TWI768433B - 三合一RGB mini-LED製程方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種三合一RGB mini-LED製程方法，先在一基板上依序設置有一第二電性半導體層、一多重量子井層及一第一電性半導體層；沈積多個反射鏡於該第一電性半導體層上；蝕刻該第一電性半導體層及該多重量子井層；沈積一整層的一保護層；形成第一金屬電極及第二金屬電極；形成分隔區，並將一RGB量子點濾光片貼合於該基板的底部，之後進行切割。本發明不僅可以在一晶圓上將發光的面分割為多個發光區域；並且在製程上，僅須使用單一光源波長的材料，搭配有量子點濾光片，產生RGB三種顏色的發光需求，且能客製化為長條形或是正矩形的RGB mini-LED裝置。

Description

三合一RGB　mini-LED製程方法
本發明涉及一種三合一RGB mini-LED製程方法，特別是一種能夠運用在具有RGB量子點LED顯示器的三合一RGB mini-LED製造方法。
現有技術中，關於LED具有高亮度、節能、多色彩及快速變化的諸多特性，已廣泛應用於各種需要光源的照明領域。其中相關前案技術有台灣專利M544122新型專利，專利名稱：單一晶圓上產生不同發光顏色的發光二極體。此前案技術的缺點在於：在單一的晶圓上，要能夠發出不同顏色的光效果，則必須要能夠在半導體的製作過程上搭配不同顏色的材料，亦即，必須依據不同顏色的需求，進而搭配不同光波長的材料。如此，在整體製作過程中所需要的工序會更加繁瑣；此外，該習用技術亦無法配合客戶針對不同的燈具顯示裝置的需求而製作成不同形狀之RGB LED燈具。
本發明為一種三合一RGB mini-LED製程方法，不僅可以在一晶圓上將發光的面分割為多個發光區域；並且在製程上，僅須使用單一光源波長的材料，搭配有量子點濾光片，產生RGB三種顏色的發光需求，有效的改善現有技術的缺失。此外，透過本發明的覆晶倒裝製程設計，成為具有RGB 量子點材料的LED發光元件，並且使得本發明中相關的電性半導體層的邊界在進行封裝製程時，不容易受損害，可以得到尺寸較小、光使用效率高及光形可精準控制的RGB mini-LED結構。此外，本發明也能夠依據客戶的需求，進行客製化的形狀切割成不同大小的顯示器。
本發明的三合一RGB mini-LED製程方法，先在一基板上依序設置有一第二電性半導體層、一多重量子井層及一第一電性半導體層；之後沈積多個反射鏡於該第一電性半導體層上，並使該多個反射鏡的每一個反射鏡與該第一電性半導體層電性接觸；蝕刻該第一電性半導體層及該多重量子井層，使該第二電性半導體層露出，形成多個第一電性半導體層，且該多個第一電性半導體層的每一個第一電性半導體層面積略大於該每一個反射鏡之面積；再沈積一整層的一保護層，並於該每一個反射鏡的上方露出有第一接觸面積，以及在該第二電性半導體層的上方露出有第二接觸面積；在該第一接觸面積上方設置有第一金屬電極，且該第一金屬電極的面積大於該第一接觸面積；並在該第二接觸面積上方設置有第二金屬電極，且該第二金屬電極的面積大於該第二接觸面積；蝕刻該第二電性半導體層的邊緣，並露出該基板作為分隔區之用；備置一RGB量子點濾光片，並將該RGB量子點濾光片貼合於該基板的底部；及依據該分隔區執行切割，以切割為長條形或矩形，形成一三合一RGB mini-LED結構。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
1、1a、1b:顯示細胞/顯示單元5分隔區
10:基板
11:第一電性半導體層
12:第二電性半導體層
12a:第二接觸面積
13:多重量子井層
14:反射鏡
14a:第一接觸面積
16:保護層
17:披覆層
18:介電材料
20:第一金屬電極
22:第一金屬電極凸塊
30:第二金屬電極
32:第二金屬電極凸塊
40:隔框
42:透明基板
44:RGB量子點濾光片
46:貼合膠
48:封裝膠
50R:紅色量子點材料
50G:綠色量子點材料
50B:藍色量子點材料
圖1為本發明反射鏡實施例的側視示意圖； 圖2為本發明蝕刻實施例的側視示意圖；圖3為本發明保護層實施例的側視示意圖；圖4為本發明金屬電極實施例的側視示意圖；圖5為本發明又一蝕刻實施例的側視示意圖；圖6A為本發明披覆層實施例的側視示意圖；圖6B為本發明金屬電極凸塊實施例的側視示意圖；圖7A為本發明RGB量子點濾光片實施例的側視示意圖；圖7B為本發明圖7A實施例元件結合後切割的側視示意圖；圖8A為本發明另一RGB量子點與元件結合的側視示意圖；圖8B為圖8A執行切割的側視示意圖；圖9A為本發明一產品實施例的仰視示意圖；圖9B為本發明圖9A實施例的俯視示意圖；圖9C為本發明圖9A實施例的透視示意圖；圖10A為本發明另一產品實施例的仰視示意圖；圖10B為本發明圖10A實施例的俯視示意圖；圖11A為本發明產品排列切割示意圖；圖11B為本發明另一產品排列切割示意圖；圖11C為本發明又一產品排列切割示意圖；圖11D為本發明再一產品排列切割示意圖。
本發明公開一種三合一RGB mini-LED製程方法，本發明能有效提升燈體的高質感；且能依事先設計需求於覆晶倒裝元件製程完成切割後，能製成各種不同的RGB mini-LED發光晶片，成為具有RGB量子點材料的LED 發光元件。本發明亦能夠依設計需求，選擇各種適當形狀大小的RGB LED Bar或LED燈條，搭配必要的其他電子零件、連接器驅動IC，再以表面貼焊的技術，將LED晶粒打件在依設計需求選用的電路板上，完成RGB光源的mini-LED發光裝置之製作，可以得到尺寸較小、光使用效率高及光形可精準控制的RGB mini-LED結構。
在下文中將參閱隨附圖式，藉以更充分地描述各種例示性實施例，並在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而，本發明之概念可能以許多不同形式來加以體現，且不應解釋為僅限於本文中所闡述之例示性實施例。確切而言，提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且具體，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。在諸圖式中，可以為了清楚而誇示RGB LED晶粒、RGB LED組件、發光二極體或電路板等尺寸的大小與各相對應位置距離，其中對於類似或相似的英文標號或數字，始終指示類似或相關係的元件。
應理解，雖然在本文中可能使用術語係包括出現之第一、第二、第三…，此等術語乃用以清楚地區分一元件與另一元件，並非具有一定的元件的先後數字的順序關係。如本文中所使用術語之左側或右側、左端或右端、左側邊或右側邊等等，此等術語乃用以清楚地區分一個元件的一側邊與端點與對應該元件的另一側邊與端點，或為區分一元件與另一元件之間的對應連接位置關係，或是一個側邊與另一個側邊之間係為不同位置，其並非用以限制該文字序號所呈現之順序關係或是位置關係，且非必然有數字上連續的關係；亦即由另一角度觀之，描述元件的右側(或左側)可以被改稱為左側(或右側)而不影響技術的本質。再者，本文中可能會使用術語「至少一個」來描述具有一個或有多個元件以上所實施之技術。另外本文也可能使用術語「多個」來描述具有多個元件或複數個元件，但此等複數個，乃不僅限於實施有二個、 三個或四個及四個以上的數目表示所實施之技術。以上，合先敘明。
參閱圖1所示，本發明三合一RGB mini-LED製程方法的第一實施例側視的示意圖示，首先揭露單一個顯示細胞1(或稱顯示單元)的結構，該結構由下至上，依序包括有一基板10、一第二電性半導體層12、一多重量子井層13、一第一電性半導體層11以及有多個反射鏡14(圖1中為顯示細胞1側視圖，故僅顯示一個，多個反射鏡14可以參考圖9C實施例所示)。亦即，在基板10上沈積有第二電性半導體層12，在第二電性半導體層12上又依序沈積有多重量子井層13以及第一電性半導體層11，之後在第一電性半導體層11上沈積所述多個反射鏡14，所述多個反射鏡14與第一電性半導體層11為電性接觸。其中，基板10材質可以為藍寶石(Sapphire)基板，或為其他氧化物材質的材料。所述第一電性半導體層11與第二電性半導體層12為磊晶矽層(EPI)，或稱磊晶層。多重量子井層13(MQW：Multi-Quantum Well)可以為氮化銦鎵/氮化鎵的多重量子井奈米柱的光學層。所述反射鏡14則可以是銀、鋁、鎳的金屬，或者是銀鋁、鋁鎳、銀鎳的疊層，又或者是銀鋁鎳的疊層，本發明並不加以限制。此外，在實際運用的實施例中，本發明中所述之反射鏡14亦能夠是具有保護作用的一保護層。再者，圖1所示也同樣是本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟一，係將反射鏡14沈積於第一電性半導體層11之上，並使反射鏡14與第一電性半導體層11電性接觸。
須聲明者，前述圖1中所揭示的內容，僅舉例單一元件的示例方式，以便於將圖示對應到文字的輔助說明，在實際製作上係以一整片半導體晶圓的製程方式作為製作程序的基礎。
圖2所示，為本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟二，為蝕刻半導體之步驟，是利用乾式蝕刻方式，或利用溼式蝕刻方式針對所述第一電性半導體層11以及多重量子井層13加以蝕刻，藉此，露出所述的第二 電性半導體層12，此時形成有多個第一電性半導體層11，並且每一個第一電性半導體層11的面積約略大於每一個反射鏡14的面積(如圖9C所示)。
圖3所示，為本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟三，為沈積一保護層16之步驟，乃是在步驟二之後沈積一整層的保護層16，並於反射鏡14的上方露出有第一接觸面積14a，以及在第二電性半導體層12的上方露出有第二接觸面積12a。此沈積步驟為沈積金屬氧化物或金屬氮化物(SiO2、SiN或是TiO2...等等)在前述金屬的反射鏡14的邊界及其上方，並在金屬的反射鏡14的上方露出有第一接觸面積14a，亦即所述第一接觸面積14a乃是保護層16在反射鏡14上方的開口面積。於此同時，亦沈積金屬氧化物或金屬氮化物在前述第二電性半導體層12的邊界及其上方，並在第二電性半導體層12的上方露出有第二接觸面積12a，亦即所述第二接觸面積12a乃是保護層16在第二電性半導體層12上方的開口面積。
圖4所示，為本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟四，主要是在前述第一接觸面積14a上方設置、形成有第一金屬電極20，且使得第一金屬電極20所形成的面積大於第一接觸面積14a；同時在也第二接觸面積12a上方設置有第二金屬電極30，同樣地，第二金屬電極30所形成的面積大於第二接觸面積12a。其中所述的第一金屬電極20與第二金屬電極30在實際使用時可為Ti/Pt/Au或者是Cr/Pt/Au等材質。
圖5所示，為本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟五，是針對前述步驟四之後，利用乾式蝕刻方式或利用溼式蝕刻方式，對圖4所示的元件結構中的第二電性半導體層12的邊緣加以蝕刻，並露出所述的基板10作為分隔區5(分隔區5如圖7B所示)之用，如圖5中左側的虛線所指示的方向為向右蝕刻，同時也一併蝕刻了在第二電性半導體層12上方保護層16的邊緣。圖5中右側的虛線所指示的方向為向左蝕刻，則一併蝕刻了第二電性半導 體層12、多重量子井層13、第一電性半導體層11以及保護層16等等的邊緣，作為分隔區5使用。
圖6A所示，為在一實施例中，進一步形成一披覆層17的實施例，主要是覆蓋上一層的非導電層(亦即披覆層17)在圖5所示的元件結構上，所述披覆層17僅露出前述第一金屬電極20的部份面積，以及露出前述第二金屬電極30的部份面積，且不覆蓋分隔區5。亦即，披覆層17覆蓋了第一金屬電極20的邊界及上方且在上方露出部份第一金屬電極20面積，亦覆蓋第二金屬電極30的邊界及上方且在上方露出部份第二金屬電極30面積。在實際製作上，所述的披覆層17為TiO2或是SiO2等材質。
圖6B所示，為針對圖6A實施例中，再進一步執行銲錫凸塊(Bumping)製作的實施例，是在前述第一金屬電極20上方形成一第一金屬電極凸塊22，並且在第二金屬電極30上形成一第二金屬電極凸塊32，如圖6B所示。其中還包括有在所述銲錫凸塊製作步驟之後，執行在披覆層17上方覆蓋有介電材料18，所述介電材料18不覆蓋分隔區5，且介電材料18不覆蓋第一金屬電極凸塊22的上方，亦不覆蓋第二金屬電極凸塊32的上方。在實際製作上，所述的介電材料18為環氧樹脂Epoxy或是矽樹脂Silicone等等材質。再者，圖6B中，還包括有使用薄膜製程、化學電鍍或印刷技術，使得第一金屬電極凸塊22、第二金屬電極凸塊32兩者的電極之間，能更為平整。
須聲明者，若在不同的情境之下，關於圖6A及圖6B所揭示的實施例在被製造商實際運用之時，亦能夠依據實際需求或不同作業條件要求下，省略圖6A及圖6B的製作程序，進而讓所述的圖6A及圖6B的製作另由不同的合作廠商製作或是在核心製程之外，另外再加工製造處理。
圖7A所示，為本發明三合一RGB mini-LED製程方法的步驟六，乃是備置一RGB量子點濾光片44，並將所述RGB量子點濾光片44貼合於 前述藍寶石之基板10的底部。其中，RGB量子點濾光片44所備置的方法包括有：首先，在一透明基板42上以不透光材質形成多個隔框40，所述的隔框(Dam)40乃是將所述不透光材質採取黃光製程的方式製作而成，係為光阻隔框(Dam)40。在該多個隔框40內，再搭配不同波長的量子點材料，進一步將該不同波長的量子點材料噴塗在所述多個隔框40內，形成該RGB量子點濾光片(QD Filter)44或是RGB晶圓。所述不同波長的量子點材料在實際運用上，係包括有：紅色量子點材料50R、綠色量子點材料50G及藍色量子點材料50B等材料。
圖7B所示，係針對圖7A所揭示之RGB量子點濾光片44貼合於基板10的底部之示意圖，所述貼合係以一貼合膠46將RGB量子點濾光片44與基板10相貼合。之後，進行切割步驟，如圖7B中的兩點鏈線(假想線)所指示的箭頭方向針對前述的分隔區5執行切割，所述的切割主要是依據客戶所需求的不同形狀或大小，進行客製化的切割作業，以滿足客戶針對特殊燈具造型美感之需求，如此完成了RGB mini-LED的覆晶倒裝的製作方法步驟，同時完成RGB mini-LED的覆晶倒裝的裝置結構。其中所述的貼合膠46可以是UV膠(紫外線硬化膠)、Epoxy或是Silicone等材質。另一方面，圖7B中所標示的一點鏈線(中心線)所指示的箭頭方向，乃是指出LED透過RGB量子點濾光片44的發光方向。
圖8A、圖8B所示，乃係相對於圖7A、圖7B中有關量子點材料製作的另一實施例，如圖8A中是直接以黃光製程的方式，在前述基板10的背面製作多個隔框(Dam)40，亦為光阻隔框，亦即，省略的圖7A中的透明基板42的材料，如此可以將整體元件的厚度加以減少。圖8A中在形成多個隔框40之後，直接在所述多個隔框40之內個別噴塗不同波長的量子點材料。其中，所述不同波長的量子點材料在實際運用上，係包括有：紅色量子點材料50R、 綠色量子點材料50G及藍色量子點材料50B等材料等等。圖8B所示，則是針對圖8A所揭示多個隔框40的整層結構上方，以一封裝膠48加以封裝，所述的封裝膠48在實際製作上，可以是UV膠(紫外線硬化膠)、Epoxy或是Silicone等材質。封裝之後再進行切割，係針對前述的分隔區5為切割的基準線，且依據客戶所需求的不同形狀或大小，進行客製化的切割作業，以滿足客戶針對特殊燈具造型美感之需求。
圖9A、圖9B及圖9C所示為一實際產品的實施例，揭露一個顯示細胞1a(或稱顯示單元)的底視示意圖，圖9B則為圖9A的頂視圖，圖9C則為針對圖9A的透視示意圖(為了清楚說明各個層的相對位置，於圖9C所示中誇示了每一層之+厚度，然而實際產品的厚度並非如圖9C所示之厚度比例)，須聲明者，圖9A及圖9B所揭示的各層材料，基本上為透明的材料，使得元件的俯視與仰視的時候能夠觀察至內部的疊層關係。如圖9C所示，針對一個顯示細胞1(或稱顯示單元)的三合一RGB mini-LED裝置之結構做說明。包括有前述的基板10、第二電性半導體層12、多個多重量子井層13、多個第一電性半導體層11及多個反射鏡14。同樣的，在圖9C中，第二電性半導體層12設於基板10上；有多個多重量子井層13設於第二電性半導體層12上，所述多個多重量子井層13的每一多重量子井層13的面積是小於第二電性半導體層12的面積；並且第二電性半導體層12上有一區域為不被所述多個多重量子井層13所覆蓋的區域，該區域如圖9C中的虛線所示。圖9C中亦有多個第一電性半導體層11，對應設於前述多個多重量子井層13上，且多個第一電性半導體層11中的每一第一電性半導體層11的面積與每一個多重量子井層13的面積為相同；另有多個反射鏡14對應設於前述多個第一電性半導體層11上，且個別電性接觸該多個第一電性半導體層11。其中，多個反射鏡14的每一個反射鏡14的面積小於每一個第一電性半導體層11的面積。
圖9C中僅顯示至有反射鏡14，然而在實際製作上，還包括有一整層的保護層16(如圖3所示)，亦即保護層16覆蓋於每一個反射鏡14的邊界與上方，以及覆蓋在每一個第一電性半導體層11的邊界與上方；同時覆蓋在第二電性半導體層12上，並且有露出多個第一接觸面積14a及一第二接觸面積部份12a(如圖3所示)。更進一步而言，還包括有多個第一金屬電極20，所述多個第一金屬電極20的每一個第一金屬電極20對應設於該多個第一接觸面積14a的每一個第一接觸面積14a上；還包括有第二金屬電極30，設於該第二接觸面積12a上(如圖4所示)。以及包括有前述的RGB量子點濾光片44，設於基板10之底部(如圖7B所示)。
圖10A、圖10B揭露另一種顯示細胞1b(或稱顯示單元)的實施例，圖10A所示為相對於圖9A實際產品的另一種產品實施例態樣的底視圖，其所差異於圖9A之處在於該圖9A的RGB是呈現方形矩陣的排列方式，而圖10A所示則是呈現垂直排列(從另一角度觀之，亦可稱為水平排列的方式)的方式。有關圖10A的結構中，則基板10、第二電性半導體層12、多個多重量子井層13、多個第一電性半導體層11及多個反射鏡14等元件的製程步驟皆相同於圖9A所示。同樣的，圖10A亦能再包括有保護層16、第一金屬電極20、第二金屬電極30以及RGB量子點濾光片44之疊層結構。另一方面，圖10B所揭示則是圖10A的頂視圖。
圖11A-圖11D所示乃是說明本發明所提出的實際實施例，可以依據不同使用端的顯示裝置實際需求，或者是用戶端對於終端顯示器不同形狀的實際需求，執行個別裁切的操作，能夠進一步切割為長條形的顯示器形狀，或是切割成為一正矩形的顯示器形狀。如圖11A所示，能夠將一整片的RGB半導體晶圓進一步切割為單一顯示細胞、雙顯示細胞、三顯示細胞至成為一長條形的顯示細胞。圖11B所示，為相對於前述圖11A所示的各種顯示細胞之 外，在圖11A所示的各種元件下方，再行增加一列的RGB顯示細胞；圖11C所示，為相對於前述圖11B所示的各種顯示細胞之外，在圖11B所示的各種元件下方，再行增加一列的RGB顯示細胞；圖11D所示，為相對於前述圖11C所示的各種顯示細胞之外，在圖11C所示的各種元件下方，再行增加一列的RGB顯示細胞。因此，本發明的三合一RGB mini-LED製程方法能夠提供給客戶客製化顯示器的不同需求，亦能夠透過切割的步驟，進行不同結構形狀的切割作業，提供給客戶具有美感且符合結構外觀形狀需求的RGB mini-LED裝置。
綜上所述，本發明之三合一RGB mini-LED製程方法不僅開發出了厚度薄，且能夠將整體晶圓、晶片的發光面分割為三個或多個獨立電氣區域(如圖9A、圖9B所示)，可以採用共陽極或共陰極的設計；並且能將不透光的隔框(Dam)做於晶圓(Wafer)上，並搭配不同波長之量子點材料噴塗於晶片上製成RGB三顏色(Red、Green、Blue)(如圖8A、圖8B)；或者是將不透光的隔框(Dam)做於透明基板42上，於隔框40內搭配不同波長之量子點材料噴塗於內，形成量子點濾光片44後再貼附於晶圓(Wafer)上形成三顏色(如圖7A、圖7B)；之後將此三顏色晶圓(Wafer)依需求切割成多合一之晶粒大小，或者是進行封裝製程保護。因此，本發明能大幅度的提升燈體的高質感，並且可得到尺寸較小、光使用效率高及光形可精準控制的RGB mini-LED裝置，有效地應用在各種不同形狀的RGB-LED燈具或RGB-LED顯示器的領域之中。顯見，本發明技術內容具有極強的專利申請要件。
然而，本發明說明所述之內容，僅為較佳實施例之舉例說明，當不能以之限定本發明所保護之範圍，任何相關局部變動、微小的修改修正或增加之技術，或為數字上或位置上的變化等等，仍不脫離本發明所保護之範圍。
1a 顯示細胞/顯示單元 11 第一電性半導體層               12 第二電性半導體層 14 反射鏡                                 20 第一金屬電極 30 第二金屬電極

Claims (8)

  1. 一種三合一RGB mini-LED製程方法，先在一基板上依序設置有一第二電性半導體層、一多重量子井層及一第一電性半導體層；沈積多個反射鏡於該第一電性半導體層上，並使該多個反射鏡的每一個反射鏡與該第一電性半導體層電性接觸；蝕刻該第一電性半導體層及該多重量子井層，使該第二電性半導體層露出，形成多個第一電性半導體層，且該多個第一電性半導體層的每一個第一電性半導體層面積略大於該每一個反射鏡之面積；沈積一整層的一保護層，並於該每一個反射鏡的上方露出有第一接觸面積，以及在該第二電性半導體層的上方露出有第二接觸面積；在該第一接觸面積上方設置有第一金屬電極，且該第一金屬電極的面積大於該第一接觸面積；並在該第二接觸面積上方設置有第二金屬電極，且該第二金屬電極的面積大於該第二接觸面積；蝕刻該第二電性半導體層的邊緣，並露出該基板作為分隔區之用；備置一RGB量子點濾光片，並將該RGB量子點濾光片貼合於該基板的底部；及依據該分隔區執行切割，以切割為長條形或矩形，形成一三合一RGB mini-LED結構；其中在所述蝕刻該第二電性半導體層的邊緣的步驟後執行：覆蓋一披覆層，僅露出該第一金屬電極的部份面積及露出該第二金屬電極的部份面積，且不覆蓋該分隔區。
  2. 如請求項1所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中所述備置一RGB量子點濾光片，所備置的方法包括：在一透明基板上以不透光材質形成多個隔框；在該多個隔框內，搭配不同波長的量子點材料，將該不同波長的量子點材料噴塗在該多個隔框內，形成該RGB量子點濾光片。
  3. 如請求項1所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中在所述覆蓋該披覆層的步驟後執行銲錫凸塊製作，在該第一金屬電極上形成一第一金屬電極凸塊，在該第二金屬電極上形成一第二金屬電極凸塊。
  4. 如請求項3所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中在所述銲錫凸塊製作之後，執行在該披覆層上方覆蓋有介電材料，該介電材料不覆蓋該分隔區，且該介電材料不覆蓋該第一金屬電極凸塊的上方，亦不覆蓋該第二金屬電極凸塊的上方。
  5. 如請求項4所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中在該覆蓋介電材料的步驟後，包括使用薄膜製程、化學電鍍或印刷技術，使該第一、第二金屬電極凸塊的電極之間更為平整。
  6. 一種三合一RGB mini-LED製程方法，先在一基板上依序設置有一第二電性半導體層、一多重量子井層及一第一電性半導體層；沈積多個反射鏡於該第一電性半導體層上，並使該反射鏡與該第一電性半導體層電性接觸；蝕刻該第一電性半導體層及該多重量子井層，使該第二電性半導體層露出，並使該第一電性半導體層面積略大於該反射鏡之面積；沈積一整層的一保護層，並於該反射鏡的上方露出有第一接觸面積，以及在該第二電性半導體層的上方露出有第二接觸面 積；在該第一接觸面積上方設置有第一金屬電極，且該第一金屬電極的面積大於該第一接觸面積；並在該第二接觸面積上方設置有第二金屬電極，且該第二金屬電極的面積大於該第二接觸面積；蝕刻該第二電性半導體層的邊緣，並露出該基板作為分隔區之用；在該基板的背面以不透光材質形成多個隔框；以不同波長的量子點材料噴塗在該多個隔框內；依據該分隔區執行切割，以切割為長條形或矩形，形成一三合一RGB mini-LED結構；其中在所述蝕刻該第二電性半導體層的邊緣的步驟後執行：覆蓋一披覆層，僅露出該第一金屬電極的部份面積及露出該第二金屬電極的部份面積，且不覆蓋該分隔區。
  7. 如請求項6所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中在所述覆蓋該披覆層的步驟後執行銲錫凸塊製作，在該第一金屬電極上形成一第一金屬電極凸塊，在該二金屬電極上形成一第二金屬電極凸塊。
  8. 如請求項7所述的三合一RGB mini-LED製程方法，其中在所述銲錫凸塊製作之後，執行在該披覆層上方覆蓋有介電材料，該介電材料不覆蓋該分隔區，且該介電材料不覆蓋該第一金屬電極凸塊的上方，亦不覆蓋該第二金屬電極凸塊的上方。
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