CN101563195B - 加热生产线中的物体的系统和方法 - Google Patents

加热生产线中的物体的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101563195B
CN101563195B CN2007800471050A CN200780047105A CN101563195B CN 101563195 B CN101563195 B CN 101563195B CN 2007800471050 A CN2007800471050 A CN 2007800471050A CN 200780047105 A CN200780047105 A CN 200780047105A CN 101563195 B CN101563195 B CN 101563195B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mirror
light
setting
production line
along
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800471050A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101563195A (zh
Inventor
H·莫恩克
J·拜尔
J·本戈奇
U·韦克曼
S·蒙泰克斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongkuai Optoelectronic Device Co ltd
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN101563195A publication Critical patent/CN101563195A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101563195B publication Critical patent/CN101563195B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B13/00—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
    • B29B13/02—Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by heating
    • B29B13/023—Half-products, e.g. films, plates
    • B29B13/024—Hollow bodies, e.g. tubes or profiles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0822—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using IR radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C2949/00—Indexing scheme relating to blow-moulding
    • B29C2949/07—Preforms or parisons characterised by their configuration
    • B29C2949/0715—Preforms or parisons characterised by their configuration the preform having one end closed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
    • B29C49/02—Combined blow-moulding and manufacture of the preform or the parison
    • B29C49/06—Injection blow-moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
    • B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C49/64—Heating or cooling preforms, parisons or blown articles
    • B29C49/68—Ovens specially adapted for heating preforms or parisons
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C49/00—Blow-moulding, i.e. blowing a preform or parison to a desired shape within a mould; Apparatus therefor
    • B29C49/42—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C49/64—Heating or cooling preforms, parisons or blown articles
    • B29C49/68—Ovens specially adapted for heating preforms or parisons
    • B29C49/6835—Ovens specially adapted for heating preforms or parisons using reflectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2067/00—Use of polyesters or derivatives thereof, as moulding material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/25—Solid
    • B29K2105/253—Preform
    • B29K2105/258—Tubular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H01S5/426—Vertically stacked cavities

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Blow-Moulding Or Thermoforming Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

一种用于在生产线(P)上的热处理过程中加热物体(O)的系统和方法(10)，包括：用于沿所述生产线(P)以输送方向(OT)输送物体的输送系统(11)，镜设置(201，202，203，204，205，206)，包括沿所述生产线的至少一段(P)设置在相对侧的第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)，以使得所述物体(O)可以沿所述生产线(P)在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被输送，以及辐射设备(30)，包括用于产生光(L)的多个激光器，从而所述辐射设备(30)和所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得进入所述镜设置的光(L)的主方向(R)被引导与所述生产线(P)成角度地朝着所述第一镜表面(21，21’，21”)，并且所述光(L)随后在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间经历多次反射，以便所述光(L)的多次反射系列沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一段在输送方向(OT)上行进，或者沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一段在与所述输送方向(OT)相反的方向上行进，并且加热在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被输送的物体(O)。

Description

加热生产线中的物体的系统和方法
技术领域
本发明总体上涉及用于加热物体的系统和在生产线上的热处理过程(特别是热变形过程)中加热物体的方法。
背景技术
对于工业上的加热应用(例如热变形处理，如吹瓶、干燥、硬化、快速热处理等等)，如白炽灯或氙灯的光源直至今日已经典型地被使用。同时，I R激光二极管是最为有效的辐射源。除了辐射的高准直之外，定义明确和狭窄的波长带使得它们成为用于工业加热应用的第二代光源，这些应用中白炽灯或氙灯已经到达了它们的极限。WO2006/056673A1中给出了激光加热方法和用于吹瓶的实际设置的概括。该文献提出激光的高功率强度以及800-1064nm的波长范围的优点，这对于PET加热是有益的，因为吸收相当低。所述优点在于所述辐射被整个体积吸收，而非仅由表皮吸收。另一方面，这需要激光多次经过PET结构。因此，在此文献中，给出了一些适用于激光光线多次经过的反射器设置，从而所述反射器设置包括两个相对的半圆形反射器表面。被引导进入该反射器设置的激光光束以星形方式围绕所述半圆形反射器表面的公共焦点在所述反射器表面之间经历多次径向反射。为了充分利用表面之间被反射的光，PET结构必须位于所述反射器设置的中央。这需要分段式处理PET结构，并且不允许连续的生产流程。另一个缺点在于这些实施例中需要的用于加热过程的激光光源是高功率激光二极管棒。在此文献中所述单个1cm长的激光棒所发射的红外功率是100W。然而高功率二级管激光棒十分昂贵。此外，极端的能量汇聚需要先进的安装和冷却技术，这又导致成本可能比原始激光二极管的成本高出十倍。
US 5,780,524公开了一种用于通过光纤的激光器能量的谐振能量吸收来非接触量子加热热塑性光纤的方法和装置。所述装置包括激光炉和激光器。所述激光炉的内表面可以由与波长有关的反射涂层处理。该涂层可以被设计为对激光能量束或者镜面反射或者漫反射。镜面反射的次数将由激光炉相对于激光束的方位所控制。因此，随着角度接近89度，横穿炉长度的反射次数大大提高。所述激光炉为圆柱形，并且所述激光器是一氧化碳连续波激光器。
发明内容
本发明的目的是提供更为经济的用于加热物体的系统和在生产线上的热处理过程中(特别是热变形处理过程中)加热物体的方法，同时允许连续的生产流程。
为此，本发明提供一种用于在生产线上的热处理过程中加热物体的系统，包括：
-用于沿所述生产线以输送方向输送物体的输送系统，
-镜设置，包括沿所述生产线的至少一段设置在相对侧的第一镜表面和第二镜表面，以使得所述物体可以沿所述生产线在所述镜表面之间被输送，
-以及辐射设备，包括用于产生光的多个激光器，
从而所述辐射设备和所述镜设置被构建成使得进入所述镜设置的光的主方向被引导以与所述生产线成一角度地朝向所述第一镜表面，并且所述光随后在所述镜表面之间经历多次反射，以便所述光的多次反射系列在输送方向上(即与所述物体一起)沿所述镜表面的至少一段行进，或者与所述输送方向相反地沿所述镜表面的至少一段行进，并且加热在所述镜之间被输送的物体。
因此，光的“主方向”应当被理解为光的大部分被辐射的方向。在光的分束情况下，主方向例如是光束的中心轴的方向。
此外，术语“光的多次反射系列”-在光以输送方向或与所述输送方向相反的方向沿所述镜表面的至少一段行进的上下文中-应当理解为光束在相同方向上沿所述镜表面的一段持续进行的两次或三次以上的连续反射，而不是在中心焦点处被来回反射，如WO2006/056673A1的实施例中所述。本发明的上下文中的“镜表面”是基本上完全反射落在该表面上的光的任何表面。因此，下文中，术语“反射器”和“镜”被交替使用并具有相同的含义。
本发明提供一种对应的用于在生产线上的热处理过程中加热物体的方法，
-其中所述物体沿着所述生产线在镜设置的第一镜表面和第二镜表面之间被输送，所述第一镜表面和第二镜表面沿所述生产线的至少一段被设置在相对侧，
-其中光通过辐射设备的多个激光器而产生，
-其中所产生的光被引导进入所述镜设置，以便进入所述镜设置的光的主方向被引导以与所述生产线成一角度地朝向所述第一镜表面，并且所述镜设置被构建成以便所述光随后在所述镜表面之间经历多次反射，以便所述光的多次反射系列在输送方向上沿所述镜表面的至少一段行进，或者与所述输送方向相反地沿所述镜表面的至少一段行进，并且加热在所述镜之间被输送的物体。
该构造的优点在于它允许进入所述镜设置的光在连续的生产流程中被充分利用。由于对入射光的创造性地利用，可以减少辐射源的光输出-通过使用较少的高功率激光二极管棒，或者，如下所述地通过有利地使用更多的经济型低功率激光二极管。
从属权利要求以及此后的说明特别披露了本发明的优势实施例和特征。
优选地，根据本发明的系统用于加热对于所产生的光至少部分透明的物体，以便在所述物体通过所述镜设置被输送时，所述光在所述镜表面之间被多个物体部分地吸收。在这样的应用中，根据本发明的镜设置尤其有利，因为在所述光经过将被加热的物体的每次通过过程中，所述光只是部分“被使用”-即被吸收，并且由于被削弱的光束随后立即被反射至另一物体上，因此所述光的剩余能量可以被再次利用。当然，根据本发明的系统也可以用于其它类型产品的热处理，特别是当这些是通过被相对长的距离分隔开的处理链输送的产品时，以便光束可能只在先在所述镜设置中经历多次反射之后才接触物体。所述系统十分优选地用于热变形处理，例如前述PET吹瓶。
根据实际应用，可能沿所述物体的输送方向需要不同的强度分布。例如，在一种应用中，光的均匀分布辐射可能是必须的，而在另一种应用中，需要初始轻微加热，之后是光强度的稳步增加直到最终达到特定的热点。同样地，在另一种应用中，热点之后可能需要更加缓慢的冷却。因此，在优选实施例中，所述镜设置被构建成以便所述光的多次反射导致了在从光进入所述镜设置的入射点起下游的光的行进方向上对于特殊应用所期望的光的预定强度分布。因此，可以为空的镜设置(即没有物体被输送的设置)限定强度分布。“行进方向”应当理解为沿着光在所述镜表面之间以之字形方式行进的光行进的“主要方向”。下文中，该方向也被称为“光行进的整体方向”。术语“从入射点起的下游”相对于光行进的初始整体方向进行定义。它意味着当光最初在输送方向上行进时，所期望的强度分布在输送方向上从光的入射点开始发展，而在光最初在与输送方向相反的方向上行进时，强度分布相应地在相对于输送方向的光的入射点起上游形成。
在这样的实施例的特别优选的变化中，所述镜设置被构建成以便如果所述镜设置为空，则光的多次反射导致在从光的入射点起下游的光行进方向上光的强度增加。所述系统被配置成以便强度的增加将补偿由于物体吸收光而造成的强度损失。同样地，在另一优选实施例中，光强度可以随着到光入射点的距离增加而增加，从而，例如物体被逐渐加热直到它到达镜设置中的最热位置。另一方面，镜设置中的最热位置可以接近或处于光入射点。
例如，为了实现在从入射点起下游的光行进方向上光的强度增加，优选地，所述镜设置被构建成以便镜设置的单个镜表面上的光线入射点之间的距离在从进入镜设置的光的入射点起下游的光行进方向上降低。这是因为，随着沿光行进方向增加到入射点的距离，光束在镜表面之间反射，而反射之间的距离持续降低。因此，光线所行进的之字形线路变得越来越扁，即该行进线路部分沿镜表面之间的中心轴(即沿物体的输送方向)更加靠近，最终导致光强度的增加。
从而一种控制强度分布的方法是构建所述镜设置以便沿着从光进入镜设置的入射点起下游的光行进方向第一镜表面和第二镜表面在镜设置的至少一段上彼此靠近。也就是说，镜设置的镜表面以例如漏斗方式而被设置。
在第一优选实施例中，第一镜表面和第二镜表面是平面的，即沿输送方向水平并且彼此成角度。该简单的结构以简明的方式使得镜设置的各个镜表面上的光线的入射点之间的距离在从入射点起下游的光行进方向上降低。此后将参考附图对其进行详细描述。
在另一优选实施例中，至少一个镜表面是弯曲的，以便从光入射点起下游的镜表面的至少部分朝着沿生产线输送的物体向内弯曲。在其特殊优选变化中，至少一个镜表面是内凹的。在另一优选变化中，使用至少一个凸镜表面。
所述镜设置可以被构建成以便所述进入镜设置的光最初在从光的入射点起下游的第一整体方向行进，并且在从光的入射点起下游的镜设置中的某个距离之后反转光行进方向。在此构造中，已经被多次反射并且在其线路中部分地被物体吸收以便损耗强度的所述光被反转以在光的入射点方向行进回去，以便光的剩余能量被理想地利用。
这可以多种方法实现。例如，第一和第二镜表面以适当方式被定型并且相对彼此设置。后面会示出当两个平面镜表面以漏斗方式彼此成角度设置时可以实现该效果。
在替换实施例中，镜设置包括镜表面区域，其被设置以基本上将所述光以相反方向反射回去。在此情况下，所述光基本上采取沿生产线的相同路径回去，即它所行进的以抵达特定的镜表面区域的所述路径。用于此目的的特定镜表面区域可以是单独的镜，或者可以是以适当方式被弯折或者被定型的镜表面之一部分。
在镜表面分束的另一实施例中，即为了实现在从入射点起的下游的光行进方向上降低的强度分布，它们在从光入射点起的下游方向上彼此向外移动。
为了将所述光耦合进入镜设置，辐射设备的至少激光器组的光被优选地聚焦以便以所述光线被聚焦于镜设置的光入射开口或其附近的方式将光引导进入镜设置。这意味着在根据本发明的方法中，与现有技术不同，各个激光器的光没有被聚焦于它所加热的物体，而是聚焦于镜设置的入射点处。然后，利用上述途径，通过有利地反射所述光来对其进行利用，以便大部分光强度被转换成物体自身中的热能。
在许多情况下，有意义的是使用相对于输送方向没有被横向弯曲的镜表面，以便进入所述镜设置的光在除输送方向之外的方向上不经历聚焦或散焦。
这在加长物体的情况下(例如将被吹的PET瓶)是特别有利的，因为这些必须在它们的整个长度上被辐射。
因此，镜设置的光入射开口可以具有纵向开口的结构，例如缝，并且光束可以沿着物体的长度或宽度上的整个缝被聚焦。自然地，也可以获得焦点并将光入射开口实现为圆形孔。基本上，光入射开口可以以任何形状实现。然而，有利的是具有相对窄的开口以防止散射光一次又一次地通过光入射开口射出。
在另一可能的实施例中，第一镜表面和/或第二镜表面相对于物体的输送方向被横向弯曲。于是，如果设想生产线处于水平面中，则可以设想镜表面在该平面上和/或下向内弯曲。曲度量可以非常小，但是足够补偿在镜表面之间光线在其路径上的微小分束。而且，镜表面可以包括两个或多个不同的、对应于可以由适当的激光器设置实现的不同加热位(位置)的高度区。这些高度区可以具有微弱的聚焦效应，以便不同高度区的光束不能明显地融合。
此外，镜表面可以被构建成以便镜表面的曲度对于所述镜的不同分段或部分有所不同。
为了沿生产线在更长段上加热产品，镜设置优选地包括多个沿生产线的级，从而每个级沿生产线的子部分包括第一镜表面和相对的第二镜表面。所述光被引导进入这些级中的每一个。很明显，也可以引导来自激光器组的一些光束或一些光束柱通过不同的入射开口进入镜设置的级，以便获得更高的光强度。
如上已经阐述的，可以惊奇地发现当光的反射被有效利用时，不再需要使用高功率激光二极管棒。因此，在根据本发明的系统中，垂直腔面发射激光器(VCSEL)可以用作激光光源。这些激光器可以被更加经济地制造出来，并且具有的优点是它们的功率损耗更低，因为每个单独地产生较少的光输出，以便所需要的冷却实现起来比高功率激光棒更为经济。实际上，VCSEL是作为传统LED的替代品而被提出在应用中使用。例如，在WO 2004/009318A1中，描述了一种可寻址的LED阵列，其用作光固化过程中的辐射源，并且提出VCSEL可以代替LED而被使用。然而，光固化是其中在将被处理的物体上或其附近不需要太高辐射能的辐射处理过程，但是，根据本发明，通过光的合理集束及其在镜设置的利用，VCSEL也可以用于热处理过程，例如热变形，其中必须提供更高的高能量。
优选地，使用垂直扩展腔面发射激光器(VECSEL)，其是所述腔在距离实际半导体衬底一段距离处通过附加的外耦合反射器被扩展的垂直腔面发射激光器。在该实现中，可以产生激光光束，具有每个半锥角小于1°的改进的准直，以便能量强度比通常VCSEL的情况大得多。
在电信应用中这种VECSEL迄今已经被用尽以将光信号精确地注入光纤中。没想到的是，人们发现以某种方式设置在激光器阵列中的这种激光光源特别适用于在热处理过程中加热物体，所述热处理过程中需要大于1W/mm2的高能量，优选地大于2W/mm2，例如热硬化、干燥、快速热处理，并且特别在热变形处理中。因此，用于提供对上述问题的解决办法的另一方法包括使用沿着生产线的若干个级(即一个或多个级)中的多个VECSEL产生红外光，并且将其以预定模式引导至将被加热的物体。
根据本方法在热处理过程中(特别是在热变形过程中)加热生产线中物体的适当系统包括辐射设备，其包括多个用于产生红外光的垂直扩展腔面发射激光器，所述辐射设备针对所述生产线被构建和设置以便红外光加热沿生产线被输送的物体。因此辐射设备优选地包括多个VECSEL阵列。
特别地，这种具有多个VECSEL或VECSEL阵列的辐射设备的设置是有利的，当所述辐射设备被构建成以便辐射设备的至少一激光器组的光被聚焦以将光导入将被加热的物体经过其进行输送的镜设置，以便光线在镜设置的光入射孔中或其附近被聚焦。这可以通过例如单个VECSEL或VECSEL阵列的有利设置和/或利用合适的辐射设备的光学系统(例如镜、透镜、光学载体等等)来实现。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于在生产线上的热处理过程中加热物体的系统，所述生产线具有用于沿所述生产线以输送方向输送物体的输送系统，所述系统包括：
-镜设置，包括沿所述生产线的至少一部分设置在相对侧的第一镜表面和第二镜表面，以使得所述物体可以沿所述生产线在所述镜表面之间被输送，
-辐射设备，包括用于产生光的多个激光器，
其中所述辐射设备和所述镜设置被构建成使得进入所述镜设置的光的主方向被引导以与所述生产线成一角度地朝向所述第一镜表面，并且所述光随后在所述镜表面之间经历多次反射，由此所述光的多次反射系列沿所述镜表面的至少一部分在输送方向上行进，或者沿所述镜表面的至少一部分在与所述输送方向相反的方向上行进，并且加热在所述镜表面之间被输送的物体，
其中，所述镜设置被构建成使得沿着从光进入镜设置的入射点起下游的光行进方向，第一镜表面和第二镜表面在镜设置的至少一部分上彼此靠近。
根据一个实施例，所述镜设置被构建成使得光的多次反射导致了在从光进入所述镜设置的入射点起下游的光行进方向上的光的预定强度分布。
根据另一个实施例，所述镜设置被构建成使得在镜设置的单个镜表面上光线的入射点之间的距离在从光进入镜设置的入射点起下游的光行进方向上降低。
根据另一个实施例，所述镜设置被构建成使得在镜设置的单个镜表面上光线的入射点之间的距离在从光进入镜设置的入射点起下游的光行进方向上降低。
根据另一个实施例，第一镜表面和第二镜表面沿着输送方向是平面的，并且彼此成一角度定位。
根据另一个实施例，至少一个镜表面是弯曲的，以便在从光入射点起下游的镜表面的至少一部分朝着在生产线上行进的物体向内弯曲。
根据又一个实施例，所述镜设置被构建成使得所述进入镜设置的光最初在从光的入射点起下游的光的第一行进方向上行进，并且在从光的入射点起下游的镜设置中的某个距离之后反转光行进方向。
根据又一个实施例，镜设置包括镜表面区域，其被设置以基本上将所述光以相反方向反射。
根据又一个实施例，第一镜表面和/或第二镜表面相对于输送方向被横向弯曲。
根据又一个实施例，所述镜设置包括沿着所述生产线的多个级，其中每个级包括沿着生产线的一部分的第一镜表面和相对的第二镜表面。
根据又一个实施例，辐射设备的至少激光器组的光被聚焦以将光导入镜设置，以便光线在镜设置的光入射开口中或其附近被聚焦。
根据又一个实施例，辐射设备包括多个垂直腔面发射激光器。
根据又一个实施例，辐射设备包括多个垂直扩展腔面发射激光器。
根据又一个实施例，所述多个垂直扩展腔面发射激光器用于产生红外光。
根据又一个实施例，将被加热的物体对于所产生的光至少部分透明，并且所述光在所述镜表面之间被多个物体部分地吸收，同时物体被输送经过所述镜设置。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于在生产线上的热处理过程中加热物体的方法，
-沿着所述生产线在输送方向上在镜设置的第一镜表面和第二镜表面之间输送所述物体，所述第一镜表面和第二镜表面沿所述生产线的至少一部分被设置在相对侧，
-通过辐射设备的多个激光器产生光，
-引导所产生的光进入所述镜设置，以便进入所述镜设置的光的主方向被引导以与所述生产线成一角度地朝向所述第一镜表面，并且所述镜设置被构建成使得所述光随后在所述镜表面之间经历多次反射，以便所述光的多次反射系列沿所述镜表面的至少一部分在输送方向上行进，或者沿所述镜表面的至少一部分在与所述输送方向相反的方向上行进，并且加热在所述镜表面之间被输送的物体，
其中，通过构建所述镜设置来控制光的强度分布，以使得沿着从光进入镜设置的入射点起下游的光行进方向，第一镜表面和第二镜表面在镜设置的至少一部分上彼此靠近。
根据一个实施例，所述光是使用垂直扩展腔面发射激光器产生的红外光，其中所述方法还包括在生产线中的多个级处使用多个垂直扩展腔面发射激光器，以及将所述红外光以预定方式引导至将被加热的物体上。
根据下面结合附图所进行的详细描述，本发明的其它目的和特征将变得显然。然而，可以理解的是，附图仅仅出于示例的目的而给出，并不限定本发明的范围。附图中，相似的附图标记通篇指代相同的元件。
附图说明
图1示出根据本发明第一实施例的系统的俯视示意图；
图2示出图1的实施例的剖面示意图；
图3示出用在根据本发明实施例中的VCSEL的剖面示意图；
图4示出用在根据本发明实施例中的VECSEL的剖面示意图；
图5示出图1的镜设置的剖面示意图以显示镜表面之间光线的反射；
图6示出图1的镜设置的另一剖面示意图以显示镜表面之间光线的反射；
图7示出根据本发明第二实施例的镜设置的俯视示意图；
图8示出根据本发明第三实施例的镜设置的俯视示意图；
图9示出根据本发明第四实施例的镜设置的俯视示意图；
图10示出根据本发明第五实施例的镜设置的俯视示意图；
图11示出根据本发明第六实施例的俯视示意图；
图12示出根据本发明第七实施例的俯视示意图；
具体实施方式
附图中物体的尺寸出于清楚的目的而有所选择，并不必然反应实际的相对尺寸。
下面，使用示例描述本发明，示例中将被加热的物体O是用于吹PET瓶的PET预型件O，因为这是本发明的优选应用，而本发明不局限于此应用。
图1和图2示出十分简单的实施例，由此图1示出具有两个连续级201a、201b的镜设置201的俯视图。从辐射设备30发出的光束L在这些级201a、201b之间被引导进入镜设置201。同样地，所述光可以相同的方式在第一级201a的开始处进入，但是这里没有示出。很明显，整个实现可以包括更多级，这样有更多所述光可以进入的位置。
镜设置201突出了每个级201a、201b的两个镜表面21、22。这里，镜表面21、22是平面并且以漏斗的形式彼此成角度。预型件O在这些镜表面21、22之间沿生产线P以输送的方向OT行进。图2示出所述设置的剖面图。这里被简单示为方块的输送系统11可以是具有钩子的传送带11，预型件O由所述钩子悬挂并且镜表面21、22之间的空间中移动，所述镜表面在垂直于图1平面的方向上是平坦的。这些镜表面21、22可以由任何合适的材料制成，所述材料在其内表面上具有高的反射率以便理想地反射所述光。
在此示例中，从具有辐射源32的辐射设备30发出光，辐射源32包括多个一起安装在散热器33上的VECSEL阵列34。VECSEL阵列34被设置以便激光束L在与进入镜设置201的光入射点PE相符的公共焦点处汇聚在水平面(图1的图面)中。这里该入射点PE位于镜设置201的孔缝29中。
将整个装配的焦点设置在进入镜设置201的入射点PE处而不是PET预型件O位置处具有两个优点。首先，镜设置201的孔缝29可以做得尽可能地小，以便将通过该开口缝29的任何光泄漏最小化。由于镜设置201中的许多反射，低泄漏水平是很重要的，以便可以实现高效率。第二，在PET预型件O位置处的能量分配更加均匀。此外，预型件O可以由适当构建的输送系统围绕它们的对称轴(垂直于图1的图面)旋转，从而使输入预型件O的热更加均匀。
如图2所示，各个VECSEL阵列32也在焦点处被引导在垂直面中。然而，之后光束被辐射设备30的透镜31变成平行的，以建立与孔缝29的长度对应的光带，其中该长度优选地与预型件O的高度精确对应。
这样具有的优点在于各个激光器阵列34可以被更大的距离间隔开，同时具有在镜表面21、22之间的区域中平行的光束。伴随着镜表面21、22在与图1的面垂直的方向上为平面这一事实，另一优点在于可以保持激光束相对于预型件O的高度，并且可以以不同的能量水平加热预型件O的不同部分。因此，激光器阵列32在电学上被分组并且针对所述高度而被控制，实现了对不同高度区的激光器能量的单独设定。取代透镜31，可以使用具有更高均化性的更加先进的光学系统，例如光学积分器。
在另一可能的实施例中，附图中没有示出，所述镜表面相对于物体的输送方向而横向弯曲。该实施例可以借助图2而想象出来，只是镜表面在图像面中是弯曲的而非平面的。曲度量可以非常小，但是足够补偿光线在镜表面之间的路径上的微小分束。这可以有利地使用在镜设置之中具有不同加热区的应用中，其中配置有激光器以产生具有不同强度分布的光束。这里，镜表面可以包括两个或多个不同的高度区，其表现为在边上聚焦所述光以便不同高度区的光不显著融合。
系统1可以包括检测单元，具有到系统控制的反馈，以在沿生产线P没有预型件O输送时关闭激光器开关。
将VCSEL和VECSEL用作光源适用于所述热应用。由于这些设备的最大能量大大低于高能量激光二极管棒的能量，因此需要100倍那么多的激光器。即使这样，这还是比使用高能量棒的标准方法经济得多。
如上所述，VCSEL是以晶片制成的面发射激光二极管。所发射的光束与所述晶片垂直并且每个发射体中光束的直径大约为100μm，单个的发射体尺寸例如为250μm×250μm。这意味着数万个VCSEL被制作在一个晶片上，并且因此每个发射体的成本非常低。此外，典型的0.5W IR输出VCSEL损失大约1.5W热，这在LED领域中十分标准。这意味着可以使用LED封装和冷却方法，并且这些可以比高能量激光二极管棒方法低得多的成本获得。
图3示出VCSEL51的结构，其中附加的聚焦透镜51不是VCSEL本身的部分。
衬底52由中间介质层覆盖，并且n-DBR结构53、位于驻波波腹中的增益区54和p-DBR结构55在这些之上生长。在蚀刻之后，部分结构被金属处理以实现n-触点56和p-触点57。附图中的VCSEL结构具有另外的优点在于电和热的接触只是从底侧完成。如上所述这实现了简单安装。
为了具有满意的准直光，可以在VCSEL50的前面使用微型透镜51，如图3所示。VCSEL元件出来的典型光分束为10°半锥角，允许用于准直的F2.8透镜。距离VCSEL结构例如400μm的微型透镜可以将此准直为4°光束。优选地，所述微型透镜是平凹类型的，平面侧的位置与VCSEL结构相对，以便简单安装。
为了进一步降低成本，可以使用小的VCSEL50阵列来代替单个发射体。这种阵列可以直接由晶片制得。例如，将4×4阵列(即上面给出的数量的1mm×1mm阵列)安装在结构化散热器上也是可以的。散热器的结构化必须考虑各个VCSEL50的合理接触。可以在VCSEL阵列前面使用微型透镜阵列，以便获得准直光束。优选地，所述微型透镜阵列是平凹类型的，平面侧的位置与VCSEL结构相对，以便简单安装。所述微型透镜阵列可以被制成单体。
VECSEL阵列(E指的是扩展的腔)用在附图所示示例的特别优选的实施例中。图4中示出VECSEL40的结构。正如VCSEL50的情况，衬底42被中间介质层覆盖，这些之上生长有n-DBR结构43、位于驻波波腹中的增益区44和p-DBR结构45。再次，在蚀刻之后，部分结构被金属处理以给出n-触点46和p-触点47。这里，激光器的腔通过使用简单的平面外耦合镜41而扩展，所述平面外耦合镜可以涂覆在直接位于衬底42之上的玻璃体48上。单个被涂覆玻璃体可以用于整个VECSEL阵列。
这种VECSEL40的光束准直要好于(例如1°半锥角)VCSEL50的情况。在该应用中所述改进的准直是有利的，因为它实现了更好的光L的聚焦，并且它增加了工作距离，即光源32和生产线P之间的间隔。激光光束的良好准直允许将激光器阵列32“分布”在更大面积上，同时辐射被聚焦在小面积上以供最佳加热。因此，所述设置的冷却可以被进一步简化。这在沿着瓶移动的线以及以与此垂直的方向上是可能的。
在图1和2所示的实施例中，VECSEL光束分束为1°并且从激光器阵列34到预型件O的距离为30cm，在入射点PE中焦点尺寸可以小于1cm。这给出了精确性的表现，所实现的精确性足够用于大多数应用。
如图1所示，引导激光L的光束的主方向R，以便每个光线在镜设置201中以预定角度接触与孔29相对的镜表面21，并且在镜表面21、22之间在输送方向OT上以之字形形式来回反射，因此光LT的整体行进方向与预型件O的方向相同。显然，这种设置也可以在与输送方向OT相反的方向上工作。其结果是，每个光束接触多个物体，并且每个光线的光强度被最佳地利用，因为在通过PET预型件O的单个行程中激光的吸收十分低。
镜表面21、22的特定设置确保输送方向OT中的光线随着反射的增加变得越来越密集，因为输送方向OT中的光线的矢量部分随着反射次数的增加而变小。也就是说，沿生产线轴的反射之间的距离变短，因此光线强度变高。后者十分有利，因为这可以补偿光束由于多次反射和材料的多次穿过而造成的光束衰减。
通过镜表面21、22的有利构建和角度选择，甚至可以使得光的整体行进方向反转，并且朝输送方向的相反方向返回。在该返回行程中，光束的光强度也可以被进一步利用。
下面借助图5和6描述该效应。为了简化起见，只示出在镜表面21、22之间来回反射的单个光束L。光束L由线表示。附图中，为了简单化，较低的镜表面22被看作参考平面，相对于所述参考平面计算角度。参照沿生产线P的参考平面，所述计算同样可以很好地进行。在该情况下，两个镜表面21、22与参考平面成一角度，这只会使得计算更加复杂。
对于图5中所示的角度，应用
δ＝γ+α(1a)
并且
ε＝γ-α(1b)
其中α是两个镜表面之间的角度，δ是光束入射角度，γ和ε是随后两次反射的反射角度。接下来
ε＝γ-α(2)
随着每次接下来的反射，光束到相应镜表面21、22的入射角度(以及由此生产线P与光线的端面交叉角)降低。相对于物体输送方向的光束整体行进方向因此在下面所给出的次数的反射之后被反转
δ 2 · α - - - ( 3 )
为了计算该反转点，镜表面上两个入射点之间的距离D必须被确定，参考图6。沿生产线P的预型件O的输送方向以及LT光的整体行进方向在图6中再次示意性地示出。下面的相互关系应用于图中所示的角度和距离：
tan ( δ ) = x h → h = x tan ( δ ) - - - ( 4 )
以及
sin ( α ) = h d - x →h＝sin(α)·(d-x)(5)
接下来
x = sin ( α ) · tan ( δ ) · d 1 + sin ( α ) · tan ( δ ) - - - ( 6 )
同时
tan ( ϵ ) = y h - - - ( 7 )
接下来
y = h · tan ( ϵ ) = x · tan ( ϵ ) tan ( δ ) = x · tan ( δ - 2 · α ) tan ( δ ) - - - ( 8 )
以便将被确定的距离D由下式给出：
D = x + y = sin ( α ) · d · sin ( δ ) · cos ( δ - 2 · α ) + cos ( δ ) · sin ( δ - 2 · α ) ( cos ( δ ) + sin ( α ) · sin ( δ ) ) · cos ( δ - 2 α ) - - - ( 9 )
假设第一入射点P I1和两个镜表面21、22将相遇的交叉(有效)点之间的总体距离大约为2m，其中一个镜表面21相对于另一镜表面的倾斜角为α＝1°，并且还假设光束的第一入射角度为45°，使用迭代计算中的等式(9)，接下来光线将在大约二十二次反射之后反转它的总体方向。可以想象有效点在距第一入射点PI1大约1.40m距离处。
图7再次示意性地示出沿生产线P在镜设置201的两个镜表面21、22之间在输送方向OT上的光线L的路径。朝着反转点，光束强度增加并且光线将在某点以它来的方向反转回去，直到它再次到达镜设置201的顶端并且可以由光衰减或吸收元件24吸收。或者，这里可以使用反射元件以再次反射光线，以便它可以进一步被利用。例如，图1中所示的位于两个连续级201a、201b之间并且连接所述镜表面201a、201b的转换表面可以在它的内表面上涂覆高反射材料，以便它可以实现该功能。
图8示出镜设置202的替代变化，其中光线在下游端被外耦合并且由吸收元件23吸收。这会是有用的，例如如果激光光束已经被所加热的物体的多次穿过吸收之后，激光光束已经明显变弱。
图9示意性地示出镜设置203的变化，其中镜表面21、22被彼此平行设置。在此示例中，平面镜形式的外部镜元件25位于输送方向OT下游的镜设置203的末端，并且该平面镜元件25沿相同路径将光反射回镜设置203。或者，所述反射可以是小角度的，以便提供沿生产线对中心区域的更佳覆盖。
图10中示出这种镜设置204的相似变化。与图9的镜设置203不同，此情况下的外部镜元件26被弯曲，以便补偿在经历镜设置204中的多次反射之后激光光束的实际上不可避免的分束。
代替平面镜表面21、22，可以使用弯曲镜表面21’、22’、21”、22”。这示意性地示于图11和12中。图11示出镜表面21’、22’的设置，镜表面21’、22’以内凹方式在它们的下游末端处向内弯曲，以便提供某种强度分配。图12示出镜设置205的另一变化，其中21”、22”在上游末端处改为向外弯曲。最为有利的设置将取决于应用以及相应优选的沿生产线P的强度分布。
虽然已经以优选实施例的形式描述了本发明及其变化，但是可以理解的是可以对其进行多种补充修改和变化，而不脱离本发明的范围。例如，各个激光器或激光器阵列的光可以被耦合进入光纤，然后，所述光纤被用作用于加热应用的源。该设置允许将激光器安装在远处位置的大面积上，这简化了传统技术的热扩散和冷却。
虽然主要参考吹瓶机械中的应用，但是许多其它应用可以从这里所述的本发明中获益，如干燥、硬化、快速热处理。为了简化起见，也可以理解的是说明书通篇使用的“一”或“一个”不排除多个，“包括”不排除其它步骤或元件。

Claims (17)

1.一种用于在生产线(P)上的热处理过程中加热物体(O)的系统(10)，所述生产线(P)具有用于沿所述生产线(P)以输送方向(OT)输送物体(O)的输送系统(11)，所述系统包括：
-镜设置(201，202，203，204，205，206)，包括沿所述生产线(P)的至少一部分设置在相对侧的第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)，以使得所述物体(O)可以沿所述生产线(P)在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被输送，
-辐射设备(30)，包括用于产生光(L)的多个激光器，
其中所述辐射设备(30)和所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得进入所述镜设置(201，202，203，204，205，206)的光(L)的主方向(R)被引导以与所述生产线(P)成一角度地朝向所述第一镜表面(21，21’，21”)，并且所述光(L)随后在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间经历多次反射，由此所述光(L)的多次反射系列沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一部分在输送方向(OT)上行进，或者沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一部分在与所述输送方向(OT)相反的方向上行进，并且加热在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被输送的物体(O)，
其特征在于，所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得沿着从光(L)进入镜设置(201，202，203，204，205，206)的入射点(PE)起下游的光行进方向(LT)，第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)在镜设置(201，202，203，204，205，206)的至少一部分上彼此靠近。
2.根据权利要求1的系统，其中所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得光的多次反射导致了在从光(L)进入所述镜设置(201，202，203，204，205，206)的入射点(PE)起下游的光行进方向(LT)上的光(L)的预定强度分布。
3.根据权利要求1的系统，其中所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得在镜设置(201，202，203，204，205，206)的单个镜表面(22)上光线(L)的入射点(PI1，PI2)之间的距离(D)在从光(L)进入镜设置(201，202，203，204，205，206)的入射点(PE)起下游的光行进方向(LT)上降低。
4.根据权利要求2的系统，其中所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得在镜设置(201，202，203，204，205，206)的单个镜表面(22)上光线(L)的入射点(PI1，PI2)之间的距离(D)在从光(L)进入镜设置(201，202，203，204，205，206)的入射点(PE)起下游的光行进方向(LT)上降低。
5.根据权利要求1-4之任一的系统，其中第一镜表面(21)和第二镜表面(22)沿着输送方向(OT)是平面的，并且彼此成一角度定位。
6.根据权利要求1-4之任一的系统，其中至少一个镜表面(21’，21”，22’，22”)是弯曲的，以便在从光入射点(PE)起下游的镜表面(21’，21”，22’，22”)的至少一部分朝着在生产线(P)上行进的物体(O)向内弯曲。
7.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得所述进入镜设置(201，202，203，204，205，206)的光(L)最初在从光的入射点(PE)起下游的光的第一行进方向(LT)上行进，并且在从光的入射点(PE)起下游的镜设置(201，202，203，204，205，206)中的某个距离之后反转光行进方向(LT)。
8.根据权利要求7的系统，其中镜设置(203，204)包括镜表面区域(25，26)，其被设置以基本上将所述光(L)以相反方向反射。
9.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中第一镜表面(21)和/或第二镜表面(22)相对于输送方向(OT)被横向弯曲。
10.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中所述镜设置(201，205，206)包括沿着所述生产线的多个级(201a，201b，205a，205b，206a，206b)，其中每个级(201a，201b，205a，205b，206a，206b)包括沿着生产线(P)的一部分的第一镜表面(21，21’，21”)和相对的第二镜表面(22，22’，22”)。
11.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中辐射设备(30)的至少激光器组(40)的光(L)被聚焦以将光(L)导入镜设置(201，205，206)，以便光线在镜设置(201，205，206)的光入射开口(29)中或其附近被聚焦。
12.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中辐射设备(30)包括多个垂直腔面发射激光器(40，50)。
13.根据权利要求1到4中任意一个的系统，其中辐射设备(30)包括多个垂直扩展腔面发射激光器(40)。
14.根据权利要求13的系统，其中所述多个垂直扩展腔面发射激光器(40)用于产生红外光(L)。
15.根据权利要求1-4之任一的系统，其中将被加热的物体(O)对于所产生的光(L)至少部分透明，并且所述光(L)在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被多个物体(O)部分地吸收，同时物体(O)被输送经过所述镜设置(201，202，203，204，205，206)。
16.一种用于在生产线(P)上的热处理过程中加热物体(O)的方法，
-沿着所述生产线(P)在输送方向(OT)上在镜设置(201，202，203，204，205，206)的第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)之间输送所述物体(O)，所述第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)沿所述生产线的至少一部分被设置在相对侧，
-通过辐射设备(30)的多个激光器产生光(L)，
-引导所产生的光(L)进入所述镜设置(201，202，203，204，205，206)，以便进入所述镜设置(201，202，203，204，205，206)的光(L)的主方向(R)被引导以与所述生产线(P)成一角度地朝向所述第一镜表面(21，21’，21”)，并且所述镜设置(201，202，203，204，205，206)被构建成使得所述光(L)随后在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间经历多次反射，以便所述光(L)的多次反射系列沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一部分在输送方向(OT)上行进，或者沿所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)的至少一部分在与所述输送方向(OT)相反的方向上行进，并且加热在所述镜表面(21，22，21’，22’，21”，22”)之间被输送的物体(O)，
其特征在于，通过构建所述镜设置(201，202，203，204，205，206)来控制光(L)的强度分布，以使得沿着从光(L)进入镜设置(201，202，203，204，205，206)的入射点(PE)起下游的光行进方向(LT)，第一镜表面(21，21’，21”)和第二镜表面(22，22’，22”)在镜设置(201，202，203，204，205，206)的至少一部分上彼此靠近。
17.根据权利要求16的方法，其中所述光(L)是使用垂直扩展腔面发射激光器(40)产生的红外光，其中所述方法还包括在生产线(P)中的多个级处使用多个垂直扩展腔面发射激光器(40)，以及将所述红外光(L)以预定方式引导至将被加热的物体(O)上。
CN2007800471050A 2006-12-19 2007-12-17 加热生产线中的物体的系统和方法 Expired - Fee Related CN101563195B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06126550.0 2006-12-19
EP06126550 2006-12-19
PCT/IB2007/055171 WO2008075280A1 (en) 2006-12-19 2007-12-17 System for and method of heating objects in a production line

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101563195A CN101563195A (zh) 2009-10-21
CN101563195B true CN101563195B (zh) 2013-06-19

Family

ID=39284104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800471050A Expired - Fee Related CN101563195B (zh) 2006-12-19 2007-12-17 加热生产线中的物体的系统和方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9789631B2 (zh)
EP (1) EP2094460B1 (zh)
JP (1) JP5662022B2 (zh)
CN (1) CN101563195B (zh)
AT (1) ATE516127T1 (zh)
WO (1) WO2008075280A1 (zh)

Families Citing this family (335)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7425296B2 (en) 2004-12-03 2008-09-16 Pressco Technology Inc. Method and system for wavelength specific thermal irradiation and treatment
US10857722B2 (en) 2004-12-03 2020-12-08 Pressco Ip Llc Method and system for laser-based, wavelength specific infrared irradiation treatment
US10687391B2 (en) 2004-12-03 2020-06-16 Pressco Ip Llc Method and system for digital narrowband, wavelength specific cooking, curing, food preparation, and processing
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
AU2010221086A1 (en) 2009-03-05 2011-10-06 Pressco Technology, Inc. Digital heat injection by way of surface emitting semi-conductor devices
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
EP2421690B1 (en) * 2009-04-21 2018-03-21 Koninklijke Philips N.V. Heating system and method of heating a body of a preform
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
FR2976841B1 (fr) * 2011-06-23 2013-08-02 Sidel Participations Procede de chauffe d'une ebauche de recipient a faible temperature de paroi externe
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
FR2982790B1 (fr) * 2011-11-21 2014-03-14 Sidel Participations Unite de traitement thermique d'ebauches de recipients a double paroi rayonnante en quinconce
WO2013108197A1 (en) * 2012-01-17 2013-07-25 Koninklijke Philips N.V. Heating system for heating a living being
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
WO2015107009A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Koninklijke Philips N.V. Heating system comprising semiconductor light sources
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
FR3018724B1 (fr) * 2014-03-19 2016-12-09 Sidel Participations Unite de traitement d'ebauches equipee d'une section de confinement optique a parois convergentes
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
EP2977182A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-27 Sidel Participations Electromagnetic processing module equipped with thermally regulated confinement elements
FR3024069B1 (fr) * 2014-07-23 2017-02-17 Sidel Participations Unite de chauffe de corps creux, qui comprend une cavite a basse temperature
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP7074675B2 (ja) * 2016-01-22 2022-05-24 プレスコ アイピー エルエルシー 狭帯域システムにおいて工学的照射パターンを生成するための、システム及び方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
FR3049489B1 (fr) * 2016-04-05 2018-04-13 Sidel Participations Procede de chauffe preferentielle d'un corps creux comportant une etape de marquage
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) * 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
DE102017011312A1 (de) * 2017-12-08 2019-06-13 Broetje-Automation Gmbh Vorrichtung zum Herstellen von Vorformlingen
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
EP3611533B1 (en) * 2018-08-15 2023-06-28 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Apparatus for providing a plurality of light beams
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11821791B1 (en) * 2022-06-27 2023-11-21 Viavi Solutions Inc. Techniques for reducing optical ghosts in a gratings-based optical spectrum analyzer (OSA)
CN115534276B (zh) * 2022-09-27 2024-01-19 江苏新美星包装机械股份有限公司 一种塑料预型件的传送加热装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5780524A (en) * 1996-05-14 1998-07-14 Olsen; Don E. Micro heating apparatus for synthetic fibers and related methods

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3279355A (en) * 1962-05-23 1966-10-18 Botalam Sarl Soc Machines for binding bundles with metal ligatures
US4534811A (en) * 1983-12-30 1985-08-13 International Business Machines Corporation Apparatus for thermo bonding surfaces
JPS63262414A (ja) 1987-04-20 1988-10-28 Nippon Steel Corp 加工物の熱処理方法および装置
JPH02101112A (ja) * 1988-10-07 1990-04-12 Nippon Steel Corp 加工物の熱処理方法および装置
JPH04280915A (ja) * 1991-01-10 1992-10-06 Nippon Steel Corp 金属線材のレーザ熱処理法およびその装置
AU5872994A (en) * 1992-12-18 1994-07-19 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
US5538056A (en) * 1994-12-16 1996-07-23 Beloit Technologies, Inc. Log conditioning before mechanical debarking
DE59906208D1 (de) * 1998-11-13 2003-08-07 Elpatronic Ag Bergdietikon Verfahren und vorrichtung zur herstellung geschweisster platinen
US6526985B1 (en) * 1998-12-08 2003-03-04 Hauni Maschinenbau Ag Apparatus for perforating tubular wrappers of rod-shaped articles
JP2000214285A (ja) * 1999-01-27 2000-08-04 Mitsubishi Nuclear Fuel Co Ltd 支持格子溶接装置
US7086858B2 (en) 1999-09-24 2006-08-08 Cao Group, Inc. Semiconductor curing light system useful for curing light activated composite materials
KR100754813B1 (ko) * 2000-06-15 2007-09-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 다중통과 다광자 흡수 방법 및 장치
JP2002026466A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 集光光学系及びレーザ加工機用光源
CA2332190A1 (en) * 2001-01-25 2002-07-25 Efos Inc. Addressable semiconductor array light source for localized radiation delivery
US20020108935A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-15 Schad Robert D. Method and apparatus for cutting plastics using lasers
DE10106607A1 (de) 2001-02-13 2002-09-12 Carsten Duesterhoeft Laserstrahlbasiertes Erwärmverfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer genauen orts- und zeitabhängigen Temperaturverteilung auf thermoplastischem Rohmaterial zur Umformung in einer Form
US6980572B2 (en) 2002-05-28 2005-12-27 The Regents Of The University Of California Wavelength selectable light source
US7154066B2 (en) * 2002-11-06 2006-12-26 Ultratech, Inc. Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
US20070036184A1 (en) 2003-04-29 2007-02-15 Woods Stuart W Laser apparatus for material processing
DE10355600B4 (de) * 2003-11-28 2021-06-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
FR2878185B1 (fr) * 2004-11-22 2008-11-07 Sidel Sas Procede de fabrication de recipients comprenant une etape de chauffe au moyen d'un faisceau de rayonnement electromagnetique coherent

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5780524A (en) * 1996-05-14 1998-07-14 Olsen; Don E. Micro heating apparatus for synthetic fibers and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010513081A (ja) 2010-04-30
ATE516127T1 (de) 2011-07-15
EP2094460B1 (en) 2011-07-13
US20100230863A1 (en) 2010-09-16
US9789631B2 (en) 2017-10-17
WO2008075280A1 (en) 2008-06-26
EP2094460A1 (en) 2009-09-02
CN101563195A (zh) 2009-10-21
JP5662022B2 (ja) 2015-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101563195B (zh) 加热生产线中的物体的系统和方法
US10627562B2 (en) Illumination system using edge-lit waveguide and microstructured surfaces
US11061245B2 (en) Device for forming nanojet beams in a near zone, from incident electromagnetic waves
CN105723150B (zh) 具有光发散度修改器的光导照明装置
CN101619834B (zh) 用于改进的照明区域填充的设备和方法
JPH11504130A (ja) 単数または複数の固体レーザおよび／または半導体レーザの照射野を形成し案内する装置とその方法
CN102395911B (zh) 混光镜片及系统
JPH11504131A (ja) 単数または複数の固体レーザおよび／または半導体レーザの照射野を形成し案内する装置とその方法
US5894196A (en) Angled elliptical axial lighting device
CN100468101C (zh) 光导设备和导光的方法
CN102934298B (zh) 远场纤维耦合辐射的均匀化
CN101323170B (zh) 用于吹塑容器的预制坯坯体的加热装置
WO1992001960A1 (en) Tapered optical waveguides for uniform energy distribution including energy bridging
JPH10508117A (ja) 線形レーザダイオード・アレイからのビーム誘導形成機構
US20080100936A1 (en) Optical Illumination System and Method
JP2011520292A (ja) 高輝度ダイオード出力の方法及びデバイス
CN1413311A (zh) 高强度光到低熔点光纤的耦合
EP2964446B1 (en) Heating system for pet-preforms
JP2007250233A (ja) 車両用灯具ユニット
CN109027968B (zh) 一种出光系统
JP6866442B2 (ja) 複合オーバーコーティング構造を有する光ファイバ光源
CN102695908A (zh) 模拟太阳光照射装置
CN108884978B (zh) 用于照明装置的光源以及具有这样的光源的照明装置
JP2017001017A (ja) 楕円形断面を有する管の内壁のコーティングを硬化する装置
IT201800005899A1 (it) Apparecchiatura per saldatura laser di materiali plastici e relativo procedimento.

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Eindhoven, Netherlands

Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Address before: Eindhoven, Netherlands

Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200630

Address after: Ulm

Patentee after: Tongkuai optoelectronic device Co.,Ltd.

Address before: Eindhoven, Netherlands

Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130619

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee