CN101462829A - 结晶化玻璃 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种结晶化玻璃，其即便基本上不使用对人体和环境带来不良影响的砷成分和锑成分，也具备作为垂直磁记录方式等为代表的下一代的信息记录介质基板用途的物性。尤其是提供一种结晶化玻璃，其具有可耐受高速旋转化和跌落冲击的高强度、还兼具符合各驱动部件的热膨胀特性和化学耐久性，熔融温度低，适于压制成形等的生产率高的信息记录介质用光盘基板用途等。一种结晶化玻璃，其特征在于，以氧化物为基准，含有SiO2成分、Li2O成分、Al2O3成分，作为结晶相含有二硅酸锂、且含有选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素。

Description

结晶化玻璃
技术领域
本发明涉及一种结晶化玻璃、特别是涉及一种信息磁记录介质基板用结晶化玻璃。
特别是本发明提供一种结晶化玻璃，其即便不使用对人体和环境带来不良影响的砷成分和锑成分、也具备作为信息记录介质基板用途的物性。
此外，本发明提供一种玻璃，其即便不使用对人体和环境带来不良影响的砷成分和锑成分、也具备作为信息记录介质基板用途的物性。
另外，本发明中“信息记录介质”是指作为个人计算机的硬盘使用的、可在固定型硬盘、可装拆(removal)型硬盘、或者卡(card)型硬盘、数码摄像机、数码照相机、或者音频(audio)用硬盘、汽车导航系统用硬盘、移动电话用硬盘或各种电子装置用硬盘中使用的信息磁记录介质。
背景技术
近年来，为了对应个人计算机的多媒体化，此外，为了处理数码摄像机、数码照相机中动画、声音等大的数据，必需大容量的信息磁记录装置。其结果，信息磁记录介质为了增大面记录密度，有增加位(bit)和道密度、缩小位单元的尺寸的趋势。为此，磁头必须比以往更接近光盘表面来工作。
此外，记录密度超过100Gb/in2时，会在如此小的磁区中热不稳定，因而对于超过100Gb/in2的高记录密度化的要求，面内记录方式到达了物理的极限。
为了对应于此，采用垂直磁记录方式、并批量生产。该垂直磁记录方式中，易磁化轴为垂直方向，因而可使位尺寸极其小，此外，由于具有所期望的介质膜厚(面内记录方式的5～10倍)，还可期待降低退磁场和形状磁各向异性所带来的效果，因此，可解决现有的面内方向的磁记录方式的高密度化中产生的记录能量的减少和热不稳定的问题，与面内磁记录方式相比，可实现记录密度的进一步提高。由于这样的理由，垂直磁记录方式在实用水平上可实现100Gb/in2以上的记录密度，这在批量生产水平上已经成为可能，也已经进行了关于超过300Gb/in2的记录密度的研究。
该垂直磁记录方式中，为了进行相对于介质面垂直方向的磁化，与现有的面内方向具有易磁化轴的介质不同，使用垂直方向具有易磁化轴的介质。作为垂直磁记录方式的记录层的研究和实用化可列举：钡铁氧体膜、Co-γFe2O3、Co系合金、FePt等Fe系合金、Ni系合金等各种合金膜。
但是，这些磁记录介质为了磁性体结晶颗粒的微细化和向垂直方向的生成而有必要使其成膜温度高温化。进而最近的研究表明，也有为了提高磁特性而在高温(500～900℃左右)下进行退火的情形。
为了对应于此，渴求在退火处理前后材料形状难以变化、耐热性优异的基板。此外，伴随高密度化而磁头的低上浮化成为可能，因而必须是极其光滑的表面平滑度。
因为一方面需求可具有上述物性的基板和可实现该基板的的结晶化玻璃、另一方面作为现有玻璃的澄清剂使用的砷成分会对人体和环境带来不良影响，因此，渴求提供不使用这些成分的物品，进行了将锑成分作为澄清剂使用的对策。
但是，近年来渴求有害物质的进一步降低，被认为对人体和环境的影响比较轻微的有害物质的使用，也存在越发降低其含量或者禁止使用的趋势，与作为玻璃的澄清剂的砷成分相比，对人体和环境负担轻微的通常使用的锑也越发需求同样的对策。
专利文献1公开了一种信息记录介质用结晶化玻璃基板，其不使用砷成分和锑成分，以二硅酸锂为主结晶相，但是，该文献的实施例22、23的杨氏模量为78、81GPa，因此，无法满足作为信息记录介质用途的当今需求的机械强度。因此，该文献所公开的构成成分的组成范围中，是否存在具备以得到充分的澄清效果、机械强度为首的、作为信息记录介质用途的当今需求的物性的结晶化玻璃，这对于本领域技术人员来说也是未知的，至今为止，这样的结晶化玻璃尚未得到。而且，作为澄清剂使用的SnO2成分、CeO2成分的含量分别为1摩尔，换算成质量％时，分别为超过2.5％的含量。这样，大量含有SnO2成分、CeO2成分时，即便得到了熔融玻璃的澄清效果，但所得结晶化玻璃的比重也会变大，难以同时满足作为信息记录介质用途所需求的高杨氏模量和低比重特性。
此外，大量含有SnO2成分或CeO2成分时，可能会析出阻碍信息记录介质用途所需求的特性的结晶相。
专利文献1：日本特开2001-76336号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种结晶化玻璃，其即便基本上不使用可能对人体和环境带来不良影响的砷成分和锑成分、也具备作为垂直磁记录方式等为代表的下一代的信息记录介质基板用途的物性。尤其是提供一种结晶化玻璃，其具有可耐受高速旋转化和跌落冲击的高强度、还兼具符合各驱动部件的热膨胀特性和化学耐久性，熔融温度低，用于适于压制成形等的产率高的信息记录介质用光盘基板用途等。
解决问题的方法
本发明人为了实现上述目的而进行了反复深入地试验研究，结果发现，将作为澄清剂使用的成分含量限定为特定范围的结晶化玻璃，其使所期望的结晶相析出且熔融温度和玻璃的粘度低、供于信息记录介质用途时由于适于压制成形等而生产率高、可得到充分的澄清效果。此外发现，具有可对应磁头的低上浮化的极其平滑的基板表面，还兼具对应于高速旋转的高杨氏模量和低比重特性，驱动搭载时的跌落强度也优异(>1200G)。更具体地说，本发明提供如下的方案。
方案1
一种结晶化玻璃，其特征在于，以氧化物为基准，含有SiO2成分、Li2O成分、Al2O3成分，作为结晶相含有二硅酸锂，且含有选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素。
方案2
方案1所述的结晶化玻璃，其特征在于，作为结晶相含有选自单硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、β-石英固溶体中的至少1种以上。
方案3
方案1或2所述的结晶化玻璃，其含有选自Sn、Ce的1种以上元素，以氧化物基准的质量％计，它们的含量为：
SnO2成分：0～2.5％、
CeO2成分：0～2.5％、
其中，SnO2成分和CeO2成分的总量为0.01～5.0％。
方案4
方案1～3任一项所述的结晶化玻璃，作为原料使用选自硫酸盐、氯化物和氟化物的1种以上，从而含有选自S、Cl和F的1种以上元素，相对于硫酸盐、氯化物和氟化物以外的玻璃原料的氧化物基准的总质量，前述原料中的前述硫酸盐、氯化物和氟化物的含量为：
硫酸盐：以SO3换算为0～1.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～1.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～1.5质量％、
其中，SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
方案5
方案1～4任一项所述的结晶化玻璃，其含有选自Mn、W、Ta、Bi和Nb的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
方案6
方案1～5任一项所述的结晶化玻璃，其以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％。
方案7
方案1～6任一项所述的结晶化玻璃，其以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
BaO：0～15％和/或
SrO：0～15％和/或
MgO：0～2％和/或
CaO：0～2％和/或
ZnO：0～3％和/或
K2O：0～3％和/或
Na2O：0～3％和/或
Cs2O：0～3％和/或
选自Gd2O3成分、La2O3成分、Y2O3成分、Ga2O3成分的1种以上成分的总含量：0～15％和/或
Sb2O3成分：不足0.1％。
方案8
方案1～7任一项所述的结晶化玻璃，其以氧化物基准的质量％计，Li2O成分、Na2O成分、K2O成分和Cs2O成分的1种以上成分的总量为5％～14％。
方案9
方案1～8任一项所述的结晶化玻璃，其基本上不含有As2O3成分和Sb2O3成分。
方案10
方案1～9任一项所述的结晶化玻璃，其特征在于，25℃～100℃的温度范围的平均线膨胀系数为50～120[10-7℃-1]。
方案11
方案1～10任一项所述的结晶化玻璃，前述结晶相的平均粒径为100nm以下。
方案12
一种信息记录介质用基板，其使用了方案1～11任一项所述的结晶化玻璃。
方案13
方案12所述的信息记录介质用基板，其特征在于，杨氏模量为85GPa以上。
方案14
一种信息记录介质用基板，其在方案12或13所述的基板的表面设有压缩应力层。
方案15
方案14所述的信息记录介质用基板，前述压缩应力层通过以离子半径比存在于表面层的碱成分大的碱成分置换而形成。
方案16
方案14或15所述的信息记录介质用基板，其特征在于，前述压缩应力层通过基板的加热、其后急速冷却而形成。
方案17
方案12～16任一项所述的信息记录介质用基板，其特征在于，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)为
Figure A200810186443D0014084341QIETU
以下。
方案18
一种信息记录介质，其使用方案12～17任一项所述的信息记录介质用基板。
方案19
一种结晶化玻璃的制造方法，该结晶化玻璃的制造方法为将原料熔融制成熔融玻璃并将前述熔融玻璃成形后、热处理而得到结晶化玻璃，其中，
前述原料的组成中，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％
SnO2：0～2.5％、
CeO2：0～2.5％、
MnO2+WO3+Ta2O5+Bi2O3+Nb2O5：0～2.5％，此外，相对于上述原料的总质量，含有：
硫酸盐：以SO3换算为0～2.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～2.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～2.5质量％。
方案20
方案19所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，以氧化物为基准，含有选自SnO2成分、CeO2成分的1种以上，以氧化物基准的质量％计，
SnO2+CeO2：0.01～5.0％。
方案21
方案19或20所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，含有选自硫酸盐、氯化物、氟化物的1种以上，分别将硫酸盐换算为SO3、将氯化物换算为Cl2、将氟化物换算为F2时，相对于硫酸盐、氯化物、氟化物以外的原料的总质量，
SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
方案22
方案19～21任一项所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，以氧化物为基准，含有选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上，以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
方案23
一种玻璃，其特征在于，以氧化物为基准，含有SiO2成分、Li2O成分、Al2O3成分，且含有选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素。
方案24
方案23所述的玻璃，其含有选自Sn、Ce的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，
SnO2成分：0～2.5％、
CeO2成分：0～2.5％、
其中，SnO2成分和CeO2成分的总量为0.01～5.0％。
方案25
方案23或24任一项所述的玻璃，作为原料使用选自硫酸盐、氯化物和氟化物的1种以上，从而含有选自S、Cl和F的1种以上元素，相对于硫酸盐、氯化物和氟化物以外的玻璃原料的氧化物基准的总质量，前述原料中的前述硫酸盐、氯化物、和氟化物的含量为：
硫酸盐：以SO3换算为0～1.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～1.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～1.5质量％、
其中，SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
方案26
方案23～25任一项所述的玻璃，其含有选自Mn、W、Ta、Bi和Nb的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
方案27
方案23～27任一项所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％。
方案28
方案23～27任一项所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
BaO：0～15％和/或
SrO：0～15％和/或
MgO：0～2％和/或
CaO：0～2％和/或
ZnO：0～3％和/或
K2O：0～3％和/或
Na2O：0～3％和/或
Cs2O：0～3％和/或
选自Gd2O3成分、La2O3成分、Y2O3成分、Ga2O3成分的1种以上成分的总含量：0～15％和/或
Sb2O3成分：不足0.1％。
方案29
方案23～28任一项所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，Li2O成分、Na2O成分、K2O成分和Cs2O成分的1种以上成分的总量为5％～14％。
方案30
方案23～28任一项所述的玻璃，其基本上不含有As2O3成分和Sb2O3成分。
方案31
一种信息记录介质用基板，其使用了方案23～30任一项所述的玻璃。
方案32
一种信息记录介质用基板，其使用了对方案23～30任一项所述的玻璃进行热处理并使其分相而得到的物质。
方案33
一种信息记录介质用基板，其在方案31或32所述的基板的表面设有压缩应力层。
方案34
方案33所述的信息记录介质用基板，前述压缩应力层通过以离子半径比存在于表面层的碱成分大的碱成分置换而形成。
方案35
方案33或34任一项所述的信息记录介质用基板，其特征在于，前述压缩应力层通过基板的加热、其后急速冷却而形成。
方案36
方案31～35任一项所述的信息记录介质用基板，其特征在于，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)为
Figure A200810186443D0018084320QIETU
以下。
方案37
信息记录介质，其使用了方案31～36任一项所述的信息记录介质用基板。
发明效果
根据本发明，可提供一种结晶化玻璃，其即便基本上不使用会对人体和环境带来不良影响的砷成分和锑成分、或砷成分和锑成分的含量即便不足0.1％，也具备可耐受信息记录介质基板用途的物性，具有与现有这样的含有大量砷成分和锑成分的情形同等的澄清作用。
此外，本发明的结晶化玻璃中，结晶化处理前的中间体玻璃通过实施磨削、研磨等机械加工、以及用于形成应力的对表面层的加工等，可用于信息记录介质用基板用途。
尽管上述本发明的玻璃与本发明的结晶化玻璃相比，在机械强度方面稍差，但具有如下的特征：对于研磨加工后得到的表面粗糙度而言得到更平滑的面。
具体实施方式
接着，对本发明的具体的实施方式进行说明。
本发明的结晶化玻璃含有二硅酸锂作为主结晶相。通过含有该结晶相，从而具有优异的耐热性、机械强度、可耐受高速旋转化和跌落冲击的高强度，可实现符合各驱动部件的热膨胀特性和化学耐久性。
此外，可含有选自单硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、β-石英固溶体中的至少1种以上作为结晶相。因为这些结晶相尽管在二硅酸锂析出时有时附带地析出，但这些结晶相并不阻碍信息记录介质用途所要求的特性。但上述结晶相以外的结晶相有可能阻碍信息记录介质用途所要求的特性，故不优选含有。
这里，固溶体是指：α-石英(α-SiO2)、β-石英(β-SiO2)各自的晶体中，一部分被置换为构成晶体的元素以外的元素，或原子侵入到晶体间。特别是，β-石英固溶体是指以化学式LiXAlXSi1-XO2(0<X<1)表示、还包括该化学式更进一步被其它元素置换或侵入的物质的总称。
接着，对构成本发明的结晶化玻璃的各组成成分进行阐述。另外，各成分的含量以氧化物基准的质量％表示。这里，“氧化物基准”是指：假设作为本发明的结晶化玻璃的构成成分的原料使用的氧化物、硝酸盐等熔融时全部分解并转变为氧化物的情况下，记述结晶化玻璃中所含有的各成分的组成的方法，将生成氧化物的质量的总和记为100质量％来记述结晶化玻璃中所含有的各成分的量。
此外，制造本发明的结晶化玻璃时，将特定组成的原料在铂坩埚、石英坩埚等中熔融、急速冷却以作成毛坯玻璃，对该毛坯玻璃热处理、结晶化而得到结晶化玻璃。将前述原料的组成比例以氧化物基准表示时，基本与构成上述结晶化玻璃的各组成成分的含量相同，一部分原料的组成比例因熔融时挥发等而有时与构成结晶化玻璃的成分含量不同。以后的说明中，仅在原料的组成比例与构成结晶化玻璃的成分含量不同时予以明确说明。
本发明的结晶化玻璃中，通过含有特定范围的选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素，从而维持了信息记录介质用基板所要求的物性、并可得到与As2O3成分和Sb2O3成分同样高的澄清效果。本发明中这些元素起到澄清剂的作用。
为了维持信息记录介质用基板所要求的物性、并得到高的澄清效果，优选含有选自Sn、Ce的1种以上元素。虽然作为澄清剂仅使用Sn和/或Ce元素也得到了澄清效果，但还可并用Sn、Ce以外的其它澄清剂。为了得到高的澄清效果，以氧化物基准计，SnO2成分或CeO2成分的总含量的下限优选为0.01％、更优选为0.05％、最优选为0.1％。其中，含有Sn、Ce以外的澄清剂时，前述总量可为0％。此外，为了得到同样的效果，SnO2成分和CeO2成分的各自含量的下限更优选为0.05％、最优选为0.1％。其中，含有Sn、Ce以外的澄清剂时，SnO2成分和CeO2成分的各自含量可为0％。
另一方面，为了维持机械强度、并降低比重、析出所期望的结晶相、且得到高的澄清效果，SnO2成分和CeO2成分的总含量的上限优选为5.0％、更优选为4.0％、最优选为3.0％。此外，为了得到同样的效果，SnO2成分和CeO2成分的各自含量的上限优选为2.5％、更优选为2.0％、最优选为1.5％。
进而，为了维持前述特征、并得到更高的澄清效果，更优选含有SnO2成分和CeO2成分两成分。
其中，本发明的结晶化玻璃的组成中，使用直接加压法(用上下模具对熔融玻璃直接加压的方法)制作信息记录介质用基板时，由于加压时的冲击等，容易发生再沸(从澄清后的玻璃再次起泡的现象)，难以得到澄清效果，因此，在直接加压用途中使用本发明的结晶化玻璃时，优选仅含有SnO2成分或CeO2成分中的任一个。
选自S、Cl和F的1种以上元素也可维持作为信息记录介质用基板用途所要求的物性、并得到澄清效果，可以单独含有上述元素的组、或该组与其它澄清剂成分一起含有。这些元素可通过将硫酸盐、氯化物和氟化物用于原料而含有，这些原料由于在熔融时一部分挥发，因而原料中的含量与结晶化玻璃中的含量不同。在原料中，可含有氟化物成分例如MgF2、CaF2，硫酸盐成分例如MgSO4、BaSO4，氯化物成分例如BaCl2、SnCl2等。
由这些成分得到澄清效果时，相对于这些成分以外的以氧化物基准表示的原料的总质量，换算成F2的氟化物成分、换算成SO3的硫酸盐成分、换算成Cl2的氯化物成分的1种以上成分的总质量的比例的下限优选为0.01质量％、更优选为0.03质量％、最优选为0.05质量％。其中，含有硫酸盐、氯化物和氟化物以外的其它澄清剂时，前述总质量的比例可为0％。
此外，为了得到同样的效果，相对于这些成分以外的以氧化物基准表示的原料的总质量，换算成F2的氟化物成分、换算成SO3的硫酸盐成分、换算成Cl2的氯化物成分的各自含量的下限更优选为0.01质量％、最优选为0.02质量％。其中，含有S、Cl和F成分以外的澄清剂时，上述成分的各自含量可为0％。
此外，为了析出所期望的结晶相、维持作为信息记录介质用基板用途所要求的物性并得到澄清效果，相对于这些成分以外的以氧化物基准表示的原料的总质量，换算成F2的氟化物成分、换算成SO3的硫酸盐成分、换算成Cl2的氯化物成分的1种以上成分的总质量的比例的上限为1.5质量％是充分的，更优选为1.2质量％、最优选为1.0质量％。
此外，为了得到同样的效果、并抑制再沸，相对于这些成分以外的以氧化物基准表示的原料的总质量，换算成F2的氟化物成分、换算成SO3的硫酸盐成分、换算成Cl2的氯化物成分的各自含量的上限优选为1.5质量％、优选为1.0质量％，特别是从抑制直接加压时的再沸方面出发，最优选基本上不含这些物质。这里，基本上不含是指不会人为地含有，作为杂质允许含极微量。
选自Mn、W、Ta、Bi和Nb的1种以上元素也可维持作为信息记录介质用基板用途所要求的物性、并得到澄清效果，可单独含有上述元素的组、或该组与其它澄清剂成分一起含有。得到澄清效果时，以氧化物基准计，MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量的下限优选为0.01％、更优选为0.05％、最优选为0.1％。其中，含有Mn、W、Ta、Bi和Nb以外的澄清剂时，总量可为0％。
此外，为了析出所期望的结晶相、维持作为信息记录介质用基板用途所要求的物性并得到澄清效果，这些成分的总含量的上限为2.5％是充分的，优选为2％，特别是从抑制直接加压时的再沸的方面出发，最优选基本上不含。
As2O3成分和Sb2O3成分起到作为澄清剂的作用，但其为环境上有害的成分，应极力减少其使用。本发明的结晶化玻璃即便不含有As2O3成分和Sb2O3成分，也可得到澄清效果，因此为了减轻对环境的影响，As2O3成分和Sb2O3成分优选分别不足0.1％、更优选基本上不含。
SiO2成分是通过毛坯玻璃的热处理作为主结晶相析出前述晶体所必须的成分，其含量不足60％的话，则所得结晶化玻璃的析出晶体不稳定且组织容易肥大化，其结果，机械强度降低、研磨得到的表面粗糙度也容易变大，因此，含量的下限优选为60％、更优选为62％、最优选为64％。此外，超过78％时，熔化、成形性变得困难，其结果，均质性容易降低，因此，含量的上限优选为78％、更优选为77％、最优选为76％。
Li2O成分为构成前述结晶相的成分，是必须含有的。其还是有助于玻璃的低粘性化的重要成分，其含量不足5％则难以充分得到该效果，因此，含量的下限优选为5％、更优选为5.5％、最优选为6％。此外，超过12％时，化学耐久性的恶化变显著，因此，含量的上限优选为12％、更优选为11％、最优选为10.5％。
K2O成分是为了结晶颗粒的微细化、玻璃的低粘性化而有效的，因此可作为任意成分添加。该成分超过3％时，变得难以玻璃化，难以得到所期望的结晶相，因此，优选含量的上限为3％。更优选的上限值为2.5％、进而优选的上限值为2％。
Na2O成分是为了低粘性化而有效的，因而可作为任意成分添加。该成分超过3％时，变得难以玻璃化，难以得到所期望的结晶相，因此，优选含量的上限为3％。更优选的上限值为2.5％、进而优选的上限值为2％。
Cs2O成分是为了低粘性化而有效的，因而可作为任意成分添加。该成分超过3％时，变得难以玻璃化，难以得到所期望的结晶相，因此，优选含量的上限为3％。更优选的上限值为2.5％、进而优选的上限值为2％。
作为信息记录介质基板用途优选使碱成分溶出量尽量少。为了制成可作为垂直磁记录方式等为代表的下一代的信息记录介质用途而使用的碱成分的溶出量，优选必须含有的Li2O成分与根据需要含有的Na2O成分、K2O成分、Cs2O成分的1种以上成分的总量为14％以下、更优选为13％以下、最优选为12％以下。此外，为了容易降低玻璃的粘性，优选Li2O成分与根据需要含有的Na2O成分、K2O成分、Cs2O成分的1种以上成分的总量为5％以上、更优选为6％以上、最优选为7％以上。
Al2O3成分是与SiO2同样构成前述结晶相的成分，且还是有助于玻璃的稳定化、提高化学耐久性的重要成分，其含量不足4％则容易变得难以玻璃化，因此，含量的下限优选为4％、更优选为4.5％、最优选为5％。此外，超过10％时反而导致熔化，成形性、耐失透性恶化，其结果均质性变得容易降低，因此，含量的上限优选为10％、更优选为9.5％、最优选为9％。
P2O5成分可作为成核剂添加，不仅有助于低粘性化且通过与SiO2共存而提高了毛坯玻璃的熔融、澄清性，因此，为了确实且充分得到这些效果，含量的下限优选为1.5％、更优选为1.6％、最优选为1.7％。但是，该成分的添加量超过3％时变得难以玻璃化、易发生失透，因此，含量的上限优选为3％、更优选为2.9％、最优选为2.8％。
ZrO2成分可作为成核剂添加。该成分对提高玻璃的化学耐久性、提高物理特性有较大帮助，也是为得到微细的晶体而有效的成分，为了容易得到该效果，优选添加1％以上、更优选添加1.2％以上、最优选添加1.4％以上。但是，该成分的添加量超过10％时，容易产生熔化残留、产生ZrSiO4(锆石)，因此，含量的上限优选为10％、更优选为8％、最优选为6％。
BaO成分由于在维持所期望的结晶相的状态下可实现玻璃的低粘性化，因而是可任意含有的成分。但是，为了熔融状态的玻璃的低粘性化以及使所期望的晶体析出、析出晶体的微细化，BaO成分更优选含有2.5％以上、最优选含有3.5％以上。此外，为了使比重为适当的值，BaO成分的含量的上限优选为15％以下、更优选为14％以下、最优选为13％以下。
SrO成分与BaO成分同样在维持所期望的结晶相的状态下可实现玻璃的低粘性化，因此是可任意含有的成分。但是，为了熔融状态的玻璃的低粘性化以及使所期望的晶体析出、析出晶体的微细化，SrO成分更优选含有2.5％以上、最优选含有3.5％以上。
此外，为了使比重为适当的值，SrO成分的含量的上限优选为15％以下、更优选为14％以下、最优选为13％以下。
BaO成分和SrO成分是在降低引起化学耐久性恶化的碱成分的含量时，代替碱成分、用于为得到所期望的结晶相并满足工业需求的压制成形性而使熔融状态的玻璃低粘性化的非常有效的成分。欲充分得到该效果时，优选选自SrO成分和BaO成分的1种以上成分的总量为超过3.5％、更优选为3.6％以上、最优选为3.7％以上。
此外，SrO成分和BaO成分是即便大量含于玻璃成分中也难以发生析出晶体的肥大化和向结晶相固溶的成分，但比重有增加的趋势，因此，为了使比重为适当的值、得到前述见解的效果，选自SrO成分和BaO成分的1种以上成分的总量优选为15％以下、更优选为14％以下、最优选为13％以下。
MgO、CaO、ZnO成分由于对玻璃的低粘性化、析出结晶相的微细化有效，因而可作为任意成分添加。但是，MgO超过2％、CaO超过2％、ZnO超过3％时，析出晶体不稳定且易变得组织肥大化、难以得到所期望的结晶相。此外，毛坯玻璃变得容易失透。因此，这些成分的含量的上限优选为MgO为2％、CaO为2％、ZnO为3％，更优选的上限值MgO为1.6％、CaO为1.6％、ZnO为2.4％，进而优选的上限值MgO为1.2％、CaO为1.2％、ZnO为1.8％。
Gd2O3、La2O3、Y2O3、Ga2O3成分对玻璃的低粘性化、通过杨氏模量提高而使机械特性提高、结晶化处理温度上升即耐热性提高是有效的，因此，可作为任意成分添加，其含量在这些成分当中1种以上的总量为15％是充分的，总量超过15％，则变得难以玻璃化和结晶化。因此，这些成分的总量的上限优选为15％、更优选为10％、最优选为8％。
B2O3成分由于有助于玻璃的低粘性化、提高熔化、成形性，因此，可在不有损结晶化玻璃的特性的范围内作为任意成分添加。但是该成分为5％以上时，毛坯玻璃变得容易分相，难以得到所期望的结晶相，故优选含量的上限为5％。更优选的上限值为4％、进而优选的上限值为3％。
TiO2成分可作为成核剂来任意添加。但是，该成分的添加量超过5％时，变得难以得到所期望的结晶相，且也有结晶化后TiO2相作为结晶相析出的情况，因而含量的上限优选为5％、更优选为4％、最优选为3％。
接着，是关于本发明的结晶化玻璃的结晶相的平均粒径，前述平均结晶粒径对于加工基板、研磨表面后的表面特性带来影响。如先前所述，伴随着信息记录介质的面记录密度的提高，磁头的上浮高度最近为15nm以下，今后越发为从10nm以下进展至近接触记录(near contact recording)方式或完全接触的直接接触记录方式的方向，为了对应于此，光盘基板等基板表面的平滑性必须比现有产品还好。
现有水平的平滑性中，即便想对磁记录介质进行高密度的输入输出，由于磁头与介质间的距离不得不加大，因而无法进行磁信号的输入输出。此外，使该距离变小时，介质(光盘基板)的突起与磁头发生冲突，引起磁头破损、介质破损。因此，为了即便该显著低的上浮高度或者接触状态下，也不引起磁头破损、光盘基板破损并且不产生磁头与介质的吸附，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)的上限为
Figure A200810186443D00271
并且，为了容易得到这样平滑的研磨面，结晶化玻璃的结晶颗粒的平均粒径的上限优选为100nm以下、更优选为70nm以下、最优选为50nm以下。此外，为了制成机械强度和耐热性良好的产品，结晶化玻璃的结晶颗粒的平均粒径的下限优选为1nm。
将本发明的结晶化前的玻璃作为信息记录介质用基板用途使用时，研磨后的表面粗糙度Ra可实现以下的值、更优选为可实现
Figure A200810186443D00273
以下的值。
本发明的结晶化玻璃通过均匀析出微细的结晶颗粒，可实现机械强度的提高。特别是析出结晶颗粒防止了微细裂缝的生长，因而可显著降低研磨加工时的修整等带来的微细的缺口。
此外，通过使这样的微细的晶体均匀析出、且在表面形成压缩应力层，可飞跃性提高结晶化玻璃的机械强度、尤其是环弯曲强度。从这些观点出发，结晶颗粒的平均粒径的范围优选上述范围。
因此，例如将本发明的结晶化玻璃制成磁记录介质用光盘基板等基板时，可使面记录密度变大，即便为了提高记录密度而将基板自身高旋转化，也不会发生挠曲和变形，降低该旋转带来的振动，降低振动和挠曲导致数据读取的错误数(TMR)。而且，由于耐冲击特性优异，因而特别是作为手机用途等的信息记录介质难以发生磁头碰撞、基板的破坏，其结果，显示优异的稳定工作性。
这里，结晶颗粒的平均粒径是指：通过透射型电子显微镜(TEM)像测定的结晶像(n＝100)的面积基准的粒径的中央累积值(“中值粒径”d50)。粒径为用平行的2条直线夹持所得结晶像时2条直线间的距离的最大值。此外，环弯曲强度是指：制成直径为65mm、厚度为0.635mm的薄的圆板状试样，通过由圆形的支持环和荷重环测定该圆板状试样的强度的同心圆弯曲法测定的弯曲强度。
接着，对杨氏模量和比重进行阐述。如前所述，为了提高记录密度和数据传输速度，有信息记录介质光盘基板的高速旋转化倾向，为了对应于该倾向，为了防止高速旋转时挠曲导致光盘振动，基板材必须为高刚性、低比重。此外，在用于磁头的接触、可移动记录装置这样的便携型记录装置时，优选具有可充分耐受这些的机械强度、高杨氏模量、表面硬度，具体地说，优选杨氏模量为85GPa以上、更优选为88GPa以上、最优选为90GPa以上。
但是，仅仅是高刚性的话，如果比重大，则在高速旋转时因其重量大而产生挠曲、发生振动。相反，低比重但刚性小，则同样发生振动。此外比重过低时，结果难以得到所期望的机械强度。因此，必须取得高刚性但低比重这样的乍一看相反的特性的平衡，其优选的范围以杨氏模量[GPa]/比重计为32以上、更优选的范围为33以上、最优选的范围为34以上。此外，对于比重，例如即便高刚性也有必要为2.7以下，低于2.2时，基本上难以得到具有所期望的刚性的基板。
此外，关于平均线膨胀系数，为了使与硬盘的各构成部件的平均线膨胀系数的匹配良好，在25～100℃的范围内，平均线膨胀系数的下限优选为50[10-7℃-1]以上、更优选为52[10-7℃-1]以上、最优选为55[10-7℃-1]以上。出于同样的理由，平均线膨胀系数的上限优选为120[10-7℃-1]以下、更优选为110[10-7℃-1]以下、最优选为100[10-7℃-1]以下。
本发明的结晶化玻璃由于具有上述的平均线膨胀系数，因而可优选用作需要热尺寸稳定性的各种精密部件等的用途。
本发明的结晶化玻璃通过在表面设有压缩应力层，可得到进一步提高设有压缩应力层之前的结晶化玻璃所具有的机械强度的效果。
作为压缩应力层的形成方法，有例如用离子半径比存在于压缩应力层形成前的结晶化玻璃的表面层的碱成分大的碱成分进行交换反应的化学强化法。此外，有加热结晶化玻璃并在其后急速冷却的热强化法、在结晶化玻璃的表面层注入离子的离子注入法。
作为化学强化法，例如在含有钾或钠的盐、例如硝酸钾(KNO3)、硝酸钠(NaNO3)或其复合盐的熔融盐中300～600℃的温度下浸渍0.5～12小时。由此，进行存在于结晶化玻璃中的残留玻璃成分中的锂成分(Li+离子)与离子半径比Li大的碱成分、即钠成分(Na+离子)或者钾成分(K+离子)的交换反应、或者、与离子半径比存在于残留玻璃成分中的钠成分(Na+离子)大的碱成分、即钾成分的交换反应，由此，结晶化玻璃的容积增加，在结晶化玻璃表面层中产生压缩应力，其结果，冲击特性的指标、即环弯曲强度增加。
热强化法并没有特别限定，例如对结晶化玻璃加热至300℃～600℃之后实施水冷和/或空气冷等急速冷却，可形成由玻璃的表面与内部的温度差产生的压缩应力层。另外，通过与上述化学处理法的组合，可更有效形成压缩应力层。
上述压缩层的形成方法还可同样适用于将结晶化前的玻璃作为信息记录介质用基板用途使用的情形。
为了制造本发明的结晶化玻璃，将含有上述各成分的原料的玻璃原料熔融·急速冷却作成毛坯玻璃，将该毛坯玻璃在500℃～650℃下热处理并进行核形成工序，在该核形成工序之后、在600℃～850℃的范围内通过比核形成工序高的温度进行热处理，从而进行晶体生长工序。
将本发明的结晶化前的玻璃作为信息记录介质用基板用途使用时，为了去除材料的应变和提高材料的机械特性，可进行热处理使玻璃中形成分相。为了在玻璃中形成分相，优选在550℃～600℃的范围内、3～12小时的范围内对玻璃进行热处理。
此外，为了制作信息记录介质用基板，将上述条件下制作的熔融玻璃滴加入下模中，用上下模加压以成形为光盘状，根据需要实施形状加工，用公知的方法实施抛光加工、研磨加工即可。
实施例
以下，对本发明适合的实施例进行说明。另外，本发明并不限于这些实施例。
表1～表7表示实施例1～34的玻璃组成、熔化后的无定形玻璃的每1cm3的残留泡数、比重、杨氏模量、杨氏模量/比重、25℃～100℃的平均线膨胀系数(α)、结晶化热处理最高温度、平均结晶粒径和主结晶相。另外，各实施例的组成以质量％表示。玻璃原料中添加硫酸盐、氯化物、氟化物时，相对于这些成分以外的以氧化物基准表示的原料的总质量，以换算为F2的氟化物成分、换算为SO3的硫酸盐成分、换算为Cl2的氯化物成分的1种以上的总质量％表示。
此外，平均线膨胀系数是指：根据JOGIS(日本光学硝子工业会标准)16-2003“光学玻璃的常温附近的平均线膨胀系数的测定方法”、将温度范围从25℃变为100℃测定的值。
比重使用阿基米德法测定，杨氏模量使用超声波法测定。
结晶相的鉴别由X射线衍射装置(PANalytical公司制造、商品名：X’pert-MPD)得到的X射线衍射图形求得。
表1
Figure A200810186443D00321
表2
Figure A200810186443D00331
表3
Figure A200810186443D00341
表4
表5
Figure A200810186443D00361
表6
Figure A200810186443D00371
表7
Figure A200810186443D00381
本发明的上述实施例的玻璃均将氧化物、碳酸盐、硝酸盐等原料混合，实施例11～20、23～30还将硫酸盐、氯化物、氟化物添加到原料中，使用通常的熔化装置在约1400～1500℃的温度下将其熔化并搅拌均质化，然后，成形为光盘状，冷却并得到玻璃成形体。其后，将其在500～650℃下热处理约1～12小时形成晶核，然后在600～850℃的范围内以比晶核形成温度高的温度热处理约1～12小时，由此进行晶体生长工序，得到所期望的结晶化玻璃。接着用平均粒径5～30μm的磨粒将上述结晶化玻璃抛光约10分钟～60分钟，内外径加工后，用平均粒径0.5μm～2μm的氧化铈研磨约30分～60分钟，得到信息记录介质用的基板。此时的基板的表面粗糙度Ra(算术平均偏差)均为
Figure A200810186443D0014084341QIETU
以下。另外，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)用原子力显微镜(AFM)测定。
如表1～7所示，本发明的结晶化玻璃的实施例是结晶粒径为90nm以下，其大多为50nm以下的微细粒径。此外，热膨胀特性也在25℃～100℃的平均线膨胀系数为60～85(10-7℃-1)的范围。此外，1cm3玻璃中所含的残留泡数为1～16个，显示出不逊于大量使用锑成分、砷成分时的结果的澄清特性。此外，关于实施例31～34，看不见使用直接加压法时加压时的再沸的发生。
比较例
以氧化物基准的质量％计，除了不使用澄清剂、SiO2成分为75.5％以外，以与实施例1同样的组成、同样的条件下制作结晶化玻璃。观察1cm3玻璃中所含的残留泡数，残留泡数为70个。
实施例35
此外，将实施例1的2.5英寸HDD用研磨基板(65φ×0.635mmt)在400℃的硝酸钾与硝酸钠的混合盐(KNO3:NaNO3＝1:3)中浸渍0.5小时，在表面形成压缩应力层。确认该基板的环弯曲强度提高至压缩应力层形成前(500MPa)的3倍。
实施例36
此外，将实施例10的2.5英寸HDD用研磨基板(65φ×0.635mmt)在400℃的硝酸钾与硝酸钠的混合盐(KNO3:NaNO3＝1:3)中浸渍0.5小时，在表面形成压缩应力层。确认该基板的环弯曲强度提高至压缩应力层形成前(500MPa)的5倍。
实施例37
此外，将实施例1的2.5英寸HDD用研磨基板(65φ×0.635mmt)加热至300℃～600℃后，用空气冷却法实施急速冷却，在表面形成压缩应力层。确认该基板的环弯曲强度提高。
实施例38
此外，将实施例32的2.5英寸HDD用研磨基板(65φ×0.635mmt)在400℃的硝酸钾与硝酸钠的混合盐(KNO3:NaNO3＝3:1)中浸渍0.5小时，在表面形成压缩应力层。确认该基板的环弯曲强度提高至压缩应力层形成前(500MPa)的8倍。此外，确认浸渍0.16小时时的环弯曲强度提高至压缩应力层形成前的3倍，浸渍0.32小时时的环弯曲强度提高至压缩应力层形成前的5倍。
实施例39
此外，通过DC溅射法，在由上述实施例得到的基板上形成铬合金底层、钴合金磁性层的膜，进而形成类金刚石炭层，接着涂布全氟聚醚系润滑剂，得到信息磁记录介质。
实施例40
在600℃对实施例32的结晶化前的玻璃热处理6小时，实施加工，使其成为65φ×0.635mmt，得到具有内孔的圆板状的基板。用TEM(透射电子显微镜)观察，观察到呈分相状态。加工条件为将基板表面用平均粒径5～30μm的磨粒抛光约10分钟～60分钟，内外径加工后，用平均粒径0.5μm～2μm的氧化铈对基板表面研磨约30分钟～60分钟。研磨后时的表面粗糙度Ra为
Figure A200810186443D00411
是良好的。
此外，将所得基板在400℃的硝酸钾与硝酸钠的混合盐(KNO3:NaNO3＝3:1)中浸渍0.5小时，在表面形成压缩应力层。该基板的环弯曲强度为2000MPa，与将结晶化玻璃制成基板时相比有一些差，但具有作为信息记录介质用基板的充分的强度。
实施例41
在490℃对实施例32的结晶化前的玻璃热处理2小时，实施加工，使其成为65φ×0.635mmt，得到具有内孔的圆板状的基板。加工条件为用平均粒径5～30μm的磨粒对基板表面抛光约10分钟～60分钟，内外径加工之后，用平均粒径0.5μm～2μm的氧化铈对基板表面研磨约30分钟～60分钟。研磨后时的表面粗糙度Ra为
Figure A200810186443D00412
是良好的。
此外，将所得基板在400℃的硝酸钾与硝酸钠的混合盐(KNO3:NaNO3＝3:1)中浸渍0.5小时，在表面形成压缩应力层。该基板的环弯曲强度为1800MPa，与将结晶化玻璃制成基板时相比有一些差，但具有作为信息记录介质用基板的充分的强度。
工业上的可利用性
根据本发明，即便在用于各种信息磁记录装置的磁记录介质用基板当中，特别是用于垂直磁记录介质、图案化介质(patterned media)用介质、离散轨道(discrete track)用介质等的结晶化玻璃中，基本上不含作为澄清剂以往含有的有害物质即砷、锑或者尽管锑成分为不足0.1％的含量，也可得到与现现有的制造方法相比同等的澄清效果。
此外，本发明提供的结晶化玻璃，具有批量生产水平上的可对应于压制成形性的低粘度特性，可对应于磁头的低上浮化的极其平滑的基板表面，对应于高速旋转的高杨氏模量和低比重特性，还兼具优异的机械特性。由此，作为信息记录介质用基板、尤其是面向HDD的垂直磁记录介质用基板是有用的。
此外，本发明的结晶化玻璃由于基本上不含作为澄清剂的砷、锑或者锑成分为不足0.1％的含量，因而可降低在直接通电的电熔化中通常使用的钼电极的侵蚀。

Claims (37)

1.一种结晶化玻璃，其特征在于，以氧化物为基准，含有SiO2成分、Li2O成分、Al2O3成分，作为结晶相含有二硅酸锂，且含有选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素。
2.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其特征在于，作为结晶相含有选自单硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、β-石英固溶体中的至少1种以上。
3.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其含有选自Sn、Ce的1种以上元素，以氧化物基准的质量％计，它们的含量为：
SnO2成分：0～2.5％、
CeO2成分：0～2.5％、
其中，SnO2成分和CeO2成分的总量为0.01～5.0％。
4.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其作为原料使用选自硫酸盐、氯化物和氟化物的1种以上，从而含有选自S、Cl和F的1种以上元素，相对于硫酸盐、氯化物和氟化物以外的玻璃原料的氧化物基准的总质量，前述原料中的前述硫酸盐、氯化物和氟化物的含量为：
硫酸盐：以SO3换算为0～1.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～1.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～1.5质量％、
其中，SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
5.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其含有选自Mn、W、Ta、Bi和Nb的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
6.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％。
7.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
BaO：0～15％和/或
SrO：0～15％和/或
MgO：0～2％和/或
CaO：0～2％和/或
ZnO：0～3％和/或
K2O：0～3％和/或
Na2O：0～3％和/或
Cs2O：0～3％和/或
选自Gd2O3成分、La2O3成分、Y2O3成分、Ga2O3成分的1种以上成分的总含量：0～15％和/或
Sb2O3成分：不足0.1％。
8.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，以氧化物基准的质量％计，Li2O成分、Na2O成分、K2O成分和Cs2O成分的1种以上成分的总量为5％～14％。
9.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其基本上不含有As2O3成分和Sb2O3成分。
10.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，其特征在于，25℃～100℃的温度范围的平均线膨胀系数为50～120[10-7℃-1]。
11.根据权利要求1所述的结晶化玻璃，前述结晶相的平均粒径为100nm以下。
12.一种信息记录介质用基板，其使用了权利要求1～11任一项所述的结晶化玻璃。
13.根据权利要求12所述的信息记录介质用基板，其特征在于，杨氏模量为85GPa以上。
14.一种信息记录介质用基板，其在权利要求12所述的基板的表面设有压缩应力层。
15.根据权利要求14所述的信息记录介质用基板，前述压缩应力层通过以离子半径比存在于表面层的碱成分大的碱成分置换而形成。
16.根据权利要求14所述的信息记录介质用基板，其特征在于，前述压缩应力层通过基板的加热、其后急速冷却而形成。
17.根据权利要求12所述的信息记录介质用基板，其特征在于，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)为
Figure A200810186443C0004163725QIETU
以下。
18.一种信息记录介质，其使用了权利要求12所述的信息记录介质用基板。
19.一种结晶化玻璃的制造方法，其为通过将原料熔融制成熔融玻璃并将前述熔融玻璃成形后、热处理而得到结晶化玻璃的制造方法，其中，
前述原料的组成中，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％
SnO2：0～2.5％、
CeO2：0～2.5％、
MnO2+WO3+Ta2O5+Bi2O3+Nb2O5：0～2.5％，
此外，相对于上述原料的总质量，含有：
硫酸盐：以SO3换算为0～2.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～2.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～2.5质量％。
20.根据权利要求19所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，以氧化物为基准，含有选自SnO2成分、CeO2成分的1种以上，以氧化物基准的质量％计，
SnO2+CeO2：0.01～5.0％。
21.根据权利要求19所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，含有选自硫酸盐、氯化物、氟化物的1种以上，分别将硫酸盐以SO3换算、将氯化物以Cl2换算、将氟化物以F2换算时，相对于硫酸盐、氯化物、氟化物以外的原料的总质量，
SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
22.根据权利要求19所述的结晶化玻璃的制造方法，前述原料的组成中，以氧化物为基准，含有选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上，以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
23.一种玻璃，其特征在于，以氧化物为基准，含有SiO2成分、Li2O成分、Al2O3成分，且含有选自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl和F的1种以上元素。
24.根据权利要求23所述的玻璃，其含有选自Sn、Ce的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，
SnO2成分：0～2.5％、
CeO2成分：0～2.5％、
其中，SnO2成分和CeO2成分的总量为0.01～5.0％。
25.根据权利要求23所述的玻璃，作为原料使用选自硫酸盐、氯化物和氟化物的1种以上，从而含有选自S、Cl和F的1种以上元素，相对于硫酸盐、氯化物和氟化物以外的玻璃原料的氧化物基准的总质量，前述原料中的前述硫酸盐、氯化物和氟化物的含量为：
硫酸盐：以SO3换算为0～1.5质量％、
氯化物：以Cl2换算为0～1.5质量％、
氟化物：以F2换算为0～1.5质量％、
其中，SO3+Cl2+F2：0.01～1.5质量％。
26.根据权利要求23所述的玻璃，其含有选自Mn、W、Ta、Bi和Nb的1种以上元素，它们的含量以氧化物基准的质量％计，选自MnO2成分、WO3成分、Ta2O5成分、Bi2O3成分和Nb2O5成分的1种以上成分的总含量为0.01～2.5％。
27.根据权利要求23所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
SiO2：60～78％和
Li2O：5～12％和
Al2O3：4～10％和
P2O5：1.5～3.0％和
ZrO2：1～10％。
28.根据权利要求23所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，含有如下各成分：
BaO：0～15％和/或
SrO：0～15％和/或
MgO：0～2％和/或
CaO：0～2％和/或
ZnO：0～3％和/或
K2O：0～3％和/或
Na2O：0～3％和/或
Cs2O：0～3％和/或
选自Gd2O3成分、La2O3成分、Y2O3成分、Ga2O3成分的1种以上成分的总含量：0～15％和/或
Sb2O3成分：不足0.1％。
29.根据权利要求23所述的玻璃，以氧化物基准的质量％计，Li2O成分、Na2O成分、K2O成分和Cs2O成分的1种以上成分的总量为5％～14％。
30.根据权利要求23所述的玻璃，其基本上不含有As2O3成分和Sb2O3成分。
31.一种信息记录介质用基板，其使用了权利要求23所述的玻璃。
32.一种信息记录介质用基板，其使用了对权利要求23所述的玻璃进行热处理并使其分相得到的物质。
33.一种信息记录介质用基板，其在权利要求31或32所述的基板的表面设有压缩应力层。
34.根据权利要求33所述的信息记录介质用基板，前述压缩应力层通过以离子半径比存在于表面层的碱成分大的碱成分置换而形成。
35.根据权利要求33所述的信息记录介质用基板，其特征在于，前述压缩应力层通过基板的加热、其后急速冷却而形成。
36.根据权利要求31所述的信息记录介质用基板，其特征在于，表面粗糙度Ra(算术平均偏差)为以下。
37.一种信息记录介质，其使用了权利要求31～36任一项所述的信息记录介质用基板。
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