JP4614773B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置について図面を参照して説明する。参照する図1は、第1実施形態に係る半導体発光装置の説明図であり、このうち、図1Aは、第1実施形態に係る半導体発光装置の斜視図、図1Bは、図1AのI−I線断面図、図1Cは、第1実施形態に係る半導体発光装置の電極側から見た概略平面図である。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体発光装置について図面を参照して説明する。参照する図5は、第2実施形態に係る半導体発光装置の説明図であり、このうち、図5Aは、第2実施形態に係る半導体発光装置の斜視図、図5Bは、図5AのII−II線断面図である。なお、図1と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
10 第1導電型層
11 発光層
12 第2導電型層
12a 主面
13 半導体多層膜
14 基板
14a,14b 主面
15,20 基材
15a 主面
15b 凹部
15c 凸部
16 光透過層
16a 主面
17 第1電極
18 第2電極
21 導体パターン
21a,21b 導体
22 実装基板
23 バンプ
24 真空コレット
30 半田
40 キャピラリ
41 ボンディングワイヤ
41a 球状部
41b 母線部
151c 斜面
152c 先端面
Claims (7)
- 第1導電型層と発光層と前記発光層から発せられた光の取り出し側に配置される第2導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜と、前記半導体多層膜を支持する基板とを含む半導体発光装置であって、
前記基板は、前記第2導電型層側に配置された基材と、樹脂又はガラスからなる透光性材料を含む光透過層とを含み、
前記基材は、前記発光層から発せられた光を透過する材料であって、かつ、導電性を有し、前記発光層から発せられた光の出射側に配置される主面には複数の凸部を有する凹凸加工がされており、
前記光透過層は、前記基材に形成された前記凹凸の凹部を埋めるようにして前記基材上に形成されており、
前記凸部の先端面は露出しており、
前記基板における、前記発光層から発せられた光の出射側に配置される主面は、前記凸部先端面と前記光透過層の主面が面一となるように平坦化されており、
前記第1導電型層と電気的に接続された第1電極と、前記第2導電型層と電気的に接続された第2電極とを含み、
前記第1電極は、光を反射する導電材料であり、前記第1導電型層の前記発光層とは反対側主面上に設けられており、
前記第2電極は、線状であり、前記基板における前記発光層から発せられた光の出射側主面上に、前記基材の凸部の先端面を結ぶように設けられていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記凸部は略正多角錘台状であり、当該正多角錘台側面と前記発光層主面とがなす角度は30〜60度である請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記凸部は略半球状である請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記光透過層は、前記発光層から発せられた光を吸収して前記光よりも長波長側の光を発する光変換材料を当該光透過層全体に対して30〜80質量%含む請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記基材に形成された前記凹凸は、凹部の深さが50μm以上であり、前記基材の平均厚みの80%以下である請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記基材に形成された前記凹凸は、凹部のピッチが50μm以上500μm以下である請求項1又は請求項5に記載の半導体発光装置。
- 前記第1電極は、実装基板の一主面上に設けられた複数の導体のうち一つの導体上に半田を介して電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第1電極が接続された前記導体とは異なる導体上にボンディングワイヤーを介して電気的に接続された請求項1に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005004236A JP4614773B2 (ja) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005004236A JP4614773B2 (ja) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006196538A JP2006196538A (ja) | 2006-07-27 |
JP4614773B2 true JP4614773B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=36802395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005004236A Expired - Fee Related JP4614773B2 (ja) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4614773B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300501A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010087292A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JP5421164B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-02-19 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
US8785952B2 (en) * | 2011-10-10 | 2014-07-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package including the same |
WO2014041463A2 (en) | 2012-09-17 | 2014-03-20 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device including shaped substrate |
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-
2005
- 2005-01-11 JP JP2005004236A patent/JP4614773B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2004096113A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006196538A (ja) | 2006-07-27 |
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