TWI553917B - 半導體發光裝置 - Google Patents

半導體發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI553917B
TWI553917B TW103125108A TW103125108A TWI553917B TW I553917 B TWI553917 B TW I553917B TW 103125108 A TW103125108 A TW 103125108A TW 103125108 A TW103125108 A TW 103125108A TW I553917 B TWI553917 B TW I553917B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
emitting device
semiconductor
main surface
Prior art date
Application number
TW103125108A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201535798A (zh
Inventor
富澤英之
小島章弘
島田美代子
秋元陽介
古山英人
杉崎吉昭
Original Assignee
東芝股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東芝股份有限公司 filed Critical 東芝股份有限公司
Publication of TW201535798A publication Critical patent/TW201535798A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI553917B publication Critical patent/TWI553917B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

半導體發光裝置
〔相關申請案之引用〕
本申請案係以2014年3月11日申請之日本專利申請案第2014-047448號主張的優先權利益為基礎，要求該利益，藉由引用而將其內容全體包含於本申請案。
本發明之實施型態，一般而言，係關於半導體發光裝置。
具有組合了發光二極體(Light Emitting Diode：LED)與螢光體之晶片尺寸封裝構造的半導體發光裝置的開發正在進行中。這些半導體發光裝置，可以發出白色光等可見光或放射其他波長帶的光，可以使用於種種用途。然而，例如於光輸出或發光色等光學特性，仍然有改善的餘地。
本發明之實施型態，提供提高光學特性的半導體發光裝置。
相關於實施型態的半導體發光裝置，具備包含發光層的半導體層，p側配線部，n側配線部，與螢光體層。前述半導體層，具有第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面、以及接於前述第1主面及前述第2主面的第1側面。前述p側配線部及前述n側配線部，於前述第2主面側，導電連接於前述半導體層。前述螢光體層，被設於前述第1主面側，藉由前述發光層的放射光激發，包含放射與前述放射光不同波長的光的螢光體。前述半導體層與前述螢光體層之間，設有使前述發光層的放射光透過地透明層。前述透明層，具有前述半導體層側的第3主面、與前述螢光體層側的第4主面、以及至少與前述第3主面相接的第2側面。接著，具備覆蓋前述第1側面及前述第2側面的絕緣膜，及中介著前述絕緣膜覆蓋前述第1側面及前述第2側面的反射構件。
根據本發明，可以提高半導體發光裝置的光特性。
1~9‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧n型半導體層
12‧‧‧p型半導體層
13‧‧‧發光層
15、115‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1主面
15b‧‧‧第2主面
15c、70c、170c、270c、370c、370e‧‧‧側面
15e‧‧‧發光區域
15f‧‧‧非發光區域
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
18a、18b‧‧‧開口
21‧‧‧p側配線層
22‧‧‧n側配線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a、23b‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a、24b‧‧‧n側外部端子
25、27‧‧‧樹脂層
25b‧‧‧第5面
30‧‧‧螢光體層
30a‧‧‧發光面
30b、70b、270d‧‧‧外緣
30d‧‧‧外周部
31‧‧‧螢光體
33‧‧‧結合材
41‧‧‧p側配線部
43‧‧‧n側配線部
50、53‧‧‧金屬膜
60‧‧‧下底金屬膜
61‧‧‧鋁膜
62‧‧‧鈦膜
63‧‧‧銅膜
70、170、270、370‧‧‧透明層
70a、270a、370a‧‧‧第3主面
73‧‧‧接著層
90、95‧‧‧溝
91、92、93、94‧‧‧光阻遮罩
170b‧‧‧凹面
270b、370b‧‧‧第4主面
301‧‧‧實裝面
302‧‧‧墊(pad)
310‧‧‧實裝基板
圖1係例示相關於第1實施型態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖2A及2B係例示相關於第1實施型態的半導體發 光裝置的構成之模式平面圖。
圖3A~11B係例示相關於第1實施型態的半導體發光裝置的製造過程之模式剖面圖。
圖12A~16係例示相關於第1實施型態的變形例之半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖17係例示相關於第2實施型態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖18A~20B係例示相關於第2實施型態的半導體發光裝置的製造過程之模式剖面圖。
圖21A及21B係例示相關於第3實施型態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
以下，參照圖式同時說明實施型態。於圖式中的相同部分，賦予相同符號而適當省略其詳細說明，針對不同部分則進行說明。又，圖式僅為模式或概念性表示者，各部分的厚度與寬幅的關係，各部分間的大小比率等，不一定與現實相同。此外，即使是表示相同部分的場合，亦有隨著圖式不同而相互間以不同的尺寸或比率來表示的場合。
〔第1實施型態〕
圖1係例示相關於第1實施型態的半導體發光裝置1之模式剖面圖。
圖2係例示相關於第1實施型態的半導體發光裝置1的構成之模式平面圖。
半導體發光裝置1，具備半導體層15、被導電連接於半導體層15的p側配線部41及n側配線部43、與螢光體層30。
半導體層15，具有第1主面15a、與第1主面15a相反側的第2主面15b(參照圖3(a))、接於第1主面15a及第2主面15b的第1側面(以下稱為側面15c)。半導體層15，包含n型半導體層11、p型半導體層12、與發光層13。發光層13，被設於n型半導體層11、與p型半導體層12之間。
p側配線部41及n側配線部43，於第2主面15b之側，被導電連接於半導體層。p側配線部41，被導電連接於接在p型半導體層12的p側電極16。n側配線部43，被導電連接於接在n型半導體層11的n側電極17。
在p側配線部41與n側配線部43之間，設有樹脂層25。p側配線部41、n側配線部43及樹脂層25，構成支撐半導體層15的支撐體。
螢光體層30，設於半導體層15的第1主面15a之側。螢光體層30，包含藉由發光層的放射光激發，而放射與該放射光不同的波長的光的螢光體31。
在本實施型態，於半導體層15與螢光體層30之間設有透明層70。透明層70，使發光層13的放射光透 過。此處所謂「透過」，不限於透過率為100%，也包含吸收光線的一部分的場合。
透明層70，於半導體層15之側具有第3主面 70a。第3主面70a，被設為與第1主面15a平行。透明層70，具有接於第3主面70a的第2側面(以下稱為側面70c)。
半導體發光裝置1，具備覆蓋側面15c及側面 70c的絕緣膜18、中介著絕緣膜18覆蓋側面15c及側面70c的金屬膜50。金屬膜50，包含反射發光層13的放射光的反射構件。於以下的說明，所謂「覆蓋」，不僅限於「覆蓋物」直接接於「被覆蓋物」的場合，也包括中介著其他要素而設在「被覆蓋物」之上的場合。
圖2(a)，係表示除了p側配線部41、n側 配線部43、樹脂層25及絕緣膜18以外的半導體層15的第2主面15b之模式平面圖。
半導體層15的第2主面15b，具有包含發光 層13的部分(發光區域15e)，與不含發光層13的部分(非發光區域15f)。於發光區域15e上，被形成p側電極16。於非發光區域15f上，被形成n側電極17。
如圖2(a)所示，非發光區域15f，例如，以 包圍發光區域15e的方式設置。接著，n側電極17，例如以包圍p側電極16的方式形成。又，圖2，係p側電極16及n側電極17的平面配置之一例，但並不以此配置為限。
圖2(b)，係表示設於半導體層15的第2主 面15b之側的p側配線層21、n側配線層22及金屬膜50之模式平面圖。
p側配線層21、n側配線層22及金屬膜50， 設於覆蓋半導體層15、p側電極16及n側電極17的絕緣膜18上。p側配線層21，透過設於絕緣膜18的開口18a被導電連接於p側電極16。
發光區域15e的面積，被設為比非發光區域 15f的面積更大，提高光輸出。接著，以流至發光區域15e的電流變得均勻的方式，在絕緣膜18，設置連通至p側電極16的複數開口18a。又，在實施型態，不以此例為限定，透過面積比圖2(b)所示的開口18a更大的1個開口，使p側配線層21連接至p側電極16的方式亦可。
n側配線層22，透過設於絕緣膜18的開口 18b被導電連接於n側電極17。
例如，設於半導體層15的第2主面15b側的 p側電極16、n側電極17、p側配線層21、n側配線層22及金屬膜50，以包含反射發光層13的放射光的構件為較佳。
在半導體發光裝置1，透過p側電極16與n 側電極17對發光層13供給電流，發光層13發光。接著，由發光層13放射的光，由第1主面15a之側往半導體層15之外射出。亦即，把設於第2主面15b側的p側 電極16、n側電極17、p側配線層21、n側配線層22以及金屬膜50作為反射層而使其發揮機能的話，可以提高由半導體層15的第1主面15a側射出的光的強度。
於半導體層15之第1主面15a上，被設置螢 光體層30。螢光體層30包含螢光體31。螢光體31，吸收發光層13的放射光的一部分，放射與發光層13的放射光不同波長的光。亦即，螢光體31的放射光，具有與發光層13的發光頻譜不同的發光頻譜。此外，螢光體31，藉由結合材33而一體化。結合材33，例如為使發光層13的放射光及螢光體31的放射光透過的樹脂。
半導體發光裝置1，由螢光體層30的發光面 30a，射出混合了發光層13的放射光，與螢光體31的放射光之光。接著，藉由調整螢光體31的種類與含量，可以改變發光色。螢光體31，不限於1種螢光體，亦可包含複數種類的螢光體。
於半導體層15與螢光體層30之間被設有透 明層70。由半導體層15射出的光，通過透明層70射入螢光體層30。透明層70，以由半導體層15射往螢光體層30的光的透過率高，由螢光體層30射往半導體層15的光的反射率高的方式形成為較佳。
例如，藉由使透明層70的折射率比螢光體層 30的折射率更小，可以在螢光體層30與透明層70之界面，使由螢光體31放射的光反射。此外，可以抑制在螢光體層30的發光面30a被反射，而朝向半導體層15之返 回光。藉此，可以減低半導體層15之光吸收，提高半導體發光裝置1的光輸出。
於透明層70，可以使用透明樹脂。此外，於 透明層70，例如可以使用與螢光體層30的結合材33相同的樹脂。接著，包含螢光體31的螢光體層30的折射率，變得比不含螢光體的透明層70的折射率更高。藉此，可以反射由螢光體層30射往半導體層15之光，提高半導體發光裝置1的光輸出。
於透明層70使用樹脂的場合，以在半導體層 15與透明層70之間設接著層73為佳。接著層73，例如使用矽的氧化膜、矽的氮化膜等無機膜。
進而，在本實施型態，金屬膜50覆蓋透明層 70的側面70c。金屬膜50，反射發光層13的放射光之中的傳播於橫方向(平行於第1主面15a的方向)的光。接著，減低由半導體發光裝置1的側面射出的發光層13的放射光，抑制橫方向的發光色的分布，亦即所謂的色分離(colorbreakup)或者顏色不均。
其次，參照圖3(a)~圖11(b)，說明半 導體發光裝置1之製造方法。
圖3(a)，為表示被形成在基板10上的半導體層115之剖面圖。例如，藉由MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法，於基板10之上，依序磊晶成長n型半導體層11、發光層13及p型半導體層12。於半導體層115，基板10側之面為第1主面15a，基板 10的相反側之面為第2主面15b。
基板10，例如為矽基板。半導體層115，例 如為氮化物半導體層，包含氮化鎵(GaN)等。
n型半導體層11，例如，具有設於基板10的 主面上的緩衝層，與設於緩衝層上的n型GaN層。p型半導體層12，例如，具有設於發光層13的p型AlGaN層，與設於其上的p型GaN層。發光層13，例如具有MQW(Multiple Quantum well)構造。發光層13，包含發出藍、紫、藍紫、紫外光等光線的材料。發光層13的發光頻譜之峰波長，例如為430~470nm。
圖3(b)，表示選擇性除去p型半導體層12 及發光層13，使n型半導體層11的一部分露出的狀態。 例如，藉由RIE(Reactive Ion Etching)法，選擇性地蝕刻p型半導體層12及發光層13，使n型半導體層11露出。藉此，形成包含發光層13的發光區域15e，及不含發光層13的非發光區域15f。
如圖4(a)所示，於發光區域15e之上形成 p側電極16，於非發光區域15f之上形成n側電極17。p側電極16接於p型半導體層12的表面。n側電極17，接於p型半導體層12及發光層13選擇性被除去而露出的n型半導體層11的表面。
p側電極16及n側電極17，例如使用濺鍍 法、蒸鍍法等形成。p側電極16及n側電極17，不管哪一方先形成皆可，使用相同材料同時形成亦可。
被形成於發光區域15e上的p側電極16，包 含反射發光層13的放射光的反射膜。例如，p側電極16，包含銀、銀合金、鋁、鋁合金等。此外，p側電極16，亦可包含供抑制硫化、氧化之用的金屬保護膜(位障金屬)。
其次，如圖4(b)所示，選擇性地除去n型 半導體層11，形成溝90。半導體層115藉由溝90分離為複數之半導體層15。溝90，貫通半導體層115，達到基板10。在本實施型態，也蝕刻基板10，使溝90的底面比基板10與半導體層15之界面更往下方後退。基板10的蝕刻深度，例如為數μm或者數十μm。
其次，如圖5(a)所示，以覆蓋包含設於基 板10上的半導體層15的構造體的方式形成絕緣膜18。 絕緣膜18，例如為藉由CVD)(Chemical Vapor Deposition)法形成的矽的氧化膜或矽的氮化膜。
絕緣膜18，覆蓋半導體層15的第2主面 15b、p側電極16及n側電極17。此外，絕緣膜18，覆蓋半導體層15之連接於第2主面15b的側面15c。絕緣膜18，覆蓋溝90的內面的全體。亦即，絕緣膜18，也被形成於露出溝90的底面之基板10的表面上。
接著，於絕緣膜18，形成開口18a與開口 18b。開口18a連通至p側電極16，開口18b連通至n側電極17。
其次，如圖5(b)所示，形成覆蓋絕緣膜18 的表面、開口18a的內面(側壁及底面)、以及開口18b的內面(側壁及底面)的下底金屬膜60。
如圖6(a)所示，下底金屬膜60，具有依序 層積鋁膜61、鈦膜62、與銅膜63的構造。下底金屬膜60，例如使用濺鍍法形成。鋁膜61，反射發光層13的放射光。
其次，如圖6(b)所示，形成p側配線層 21、n側配線層22及金屬膜50。p側配線層21、n側配線層22及金屬膜50，例如使用形成於下底金屬膜60上的光阻遮罩91選擇性施以鍍銅而形成。下底金屬膜60，做為使電流流通的種子層而發揮機能，p側配線層21、n側配線層22及金屬膜50，選擇性地形成於下底金屬膜60的銅膜63之上。p側配線層21，透過開口18a，與p側電極16導電連接。n側配線層22，透過開口18b，與n側電極17導電連接。
其次，把光阻遮罩91，例如使用溶劑或氧電 漿除去後，如圖7(a)所示地，形成的光阻遮罩92。進而，於p側配線層21及n側配線層22之上，分別形成p側金屬柱23及n側金屬柱24。
p側金屬柱23及n側金屬柱24，例如藉由選 擇性鍍銅而形成。p側金屬柱23，被形成於p側配線層21上。p側配線層21與p側金屬柱23以相同的銅材料一體化。n側金屬柱24，被形成於n側配線層22上。n側配線層22與n側金屬柱24以相同的銅材料一體化。光阻 遮罩92，覆蓋金屬膜50。因此，於金屬膜50之上不設金屬柱。
接著，例如使用溶劑或氧電漿除去光阻遮罩 92。在此時間點，p側配線層21與n側配線層22透過下底金屬膜60導電連接著。此外，p側配線層21與金屬膜50也透過下底金屬膜60連接，n側配線層22與金屬膜50也透過下底金屬膜60連接。
在此，於次一步驟，藉由蝕刻除去p側配線 層21與n側配線層22之間的下底金屬膜60、p側配線層21與金屬膜50之間的下底金屬膜60、以及n側配線層22與金屬膜50之間的下底金屬膜60。藉此，p側配線層21與n側配線層22之導電連接、p側配線層21與金屬膜50的導電連接、以及n側配線層22與金屬膜50之導電連接被切斷。
如圖7(b)所示，於半導體層15的第2主面側，被形成p側配線部41、n側配線部43及金屬膜50。p側配線部41，包含p側配線層21，與p側金屬柱23。n側配線部43，包含n側配線層22，與n側金屬柱24。
被形成於半導體層15的側面15c的周圍的區域之金屬膜50，電氣上為浮動，不作為電極發揮機能。金屬膜50，包含下底金屬膜60的鋁膜61，作為反射膜發揮機能。
此外，在圖5(b)所示的步驟，於半導體層15的側面15c上不形成鍍層膜亦可。亦即，金屬膜50， 可以藉由在絕緣膜18上殘留下底金屬膜60的一部分而形成。例如，以覆蓋半導體層15的側面15c的方式形成光阻遮罩91的話，在下底金屬膜60之上不形成鍍層膜。
作為金屬膜50使用下底金屬膜60的場合， 於分斷p側配線層21與n側配線層22之間的導電連接的過程，以殘留成為金屬膜50的部份的方式來蝕刻下底金屬膜60。亦即，以光阻膜覆蓋成為金屬膜50的部份的話，可以在絕緣膜18上殘留下底金屬膜60，形成金屬膜50。
如此，藉由薄薄地形成金屬膜50，使半導體 發光裝置1單片化時的切割變得容易。此外，於切割的側面不容易產生損傷，可以提高半導體發光裝置1的可信賴性。
其次，如圖8(a)所示，覆蓋p側配線部41 及n側配線部43，形成埋入溝90的樹脂層25。樹脂層25，於溝90的內部覆蓋金屬膜50。於樹脂層25，例如可以使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂等。例如，樹脂層25，亦可為含有碳粒子等遮光性材料的黑樹脂。藉此，可以減低在半導體層15的第2主面15b側洩漏的光。此外，使樹脂層25含有填充物，適當控制其柔軟性亦可。
接著，如圖8(b)所示，研削基板10的背面 側，削薄其厚度。進而，如圖9(a)所示，把研削薄化的基板10，例如藉由濕式蝕刻進行除去。此外，薄化的基板10，例如使用乾式蝕刻除去亦可。
基板10之除去後，樹脂層25、p側配線部41 及n側配線部43，支撐半導體層15，保持包含複數半導體層15的晶圓狀態。
例如，在基板10上被磊晶成長的半導體層 15，有包含大的內部應力的場合。接著，磊晶成長時的內部應力即使在基板10之剝離時被一口氣釋出，藉由把比半導體層15更為柔軟的材料之樹脂層25作為支撐體使用，可以吸收其應力，避免半導體層15的破損。
除去基板10後，半導體層15的第1主面15a以及覆蓋樹脂層25的絕緣膜18露出。接著，於第1主面15a，以形成未圖示的細微凹凸為較佳。
例如，能夠以KOH(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(四甲基氫氧化銨)等，濕式蝕刻半導體層15的第1主面15a側。在此蝕刻，會依存於結晶面方位產生蝕刻速度差異。因此，可以於第1主面15a形成凹凸。藉此，可以提高第1主面15a之發光層13的放射光的取出效率。
其次，如圖9(b)所示，形成覆蓋半導體層15的第1主面15a及絕緣膜18的接著層73。接著層73，例如為氮化矽膜或氧化矽膜等無機膜，可以使用電漿化學氣相沉積(CVD)法形成。
例如，絕緣膜18與接著層73為相同材料的膜的場合，被形成於絕緣膜18上的接著層73，與絕緣膜18一體化。在以下的說明，絕緣膜18與接著層73被層 積的部分，當作絕緣膜18來進行說明。
其次，如圖10(a)所示，於接著層73及絕緣膜18之上形成透明層70。透明層70，在接著層73(半導體層15)之上被形成為比絕緣膜18之上還要厚。於透明層70，例如可以使用使發光層13及螢光體31的放射光透過的樹脂。
接著，如圖10(b)所示，除去透明層70之被形成於絕緣膜18上的部分。例如，研磨透明層70使薄層化，殘留被形成於半導體層15上的部分。透明層70的最終厚度，例如為數μm或者數十μm。殘留於半導體層15上的透明層70的側面70c，中介著絕緣膜18為金屬膜50所覆蓋。接著層73，提高透明層70的密著性。
其次，如圖11(a)所示，於透明層70及絕緣膜18之上形成螢光體層30。螢光體層30，於包圍半導體層15及透明層70的樹脂層25上也中介著絕緣膜18被形成。螢光體層30，例如，為包含螢光體31的樹脂層，藉由印刷、裝填(potting)、塑膜(mold)、壓縮成形等方法來形成。
此外，於螢光體層30，亦可使用中介著樹脂以外的結合材33使螢光體31燒結之燒結螢光體。燒結螢光體，中介著透明層70被接著於半導體層15。
其次，如圖11(b)所示，研削樹脂層25的表面(圖11(a)之下面)，使p側金屬柱23及n側金屬柱24的端面露出。p側金屬柱23的端面成為p側外部 端子23a，n側金屬柱24的端面成為n側外部端子24a。樹脂層25被配置在p側配線部41與n側配線部43之間。
接著，於相鄰的半導體層15之間，切斷螢光體層30、絕緣膜18以及樹脂層25，使半導體發光裝置1單片化。例如，可以使用切割刀片或者雷射光，切斷螢光體層30、絕緣膜18以及樹脂層25。半導體層15，不存在於切割區域所以可避免因切割而受到損傷。
半導體發光裝置1，亦可為包含至少一個半導體層15的單晶片構造，亦可為包含複數半導體層15的多晶片構造。單片化後的半導體發光裝置1，係與螢光體層30一起被封裝之裝置，可以直接安裝於實裝基板而使用。藉此，大幅度的製造成本的降低成為可能。此外，半導體發光裝置1，為具有晶片尺寸封裝構造的小型光源，其泛用性很大。
接著，參照圖12~圖16，說明相關於第1實施型態的變形例之半導體發光裝置。
圖12(a)~16係例示相關於第1實施型態的變形例之半導體發光裝置2~9之模式剖面圖。以下，針對包含與半導體發光裝置1相同的要素的部分省略說明，而針對不同的構成進行說明。
圖12(a)所示的半導體發光裝置2，具備覆蓋半導體層15的側面15c，以及透明層70的側面70c之金屬膜53。金屬膜53，例如包含鋁等反射材。
如圖12(a)所示，透明層70的側面70c，設於比螢光體層30的外緣70b更往中央側後退的位置。接著，金屬膜53(反射構件)，於螢光體層30的透明層70側，覆蓋螢光體層30的外緣30b與側面70c之間的外周部30d。
金屬膜53，反射由半導體層15的側面15c射出的發光層13的放射光，與朝向側面70c傳播於透明層70中的發光層13的放射光。進而，於螢光體層30的外周部30d，使發光層13的放射光及螢光體31的放射光反射往發光面30a的方向。藉此，提高半導體發光裝置2的光輸出，可以抑制橫方向(平行於第1主面15a的方向)之顏色不均、色分離(colorbreakup)。
金屬膜53，為下底金屬膜60(參照圖6(a))，包含鋁膜61。此外，金屬膜53，亦可為在下底金屬膜60之上施以鍍銅的構造。如圖12(a)所示，在金屬膜53被切割，露出於半導體發光裝置2的端面的構造，為了使該切割容易進行，以使用未被鍍銅的下底金屬膜60為佳。
圖12(b)所示的半導體發光裝置3，替代樹脂層25具備樹脂層27。樹脂層27，例如為包含氧化鈦等反射材的白樹脂，反射發光層13的放射光及螢光體31的放射光。
樹脂層27，以填充包圍半導體層15的溝90的內部的方式設置，中介著絕緣膜18，覆蓋半導體層15 的側面15c與透明層70的側面70c。樹脂層27，反射朝向半導體層15的側面15c傳播的發光層13的放射光，與朝向側面70c傳播的發光層13的放射光。進而，於螢光體層30的外周部30d，反射發光層13的放射光及螢光體31的放射光。藉此，提高半導體發光裝置2的光輸出，可以抑制橫方向之顏色不均、色分離(colorbreakup)。
此外，於半導體層15的第2主面15b側，覆 蓋p側配線部41及n側配線部43的樹脂層，例如亦可為包含以填充溝90的內部的方式形成的樹脂層27，以及被形成於其上的樹脂層25的2層構造。
圖13所示的半導體發光裝置4，於半導體層 15與螢光體層30之間具備透明層170。透明層170被設為其中央部較薄，越接近側面170c變得越厚的形狀。透明層170，於螢光體層30之側具有凹面170b。
這樣的形狀的透明層170，例如可以藉由研磨 圖10(a)所示的透明層70而形成。例如，藉由研磨過程之所謂的碟盤效應(DishingEffect)，可以形成為中央部較薄，周邊部比中央部更厚的形狀。
由半導體層15的第1主面15a射出，通過透 明層170而朝向螢光體層30的發光層13的放射光，於透明層170被散射。藉此，由螢光體層30射出的光的配向會擴展。進而，朝向半導體層15的側面15c及透明層170的側面170c傳播的光，藉由金屬膜50反射。亦即，於橫方向被放出的發光層13的光受到抑制。藉此，在半 導體發光裝置4，於其配向特性，可以抑制配向角大的區域之顏色不均、色分離等。
在圖14(a)所示的半導體發光裝置5，螢光 體層30的外周部30d接於樹脂層25。此外，金屬膜50，接於螢光體層30的外周部30d。此構造，例如，在研削圖10(a)所示的透明層70而薄層化時，可以藉由除去被形成於樹脂層25上的絕緣膜18而形成。亦即，在半導體發光裝置5的製造過程，薄層化透明層70時的厚度控制變得容易，可以使其製造效率提高。
被薄層化的透明層70的側面70c，中介著絕 緣膜18藉由金屬膜50覆蓋。藉此，可以反射在橫方向(平行於第1主面15a的方向)上傳播於透明層70的內部，朝向側面70c的發光層13的光。
在圖14(b)所示的半導體發光裝置6，於透 明層70與螢光體層30之間設有絕緣膜75。絕緣膜75，例如為氧化矽膜或氮化矽膜等無機膜。絕緣膜75的膜厚，例如為與絕緣膜18及73相同程度。
例如，於圖14(a)所示的構造，絕緣膜 75，以延伸至螢光體層30的外緣為止的方式設置。具體而言，把圖10(a)所示的透明層70，除去絕緣膜18而薄層化至露出樹脂層25為止之後，以覆蓋透明層70及樹脂層25的方式形成絕緣膜75。
絕緣膜75，例如提高透明層70與螢光體層 30之間的密著性。此外，絕緣膜75，中介於螢光體30的 外周部30d與樹脂層25之間，提高其間的密著性。亦即，絕緣膜75，在透明層70與螢光體層30之密著性低的場合是有效的。此外，藉由提高螢光體層30的外周部30d與樹脂層25之間的密著性，可以抑制水分等由外部侵入，提高半導體發光裝置6的可信賴性。
於圖14(a)及(b)所示之例，替代樹脂層 25使用包含反射材的樹脂層27亦可。藉此，可以使傳播於螢光體層30中的發光層13的放射光以及螢光體31的放射光於外周部30d被反射。
圖15(a)所示的半導體發光裝置7，於半導 體層15與螢光體層30之間具備透明層270。透明層270，具有半導體層15側的第3主面270a，及與第3主面270a相反側的第4主面270b。接著，第4主面270b的外緣270d，一致於螢光體層30的外緣30b。
在透明層270，接於第3主面270a的側面 270c，被設在比其外緣270d更往中央側後退的位置。接著，側面270c，中介著絕緣膜18為金屬膜50所覆蓋。 藉此，可以於金屬膜50反射在橫方向(平行於第1主面15a的方向)上傳播於透明層270中，朝向側面270c的發光層13的放射光。
在半導體發光裝置7，例如研削圖10(a)所 示的透明層70進行薄層化時，容許在樹脂層25之上殘留透明層70的一部分。藉此，薄層化透明層70時的厚度控制變得容易。
在圖15(b)所示的半導體發光裝置8，半導 體層15的側面15c以及透明層70的側面70c傾斜著。亦即，半導體層15，被設為平行於第1主面15a的剖面的面積隨著越接近第1主面15a而變得越大的形狀。此外，透明層70也同樣，被設為平行於第3主面70a的剖面的面積隨著越接近螢光體層30而變得越大的形狀。因此，覆蓋側面15c及側面70c的金屬膜50，係以其內面往螢光體層30的方向擴開的方式被形成。
藉此，金屬膜50，可以使朝向側面15c傳播 於半導體層15中的光，以及朝向側面70c傳播於透明層70中的光，在螢光體層30的方向上效率佳地反射。亦即，於半導體發光裝置10，藉由減低往橫方向放出的發光層13的光，可以抑制顏色不均、色分離，提高光輸出。
在圖16所示的半導體發光裝置9，金屬膜 50，以覆蓋n側電極17的外緣(半導體層15的側面15c側之端)的方式被形成。亦即，金屬層50，於第2主面15b側，以重疊(overlap)於n側電極17的方式設置。 例如，n側電極17與金屬膜50之重疊寬幅△WL，於n側電極17的外緣之全體比零還要大。
此外，p側配線部41及n側配線部43，也以 覆蓋n側電極17的內緣(半導體層15的中央側之端)的方式設置。藉此，可以抑制發光層13的放射光之往第2主面15b側的洩漏。結果，可以提高半導體發光裝置9的 光輸出，而且可以抑制由發光層13放射的藍色光~紫外線導致樹脂層25的劣化。
〔第2實施型態〕
參照圖17~圖20，說明相關於第2實施型態之半導體發光裝置10。
圖17係例示相關於第2實施型態的半導體發光裝置10之模式剖面圖。
圖18(a)~20(b)係例示相關於第2實施型態的半導體發光裝置10的製造過程之模式剖面圖。以下，針對包含與半導體發光裝置1相同的要素的部分省略說明，而針對不同的構成進行說明。
如圖17所示，半導體發光裝置10，具備設於 半導體層15與螢光體層30之間的透明層370。透明層370，具有第3主面370a，及與第3主面370a相反側的第4主面370b。接著，具有接於第3主面370a之第2側面(以下稱為側面370c)，以及接於第4主面370b的第3側面(以下稱為側面370e)。
側面370e，位於側面370c與螢光體層30的 外緣30b之間。金屬膜50，覆蓋半導體層15的側面15c與側面370c。此外，金屬膜50，以進而覆蓋側面370e的方式形成亦可。
金屬膜50，反射朝向側面15c傳播於半導體 層15中的發光層13的放射光，以及朝向側面370c傳播 於透明層370中的發光層13的放射光。藉此，減低往橫方向(平行於第1主面15a的方向)放出的發光層13的光，可以抑制顏色不均、色分離(colorbreakup)。此外，藉由形成為金屬膜50也覆蓋側面370e，可以進而抑制往橫方向洩漏的發光層13的放射光。
其次，參照圖18(a)~20(b)，說明半導 體發光裝置10之製造過程。
圖18(a)，表示形成覆蓋被形成在半導體層 115上的發光區域15e、p側電極16、n側電極17及非發光區域15f的一部分的光阻遮罩93的狀態。
接著，如圖18(b)所示，使用光阻遮罩93 選擇性地除去半導體層115，形成溝90。半導體層115藉由溝90分離為複數之半導體層15。溝90，貫通半導體層115，達到基板10。進而，也蝕刻基板10，使溝90的底面比基板10與半導體層15之界面更往下方後退。基板10的蝕刻深度，例如為數μm或者數十μm。接著，形成溝90之後，如圖18(c)所表示的，除去光阻遮罩93。
其次，如圖19(a)所示，形成覆蓋半導體層 15、p側電極16、n側電極17及溝90的一部分之光阻遮罩94。
接著，如圖19(b)所示，使用光阻遮罩 94，進而蝕刻基板10，形成溝95。溝95，藉由進而下挖溝90的底面的一部分而形成。接著，形成溝95之後，如圖19(c)所表示的，除去光阻遮罩94。
其次，如圖20(a)所示，形成覆蓋設於基板 10的溝90及95的內面，及包含設於基板10上的半導體層15的構造體的絕緣膜18。絕緣膜18，例如為藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成的矽的氧化膜或矽的氮化膜。
接著，如圖20(b)所示，於絕緣膜18，形 成開口18a與開口18b。開口18a連通至p側電極16，開口18b連通至n側電極17。以下，通過圖5(b)~11(b)所示的製造過程，可以完成半導體發光裝置10。
又，圖1、圖12(a)~圖16、圖17所示的 各半導體發光裝置的構造，並不限於這些例所示，也可以是分別相互組合特徵的構成之構造。
〔第3實施型態〕
圖21係例示相關於第3實施型態的半導體發光裝置11之模式剖面圖。半導體發光裝置11，具有在樹脂層25的側面具有外部端子23b及24b的側視型(side-viewtype)的構造。在半導體發光裝置11，由樹脂層25露出，擔任與外部連接的金屬柱23,24的露出面與第1及第2實施型態不同，其他構成與前述半導體發光裝置1~8相同。
圖21(a)係模式表示半導體發光裝置11之 模式立體圖。
圖21(b)係具有把半導體發光裝置11實裝於實裝 基板310上的構成之發光模組之模式剖面圖。
p側金屬柱23的一部份的側面，在與半導體 層15的第1主面15a及其相反側的第2主面15b不同的面方位之第5面25b，由樹脂層25露出。其露出面，作為供實裝於外部的實裝基板310之用的p側外部端子23b而發揮機能。
例如，第5面25b，為對半導體層15之第1 主面15a及第2主面15b約略垂直之面。樹脂層25，例如具有矩形狀的4個側面，其中的1個側面為第5面25b。
於第5面25b，n側金屬柱24之一部分的側 面由樹脂層25露出。其露出面，作為供實裝於外部的實裝基板310之用的n側外部端子24b而發揮機能。
於p側金屬柱23，露出於第5面25b的p側 外部端子23b以外的部分，為樹脂層25所覆蓋。此外，於n側金屬柱24，露出於第5面25b的n側外部端子24b以外的部分，為樹脂層25所覆蓋。
如圖21(b)所示，半導體發光裝置11，以 使第5面25b朝向實裝基板310的實裝面301的姿勢被實裝。露出於第5面25b的p側外部端子23b及n側外部端子24b，分別中介著焊錫303被接合於設在實裝面301的墊(pad)302。於實裝基板310的實裝面301，例如，設有連接於外部電路的配線圖案，墊302被連接於該配線圖案。
第5面25b，對光的主要射出面之第1主面 15a為約略垂直。亦即，以使第5面25b朝向實裝面301側的姿勢，第1主面15a係對實裝面301朝向平行的橫方向或者傾斜的方向。亦即，半導體發光裝置11，在平行於實裝面301的橫方向或斜方向上放出光。
又，於本案說明書，所謂「氮化物半導體」包含BxInyAlzGa1-x-y-zN(0◆x◆1,0◆y◆1,0◆z◆1,0◆x+y+z◆1)之III-V族化合物半導體，進而作為V族元素，除了氮N)以外也包含含有磷(P)與砷(As)等之混晶。此外，進而包含為了控制導電型等各種物性而添加各種元素者，以及進而含有並非刻意添加的各種元素者，也包含於「氮化物半導體」。
說明了本發明的幾個實施型態，但這些實施型態只是提示作為例子之用，並未意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施型態，能夠以其他種種型態來實施，在不逸脫發明要旨的範圍，可以進行種種的省略、置換、變更。這些實施型態或者其變形，包含於發明的範圍或是要旨，同時包含於申請專利範圍所記載的發明以及其均等的範圍。
1‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧n型半導體層
12‧‧‧p型半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1主面
15c、70c‧‧‧側面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
21‧‧‧p側配線層
22‧‧‧n側配線層
25‧‧‧樹脂層
30‧‧‧螢光體層
30a‧‧‧發光面
30b‧‧‧外緣
31‧‧‧螢光體
33‧‧‧結合材
41‧‧‧p側配線部
43‧‧‧n側配線部
50‧‧‧金屬膜
70‧‧‧透明層
70a‧‧‧第3主面
73‧‧‧接著層

Claims (21)

  1. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有第1主面、與前述第1主面相反側的第2主面、以及接於前述第1主面及前述第2主面的第1側面，包含發光層的半導體層、於前述第2主面側，被導電連接於前述半導體層之p側配線部，於前述第2主面側，被導電連接於前述半導體層之n側配線部，被設於前述第1主面側，藉由前述發光層的放射光激發，包含放射與前述放射光不同波長的光的螢光體之螢光體層，設於前述半導體層與前述螢光體層之間，透過前述發光層的放射光的透明層，且係具有前述半導體層側的第3主面，與前述螢光體層側的第4主面，以及至少接於前述第3主面的第2側面之透明層，覆蓋前述第1側面及前述第2側面的絕緣膜，以及中介前述絕緣膜覆蓋前述第1側面及前述第2側面的反射構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述第2側面，設於比前述螢光體層的外緣更往中央側後退的位置，於前述螢光體層之前述透明層側，前述絕緣膜覆蓋前述螢光體的外周部， 前述反射構件，於前述螢光體層之前述外緣，與前述第2側面之間，沿著前述絕緣膜延伸。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體發光裝置，其中前述反射構件，延伸至前述螢光體層之前述外緣為止。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述透明層，具有接於前述第4主面的第3側面，前述第3側面，位於前述第2側面，與前述螢光體層的外緣之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體發光裝置，其中前述絕緣膜覆蓋前述第3側面。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中進而具備覆蓋前述第1側面、前述第2側面及前述螢光體的外周部的樹脂層。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體發光裝置，其中前述樹脂層，包含反射前述發光層的放射光的構件。
  8. 如申請專利範圍第6項之半導體發光裝置，其中前述反射構件，設於前述絕緣膜與前述樹脂層之間。
  9. 如申請專利範圍第6項之半導體發光裝置，其中於前述螢光體層的前述外周部，前述絕緣層，設於前述螢光體層與前述樹脂層之間。
  10. 如申請專利範圍第6項之半導體發光裝置，其中進而具備由設在前述透明層與前述螢光體層之間的無機材料所構成的其他絕緣膜， 前述其他絕緣膜，於前述螢光體層的前述外周部，具有被設於前述螢光體層與前述樹脂層之間的部分。
  11. 如申請專利範圍第6項之半導體發光裝置，其中前述樹脂層進而覆蓋前述半導體層之前述第2面側，前述p側配線部及前述n側配線部，分別具有使露出於前述樹脂層的與前述半導體層相反側的面之端面。
  12. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述透明層具有由前述第2側面起往前述螢光體層的外緣方向伸展的延伸部分。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述透明層之前述延伸部，達到前述螢光體層之前述外緣，前述第4主面的外緣，一致於前述螢光體層之外緣。
  14. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述絕緣膜覆蓋前述延伸部。
  15. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述反射構件，覆蓋前述延伸部之與前述螢光體層相反側的面之至少一部分。
  16. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述透明層，被設為中央部很薄，越接近於前述第2側面變得越厚的形狀。
  17. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述反射構件之至少一部分，為包含反射前述發光層的放射光的反射材之樹脂。
  18. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述半導體層，以平行於前述第1主面的剖面面積，越接近於前述第1主面就變得越大的方式設置。
  19. 如申請專利範圍第18項之半導體發光裝置，其中前述透明層，以平行於前述第3主面的剖面面積，越接近於前述螢光體層就變得越大的方式設置。
  20. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中進而具備接於前述半導體層的發光區域的第1電極，以及接於前述半導體層的非發光區域的第2電極；前述p側配線部被導電連接於前述第1電極及前述第2電極之某一方，前述n側配線部被導電連接於前述第1電極及前述第2電極之另一方，前述反射構件，覆蓋前述第1電極及前述第2電極之至少某一方的外緣。
  21. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述半導體層與前述透明層之間具備絕緣膜。
TW103125108A 2014-03-11 2014-07-22 半導體發光裝置 TWI553917B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014047448A JP2015173142A (ja) 2014-03-11 2014-03-11 半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201535798A TW201535798A (zh) 2015-09-16
TWI553917B true TWI553917B (zh) 2016-10-11

Family

ID=51211699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103125108A TWI553917B (zh) 2014-03-11 2014-07-22 半導體發光裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9202992B2 (zh)
EP (1) EP2919283B1 (zh)
JP (1) JP2015173142A (zh)
HK (1) HK1212506A1 (zh)
TW (1) TWI553917B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111950B2 (en) * 2006-09-28 2015-08-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process for preparing a semiconductor structure for mounting
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) * 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
TWI578574B (zh) * 2014-07-14 2017-04-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件結構
JP6413460B2 (ja) * 2014-08-08 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
DE102015111492B4 (de) * 2015-07-15 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
US9922963B2 (en) 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
TWI677114B (zh) * 2015-10-05 2019-11-11 行家光電股份有限公司 具導角反射結構的發光裝置
US10763404B2 (en) 2015-10-05 2020-09-01 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same
TWI780041B (zh) 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
JP7080010B2 (ja) * 2016-02-04 2022-06-03 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子及びその製造方法
DE102016104659A1 (de) * 2016-03-14 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil
CN107464859A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构、组件及其制造方法
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
DE102017104722A1 (de) 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von seitenemittierenden Bauelementen und seitenemittierendes Bauelement
JP7007561B2 (ja) * 2017-09-29 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
TWI778167B (zh) 2017-11-05 2022-09-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US10615305B1 (en) * 2018-04-20 2020-04-07 Facebook Technologies, Llc Self-alignment of micro light emitting diode using planarization
JP7100246B2 (ja) * 2018-06-01 2022-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112086548A (zh) * 2018-07-16 2020-12-15 厦门三安光电有限公司 微发光装置及其显示器
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
JP7227458B2 (ja) 2018-11-21 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7071648B2 (ja) 2019-05-16 2022-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7119283B2 (ja) 2020-03-30 2022-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201308691A (zh) * 2011-07-12 2013-02-16 Toshiba Kk 半導體發光裝置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
TWI220578B (en) * 2003-09-16 2004-08-21 Opto Tech Corp Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region
DE112005002889B4 (de) * 2004-12-14 2015-07-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
JP4961887B2 (ja) * 2005-09-07 2012-06-27 豊田合成株式会社 固体素子デバイス
US8022419B2 (en) * 2005-12-19 2011-09-20 Showa Denko K.K. Flip-chip type semiconductor light-emitting device, method for manufacturing flip-chip type semiconductor light-emitting device, printed circuit board for flip-chip type semiconductor light-emitting device, mounting structure for flip-chip type semiconductor light-emitting device, and light-emitting diode lamp
JP2007220972A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
DE102007025092A1 (de) * 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
US8471283B2 (en) 2008-02-25 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP2011071272A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20110291113A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Filter for a light emitting device
JP5337106B2 (ja) * 2010-06-04 2013-11-06 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5343040B2 (ja) * 2010-06-07 2013-11-13 株式会社東芝 半導体発光装置
JP4875185B2 (ja) * 2010-06-07 2012-02-15 株式会社東芝 光半導体装置
JP5566785B2 (ja) 2010-06-22 2014-08-06 日東電工株式会社 複合シート
WO2012026209A1 (ja) * 2010-08-25 2012-03-01 シャープ株式会社 有機発光装置およびその帯電防止方法
US8956887B2 (en) * 2011-07-01 2015-02-17 Citizen Holdings Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-emitting element
JP2013110199A (ja) 2011-11-18 2013-06-06 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP2013143430A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
WO2013137356A1 (ja) 2012-03-13 2013-09-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5985322B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-06 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013232504A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5816127B2 (ja) * 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
JP5845134B2 (ja) * 2012-04-27 2016-01-20 株式会社東芝 波長変換体および半導体発光装置
TWI489658B (zh) * 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元
JP2013247243A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201308691A (zh) * 2011-07-12 2013-02-16 Toshiba Kk 半導體發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201535798A (zh) 2015-09-16
EP2919283B1 (en) 2020-09-09
JP2015173142A (ja) 2015-10-01
HK1212506A1 (zh) 2016-06-10
US20150263242A1 (en) 2015-09-17
EP2919283A1 (en) 2015-09-16
US9202992B2 (en) 2015-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI553917B (zh) 半導體發光裝置
TWI595686B (zh) Semiconductor light-emitting device
US9755127B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
TWI550910B (zh) Semiconductor light emitting device
TWI529970B (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
US9076937B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
TWI543399B (zh) 半導體發光裝置
TWI514631B (zh) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
EP3416201A1 (en) Semiconductor light-emitting device
TWI545799B (zh) Semiconductor light emitting device
CN112242468A (zh) 微型发光元件及图像显示元件
TWI550911B (zh) Semiconductor light emitting device
KR101887942B1 (ko) 발광소자
TWI699011B (zh) 半導體發光裝置
TW201344992A (zh) 半導體發光裝置
JP2015533456A (ja) 波長変換発光デバイス
TW201517321A (zh) 半導體發光裝置
KR100901370B1 (ko) 정전기 방전 보호 기능을 가지는 백색 발광다이오드 칩 및 그 제조 방법