CN216719980U - 一种微型led封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种微型LED封装结构，包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片电极侧分别设置于两个芯片电极表面的刚性支撑层，且刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；于刚性支撑层表面匹配设置的焊接金属层；及于倒装LED芯片及刚性支撑层表面设置的透镜。有效解决现有微型LED邦定作业中易出现的芯片偏移、翻转等不良问题。

Description

一种微型LED封装结构

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是一种微型LED封装结构。

背景技术

传统背光LED已发展多年，技术上存在一定的瓶颈，利润也相对不高，加上具备轻薄、可挠曲等高功能性的OLED显示器不断侵蚀背光显示市场，迫使未在OLED显示器上布局的厂商积极投入性能和成本上同时具备竞争力的微型LED的开发。性能上来说，采用微型LED的直下式背光具有区域调光(Local Dimming)的特性，可比拟OLED自发光的高对比效果，且微型LED直下式背光可制作出高曲面的显示器与OLED显示器相抗衡。成本上来说，以电视产品为例，采用微型LED直下式背光的成本较OLED低20～30％，有助于厂商的获利表现。

从工艺路线上看，微型LED的封装一般采用小尺寸倒装芯片和基板进行邦定(Bonding)作业之后进一步进行胶水的封装操作完成。对于微米级的微型LED来说，芯片焊盘面积较小，且基板上的焊盘面积相对芯片焊盘面积较大，在Bonding过程中，极易出现芯片偏移、翻转等不良，严重影响封装效率和产品良率。

实用新型内容

为了克服以上不足，本实用新型提供了一种微型LED封装结构，有效解决现有微型LED邦定作业中易出现的芯片偏移、翻转等不良问题。

本实用新型提供的技术方案为：

一种微型LED封装结构，包括：

倒装LED芯片；

于所述倒装LED芯片电极侧分别设置于两个芯片电极表面的刚性支撑层，且所述刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；

于所述刚性支撑层表面匹配设置的焊接金属层；及

于所述倒装LED芯片及刚性支撑层表面设置的透镜。

本实用新型提供的微型LED封装结构，至少能够带来以下有益效果：

1.制备得到的微型LED封装结构配置有透镜之外，芯片电极侧表面沉积制备有图形化处理后的刚性支撑层和焊接金属层，在后续应用，如车用背光显示(可增加行车显示的清晰度，提升行车安全)、手机闪光灯、其他电子产品的指示灯等应用场景，尤其是微型LED直下式背光(可实现间距更小、可靠性更高、画质更佳的显示屏)中，直接通过芯片电极侧沉积的焊接金属层进行焊接封装，由于沉积的焊接金属层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸，实现了微型LED芯片焊盘面积的扩大，在应用中(如背光模组厂)可以直接利用常规的SMT产线进行Bonding作业，无需进行特殊的Bonding操作，避免由于芯片焊盘面积过小出现的芯片偏移、翻转等不良，保证模组贴片成品率和效率的同时无需新增高精度的设备投资。另外，由于刚性支撑层和焊接金属层直接沉积在芯片电极侧表面，相对于基板类封装结构来说，可以大大降低封装产品的厚度，且去除了基板能够解决微型LED产品在各个应用场景中推广面临的成本问题，扩大封装产品的应用领域。

2.在该微型LED封装结构中，于倒装LED芯片发光侧表面设置掺杂有光反射颗粒的第一光反射层，使得封装产品的光从倒装LED芯片的四周发出，从而提升封装产品的辐照距离，在实际应用中，尤其是直下式背光，能够一定程度上减少微型LED封装结构的使用数量；另外，在倒装LED芯片电极侧边设置掺杂有光反射颗粒的第二光反射层，进一步减少光的损失。

附图说明

图1为本实用新型LED封装结构一种实施方式结构示意图；

图2为本实用新型LED封装结构另一种实施方式结构示意图；

图3为本实用新型LED封装结构另一种实施方式结构示意图；

图4为本实用新型LED封装结构另一种实施方式结构示意图；

图5为本实用新型一实例中LED封装结构制备方法流程图；

图6为本实用新型另一实例中LED封装结构制备方法流程图。

附图标记：

10-倒装LED芯片，11-芯片电极，20-透镜，30-刚性支撑层，40-焊接金属层，50-第一光反射层，60-粘结金属层，70-刚性支撑层/阻挡金属层/焊接金属层，80-第二光反射层，90-保护膜片，100-硅胶层。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。

本实用新型的第一种实施例，一种微型LED封装结构，包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片电极侧分别设置于两个芯片电极表面的刚性支撑层，且刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；于刚性支撑层表面设置的焊接金属层；及于倒装LED芯片及刚性支撑层表面设置的透镜。

本实施例中，透镜的形状可以根据实际应用需求的光学性能进行调整，这里不做具体限定，如采用如图1所示类半球形透镜20等，材料可以使用符合性能需求的硅胶等。为方便描述，在以下实施例中，均采用半球形透镜对微型LED封装结构进行说明。

在倒装LED芯片10的两个芯片电极11表面分别制备对应的刚性支撑层30和焊接金属层40，达到扩开芯片电极面积的目的。这里，刚性支撑层30的材料应同时具备导电和固化后具备一定刚性能够支撑整个微型LED封装结构的特点，如一实例中，刚性支撑层为厚5～100μm的Cu层，制备过程中可以采用蒸镀、溅射或化学镀的方式形成一定厚度的Cu层之后，进一步在其表面电镀剩余厚度Cu层的方式形成。在实际应用中，还可以采用如Al、Ag的材料进行制备，只要能够实现本实施例的目的均可。焊接金属层可以采用任意能够实现焊接的金属材料，如Au等，厚度为

对于刚性支撑层30和焊接金属层40的位置，限定为芯片电极两侧表面，分别针对芯片的两个电极制备对应的刚性支撑层和焊接金属层，覆盖芯片电极及其侧边的透镜。对于其形状和大小，这里均不作限定，可以根据实际应用进行调整，只要能够实现微型LED芯片焊盘面积扩大的目的即可，如，单侧刚性支撑层和焊接金属层覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他任意一个或两个甚至三个方向扩开，形成规则(如方形等)或不规则的焊盘结构；又如，单侧刚性支撑层和焊接金属层未完全覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他任意一个或两个甚至三个方向扩开，形成规则或不规则的焊盘结构。在实际应用中，为了便于制备，单侧刚性支撑层的面积大于芯片电极的面积，单侧刚性支撑层和焊接金属层覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他三个方向扩开，形成规则的方形焊盘结构。另外，焊接金属层可以完全覆盖刚性支撑层，也可以部分覆盖，根据实际应用需求进行调整即可。

在本实施例中，微型LED封装结构为微米级别大小，大小在500*500μm以内，甚至在100*100μm以内。内部封装的倒装LED芯片10可以为发出任意特定颜色光的LED芯片，如蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片等，可以根据应用需求进行调整。

对上述实施例进行改进得到本实施例，在本实施例中，如图2所示，微型LED封装结构除了包括倒装LED芯片10、透镜20、刚性支撑层30及焊接金属层40之外，还包括于倒装LED芯片10电极相对的发光侧表面设置的第一光反射层50，且第一光反射层50内部掺杂有光反射颗粒。

在本实施例中，第一光反射层50内掺杂的光反射颗粒可以为TiO₂等，厚度为30～150μm，TiO₂和硅胶的质量比为(0.3～1)：1。掺杂有光反射颗粒的第一光反射层的设置使得封装产品的光从倒装LED芯片10的四周发出，从而提升封装产品的辐照距离，便于封装产品后续的应用，尤其应用于背光显示中时减少封装产品的数量。

对上述实施例进行改进得到本实施例，如图3所示，在本实施例中，微型LED封装结构除了包括倒装LED芯片10、透镜20、刚性支撑层30、焊接金属层40、第一光反射层50之外，还包括粘附金属层60，分别设置于两个芯片电极表面，朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸，且刚性支撑层于粘附金属层表面匹配设置；微型LED封装结构中还包括阻挡金属层(图示中刚性支撑层/阻挡金属层/焊接金属层三层的附图标记为70)，匹配设置于刚性支撑层30和焊接金属层40之间。

为了提高刚性支撑层30与透镜20之间的粘附性，本实施例中在形成刚性支撑层之前使用Ti、Ni、Ag等形成一层粘附金属层，厚度为

实际应用中可以采用蒸镀、溅射、化学镀等方式形成。阻挡金属层可以由Ni、Cr、Pt等材料形成，厚度为

形成于刚性支撑层与焊接金属层之间，目的在于阻挡LED器件在焊接过程中锡膏的扩散，破坏焊接金属层与支撑层的界面，导致分层和剥离现象。

本实施例中，在芯片电极侧形成的焊盘结构包括4层，分别为粘结金属层、刚性支撑层、阻挡金属层和焊接金属层，在实际应用中，各层使用的材料及厚度都可以根据项目需求进行调整，这里不做具体限定，只要形成的这一结构能够很好的粘附于芯片电极侧表面、能够支撑整个微型LED封装结构及能够便于焊接即可。

对上述实施例进行改进得到本实施例，如图4所示，在本实施例中，微型LED封装结构除了包括倒装LED芯片10、透镜20、第一光反射层50、刚性支撑层、焊接金属层、粘附金属层及阻挡金属层之外，还包括设置于芯片电极侧边的第二光反射层80，第二光反射层80的高度不高于芯片电极的高度，且第二光反射层80内部掺杂有光反射颗粒，刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向至少延伸至第二光反射层80的外边沿处。

在本实施例中，除了在倒装LED芯片10发光侧表面设置第一光反射层50之外，还在芯片电极侧边的第二光反射层80。在实际应用中，该第二光反射层80中掺杂的光反射颗粒为TiO₂等，进一步减少光的损失。这里，芯片电极的侧边可以为芯片电极的任一侧边，甚至可以围设于芯片电极四周。

针对上述微型LED封装结构的制备，本实用新型提供两种制备方法，在其中的一种制备方法中，该微型LED封装结构制备方法包括：

S11提供一载板，并于载板表面形成一保护膜片90；

S12将多颗倒装LED芯片10规则排列于保护膜片表面，倒装LED芯片10的电极侧与保护膜片接触；

S13对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10表面形成透镜20，如图5中的(a)所示；

S14将molding后的倒装LED芯片10翻转至与半球形透镜匹配的治具中固定，如图5中的(b)所示，其中治具未示出；

S15于倒装LED芯片10的电极侧表面形成一层刚性支撑材料，并通过光刻的方式于两个芯片电极表面分别形成刚性支撑层30，刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；

S16于刚性支撑层表面匹配形成焊接金属层40；

S17沿倒装LED芯片10之间的切割道进行切割得到单颗微型LED封装结构，如图1所示。

本实施例中，透镜的形状可以根据实际应用需求的光学性能进行调整，这里不做具体限定，如采用如图1所示类半球形透镜等，材料可以使用符合性能需求的硅胶等。

在对微型LED封装的过程中，将倒装LED芯片10排列好后，针对LED芯片发光侧表面进行molding工艺烘烤固化形成类半球形透镜；之后，将molding后的倒装LED芯片10翻转并置于预先配置的治具中进行刚性支撑层的制备。这里，为了保证翻转后的倒装LED芯片10电极侧表面平整，便于形成刚性支撑层，预先制备与molding工艺形成的类半球形透镜匹配的治具，且在molding中，除了在芯片表面形成透镜之外，同时在芯片之间形成一连接筋(与透镜同步形成，厚度可根据实际应用进行调整，如限定在100μm之上)，将排列在保护膜片表面的倒装LED芯片10连接在一起。对于治具的材料，可以使用peek聚醚醚酮，还可以使用其他任意能够实现目的的材料，这里不做具体限定。

之后，在倒装LED芯片10电极侧表面采用蒸镀、溅射、化学镀等方式镀一定厚度(如

等)的刚性支撑材料，之后在该刚性支撑材料表面进一步电镀一定厚度的刚性支撑材料，并通过光刻的方式将刚性支撑层形成于第一芯片保护层及芯片电极表面。最后在刚性支撑层表面沉积焊接金属层。

在形成的微型LED封装结构中，刚性支撑层的作用是对封装结构进行支撑，故其使用的材料应同时具备导电和固化后具备一定刚性的特点。如一实例中，刚性支撑层为厚5～100μm的Cu层。在实际应用中，还可以采用如Al、Ag的材料进行制备，只要能够实现本实施例的目的均可。焊接金属层可以采用任意能够实现焊接的金属材料，如Au等，厚度为

保护膜片可以为UV膜、高温膜等。

对于刚性支撑层和焊接金属层的位置，限定为芯片电极两侧表面，分别针对芯片的两个电极制备对应的刚性支撑层和焊接金属层，覆盖芯片电极及其侧边的透镜。对于其形状和大小，这里均不作限定，可以根据实际应用进行调整，只要能够实现微型LED芯片焊盘面积扩大的目的即可，如，单侧刚性支撑层和焊接金属层覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他任意一个或两个甚至三个方向扩开，形成规则(如方形等)或不规则的焊盘结构；又如，单侧刚性支撑层和焊接金属层未完全覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他任意一个或两个甚至三个方向扩开，形成规则或不规则的焊盘结构。在实际应用中，为了便于制备，单侧刚性支撑层的面积大于芯片电极的面积，单侧刚性支撑层和焊接金属层覆盖单侧芯片电极并向除了两个芯片电极中间方向的其他三个方向扩开，形成规则的方形焊盘结构。另外，焊接金属层可以完全覆盖刚性支撑层，也可以部分覆盖，根据实际应用需求进行调整即可。

在本实施例中，微型LED封装结构为微米级别大小，大小在500*500μm以内，甚至在100*100μm以内。内部封装的倒装LED芯片10可以为发出任意特定颜色光的LED芯片，如蓝光LED芯片、绿光LED芯片、红光LED芯片等，可以根据应用需求进行调整。

对上述实施例进行改进得到本实施例，在本实施例中，对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10表面形成透镜之前，还包括：于倒装LED芯片10电极相对的发光侧表面形成第一光反射层，第一光反射层内部掺杂有光反射颗粒。即，将倒装LED芯片10排列好后，在发光侧表面形成第一光反射层之后再进行molding工艺烘烤固化形成类半球形透镜，进而制备得到如图2所示的微型LED结构。应当清楚，第一光反射层的工艺流程也可以不在封装过程中形成，而是在芯片制程中形成，实际应用中可以根据实际情况选择适宜的方法对该层光反射层进行制备。该第一光反射层的制备目的在于阻挡倒装LED芯片10上表面的出光，以提升封装产品的辐照距离，故在该光反射层内掺杂TiO₂等光反射颗粒，将该方向上出射的光反射回来。

对上述实施例进行改进得到本实施例，在本实施例中，于倒装LED芯片10的电极侧表面形成一层刚性支撑材料，并通过光刻的方式于两个芯片电极表面分别形成刚性支撑层之前，还包括：于倒装LED芯片10的电极侧表面依次形成一层粘结金属材料和刚性支撑材料，并通过光刻的方式于两个芯片电极表面分别形成附金属层和刚性支撑层，附金属层和刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸，且刚性支撑层于粘附金属层表面匹配设置。于倒装LED芯片10的电极侧表面形成一层刚性支撑材料，并通过光刻的方式于两个芯片电极表面分别形成刚性支撑层之后，还包括：于刚性支撑层表面匹配形成阻挡金属层。基于此，在刚性支撑层表面形成焊接金属层中具体为：于阻挡金属层表面形成焊接金属层。

为了提高刚性支撑层与第一芯片保护层之间的粘附性，本实施例中在形成刚性支撑层之前使用Ti、Ni、Ag等形成一层粘附金属层，厚度为

阻挡金属层可以由Ni、Cr、Pt等材料形成，厚度为

形成于刚性支撑层与焊接金属层之间，目的在于阻挡LED器件在焊接过程中，锡膏的扩散，破坏焊接金属层与支撑层的界面，导致分层和剥离现象。

本实施例中，在芯片电极侧形成的焊盘结构包括4层，分别为粘结金属层、刚性支撑层、阻挡金属层和焊接金属层。制备过程中，将molding后的倒装LED芯片10翻转至与半球形透镜匹配的治具中固定之后，在倒装LED芯片10电极侧表面和透镜表面采用蒸镀、溅射、化学镀等方式镀粘附金属层及一定厚度的刚性支撑材料，之后在该刚性支撑材料表面进一步电镀一定厚度的刚性支撑材料，并通过光刻的方式进行图形化处理将粘附金属层和刚性支撑层形成于芯片电极表面和透镜表面。最后在刚性支撑层表面沉积阻挡金属层和焊接金属层，制备得到如图3所示的微型LED结构。

在另一实施例中，对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10表面形成透镜之前，还包括：于倒装LED芯片10四周围反光材料并固化形成第二光反射层80，第二光反射层80的高度不高于芯片电极的高度，如图5中的(c)所示。基于此，在对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10表面形成透镜中包括：对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10及第二光反射层80表面形成透镜20，制备得到如图4所示的微型LED结构。

在本实施例中，在对微型LED封装的过程中，将倒装LED芯片10排列好后，于倒装LED芯片10四周围反光材料并固化形成第二光反射层；之后，针对LED芯片发光侧表面进行molding工艺烘烤固化形成类半球形透镜，如图5中的(c)所示；接着，将molding后的倒装LED芯片10翻转并置于预先配置的治具中进行刚性支撑层的制备。这里，除了在倒装LED芯片10发光侧表面设置第一光反射层之外，还在芯片电极侧边的第二光反射层。在实际应用中，该第二光反射层中掺杂的光反射颗粒为TiO₂等，进一步减少光的损失。这里，芯片电极的侧边可以为芯片电极的任一侧边，甚至可以围设于芯片电极四周。

本实用新型的另一种制备方法中，包括：

S21提供一载板，并于载板表面形成一保护膜片90；

S22将多颗倒装LED芯片10规则排列于保护膜片表面，倒装LED芯片10的电极侧朝上、光侧表面与保护膜片接触；

S23于倒装LED芯片10四周围设硅胶材料并固化形成硅胶层100，硅胶层的上表面不超过芯片电极的上表面，如图6中的(a)所示；

S24于倒装LED芯片10的电极侧表面及硅胶层表面形成一层刚性支撑材料，并通过光刻的方式于两个芯片电极表面分别形成刚性支撑层30，刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；

S25于刚性支撑层表面匹配形成焊接金属层40，如图6中的(b)所示；

S26将形成有刚性支撑层和焊接金属层的倒装LED芯片10翻转至新的保护膜片表面；

S27对多颗倒装LED芯片10进行molding工艺，于倒装LED芯片10及硅胶层表面形成透镜(这里硅胶层和molding的透镜一起形成图1中的透镜20)；

S28沿倒装LED芯片10之间的切割道进行切割得到单颗微型LED封装结构，如图1所示。

与前一制备方法不同的是，在本制备方法中，首先将多颗倒装LED芯片10规则排列于保护膜片表面，且该倒装LED芯片10的电极侧朝上、光侧表面与保护膜片接触，便于在倒装LED芯片10四周围设硅胶材料并固化形成硅胶层(倒装LED芯片10表面配置铜电极，通过研磨保证硅胶层的上表面不超过芯片电极的上表面)，由于该硅胶层形成于LED芯片之间，以此将排列于保护膜片表面的倒装LED芯片10连接在一起，由于此时并未molding透镜结构，芯片表面是平整的，无需预先配置治具即可进行后续刚性支撑层和焊接金属层的制备。刚性支撑层和焊接金属层的制备可参照前述实施例，这里不做赘述。

与前一实施例相对应地，在另一实施例中，倒装LED芯片10电极相对的发光侧表面还制备有第一光反射层，第一光反射层内部掺杂有光反射颗粒。这里，第一发光反射层的制备可以在芯片制程中形成，也可以在封装制程中形成，即在排片之前形成，实际应用中可以根据实际情况选择适宜的方法对该层光反射层进行制备。该第一光反射层的制备目的在于阻挡倒装LED芯片10上表面的出光，以提升封装产品的辐照距离，故在该光反射层内掺杂TiO₂、SiO₂等光反射颗粒，将该方向上出射的光反射回来。

在另一实施例中，于倒装LED芯片10四周围设硅胶材料并固化形成硅胶层之后，还包括：于倒装LED芯片10的芯片电极四周围设光反射材料并固化形成第二光反射层。即将多颗倒装LED芯片10规则排列于保护膜片表面之后，先于倒装LED芯片10四周围设硅胶材料并固化形成硅胶层并进行固化，之后进一步在硅胶层表面形成第二光反射层，这里第二光反射层的上表面不超出芯片电极的上表面，为便于形成第二光反射层，控制硅胶层的厚度不小于芯片本身的厚度(除电极)，由于该硅胶层和第二光反射层形成于LED芯片之间，以此将排列于保护膜片表面的倒装LED芯片10连接在一起，由于此时并未molding透镜结构，芯片表面是平整的，无需预先配置治具即可进行后续刚性支撑层和焊接金属层的制备。刚性支撑层和焊接金属层的制备可参照前述实施例，这里不做赘述。

在本实施例中，在倒装LED芯片10电极侧的形成硅胶/光反射材料并固化之后，采用研磨这种物理的方式对其进行去除直至露出芯片电极，从而有效避免使用化学方式去除对芯片保护层的性能造成影响，提升封装产品的性能。

应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种微型LED封装结构，其特征在于，包括：

倒装LED芯片；

于所述倒装LED芯片电极侧分别设置于两个芯片电极表面的刚性支撑层，且所述刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸；

于所述刚性支撑层表面匹配设置的焊接金属层；及

于所述倒装LED芯片及刚性支撑层表面设置的透镜。

2.如权利要求1所述的微型LED封装结构，其特征在于，所述微型LED封装结构中还包括，于所述倒装LED芯片电极相对的发光侧表面设置的第一光反射层，且所述第一光反射层内部掺杂有光反射颗粒。

3.如权利要求1所述的微型LED封装结构，其特征在于，在所述微型LED封装结构中，单侧刚性支撑层的面积大于其对应侧芯片电极的面积。

4.如权利要求1或2或3所述的微型LED封装结构，其特征在于，

所述微型LED封装结构中还包括粘附金属层，分别设置于两个芯片电极表面，朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸，且所述刚性支撑层于所述粘附金属层表面匹配设置；和/或

所述微型LED封装结构中还包括阻挡金属层，匹配设置于刚性支撑层和焊接金属层之间。

5.如权利要求1或2或3所述的微型LED封装结构，其特征在于，所述微型LED封装结构中还包括设置于芯片电极侧边的第二光反射层，所述第二光反射层的高度不高于芯片电极的高度，且所述第二光反射层内部掺杂有光反射颗粒，所述刚性支撑层朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向至少延伸至所述第二光反射层的外边沿处。

6.如权利要求5所述的微型LED封装结构，其特征在于，

所述微型LED封装结构中还包括粘附金属层，分别设置于两个芯片电极表面，朝向除两个芯片电极间间隙方向的其他任意方向延伸，且所述刚性支撑层于所述粘附金属层表面匹配设置；和/或

所述微型LED封装结构中还包括阻挡金属层，匹配设置于刚性支撑层和焊接金属层之间。

Images