JP2008300501A - 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】射光面上に微小な凹凸領域を有する部分と、フラットな領域を形成しておき、コレットはフラットな領域で接触させ、凹凸部分が破砕されないようにする。
【選択図】図1
Description
図1に本発明の半導体発光装置1を示す。半導体発光装置1は、サブマウント21上に、半導体発光素子10が固定されている構造である。半導体発光素子10は、基板上にn型層とp型層を含む発光層を積層した構造をしている。半導体発光素子10の構造は図2でより詳細に説明する。
本実施の形態の半導体発光素子は、実施の形態1の半導体発光素子にさらにフラット領域を限定して付加させる。
10 半導体発光素子
12 n型層
13 活性層
14 p型層
16 n側電極
17 p側電極
20 支持部
21 サブマウント
22 n側引出電極
23 p側引出電極
24 n側バンプ
25 p側バンプ
26、27 スルーホール
30 射光面
32 凹凸領域
34 フラット領域
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の一方の面には、
n型層と活性層とp型層からなる発光層と、
前記発光層の前記p型層に形成されたp側電極と、
前記発光層の前記n型層に形成されたn側電極とを有し、
前記基板の他方の面には、
凹凸領域とフラット領域とを有する半導体発光素子。 - 前記凹凸領域の先端の高さは、前記フラット領域より低い請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記フラット領域は、少なくとも前記基板の中央部に形成された請求項1若しくは2の何れかに記載された半導体発光素子。
- 前記フラット領域は、少なくとも前記基板の周縁部に形成された請求項1若しくは2の何れかに記載された半導体発光素子。
- 前記フラット領域は、前記基板の前記他方の面の面積の50%以下、5%以上である請求項1若しくは2の何れかに記載された半導体発光素子。
- サブマウントと、
前記サブマウントに配された引出電極と、
前記引出電極に形成されたバンプと、
前記バンプに接着された請求項1乃至2の何れかに記載された半導体発光素子とを有する半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子の前記フラット領域は、前記バンプに対応した位置に形成された請求項6記載の半導体発光装置。
- 基板にn型層と発光層とp型層を堆積させ発光層を形成する工程と、
前記p型層と前記発光層の一部を除去し、前記n型層を露出させる工程と、
前記p型層と、露出された前記n型層に電極を形成する工程と、
前記基板の反対側に凹凸領域とフラット領域を形成する工程と、
前記フラット領域をコレットで把持し、サブマウント上に形成されたバンプに接着させる工程とを含む半導体発光装置の製造方法。 - 前記バンプに接着させる工程は、前記コレットから超音波振動を与える工程である請求項8記載の半導体発光装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013157786A1 (ko) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | 서울옵토디바이스주식회사 | 배면에 패턴을 갖는 기판을 구비하는 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
JP2014229648A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
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2007
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