CN101842910A - 用于制造光电转换器件的方法 - Google Patents

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Abstract

通过有效利用硅半导体材料提供了光电转换特性优秀的光电转换器件。本发明涉及一种用于制造利用太阳能电池的光电转换器件的方法，其中：多个单晶半导体衬底排列在具有绝缘表面的支承衬底上，在各个单晶半导体衬底的预定深度处形成了受损层；单晶半导体衬底的表面层部分利用受损层作为边界薄薄地分离，以在支承衬底的一个表面上形成单晶半导体层；以及该单晶半导体层被来自因单晶半导体层分离而暴露的表面侧的激光束辐照，以使该单晶半导体层的表面平坦化。

Description

用于制造光电转换器件的方法
技术领域
本发明涉及制造利用半导体层的光电转换器件的方法，更具体涉及利用单晶半导体层的光电转换器件。
背景技术
作为针对全球变暖的手段，太阳能光伏器件变得全世界流行。2005年全世界太阳能电池的总产量为1,759MW，这比前一财年增长了147％。当前，常见的太阳能电池是晶体太阳能电池，且利用单晶硅或多晶硅的太阳能电池占产量的大部分。这些太阳能电池利用硅晶片作为基片，该基片通过将大尺寸硅锭切割成圆而形成。
在利用硅作为材料的晶体太阳能电池中，足以吸收阳光的硅晶片厚度约为10μm。然而，实际硅晶片的厚度约为200μm到300μm。这意味着，用于晶体太阳能电池的硅晶片比光电转换所需的硅晶片厚度的十倍更厚或相等，从而不能说硅晶片被高效地利用。按极端的说法，硅晶片的大部分仅起保持太阳能电池形状的结构的作用。
随着太阳能电池产量提高，作为硅材料的多晶硅供应短缺、以及硅晶片的价格急剧升高成为该行业中的问题。2007年多晶硅的产量预期为约36,000吨；然而，半导体(LSI)所需的多晶硅为25,000吨或更多，太阳能电池所需的多晶硅为20,000吨或更多，藉此多晶硅的供应短缺预期约为10,000吨。此外，预期这样的供应短缺将继续。
然而，晶体薄膜硅太阳能电池的开发已经在这些情况的预期中进行。例如，公开了其中通过使用27MHz或更高的VHF并脉冲调制该VHF以在衬底上沉积晶体硅膜的用于制造硅薄膜太阳能电池的方法(参见专利文献1：日本已公开专利申请No.2005-50905)。此外，公开了当薄膜多晶硅膜通过等离子体CVD方法在称为纹理电极的表面具有微小不平整的特殊电极上形成时控制等离子体处理条件以优化向晶粒和晶粒边界添加掺杂剂的技术(参见专利文献2：日本已公开专利申请No.2004-14958)。
发明内容
然而，因为晶体质量低，晶体薄膜硅太阳能电池在光电转换特性方面仍劣于单晶硅太阳能电池。此外，晶体薄膜硅太阳能电池的问题在于，晶体硅膜需要通过化学汽相沉积方法形成来获得1μm或更厚的厚度，而且其生产率低。此外，成膜所需的气体生产率低；因此，晶体薄膜硅太阳能电池的充分优点从经济角度而言还未得到体现。
换言之，在晶体薄膜硅太阳能电池中，光电转换层通过诸如等离子体CVD方法之类的沉积技术形成；然而，必需大量半导体材料气流来提高沉积速度，从而产生低生产率的问题。另一方面，硅晶片的需求变得紧张，从而存在供应跟不上需求的问题。
鉴于上述问题，本发明目的在于高效地利用硅半导体材料，并提供制造光电转换特性优秀的光电转换器件的方法。
本发明涉及一种用于制造利用太阳能电池的光电转换器件的方法，其中：多个单晶半导体衬底排列在具有绝缘表面的支承衬底上，在各个单晶半导体衬底的预定深度处形成了受损层；单晶半导体衬底的表面层部分利用受损层作为边界薄薄地分离，以在支承衬底的一个表面上形成单晶半导体层；以及该单晶半导体层被来自因单晶半导体层分离而暴露的表面侧的激光束辐照，以使被激光束辐照的区域的至少一个表面层熔融和重新单晶化。
本发明的一个方面是一种用于制造光电转换器件的方法，该方法包括以下步骤：用其中的70％或更多为质量比氢分子质量大的氢的簇离子的离子束辐照单晶半导体衬底，以在离单晶半导体衬底的表面预定深度处形成受损层；在单晶半导体衬底被离子束辐照的表面侧上形成具有一导电类型的至少第一杂质半导体层、与第一杂质半导体层接触的第一电极、以及在第一电极层上的接合层；在具有绝缘表面的支承衬底的一个表面上设置多个单晶半导体衬底，其中接合层牢固地附连至支承衬底；通过热处理利用受损层作为边界分离并去除单晶半导体衬底的一部分，而该单晶半导体层保留在支承衬底上；在通过分离单晶半导体衬底的该部分而暴露的表面侧上形成导电类型与第一杂质半导体层的导电类型相反的第二杂质半导体层；以及在氮气气氛中用激光束从第二杂质半导体层侧辐照所述单晶半导体层，以处理第二杂质半导体层的表面。
本发明的一个方面是一种用于制造光电转换器件的方法，该方法包括以下步骤：用其中的70％或更多为质量比氢分子质量大的氢的簇离子的离子束辐照单晶半导体衬底，以在离单晶半导体衬底的表面预定深度处形成受损层；在单晶半导体衬底被离子束辐照的表面侧上形成具有一种导电类型的至少第一杂质半导体层、与第一杂质半导体层接触的第一电极、以及在第一电极层上的接合层；在具有绝缘表面的支承衬底的一个表面上设置多个单晶半导体衬底，其中接合层牢固地附连至支承衬底；通过热处理利用受损层作为边界分离并去除单晶半导体衬底的一部分，而该单晶半导体层保留在支承衬底上；在氮气气氛中用激光束从通过分离单晶半导体衬底的该部分而暴露的表面侧辐照单晶半导体层；然后在单晶半导体衬底的被激光束辐照的表面侧上形成导电类型与第一杂质半导体层的导电类型相反的第二杂质半导体层。
注意，单晶是晶面和晶轴对齐、且组成单晶的原子或分子空间有序的晶体。然而，虽然单晶由有序对准的原子构成，但单晶可能包括晶格缺陷，其中因为单晶的一部分可能包括有意或无意的晶格应变，所以对齐混乱。
通过辐照因分离单晶半导体层衬底的该部分而暴露的表面以使被激光束辐照的区域的至少表面层熔融和重新单晶化，可使单晶半导体层的表面平坦化。此外，通过进行激光处理，保留在单晶半导体层中的晶体缺陷可被修复。利用通过分离单晶半导体衬底的该部分而保留在支承衬底上的单晶半导体层作为光伏转换层，可制造光电转换特性优秀的光电转换器件。
此外，进行激光辐照以处理单晶半导体层的表面；然后杂质半导体层形成；从而杂质半导体层的杂质浓度可以高，浅结可形成。因此，能制造对光生载流子具有高收集效率的光伏转换器件。
附图简述
在附图中：
图1示出从圆形单晶半导体衬底切出的具有预定外尺寸的转移用半导体衬底的一个方面；
图2示出从圆形单晶半导体衬底切出的转移用半导体衬底的一个方面；
图3A和3B是转移用半导体衬底的结构，其中图3A是角部的放大图，而图3B是外端部的截面形状；
图4示出从圆形单晶半导体衬底切出的具有预定外尺寸的转移用半导体衬底的一个方面；
图5示出从圆形单晶半导体衬底切出的转移用半导体衬底的一个方面；
图6是示出接合至支承衬底的转移用半导体衬底的排列的平面图；
图7是示出光电转换器件的结构的平面图；
图8A到8D是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图9A和9B是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图10是示出支承衬底上的单晶半导体层的排列的平面图；
图11A到11C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图12A到12B示出光电转换器件的制造工艺；
图13是示出离子掺杂装置的结构的示意图；
图14是示出激光处理装置的结构的概念图；
图15是示出在支承衬底上的单晶半导体层上进行激光处理的一个方面的平面图；
图16A到16C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图17A到17C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图18A到18C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图19A到19C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图20A到20C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图21A到21C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图22A到22C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图23A和23B是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图24A到24C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图25A和25B是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图26A到26C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图27A到27C是示出光电转换器件的制造工艺的截面图；
图28A和28B是示出太阳能光伏模块的结构的平面图；以及
图29描述了太阳能光伏系统的示例。
实施本发明的最佳方式
实施方式
以下将参照附图描述本发明的实施方式。注意，本发明不限于以下描述，而且本领域技术人员容易理解的是，能按照多种方法修改模式和细节，而不背离本发明的精神和范围。因此，本发明不应被解释为受限于以下实施方式中的描述。在以下结构中，在全部附图中将共同使用指示相同部分的附图标记。
(单晶半导体衬底的处理1)
根据本发明的光伏转换器件通过利用吸收光能以产生光激发载流子的半导体层——即由单晶半导体层(通常为单晶硅)形成的光伏转换层而形成。该光伏转换层通过将锭或晶片单晶半导体衬底的表面层部分分离、并将该锭或晶片单晶半导体衬底的表面层部分固定到具有绝缘表面的衬底上来获得。
图1示出其中具有预定外尺寸的转移用半导体衬底从具有确定大小的圆形单晶半导体衬底切出以形成光伏转换层的一个方面。单晶半导体衬底100的一个典型示例是单晶硅晶片。替代地，可使用多晶硅晶片。转移用半导体衬底101的面积可通过制造与单晶半导体衬底100的圆周内接的正方形而最大化。然而，转移用半导体衬底101不一定是正方形。例如，在利用光伏转换器件制造太阳能光伏模块的情况下，转移用半导体衬底101可形成为使光接收面积根据模块的大小而最大化。注意，硅晶片的直径优选为300mm或更大，例如，优选使用直径为400mm或450mm(18英寸)的硅晶片。这是因为当设置多个太阳能电池时产生的开口(不发电区域)的面积在制造太阳能光伏模块的情况下可减小。
图2示出从圆形单晶半导体衬底切出的转移用半导体衬底的一个方面。如图1所示，在转移用半导体衬底101被切出(其顶点与单晶半导体衬底100的圆周内接)以形成沿切割线102和103的四边形的情况下，图中的虚线圆中所示的角部104的顶角度数基本为90°。这与转移用半导体衬底101从单晶半导体衬底100中切出的情况相同。
在该情况下，角部104优选被加工成曲面而不成为尖端部。图3A和3B示出转移用半导体衬底的结构。图3A是角部104的放大图，且此类处理成曲面能防止转移用半导体衬底101被损坏。此外，如图3B所示，优选转移用半导体衬底101的外端部通过削去尖角而被切成斜面，从而其截面形状被加工成具有曲面的形状或具有多阶角(multi-stage angle)的形状。这能通过防止对衬底的损伤而减少硅资源的浪费。注意，切出的边角料可通过熔融而再利用。
(单晶半导体衬底的处理2)
图4示出其中具有预定外尺寸的转移用半导体衬底101从具有确定大小的圆形单晶半导体衬底切出以形成与图1的光伏转换层不同的光伏转换层的一个方面。单晶半导体衬底100的一个典型示例是单晶硅晶片。替代地，可使用多晶硅晶片。转移用半导体衬底101的面积可通过制出与单晶半导体衬底100的圆周内接的正方形而最大化。然而，转移用半导体衬底101不一定是与图1的情况相似的正方形。
如图4所示，转移用半导体衬底101被切出，其中相对两边之间的距离比与圆周内接的矩形区126中的距离长。即，转移用矩形半导体衬底101可通过沿切割线102和103切割而被切出，从而不产生矩形90°的顶点。通过此类处理，如图5所示，制造显示面板所需的区域可固定在转移用半导体衬底101中，从而可制造角部不是锐角或90°的衬底。因为转移用半导体衬底101的角部不是直角，所以在操作该衬底时可防止其损坏。还如图3B所示，优选转移用半导体衬底101的外端部通过削去尖角而被切成斜面，从而其截面形状被加工成具有曲面的形状或具有多阶角的形状。这能通过防止对衬底的损伤而减少硅资源的浪费。注意，切出的边角料可通过熔融而再利用。
(单晶半导体层的排列)
图6示出了当转移用半导体衬底101接合至支承衬底105时的排列的示例。
作为支承衬底105，优选使用诸如玻璃衬底或陶瓷衬底之类的耐热绝缘衬底。例如，当玻璃衬底用作支承衬底105时，使用了用于电子电路行业的多种玻璃衬底，诸如铝硅玻璃衬底、铝硼硅玻璃衬底、或钡硼硅玻璃衬底。作为玻璃衬底，可采用用于液晶面板等等的玻璃衬底。作为支承衬底105，可使用具有500mm或更长边的矩形玻璃衬底。例如，可使用诸如第3.5代衬底(600mm×720mm或620mm×750mm)或第4代衬底(680mm×880mm或730mm×920mm)之类的母玻璃衬底。或者，可使用具有大面积的母玻璃衬底，诸如第6代衬底(1500mm×1850mm)、第七代衬底(1870mm×2200mm)或第8代衬底(2200mm×2400mm)。
通过使用具有大面积的玻璃衬底作为支承衬底105，利用光伏转换器件的太阳能光伏模块可具有大面积，从而生产率可提高。例如，在使用大小为600mm×720mm的玻璃衬底的情况下，使用了直径为450mm的硅晶片；因此，可附连大小为280mm×350mm的四个转移用半导体衬底101。通过从圆形硅晶片切出具有上述大小的转移用矩形半导体衬底101，硅晶片的边角料保留；然而，转移用半导体衬底101可在矩形玻璃衬底上密集地排列。而且，在使用大小为730mm×920mm的玻璃衬底作为支承衬底105的情况下，可附连大小为335mm×300mm的六个转移用半导体衬底101。
受损层在位于离转移用半导体衬底101的表面小于10μm的深度处的区域中形成，即位于50nm或更多且小于10000nm的深度，优选位于从100nm到5000nm的深度。单晶半导体层利用受损层作为边界从转移用半导体衬底101分离，并在支承衬底105上形成。利用从转移用半导体衬底101分离的单晶半导体层制造光伏转换器件的工艺细节将在以下实施方式中描述。
(实施方式1)
在该实施方式中，将参照附图描述通过从单晶半导体衬底分离薄单晶半导体层、并将分离出的单晶半导体层转移至具有绝缘表面的衬底或绝缘衬底来制造利用太阳能电池的光伏转换器件的方法。
图7是根据本实施方式的光伏转换器件10的平面图。当光照射在设置在支承衬底105上的单晶半导体层112上时，该光伏转换器件10发电。在单晶半导体层112中，用于形成内建电场的杂质半导体层形成。作为单晶半导体层112，通常使用单晶硅。此外，可使用多晶半导体层代替单晶半导体层112。在该情况下，使用多晶硅。
在图7的示例中，网状第二电极115设置在单晶半导体层112的表面侧上，而第一电极(在平面图中未示出)设置在单晶半导体层112的背面侧上。辅助电极114是连接至设置在单晶半导体层112的背面侧上的第一电极的电极。该实施方式的光伏转换器件10具有单晶半导体层112接合至具有绝缘表面的支承衬底105的结构，从而主要采用正电极和负电极二者均设置在支承衬底的同一表面侧上的结构。
接着，将参照与图7中的切割线A-B相对应的截面视图描述光伏转换器件10的制造工艺。
图8A中所示的转移用半导体衬底101从圆形单晶半导体衬底中切出成为基本四边形。转移用半导体衬底101的典型示例是单晶硅，而且具有镜面抛光表面的单晶硅是优选的。保护膜106优选由氧化硅或氮化硅形成，且通过化学汽相沉积法形成。当第一杂质半导体层在转移用半导体衬底101中形成时，该表面被离子辐照，从而该表面的平面度劣化；因此，优选设置保护膜106。保护膜106优选设置为50nm到200nm的厚度。
然后，具有一导电类型的第一杂质半导体层107在转移用半导体衬底101中形成。例如，作为赋予一导电类型的杂质的硼被添加至转移用半导体衬底101，以形成作为第一杂质半导体层107的p型半导体层。第一杂质半导体层107设置在与光入射面相反的面上，以形成背面场(BSF)。利用离子掺杂装置进行硼的添加，在该离子掺杂装置中，衬底被从B2H6和BF3的气源产生并通过电场加速(无质量分离)的离子流辐照。通过保护膜106向第一杂质半导体层107添加离子能防止表面因为离子辐照而产生的损伤。
在图8B中，保护膜106被去除，且第一电极108设置在第一杂质半导体层107上。第一电极108优选由耐热金属形成。作为该耐热金属，优选使用诸如钛、钼、钨或铬之类的金属材料。此外，这些金属材料中的任一种的氮化物可形成为与第一杂质半导体层107接触，从而第一电极层108具有由这些金属材料中的任一种的氮化物形成的层和由耐热金属形成的层的两层结构。通过设置由这些金属材料中的任一种的氮化物形成的层，第一电极108与第一杂质半导体层107的粘附力可提高。第一电极108通过真空沉积法或溅射法形成。
图8C示出转移用半导体衬底101被来其上形成有第一电极108的表面的含氢离子的离子束辐照，以形成受损层109。受损层109通过引入以氢离子(优选H3 +，其质量大于氢分子的质量)为代表的簇离子而在离表面一定深度处形成。受损层109形成处的深度由离子加速能量控制。根据受损层109形成处的深度，单晶半导体层的厚度得以确定；因此，用于加速簇离子的电场强度在考虑单晶半导体层的厚度的情况下确定。优选受损层109在小于10μm的深度处形成，即在50nm或更深且小于10000nm的深度处形成，优选离转移用半导体衬底101的表面100nm到5000nm处形成。此外，通过经由第一电极108向转移用半导体衬底101引入簇离子，可防止由于离子辐照引起的对转移用半导体衬底101的表面的损伤。氢簇离子通过第一杂质半导体层107引入以形成受损层109，因此该引入还可用作第一杂质半导体层107的氢化。
作为以H3 +为代表的氢离子的簇离子产生氢等离子体。受损层109可利用离子掺杂装置形成，在该离子掺杂装置中衬底被在氢等离子体中产生并通过电场加速(无质量分离)的离子辐照。通过使用离子掺杂装置，即使转移用半导体衬底101具有大面积，受损层109也可容易地形成。
图13是示出一离子掺杂装置的结构的示意图，其中转移用半导体衬底101被离子源200中产生的未进行质量分离的多个离子辐照。诸如氢气之类预定气体从供气部分204提供给离子源200。该离子源200设置有灯丝201。灯丝电源202对灯丝201施加电弧放电电压，并调节流过灯丝201的电流。从供气部分204提供的气体通过排气系统209排出。
离子源200中产生的离子被提取电极系统205提取，从而离子束117形成。放置在安装板206上的转移用半导体衬底101被离子束117辐照。离子束117中包含的离子比例通过设置在安装板206附近的质量分析管207进行测量。质量分析管207测得的离子密度通过质量分析仪208被转换成一信号，且其结果可反馈至电源控制器203。电源控制器203可根据测得离子密度的结果来控制灯丝电源202。
如图13所示，从供气部分204提供的诸如氢气之类的气体在离子掺杂装置的室中流动，并通过排气系统209排出。
这根据利用质量分析管207测得的流向安装板206的离子束117的离子质谱分析结果是显而易见的，而且H3 +与氢离子H+、H2 +以及H3 +的比例为70％或更多。因此，通过利用包含所产生的大量H3 +簇离子的离子束117辐照转移用半导体衬底101，氢的注入效率变得比辐照H+和H2 +的情况更高，从而可获得这样的显著效果——当剂量小时，转移用半导体衬底101的氢也能高浓度地注入。
通过提高H3 +的比例，受损层109中可包含1×1020原子/cm3或更高浓度的氢。在转移用半导体衬底101中形成的受损层109中，晶体结构受损且微孔形成，从而受损层109具有多孔结构。因此，在受损层109中形成的微孔的体积通过相对低温(600℃或更低)下的热处理而改变，而且可获得沿受损层109分离的单晶半导体层。
未引起注意的是，比形成为基本四边形的转移用半导体衬底101的边更长的线性离子束被扫描以辐照转移用半导体衬底101的表面，而且簇离子被引入转移用半导体衬底101中，藉此可在均匀深度处形成受损层109。
图8D示出接合层110在第一电极层108上形成的步骤。接合层110由诸如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜或氮化硅膜之类的绝缘膜形成。接合层110的材料不限，只要绝缘膜能由该材料形成。接合层110可由表面光滑和具有亲水性的膜形成。优选接合层110具有平均表面粗糙度(Ra)为1nm或更低、优选为0.5nm或更低的表面。注意，平均表面粗糙度(Ra)表示通过JIS B0601定义的中心线平均粗糙度的三维延展而获得可将Ra应用于测量表面的平均表面粗糙度。
作为形成光滑和亲水表面的绝缘膜，可使用含氢的氧化硅膜、含氢的氮化硅膜、含氧和氢的氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等。
注意氧氮化硅膜表示含氧比含氮多的层，而且在使用卢瑟福背散射质谱测量(RBS)和氢前散射(HFS)进行测量的情况下，氧氮化硅膜包括浓度范围分别为50％到70％原子百分数、0.5％到15％原子百分数、25％到35％原子百分数以及0.1％到10％原子百分数的氧、氮、硅以及氢。此外，氮氧化硅膜表示含氮比含氧多的膜，而且在使用RBS和HFS进行测量的情况下，氮氧化硅膜包括浓度范围分别为5％到30％原子百分数、20％到55％原子百分数、25％到35％原子百分数以及10％到30％原子百分数的氧、氮、硅以及氢。注意氮、氧、硅以及氢的百分比落在以上给出的范围中，其中氧氮化硅膜或氮氧化硅膜中包含的总原子数量被定义为100％原子百分数。
作为含氢的氧化硅膜，例如，可优选使用通过化学汽相沉积法由有机硅烷形成的氧化硅膜。这是因为由有机硅烷形成的氧化硅膜作为接合层110能增强支承衬底与转移的单晶半导体层之间的接合。可使用的有机硅烷的示例包括诸如四乙氧基硅烷(TEOS)(化学式Si(OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS)(化学式Si(CH3)4)、四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(化学式：SiH(OC2H5)3)以及三二甲基氨基硅烷(化学式：SiH(N(CH3)2)3)之类的含硅化合物。
含氢的氮化硅膜可利用硅烷气体和氨气通过等离子体CVD方法形成。氢气可添加至这些气体。含氧和氢的氮化硅膜可利用硅烷气体、氨气以及一氧化二氮气体通过等离子体CVD方法形成。在以上两种情况之一下，可采用含氢且利用硅烷等气体作为源气通过诸如等离子体CVD方法、低压CVD方法或大气压CVD方法之类的化学汽相沉积方法形成的诸如氧化硅膜、氧氮化硅膜或氮氧化硅膜之类的绝缘膜。推荐在足够低以保持氢从在单晶半导体衬底中形成的受损层109释放的350℃或更低温度下形成接合层110。
图9A示出了其中支承衬底105接合至转移用半导体衬底101的步骤。表面光滑且具有亲水性的接合层110紧密附连至要接合的支承衬底。氢键和范德瓦耳斯力作用于该接合。当接合层110的表面具有亲水性时，羟基或水分子用作粘合剂，且水分子通过稍后进行的热处理而扩散，藉此剩余的成分形成硅醇基(Si-OH)，且该硅醇基用于通过氢键接合而形成接合。此外，通过氢键接合的该接合因为氢的消耗和硅氧烷键(O-Si-O)的形成而具有共价键。因此，转移用半导体衬底101与支承衬底105之间的结合被加强。注意，氮化硅膜、氮氧化硅膜等可作为阻挡层111在支承衬底105的接合面上形成。阻挡层111的形成能防止来自支承衬底105的杂质污染。
为了在支承衬底105与接合层110之间良好地进行结合，接合表面优选被激活。例如，要形成接合的表面之一或二者用原子束或离子束辐照。当使用原子束或离子束时，可使用氩气等惰性气体的中性原子束或惰性气体的离子束。还可能通过等离子体辐照或自由基处理来激活接合表面。即使稍后要进行的热处理的温度为400℃或更低，此类表面处理也便于不同类型的材料之间的接合形成。
图9B示出了其中转移用半导体衬底101的表面层部分利用受损层109作为边界通过热处理分离并转移至支承衬底105的步骤。该热处理优选在等于或高于接合层110的膜形成温度且等于或低于支承衬底105的耐热温度的温度下进行。例如，形成于受损层109中的微孔的体积通过400℃到600℃下的热处理而改变，而且单晶半导体层112沿该区域分离。因为接合层110和支承衬底105彼此接合，所以单晶半导体层112和第一电极108保留在支承衬底105上。此时，单晶半导体层112形成为50nm或更厚且小于10000nm的膜厚度、优选为100nm到5000nm的膜厚度，与受损层形成的深度几乎相对应。
根据上述步骤，可提供利用接合层110固定于支承衬底105上的单晶半导体层112。单晶半导体层112已与之分离的表面具有平均表面粗糙度值(Ra)：7nm到10nm以及最大峰到谷高度(P-V)：300nm到400nm。注意，本实施方式中的峰到谷高度(P-V)代表最高峰的高度与最低谷的高度之差。本实施例中的峰和谷指的是通过由JISB0601所定义的“峰”和“谷”的三维延展而获得的峰和谷。该峰由指定表面中的峰的最高部分表示。该谷由指定表面中的谷的最低部分表示。而且，晶体缺陷由引入以形成受损层109的离子在单晶半导体层112中形成。
注意，如图10所示，多个单晶半导体层112可同时接合支承衬底105。例如，大小为280mm×350mm的四个转移用半导体衬底可附连至600mm×720mm的支承衬底105。
在图11A中，赋予与第一杂质半导体层107相反的导电类型的杂质可添加至单晶半导体层112，藉此形成第二杂质半导体层113。例如，添加磷或砷，以使n型半导体层被形成为第二杂质半导体层113。
注意，单晶半导体层112的表面最接近受损层109，或包括受损层109的一部分；因此，单晶半导体层112的表面层优选在稍后进行的激光处理之前通过蚀刻去除。作为蚀刻，可进行干法蚀刻或湿法蚀刻。
图11B示出了其中进行激光处理以修复保留在单晶半导体层112中的晶体缺陷的步骤。通过用激光束118辐照单晶半导体层112，至少单晶半导体层112的表面侧(单晶半导体层112的表面层)熔融以在后续的冷却过程中利用固态下层部分作为籽晶而重新单晶化。在该过程中，单晶半导体层112的表面平坦化，从而可获得单晶半导体层112a。通过激光处理第二杂质半导体层113，可获得其中杂质元素以高浓度分布在第二杂质半导体层113的表面侧上的区域中的第二杂质半导体层113a。在该激光处理中，至少被激光束辐照的区域优选在从250℃到600℃的温度下加热。通过加热要辐照的区域，激光束辐照的熔融时间可延长；从而晶体缺陷能有效修复。利用激光束118的辐照使单晶半导体层112的表面侧熔融，而支承衬底105几乎不加热。因此，诸如玻璃衬底之类的具有低耐热性的衬底可用作支承衬底105。此外，因为第一电极108由耐热金属形成，所以当第一电极108在上述温度下加热时，它不会有害地影响单晶半导体层112。硅化物在第一电极108与第一杂质半导体层107之间的界面处形成；从而电流容易流过。该激光处理用作第二杂质半导体层113的激活。
用于执行该激光处理的激光处理装置的示例将参照图14进行描述。激光处理装置包括激光振荡器210、将激光聚光或延展成具有窄截面的激光束的光学系统211、控制将用激光束辐照的区域的气氛的喷气管212、供气以控制通往喷气管212的气氛的供气部分213、流速控制部分214、气体加热部分215、悬置并输送支承衬底105的衬底平台222、支承衬底两端并输送该衬底的导轨223、以及向衬底平台222供气以供悬置的供气部分216。
作为激光振荡器210，选择了振荡波长为从紫外到可见光的光的激光振荡器。激光振荡器210优选振荡重复率为1MHz或更低而脉宽为10ns到500ns的脉冲式ArF、KrF或XeCl准分子激光、或诸如Nd:YAG激光或YLF激光之类的固态激光。例如，使用了重复率为10Hz到300Hz、脉宽为25ns以及波长为308nm的XeCl准分子激光。
光学系统211将激光聚光并延展以形成用于辐照表面的截面为线性形状的激光束。形成线性激光束的光学系统211包括圆柱透镜阵列217、圆柱透镜218、反射镜219以及平板圆柱透镜220。较长方向上约为100mm到700mm和较短方向上约为100μm到500μm的线性激光束可形成，但它取决于透镜的大小。
支承衬底105用通过喷气管212的光引入窗口221聚光并延展成线性形状的激光束辐照。该喷气管212设置在支承衬底105附近。氮气从供气部分213提供给喷气管212。氮气从喷气管212的正对支承衬底105的开口部分喷射。喷气管212的开口部分根据线性激光束118的光轴设置，从而支承衬底105用通过光引入窗口221透射的激光束辐照。由于从喷气管212的开口部分喷射的氮气，要用激光束辐照的区域变为具有氮气气氛。
支承衬底105将用激光束辐照的表面的温度可利用从喷气管212提供并在气体加热部分215中加热至高达250℃到600℃的氮气来控制。通过加热要辐照的区域，激光束辐照的熔融时间可如上所述地控制。
空气或氮气从供气部分216通过流速控制部分214提供给衬底平台222。从供气部分216提供的气体从衬底平台222的主表面喷射，从而支承衬底105的底面用该气体喷雾，藉此支承衬底105悬置。支承衬底105以其两端安装在滑块224上的方式被输送，该滑块224在导轨223上移动。因为支承衬底105用来自衬底平台222侧的气体喷雾，所以支承衬底105在悬置输送时不会弯曲。在本实施方式的激光处理装置中，氮气从喷气管212喷射至支承衬底105的顶面，而支承衬底的底面用该气体喷雾；因此，可防止支承衬底105弯曲。具有该结构的衬底平台222可有效处理一条边超过500mm且厚度为1mm或更薄的玻璃衬底。例如，可处理厚度为0.7mm或更薄的600mm×720mm或730×920mm的玻璃衬底。
衬底平台222可分成激光辐照部分附近区和另一区域。衬底平台222的激光辐照部分附近区可用通过气体加热部分215加热的氮气喷雾，从而支承衬底105可被加热。
图15示出其中这样的激光处理装置在支承衬底105上的单晶半导体层112上的情况下进行激光处理的一个方面。多个单晶半导体层112接合至支承衬底105，藉此多个单晶半导体层112的整个表面可用通过移动支承衬底105而被聚光和延展为线性形状的激光束118辐照。
图11C示出了其中单晶半导体层112a的末端部分被蚀刻以暴露第一电极108的步骤。至于蚀刻，可通过在单晶半导体层112a上形成掩模并利用诸如NF3或SF6之类的气体进行干法蚀刻。
图12A示出其中与第一电极108接触的辅助电极114以及第二杂质半导体层113a上的第二电极115形成的步骤。辅助电极114被形成为与图11C中通过蚀刻暴露的第一电极108接触。第二电极115具有如图7的平面图中所示的梳状或格状形状。辅助电极114和第二电极115可由铝、银、铅-锡(焊料)等形成。例如，辅助电极和第二电极115利用银浆料通过丝网印刷方法形成。
然后，如图12B所示，用作钝化膜的抗反射膜116形成。该抗反射膜116优选由氮化硅膜形成，且可由氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层形成。
以上述方式，可制造图7中所示的光伏转换器件10。根据该工艺，可利用不同材料之间的接合技术和激光处理技术在700℃或更低的处理温度(优选为500℃或更低)下制造具有厚度为10μm或更薄的单晶半导体层的光伏转换器件。换言之，可在700℃或更低的温度上限下在大面积玻璃衬底上制造包括单晶半导体层的光伏转换器件。该单晶半导体层通过分离单晶半导体衬底的表面层部分而获得。因为在单晶半导体层的表面层部分分离之后单晶半导体衬底可重复使用，所以资源可有效地使用。
(实施方式2)
在该实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺参照图16A到16C示出。如图16A所示，保护膜106在转移用半导体衬底101上形成，赋予一导电类型的杂质通过保护膜106添加以形成第一杂质半导体层107，然后氢的簇离子在保护膜106保留的情况下引入以形成受损层109。之后，如图16C所示，保护膜106被去除，从而第一电极108形成。
通过上述工艺，保护膜106可有效用作离子掺杂时的抗损坏层。即，通过在形成第一电极108之前去除因离子辐照而损伤的保护膜106，可防止转移用半导体衬底101的表面受损。而且，氢的簇离子通过第一杂质半导体层107引入以形成受损层109，因此该引入还可用作第一杂质半导体层107的氢化。
(实施方式3)
在该实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺参照图17A到17C示出。如图17A所示，第一电极108在转移用半导体衬底101上形成，赋予一导电类型的杂质通过第一电极108添加以形成第一半导体层107。然后，如图17C所示，氢的簇离子通过第一电极108和第一杂质半导体层107引入以形成受损层109。
在该工艺中，第一杂质半导体层107通过第一电极108形成；从而第一杂质半导体层107的厚度能容易地控制。此外，受损层109在形成第一电极108之后形成；因此，第一电极108在离子掺杂时可用作抗损坏层。因此，形成保护膜以供离子掺杂的步骤可省略。此外，氢的簇离子通过第一杂质半导体层107引入以形成受损层109；因此该引入还可用作第一杂质半导体层107的氢化。
(实施方式4)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺参照图18A到18C示出。如图18A所示，第一电极108在转移用半导体衬底101上形成，且如图18B所示，氢的簇离子通过第一电极108添加以形成受损层109。然后，如图18C所示，赋予一导电类型的杂质通过第一电极108引入，以形成第一杂质半导体层107。
在该工艺中，第一杂质半导体层107通过第一电极108形成；从而第一杂质半导体层107的厚度能容易地控制。此外，受损层109在形成第一电极108之后形成；因此，第一电极108在离子掺杂时可用作抗损坏层。因此，形成保护膜以供离子掺杂的步骤可省略。此外，第一杂质半导体层107在形成受损层109之后形成；因此第一杂质半导体层107的杂质浓度可以高，藉此浅结可形成。因此，可通过背面场(BSF)效应制造对光生载流子具有高收集效率的光伏转换器件。
(实施方式5)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图19A到19C中示出。如图19A所示，保护膜106在转移用半导体衬底101上形成，且氢的簇离子被引入以形成受损层109；且如图19B所示，赋予一种导电类型的杂质在保护膜106保留的情况下添加，以形成第一杂质半导体层107。然后，如图19C所示，保护膜106被去除，且第一电极108形成。
通过上述工艺，保护膜106可有效用作离子掺杂时的抗损坏层。即，通过在形成第一电极108之前去除因离子辐照而损伤的保护膜106，可防止转移用半导体衬底101的表面受损。此外，第一杂质半导体层107在形成受损层109之后形成；因此第一杂质半导体层107的杂质浓度可以高，藉此浅结可形成。因此，可通过背面场(BSF)效应制造对光生载流子具有高收集效率的光伏转换器件。
(实施方式6)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图20A到20C中示出。如图20A所示，保护膜106在转移用半导体衬底101上形成，且氢的簇离子通过保护膜106引入以形成受损层109；且如图20B所示，保护膜106被去除且第一电极108形成。然后，如图20C所示，赋予一导电类型的杂质通过第一电极108引入，从而形成第一杂质半导体层107。
保护膜106可有效用作离子掺杂时的抗损坏层。即，通过在形成第一电极108之前去除因离子辐照而损伤的保护膜106，可防止转移用半导体衬底101的表面受损。此外，第一杂质半导体层107在形成受损层109之后形成；因此第一杂质半导体层107的杂质浓度可以高，藉此浅结可形成。因此，可通过背面场(BSF)效应制造对光生载流子具有高收集效率的光伏转换器件。此外，通过经由第一电极108形成第一杂质半导体层107，第一杂质半导体层107的厚度能容易地控制。
(实施方式7)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图21A到21C中示出。单晶半导体层112接合至支承衬底105；第二杂质半导体层113形成；激光处理(图11B)在其上进行；以及然后如图21A所示，抗反射膜116形成。之后，如图21B所示，单晶半导体层112a的末端部分被蚀刻以暴露第一电极108，且如图21C所示，第二电极115和辅助电极114形成。第二电极115在抗反射膜116上形成；然而，第二电极115通过瞬时施加绝缘击穿电压而形成烧进接触可起电极的作用。
本实施方式可与实施方式2或6自由组合。
(实施方式8)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造方法在图22A到22C以及图23A和23B中示出。在将单晶半导体层112接合至支承衬底105之后(图9B)，进行激光处理以修复保留在单晶半导体层112中的晶体缺陷。通过用激光束118辐照单晶半导体层112，至少单晶半导体层112的表面侧熔融以在后续的冷却过程中利用固态下层部分作为籽晶而重新单晶化。在该过程中，单晶半导体层112的表面平坦化，从而可获得单晶半导体层112b。在该激光处理中，至少被激光束辐照的区域优选在从250℃到600℃的温度下加热。通过加热要辐照的区域，激光束辐照的熔融时间可延长；从而晶体缺陷能有效修复。利用激光束118的辐照使单晶半导体层112的表面侧熔融，而支承衬底105几乎不被加热。因此，可使用诸如玻璃衬底之类的具有低耐热性的衬底。此外，因为第一电极108由耐热金属形成，所以当第一电极108在上述温度下加热时，它不会有害地影响单晶半导体层112。硅化物在第一电极108与第一杂质半导体层107之间的界面处形成；从而电流容易流过。
注意，单晶半导体层112的表面最接近受损层109或包括受损层109的一部分；因此，单晶半导体层112的表面层优选在稍后进行的激光处理之前通过蚀刻去除。作为蚀刻，可进行干法蚀刻或湿法蚀刻。
至于激光处理，例如，可使用如图14所示的激光处理装置。如图15所示，通过这样的激光处理装置在支承衬底105上的单晶半导体层112上进行激光处理。
之后，如图22B所示，赋予与第一杂质半导体层107相反的导电类型的杂质被添加至单晶半导体层112b，藉此形成第二杂质半导体层113b。例如，添加磷或砷，以使n型半导体层被形成为第二杂质半导体层113b。在该情况下，因为单晶半导体层112b的表面处的晶体缺陷被前一步骤的激光处理所修复和平坦化，第二杂质半导体层113b中的杂质浓度和杂质添加的深度能得到精确控制。即，单晶半导体层112的表面利用激光束辐照进行处理，然后杂质被添加以形成第二杂质半导体层113b，藉此第二杂质半导体层113b中包含的杂质浓度可以为高，从而浅结可形成。因此，能制造对光生载流子具有高收集效率的光伏转换器件。此外，通过在形成第二杂质半导体层113b之前进行激光处理，因激光束辐照而产生的熔融区可扩展至单晶半导体层112的内部，且通过重新单晶化得到的修复晶体缺陷的效果可增强。
图22C示出了其中单晶半导体层112b的末端部分被蚀刻以暴露第一电极108的步骤。至于蚀刻，可通过在单晶半导体层112b上形成掩模并利用诸如NF3或SF6之类的气体进行干法蚀刻。
图23A示出了其中与第一电极108接触的辅助电极114以及第二杂质半导体层113b上的第二电极115形成的步骤。辅助电极114被形成为与图11C中通过蚀刻暴露的第一电极108接触。第二电极115具有如图7的平面图中所示的梳状或格状形状。辅助电极114和第二电极115可由铝、银、铅-锡(焊料)等形成。例如，辅助电极和第二电极115利用银浆料通过丝网印刷方法形成。
然后，如图23B所示，用作钝化膜的抗反射膜116形成。该抗反射膜116优选由氮化硅膜形成，且可由氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层形成。
以上述方式，可制造图7中所示的光伏转换器件10。根据该工艺，可利用不同类型的材料之间的接合技术和激光处理技术在700℃或更低的处理温度(优选为500℃或更低)下制造具有厚度为10μm或更薄的单晶半导体层的光伏转换器件。换言之，可在700℃或更低的温度上限下在大面积玻璃衬底上制造包括单晶半导体层的光伏转换器件。该单晶半导体层通过分离单晶半导体衬底的表面层部分而获得。因为在单晶半导体层的表面层部分分离之后的单晶半导体衬底可重复使用，所以资源可有效地使用。
本实施方式可与实施方式2到6自由组合。
(实施方式9)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图24A到24C以及图25A和25B中示出。在将单晶半导体层112接合到支承衬底105上之后(图9B)，如图22A所描述，进行激光处理以修复保留在单晶半导体层112中的晶体缺陷，如图24A所示。
之后，如图22B所描述，赋予与第一杂质半导体层107相反的导电类型的杂质被添加至单晶半导体层112b，藉此形成第二杂质半导体层113b。此外，通过在形成第二杂质半导体层113b之前进行激光处理，因激光束辐照而产生的熔融区可扩展至单晶半导体层112的内部，且通过重新单晶化得到的修复晶体缺陷的效果可增强。
然后，抗反射膜116如图24C所示地形成。
之后，如图25A所示，单晶半导体层112b的末端部分被蚀刻以暴露第一电极108，且如图25B所示，第二电极115和辅助电极114形成。第二电极115在抗反射膜116上形成；然而，第二电极115通过瞬时施加绝缘击穿电压而形成烧进接触可起电极的作用。
根据本实施方式，起钝化膜作用的抗反射膜116在第二杂质半导体层113b在单晶半导体层112b上形成之后形成；因此，表面复合速率可降低，且光电转换器件的转换效率可增强。
本实施方式可与实施方式2到实施方式6自由组合。
(实施方式10)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图26A到26C中示出。在将单晶半导体层112接合到支承衬底105上之后(图9B)，如图22A所描述，进行激光处理以修复保留在单晶半导体层112中的晶体缺陷，如图26A所示。通过用激光束118辐照，至少单晶半导体层112的表面侧熔融以在后续的冷却过程中利用固态下层部分作为籽晶而重新单晶化。在该过程中，单晶半导体层112的表面平坦化，从而可获得单晶半导体层112b。
之后，抗反射膜116如图26B所示地形成。
然后，如图26C所示，赋予与第一杂质半导体层107相反的导电类型的杂质被添加至单晶半导体层112b，藉此形成第二杂质半导体层113b。根据本实施方式，通过在形成第二杂质半导体层113b之前进行激光处理，因激光束辐照而产生的熔融区可扩展至单晶半导体层112的内部，且通过重新单晶化得到的修复晶体缺陷的效果可增强。
之后，如图25A所示，单晶半导体层112b的末端部分被蚀刻以暴露第一电极108，且如图25B所示，第二电极115和辅助电极114形成。第二电极115在抗反射膜116上形成；然而，第二电极115通过瞬时施加绝缘击穿电压而形成烧进接触可起电极的作用。
本实施方式可与实施方式2到实施方式6自由组合。
(实施方式11)
在本实施方式中，与实施方式1不同的制造工艺在图27A到27C中示出。在将单晶半导体层112接合到支承衬底105上(图9B)、并进行激光处理以修复保留在单晶半导体层112中的晶体缺陷(图22A)之后，如图27A所示，绝缘层119在单晶半导体层112b上形成。
之后，如图27B所示，开口部分在绝缘层119中形成以使单晶半导体层112b暴露，然后赋予与第一杂质半导体层107的导电类型相反的导电类型的杂质被添加至单晶半导体层112b，藉此第二杂质半导体层113b在开口部分中形成。通过在形成第二杂质半导体层113b之前进行激光处理，因激光束118辐照而产生的熔融区可扩展至单晶半导体层112的内部，且通过重新单晶化得到的修复晶体缺陷的效果可增强。
之后，如图27C所示，穿透绝缘层119和单晶半导体层112b以到达第一电极108的开口部分形成，且辅助电极114和第二电极115形成。此外，抗反射膜116形成。在本实施方式中，开口部分在单晶半导体层112b内侧形成，且电连接至第一电极108的辅助电极114形成；因此，光电转换器件的尺寸可缩小。
本实施方式可与实施方式2到实施方式6自由组合。
[实施例1]
在本实施例中，将描述根据本发明制造的利用光伏转换器件的太阳能光伏模块的示例和利用太阳能光伏模块的太阳能光伏系统。
图28A和28B示出了太阳能光伏模块的结构。图28A的太阳能光伏模块12包括光伏转换器件10，其中单晶半导体层112接合至支承衬底105。单晶半导体层112包括具有光电转换功能的第一杂质半导体层和第二杂质半导体层。
辅助电极114是连接至在单晶半导体层112的背面侧上形成的第一电极的电极，而第二电极115是具有梳状或格状形状的电极。辅助电极114和第二电极115在支承衬底105的一个表面上形成，且在支承衬底105的末端部分的区域处分别连接至用作连接器的第一背面电极120和第二背面电极121。图28B是对应于图28A的切割线C-D的截面图。辅助电极114和第二电极115分别通过支承衬底105的开口连接至第一背面电极120和第二背面电极121。
如图所述，光伏转换器件10通过将单晶半导体层112接合在支承衬底105上形成，藉此可制成薄太阳能光伏模块。
图29示出利用太阳能光伏模块12的太阳能光伏系统的示例。一个或多个太阳能光伏模块12的输出功率利用充电控制器电路122对可充电电池123充电。当充电量大时，存在输出电能直接输出至负载124的情况。
当双电荷层电容器用作可充电电池123时，该电池可迅速充电而无需为充电进行化学反应。此外，通过使用双电荷层电容器，相比使用利用化学反应的铅电池的情况而言，寿命可提高约八倍且充-放电效率可时间减半。负载124可应用于诸如照明之类的多种用途，诸如荧光灯、发光二极管、电致发光面板、小电子设备等。
本申请基于2007年11月1日向日本专利局提交的日本专利申请S/N2007-285252和2007年11月1日向日本专利局提交的日本专利申请S/N2007-285253。

Claims (32)

1.一种用于制造光电转换器件的方法，包括以下步骤：
通过用离子束辐照单晶半导体衬底的第一表面在所述单晶半导体衬底中形成受损层，其中所述离子束包括氢的簇离子；
在所述第一表面上形成与所述第一表面接触的第一杂质半导体层，其中所述第一杂质半导体层具有一导电类型；
在所述第一杂质半导体层上形成与所述第一杂质半导体层接触的第一电极；
在所述第一电极上形成接合层；
将支承衬底附连至所述接合层；
通过热处理利用所述受损层作为边界分离所述单晶半导体衬底的一部分，其中所述单晶半导体的所述部分未从所述支承衬底分离；
在所述单晶半导体衬底的所述部分的第二表面上形成第二杂质半导体层，其中所述第二杂质半导体层具有另一导电类型；以及
用激光束辐照所述第二杂质半导体层。
2.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在辐照所述第二杂质半导体层的步骤之后，使所述第一电极的一部分暴露；
形成与所述第一电极接触的辅助电极；以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
3.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束辐照以使所述单晶半导体的所述部分的受辐照区域在从250℃到600℃的温度下加热。
4.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述氢的簇离子是H3 +。
5.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束在氮气气氛中辐照。
6.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述受损层在离所述第一表面小于10μm的深度处形成。
7.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述支承衬底是具有500mm或更长的边的矩形玻璃衬底。
8.如权利要求1所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述单晶半导体衬底的直径为300mm或更大。
9.一种用于制造光电转换器件的方法，包括以下步骤：
通过用离子束辐照单晶半导体衬底的第一表面在所述单晶半导体衬底中形成受损层，其中所述离子束包括氢的簇离子；
在所述第一表面上形成与所述第一表面接触的第一杂质半导体层，其中所述第一杂质半导体层具有一导电类型；
在所述第一杂质半导体层上形成与所述第一杂质半导体层接触的第一电极；
在所述第一电极上形成接合层；
将支承衬底附连至所述接合层；
通过热处理利用所述受损层作为边界分离所述单晶半导体衬底的一部分，其中所述单晶半导体的所述部分未从所述支承衬底分离；
用激光束辐照所述单晶半导体衬底的所述部分的第二表面；以及
在辐照所述第二表面的所述步骤之后，在所述第二表面上形成第二杂质半导体层，其中所述第二杂质半导体层具有另一导电类型。
10.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在形成所述第二杂质半导体层的所述步骤之后，使所述第一电极的一部分暴露；
形成与所述第一电极接触的辅助电极；以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
11.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束辐照以使所述单晶半导体的所述部分的受辐照区域在从250℃到600℃的温度下加热。
12.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述氢的簇离子是H3+。
13.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束在氮气气氛中辐照。
14.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述受损层在离所述第一表面小于10μm的深度处形成。
15.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述支承衬底是具有500mm或更长的边的矩形玻璃衬底。
16.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述单晶半导体衬底的直径为300mm或更大。
17.一种用于制造光电转换器件的方法，包括以下步骤：
通过用离子束辐照单晶半导体衬底的第一表面在所述单晶半导体衬底中形成受损层，其中所述离子束包括氢的簇离子；
在所述第一表面上形成与所述第一表面接触的第一杂质半导体层，其中所述第一杂质半导体层具有一导电类型；
在所述第一杂质半导体层上形成与所述第一杂质半导体层接触的第一电极；
在所述第一电极上形成接合层；
将支承衬底附连至所述接合层；
通过热处理利用所述受损层作为边界分离所述单晶半导体衬底的一部分，其中所述单晶半导体的所述部分未从所述支承衬底分离；
在所述单晶半导体衬底的所述部分的第二表面上形成第二杂质半导体层，其中所述第二杂质半导体层具有另一导电类型；以及
用激光束辐照所述第二杂质半导体层，
其中所述簇离子的质量比氢分子的质量重。
18.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在辐照所述第二杂质半导体层的步骤之后，使所述第一电极的一部分暴露；
形成与所述第一电极接触的辅助电极；以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
19.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束辐照以使所述单晶半导体的所述部分的受辐照区域在从250℃到600℃的温度下加热。
20.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述氢的簇离子是H3 +。
21.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束在氮气气氛中辐照。
22.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述受损层在离所述第一表面小于10μm的深度处形成。
23.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述支承衬底是具有500mm或更长的边的矩形玻璃衬底。
24.如权利要求17所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述单晶半导体衬底的直径为300mm或更大。
25.一种用于制造光电转换器件的方法，包括以下步骤：
通过用离子束辐照单晶半导体衬底的第一表面在所述单晶半导体衬底中形成受损层，其中所述离子束包括氢的簇离子；
在所述第一表面上形成与所述第一表面接触的第一杂质半导体层，其中所述第一杂质半导体层具有一导电类型；
在所述第一杂质半导体层上形成与所述第一杂质半导体层接触的第一电极；
在所述第一电极上形成接合层；
将支承衬底附连至所述接合层；
通过热处理利用所述受损层作为边界分离所述单晶半导体衬底的一部分，其中所述单晶半导体的所述部分未从所述支承衬底分离；
用激光束辐照所述单晶半导体衬底的所述部分的第二表面；以及
在辐照所述第二表面的所述步骤之后，在所述第二表面上形成第二杂质半导体层，其中所述第二杂质半导体层具有另一导电类型；
其中所述簇离子的质量比氢分子的质量重。
26.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在形成所述第二杂质半导体层的所述步骤之后，使所述第一电极的一部分暴露；
形成与所述第一电极接触的辅助电极；以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
27.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束辐照以使所述单晶半导体的所述部分的受辐照区域在从250℃到600℃的温度下加热。
28.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述氢的簇离子是H3 +。
29.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述激光束在氮气气氛中辐照。
30.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述受损层在离所述第一表面小于10μm的深度处形成。
31.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述支承衬底是具有500mm或更长的边的矩形玻璃衬底。
32.如权利要求25所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，
所述单晶半导体衬底的直径为300mm或更大。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108496238A (zh) * 2016-02-05 2018-09-04 株式会社日立高新技术 场电离离子源、离子束装置以及光束照射方法
CN108735565A (zh) * 2017-04-19 2018-11-02 日本株式会社日立高新技术科学 离子束装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090139558A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Shunpei Yamazaki Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
EP2075850A3 (en) * 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP5438986B2 (ja) 2008-02-19 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5552276B2 (ja) * 2008-08-01 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
EP2161760B1 (en) * 2008-09-05 2017-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric Conversion Device
SG161151A1 (en) * 2008-10-22 2010-05-27 Semiconductor Energy Lab Soi substrate and method for manufacturing the same
SG182208A1 (en) * 2008-12-15 2012-07-30 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of soi substrate and manufacturing method of semiconductor device
US8178422B2 (en) * 2009-03-31 2012-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of measurement in semiconductor fabrication
KR101038967B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US8704083B2 (en) 2010-02-11 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and fabrication method thereof
KR101077504B1 (ko) 2010-08-17 2011-10-28 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP2012049285A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池用基板及び太陽電池
KR101699312B1 (ko) * 2011-01-28 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2013058562A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
KR101832230B1 (ko) 2012-03-05 2018-04-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
DE102012110971A1 (de) * 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
JP6397273B2 (ja) * 2013-10-21 2018-09-26 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ シリコン太陽電池のモジュールレベル処理
JP5541409B2 (ja) * 2013-11-27 2014-07-09 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
US11742437B2 (en) * 2020-03-27 2023-08-29 Stmicroelectronics Ltd WLCSP with transparent substrate and method of manufacturing the same
CN111463301A (zh) * 2020-05-19 2020-07-28 东方日升新能源股份有限公司 一种硅片/电池片、光伏电池组件及载具、设计排布方法

Family Cites Families (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180618A (en) * 1977-07-27 1979-12-25 Corning Glass Works Thin silicon film electronic device
US4633034A (en) * 1985-02-08 1986-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
US4665277A (en) * 1986-03-11 1987-05-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Floating emitter solar cell
JPH01227307A (ja) 1988-03-08 1989-09-11 Asahi Glass Co Ltd 透明導電体
ATE195390T1 (de) * 1990-05-07 2000-08-15 Canon Kk Solarzelle
JPH04276665A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Canon Inc 集積型太陽電池
JPH04307741A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JP3075830B2 (ja) * 1992-04-01 2000-08-14 三洋電機株式会社 光起電力装置の製造方法
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池
US6906383B1 (en) * 1994-07-14 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacture thereof
JP3381443B2 (ja) * 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびｓｏｉ基板の製造方法
JPH08255762A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp 半導体デバイスの製造方法
JPH09255487A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Sony Corp 薄膜半導体の製造方法
JPH1093122A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜太陽電池の製造方法
JP4103968B2 (ja) * 1996-09-18 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JP3492142B2 (ja) * 1997-03-27 2004-02-03 キヤノン株式会社 半導体基材の製造方法
JPH10284431A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Sharp Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
US6033974A (en) * 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
JPH10335683A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk タンデム型太陽電池およびその製造方法
US6534380B1 (en) * 1997-07-18 2003-03-18 Denso Corporation Semiconductor substrate and method of manufacturing the same
US6388652B1 (en) * 1997-08-20 2002-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device
US6686623B2 (en) * 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
US6331208B1 (en) * 1998-05-15 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor
JP2000012864A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP3385972B2 (ja) * 1998-07-10 2003-03-10 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
US6271101B1 (en) * 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP2000077287A (ja) 1998-08-26 2000-03-14 Nissin Electric Co Ltd 結晶薄膜基板の製造方法
JP4476390B2 (ja) * 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000124092A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
JP2000150940A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Denso Corp 半導体微粒子集合体及びその製造方法
KR20000040104A (ko) * 1998-12-17 2000-07-05 김영환 실리콘 온 인슐레이터 웨이퍼의 제조방법
JP4452789B2 (ja) * 1999-09-01 2010-04-21 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法
JP2001160540A (ja) 1999-09-22 2001-06-12 Canon Inc 半導体装置の製造方法、液相成長法及び液相成長装置、太陽電池
JP4450126B2 (ja) * 2000-01-21 2010-04-14 日新電機株式会社 シリコン系結晶薄膜の形成方法
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
JP2002050781A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Toyota Motor Corp タンデム型太陽電池およびその製造方法
JP3513592B2 (ja) * 2000-09-25 2004-03-31 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の製造方法
FR2894990B1 (fr) * 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
JP2002231628A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
JP3697214B2 (ja) * 2001-03-16 2005-09-21 キヤノン株式会社 半導体膜の製造方法
JP2002348198A (ja) 2001-05-28 2002-12-04 Nissin Electric Co Ltd 半導体素子エピタキシャル成長用基板及びその製造方法
JP2003017723A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
US7119365B2 (en) * 2002-03-26 2006-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
JP4103447B2 (ja) 2002-04-30 2008-06-18 株式会社Ｉｈｉ 大面積単結晶シリコン基板の製造方法
JP2004014958A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法
US6908797B2 (en) * 2002-07-09 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4289837B2 (ja) * 2002-07-15 2009-07-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法
JP4328067B2 (ja) * 2002-07-31 2009-09-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法、並びにイオン注入装置
JP2004087667A (ja) 2002-08-26 2004-03-18 Hitachi Cable Ltd 結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法
US6818529B2 (en) * 2002-09-12 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming a silicon film across the surface of a glass substrate
US7508034B2 (en) * 2002-09-25 2009-03-24 Sharp Kabushiki Kaisha Single-crystal silicon substrate, SOI substrate, semiconductor device, display device, and manufacturing method of semiconductor device
JP4387091B2 (ja) * 2002-11-05 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7399681B2 (en) * 2003-02-18 2008-07-15 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
JP2005036077A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 接着性フィルム
JP2005050905A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp シリコン薄膜太陽電池の製造方法
JP2005129602A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル
JP5110772B2 (ja) 2004-02-03 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜層を有する基板の製造方法
JP2005268682A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Canon Inc 半導体基材及び太陽電池の製造方法
US7534702B2 (en) * 2004-06-29 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US7473969B2 (en) * 2004-08-18 2009-01-06 Corning Incorporated High strain glass/glass-ceramic containing semiconductor-on-insulator structures
US7410882B2 (en) * 2004-09-28 2008-08-12 Palo Alto Research Center Incorporated Method of manufacturing and structure of polycrystalline semiconductor thin-film heterostructures on dissimilar substrates
EP1962340A3 (en) * 2004-11-09 2009-12-23 S.O.I. TEC Silicon Method for manufacturing compound material wafers
US7247545B2 (en) * 2004-11-10 2007-07-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fabrication of a low defect germanium film by direct wafer bonding
US7148124B1 (en) * 2004-11-18 2006-12-12 Alexander Yuri Usenko Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers
EP1973155B1 (en) * 2004-11-19 2011-07-06 S.O.I. TEC Silicon Method for fabricating a germanium on insulator (GeOI) type wafer
JP2006186016A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2006332162A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Kaneka Corp シリコン系積層型薄膜太陽電池
FR2888663B1 (fr) * 2005-07-13 2008-04-18 Soitec Silicon On Insulator Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant
WO2007046290A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2009515369A (ja) * 2005-11-07 2009-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光電池接触部及び配線の形成
CN101512721A (zh) * 2006-04-05 2009-08-19 硅源公司 利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构
JP2007281316A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Sumco Corp Ｓｉｍｏｘウェーハの製造方法
US7579654B2 (en) * 2006-05-31 2009-08-25 Corning Incorporated Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing
US20070281440A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Jeffrey Scott Cites Producing SOI structure using ion shower
FR2911430B1 (fr) * 2007-01-15 2009-04-17 Soitec Silicon On Insulator "procede de fabrication d'un substrat hybride"
CN101281912B (zh) * 2007-04-03 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 Soi衬底及其制造方法以及半导体装置
CN101652867B (zh) * 2007-04-06 2012-08-08 株式会社半导体能源研究所 光伏器件及其制造方法
EP2143146A1 (en) * 2007-04-13 2010-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photovoltaic device and method for manufacturing the same
KR101440930B1 (ko) * 2007-04-20 2014-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｓｏｉ 기판의 제작방법
EP1993127B1 (en) * 2007-05-18 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108496238A (zh) * 2016-02-05 2018-09-04 株式会社日立高新技术 场电离离子源、离子束装置以及光束照射方法
CN108496238B (zh) * 2016-02-05 2020-05-19 株式会社日立高新技术 场电离离子源、离子束装置以及光束照射方法
CN108735565A (zh) * 2017-04-19 2018-11-02 日本株式会社日立高新技术科学 离子束装置
US10651006B2 (en) 2017-04-19 2020-05-12 Hitachi High-Tech Science Corporation Ion beam apparatus
CN108735565B (zh) * 2017-04-19 2020-09-25 日本株式会社日立高新技术科学 离子束装置

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