CN104993029A - 半导体发光芯片级封装 - Google Patents
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Abstract
本发明的半导体发光芯片级封装，包括，至少一个半导体发光外延层和覆盖物。其中，半导体发光外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得半导体发光外延层在通电后发光。覆盖物覆盖在半导体发光外延层的第一外延层上，并且覆盖半导体发光外延层的四个侧面。第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上。第一金属电极与第二金属电极在同一面上。覆盖物具有单层或多层结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光芯片级封装。
背景技术
快速降低LED照明发光系统成本的方法之一是采用芯片级封装。但是，现有的半导体发光芯片级封装的光取出效率较低。因此，需要提高光取出效率。
发明内容
本发明的目的是提供能提高光取出效率的半导体发光芯片级封装。在下文中，半导体发光芯片级封装简称芯片级封装(Chip Scale Package，简称：CSP)。
本发明的芯片级封装的一个实施例：一种半导体发光芯片级封装，其特征在于，半导体发光芯片级封装包括，至少一个半导体外延层和覆盖物；其中，外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得外延层在通电后发光；覆盖物覆盖在所外延层的第一外延层上，并且覆盖外延层的四个侧面；第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上；第一金属电极与第二金属电极在外延层的同一面上；覆盖物具有单层或多层结构。
本发明的芯片级封装的一个实施例：第一外延层与覆盖物接触的表面带有粗化结构。第一外延层的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从第一外延层的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从第一外延层的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从第一外延层的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从第一外延层的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从第一外延层的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从第一外延层的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
本发明的芯片级封装的一个实施例：覆盖物的表面带有粗化结构。覆盖物的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从覆盖物的表面向外部突起的金字塔阵列结构；(2)从覆盖物的表面向外部突起的圆锥阵列结构；(3)从覆盖物的表面向外部突起的圆柱阵列结构；(4)从覆盖物的表面向外部突起的部分球体阵列结构；(5)从覆盖物的表面向外部突起的多面体锥型阵列结构；(6)从覆盖物的表面向外部突起的不规则尖型阵列结构；(7)从覆盖物的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从覆盖物的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从覆盖物的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从覆盖物的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从覆盖物的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从覆盖物的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
本发明的芯片级封装的一个实施例：覆盖物的每一层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括：量子点、透明物质、混有荧光粉的透明物质、混有磷光粉的透明物质、混有荧光粉和磷光粉的透明物质、和混有量子点的透明物质。透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；混有荧光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有荧光粉和磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有量子点的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。
本发明的芯片级封装的一个实施例：进一步包括透明的生长衬底衬。生长衬底层叠在覆盖物和第一外延层之间，生长衬底的第二主表面层叠在第一外延层上，覆盖物层叠在生长衬底的第一主表面上。覆盖物覆盖生长衬底的第一主表面和四个侧面。
发明的芯片级封装的一个实施例：生长衬底包括，蓝宝石、碳化硅、氮化镓、玻璃。
本发明的芯片级封装的一个实施例：生长衬底的与覆盖物接触的表面带有粗化结构；生长衬底的第一主表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
本发明的芯片级封装的一个实施例：进一步包括金属化支持衬底；支持衬底的第一主表面上包括第一电极和第二电极，支持衬底的第二主表面上包括第一电极和第二电极，第一主表面上的第一电极和第二电极分别与第二主表面上的第一电极和第二电极电连接；第一金属电极和第二金属电极分别与支持衬底的第一主表面上的第一电极和第二电极电连接。
本发明的芯片级封装的一个实施例：金属化支持衬底包括，金属化硅衬底、金属化氮化铝陶瓷衬底、金属化氧化硅陶瓷衬底、金属化PCB衬底
本发明的芯片级封装的一个实施例：半导体发光芯片是从一组半导体发光芯片中选出，该组半导体发光芯片包括，GaN基半导体发光芯片，GaP基半导体发光芯片，GaNP基半导体发光芯片。
附图说明
图1a和图1b展示本发明的芯片级封装中的倒装芯片的截面图。
图2展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图3展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图4展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图5展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图6展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图7展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图8展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图9展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图10展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图11展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图12展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图13展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图14展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图15展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图16展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图17展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图18展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图19展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图20展示本发明的芯片级封装的金属化支持衬底的一个实施例的截面图。
图21展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图22展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图23展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图24展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图25展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图26展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图27展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图28展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图29展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图30展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图31展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图32展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图33展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图34展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图35展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图36展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图37展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图38展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。
图39a至图39d分别展示本发明的芯片级封装的粗化结构的一个实施例的截面图和俯视图。
图40a至图40c分别展示本发明的芯片级封装的粗化结构的一个实施例的俯视图和截面图。
图41a至图41c分别展示本发明的芯片级封装的粗化结构的一个实施例的截面图和俯视图。
图42a至图42d分别展示本发明的芯片级封装的粗化结构的一个实施例的截面图和俯视图。
图43展示本发明的芯片级封装的具有2层覆盖物的一个实施例的截面图。
图中的数字标记代表的含义如下：
1、2、3分别表示第一外延层、第二外延层、发光层，
4和5分别表示第一和第二金属电极，
11表示包含有第一外延层、发光层、第二外延层的发光芯片，
12和13分别表示发光芯片11的第一外延层的第一主表面和发光芯片的侧面，
14、15、16分别表示覆盖物、其平滑的表面、以及其底部，
24、25和26分别表示覆盖物、覆盖物表面和覆盖物表面上的向外部凸起的粗化结构，
34、35和36分别表示覆盖物、覆盖物表面和覆盖物表面上的向内部凹陷的粗化结构，
41和42分别表示发光芯片以及其表面上的向外部凸起的粗化结构，
51和52分别表示发光芯片以及其表面上的向内部凹陷的粗化结构，
61、62、和63分别表示透明生长衬底、其第一主表面及其侧面，
71和72分别表示透明生长衬底和其表面上的向外部凸起的粗化结构，
81和82分别表示透明生长衬底和其表面上的向内部凹陷的粗化结构，
91和92分别表示第二层覆盖物和其表面，
93第一层覆盖物的侧面，
96表示第二层覆盖物91的底部，
100表示金属化支持衬底，
101和111分别表示形成在金属化支持衬底100的两个主表面上的第一电极，
102和112分别表示形成在支持衬底100的两个主表面上的第二电极，
121和122分别表示连接两个第一电极101和111以及连接2个第二电极102和112的导电体，
141，151，161分别表示物体，
142，152，162，和172分别表示形成在物体上的向上突起的粗化结构的截面图，
145，153，163，和175分别表示形成在物体上的向下凹陷的粗化结构截面图，
143，144，154，164，172a，172b，175a，和175b分别表示形成在物体上的向上突起和向下凹陷的粗化结构的俯视图，
173表示两个粗化结构172a和172b之间的距离，
174表示两个粗化结构175a和175b之间的距离。
具体实施方式
为使本发明的实施实例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施实例中的附图，对本发明的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本发明的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本发明中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本发明保护的范围。
图1a展示本发明的芯片级封装中的外延层的一个实施例的截面图。外延层包括，第一外延层1、发光层3和第二外延层2，使得外延层在通电后发光。第一金属电极4形成在第一外延层1上，第二金属电极5形成在第二外延层2上。第一金属电极4与第二金属电极5在同一面上。第一外延层1具有第一主表面12。
图1b展示图1a展示的外延层的一个实施例的简化的截面图。为了简化图2至图19以及图21至图38的画图，不再具体画出第一外延层1、发光层3和第二外延层2，而是把第一外延层1、发光层3和第二外延层2的整体用外延层11表示。第一金属电极4与第二金属电极5在外延层11的同一面上。第一外延层1的第一主表面12也是外延层11的第一主表面。外延层11具有侧面13。
图2展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。覆盖物14覆盖外延层11的第一主表面12和四个侧面13。覆盖物14具有第一主表面15和底部16。
图3展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图3展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：图3的实施例的覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图4展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图4展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：图4的实施例的覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图5展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图5展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：图5的实施例的外延层41的第一主表面上形成向覆盖物方向突起的粗化结构42。
图6展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图6展示的实施例与图5展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图7展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图7展示的实施例与图5展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图8展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图8展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：图8的实施例的外延层51的第一主表面上形成向内部凹陷的粗化结构52。
图9展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图9展示的实施例与图8展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图10展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图10展示的实施例与图8展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图11展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图11展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：图11的实施例的外延层11的第一主表面12和覆盖物14之间层叠透明的生长衬底61。生长衬底61具有第一主表面62和侧面63。覆盖物14覆盖生长衬底61的第一主表面62和侧面63以及芯片11的侧面13。
图12展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图12展示的实施例与图11展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图13展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图13展示的实施例与图11展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图14展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图14展示的实施例与图11展示的实施例基本相同，不同之处在于：图14的实施例的透明的生长衬底71的第一主表面上形成向覆盖物方向突起的粗化结构72。
图15展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图15展示的实施例与图14展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图16展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图16展示的实施例与图14展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图17展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图17展示的实施例与图11展示的实施例基本相同，不同之处在于：图17的实施例的透明的生长衬底81的第一主表面上形成向内部凹陷的粗化结构82。
图18展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图18展示的实施例与图17展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图19展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图19展示的实施例与图17展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
注意：图2至图19中，覆盖物覆盖第一和第二金属电极的侧面，覆盖物也可以不覆盖第一和第二金属电极的侧面。
图20展示本发明的芯片级封装的金属化支持衬底的一个实施例的截面图。第二电极101和111分别形成在金属化支持衬底100的两个主表面上，第一电极102和112分别形成在支持衬底100的两个主表面上。第二电极101和111通过导电体121形成电连接，第一电极102和112通过导电体122形成电连接。
图21展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图21展示的实施例与图2展示的实施例基本相同，不同之处在于：第二金属电极5和第一金属电极4分别与金属化支持衬底100的第二电极101和第一电极102电连接。覆盖物14的底部16与支持衬底100的表面相接触。
图22展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图22展示的实施例与图21展示的实施例基本相同，不同之处在于：图22的实施例的覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图23展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图23展示的实施例与图21展示的实施例基本相同，不同之处在于：图23的实施例的覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图24展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图24展示的实施例与图21展示的实施例基本相同，不同之处在于：图24的实施例的外延层41的第一主表面上形成向覆盖物14方向突起的粗化结构42。
图25展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图25展示的实施例与图24展示的实施例基本相同，不同之处在于：图25的实施例的覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图26展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图26展示的实施例与图24展示的实施例基本相同，不同之处在于：图26的实施例的覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图27展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图27展示的实施例与图21展示的实施例基本相同，不同之处在于：图27的实施例的外延层51的第一主表面上形成向内部凹陷的粗化结构52。
图28展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图28展示的实施例与图27展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图29展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图29展示的实施例与图27展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图30展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图30展示的实施例与图21展示的实施例基本相同，不同之处在于：图30的外延层11的第一主表面12和覆盖物14之间层叠透明的生长衬底61。生长衬底61具有第一主表面62和侧面63。覆盖物14覆盖生长衬底61的第一主表面62和侧面63。覆盖物14的底部16接触支持衬底100。
图31展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图31展示的实施例与图30展示的实施例基本相同，不同之处在于：图31的实施例的覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图32展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图32展示的实施例与图30展示的实施例基本相同，不同之处在于：图32的实施例的覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图33展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图33展示的实施例与图30展示的实施例基本相同，不同之处在于：图33的实施例的透明的生长衬底71的第一主表面上形成向覆盖物14方向突起的粗化结构72。
图34展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图34展示的实施例与图33展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图35展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图35展示的实施例与图33展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图36展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图36展示的实施例与图30展示的实施例基本相同，不同之处在于：图36的实施例的透明的生长衬底81的第一主表面上形成向内部凹陷的粗化结构82。
图37展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图37展示的实施例与图36展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物24的第一主表面25上形成向外部突起的粗化结构26。
图38展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图38展示的实施例与图36展示的实施例基本相同，不同之处在于：覆盖物34的第一主表面35上形成向内部凹陷的粗化结构36。
图39a展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。向上突起的粗化结构142形成在物体141的表面上。粗化结构142的顶部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。
注意：“物体”表示，外延层，或者生长衬底，或者覆盖物。
图39b展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。向下凹陷的粗化结构145形成在物体141的表面上。粗化结构145的底部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。
图39c展示图39a和图39b的具体实施例的俯视图。粗化结构144是圆锥形结构，形成在物体141的表面上。粗化结构144即可以是表示图39a的向上突起的粗化结构142的俯视图，也可以是表示图39b的向下凹陷的粗化结构145的俯视图。
图39d展示图39a和图39b的具体实施例的俯视图。粗化结构143是金字塔形结构，形成在物体141的表面上。粗化结构143即可以是表示图39a的向上突起的粗化结构142的俯视图，也可以是表示图39b的向下凹进去的粗化结构145的俯视图。
图40a展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。在物体151的表面上形成向上突起的多面锥形粗化结构152。粗化结构152的顶部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。
图40b展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。在物体151的表面上形成向下凹陷的多面锥形粗化结构153。粗化结构153的底部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。
图40c展示图40a和图40b的具体实施例的俯视图。粗化结构154是多面体锥型阵列结构，形成在覆盖物151的表面上。粗化结构154即可以是表示图40a的向上突起的多面体锥型粗化结构152的俯视图，也可以是表示图40c的向下凹陷的多面体锥型粗化结构153的俯视图。
注意：虽然，图4cb中，粗化结构154的多面体锥型粗化结构是6面体锥型，但是，也可以是其他多面体锥型粗化结构(例如，3面体、5面体、8面体)和不规则尖型阵列结构。
图41a展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。在覆盖物161的表面上形成向上突起的部分球体粗化结构162。
图41b展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。在覆盖物161的表面上形成向下凹陷的部分球体粗化结构163。
图41c展示图41a和图41b的具体实施例的俯视图。粗化结构164是部分球体粗化结构，形成在覆盖物161的表面上。粗化结构164即可以是表示图41a的向上突起的部分球体粗化结构162的俯视图，也可以是表示图41b的向下凹陷的部分球体粗化结构163的俯视图。
图42a展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。向上突起的粗化结构172a和172b形成在物体171的表面上。粗化结构172a和172b的顶部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。粗化结构172a和172b之间有预先决定的距离173。
图42b展示本发明的粗化结构的具体实施例的截面图。向下凹陷的粗化结构175a和175b形成在物体171的表面上。粗化结构175a和175b的底部也可以不是尖的，可以是圆弧面，也可以是平面。粗化结构175a和175b之间有预先决定的距离174。
图42c展示图42a和图42b的具体实施例的俯视图。粗化结构172是圆锥形结构，形成在物体171的表面上。粗化结构172即可以是表示图42a的向上突起的粗化结构172a和172b的俯视图，也可以是表示图42b的向下凹陷的粗化结构175a和175b的俯视图。
图42d展示图42a和图42b的具体实施例的俯视图。粗化结构175是金字塔形结构，形成在物体171的表面上。粗化结构175即可以是表示图42b的向上突起的粗化结构172a和172b的俯视图，也可以是表示图42b的向下凹陷的粗化结构175a和175b的俯视图。
图43展示本发明的芯片级封装的一个实施例的截面图。图43展示的实施例与图30展示的实施例基本相同，不同之处在于：图43的覆盖物14的外部被第二层覆盖物91覆盖。第二层覆盖物91覆盖在覆盖物14的表面15和侧面93上。第二覆盖物91的底部96接触支持衬底100。
注意，第二覆盖物91的表面92可以具有粗化结构，未在图中展示。
最后应说明的是：以上实施实例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施实例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施实例技术方案的精神和范围。
Claims (13)
1.一种半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述半导体发光芯片级封装包括，至少一个半导体外延层和覆盖物；其中，所述外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得所述外延层在通电后发光；所述覆盖物覆盖在所述外延层的第一外延层上，并且覆盖所述外延层的四个侧面；第一金属电极形成在所述第一外延层上，第二金属电极形成在所述第二外延层上；所述第一金属电极与所述第二金属电极在同一面上；所述覆盖物具有单层或多层结构。
2.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，与所述覆盖物接触的所述第一外延层的表面带有粗化结构。
3.根据权利要求2所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述第一外延层的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从所述第一外延层的表面向所述覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从所述第一外延层的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
4.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述覆盖物的表面带有粗化结构。
5.根据权利要求4所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述覆盖物的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从所述覆盖物的表面向外部突起的金字塔阵列结构；(2)从所述覆盖物的表面向外部突起的圆锥阵列结构；(3)从所述覆盖物的表面向外部突起的圆柱阵列结构；(4)从所述覆盖物的表面向外部突起的部分球体阵列结构；(5)从所述覆盖物的表面向外部突起的多面体锥型阵列结构；(6)从所述覆盖物的表面向外部突起的不规则尖型阵列结构；(7)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从所述覆盖物的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
6.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述覆盖物的每一层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括：量子点、透明物质、混有荧光粉的透明物质、混有磷光粉的透明物质、混有荧光粉和磷光粉的透明物质、和混有量子点的透明物质。
7.根据权利要求6所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；所述混有荧光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；所述混有磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；所述混有荧光粉和磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括：硅胶、树脂、环氧树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；所述混有量子点的透明物质包括：硅胶、树脂、环氧树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。
8.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，进一步包括透明的生长衬底衬；所述生长底层叠在所述覆盖物和所述第一外延层之间；所述生长衬底具有相对的第一主表面和第二主表面；所述生长衬底的第二主表面层叠在所述第一外延层上，所述覆盖物层叠在所述生长衬底的第一主表面上；所述覆盖物覆盖所述生长衬底的第一主表面和四个侧面。
9.根据权利要求8所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述生长衬底包括，蓝宝石、碳化硅、氮化镓、玻璃。
10.根据权利要求8所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，与所述覆盖物接触的所述生长衬底的表面带有粗化结构；所述生长衬底的第一主表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括：(1)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从所述生长衬底的第一主表面向所述覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从所述生长衬底的第一主表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
11.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，进一步包括金属化的支持衬底；所述支持衬底的所述第一主表面上包括第一电极和第二电极，所述支持衬底的第二主表面上包括第一电极和第二电极，所述第一主表面上的第一电极和第二电极分别与所述第二主表面上的第一电极和第二电极电连接；所述第一金属电极和所述第二金属电极分别与所述第一主表面上的所述第一电极和所述第二电极电连接。
12.根据权利要求10所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述支持衬底包括，金属化硅衬底、金属化氮化铝陶瓷衬底、金属化氧化硅陶瓷衬底、金属化PCB衬底。
13.根据权利要求1所述半导体发光芯片级封装，其特征在于，所述半导体发光芯片是从一组半导体发光芯片中选出，该组半导体发光芯片包括，GaN基半导体发光芯片，GaP基半导体发光芯片，GaNP基半导体发光芯片。
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