JP2017538166A - 変換要素、オプトエレクトロニクス半導体部品、および変換要素の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
変換要素、オプトエレクトロニクス半導体部品、および変換要素の製造方法を提供する。
変換要素を提供する。少なくとも一実施形態によれば、変換要素は、波長変換材料を含む変換層を有する。
図20および図21の例示的実施形態とは異なり、パッケージ本体204は、変換要素100を横方向において少なくとも部分的に包囲する外壁領域212を備える。この例示的実施形態では、パッケージ本体204は、段差のある断面を有する。これにより、変換要素100が配置されうる基部214が形成されている。第1の封止層30を通って進みかつ第1の封止層30の側面において出射される青色光は、パッケージ本体204の出口地点の外壁領域212において吸収または反射されることによって妨げられる。
Claims (15)
- 波長変換材料を含む変換層(16)と、
前記変換層の第1の主面(20)上の第1の封止層(30)であって、厚さが10μm〜500μmである、第1の封止層(30)と、
前記変換層の第2の主面(22)上の第2の封止層(32)であって、厚さが0.1μm〜20μmであり、かつAl2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Si3N4、シロキサン、SiOxNy、および/またはパリレンを含むか、あるいは前記材料の1つからなる、第2の封止層(32)と、を備える、
変換要素(100)。 - 前記変換材料は、波長変換量子ドットを含む、
請求項1に記載の変換要素(100)。 - 前記変換要素の側面(29)は、個片化の痕跡を示す、
請求項1または2に記載の変換要素(100)。 - 前記第1の封止層(30)は、ガラスまたはプラスチック材料のキャリア要素によって形成されている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の変換要素(100)。 - フレーム要素(34)が前記第1の封止層(30)に配置されており、前記フレーム要素(34)は、前記変換層を横方向において包囲している、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の変換要素(100)。 - 前記第1の封止層(30)と前記フレーム要素(34)とは、一体的に構成されている、
請求項5に記載の変換要素(100)。 - 前記第2の封止層(32)は、前記変換層(16)の側面の上まで伸長し、かつ前記変換層を横方向において包囲している、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の変換要素(100)。 - 前記変換層は、全ての面において封止されている、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の変換要素(100)。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の変換要素(100)を有するオプトエレクトロニクス半導体装置(200)であって、
− 前記半導体装置は、電磁放射を発生させるために設けられた半導体チップ(202)を備え;
− 前記半導体装置は、前記半導体チップを少なくとも横方向において取り囲むパッケージ本体(204)を備え;
− 前記変換要素(100)は、前記パッケージ本体に配置されている、
オプトエレクトロニクス半導体装置(200)。 - 前記変換要素(100)は、前記変換層から見て前記第1の封止層(30)が前記半導体チップ(202)から遠くなるように前記パッケージ本体(204)に配置されている、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置(200)。 - 前記パッケージ本体(204)は、前記変換要素(100)を横方向において少なくとも部分的に包囲する外壁領域(212)を備える、
請求項9または10に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置(200)。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の複数の変換要素(100)の製造方法であって、
(a) キャリア集合体(10)を設けるステップと、
(b) 複数の変換層(16)を前記キャリア集合体に形成するステップであって、前記変換層は、横方向において互いに離間しかつ、それぞれ、第1の主面(20)で前記キャリア集合体に配置される、ステップと、
(c) 前記キャリア集合体の材料とは異なる材料で少なくとも前記複数の変換層の全ての第2の主面(22)にコーティング膜(24)を形成するステップと、
(d) 前記キャリア集合体(10)を複数の変換要素(100)に個片化するステップであって、各変換要素(100)は、少なくとも1つの変換層(16)、第1の封止層(30)としての前記キャリア集合体(10)の一部分、および第2の封止層(32)としての前記コーティング膜(24)の一部分を備える、ステップと、を含む、
方法。 - ステップ(b)を行う前に、マトリクス状に配置された複数の開口部(14)を備える格子構造部(12)が前記キャリア集合体(10)に形成され、前記キャリア集合体は、前記開口部それぞれの領域において露出し、ステップ(b)において前記複数の変換層(16)は、前記開口部内に形成され、前記格子構造部はステップ(d)において、各変換要素(100)が、前記格子構造部の一部を、前記変換層を横方向において包囲するフレーム要素(34)として備えるように切断される、
請求項12に記載の方法。 - 前記格子構造部(12)は、前記キャリア集合体に薄板要素を固定し、前記薄板要素に開口部を形成することによって形成される、
請求項13に記載の方法。 - 前記格子構造部は、凹部がマトリクス配列で形成されたキャリア構造部を設けることによって形成される、
請求項12に記載の方法。
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