的生长基板在与驱动背板20直接对组(称作direct bonding)时，无需额外的转移中间步骤和暂态基底就可实现将发光芯片12多次转移至同一驱动背板20上，最终能够用于制作RGB三色产品的显示面板。
关于生长基板的其他结构，请参照实施例一，此处不再赘述。
实施例三
本发明第三方面公开了一种显示面板，显示面板根据实施例二中的制作方法制成。
其中，显示面板可运用于手机、电脑、车载显示器、电子广告牌中等。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。
Claims (10)
1.一种生长基板，包括：基底，所述基底包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区以及位于多个所述芯片生长区之间的非生长区，其特征在于，
所述生长基板还包括吸光层，所述吸光层设于所述基底的入光侧和/或出光侧，且在所述基底上的正投影覆盖所述非生长区。
2.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述吸光层设于所述基底的入光侧，所述吸光层在所述基底上的正投影还覆盖各所述芯片生长区在所述基底上的正投影的边缘；
其中，所述芯片生长区的出光侧生长有发光芯片。
3.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述吸光层的厚度范围为1um-3um，且所述吸光层的光密度值大于4.0。
4.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述生长基板还包括反射层，所述反射层设于所述基底的入光侧或出光侧，所述反射层在所述基底上的正投影与所述吸光层在所述基底上的正投影相重合。
5.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述生长基板还包括隔热层，所述隔热层设于所述吸光层与所述基底之间；
其中，所述隔热层在所述基底上的正投影覆盖所述吸光层在所述基底上的正投影。
6.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述生长基板还包括反射层和隔热层，所述吸光层、所述反射层和所述隔热层均位于所述基底的入光侧，所述隔热层位于所述反射层与所述吸光层之间，所述反射层相对于所述吸光层更靠近所述基底。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板具有多个阵列排布的绑定区；
提供生长基板，所述生长基板包括基底、发光芯片和吸光层，所述基底包括多个间隔且呈阵列排布的芯片生长区以及位于多个所述芯片生长区之间的非生长区，所述发光芯片对应形成在所述芯片生长区，所述吸光层在所述基底上的正投影覆盖所述非生长区；
将所述生长基板与所述驱动背板进行对位连接，以使所述基底上的发光芯片与其对位的所述绑定区进行绑定；
在所述生长基板远离所述驱动背板的一侧提供光源；
在所述发光芯片与其对位的所述绑定区绑定之后，利用所述光源发出的光线将所述发光芯片与所述基底相剥离。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述基底上形成覆盖所述多个发光芯片的保护层。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述基底上依次形成反射层和隔热层，所述隔热层位于所述吸光层与所述反射层之间，其中，
所述反射层、所述隔热层在所述基底上的正投影均覆盖所述非生长区在所述基底上的正投影。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板根据权利要求7-9任一项所述的制作方法制成。
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