CN101903953B - 具有功率节省特性的非易失性半导体存储器设备 - Google Patents

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Abstract

一种非易失性半导体存储器设备，包括(i)接口，具有用于接收输入时钟的输入和用于接收控制器发出的命令的一组数据线，该命令包括擦除命令；(ii)具有反馈回路配置的电路部件的模块，该模块由基准时钟驱动；(iii)可以可控地在基准时钟跟随输入时钟的第一状态和基准时钟和输入时钟解耦合的第二状态之间转换的时钟控制电路；和(iv)命令处理单元，配置为识别命令，并且使得时钟控制电路响应于识别擦除命令从第一状态转换为第二状态。相比于当基准时钟跟随输入时钟时，当基准时钟和输入时钟解耦合时，模块消耗更少的功率。

Description

具有功率节省特性的非易失性半导体存储器设备
相关申请的交叉引用
本申请基于美国法典第35部第119条e款要求2007年12月21日提交的美国临时专利申请序列号61/015724的权益，其通过引用包含进来。
本申请还基于美国法典第35部第119条e款要求2008年4月29日提交的美国临时专利申请序列号61/048737的权益，其通过引用包含进来。
背景技术
非易失性存储器可用于多种目的，主要涉及可能进行修改的永久数据存储。非易失性可重写存储器的实际应用包括数字图片、计算机文件和数字化录音音乐等的存储。因此，在诸如计算机、数码照相机、MP3播放器、电话答录机、蜂窝电话等日常电子设备中通常能够找到非易失性重写存储器设备。
存在可以通过还允许重写的非易失性存储器设备来物理保存数据的多种方式。一个例子是通过使用可以在许多计算机硬盘驱动器中找到的磁盘。另一个例子是通过诸如CD-R/M的光盘。有一个例子是通过诸如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的固态存储器电路，其具体例子是闪速存储器设备。闪速存储器设备使用高电压通过一次操作擦除大块的非易失性存储器单元，允许这些单元随后使用新的数据重新编程。基于它们的鲁棒性、便捷性和低成本，闪速存储器设备已经在非易失性存储器的市场中变得非常流行，并且，随着对于非易失性存储器需求的持续增长，预计闪速存储器会占据更加主导的地位。
自从最初引入闪速存储器的这些年来，一直进行技术改进以允许闪速存储器设备以不断增加的更高速度操作。这还扩展了消费应用-诸如某些视频和图像相关的应用-的范围，其中可以使用闪速存储器设备。然而，当尝试从多个设备建立大的高速存储器存储时，闪速存储器设备的更快速操作还可以引发特定的问题。更具体地，随着工作频率增加的闪速存储器设备的电功耗可以显著限制所建立的存储器存储的总的容量。
鉴于此背景技术，明确需要具有降低的功耗的非易失性半导体存储器设备。
发明内容
本发明的第一方面意图提供一种非易失性半导体存储器设备，包括(i)具有用于接收输入时钟信号的输入端口和用于接收命令的一组数据线的接口，该命令包括擦除命令且由控制器发出；(ii)具有反馈回路配置的电路部件的模块，该模块由基准时钟信号驱动；(iii)可以可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号和输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的时钟控制电路；和(iv)命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令，并且使得时钟控制电路响应于识别擦除命令从操作状态转换为第二操作状态。当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
本发明的第二方面意图提供一种非易失性半导体存储器设备，包括用于提供输入时钟信号的第一装置；具有反馈回路配置的电路部件并且通过基准时钟信号驱动的第二装置；用于可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号和输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的第三装置；和用于识别控制器发出的包括擦除命令的命令并且响应于识别擦除命令改变第三装置的操作状态的第四装置。当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，第二装置消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，第二装置消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
本发明的第三方面意图提供通过非易失性半导体存储器设备执行的方法。该方法包括提供输入时钟信号；提供具有反馈回路配置的电路部件并且通过基准时钟信号驱动的模块；产生基准时钟信号，使得其在设备的第一操作状态跟随输入时钟信号并且在设备的第二操作状态和输入时钟信号解耦合，其中当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率；并且使得装置响应于识别从控制器接收的擦除命令从第一操作状态转换为第二操作状态。
本发明的第四方面意图提供一种系统，包括：控制器，配置为发出主时钟信号和发出包括擦除命令的命令；和非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备，包括(i)具有用于接收和主时钟信号相关的输入时钟信号的输入端口和用于接收控制器发出的命令的一组数据线的接口；(ii)具有反馈回路配置的电路部件的模块，该模块由基准时钟信号驱动；(iii)可以可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号和输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的时钟控制电路；和(iv)命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令，并且使得时钟控制电路响应于识别擦除命令从第一操作状态转换为第二操作状态。当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
本发明的第五方面意图提供一种包括计算机可读指令的计算机可读存储介质，该指令被执行时用来向非易失性半导体存储器设备提供以下功能性：产生基准时钟信号，使得其在设备的第一操作状态跟随输入时钟信号并且在设备的第二操作状态和输入时钟信号解耦合，其中当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，具有反馈回路配置的电路部件并且由基准时钟信号驱动的模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率；并且使得设备响应于识别从控制器接收的擦除命令从第一操作状态转换为第二操作状态。
因此，已经提供改进的非易失性半导体存储器设备。
附图说明
图1是根据非限制示例实施例包括控制器和非易失性存储器设备的存储器系统的框图。
图2是根据非限制示例实施例的包括时钟同步单元的图1中非易失性存储器设备的框图。
图3A是根据非限制示例实施例的图2中的时钟同步单元的框图。
图3B是根据替代示例实施例的图2中的时钟同步单元的框图。
图4A是示出和图3A的时钟同步单元相关的多个信号的信号转变的时序图。
图4B是示出和图3B的时钟同步单元相关的多个信号的信号转变的时序图。
具体实施方式
参考图1，示出根据实施例的存储器系统80。存储器系统80包括通信耦合到非易失性存储器设备100的控制器90。控制器90还通信耦合到其他存储器设备100A。
控制器90包括一组端口92A，...，92H，其分别连接到非易失性存储器设备100的一组端口93A，...，93H。控制器90和非易失性存储器设备100经由它们相应的端口组92A，...，92H和93A，...，93H交换设备外部的电信号94A，...，94H。非易失性存储器设备100的端口93A，...，93H和设备外部的信号94A，...，94H将在随后更详细描述。
图2是根据示例实施例的非易失性存储器设备100的框图。在非易失性存储器设备100中，非易失性存储器单元阵列115包括以行和列布置的多个非易失性存储器单元。每个非易失性存储器单元包括浮栅场效应晶体管，其能够保持用于数据的非易失性存储的电荷。非易失性存储器单元阵列115中的非易失性存储器单元可以通过为浮栅充电来电编程。
非易失性存储器单元阵列115的行可以排列成页面块。通过非限制举例，非易失性存储器单元阵列115的行可以组织成2048个块，每块64个页面。
非易失性存储器设备100包括接口，该接口包括前面提及的端口组93A，...，93H。其中，端口93B、93C、93D、93E、93F(也分别标为CE#、CLE、ALE、W/R#、CLK)将设备外部信号从控制器90运载到非易失性存储器设备100。端口93A(也标为R/B#)将设备外部信号从非易失性存储器设备100运载到控制器90。最后，端口93G和93H(也分别标为DQS和DQ[0:7])可以基于非易失性存储器设备100的操作模式在两个方向运载设备外部信号。更具体地，非易失性存储器设备100的端口包括但不限于：
·芯片使能端口(93B，也标为CE#)
芯片使能端口CE#是允许非易失性存储器设备100了解其是否已经通过控制器90激活的输入端口。在本非限制实施例中，当芯片使能端口CE#处的设备外部信号确立无效(低)时，这意味着已经选择非易失性存储器设备100，反之当芯片使能端口CE#处的设备外部信号被确立有效(高)时，这意味着已经不选择非易失性存储器设备100。
·输入时钟端口(93F，也标为CLK)
输入时钟端口CLK是输入端口，承载用于同步非易失性存储器设备100的操作的时钟信号(系统时钟)。因此，应该理解通过同步到系统时钟，非易失性存储器设备100区别于异步或者准同步存储器设备。
·多个数据线(93H，也标为DQ[0:7])
数据线DQ[0:7]承载来自控制器90的地址、命令和写数据，并且承载到控制器90的读数据。虽然在所示实施例中存在八个数据线，但是这不应该理解为限制。例如，在其他实施例中，可以提供不同数量的数据线，诸如16个。还存在其他的可能性。
·命令锁存使能端口(93C，也标为CLE)和地址锁存使能端口(93D，也标为ALE)
命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE是输入端口，承载和数据线DQ[0:7]上的设备外部信号并行并且限定地址、命令和/或写数据的开始和结束的设备外部信号。
·数据选通端口(93G，也标为DQS)
数据选通端口DQS承载指示数据线DQ[0:7]上有效数据存在的设备外部信号。当要把数据写到非易失性存储器设备100(在非限制性的双数据率实施例中)时，数据选通端口DQS处的设备外部信号通过控制器90产生，具有和输入时钟端口CLK处的设备外部信号相同的频率，并且和数据线DQ[0:7]上的设备外部信号有90度移位并且中心对准。当从非易失性存储器设备100(在非限制性的双数据率实施例中)读出数据时，数据选通端口DQS处的设备外部信号通过非易失性存储器设备100产生，具有和输入时钟端口CLK处的设备外部信号相同的频率，并且和数据线DQ[0:7]上的设备外部信号边缘对准。应该理解，当在数据线DQ[0:7]上缺乏有效数据时，可使数据选通端口DQS处的设备外部信号不振荡。因此，存在数据选通端口DQS处的设备外部信号振荡的时间段和不振荡的时间段。
·写/读端口(93E，也标为W/R#)
写/读端口W/R#是输入端口，承载指示数据线DQ[0:7]是承载来自控制器90的写数据(即，当设备外部信号W/R#为高时)还是承载来自存储器设备100的读数据(即，当设备外部信号W/R#为低时)的设备外部信号。
·准备好/忙碌端口(93A，也标为R/B#)
准备好/忙碌端口R/B#是输出端口，承载指示非易失性存储器设备100可用于接收用于访问存储器单元阵列115的命令(当设备外部信号为高时)或者忙于处理用于访问存储器单元阵列115的命令(当设备外部信号为低时)的设备外部信号。
控制器90通过改变不同输入端口处和数据线上的设备外部信号来控制非易失性存储器设备100的行为。从而，非易失性存储器设备100包括控制逻辑101，该控制逻辑101配置为识别输入端口和数据线何时承载来自控制器90的某些特定信号，并且基于这些信号以确定方式响应。
例如，控制逻辑101配置为识别命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号何时为高和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号何时为低。在此情况中，控制逻辑101认为数据线DQ[0:7]上的信息是命令信息。从而，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存的时钟信号SBUG_CLK(该信号是输入时钟端口CLK处的设备外部信号的缓存形式并且具有相同的极性)的上升沿上锁存到输入寄存器112中，并且提供给命令处理单元109。命令处理单元109可以包括将信息载入的寄存器和用于将载入的信息译码为一个或者多个命令的译码器。命令处理单元109产生控制信号，一些控制信号馈送到控制逻辑101并且另一些控制信号馈送到时钟同步单元200，在下面对此进行进一步详细的描述。
在一些实施例中，命令处理单元109和控制逻辑101集成在一起，而在其它实施例中，命令处理单元109和控制逻辑101可以是存储器设备100的分离的部件。仍在其他实施例中，命令处理单元的109的一部分(诸如寄存器)可以分离而命令处理单元109的其余部分可以和控制逻辑101集成在一起。
存在可以通过非易失性存储器设备100处理的命令的多个实例，一些非限制的可能示例包括块擦除、页面编程、页面读出、状态读出。这些命令的一些和它们的效果在下面通过非限制实例来描述。
A)块擦除
当控制逻辑101识别出块擦除命令(更精确地：块擦除命令的指示性的第一命令周期)时，控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收地址信息。当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为低并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为高时，地址信号被认为存在于数据线DQ[0:7]上。从而，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在前述缓存时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到地址寄存器108中。可以跨越多个地址周期的地址信息可以包括指定期望擦除的块的地址的多个字节。地址信息整体可以载入行锁存和译码器114中。
控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收块擦除命令的第二命令周期。从而，当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为高并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为低时，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到命令处理单元109中。命令处理单元109识别块擦除命令的第二命令周期。
命令处理单元109随后确立如下描述的时钟同步单元200所使用的擦除信号有效。控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为低，用来指示非易失性存储器设备100忙碌。控制逻辑101随后还激发高电压发生器103来施加高电压，用来擦除期望块中的非易失性存储器单元。对于当前技术，取决于多种因素，该操作可以花费在大约2毫秒到15毫秒范围中的一段延长的时间。
当已经擦除期望块中的非易失性存储器设备后，命令处理单元109将擦除信号确立为无效。然后，在时钟同步单元200的特定部件重新取得同步所需的时间间隔之后，控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为高，用来指示非易失性存储器设备100准备好接收另一个命令。
B)页面编程
当控制逻辑101识别出页面编程命令(更精确地：页面编程命令的指示性第一命令周期)时，控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收地址信息。当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为低并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为高时，地址信息被认为存在于数据线DQ[0:7]上。从而，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存的时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到地址寄存器108中。可以跨越多个地址周期的地址信息可以包括指定期望编程的页面的多个字节。地址信息可以载入行锁存和译码器114和/或列锁存和译码器117中。
控制逻辑101随后期望在数据线DQ[0:7]上接收写数据。当命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号以及写/读端口W/R#处的设备外部信号都为高时才会发生这种情况。设备外部信号还用于数据选通端口DQS处。在此情况中，通过输入接收器106接收的写数据在数据选通端口DQS处的设备外部信号的两个沿处被锁存到输入寄存器112中并且通过列锁存和译码器117选择以载入页面缓存器116中。
当命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号不再都为高时，非易失性存储器设备100停止锁存写数据，并且因此写入非易失性存储器设备100的写数据的数量通过命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号都保持为高的时间长度来决定。例如，如果命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号都保持高持续1024时钟周期，则非易失性存储器设备100就接收了2048个字节的写数据(对于在双数据率方案中的8位宽的数据总线)。
控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收页面编程命令的第二命令周期。从而，当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为高并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为低时，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存的时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到命令处理单元109中。命令处理单元109识别页面编程命令的第二命令周期。
命令处理单元109随后确立如下描述的时钟同步单元200所使用的编程信号有效。此外，控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为低，用来指示非易失性存储器设备100忙碌。控制逻辑101随后激发高电压发生器103来施加高电压，用来将页面缓存器116中的写数据传送到非易失性存储器单元阵列115中的期望页面。对于当前技术，取决于多种因素，该操作可以花费从大约200微秒到2毫秒范围中的一段延长的时间。
当已经编程期望页面中的非易失性存储器单元后，命令处理单元109将编程信号确立为无效。然后，在时钟同步单元200的特定部件重新取得同步所需的时间间隔之后，控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为高，用来指示非易失性存储器设备100准备好接收另一个命令。
C)页面读出
当控制逻辑101识别出页面读出命令(更精确地：页面读出命令的指示性第一命令周期)时，控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收地址信息。当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为低并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为高时，地址信息被认为存在于数据线DQ[0:7]上。从而，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存的时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到地址寄存器108中。可以跨越多个地址周期的地址信息可以包括指定要读出的期望页面的多个字节。地址信息可以载入行锁存和译码器114和/或列锁存和译码器117中。
控制逻辑101配置为随后期望在数据线DQ[0:7]上接收页面读出命令的第二命令周期。从而，当命令锁存使能端口CLE处的设备外部信号为高并且地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号为低时，数据线DQ[0:7]上的信息由输入接收器106接收，在缓存的时钟信号SBUF_CLK的上升沿被锁存到输入寄存器112中并且传送到命令处理单元109中。命令处理单元109识别页面读出命令的第二命令周期。
此外，控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为低，用来指示非易失性存储器设备100忙碌。控制逻辑101随后激发高电压发生器103来施加高电压，用来将非易失性存储器单元阵列115中的期望页面的单元数据传送到页面缓存器116中。对于当前技术，取决于多种因素，该操作可以花费从大约20毫秒到60毫秒范围中的一段延长的时间。
在期望页面的内容已经传送到页面缓存器116之后，控制逻辑101使得准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变为高，用来指示非易失性存储器设备100准备好输出页面缓存器116中的读数据或者接收另一个命令。
控制逻辑101随后期望把读数据输出到数据线DQ[0:7]上。为此，命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号必须都为高并且写/读端口W/R#处的设备外部信号必须为低。随后，页面缓存器116中的数据通过输出寄存器111和输出驱动器105输出到数据线DQ[0:7]。这以同步方式执行。更具体地，来自页面缓存器116的数据通过列锁存和译码器117选择以载入输出寄存器111中。输出驱动器105因此顺序接收来自输出寄存器111的读出数据。输出驱动器105将从输出寄存器111接收的读出数据输出到数据线DQ[0:7]，并且使读出数据以从时钟同步单元200接收的同步时钟信号SDLL_CLK的上升沿和下降沿为基准，其在下面详细描述。
同时，输出驱动器105接收内部产生的数据选通信号SDQS_I，该信号由数据选通信号发生器113产生。当存在要置于数据线DQ[0:7]上的读出数据时，该内部产生的数据选通信号SDQS_I为高，否则为低。输出驱动器105将内部产生的数据选通信号SDQS_I传送到数据选通端口DQS上，但将其与前面提及的同步时钟信号SDLL_CLK的上升沿和下降沿同步。数据选通端口DQS处的设备外部的信号由控制器90用来在读出操作期间将数据锁存在数据线DQ[0:7]上。
当命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号不再都为高时，非易失性存储器设备100停止输出读数据，并且因此从非易失性存储器设备100读出的读出数据的数量通过命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号都保持高的时间长度决定。例如，如果命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号都保持高持续1024时钟周期，则非易失性存储器设备100就输出了2048个字节的读出数据(对于在双数据率方案中的8位宽的数据总线)。
D)状态读出
当控制逻辑101识别出状态读出命令时，控制逻辑101配置为期望要求它随后在数据线DQ[0:7]上输出状态信息。为此，命令锁存使能端口CLE和地址锁存使能端口ALE处的设备外部信号必须都为高，并且写/读端口W/R#处的设备外部信号必须为低。在此情况中，状态寄存器107的内容通过输出寄存器111和输出驱动器105输出到数据线DQ[0:7]。该状态读出操作还以与DQS信号同步的方式执行。
因此，很明显命令处理单元109基于从控制器90接收的命令来确立擦除或者编程信号的有效或者无效。更具体地，命令处理单元109响应于接收到块擦除命令来确立擦除信号有效。命令处理单元109响应于接收到页面编程命令来确立编程信号有效。
应该理解，非易失性存储器设备100可以包括其他端口，并且配置为产生或者接收其他设备外部信号。例如，可以具有写保护端口，其提供免受不期望的编程或者擦除操作的硬件保护。因此，当检测到写保护端口处的设备外部信号为低时，非易失性存储器设备100可以配置为不接受前述页面编程或者块擦除命令。
而且，非易失性存储器设备100包括准备好/忙碌指示逻辑102，其耦合到控制逻辑101，指示非易失性存储器设备100是否忙碌。
现在参考图3A来描述时钟同步单元200的一个非限制示例实施例。时钟同步单元200包括时钟控制电路210，其从前述缓存的时钟信号SBUF_CLK和前述擦除或者编程信号提取基准时钟信号SREF_CLK。时钟控制电路210将基准时钟信号SREF_CLK馈送到延迟锁定环路(DLL)220，其产生同步时钟信号SDLL_CLK。
为了产生基准时钟信号SREF_CLK，时钟控制电路210可控地在基准时钟信号SREF_CLK跟随缓存的时钟信号SBUF_CLK的第一操作状态和基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合的第二操作状态之间转换。擦除或者编程信号在基准时钟信号SREF_CLK是否跟随缓存的时钟信号SBUF_CLK或者是否与其解耦合中发挥作用。更具体地，并且根据非限制示例实施例，当擦除信号或者编程信号都未被命令处理单元109确立为有效的时候，时钟控制电路210设计为进入/保持在第一操作状态(即，其中基准时钟信号SREF_CLK跟随缓存的时钟信号SBUF_CLK)。相反，当擦除信号和编程信号的至少一个被命令处理单元109确立为有效的时候，时钟控制电路210设计为进入/保持在第二操作状态(即，其中基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合)。
从而，在特定的非限制示例实施例中，时钟控制电路210可以设计为包括与(AND)逻辑门211和或非(NOR)逻辑门213。NOR逻辑门213接收来自命令处理单元109的擦除和编程命令。AND逻辑门211的第一输入是缓存的时钟信号SBUF_CLK。AND逻辑门211的第二输入是NOR逻辑门213的输出的信号SDLL_EN2。因此，当擦除或者编程信号确立有效时，NOR逻辑门213使得信号SDLL_EN2变低，其将AND逻辑门211停用并且使得其输出信号(即基准时钟信号SREF_CLK)变低。这使得基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合。另一方面，当擦除和编程信号确立无效时，NOR逻辑门213使得信号SDLL_EN2变高，其将AND逻辑门211启用并且使得基准时钟信号SREF_CLK跟踪缓存的钟信号SBUF_CLK，同时将SBUF_CLK提供给DLL 220。
在一个替代实施例中，AND逻辑门211可以是三输入AND逻辑门，第三输入是信号SDLL_EN1，该信号是反相器逻辑门212的输出，反相器逻辑门212接收缓存的芯片使能信号SCEb。缓存的芯片使能信号SCEb是芯片使能端口CE#处设备外部信号的缓存形式并且具有相同的极性。对时钟控制电路210的此次修改使得只要缓存的芯片使能信号SCEb为低(即只要选择非易失性存储器设备100)时，AND逻辑门211都会如之前所描述的操作，但会导致置于缓存的芯片使能信号SCEb为高(即当取消非易失性存储器设备100的选择)时，AND逻辑门211的输出都变低，而不需要考虑擦除或者编程信号是否确立有效。
在另一个替代实施例中，NOR逻辑门213的功能性在时钟控制电路210以外的地方实现。例如，NOR逻辑门213的功能性可以在命令处理单元109中实现。由此，命令处理单元109可以自身发出目前示出在NOR逻辑门213的输出处的信号SDLL_EN2。
DLL 220包括配置成反馈环的电路部件，用于产生相对于基准时钟信号SREF-CLK具有可控延迟的同步时钟信号SDLL_CLK。可控延迟可以根据需要调整，确保接收同步时钟信号SDLL_CLK的输出驱动器105在数据线DQ[0:7]和数据选通端口DQS处输出设备外部信号，以满足非易失性存储器设备100的所期望的时序规范。为了实现必要的延迟，DLL 220可以实现为包括可变延迟线路221的传统DLL。可变延迟线路221响应于延迟调整信号SSHIFT相对于基准时钟信号SREF_CLK来改变同步时钟信号SDLL_CLK的延迟。
反馈延迟模块224响应于同步时钟信号SDLL_CLK产生反馈时钟信号SFB_CLK。反馈延迟模块224可以具有复制的延迟模块，用于补偿诸如以下的一些内部电路块所导致的内部延迟：
-时钟控制电路210中的AND逻辑门211；
-根据输入时钟端口CLK处的设备外部信号输出缓存的时钟信号SBUF_CLK的输入缓存器(未示)，和/或
-用于在数据线DQ[0:7]并且在数据选通端口DQS处输出设备外部信号的输出缓存器。
DLL 220还包括相位检测器222，相位检测器222接收反馈时钟信号SFB_CLK和基准时钟信号SREF_CLK，并且产生相位误差信号SPE，其具有指示基准时钟信号SREF_CLK和反馈时钟信号SFB_CLK之间的相位差的值。延迟控制223响应于来自相位检测器222的相位误差信号SPE产生延迟调整信号SSHIFT，并且将延迟调整信号SSHIFT应用到可变延迟线路221以调整通过可变延迟线路221施加的延迟。
相位检测器222和延迟控制器223组合起来操作，来将通过可变延迟线路221应用的延迟作为基准时钟信号SREF_CLK和反馈时钟信号SFB_CLK之间所检测相位差的函数进行调整。更具体地，相位检测器222和延迟控制器223组合起来操作来调整同步时钟信号SDLL_CLK的可变延迟，直到基准时钟信号SREF_CLK和反馈时钟信号SFB_CLK之间所检测的相位差接近零。更具体地，调整同步时钟信号SDLL_CLK的延迟时，也相应调整来自反馈延迟模块224的反馈时钟信号SFB_CLK的相位，直到反馈时钟信号SFB_CLK具有和基准时钟信号SREF_CLK的相位基本相同的相位。当DLL 220已经将可变延迟调整为使得基准时钟信号SREF_CLK和反馈时钟信号SFB_CLK之间的相位偏移大体等于零的值时，DLL 220称为被“锁定”。此时，假如反馈延迟模块224精确模拟多种内部延迟，输入时钟端口CLK处的设备外部信号和同步时钟信号SDLL_CLK将是同步的。
考虑到DLL 220中的可变延迟线路221可以包含大量延迟级，所有延迟级在振荡时钟信号传播通过可变延迟线路221时进行转换，显然，在没有向DLL 220馈送振荡时钟信号期间将提高功率节省。这种情况进而出现在基准时钟信号SREF_CLK从缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合时，这是如上所述确立擦除或者编程信号有效的直接结果。总的来说，从而观察到DLL220所影响的每秒信号转变的平均数量在基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合时比在基准时钟信号SREF_CLK跟随缓存的时钟信号SBUF_CLK时要低。这导致在更高时钟信号频率时特别显著的功率节省。
现在参考图3B，示出根据另一个非限制示例实施例的时钟同步单元200B。图3B中的时钟同步单元200B包括类似于图3A的时钟同步单元200中的时钟控制电路210的经修改的时钟控制电路210B，两者具有以下主要区别。更具体地，AND逻辑门211B的第二输入是通过2输入OR逻辑门234输出的信号SDLL_EN。2输入OR逻辑门234接收NOR逻辑门213的输出(回忆一下，其接收擦除和编程信号)和反相器逻辑门212的输出(回忆一下，其接收缓存的芯片使能信号SCEb)。
操作中，修改的时钟控制电路210B使得AND逻辑门211B在满足以下两个条件中的一个时将缓存的时钟信号SBUF_CLK传送到其输出(其承载基准时钟信号SREF_CLK)：(i)缓存的芯片使能信号SCEb变低(即，选择非易失性存储器设备100时)或者(ii)擦除和编程信号确立为无效(＝低)。相反，仅当以下两个条件都满足时基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK解耦合：(i)缓存的芯片使能信号SCEb变高(即，取消非易失性存储器设备100的选择时)并且(ii)擦除或者编程信号确立有效(＝高)。简单来说，和图3A中的时钟控制电路210相比时，图3B中的修改的时钟控制电路210B不会自动将基准时钟信号SREF_CLK和缓存的时钟信号SBUF_CLK在擦除或者编程信号确立有效时解耦合，而是需要附加的条件，根据该条件已经取消非易失性存储器设备100的选择。换句话说，选择非易失性存储器设备100将激活DLL 220，因此取代擦除或者编程信号的效果。虽然这相对于图3A的电路导致较少的功率节省，但是允许由控制器90直接对非易失性存储器设备100的操作进行更大范围的控制。
图4A是示出在块擦除操作期间和图3A中的时钟同步单元200相关的多种信号的信号转变的非限制示例时序图。本领域内的普通技术人员可以理解，可以提供其他命令的类似时序图(例如，页面编程)，但是由于相信这对技术人员理解示例实施例来说不必要，所以将其略去。
图4A顶部的控制信号(即，处于输入时钟端口CLK，芯片使能端口CE#，写/读端口W/R#，命令锁存使能端口CLE，地址锁存使能端口ALE，数据线DQ[0:7]，数据选通端口DQS和准备好/忙碌端口R/B#上的信号)通过控制器90来发出。在时间T1到T7之间，非易失性存储器设备100接收块擦除命令的第一周期(60h)，行地址信息(RA1，RA2 & RA3)和块擦除命令的第二周期(D0h)。一旦非易失性存储器设备100接收并且译码块擦除命令的第二周期(D0h)，擦除信号在时间T8确立有效，并且SDLL_EN2信号(在NOR逻辑门213的输出处)变低。AND逻辑门211随后通过SDLL_EN2信号的低状态停用。从而，基准时钟信号SREF_CLK在大约时间T8处变为低状态。结果是，虽然缓存的时钟信号SBUF_CLK继续切换，但是同步时钟信号SDLL_CLK停止切换。此外，准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变低。
非易失性存储器设备100随后在标为tBERS(块擦除时间)的一段时间内对非易失性存储器单元阵列115执行内部“擦除和验证”操作，这段时间是可变的，并且例如对于SLC(单级单元)类型的NAND闪速存储器设备可以是2ms，或者例如对于一些类型的MLC(多级单元)NAND闪速存储器设备最多是15ms。在非易失性存储器设备100完成内部“擦除和验证”操作期间，DLL220有效停用，因此相比于在此时间期间启用DLL 220情况导致更少的功耗。
在时间T14和T15之间，非易失性存储器设备100完成其最后的“擦除和验证”操作并且擦除信号变为低状态。结果是，SDLL_EN2信号在时间T15处返回高状态，这启用AND逻辑状态211。从而，基准时钟信号SREF_CLK开始再次跟随缓存的时钟信号SBUF_CLK，并且DLL 220试图根据基准时钟信号SREF_CLK和反馈时钟信号SFB_CLK来锁定同步时钟信号SDLL_CLK。本领域内的普通技术人员应该理解，当DLL 220包括延迟锁定环路时，同步时钟信号SDLL_CLK重新取得同步(即，“重新锁定”)可能需要若干个时钟周期。图4A中的时序图假设简化的并且短的重新锁定序列，使得同步时钟信号SDLL_CLK在时间T16处已经被锁定。本领域内公知合适的重新锁定序列，因此此处不再描述。
在同步时钟信号SDLL_CLK已经重新得到同步之后，准备好/忙碌端口R/B#处的设备外部信号变高，如时间T16和T17之间所示。非易失性存储器设备100现在变成“准备好”并且控制器90可以发出下一个命令，诸如但不限于状态读出、页面读出和页面编程。
图4B是块擦除操作期间图3B中的时钟同步单元200B的信号的非限制示例时序图。图4B中的时序图类似于图4A中的时序图，但有以下不同。更具体地，时间T7和T8之间，注意到即使擦除信号确立有效，AND逻辑门211B的第二输入处的SDLL_EN信号也没有下拉到低状态。这是因为缓存的芯片使能信号SCEb信号仍旧处于低状态(意味着非易失性存储器设备100保持选择)，在此实施例中，这超控本来通过擦除信号控制的时钟信号的解耦合效应。随后，在芯片使能端口CE#处的设备外部信号变为高状态(在时间T8和T9之间)之后，缓存的芯片使能信号SCEb也变为高状态，并且现在SDLL_EN信号变为低状态。这使得AND逻辑门211B停用，使得基准时钟信号SREF_CLK停止切换，使得DLL 220不会耗费不必要的功率。
本领域内的普通技术人员可以理解，除了DLL 220，时钟同步单元200可以使用具有反馈回路配置的电路部件的其他模块。这样的其他模块的一个例子是锁相环(PLL)。因此，锁相环可以在擦除或者编程信号确立有效时失活一段时间。
本领域内的普通技术人员还可以理解上述对块擦除、页面编程，页面读出和状态读出命令的描述仅意于示例，并且，在不脱离本发明的实施例的范围的情况下可以有多种修改。此外，目前或者未来的其他命令可以触发擦除和/或编程信号的确立有效。例如，考虑到假设的类似于上面描述的块擦除命令的页面擦除命令，其允许特定的多页面块的单个页面被擦除，而不会影响页面中的其它块。这样的命令的例子在Jin-Ki KIM的美国专利申请序列号11/779685、标题为“Partial Block Erase Architecture For FlashMemory”中描述，其通过引用包含进来。
可以理解上述非易失性存储器设备100、100A可以使用多种类型的非易失性存储器集成电路技术来实现，包括但不限于NAND闪速EEPROM、NOR闪速EEPROM、AND闪速EEPROM、DiNOR闪速EEPROM、串行闪速EEPROM、只读存储器(ROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)和相变RAM(PCRAM)。
还应该理解在一些实施例中，某些信号，具体如时钟信号和数据选通信号(非限制性的)可以是单端的，而在其它实施例中这些信号可以是差分的。
还应该理解在一些实施例中，某些设备，特别是输入寄存器112和输出驱动器105，可以响应于上升沿、下降沿或者上升沿和下降沿二者，从而表现出单数据率(SDR)、双数据率(DDR)或者四数据率(QDR)功能性。
返回参考图1，在一些例子中，存储器系统80可以至少大体兼容在08年2月27日的“Open NAND Flash Interface Specification”版本2.0中描述的闪速标准，其全部内容通过引用包含进来。当然在其他实施例中，存储器系统80可以至少大体和其他闪速标准兼容，该标准与所提供的包括DLL和/或PLL的存储器装置一致。
还应该理解在一些实施例中，可以至少部分使用在计算机上运行的软件程序来向存储器装置100、100A提供上述功能性。这样的软件程序可以编码为计算机可读存储介质上的计算可读指令，该指令设计为将上述功能性转换为低级电路图和/或集成电路配置，用来实现上述功能性。
可以对所述实施例进行特定修改和变化。从而，上述实施例被认为是示例性而非限制性的。

Claims (72)

1.一种非易失性半导体存储器设备，包括：
接口，包括
用于接收输入时钟信号的输入端口；和
用于接收命令的一组数据线，该命令包括擦除命令，该命令由控制器发出；
具有反馈回路配置的电路部件的模块，该模块由基准时钟信号驱动；
能够可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号与输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的时钟控制电路；和
命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令，并且响应于识别擦除命令使得时钟控制电路从第一操作状态转换为第二操作状态；
其中当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
2.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括控制电路，用于响应于命令处理单元识别擦除命令来输出指示该设备忙碌的信号。
3.权利要求2中限定的非易失性半导体存储器设备，其中该控制电路配置为在命令处理单元使得时钟控制电路从第一操作状态转换为第二操作状态之后输出指示该设备忙碌的信号。
4.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为响应于识别擦除命令来开始擦除操作。
5.权利要求4中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为使得时钟控制电路在擦除操作完成之后转换返回第一操作状态。
6.权利要求5中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括配置为在擦除操作完成之后发出指示设备准备好的信号的控制电路。
7.权利要求6中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括在基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时失去同步的延迟锁定环路，其中在延迟锁定环路已经在时钟控制电路转换返回第一操作状态之后重新获得同步后，发出指示该设备准备好的信号。
8.权利要求4中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理电路配置为使得时钟控制电路在擦除操作完成之前转换返回第一操作状态。
9.权利要求8中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括配置为在命令处理单元使得时钟控制电路转换返回第一操作状态之后发出指示设备准备好的信号的控制电路。
10.权利要求9中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括在基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时失去同步的延迟锁定环路，其中在延迟锁定环路已经在时钟控制电路转换返回第一操作状态之后重新获得同步后，发出指示该设备准备好的信号。
11.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括多个非易失性存储器单元，其中命令处理单元配置为在至少一些非易失性存储器单元已经擦除之后使得时钟控制电路转换返回第一操作状态。
12.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，该模块包括配置为基于基准时钟信号产生同步时钟信号的时钟同步电路。
13.权利要求12中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括延迟锁定环路。
14.权利要求12中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括锁相环。
15.权利要求12中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述数据线还用于输出来自设备的读出数据。
16.权利要求15中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括配置为和同步时钟信号同步改变数据选通信号的输出驱动器。
17.权利要求16中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，输出驱动器配置为将读出数据的输出和数据选通信号同步。
18.权利要求17中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口包括用于输出来自设备的数据选通信号的端口。
19.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述时钟控制电路实现产生对应于基准时钟信号的输出的逻辑AND功能，其中，逻辑AND功能具有对应于输入时钟信号的第一输入和对应于在擦除命令由命令处理单元识别时确立有效的信号的第二输入。
20.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中所述命令还包括不同的命令，并且其中所述命令处理单元还配置为响应于识别控制器发出的不同的命令，使得时钟控制电路从第一操作状态转换为第二操作状态。
21.权利要求20中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，非易失性半导体存储器设备还实现逻辑OR功能，逻辑OR功能具有对应于在擦除命令由命令处理单元识别时确立有效的信号的第一输入和对应于在不同的命令由命令处理单元识别时确立有效的信号的第二输入。
22.权利要求20中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括多个非易失性存储器单元，其中不同的命令是对至少一些非易失性存储器单元进行编程的命令。
23.权利要求22中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为使得时钟控制电路在至少一些非易失性存储器单元已经编程之后转换返回第一操作状态。
24.权利要求22中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述不同的命令是页面编程命令。
25.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口包括用于接收来自控制器的设备选择信号的输入端口，设备选择信号指示设备是否已经选择或者取消选择。
26.权利要求25中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为即便当设备选择信号指示设备已经被选择时仍允许时钟控制电路转换为第二操作状态。
27.权利要求25中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为阻止时钟控制电路转换为第二操作状态，除非设备选择信号指示设备已经取消选择。
28.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块在每个单元时间内实现第一平均数量的信号转变，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块在每单元时间内实现第二平均数量的信号转变，该第二平均数量小于第一平均数量。
29.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，控制器发出的命令是经编码的，其中，命令处理单元包括译码器，并且其中为识别控制器发出的特定命令，该译码器配置为译码所述特定的命令。
30.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述擦除命令是块擦除命令。
31.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，实现为NAND闪速存储器设备。
32.权利要求1中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，为识别控制器发出的命令，命令处理单元配置为将经由数据线接收的信息载入至少一个寄存器并且将该信息译码为所述命令。
33.一种非易失性半导体存储器设备，包括：
用于提供输入时钟信号的第一装置；
具有反馈回路配置的电路部件并且通过基准时钟信号驱动的第二装置；
用于可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号与输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的第三装置；和
用于识别控制器发出的包括擦除命令的命令并且响应于识别擦除命令改变第三装置的操作状态的第四装置；
其中，当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，第二装置消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，第二装置消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
34.一种由非易失性存储器设备执行的方法，该非易失性半导体存储器设备提供有输入时钟信号并且包括具有反馈回路配置的电路部件的模块，该电路部件通过基准时钟信号驱动；包括：
产生基准时钟信号，使得其在设备的第一操作状态跟随输入时钟信号并且在设备的第二操作状态和输入时钟信号解耦合，其中当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率；并且
使得装置响应于识别从控制器接收的擦除命令从第一操作状态转换为第二操作状态。
35.一种具有控制器和非易失性半导体存储器设备的系统，包括：
控制器，配置为发出主时钟信号和发出包括擦除命令的命令；和
非易失性半导体存储器设备，包括：
接口，包括：
输入端口，用于接收和主时钟信号相关的输入时钟信号；和
用于接收控制器发出的命令的一组数据线；
具有反馈回路配置的电路部件的模块，该模块由基准时钟信号驱动；
能够可控地在基准时钟信号跟随输入时钟信号的第一操作状态和基准时钟信号与输入时钟信号解耦合的第二操作状态之间转换的时钟控制电路；和
命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令并且使得时钟控制电路响应于识别擦除命令从第一操作状态转换为第二操作状态；
其中，当基准时钟信号跟随输入时钟信号时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当基准时钟信号和输入时钟信号解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
36.一种非易失性半导体存储器设备，包括：
用于接收控制器发出的命令的接口，该命令包括擦除命令；
具有电路部件并且具有输入的模块；
能够可控地在第一操作状态和第二操作状态之间转换的可转换电路，其中在所述第一操作状态中，模块的输入能够接收用于模块的信号，在所述第二操作状态中，信号与模块的输入电解耦合；并且
命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令，并且响应于识别擦除命令使得可转换电路从第一操作状态转换为第二操作状态。
37.权利要求36中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述电路部件在反馈回路配置中，并且其中用于模块的所述信号包括用于在信号电连接到模块的输入时将模块的操作同步的输入时钟信号。
38.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口包括一组数据线，并且其中该命令通过该组数据线接收。
39.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中当信号电连接到模块的输入时，模块消耗第一数量的功率，并且其中当信号和模块的输入电解耦合时，模块消耗比第一数量的功率低的第二数量的功率。
40.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括控制电路，用于响应于命令处理单元识别擦除命令来输出指示该设备忙碌的信号。
41.权利要求40中限定的非易失性半导体存储器设备，其中该控制电路配置为在命令处理单元使得可转换电路从第一操作状态转换为第二操作状态之后输出指示该设备忙碌的信号。
42.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为响应于识别擦除命令来开始擦除操作。
43.权利要求42中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为使得可转换电路在擦除操作完成之后转换返回第一操作状态。
44.权利要求43中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括控制电路，配置为在擦除操作完成之后发出指示设备准备好的信号。
45.权利要求44中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，电路部件实现在信号和模块的输入电解耦合时失去同步的延迟锁定环路，其中在延迟锁定环路已经在可转换电路转换返回第一操作状态之后重新获得同步后，发出指示该设备准备好的信号。
46.权利要求42中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元配置为使得可转换电路在擦除操作完成之前转换返回第一操作状态。
47.权利要求46中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括控制电路，配置为在命令处理单元使得可转换电路转换返回第一操作状态之后发出指示设备准备好的信号。
48.权利要求47中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，电路部件实现在信号和模块的输入电解耦合时失去同步的延迟锁定环路，其中在延迟锁定环路已经在可转换电路转换返回第一操作状态之后重新获得同步后，发出指示该设备准备好的信号。
49.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括多个非易失性存储器单元，其中命令处理单元配置为在至少一些非易失性存储器单元已经擦除之后使得可转换电路转换返回第一操作状态。
50.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，该模块的电路部件实现配置为基于所述信号产生同步时钟信号的时钟同步电路。
51.权利要求50中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括延迟锁定环路。
52.权利要求50中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，时钟同步电路包括锁相环。
53.权利要求50中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口还用于输出来自设备的读出数据。
54.权利要求53中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括配置为以和同步时钟信号同步改变数据选通信号的输出驱动器。
55.权利要求54中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，输出驱动器配置为将读出数据的输出和数据选通信号同步。
56.权利要求55中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口包括用于输出来自设备的数据选通信号的端口。
57.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述可转换电路实现产生输出的逻辑AND功能，其中，逻辑AND功能具有对应于输入时钟信号的第一输入和对应于在擦除命令通过命令处理单元识别时确立有效的信号的第二输入。
58.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中通过控制器发出的命令还包括不同的命令，并且其中所述命令处理单元还配置为响应于识别控制器发出的不同的命令，使得可转换电路从操作状态转换为第二操作状态。
59.权利要求58中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，非易失性半导体存储器设备还实现逻辑OR功能，逻辑OR功能具有对应于在擦除命令通过命令处理单元识别时确立有效的信号的第一输入和对应于在不同的命令通过命令处理单元识别时确立有效的信号的第二输入。
60.权利要求58中限定的非易失性半导体存储器设备，还包括多个非易失性存储器单元，其中不同的命令是对至少一些非易失性存储器单元进行编程的命令。
61.权利要求60中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元还配置为使得可转换电路在至少一些非易失性存储器单元已经编程之后转换返回第一操作状态。
62.权利要求60中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述不同的命令是页面编程命令。
63.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述接口包括用于接收来自控制器的设备选择信号的输入端口，设备选择信号指示设备是否已经选择或者取消选择。
64.权利要求63中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元还配置为即便当设备选择信号指示设备已经被选择时仍允许可转换电路转换为第二操作状态。
65.权利要求63中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，命令处理单元还配置为除非设备选择信号指示设备已经取消选择否则就阻止可转换电路转换为第二操作状态。
66.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，当信号电连接到模块的输入时，模块的电路部件在每个单元时间内实现第一平均数量的信号转换，并且其中当信号和模块的输入电解耦合时，模块的电路部件在每单元时间内实现第二平均数量的信号转换，该第二平均数量小于第一平均数量。
67.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，控制器发出的命令被编码成经编码的信号，其中，命令处理单元包括译码器，该译码器配置为当特定经编码的信号编码擦除命令时从特定经编码的信号提取该擦除命令。
68.权利要求36中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，所述擦除命令是块擦除命令。
69.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，实现为NAND闪速存储器设备。
70.权利要求37中限定的非易失性半导体存储器设备，其中，为识别控制器发出的命令，命令处理单元配置为将经由接口接收的信息载入至少一个寄存器并且将该信息译码为所述命令。
71.一种由非易失性半导体存储器设备执行的方法，该非易失性半导体存储器设备包括模块，该模块具有电路部件和输入，该方法包括：
响应于识别从控制器接收的擦除命令，使得设备从第一操作状态转换为第二操作状态；
当设备处于第一操作状态时，将信号电连接到模块的输入；并且
当设备处于第二操作状态时，将信号和模块的输入电解耦合。
72.一种具有控制器和非易失性半导体存储器设备的系统，包括：
控制器，配置为发出包括擦除命令的命令；和
非易失性半导体存储器设备，包括：
用于接收控制器发出的命令的接口，该命令包括擦除命令；
具有电路部件并且具有信号的模块；
能够可控地在第一操作状态和第二操作状态之间转换的可转换电路，其中在所述第一操作状态中，模块的输入能够接收用于模块的信号，在所述第二操作状态中，信号与模块的输入电解耦合；并且
命令处理单元，配置为识别控制器发出的命令，并且响应于识别擦除命令使得可转换电路从第一操作状态转换为第二操作状态。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11948629B2 (en) * 2005-09-30 2024-04-02 Mosaid Technologies Incorporated Non-volatile memory device with concurrent bank operations
US7277357B1 (en) * 2006-06-05 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reducing oscillation in synchronous circuits
US8291248B2 (en) 2007-12-21 2012-10-16 Mosaid Technologies Incorporated Non-volatile semiconductor memory device with power saving feature
KR20100106410A (ko) * 2007-12-21 2010-10-01 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드 전력 절약 특성을 갖는 비-휘발성 반도체 메모리 디바이스
US9223642B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-29 Super Talent Technology, Corp. Green NAND device (GND) driver with DRAM data persistence for enhanced flash endurance and performance
US8843692B2 (en) 2010-04-27 2014-09-23 Conversant Intellectual Property Management Inc. System of interconnected nonvolatile memories having automatic status packet
JP2013200830A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Corp メモリシステム
US9471484B2 (en) 2012-09-19 2016-10-18 Novachips Canada Inc. Flash memory controller having dual mode pin-out
KR20150098649A (ko) 2012-12-22 2015-08-28 퀄컴 인코포레이티드 비-휘발성 메모리의 이용을 통한 휘발성 메모리의 전력 소비 감소
TWI508099B (zh) * 2013-01-28 2015-11-11 Phison Electronics Corp 工作時脈切換方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
US9443602B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage device and data latch timing adjustment method
JP6440481B2 (ja) * 2014-12-15 2018-12-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN109891427A (zh) * 2016-05-24 2019-06-14 艾迪密身份与安全美国有限责任公司 形状检测
CN106158032A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 用于eeprom存储器的擦除和写入电路及其方法
CN106158012B (zh) * 2016-07-05 2019-07-16 深圳市紫光同创电子有限公司 Fpga片内sram的时序处理方法、片内sram及fpga
US10331517B2 (en) * 2016-08-26 2019-06-25 Qualcomm Incorporated Link error correction in memory system
CN108268085B (zh) * 2017-01-03 2023-05-26 三星电子株式会社 半导体装置
KR102493964B1 (ko) 2017-12-18 2023-02-01 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 그것을 포함하는 스토리지 장치, 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
TWI697099B (zh) * 2018-05-24 2020-06-21 香港商艾思科有限公司 記憶體裝置及其控制方法以及控制記憶體的方法
US10558594B2 (en) * 2018-05-24 2020-02-11 Essencecore Limited Memory device, the control method of the memory device and the method for controlling the memory device
CN109140670A (zh) * 2018-08-03 2019-01-04 广东美的暖通设备有限公司 Eeprom的数据写入的控制方法、系统及空调器
US11004499B1 (en) 2020-05-08 2021-05-11 Winbond Electronics Corp. Latency control circuit and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6216233B1 (en) * 1997-02-12 2001-04-10 Intel Corporation Maintaining a memory while in a power management mode
CN1485858A (zh) * 2002-07-12 2004-03-31 ���ǵ�����ʽ���� 用于选择功率下降退出的装置和方法
CN1902708A (zh) * 2003-10-09 2007-01-24 米克伦技术公司 用于为低功率刷新操作而控制时钟同步电路的电路及方法

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5167024A (en) 1989-09-08 1992-11-24 Apple Computer, Inc. Power management for a laptop computer with slow and sleep modes
US5333300A (en) 1991-02-11 1994-07-26 Intel Corporation Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory
US5430859A (en) 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
US5313429A (en) 1992-02-14 1994-05-17 Catalyst Semiconductor, Inc. Memory circuit with pumped voltage for erase and program operations
US5583457A (en) 1992-04-14 1996-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism
KR960000616B1 (ko) 1993-01-13 1996-01-10 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치
US5452259A (en) 1993-11-15 1995-09-19 Micron Technology Inc. Multiport memory with pipelined serial input
US5526311A (en) 1993-12-30 1996-06-11 Intel Corporation Method and circuitry for enabling and permanently disabling test mode access in a flash memory device
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
US5796673A (en) 1994-10-06 1998-08-18 Mosaid Technologies Incorporated Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory
JP3592386B2 (ja) 1994-11-22 2004-11-24 株式会社ルネサステクノロジ 同期型半導体記憶装置
US5765002A (en) 1995-03-13 1998-06-09 Intel Corporation Method and apparatus for minimizing power consumption in a microprocessor controlled storage device
KR960039006A (ko) * 1995-04-26 1996-11-21 김광호 디램버스에 접속가능한 불휘발성 반도체 메모리장치
US5742840A (en) 1995-08-16 1998-04-21 Microunity Systems Engineering, Inc. General purpose, multiple precision parallel operation, programmable media processor
JPH09212411A (ja) * 1996-02-06 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd メモリシステム
US5973552A (en) 1996-11-04 1999-10-26 Mosaid Technologies Incorporated Power savings technique in solid state integrated circuits
CA2204089C (en) 1997-04-30 2001-08-07 Mosaid Technologies Incorporated Digital delay locked loop
US5903496A (en) 1997-06-25 1999-05-11 Intel Corporation Synchronous page-mode non-volatile memory with burst order circuitry
JPH1116349A (ja) * 1997-06-26 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JPH11116349A (ja) * 1997-08-11 1999-04-27 Honda Motor Co Ltd 繊維強化セラミック成形体及び焼結体
US6442644B1 (en) 1997-08-11 2002-08-27 Advanced Memory International, Inc. Memory system having synchronous-link DRAM (SLDRAM) devices and controller
JP4039532B2 (ja) 1997-10-02 2008-01-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US5848026A (en) * 1997-12-08 1998-12-08 Atmel Corporation Integrated circuit with flag register for block selection of nonvolatile cells for bulk operations
JP4006072B2 (ja) * 1997-12-16 2007-11-14 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JP4060442B2 (ja) * 1998-05-28 2008-03-12 富士通株式会社 メモリデバイス
US6208542B1 (en) 1998-06-30 2001-03-27 Sandisk Corporation Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory
JP2000030448A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JP3880206B2 (ja) * 1998-07-16 2007-02-14 富士通株式会社 集積回路装置
JP2000036192A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
CN100359601C (zh) 1999-02-01 2008-01-02 株式会社日立制作所 半导体集成电路和非易失性存储器元件
JP4397076B2 (ja) * 1999-08-20 2010-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6205084B1 (en) * 1999-12-20 2001-03-20 Fujitsu Limited Burst mode flash memory
KR100355229B1 (ko) 2000-01-28 2002-10-11 삼성전자 주식회사 카스 명령의 동작 지연 기능을 구비한 반도체 메모리 장치및 이에 적용되는 버퍼와 신호전송 회로
US6728798B1 (en) 2000-07-28 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Synchronous flash memory with status burst output
JP4798843B2 (ja) * 2000-09-01 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3923715B2 (ja) * 2000-09-29 2007-06-06 株式会社東芝 メモリカード
JP2002132375A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Yamaha Corp クロック信号制御回路
EP1225597A1 (en) 2001-01-15 2002-07-24 STMicroelectronics S.r.l. Synchronous-reading nonvolatile memory
US6438060B1 (en) 2001-02-12 2002-08-20 Micron Technology, Inc. Method of reducing standby current during power down mode
JP2002358795A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置および製造方法
US6570791B2 (en) 2001-08-30 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Flash memory with DDRAM interface
US6605969B2 (en) 2001-10-09 2003-08-12 Micron Technology, Inc. Method and circuit for adjusting the timing of ouput data based on an operational mode of output drivers
JP2003123488A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP3799269B2 (ja) * 2001-12-10 2006-07-19 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US6677804B2 (en) 2002-02-11 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Dual bandgap voltage reference system and method for reducing current consumption during a standby mode of operation and for providing reference stability during an active mode of operation
JP4095317B2 (ja) 2002-03-14 2008-06-04 富士通株式会社 非同期式半導体記憶装置、非同期式半導体記憶装置の内部制御方法及びシステム
US6621762B1 (en) * 2002-05-29 2003-09-16 Micron Technology, Inc. Non-volatile delay register
US6809990B2 (en) 2002-06-21 2004-10-26 Micron Technology, Inc. Delay locked loop control circuit
US6707747B2 (en) 2002-07-08 2004-03-16 Micron Technology, Inc. Dynamic input thresholds for semiconductor devices
AU2003250431A1 (en) 2002-08-28 2004-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for reducing power consumption in a state retaining circuit, state retaining circuit and electronic device
KR100471182B1 (ko) * 2002-09-03 2005-03-10 삼성전자주식회사 레디/비지 핀을 이용하여 내부 전압 레벨을 알리는 반도체메모리 장치
JP2004110906A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
US6850458B2 (en) 2002-11-14 2005-02-01 Wen Li Controlling data strobe output
JP4005909B2 (ja) * 2002-12-26 2007-11-14 スパンション インク 半導体記憶装置、および半導体記憶装置の制御方法
US7308524B2 (en) 2003-01-13 2007-12-11 Silicon Pipe, Inc Memory chain
US6791889B2 (en) 2003-02-04 2004-09-14 Intel Corporation Double data rate memory interface
JP4326294B2 (ja) * 2003-09-16 2009-09-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
KR100590855B1 (ko) * 2003-10-14 2006-06-19 주식회사 하이닉스반도체 전류 소모의 감소를 위한 반도체 메모리 소자
JP4386706B2 (ja) * 2003-11-06 2009-12-16 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7031221B2 (en) 2003-12-30 2006-04-18 Intel Corporation Fixed phase clock and strobe signals in daisy chained chips
KR100966895B1 (ko) * 2004-01-06 2010-06-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리의 테스트 장치 및 방법
JP4583043B2 (ja) * 2004-02-13 2010-11-17 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
US7227383B2 (en) 2004-02-19 2007-06-05 Mosaid Delaware, Inc. Low leakage and data retention circuitry
KR100632944B1 (ko) * 2004-05-31 2006-10-12 삼성전자주식회사 동작 모드에 따라 프로그램 전압의 증가분을 가변할 수있는 불 휘발성 메모리 장치
US7382178B2 (en) 2004-07-09 2008-06-03 Mosaid Technologies Corporation Systems and methods for minimizing static leakage of an integrated circuit
US7078950B2 (en) 2004-07-20 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Delay-locked loop with feedback compensation
JP2006065922A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7583115B2 (en) 2004-08-26 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Delay line off-state control with power reduction
US7177208B2 (en) 2005-03-11 2007-02-13 Micron Technology, Inc. Circuit and method for operating a delay-lock loop in a power saving manner
US7561896B2 (en) * 2005-07-27 2009-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for origination signaling in a wireless network
KR100762259B1 (ko) 2005-09-12 2007-10-01 삼성전자주식회사 버스트 읽기 레이턴시 기능을 갖는 낸드 플래시 메모리장치
JP4999302B2 (ja) * 2005-09-15 2012-08-15 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
KR101293365B1 (ko) 2005-09-30 2013-08-05 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드 출력 제어 메모리
US20070076502A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Pyeon Hong B Daisy chain cascading devices
US7292061B2 (en) 2005-09-30 2007-11-06 Masaid Technologies Incorporated Semiconductor integrated circuit having current leakage reduction scheme
US7411429B2 (en) 2005-10-28 2008-08-12 Silicon Integrated Systems Corp. System and method for clock switching
US7430676B2 (en) * 2006-03-03 2008-09-30 Apple, Inc. Method and apparatus for changing the clock frequency of a memory system
US7366028B2 (en) 2006-04-24 2008-04-29 Sandisk Corporation Method of high-performance flash memory data transfer
DE102006023173B4 (de) * 2006-05-17 2012-07-19 Qimonda Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit Takterzeugung und Verfahren zum Betreiben eines integrierten Halbleiterspeichers
US7701764B2 (en) * 2006-05-17 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-NAND flash memory devices
JP2008097715A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Elpida Memory Inc 半導体メモリ及びメモリモジュール
US7752364B2 (en) 2006-12-06 2010-07-06 Mosaid Technologies Incorporated Apparatus and method for communicating with semiconductor devices of a serial interconnection
US20080201588A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Mosaid Technologies Incorporated Semiconductor device and method for reducing power consumption in a system having interconnected devices
US7804718B2 (en) * 2007-03-07 2010-09-28 Mosaid Technologies Incorporated Partial block erase architecture for flash memory
US7865756B2 (en) 2007-03-12 2011-01-04 Mosaid Technologies Incorporated Methods and apparatus for clock signal synchronization in a configuration of series-connected semiconductor devices
KR20100106410A (ko) 2007-12-21 2010-10-01 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드 전력 절약 특성을 갖는 비-휘발성 반도체 메모리 디바이스
US8291248B2 (en) 2007-12-21 2012-10-16 Mosaid Technologies Incorporated Non-volatile semiconductor memory device with power saving feature

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6216233B1 (en) * 1997-02-12 2001-04-10 Intel Corporation Maintaining a memory while in a power management mode
CN1485858A (zh) * 2002-07-12 2004-03-31 ���ǵ�����ʽ���� 用于选择功率下降退出的装置和方法
CN1902708A (zh) * 2003-10-09 2007-01-24 米克伦技术公司 用于为低功率刷新操作而控制时钟同步电路的电路及方法

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