CN106796968B - 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 - Google Patents

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Abstract

提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4)，b)将多个半导体芯片(4)设置在一个平面中；c)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片(4)之间；d)构成多个转换元件(12)，其中每个转换元件包括转换波长的转换材料并且设置在半导体芯片(4)中的一个半导体芯片上；e)对多个转换元件(12)至少在其侧向边缘(20)处借助封装材料进行封装；和f)将壳体本体复合件(8)分割成多个光电子半导体器件(100)。此外，提出一种半导体器件(100)。

Description

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
相关申请的交叉参引
本申请要求德国专利申请DE 102014114372.8的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
背景技术
对于如发光二极管的半导体器件已知如下构型：在所述构型中，将设置用于产生辐射的半导体芯片安装在预制的壳体中。这种构型为了制造尤其紧凑的发光二极管而仅可困难地小型化。
该问题的从现有技术中已知的解决方案在于：构成壳体本体复合件，所述壳体本体复合件设置在矩阵状设置的半导体芯片之间。壳体本体复合件例如能够借助于灌封法来制造。在随后的方法步骤中，将壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件，使得每个分割的半导体器件具有至少一个半导体芯片和壳体本体复合件的一部分作为壳体本体。此外，如此制造的半导体器件通常包括由转换波长的转换材料构成的转换元件。
发明内容
要实现的目的在于：提出一种用于制造多个光电子半导体器件的方法，所述光电子半导体器件具有由灵敏的转换材料构成的转换元件，所述转换元件同时具有扁平的构型。另一要实现的目的在于：提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有由灵敏的转换材料构成的转换元件，所述光电子半导体器件具有提高的使用寿命。
此外，所述目的通过本发明的用于制造多个光电子半导体器件的方法或半导体器件实现。所述方法具有如下步骤：a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片；b)将多个所述半导体芯片设置在一个平面中，其中所述半导体芯片沿横向方向彼此间隔开；c)构成壳体本体复合件，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片之间；d)构成多个转换元件，其中每个转换元件包括转换波长的转换材料并且设置在所述半导体芯片中的一个半导体芯片上；e)对多个所述转换元件至少在其侧向边缘处借助封装材料进行封装，所述封装材料与所述转换材料不同；和f)将所述壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片、侧向封装的转换元件和作为壳体本体的所述壳体本体复合件的一部分，其中步骤d)在步骤b)之前、在步骤c)之前、或者在步骤e)之前实施，并且其中多个所述转换元件通过从转换薄膜中分割来形成，所述转换薄膜包括所述转换材料。所述半导体器件具有设置用于产生电磁辐射的半导体芯片；所述半导体器件具有壳体本体，所述壳体本体沿横向方向包围所述半导体芯片；在所述半导体芯片上设置有转换元件，所述转换元件包括转换波长的转换材料，并且其中至少在所述转换元件的侧向边缘处设有由封装材料构成的封装件，所述封装材料与所述转换材料不同；所述壳体本体的侧面具有分割痕迹。设计方案和适当方案是下文的主题。
提出一种用于制造多个光电子半导体器件的方法。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片的步骤。半导体芯片尤其具有半导体本体，所述半导体本体具有设置用于产生电磁辐射的有源区域。半导体本体、尤其有源区域例如包含III-V族化合物半导体材料。此外，半导体芯片尤其包括载体，在所述载体上设置有半导体本体。例如，载体是用于半导体本体的半导体层的生长衬底。替选地，载体与用于半导体本体的半导体层的生长衬底不同。在该情况下，载体用于机械地稳定半导体本体，使得生长衬底对此不是必需的并且能够移除。移除生长衬底的半导体芯片也称作为薄膜半导体芯片。
在此，在此处和在下文中，一个层或一个元件设置或施加在另一层或另一元件“上”或“上方”表示：这一个层或者这一个元件直接地以直接机械和/或电接触的方式设置在另一层或另一元件上。此外也能够表示：这一个层或这一个元件间接地设置在另一层或另一元件上或上方。于是在此，能够将其他的层和/或元件设置在这一个层和另一层之间。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有将多个半导体芯片设置在一个平面中的步骤。在此，半导体芯片沿横向方向彼此间隔开。在此和在下文中，将横向方向理解为平行于如下平面的方向：在所述平面中设+置有半导体芯片。类似地，将竖直方向理解为垂直于所述平面的方向。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有构成壳体本体复合件的步骤，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片之间。壳体本体复合件尤其能够借助于灌封法来制造。
在此，全部如下制造方法都属于术语灌封法：其中将模塑料引入到预设的模具中并且尤其随后硬化。特别地，术语灌封法包括灌封(Casting)、喷射成型(InjectionMolding)、注塑成型(Transfer Molding)、模压成型(Compression Molding)和点胶。优选地，壳体本体复合件通过模压成型或通过薄膜辅助的灌封法(Film Assisted TransferMolding)构成。壳体本体复合件例如能够具有填充的或未填充的灌封树脂(例如环氧树脂或硅树脂)。壳体本体复合件能够具有在50μm和500μm之间的、优选在100μm和200μm之间的、典型大约150μm的厚度。优选地，壳体本体复合件通过白色材料形成。
根据方法的至少一个实施方式，施加在构成壳体本体复合件时应用的环绕成形材料，使得所述环绕成形材料分别至少部分地、优选完全地覆盖半导体芯片的侧面和/或半导体芯片的后侧。例如，半导体芯片在此能够被包覆成形并且随后打薄壳体本体复合件，使得局部地露出半导体芯片。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有构成多个转换元件的步骤。每个转换元件包括转换波长的转换材料，并且设置在半导体芯片中的一个半导体芯片上。在构成壳体本体复合件之前，和可选地甚至还在下述时间点之前，转换元件已经能够设置在半导体芯片上：在所述时间点，所述转换元件设置在一个平面中、例如固定在辅助载体或结构化的金属复合件上。
在此，转换波长的转换材料的特征在于：由半导体芯片发射的电磁辐射的波长在转换材料处转换。转换元件由此构成用于：将在半导体芯片中产生的、具有第一波长的初级辐射转换成具有与第一波长不同的更长波长的次级辐射。例如，半导体器件设置用于产生混合光，尤其对于人眼显得白色的混合光。例如，通过转换元件将蓝色的电磁辐射至少部分地或完全地转换成红色的和/或绿色的辐射。
转换元件尤其包括灵敏的转换波长的转换材料。灵敏的转换材料的特征例如在于：转换材料在与例如氧和/或水接触时能够通过例如氧化破坏和/或损坏。此外，灵敏的转换材料能够灵敏地对温度波动做出反应，并且由于这种温度波动例如损害其功能。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有对多个转换元件至少在其侧向边缘处借助封装材料进行封装的步骤，所述封装材料与转换材料不同。封装材料构成用于：保护转换元件免受湿气和氧影响。例如，封装材料能够具有水蒸气透射率，所述水蒸气透射率最高为1×10-3g/m2/日，例如为3×10-4g/m2/日，优选最高为1×10-6g/m2/日，尤其优选最高为1×10-8g/m2/日。
根据方法的至少一个实施方式，方法包括将壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件的步骤，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片、转换元件和壳体本体复合件的一部分作为封装本体。壳体本体因此在分割时进而在半导体芯片已经处于壳体本体中的时间点才由壳体本体复合件构成。分割壳体本体复合件的结果是：所形成的光电子半导体器件的侧面在壳体本体的区域中具有分割痕迹。
有利地，在所形成的光电子半导体器件中实现对转换元件的紧密的且完全的封装，而全部或至少大部分的生产步骤在复合件层面上进行，这允许尤其经济地制造光电子半导体器件。同时，所形成的光电子半导体器件具有尤其扁平的且紧凑的构型，由此所述光电子半导体器件例如适合于使用在背光照明装置中。
根据方法的至少一个实施方式，转换材料包括转换波长的量子点。例如，转换元件包括基体材料，其中转换波长的量子点被引入到基体材料中。
通过将量子点用作为转换材料，有时实现良好的显色性，因为经转换的电磁辐射相对窄带进而不产生不同光谱颜色的混合。例如，经转换的辐射的光谱具有至少20nm至最高60nm的波长宽度。这能够实现产生光，所述光的颜色能够极其精确地与一个光谱范围相关联。由此，在背光装置中使用光电子半导体器件时能够实现大的色域。
量子点优选为纳米颗粒，即具有纳米范围中大小的微粒。量子点包括半导体核，所述半导体核具有转换波长的特性。半导体核例如能够借助CdSe、CdS、InAs、CuInS2、ZnSe(例如Mn掺杂)和/或InP形成，并且例如是掺杂的。为了与红外辐射应用，半导体核例如能够借助CdTe、PbS、PbSe和/或GaAs形成，并且同样例如是掺杂的。半导体核能够由多个层包覆。换言之，半导体核能够在其外面上完全地或几乎完全地由另外的层覆盖。
量子点的第一包覆层例如借助无机材料、例如ZnS、CdS和/或CdSe形成，并且用于产生量子点电势。第一包覆层和半导体核由至少一个第二包覆层在露出的外面上几乎完全地包围。第二层例如能够借助有机材料、例如胱胺或半胱氨酸形成，并且有时用于改进量子点在例如基体材料和/或溶剂中的可溶性(也能够使用胺类、含硫的或含磷的有机化合物)。在此可行的是：由于第二包覆层，改进量子点在基体材料中的空间均匀的分布。
根据方法的至少一个实施方式，多个转换元件通过从转换薄膜中分割来形成，所述转换薄膜包括转换材料。优选地，转换薄膜包括两个阻挡层，在所述阻挡层之间设置有转换材料，并且所述阻挡层用于保护免受湿气和氧影响。在该情况下足够的是：通过分割形成的转换元件在其侧向边缘处、即在如下区域中设有封装件：在所述区域中分开(进而敞开)转换薄膜并且在所述区域中不受保护地露出转换材料，通过所述封装件连同阻挡层确保全方位地对转换材料进行充分保护。
根据方法的至少一个实施方式提出：转换薄膜固定在壳体本体复合件和半导体芯片上。例如，能够利用硅树脂或杂化聚合物粘贴或替选地层压转换薄膜。在固定之后才分开转换薄膜，以构成转换元件。这能够通过如下方式进行：将沟槽引入到转换薄膜中，所述沟槽限定转换元件，所述转换元件在此构成在半导体芯片上。随后，转换元件例如至少在沟槽的区域中、即在通过分割形成的转换元件的侧向边缘处借助封装材料来封装。优选地，封装在构成沟槽之后及时地(例如在一小时之内，优选在30分钟之内)进行，以便防止过强地损坏转换材料。
通过将沟槽引入到转换薄膜中构成转换元件具有如下目的：在随后制造的半导体器件中对辐射出射面适当地限界并且提高器件的效率。
根据方法的至少一个实施方式，通过覆层方法封装转换元件。封装例如能够借助原子层沉积(ALD)和/或化学气相沉积(CVD)和/或溅射进行。化学气相沉积的应用也能够以等离子增强的方式进行。例如能够使用Al2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Si3N4、硅氧烷和/或SiOxNy作为封装材料。此外，应用帕利灵是可行的。也能够应用其他有机或无机材料或其组合。封装材料能够包括镜反射的材料，优选非金属的、镜反射的材料，例如白色塑料，如白色环氧树脂或所提出的材料中的一种。
根据方法的至少一个实施方式提出，转换元件通过灌封工艺来封装。在此，全部上述制造方法属于术语灌封法，其中将模塑料引入到预设的模具中。
根据方法的至少一个实施方式提出，首先将转换薄膜分割成转换元件，并且转换元件构成在半导体芯片上。在此，在将转换薄膜/转换元件固定在半导体芯片上之前或之后，将转换薄膜分割成转换元件。随后才构成壳体本体复合件。在此优选的是：壳体本体复合件对多个转换元件至少在其侧向边缘处进行封装。因此，封装在构成壳体本体复合件期间进行，例如在用于其的(优选薄膜辅助的)灌封法期间进行。封装材料在此优选包括环氧树脂。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有提供辅助载体的步骤。辅助载体能够柔性地构成，例如构成为薄膜，或刚性地构成。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有将多个半导体芯片固定在辅助载体上的步骤。在此，光电子半导体芯片在横向方向上彼此间隔开。横向方向在该情况下与辅助载体的主延伸平面重合。例如，辅助载体能够构成为粘贴薄膜，半导体芯片附着在所述粘贴薄膜上。当然，多个半导体芯片不一定必须直接设置在辅助载体上。足够的是：半导体芯片例如设置在粘附层上，所述粘附层覆盖辅助载体，使得所述半导体芯片至少间接地固定在辅助载体上。
根据方法的至少一个实施方式，方法包括移除辅助载体的步骤，例如通过使辅助载体脱层。这优选直接在构成壳体本体复合件之后进行，当然也能够在稍后的时间点进行。
根据方法的至少一个实施方式，转换薄膜在移除辅助载体之后固定在壳体本体复合件和半导体芯片上。转换薄膜优选构成在壳体本体复合件的下述侧上：辅助载体在其移除之前设置在所述侧上。这就是说，转换薄膜基本上处于辅助载体的部位处。
根据方法的至少一个实施方式，方法具有将多个半导体芯片固定在结构化的金属复合件上的步骤。光电子半导体芯片在此在横向方向上彼此间隔开。在该情况下，横向方向与结构化的金属复合件的主延伸平面重合。在将壳体本体复合件分割成多个光电子半导体器件之后，于是每个半导体器件具有结构化的金属复合件的至少一部分作为导体框。
根据方法的至少一个实施方式，转换元件还在其上侧上借助封装材料来封装，其中封装材料构成为是透明的。在此和在下文中，将转换元件的前侧理解为背离与转换元件连接的半导体芯片的一侧。将半导体芯片的后侧理解为类似于半导体芯片的背离转换元件的一侧。
根据至少一个实施方式，光电子半导体器件具有设置用于产生电磁辐射的半导体芯片。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有壳体本体，所述壳体本体在横向方向上包围半导体芯片。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，在半导体芯片上设置有转换元件，所述转换元件包括转换波长的转换材料。至少在转换元件的侧向边缘处设有由封装材料构成的封装件，所述封装材料与转换材料不同。例如，封装件能够包括金属层，尤其镜反射的金属层，吸收的或非金属的镜反射层。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，壳体本体的侧面具有分割痕迹。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，封装件的至少一个侧面和壳体本体的至少一个侧面彼此齐平。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件在后侧上具有用于接触半导体芯片的两个接触部。将半导体器件的后侧理解为半导体器件的对应于半导体芯片的后侧的一侧。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件还具有导体框。优选地，两个接触部在半导体器件的后侧上通过导体框的一部分形成。
根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，导体框在半导体器件的至少一个侧面上局部地露出。
用于制造光电子半导体器件的上述方法尤其适合于制造该光电子半导体器件。结合方法详述的特征因此也能够考虑用于半导体器件或者反之亦然。
附图说明
从下面结合附图对实施例的描述中得出其他的特征、设计方案和适当方案。
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。
附图和在附图中示出的元件彼此间的大小关系不能够视为是合乎比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件和尤其层厚度。
附图示出：
图1A至1I、2A至2C、3A至3C、4A至4G和5A至5E分别根据各以示意剖面图示出的中间步骤示出用于制造光电子半导体器件的方法的实施例。
具体实施方式
在图1A至1I中示出用于制造多个光电子半导体器件的方法的第一实施例。
如在图1A中示出的，首先提供辅助载体2。例如自粘薄膜适合于辅助载体2。替选地，也能够借助于临时粘结剂进行半导体芯片的固定。在图1A中示出的方法步骤中，将多个半导体芯片4直接固定在辅助载体2上。半导体芯片4矩阵状地设置并且沿横向方向、即沿平行于辅助载体2的主延伸平面的方向彼此间隔开。下面的描述针对发射电磁辐射的半导体器件进行。半导体芯片例如是辐射二极管半导体芯片，例如发光二极管半导体芯片。
半导体芯片4沿竖直方向在前侧42和后侧44之间延伸。此外，半导体芯片4具有侧面46。半导体芯片4设置在辅助载体2上，使得前侧42面向辅助载体2。
在随后的、在图1B中示出的方法步骤中，通过模压产生壳体本体复合件8，所述壳体本体复合件填充相邻的半导体芯片4之间的区域。
在后续的、在图1C中示出的方法步骤中，例如借助于机械方法、如磨削，将壳体本体复合件8从背离辅助载体2的一侧起打薄，使得露出半导体芯片的后侧44。此外，将辅助载体2通过脱层移除，使得也露出半导体芯片的前侧42。
通过半导体芯片4在后侧44的区域中露出，可行的是：从半导体芯片的后侧起接触半导体芯片。在图1D中示例地示出前侧接触部52和后侧接触部54，所述前侧接触部和后侧接触部能够对半导体芯片4供给电流。为了更好的图形视图，将在图1C中示出的结构在图1D中转动180°。前侧接触部52和后侧接触部54在随后形成的半导体器件中从所述半导体器件的后侧起可被触及，以进行接触。
在图1E中，在移除的辅助载体的部位处存在转换薄膜10，所述转换薄膜利用在当前情况下由硅树脂构成的粘胶6粘贴到半导体芯片的前侧52以及壳体本体复合件8上。替选地，转换薄膜10就其而言能够包括粘结层并且由此固定在半导体芯片的前侧42以及壳体本体复合件8上(未示出)。
在随后的、在图1F中示出的方法步骤中，通过将沟槽14引入到转换薄膜10中，分开转换薄膜10以构成转换元件12，所述沟槽限定转换元件12。沟槽14在当前的情况下穿过转换薄膜10和硅树脂粘胶6延伸进入到壳体本体复合件8中，进而完全地分开转换薄膜10。
随后，构成金属覆层16，所述金属覆层覆盖转换元件12和沟槽14，其中事先将光刻胶22施加到转换元件12的下述区域上：所述区域应在制成的半导体器件中露出并且用作为辐射出射面(见图1G)。金属覆层16在沟槽14的区域中、即在转换元件12的侧向边缘20处形成封装件18，所述封装件保护所述转换元件免受空气和湿气影响。
优选地，金属覆层16的构成在构成沟槽14之后及时地(例如在一小时之内，优选在30分钟之内)进行，以便防止过强地损坏转换材料。
随后，利用适当的溶剂移除局部施加的光刻胶22，使得金属覆层16仅在如下区域中保留：在所述区域中，所述金属覆层期望作为封装件18(见图1H)。为了分割成半导体器件100，沿着分割线24分开壳体本体复合件8。这例如能够机械地、例如借助于锯割，化学地、例如借助于刻蚀和/或借助于干涉辐射、例如通过激光剥离来进行。
每个所形成的半导体器件100具有至少一个半导体芯片4、转换元件12和壳体本体复合件的一部分作为壳体本体82(见图1I)，其中所述转换元件具有侧向的封装件18。此外，光电子半导体器件100在其后侧上具有用于接触半导体芯片4的两个接触部52、54。
分割壳体本体复合件的结果是：壳体本体82的侧面24和封装件18的侧面26具有分割痕迹。此外，封装件18的侧面26和壳体本体82的侧面24彼此齐平。
在图2A至2C中示出的实施例基本上对应于结合图1A至1I描述的实施例。图2A在此对应于图1F。在图1F中示出的步骤之前实施的全部方法步骤在这两个实施例中相符。
与在图1G中示出的方法步骤不同，当前，透明的覆层由帕利灵构成(例如通过自由基引发的聚合)，所述覆层覆盖转换元件12和沟槽14(参见图2B)。由帕利灵28构成的覆层不仅在沟槽14的区域中、即在转换元件12的侧向边缘20处、而且也在转换元件12的全部前侧的面30上形成封装件18，所述封装件保护所述转换元件免受空气和湿气影响。代替帕利灵，覆层也能够由其他材料构成，例如通过ALD或CVD构成。
壳体本体82的侧面24和封装件18的侧面26在制成的半导体器件100中又具有分割痕迹(见图2C)。此外，封装件18的侧面26和壳体本体82的侧面24彼此齐平。
在图3A至3C中示出的实施例基本上同样对应于结合图1A至1I描述的实施例。图3A在此对应于图1F。在图1F中示出的步骤之前实施的全部方法步骤在这两个实施例中相符。
与在图1G中示出的方法步骤不同，当前，沟槽14借助下述材料灌封：所述材料在壳体本体复合件8的较早的构成方案中在图1B中示出的方法中应用(见图3B)。这就是说，壳体本体复合件8扩展为，使得其现在穿过沟槽14延伸直至在图3B中示出的整个复合件的前侧。壳体本体复合件8和随后还有分割的半导体器件100的壳体本体82在沟槽14的区域中、即在转换元件12的侧向边缘20处形成封装件18，所述封装件保护所述转换元件免受空气和湿气影响。壳体本体82的侧面24又具有分割痕迹(见图3C)。
在图4A至4G中示出用于制造多个光电子半导体器件的另一实施例，所述实施例基本上对应于结合图1A至1I描述的实施例，然而其中不应用辅助载体。
在图4A中示出的方法步骤中，当前将多个半导体芯片4固定在结构化的金属复合件32上。当前构成为倒装芯片的半导体芯片4矩阵状地设置，并且沿横向方向、即沿平行于结构化的金属复合件32的主延伸平面的方向彼此间隔开。结构化的金属复合件32由局部分开的金属层构成，使得构成多个岛状的金属结构。半导体芯片4优选固定在结构化的金属复合件上，使得其分别设置在两个相邻的岛状的金属结构上。
在随后的、在图4B中示出的方法步骤中，又产生壳体本体复合件8，所述壳体本体复合件填充相邻的半导体芯片4之间的区域和相邻的岛状的金属结构之间的区域。此外，打薄壳体本体复合件8，使得露出半导体芯片4的前侧42。
在随后的、在图4C中示出的方法步骤中，类似于图1E，利用由硅树脂构成的粘胶6将转换薄膜10粘贴到半导体芯片的前侧42以及壳体本体8上。
在图4D至4F中示出的方法步骤基本上对应于在图1F至1H中示出的步骤。
在图4D中示出的方法步骤中，通过将沟槽14引入到转换薄膜10中，又将转换薄膜10分开以构成转换元件12，所述沟槽限定转换元件12。随后，构成金属覆层16(参见图4E)，所述金属覆层覆盖转换元件12和沟槽14，其中事先将光刻胶22施加到转换元件12的下述区域上：所述区域在制成的半导体芯片中应露出并且用作为辐射出射面。金属覆层16在沟槽14的区域中、即在转换元件12的侧向边缘20处形成封装件18，所述封装件保护所述转换元件免受空气和湿气影响。
随后，又利用适当的溶剂移除局部施加的光刻胶22，使得金属覆层16仅在如下区域中保留：在所述区域中，所述金属覆层作为封装件18是期望的(见图4F)。为了分割成半导体器件100，沿着分割线24分开壳体本体复合件8。
每个所形成的半导体器件100具有至少一个半导体芯片4、转换元件12和壳体本体复合件的一部分作为壳体本体82(见图4G)，其中所述转换元件具有侧向的封装件18。此外，光电子半导体器件100具有两个导体框34、36，所述导体框适合于从半导体器件的后侧起接触半导体芯片4，并且所述导体框通过在分割时切开结构化的金属复合件32形成。
分割壳体本体复合件的结果是：壳体本体82的侧面24和封装件18的侧面26以及在当前的实施例中还有两个导体框34、36的侧面38具有分割痕迹。此外，封装件18的侧面26、壳体本体82的侧面24和两个导体框34、36的侧面38彼此齐平。
在图5A至5E中示出用于制造多个光电子半导体器件的方法的另一实施例。
如在图5A中示出的，多个半导体芯片4又直接固定在辅助载体2上。与之前的实施例不同，首先将未示出的转换薄膜分割成转换元件12，所述转换元件固定在半导体芯片4上(见图5B)。在此，能够在将转换薄膜/转换元件固定在半导体芯片4上之前或之后将转换薄膜分割成转换元件12。
在随后的、在图5C中示出的方法步骤中，产生壳体本体复合件8，所述壳体本体复合件不仅填充相邻的半导体芯片4之间的区域，而且也填充相邻的转换元件12之间的区域，并且由此对其在其侧向边缘20处进行封装。因此，在构成壳体本体复合件8期间进行封装。转换元件12的前侧已经露出并且未被壳体本体复合件12覆盖。因此，取消从背离辅助载体2的一侧起将壳体本体复合件8打薄的必要性。
在随后的、在图5D中示出的方法步骤中，通过脱层移除辅助载体2。为了分割成半导体器件100，又沿着分割线24分开壳体本体复合件8。
每个所形成的半导体器件100具有至少一个半导体芯片4、转换元件12和壳体本体复合件的一部分作为壳体本体82，所述壳体本体同时构成转换元件12的侧向封装件18(见图5E)。分割壳体本体复合件的结果又是：壳体本体82的侧面24具有分割痕迹。
本发明不受限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括各个新的特征以及特征的各个组合，这尤其包含权利要求中的特征的各个组合，即使所述特征或所述组合本身没有在权利要求或实施例中明确地说明时也是如此。

Claims (15)

1.一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有如下步骤：
a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4)，
b)将多个所述半导体芯片(4)设置在一个平面中，其中所述半导体芯片(4)沿横向方向彼此间隔开；
c)构成壳体本体复合件(8)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在所述半导体芯片(4)之间；
d)构成多个转换元件(12)，其中每个转换元件包括转换波长的转换材料并且设置在所述半导体芯片(4)中的一个半导体芯片上；
e)对多个所述转换元件(12)至少在其侧向边缘(20)处借助封装材料进行封装，所述封装材料与所述转换材料不同；和
f)将所述壳体本体复合件(8)分割成多个光电子半导体器件(100)，其中每个半导体器件具有至少一个半导体芯片(4)、侧向封装的转换元件(12)和作为壳体本体(82)的所述壳体本体复合件的一部分，
其中步骤d)在步骤b)之前、在步骤c)之前、或者在步骤e)之前实施，并且其中多个所述转换元件(12)通过从转换薄膜(10)中分割来形成，所述转换薄膜包括所述转换材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述转换材料包括转换波长的量子点。
3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述转换薄膜固定在所述壳体本体复合件(8)和所述半导体芯片(2)上，并且随后通过沟槽(14)分开，使得在每个半导体芯片(2)上构成转换元件(12)，并且其中对所述转换元件至少在所述沟槽的区域中借助封装材料进行封装。
4.根据权利要求3所述的方法，其中对所述转换元件(12)通过覆层工艺或通过灌封工艺进行封装。
5.根据权利要求1所述的方法，其中首先将所述转换薄膜(10)分割成转换元件(12)，并且将所述转换元件构成在所述半导体芯片(4)上，并且其中随后构成所述壳体本体复合件(8)，使得所述壳体本体复合件对多个所述转换元件至少在其侧向边缘处进行封装。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤b)中，将多个所述半导体芯片(4)固定在辅助载体(2)上，其中所述半导体芯片(4)在横向方向上彼此间隔开，并且其中在步骤c)之后或者在随后的方法步骤之后移除所述辅助载体(2)。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中将多个所述半导体芯片(4)在步骤b)中固定在结构化的金属复合件(32)上，并且其中在实施步骤f)之后，每个半导体器件(100)具有所述结构化的金属复合件的至少一部分作为导体框(34，36)。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中对所述转换元件(12)还在其前侧上借助所述封装材料进行封装，其中所述封装材料构成为透明的。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中在步骤c)中通过模压或通过薄膜辅助的灌封法构成所述壳体本体复合件(8)。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述半导体芯片(4)在步骤c)中包覆成形，并且随后将所述壳体本体复合件(8)打薄，使得所述半导体芯片(4)局部地露出。
11.一种光电子半导体器件(100)，其中
-所述半导体器件具有设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4)；
-所述半导体器件具有壳体本体(82)，所述壳体本体沿横向方向包围所述半导体芯片(4)；
-在所述半导体芯片上设置有转换元件(12)，所述转换元件包括转换波长的转换材料，并且其中至少在所述转换元件的侧向边缘(20)处设有由封装材料构成的封装件(18)，所述封装材料与所述转换材料不同；和
-所述壳体本体(82)的侧面(24)具有分割痕迹。
12.根据权利要求11所述的光电子半导体器件，其中所述封装件(18)的至少一个侧面(26)和所述壳体本体(82)的至少一个侧面(24)彼此齐平。
13.根据权利要求11或12所述的光电子半导体器件，其中所述光电子半导体器件在后侧上具有用于接触所述半导体芯片(4)的两个接触部(52，54，34，36)。
14.根据权利要求13所述的光电子半导体器件，所述光电子半导体器件还具有导体框(52，54)，其中在所述半导体器件的后侧上的两个所述接触部通过所述导体框的一部分形成，并且其中所述导体框在所述半导体器件的至少一个侧面(38)上局部地露出。
15.根据权利要求13所述的光电子半导体器件，所述转换元件(12)是转换薄膜(10)分割后的部分，所述转换薄膜包括所述转换材料，并且所述转换薄膜(10)在俯视图中遮盖所述半导体芯片(4)的发射电磁辐射的面、所述接触部(52，54，34，36)和部分地遮盖所述壳体本体(82)，而没有覆盖所述壳体本体(82)的所述侧面(24)。
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