CN111564464B - 发光二极管基板及其制备方法 - Google Patents

发光二极管基板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111564464B
CN111564464B CN202010391782.1A CN202010391782A CN111564464B CN 111564464 B CN111564464 B CN 111564464B CN 202010391782 A CN202010391782 A CN 202010391782A CN 111564464 B CN111564464 B CN 111564464B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
sub
emitting diode
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010391782.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111564464A (zh
Inventor
申杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202010391782.1A priority Critical patent/CN111564464B/zh
Publication of CN111564464A publication Critical patent/CN111564464A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111564464B publication Critical patent/CN111564464B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请提供一种发光二极管基板及其制备方法,在发光二极管基板中,驱动基底包括第一电极单元,第一子电极沿着第二子电极的外周方向形成一环状结构;发光二极管器件包括第三子电极,第三子电极沿着第四子电极的外周方向形成一环状结构;第一子电极连接第三子电极,第一子电极和/或第三子电极上开设有开口。本申请通过第一子电极和/或第三子电极上开设有开口,使得第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔和外界气压达到平衡。

Description

发光二极管基板及其制备方法
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种发光二极管基板及其制备方法。
背景技术
在Mini LED和Micro LED因二者的尺寸极小,在进行转印焊接的时候,由于LED灯的电极和驱动基板的电极焊接形成的内腔的内压大于外界的气压,使得LED灯的电极和驱动基板的电极的连接不稳定,造成接触不良,有短路及电阻增大的风险。
发明内容
本申请实施例提供一种发光二极管基板及其制备方法,以解决现有的发光二极管基板在转印焊接时因LED灯的电极和驱动基板的电极焊接形成的内腔的内压大于外界的气压,使得LED灯的电极和驱动基板的电极的连接不稳定的技术问题。
本申请实施例提供一种发光二极管基板,其包括:
驱动基底,所述驱动基底包括基底和第一电极单元,所述第一电极单元设置在所述基底上,所述第一电极单元包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第二子电极同层且间隔设置,所述第一子电极沿着所述第二子电极的外周方向形成一环状结构;以及
发光二极管器件,所述发光二极管器件设置在所述第一电极单元上;所述发光二极管器件包括发光二极管和连接于所述发光二极管一侧的第二电极单元,所述第二电极单元包括第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第四子电极同层且间隔设置,所述第三子电极沿着所述第四子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极与所述第三子电极对应连接,所述第二子电极与所述第四子电极对应连接;
其中所述第一子电极和/或所述第三子电极上开设有开口。
在本申请实施例所述的发光二极管基板中,所述第一子电极上开设有第一开口,所述第三子电极上开设有第二开口,所述第一开口和所述第二开口对应且连通设置。
在本申请实施例所述的发光二极管基板中,所述第三子电极和/或所述第四子电极为具有被磁吸性质的导电材料。
本申请还涉及一种发光二极管基板的制备方法,其包括以下步骤:
提供驱动基底,所述驱动基底包括基底和第一电极单元,所述第一电极单元设置在所述基底上,所述第一电极单元包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第二子电极同层且间隔设置,所述第一子电极沿着所述第二子电极的外周方向形成一环状结构;
提供发光二极管器件;所述发光二极管器件包括发光二极管和连接于所述发光二极管一侧的第二电极单元,所述第二电极单元包括第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第四子电极同层且间隔设置,所述第三子电极沿着所述第四子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极和/或所述第三子电极上开设有开口;
将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,使所述第一子电极与所述第三子电极对应焊接,所述第二子电极与所述第四子电极对应焊接,以形成发光二极管基板。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,包括:
每一所述发光二极管器件旋转设定角度后,转印到所述驱动基底上。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述设定角度为N*90°,N为自然数。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述第三子电极和/或所述第四子电极为具有被磁吸性质的导电材料;
所述将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,以形成发光二极管基板后,还包括步骤:
将所述发光二极管基板放置于一磁性平台上保持设定时长;
分离所述发光二极管基板与所述磁性平台。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述磁性平台包括磁性载台和隔离层,所述隔离层设置在所述载台上。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述磁性载台为永磁性载台或电磁性载台。
在本申请实施例所述的发光二极管基板的制备方法中,所述导电材料为纯金属或金属合金。
本申请的发光二极管基板及其制备方法通过在驱动基底的第一子电极和/或发光二极管器件的第三子电极上开设有开口,以使第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔连通于外界,从而使得第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元和第二电极单元转印焊接的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的发光二极管基板的剖视结构示意图;
图2为本申请实施例的发光二极管基板的驱动基底的俯视结构示意图;
图3为本申请实施例的发光二极管基板的发光二极管器件的侧视结构示意图;
图4为本申请实施例的发光二极管基板的发光二极管器件的仰视结构示意图;
图5为本申请实施例的发光二极管基板的制备方法的流程图;
图6为本申请实施例的发光二极管基板的制备方法的步骤S4的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1,图1为本申请实施例的发光二极管基板的剖视结构示意图。本实施例提供一种发光二极管基板100,其包括驱动基底10和发光二极管器件20。发光二极管器件20固定连接在驱动基底10上。
具体的,请参照图2,驱动基底10包括基底11和第一电极单元12,第一电极单元12设置在所述基底11上。所述第一电极单元12包括第一子电极121和第二子电极122,所述第一子电极121与所述第二子电极122同层且间隔设置。第一子电极121沿着所述第二子电极122的外周方向形成一环状结构。
其中,基底11可以为刚性基底或柔性基底,比如玻璃基底、塑料基底或PI基底等。且基底11上还设置有电性连接于第一电极单元12的驱动电路,该驱动电路用于驱动发光二极管器件20发光。
请参照图3和图4,发光二极管器件20设置在所述第一电极单元12上。所述发光二极管器件20包括发光二极管21和连接于所述发光二极管21一侧的第二电极单元22。第二电极单元22包括第三子电极221和第四子电极222,所述第三子电极221与所述第四子电极222同层且间隔设置。所述第三子电极221沿着所述第四子电极222的外周方向形成一环状结构。
所述第一子电极121与所述第三子电极221对应连接,所述第二子电极122与所述第四子电极222对应连接。
其中所述第一子电极121和/或所述第三子电极221上开设有开口。
本实施例的发光二极管基板100通过在驱动基底10的第一子电极121和/或发光二极管器件20的第三子电极221上开设有开口,以使第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M连通于外界,也即第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元12和第二电极单元22转印焊接的稳定性。
另外,将第一子电极121和第三子电极221呈环状式设计,提高了发光二极管器件20在驱动基底10上的平整性。
在本实施例的发光二极管基板100中,所述第一子电极121上开设有第一开口D1,所述第三子电极221上开设有第二开口D2,所述第一开口D1和所述第二开口D2对应且连通设置。
将第一开口D1和第二开口D2对应连通设置,降低了第一子电极121和第二子电极221在焊接时被堵塞风险。
在一些实施例中,在本实施例的发光二极管基板100中,仅所述第一子电极121上开设开口;或,仅所述第三子电极221上开设开口。
在一些实施例中,所述第一子电极121上开设有第一开口D1,所述第三子电极221上开设有第二开口D2,所述第一开口D1和所述第二开口D2相错设置。
在本实施例的发光二极管基板100中,所述第三子电极221和/或所述第四子电极222为具有被磁吸性质的导电材料。这样的设置便于在制备的过程中,使得第二电极单元22在磁性平台的磁吸作用下与第一电极单元12的连接更稳定,且由于磁性平台对第二电极单元22的磁吸作用力呈均衡性分布,提高了发光二极管器件20在驱动基底10上的平整性。具体制备过程请参照下述一种发光二极管基板100的制备方法的内容,此处不再赘述。
在本实施例的发光二极管基板100中,第一子电极121和第二子电极122的极性相反。第三子电极221和第四子电极222的极性相反。第一子电极121和第三子电极221的极性相同。也即,当第一子电极121为负子电极时,第三子电极221为负子电极,第二子电极122和第四子电极222为正子电极。当第一子电极121为正子电极时,第三子电极221为正子电极,第二子电极122和第四子电极222为负子电极。
可选的,第一子电极121和第三子电极221呈矩形环状,但并不限于此,第一子电极121和第三子电极221也可以是圆环状、椭圆环状或正多边环,等其他结构。
请参照图5,本申请还涉及一种发光二极管基板100的制备方法,其包括以下步骤:
步骤S1:提供驱动基底,所述驱动基底包括基底和第一电极单元,所述第一电极单元设置在所述基底上,所述第一电极单元包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第二子电极同层且间隔设置,所述第一子电极沿着所述第二子电极的外周方向形成一环状结构;
步骤S2:提供发光二极管器件;所述发光二极管器件包括发光二极管和连接于所述发光二极管一侧的第二电极单元,所述第二电极单元包括第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第四子电极同层且间隔设置,所述第三子电极沿着所述第四子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极和/或所述第三子电极上开设有开口;
步骤S3:将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,使所述第一子电极与所述第三子电极对应焊接,所述第二子电极与所述第四子电极对应焊接,以形成发光二极管基板;
步骤S4:将所述发光二极管基板放置于一磁性平台上保持设定时长;
步骤S5:分离所述发光二极管基板与所述磁性平台。
本发光二极管基板的制备方法通过在驱动基底的第一子电极和/或发光二极管器件的第三子电极上开设有开口,以使第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔连通于外界,从而使得第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元和第二电极单元转印焊接的稳定性。
下面对本实施例的发光二极管基板的制备方法进行阐述。
步骤S1:提供驱动基底10。
请参照图2,驱动基底10包括基底11和第一电极单元12,第一电极单元12设置在所述基底11上。所述第一电极单元12包括第一子电极121和第二子电极122,所述第一子电极121与所述第二子电极122同层且间隔设置。第一子电极121沿着所述第二子电极122的外周方向形成一环状结构。第一子电极121和第二子电极122的极性相反。
其中,基底11可以为刚性基底或柔性基底,比如玻璃基底、塑料基底或PI基底等。且基底11上还设置有电性连接于第一电极单元12的驱动电路,该驱动电路用于驱动发光二极管器件20发光。
所述第一子电极121上开设有第一开口D1。当第一电极单元12和第二电极单元22焊接时,第一开口D1的设置便于第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M连通于外界,也即第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元12和第二电极单元22转印焊接的稳定性。
随后转入步骤S2。
步骤S2:提供发光二极管器件20。
请参照图3和图4,发光二极管器件20设置在所述第一电极单元12上。所述发光二极管器件20包括发光二极管21和连接于所述发光二极管21一侧的第二电极单元22。第二电极单元22包括第三子电极221和第四子电极222,所述第三子电极221与所述第四子电极222同层且间隔设置。所述第三子电极221沿着所述第四子电极222的外周方向形成一环状结构。第一子电极121和第二子电极122的极性相反。
所述第三子电极221上开设有第二开口D2。当第一电极单元12和第二电极单元22焊接时,第二开口D2的设置便于第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M连通于外界,也即第一电极单元12和第二电极单元22焊接形成的内腔M和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元12和第二电极单元22转印焊接的稳定性。
当然在一些实施例中,第一子电极121和第三子电极221中的仅一者可以开设开口。
另外,所述第三子电极221和/或所述第四子电极222为具有被磁吸性质的导电材料。导电材料为纯金属或金属合金,比如铜、铝、铁合金或铜合金等。
可选的,第一子电极121和第三子电极221呈矩形环状,但并不限于此,第一子电极121和第三子电极221也可以是圆环状、椭圆环状或正多边环,等其他结构。
其中步骤S1和步骤S2没有先后之分。
随后转入步骤S3。
步骤S3:将所述发光二极管器件20转印到所述驱动基底10上,使所述第一子电极121与所述第三子电极221对应焊接,所述第二子电极122与所述第四子电极222对应焊接,以形成发光二极管基板100。
请参照图1,驱动基底10上包括有多个第一电极单元12,每个第一电极单元12对应连接一个发光二极管器件20的第二电极单元22。
具体的,每一所述发光二极管器件20旋转设定角度后,转印到所述驱动基底10上。
其中,第一开口D1对应于所述第二开口D2。将第一开口D1和第二开口D2对应连通设置,降低了第一子电极121和第二子电极221在焊接时被堵塞风险。
第一子电极121和第三子电极221为矩形环状。且所述设定角度为N*90°,N为自然数。也即,设定角度可以为90°、180°、270°、-90°、-180°或-270°中的一种。当然,设定角度也可以是其他角度,比如15°、30°、45°或60°等。
每一发光二极管器件20按照设定角度转动后进行转印焊接,能确保电流方向的一致性。
随后转入步骤S4。
步骤S4:将所述发光二极管基板100放置于一磁性平台30上保持设定时长。
具体的,请参照图6,将发光二极管基板100放置于一磁性平台30上,第二电极单元22在磁性平台30的磁吸作用下与第一电极单元12的连接更稳定。因为第二电极单元22和第一电极单元21在焊接完后,二者具有一定的软化,接着在磁性平台30均衡的磁吸作用力下,以加固第二电极单元22和第一电极单元12的焊接,以及提高了发光二极管器件20在驱动基底10上的平整性,避免色差问题。
可选的,该设定时长可以根据实际要求而定,此处不作限制。
磁性平台30包括磁性载台31和隔离层32,所述隔离层32设置在所述载台31上。可选的,所述磁性载台31为永磁性载台或电磁性载台,比如永磁铁或电磁铁。
随后转入步骤S5。
步骤S5:分离所述发光二极管基板100与所述磁性平台30。
这样便完成了本实施例的发光二极管基板100的制备过程。
本申请的发光二极管基板及其制备方法通过在驱动基底的第一子电极和/或发光二极管器件的第三子电极上开设有开口,以使第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔连通于外界,从而使得第一电极单元和第二电极单元焊接形成的内腔和外界气压达到平衡,进而提高第一电极单元和第二电极单元转印焊接的稳定性。
以上对本申请实施例所提供的一种发光二极管基板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管基板,其特征在于,包括:
驱动基底,所述驱动基底包括基底和第一电极单元,所述第一电极单元设置在所述基底上,所述第一电极单元包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第二子电极同层且间隔设置,所述第一子电极沿着所述第二子电极的外周方向形成一环状结构;以及
发光二极管器件,所述发光二极管器件设置在所述第一电极单元上;所述发光二极管器件包括发光二极管和连接于所述发光二极管一侧的第二电极单元,所述第二电极单元包括第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第四子电极同层且间隔设置,所述第三子电极沿着所述第四子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极与所述第三子电极对应连接,所述第二子电极与所述第四子电极对应连接;
其中所述第一子电极和/或所述第三子电极上开设有开口,所述开口用于连通所述第一电极单元和所述第二电极单元焊接形成的内腔和外界空气;所述第一子电极和所述第二子电极的极性相反,所述第三子电极和所述第四子电极的极性相反,所述第一子电极和所述第三子电极的极性相同。
2.根据权利要求1所述的发光二极管基板,其特征在于,所述第一子电极上开设有第一开口,所述第三子电极上开设有第二开口,所述第一开口和所述第二开口对应且连通设置。
3.根据权利要求1所述的发光二极管基板,其特征在于,所述第三子电极和/或所述第四子电极为具有被磁吸性质的导电材料。
4.一种发光二极管基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供驱动基底,所述驱动基底包括基底和第一电极单元,所述第一电极单元设置在所述基底上,所述第一电极单元包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第二子电极同层且间隔设置,所述第一子电极沿着所述第二子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极和所述第二子电极的极性相反;
提供发光二极管器件;所述发光二极管器件包括发光二极管和连接于所述发光二极管一侧的第二电极单元,所述第二电极单元包括第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第四子电极同层且间隔设置,所述第三子电极沿着所述第四子电极的外周方向形成一环状结构,所述第一子电极和/或所述第三子电极上开设有开口,所述开口用于连通所述第一电极单元和所述第二电极单元焊接形成的内腔和外界空气,所述第三子电极和所述第四子电极的极性相反,所述第一子电极和所述第三子电极的极性相同;
将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,使所述第一子电极与所述第三子电极对应焊接,所述第二子电极与所述第四子电极对应焊接,以形成发光二极管基板。
5.根据权利要求4所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,包括:
每一所述发光二极管器件旋转设定角度后,转印到所述驱动基底上。
6.根据权利要求5所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述设定角度为N*90°,N为自然数。
7.根据权利要求4所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述第三子电极和/或所述第四子电极为具有被磁吸性质的导电材料;
所述将所述发光二极管器件转印到所述驱动基底上,以形成发光二极管基板后,还包括步骤:
将所述发光二极管基板放置于一磁性平台上保持设定时长;
分离所述发光二极管基板与所述磁性平台。
8.根据权利要求7所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述磁性平台包括磁性载台和隔离层,所述隔离层设置在所述载台上。
9.根据权利要求8所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述磁性载台为永磁性载台或电磁性载台。
10.根据权利要求7所述的发光二极管基板的制备方法,其特征在于,所述导电材料为纯金属或金属合金。
CN202010391782.1A 2020-05-11 2020-05-11 发光二极管基板及其制备方法 Active CN111564464B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010391782.1A CN111564464B (zh) 2020-05-11 2020-05-11 发光二极管基板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010391782.1A CN111564464B (zh) 2020-05-11 2020-05-11 发光二极管基板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111564464A CN111564464A (zh) 2020-08-21
CN111564464B true CN111564464B (zh) 2023-07-25

Family

ID=72072092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010391782.1A Active CN111564464B (zh) 2020-05-11 2020-05-11 发光二极管基板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111564464B (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8053902B2 (en) * 2008-12-02 2011-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Isolation structure for protecting dielectric layers from degradation
US10937768B2 (en) * 2017-03-13 2021-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of manufacturing display device
TWI647742B (zh) * 2018-04-19 2019-01-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
TWI728270B (zh) * 2018-09-28 2021-05-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件以及其相關之製造方法
CN109216427B (zh) * 2018-10-25 2021-03-30 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN110690244B (zh) * 2019-10-15 2021-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种背板、显示面板以及微发光二极管的转移方法
CN110707186A (zh) * 2019-10-21 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led显示面板的制备方法
CN110634906B (zh) * 2019-10-30 2021-10-01 深圳市思坦科技有限公司 一种发光二极管显示器
CN111081160B (zh) * 2019-12-31 2022-01-04 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111564464A (zh) 2020-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111816751B (zh) 微发光二极管显示面板及其制备方法
CN101304059B (zh) 发光二极管组件及发光二极管显示装置
EP2433318B1 (en) Oled lighting devices including electrodes with magnetic material
CN110767582B (zh) 一种Micro-LED芯片的转移方法
CN106571371B (zh) 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107863316A (zh) Micro LED转运装置、转运方法及其制作方法
CN111292631B (zh) 微发光二极管显示面板及其制备方法
CN112197181A (zh) 一种led直管灯
US20230048122A1 (en) Apparatus and method of manufacturing display using light emitting element
TWI774710B (zh) 製造發光二極體(led)載體組件之方法
EP2788676B1 (en) A lighting system
TWI688320B (zh) 轉置方法及轉置裝置
CN109637966B (zh) 一种Micro-LED的转移方法
CN111564464B (zh) 发光二极管基板及其制备方法
CN109671670A (zh) 微元件的巨量排列方法及系统
CN110418517A (zh) 显示面板的小型发光二极管表面粘着组装方法
JP2007128845A (ja) レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
CN210245498U (zh) 一种微型芯片转移设备
CN111439016B (zh) 异形玻璃盖板的贴合方法及显示装置
KR102601032B1 (ko) 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법
KR102720329B1 (ko) 마이크로 발광 다이오드 표시패널 및 이의 제조방법
US20230369296A1 (en) Magnetic led die transferring device and magnetic led die transferring method
CN111833800B (zh) 微元件的接收基板以及转移方法、显示装置
CN212588249U (zh) 透镜驱动装置、照相装置及电子设备
CN112802941A (zh) 一种显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant