JP6377846B2 - オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体装置 - Google Patents

オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体装置 Download PDF

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Description

放射を発生させるために設けられる半導体チップが事前に作製されたパッケージ内に搭載される、発光ダイオード等の半導体装置の配置が知られている。そのような配置を小型化して特に小型の発光ダイオードを製造することは困難である。
この問題の解決策は先行技術から知られるように、マトリックス状に配置された半導体チップの間に配置されるパッケージ本体集合体(package body assembly)を形成することである。パッケージ本体集合体は例えば、キャスティング方法(casting method)を用いて製造されうる。パッケージ本体集合体は後続の方法ステップで、各個片化後の半導体装置が少なくとも1つの半導体チップ、およびパッケージ本体としてのパッケージ本体集合体の一部を備えるように複数のオプトエレクトロニクス半導体装置に個片化される。このように製造された半導体装置はさらに、波長変換材料からなる波長変換要素を備えることが多い。
高感度変換材料の変換要素を有すると同時に浅い構造のオプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法を提供することが達成すべき目的の1つである。長寿命化された、高感度変換材料の変換要素を有するオプトエレクトロニクス半導体装置を提供することが達成すべきさらなる目的である。
これら目的は特に、それぞれ、本独立請求項に係る方法および半導体装置によって達成される。諸構成および好適な態様が従属請求項の主題を成している。
複数のオプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法を提供する。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、電磁放射を発生させるための複数の半導体チップを設けるステップを含む。半導体チップは特に、電磁放射を発生させるために設けられる活性領域を有する半導体ボディを備える。半導体ボディ、特に活性領域は例えば、III−V族化合物半導体材料を含む。さらに、半導体チップは特に、半導体ボディが配置されるキャリアを備える。キャリアは例えば、半導体ボディの半導体層の成長基板である。キャリアは代替的に、半導体ボディの半導体層の成長基板とは異なる。この場合、キャリアが半導体ボディの機械的安定化に役立つ結果、成長基板は機械的安定化のためには必要なく、除去されうる。成長基板が除去された半導体チップは、薄膜半導体チップとしても知られている。
本明細書において1つの層または要素が他の層または要素「の上に」またはこれら他の層または要素「に亘って」配置または被着されているという記述は、当該1つの層または要素が他方の層または要素に直接機械的および/または電気的に接触して配置されていることを意味する。この記述はさらに、当該1つの層または要素が他方の層または要素の上にまたはこれら他方の層または要素に亘って間接的に配置されていることも意味しうる。この場合、さらなる層および/または要素が当該1つの層と他方の層との間に配置されうる。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、複数の半導体チップを平面状に配置するステップを含む。半導体チップはこの場合、互いに横方向に離間する。本明細書において横方向とは、半導体チップが配置される平面に平行な方向を意味するものと理解される。また、縦方向とは、前記平面に直交する方向を意味するものと理解される。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、パッケージ本体集合体を形成するステップであって、パッケージ本体集合体の少なくとも一部は、半導体チップの間に配置されるステップを含む。パッケージ本体集合体は特に、キャスティング方法を用いて製造されうる。
本明細書においてキャスティング方法という用語は、成形材料を所定の型に導入し、かつ特に次いで硬化する全ての製造方法を包含する。キャスティング方法という用語は特に、キャスト法(casting)、射出成形法、トランスファー成形法、圧縮成形法、およびディスペンス法(dispensing)を包含する。パッケージ本体集合体は好ましくは、圧縮成形法またはフィルム補助トランスファー成形法(film assisted transfer molding)によって形成される。パッケージ本体集合体には例えば、充填用のまたは非充填用の成形用樹脂(例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン)が含まれうる。パッケージ本体集合体の厚さは、50μm〜500μm、好ましくは100μm〜200μm、典型的には約150μmでありうる。パッケージ本体集合体は好ましくは、白色材料によって形成される。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、パッケージ本体集合体の形成に使用される形成用材料は、半導体チップの側面および/または半導体チップの後面を、それぞれ、少なくとも部分的に、好ましくは完全に被覆するように被着される。この場合、半導体チップは例えば、オーバーモールドされてもよく、次いでパッケージ本体集合体が薄膜化される。その結果、半導体チップは所々で露出する。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、複数の変換要素を設けるステップを含む。各変換要素は波長変換材料を含み、半導体チップの1つに配置される。変換要素は、パッケージ本体集合体が形成される前に半導体チップの上に配置され得る。また、変換要素は任意選択的には、半導体チップが平面状に配置される前、例えば半導体チップが補助キャリアに、または構造化された金属複合物(structured metal composite)に固着される前に半導体チップの上に配置されることすらありうる。
ここで、波長変換材料には、半導体チップによって出射される電磁放射の波長をこの変換材料において変換する特徴がある。したがって変換要素は、半導体チップにおいて発生した第1の波長の一次放射を第1の波長とは異なるより長波長の二次放射に変換するように構成される。例えば半導体装置は、混合光、特に人の目からは白色に見える混合光を発生させるために設けられる。例えば青色電磁放射は、変換要素によって少なくとも部分的にまたは完全に赤色放射および/または緑色放射に変換される。
変換要素は特に、高感度の波長変換材料を含む。高感度変換材料には例えば、酸素および/または水等に接触する際に酸化等によって破壊され得、かつ/または損傷を受け得る特徴がある。さらに、高感度変換材料は温度の変動に敏感に反応し得、例えば、そのような温度の変動によって高感度変換材料の機能が損なわれうる。
本発明の少なくとも一実施形態によれば、本発明は、複数の変換要素を、少なくとも変換要素の側縁部において変換材料とは異なる封止材料で封止するステップを含む。封止材料は、水分および酸素の影響から変換要素を保護するように構成される。封止材料の水蒸気透過率は例えば、最大でも1×10−3g/m/日、例えば最大でも3×10−4g/m/日、好ましくは最大でも1×10−6g/m/日、特に好ましくは最大でも1×10−8g/m/日である。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、パッケージ本体集合体を複数のオプトエレクトロニクス半導体装置に個片化するステップであって、各半導体装置が少なくとも1つの半導体チップ、1つの変換要素、およびパッケージ本体としてのパッケージ本体集合体の一部を有するステップを含む。このように各パッケージ本体は、個片化時にのみ、したがって半導体チップが既にパッケージ本体内に位置しているときにのみパッケージ本体集合体から形成される。パッケージ本体集合体の個片化の結果の1つとして、得られるオプトエレクトロニクス半導体装置の側面は、パッケージ本体の領域において個片化の痕跡を示す。
すべてのまたは少なくともほとんどの製造ステップが集合体レベルで行われることにより、オプトエレクトロニクス半導体装置を特に効率的に製造することができ、その間に有利なことに、得られるオプトエレクトロニクス半導体装置内の変換要素の完全で緊密な封止が実現される。得られるオプトエレクトロニクス半導体装置はまた、特に浅く小型の設計を有することにより、例えばバックライト装置での使用に適している。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換材料は、波長変換量子ドットを含む。変換要素は例えば、マトリックス材料を含み、波長変換量子ドットがマトリックス材料に導入されている。
量子ドットを変換材料として使用することによって、良好な演色性が実現されうる。変換された電磁放射が相対的に狭帯域であることによって異なるスペクトルの色の混合が生じないからである。変換された放射のスペクトルの波長幅は例えば、少なくとも20nm〜最大でも60nmである。これにより、非常に精確に一スペクトル域に色が割り当てられうる光を発生させることができる。これにより、本オプトエレクトロニクス半導体装置をバックライト装置において使用する場合に広い色域が実現されうる。
量子ドットは好ましくは、ナノ粒子、すなわちナノメートル範囲の大きさの粒子である。量子ドットは半導体コアを備え、半導体コアは波長変換特性を有する。半導体コアは例えば、CdSe、CdS、InAs、CuInS、ZnSe(例えば、Mnドープ)、および/またはInPで形成され得、かつ例えばドープされうる。赤外線が用いられる用途の場合、半導体コアは例えば、CdTe、PbS、PbSe、および/またはGaAsで形成され得、かつ同様に例えば、ドープされうる。半導体コアは、複数の層で被包されうる。換言すれば、半導体コアの外面は、さらなる層によって完全にまたは略完全に被覆されうる。
量子ドットの第1の被包層は例えば、ZnS、CdS、および/またはCdSe等の無機材料で形成され得、量子ドットポテンシャルを作り出すことに役立つ。第1の被包層および半導体コアの露出した外面は、少なくとも1層の第2の被包層によって略完全に包囲されている。第2の層は例えば、シスタミンまたはシステイン等の有機材料で形成され得、マトリックス材料および/または溶媒の中での量子ドットの溶解性を高めることに役立ちうる(アミン類、および硫黄含有有機化合物またはリン含有有機化合物も使用されうる)。この場合、第2の被包層によって、量子ドットのマトリックス材料内での空間的に均一な分布を増進することができる。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、複数の変換要素は、変換材料を含む変換箔(conversion foil)の個片化によって形成される。変換箔は好ましくは、2層のバリア層を備え、変換材料がこれらバリア層の間に配置され、かつこれらバリア層は、水分および酸素の影響からの保護を確実にする。この場合、個片化によって形成される変換要素には、変換要素の側縁部、すなわち変換箔が切断された(それにより開かれた)領域であって、変換材料が露出して保護されていない領域に封止部を設けることで十分である。この封止部が、バリア層と共に確実に変換材料を全側面から十分に保護する。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換箔は、パッケージ本体集合体および半導体チップに固着される。変換箔は例えば、シリコーンまたはハイブリッドポリマーを使用して接着接合されてもよく、代替的に積層(laminated)されてもよい。変換箔が切断されて変換要素を形成するのは、固着した後にのみである。これは、変換箔にトレンチが導入され、本発明では半導体チップの上に形成される変換要素の範囲をトレンチが画定することによって実現されうる。次いで変換要素は、例えば少なくともトレンチの領域、すなわち個片化によって形成される変換要素の側縁部において封止材料で封止される。封止は好ましくは、変換材料への重大な損傷を防ぐために、トレンチ形成から短時間で(例えば、1時間、好ましくは30分以内に)行われる。
変換箔にトレンチを導入することによって変換要素を形成する目的は、後に製造される半導体装置に適切に放射出射面を画定すること、および半導体装置の効率を高めることである。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換要素は、コーティング方法を使用して封止される。封止は例えば、原子層堆積(ALD)および/または化学気相蒸着(CVD)および/またはスパッタリングによって行われうる。化学気相蒸着を、プラズマによって促進してもよい。例えばAl、SiO、ZrO、TiO、Si、シロキサン、および/またはSiOが封止材料として使用されうる。パリレンを使用することもできる。他の有機材料もしくは無機材料、またはそれらの組合せを使用してもよい。封止材料は、反射性材料、好ましくは非金属反射性材料(例えば、白色エポキシド等の白色プラスチック材料)であってもよく、これら材料の1つを含んでもよい。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換要素は、キャスティング方法を使用して封止される。本明細書においてキャスティング方法という用語は、成形材料を所定の型に導入する上述の全ての製造方法を包含する。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、最初に変換箔が変換要素に個片化され、変換要素は半導体チップの上に形成される。変換箔の変換要素への個片化は、変換箔/変換要素を半導体チップに固着する前に行っても固着した後に行ってもよい。個片化後にのみ、パッケージ本体集合体は形成される。この場合、パッケージ本体集合体が、複数の変換要素を変換要素の少なくとも側縁部において封止することが好ましい。したがって、封止が行われるのは、パッケージ本体集合体の形成時、例えばパッケージ本体集合体を形成するために使用されるキャスティング方法(好ましくは、フィルム補助キャスティング方法)を行うときである。この場合、封止材料は好ましくは、エポキシ樹脂を含む。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、補助キャリアを設けるステップを含む。補助キャリアは、可撓性の構成、例えば膜の形状の構成であっても、剛性の構成であってもよい。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、複数の半導体チップを補助キャリアに固着するステップを含む。オプトエレクトロニクス半導体チップは、互いに横方向に離間する。この場合、横方向は、補助キャリアの主延在面に一致する。補助キャリアは例えば、半導体チップが付着する接着膜の形態をとりうる。しかしながら、複数の半導体チップは、必ずしも直接的に補助キャリアに配置されなくてもよい。半導体チップを例えば、補助キャリアを被覆する接着層に配置すれば十分であり、その結果、半導体チップは補助キャリアに少なくとも間接的に搭載される。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、例えば層間剥離によって補助キャリアを除去するステップを含む。これは好ましくは、パッケージ本体集合体の形成直後に行われるが、時間をおいて行われてもよい。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換箔は、補助キャリアの除去後にパッケージ本体集合体および半導体チップに固着される。変換箔は好ましくは、パッケージ本体集合体の、補助キャリアが除去されるまで配置されていた面に形成される。すなわち、変換箔は、実質的に補助キャリアに取って代わる。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、本方法は、複数の半導体チップを構造化された金属複合物に固着するステップを含む。オプトエレクトロニクス半導体チップは、互いに横方向に離間する。この場合、横方向は、構造化された金属複合物の主延在面に一致する。パッケージ本体集合体を複数のオプトエレクトロニクス半導体装置に個片化した後、各半導体装置は、構造化された金属複合物の少なくとも一部をリードフレームとして備える。
本方法の少なくとも一実施形態によれば、変換要素は追加的に、変換要素の前面において封止材料で封止され、この場合、封止材料は透明である。本明細書において変換要素の前面とは、変換要素に接続された半導体チップとは反対側の面を意味するものと理解される。半導体チップの後面は反対に、半導体チップの、変換要素とは反対側の面を意味するものと理解される。
少なくとも一実施形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体装置が電磁放射を発生させるために設けられた半導体チップを備える。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、半導体装置は、半導体チップを横方向において取り囲むパッケージ本体を備える。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、変換要素が半導体チップの上に配置されており、変換要素は、波長変換材料を含む。変換材料とは異なる封止材料からなる封止部が変換要素の少なくとも1つの側縁部に設けられている。封止部は例えば、金属層、特に金属反射層、吸収層、または非金属反射層を備えていてもよい。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、パッケージ本体の側面は、個片化の痕跡を示している。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、封止部の少なくとも1つの側面およびパッケージ本体の少なくとも1つの側面は、互いに面一に終端している。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、半導体装置は後面に、半導体チップとの接触のための2つの接触子を備える。半導体装置の後面は、半導体装置の、半導体チップの後面に対応する面を意味するものと理解される。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、半導体装置は追加的に、リードフレームを備える。2つの接触子は好ましくは、リードフレームの部分によって半導体装置の後面に形成されている。
本オプトエレクトロニクス半導体装置の少なくとも一実施形態によれば、リードフレームは、半導体装置の少なくとも1つの側面の所々で露出している。
上述の、オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法は、本オプトエレクトロニクス半導体装置の製造に特に適している。したがって、本方法に関連して記載した特徴は、本半導体装置にも使用され得、逆も同様である。
さらなる特徴、構成、および好適な態様を、図と併せた例示的実施形態の以下の説明によって明らかにする。
図において、同一の要素、同様の要素、または、同一の作用の要素には、同一の参照番号を付す。
各図および図中に示した各要素の互いに対する大きさの比は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、平易な図示のために、かつ/または、理解しやすくするために、個々の要素、特に層の厚さは、誇張した大きさで示され得る。
オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。 オプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の例示的実施形態を各中間ステップに基づいて示す概略断面図である。
図1A〜図1Iは、複数のオプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法の第1の例示的実施形態を示す。
図1Aに示すように、補助キャリア2を最初に設ける。例えば、自己粘着フィルムが補助キャリア2に適している。代替的に、半導体チップを仮止め接着剤によって固着してもよい。図1Aに示す方法ステップでは、複数の半導体チップ4が直接的に補助キャリア2に固着される。半導体チップ4は、マトリックス状に配置され、互いに横方向に、すなわち補助キャリア2の主延在面に平行な方向に離間する。後続の説明は、電磁放射出射型の半導体装置の場合のものである。半導体チップは例えば、ルミネセントダイオード半導体チップ、例えば発光ダイオード半導体チップである。
縦方向において、半導体チップ4は、前面42と後面44との間に伸長する。半導体チップ4はさらに、側面46を備える。半導体チップ4は、前面42が補助キャリア2に対向するように補助キャリア2に配置される。
図1Bに示す次の方法ステップでは、隣接する半導体チップ4の間の領域を充填するパッケージ本体集合体8が圧縮成形法によって製造される。
図1Cに示す次の方法ステップでは、パッケージ本体集合体8が、例えば研削等の機械的方法によって補助キャリア2とは反対側から薄膜化される。その結果、半導体チップ2の後面44は露出する。さらに、補助キャリア2が層間剥離によって除去される結果、半導体チップの前面42も露出する。
半導体チップ4が後面44の領域において露出するため、半導体チップ4の後側から半導体チップに接触することができる。図1Dでは一例として、半導体チップ4に電流を供給することができる前面接触子52および後面接触子54を示す。より良好に図形で表現するために、図1Cの構造が図1Dにおいて180°回転されている。後の半導体装置では、前面接触子52および後面接触子54の両方に、接触のために半導体装置の後側からアクセス可能である。
図1Eにおいて、変換箔10が、除去された補助キャリアに取って代わっている。変換箔10は、この実施形態ではシリコーンからなる接着剤6によって半導体チップの前面42およびパッケージ本体集合体8に接着接合される。代替的に、変換箔10が接着層を備えてもよく、それにより半導体チップの前面42およびパッケージ本体8に固着されうる(図示せず)。
図1Fに示す次の方法ステップでは、変換箔10は、変換要素12の範囲を画定するトレンチ14が変換箔10に導入されることによって、切断されて変換要素12を形成する。トレンチ14は、この実施形態では変換箔10およびシリコーン接着剤6を貫通してパッケージ本体集合体8内まで伸長し、したがって変換箔10を完全に切断する。
次いで金属コーティング膜16が形成される。金属コーティング膜16は、変換要素12およびトレンチ14を被覆する。この場合、フォトレジスト22が、変換要素12の、完成品の半導体装置において露出しかつ放射出口面として使用されるための領域に前もって被着される(図1G参照)。したがって、金属コーティング膜16は、トレンチ14の領域、すなわち変換要素12の側縁部20において封止部18を形成する。この封止部は、変換要素12を空気および水分の影響から保護する。
金属コーティング膜16の形成は好ましくは、変換材料への重大な損傷を防ぐために、トレンチ14の形成から短時間で(例えば、1時間、好ましくは30分以内)に行われる。
次いで、所々に被着されたフォトレジスト22は、適切な溶剤を使用して除去される。その結果、金属コーティング膜16は、封止部18として必要とされる領域に残存するのみである(図1H参照)。個片化して半導体装置100を得るために、パッケージ本体集合体8は、個片化線24に沿って切断される。これは例えば、機械的に(例えばソーイングによって)、化学的に(例えばエッチングによって)、および/またはコヒーレント放射(例えばレーザアブレーション)によって行われうる。
得られる半導体装置100は、それぞれ、少なくとも1つの半導体チップ4、側方封止部18を有する1つの変換要素12、およびパッケージ本体82としてのパッケージ本体集合体の一部を備える(図1I参照)。さらに、オプトエレクトロニクス半導体装置100は後面に、半導体チップ4の接触のための2つの接触子52,54を備える。
パッケージ本体集合体の個片化の結果として、パッケージ本体82の側面24および封止部18の側面26は、個片化の痕跡を示している。さらに、封止部18の側面26およびパッケージ本体82の側面24は、互いに面一に終端している。
図2A〜図2Cに示す例示的実施形態は、図1A〜図1Iに関連して説明した例示的実施形態に実質的に一致する。ここで、図2Aは図1Fに対応している。図1Fに示すステップより前に行われる全ての方法ステップは、これら2つの例示的実施形態において一致する。
図1Gに例示する方法ステップとは異なり、この実施形態では透明性コーティング膜がパリレン28から(例えば、ラジカル重合によって)形成され、この透明性コーティング膜は、変換要素12およびトレンチ14を被覆する(図2B参照)。パリレン28のコーティング膜は、トレンチ14の領域、すなわち変換要素12の側縁部20においてのみならず、変換要素12の前面30全体に亘って封止部18を形成する。この封止部は、変換要素12を空気および水分の影響から保護する。コーティング膜は、例えばALDまたはCVDによって、パリレンに代えて他の材料からも形成されうる。
この実施形態でも、パッケージ本体82の側面24および封止部18の側面26は、完成した半導体装置100において個片化の痕跡を示す(図2C参照)。さらに、封止部18の側面26およびパッケージ本体82の側面24は、互いに面一に終端する。
図3A〜図3Cに示す例示的実施形態も同様に、図1A〜図1Iに関連して説明した例示的実施形態に実質的に一致する。ここで、図3Aは図1Fに対応している。図1Fに示すステップより前に行われる全ての方法ステップは、これら2つの例示的実施形態において一致する。
図1Gに示す方法ステップとは異なり、この実施形態では、図1Bに示すパッケージ本体集合体8を形成する先行する方法ステップで使用されたものと同じ材料がトレンチ14に流し込まれる(図3B参照)。すなわち、パッケージ本体集合体8はこの場合、トレンチ14を通って図3Bに示す組立品全体の前面まで伸長するように拡張される。パッケージ本体集合体8、すなわち個片化された半導体装置100の後のパッケージ本体82は、トレンチ14の領域、すなわち変換要素12の側縁部20において封止部18を形成する。この封止部18は、空気および水分の影響から変換要素12を保護する。パッケージ本体82の側面24は、この実施形態でも個片化の痕跡を示す(図3C参照)。
図4A〜図4Gは、複数のオプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法のさらなる例示的実施形態を示す。この実施形態は、図1A〜図1Iに関連して説明した例示的実施形態に実質的に一致するが、補助キャリアが使用されない形態である。
図4Aに示す方法ステップでは、複数の半導体チップ4がこの実施形態では、構造化された金属複合体32に固着される。この実施形態ではフリップチップの形態をとる半導体チップ4は、マトリックス状におよび横方向に配置される、すなわち構造化された金属複合物32の主延在面に平行な方向に互いに離間する。構造化された金属複合物32は、金属層であって、所々で切断されることによって複数の島状の金属構造部が形成された金属層から得られる。半導体チップ4は好ましくは、それぞれが2つの隣接する島状の金属構造部の上に配置されるように、構造化された金属複合物32に固着される。
図4Bに示す次の方法ステップでは、パッケージ本体集合体8がこの実施形態でも製造され、パッケージ本体集合体8は、隣接する半導体チップ4の間および隣接する島状金属構造部の間の領域に充填される。さらに、パッケージ本体集合体8は薄膜化され、その結果、半導体チップ4の前面42は露出する。
図4Cに示す次の方法ステップでは、図1Eと同様に、シリコーンからなる接着剤6を使用して変換箔10が半導体チップの前面42およびパッケージ本体集合体8に接着接合される。
図4D〜図4Fに示す方法ステップは、図1F〜図1Hに示すステップに実質的に一致する。
図4Dに示す方法ステップでは、変換箔10はこの実施形態でも、変換要素12の範囲を画定するトレンチ14が変換箔10に導入されることによって、切断されて変換要素12を形成する。次いで金属コーティング膜16が形成される(図4E参照)。金属コーティング膜16は、変換要素12およびトレンチ14を被覆する。この場合、フォトレジスト22が、変換要素12の、完成品の半導体装置において露出しかつ放射出口面として使用されるための領域に前もって被着される。したがって、金属コーティング膜16は、トレンチ14の領域、すなわち変換要素12の側縁部20において封止部18を形成する。この封止部は、変換要素12を空気および水分の影響から保護する。
次いで、所々に被着されたフォトレジスト22は、適切な溶剤を使用して除去される。その結果、金属コーティング膜16は、封止部18として必要とされる領域に残存するのみとなる(図4F参照)。個片化して半導体装置100を得るために、パッケージ本体集合体8は、個片化線24に沿って分割される。
得られる半導体装置100は、それぞれ、少なくとも1つの半導体チップ4、側方封止部18を有する1つの変換要素12、およびパッケージ本体82としてのパッケージ本体集合体の一部を備える(図4G参照)。オプトエレクトロニクス半導体装置100はさらに、半導体装置の後側からの半導体チップ4の接触に適した2つのリードフレーム34,36であって、構造化された金属複合物32を個片化時に分割することによって形成されるリードフレーム34,36を備える。
パッケージ本体集合体の個片化の結果として、パッケージ本体82の側面24および封止部18の側面26は個片化の痕跡を示し、また、この例示的実施形態では、2つのリードフレーム34,36の側面38も個片化の痕跡を示す。さらに、封止部18の側面26、パッケージ本体82の側面24、および2つのリードフレーム34,36の側面38は、互いに面一に終端する。
図5A〜図5Eは、複数のオプトエレクトロニクス半導体装置の製造方法のさらなる例示的実施形態を示す。
図5Aに示すように、複数の半導体チップ4がこの実施形態でも直接的に補助キャリア2に固着される。先の例示的実施形態と異なり、最初に変換箔(図示せず)が変換要素12に個片化され、変換要素12は、半導体チップ4に固着される(図5B参照)。変換箔の変換要素12への個片化は、変換箔/変換要素を半導体チップ4に固着する前に行っても固着した後に行ってもよい。
図5Cに示す次の方法ステップでは、パッケージ本体集合体8が製造される。パッケージ本体集合体は、隣接する半導体チップ4の間の領域だけでなく、隣接する変換要素12の間にも充填され、変換要素12をその側縁部20において封止する。このように封止は、パッケージ本体集合体8の形成時に行われる。変換要素12の前面は既に露出しており、パッケージ本体集合体8によって被覆されない。したがって、パッケージ本体集合体8を補助キャリア2とは反対側から薄膜化する必要がない。
図5Dに示す次の方法ステップでは、補助キャリア2は、層間剥離によって除去される。個片化して半導体装置100を得るために、パッケージ本体集合体8はこの実施形態でも、個片化線24に沿って分割される。
得られる半導体装置100は、それぞれ、少なくとも1つの半導体チップ4、1つの変換要素12、および、パッケージ本体82としてのパッケージ本体集合体の一部であって、同時に変換要素12のための側方封止部18にもなっているパッケージ本体集合体の一部を備える(図5E参照)。この実施形態でも、パッケージ本体集合体の個片化の結果として、パッケージ本体82の側面24は、個片化の痕跡を示す。
本発明は、例示的実施形態を参照してなされた説明によって制限されるものではない。むしろ、本発明は、任意の新規な特徴および特徴の任意の組合せ(特に、請求項中の特徴の任意の組合せを含む)を、当該特徴または組合せ自体が請求項または例示的実施形態に明示的に特定されていないとしても包含するものである。
本特許出願は、独国特許出願第102014114372.8号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。

Claims (14)

  1. a)電磁放射を発生させるために設けられる複数の半導体チップ(4)を設けるステップと;
    b)前記複数の半導体チップ(4)を平面状に配置するステップであって、前記半導体チップ(4)は、互いに横方向に離間する、ステップと;
    c)パッケージ本体集合体(8)を形成するステップであって、前記パッケージ本体集合体(8)の少なくとも一部は、前記半導体チップ(4)の間に配置される、ステップと;
    d)複数の変換要素(12)を形成するステップであって、各変換要素は波長変換材料を含み、前記半導体チップ(4)の1つに配置される、ステップと;
    e)前記複数の変換要素(12)を、前記複数の変換要素(12)の少なくとも側縁部(20)において前記変換材料とは異なる封止材料からなる封止部(18)を設けて封止するステップと;
    f)前記パッケージ本体集合体(8)を複数のオプトエレクトロニクス半導体装置(100)に個片化するステップであって、各半導体装置は、少なくとも1つの半導体チップ(4)、側方において封止された1つの変換要素(12)、およびパッケージ本体(82)としての前記パッケージ本体集合体(8)の一部を備える、ステップと、を備え、
    ステップd)は、ステップb)の前、ステップc)の前、またはステップe)の前に実行され、
    前記複数の変換要素(12)は、前記変換材料を含む変換箔(10)からの個片化によって形成され
    前記封止部(18)の少なくとも1つの側面(26)および前記パッケージ本体(82)の少なくとも1つの側面(24)は、互いに面一に終端している、
    複数のオプトエレクトロニクス半導体装置(100)の製造方法。
  2. 前記変換材料は、波長変換量子ドットを含む、
    請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記変換箔(10)は、1つの変換要素(12)が各半導体チップ(4)の上に形成されるように前記パッケージ本体集合体(8)および前記半導体チップ(4)に固着され、次いでトレンチ(14)によって切断され、かつ、前記変換要素は、前記封止材料で少なくとも前記トレンチの領域において封止される、
    請求項1に記載の製造方法。
  4. 前記変換要素(12)は、コーティングプロセスまたはキャスティングプロセスによって封止される、
    請求項3に記載の製造方法。
  5. 最初に前記変換箔(10)は変換要素(12)に個片化され、前記変換要素(12)は前記半導体チップ(4)の上に形成され、次いで前記パッケージ本体集合体(8)は、前記複数の変換要素(12)を、前記複数の変換要素(12)の少なくとも側縁部において封止するように形成される、
    請求項1に記載の製造方法。
  6. ステップb)において前記複数の半導体チップ(4)は、補助キャリア(2)に固着され、前記半導体チップ(4)は、互いに横方向において離間し、前記補助キャリア(2)は、ステップc)の後または1つの後続の方法ステップの後に除去される、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
  7. ステップb)において前記複数の半導体チップ(4)は、構造化された金属複合物(32)に固着され、ステップf)の実行後、各半導体装置(100)は、前記構造化された金属複合物の少なくとも一部をリードフレーム(34,36)として備える、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
  8. 前記変換要素(12)はさらに、前記変換要素(12)の前面において前記封止材料で封止され、前記封止材料は透明である、
    請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
  9. 前記パッケージ本体集合体(8)はステップc)において、圧縮成形法またはフィルム補助トランスファー成形法によって形成される、
    請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
  10. 前記半導体チップ(4)はステップc)において、オーバーモールドされ、次いで前記パッケージ本体集合体(8)は薄膜化され、その結果、前記半導体チップ(4)は所々で露出する、
    請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法。
  11. オプトエレクトロニクス半導体装置(100)であって、
    − 前記半導体装置は、電磁放射を発生させるために設けられた半導体チップ(4)を備え;
    − 前記半導体装置は、前記半導体チップ(4)を横方向において取り囲むパッケージ本体(82)を備え;
    − 波長変換材料を含む変換要素(12)が前記半導体チップ(4)の上に配置されており、前記変換要素の少なくとも側縁部(20)に、前記変換材料とは異なる封止材料からなる封止部(18)が設けられており;
    − 前記パッケージ本体(82)の側面(24)は、個片化の痕跡を示しており;
    − 前記封止部(18)の少なくとも1つの側面(26)および前記パッケージ本体(82)の少なくとも1つの側面(24)は、互いに面一に終端している、
    オプトエレクトロニクス半導体装置(100)。
  12. 前記半導体チップ(4)の接触のために後面に2つの接触子(52,54,34,36)を備える、
    請求項11に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。
  13. リードフレーム(52,54)をさらに備え、前記2つの接触子は、前記半導体装置の前記後面に前記リードフレームの部分によって形成されており、前記リードフレームは、前記半導体装置の少なくとも1つの側面(38)の所々で露出している、
    請求項11に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。
  14. 前記変換要素(12)は、前記変換材料を備える変換箔(10)の個片化された部分であり、
    前記変換箔(10)は、前記パッケージ本体(82)の前記側面(24)を被覆することなく、前記半導体チップ(4)の電磁放射出射面、接触子(52,54,34,36)、および部分的に前記パッケージ本体(82)を上部において被覆する、
    請求項12または13に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109844970B (zh) * 2016-07-28 2023-04-04 亮锐有限责任公司 具有反射侧覆层的发光器件封装
US10193043B2 (en) 2016-07-28 2019-01-29 Lumileds Llc Light emitting device package with reflective side coating
DE102016122532A1 (de) * 2016-11-22 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6798279B2 (ja) * 2016-11-28 2020-12-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10756368B2 (en) * 2016-12-27 2020-08-25 Hyundai Motor Company Fuel cell system and method of controlling the same
DE102017103328A1 (de) * 2017-02-17 2018-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Konversionsvorrichtung mit einem Konversionselement und einer Streumaterialbeschichtung
DE102017104871A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US10854788B2 (en) 2017-07-06 2020-12-01 Osram Oled Gmbh Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component
DE102017117150A1 (de) * 2017-07-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112017007820T5 (de) * 2017-08-04 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
DE102018121338A1 (de) * 2018-08-31 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung, optoelektronische beleuchtungseinrichtung und herstellungsverfahren
US10862008B2 (en) 2018-11-20 2020-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ceramic conversion element, light-emitting device and method for producing a ceramic conversion element

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1544923A3 (de) * 2003-12-19 2007-03-14 Osram Opto Semiconductors GmbH Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips auf einem Leiterrahmen
TWI241042B (en) * 2004-03-11 2005-10-01 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED device
JP2006114909A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
DE102005061828B4 (de) * 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102007049005A1 (de) 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US8552444B2 (en) * 2007-11-19 2013-10-08 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
JP5252621B2 (ja) 2007-12-28 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 粘土を主成分とするフレキシブル蛍光フィルム
EP2161763A1 (de) 2008-09-04 2010-03-10 Bayer MaterialScience AG Konversionsfolie und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
JP2011253882A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP5659123B2 (ja) * 2010-11-04 2015-01-28 富士フイルム株式会社 量子ドット構造体の形成方法
KR101761834B1 (ko) 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
WO2012144030A1 (ja) 2011-04-20 2012-10-26 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
JP6094062B2 (ja) 2012-06-01 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102012216738A1 (de) 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
DE102012111123A1 (de) 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
JP2014090157A (ja) * 2012-10-03 2014-05-15 Nitto Denko Corp 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP5995695B2 (ja) * 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Led装置の製造方法
DE202013101431U1 (de) 2013-04-04 2014-07-09 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchtvorrichtung zur Erzeugung von Weißlicht

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