JPWO2010007902A1 - 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 66
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 12
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 3
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical class [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
- C03C21/002—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions to perform ion-exchange between alkali ions
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
ガラス成分全体に対して、６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板である。Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有しない。Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有する。これらの多価元素の総量の、Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率は、０．０２〜０．２０の範囲である。
Description
本発明は、磁気ディスク等の情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体に関し、更に詳しくは、アルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体に関する。
磁気、光、光磁気等の性質を利用した記録層を有する情報記録媒体のなかで、代表的なものとして磁気ディスクがある。磁気ディスク用基板として、従来はアルミニウム基板が広く用いられていた。しかし、近年、記録密度向上のための磁気ヘッド浮上量の低減の要請等に伴い、アルミニウム基板よりも表面の平滑性に優れ、しかも表面欠陥を減少させることができるガラス基板を用いる割合が増えてきている。中でも、イオン交換による化学強化処理を施すことで基板を強化することができるアルミノシリケートガラスからなるガラス基板は、高い耐衝撃性や耐振動性を有することから、好ましく用いられている。
このような情報記録媒体用ガラス基板において、表面欠陥を抑えて高密度記録に対応させるためには、ガラスの溶融過程で発生した気泡を、ガラス基板内にできるだけ残存させないことが必要である。従来は、ガラス成分中に、清澄剤としてＡｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３を含有させることにより、溶融ガラス中の気泡を除去（清澄）する方法が一般的であった（例えば、特許文献１参照）。
しかし、Ａｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３は毒性を有するため、環境上及び健康上の観点から、これらの使用を制限する動きが広がりつつある。そのため、清澄剤としてＡｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３を使用することなく、溶融ガラス中の気泡を除去する方法が検討され、溶融ガラスを減圧して気泡を除去する方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
しかしながら、特許文献２に記載の方法によれば、複雑なプロセスと特殊な減圧脱泡装置が必要となるばかりでなく、減圧に伴うガラス成分の揮発によって、ガラス成分の変動が起こりやすいという問題があった。
本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を提供すること、及び、これを用いた情報記録媒体を提供することである。
上記の課題を解決するために、本発明は以下の特徴を有するものである。
１． ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
２． Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｓｎ（スズ）及びＣｅ（セリウム）からなる群の中から選ばれる少なくとも１つの多価元素を含有することを特徴とする前記１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
３． 前記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることを特徴とする前記１又は２に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＶはＶ２Ｏ５に、ＭｎはＭｎＯ２に、ＮｉはＮｉ２Ｏ３に、ＮｂはＮｂ２Ｏ５に、ＭｏはＭｏＯ３に、ＳｎはＳｎＯ２に、ＣｅはＣｅＯ２に、ＴａはＴａ２Ｏ５に、ＢｉはＢｉ２Ｏ３に、それぞれ換算する。
４． 前記多価元素は、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加されたものであることを特徴とする前記１〜３のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
５． イオン交換による化学強化処理が施されていることを特徴とする前記１〜４のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
６． 前記１〜５のうちいずれか１項に記載された情報記録媒体用ガラス基板の上に、記録層を有していることを特徴とする情報記録媒体。
本発明によれば、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させているため、当該多価元素の価数変化による清澄反応を効果的に働かせることができる。従って、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有させることなく、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（情報記録媒体用ガラス基板）
本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス成分全体に対して、６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる。そのため、イオン交換による化学強化処理を施すことが可能であり、高い耐衝撃性や耐振動性を確保することができる。各成分を上記範囲に限定した理由は、以下の通りである。
本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス成分全体に対して、６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる。そのため、イオン交換による化学強化処理を施すことが可能であり、高い耐衝撃性や耐振動性を確保することができる。各成分を上記範囲に限定した理由は、以下の通りである。
ＳｉＯ２は、ガラスの網目構造を形成する重要な成分であり、化学的耐久性にも寄与するところが大きい。ＳｉＯ２の含有量が６０質量％より少ないと化学的耐久性が悪化する恐れがある。逆に７５質量％を超えると溶融温度が高くなりすぎてしまう。そのためＳｉＯ２の含有量は６０〜７５質量％の範囲とすることが必要である。その中でも好ましくは６０〜７１質量％の範囲である。
Ａｌ２Ｏ３は、ＳｉＯ２と共に網目構造を形成する重要な成分であり、化学的耐久性を向上させるだけではなく、イオン交換性能を向上させる働きを有している。Ａｌ２Ｏ３の含有量が５質量％より少ないと、化学的耐久性やイオン交換性能が低下する恐れがある。逆に１８質量％を超えると、耐失透性が悪化してしまう。このためＡｌ２Ｏ３の含有量は５〜１８質量％の範囲とすることが必要である。その中でも好ましくは９〜１４質量％の範囲である。
Ｌｉ２Ｏは、イオン交換による化学強化処理を施すために必要な成分である。化学強化処理においては、ガラス中のＬｉ＋イオンが、化学強化処理液中のＮａ＋イオンやＫ＋イオンとイオン交換されることによってガラス基板が強化される。Ｌｉ２Ｏの含有量が３質量％より少ないと、このイオン交換性能が低下する。逆に１０質量％を超えると、耐失透性や化学的耐久性が悪化してしまう。そのため、Ｌｉ２Ｏの含有量は３〜１０質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは４〜６質量％の範囲である。
Ｎａ２Ｏは、イオン交換による化学強化処理を施すために必要な成分である。化学強化処理においては、ガラス中のＮａ＋イオンが、化学強化処理液中のＫ＋イオンとイオン交換されることによってガラス基板が強化される。Ｎａ２Ｏの含有量が３質量％より少ないと、このイオン交換性能が低下すると共に、耐失透性が悪化する。逆に１５質量％を超えると、化学的耐久性が低下してしまう。そのためＮａ２Ｏの含有量は３〜１５質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは６〜１０質量％の範囲である。
ＺｒＯ２は、化学的耐久性を向上させるために必要な成分である。ＺｒＯ２の含有量が０．５質量％より少ないと、化学的耐久性が悪化する。逆に８質量％を超えると、耐失透性が悪化してしまう。そのためＺｒＯ２の含有量は０．５〜８質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは１〜７質量％の範囲である。
Ａｓ２Ｏ３及びＳｂ２Ｏ３は、いずれも含有しない。ここで、含有しないとは、ガラスの原材料として意識的に含有させたものを排除する意味であって、他の成分の原料に不純物として含まれることによって不可避的に含有してしまう程度の微量であれば許容される。
本発明者による検討の結果、上記の各成分を有するガラス基板において、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させることにより、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有させることなく、ガラス中の気泡を十分に除去することができることが明らかになった。即ち、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有している。これらの多価元素の総量の、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）は、０．０２〜０．２０の範囲である。
このように、所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させることにより、ガラス中の気泡を十分に除去することができる理由については、おおむね以下のように考えられる。
通常、ガラス中で酸化物の形態をとる清澄剤は、次の２つの働きによって溶融ガラス中の気泡の除去（清澄）に寄与している。
（ａ）１つ目は、溶融ガラスの温度を上げていく過程で、溶融ガラス中にガスを放出する働きである。溶融ガラス中の気泡は、その浮揚力で上昇し、溶融ガラスの表面に到達すると破れて消滅する。ここで、溶融ガラス中を気泡が上昇する速度は、気泡の大きさに大きく依存し、大きな気泡は上昇速度が速いために比較的容易に表面に到達するが、小さな気泡は上昇速度が遅く、表面に到達するまでには非常に長い時間が必要になる。溶融ガラスの温度を上げていく過程で清澄剤からガスが放出されると、それによって溶融ガラス中の気泡が大きく成長し、気泡の上昇速度が速くなるため、気泡の消滅が促進される。
例えば、多価元素としてＣｅを含有する場合、高温になることによって、下記の（式１）の反応が右に進み、溶融ガラス中にＯ２ガスが放出される。放出されたＯ２ガスによって、溶融ガラス中の気泡は大きく成長し、溶融ガラスの表面で消滅する。
（ｂ）２つ目は、溶融ガラスの温度を下げていく過程で、溶融ガラス中のガスを吸収する働きである。例えば、多価元素としてＣｅを含有する場合、温度を下げていく過程で、（式１）の反応が左に進む。そのため、溶融ガラス中のＯ２ガスが吸収され、気泡は収縮し、消滅する。
このように、溶融ガラス中の気泡を十分に除去するためには、酸化物からなる清澄剤として働く多価元素の価数変化によるガスの放出と吸収が、効果的に行われる必要がある。本発明者は、溶融ガラス中における多価元素の価数変化について鋭意検討を行ったところ、酸化物からなる清澄剤として働く多価元素の価数変化の反応は、溶融ガラス中に共存する他の金属イオン、特にＡｌイオンの酸化還元反応の影響を大きく受けることを突き止めた。そして更に検討を進めた結果、所定のガラス成分を有するアルミノシリケートガラスにおいては、上記多価元素の総量の、Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲である場合に、当該多価元素の価数変化による清澄反応が非常に効果的に働くことを見いだしたのである。
多価元素には、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種を用いる。１種類の多価元素のみを単独で含有させてもよいし、２種以上の多価元素を含有させてもよい。中でも、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｓｎ（スズ）及びＣｅ（セリウム）は、特に効果的に気泡を除去することができるため好ましい。
上記多価元素の総量の、Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、所定の範囲を外れると、価数変化による清澄反応が不十分となり、溶融ガラス中の気泡を十分に除去することが困難になる。そのため、Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率は、０．０２〜０．２０の範囲であることが必要であり、０．０５〜０．１５の範囲であることがより好ましい。
更に、耐失透性を低下させることなく、清澄の効果を十分に発揮させるという観点からは、上記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることが好ましい。但し、ＶはＶ２Ｏ５に、ＭｎはＭｎＯ２に、ＮｉはＮｉ２Ｏ３に、ＮｂはＮｂ２Ｏ５に、ＭｏはＭｏＯ３に、ＳｎはＳｎＯ２に、ＣｅはＣｅＯ２に、ＴａはＴａ２Ｏ５に、ＢｉはＢｉ２Ｏ３に、それぞれ換算する。
なお、これらの多価元素は、溶融ガラス中では酸化物からなる清澄剤として機能するものであるが、用いる原料は酸化物の形態に限定されるものではなく、金属単体、水酸化物、硫酸塩、炭酸塩等、公知の形態の原料の中から適宜選択して用いればよい。中でも、取り扱いが容易であるという観点からは、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加することがより好ましい。
また、ガラス基板の形状に特に制限はないが、中心孔を有する円盤状の基板が一般的である。ガラス基板の大きさや厚みに特に制限はない。例えば、外径は２．５インチ、１．８インチ、１インチ、０．８インチなど、厚みは、１ｍｍ、０．６４ｍｍ、０．４ｍｍなどが挙げられる。
（情報記録媒体用ガラス基板の製造方法）
上述のように、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、所定の清澄剤の働きによって十分に気泡を除去することができるため、製造のために複雑なプロセスや特殊な装置を必要とせず、公知の一般的な製造方法によって製造することができる。
上述のように、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、所定の清澄剤の働きによって十分に気泡を除去することができるため、製造のために複雑なプロセスや特殊な装置を必要とせず、公知の一般的な製造方法によって製造することができる。
通常は、情報記録媒体用ガラス基板の基になるブランク材を作製した後、内外周加工、研削・研磨加工、化学強化処理、洗浄などの工程を経て製造するのが一般的である。ブランク材の作製は、溶融ガラスをプレス成形して作製する方法や、シート状のガラスを切断して作製する方法が知られている。内外周加工は、中心孔の穿孔加工、内外周の形状や寸法精度確保のための研削加工、内外周の研磨加工等を行う工程である。研削・研磨加工は、記録層が形成される面の平坦度、表面粗さを満足させるための研削加工、研磨加工を行う工程である。通常は、粗研削加工、精研削加工、１次研磨加工、２次研磨加工といったようにいくつかの段階に分けて行われる場合が多い。化学強化処理は、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することでガラス基板を強化する工程である。また、洗浄は、ガラス基板の表面に残った研磨剤や化学強化処理液等の異物を除去する工程である。
特に、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、所定のガラス成分を含有するアルミノシリケートガラスからなるため、化学強化処理を施すことにより、高い耐衝撃性や耐振動性を確保することができる。化学強化処理は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによってガラス基板の成分であるリチウムイオン、ナトリウムイオンをこれらのイオンよりイオン半径の大きなナトリウムイオン、カリウムイオン等と置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。
化学強化処理液としては、ナトリウムイオンやカリウムイオンを含む溶融塩を用いることが一般的である。例えば、ナトリウムやカリウムの硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩や、これらの混合溶融塩が挙げられる。中でも、融点が低く、ガラス基板の変形を防止できるという観点から、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）と硝酸カリウム（ＫＮＯ３）の混合溶融塩を用いることが好ましい。
（情報記録媒体）
上述の情報記録媒体用ガラス基板に、少なくとも記録層を形成することで情報記録媒体を製造することができる。記録層は特に限定されず、磁気、光、光磁気等の性質を利用した種々の記録層を用いることができるが、特に磁性層を記録層として用いた情報記録媒体（磁気ディスク）の製造に好適である。
上述の情報記録媒体用ガラス基板に、少なくとも記録層を形成することで情報記録媒体を製造することができる。記録層は特に限定されず、磁気、光、光磁気等の性質を利用した種々の記録層を用いることができるが、特に磁性層を記録層として用いた情報記録媒体（磁気ディスク）の製造に好適である。
磁性層に用いる磁性材料としては、特に制限はなく公知の材料を適宜選択して用いることができるが、高い保持力を得るため、結晶異方性の高いＣｏを主成分とするＣｏ系合金などが好適である。具体的には、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。また、磁性層を非磁性材料（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。
磁性層として、上記のＣｏ系材料の他、フェライト系や鉄−希土類系の材料や、ＳｉＯ２、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子が分散された構造のグラニュラーなどを用いることもできる。磁性層は、面内型及び垂直型の何れの記録形式であってもよい。
磁性層の形成方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を、情報記録媒体用ガラス基板にスピンコートする方法や、スパッタリングによる方法、無電解メッキによる方法が挙げられる。磁性層の薄膜化、高密度化の観点からは、スパッタリングによる方法や無電解メッキによる方法が好ましい。
磁気ディスクには、更に必要により下地層を設けてもよい。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属が挙げられる。磁性層がＣｏを主成分とする場合には、磁気特性向上等の観点から、下地層の材料はＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の材料からなる層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等が挙げられる。
また、磁性層の表面に、磁性層の摩耗や腐食を防止するための保護層を設けてもよい。保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ＺｒＯ２層、ＳｉＯ２層などが挙げられる。保護層は、単層でもよいし、同一又は異種の層からなる多層構成でもよい。これらの保護層は、下地層、磁性層などと共に、インライン型スパッタ装置で連続して形成することも可能である。また、Ｃｒ層の上にＳｉＯ２層を積層した保護膜を形成する場合、テトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈してコロイダルシリカ微粒子を分散させた溶液を、Ｃｒ層の上に塗布し、さらに焼成することでＳｉＯ２層を形成してもよい。
また、磁性層や保護層の表面に、磁気ヘッドの滑りをよくするための潤滑層を設けてもよい。潤滑層としては、例えば、パーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等からなる液体潤滑剤を塗布し、必要に応じ加熱処理を行ったものなどが挙げられる。
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
下記の表１〜表１０に示すガラス成分となるように原料を調合した。清澄剤として、Ｖ２Ｏ５（表１）、ＭｎＯ２（表２）、ＳｎＯ２（表３）、ＣｅＯ２（表４）、Ｎｉ２Ｏ３（表５）、Ｎｂ２Ｏ５（表６）、ＭｏＯ３（表７）、Ｔａ２Ｏ５（表８）、Ｂｉ２Ｏ３（表９）、及び、ＣｅＯ２とＳｎＯ２の混合物（表１０）をそれぞれ用いた。なお、いずれの場合も、ＡｓとＳｂは含有させなかった。
それぞれの原料を、９００℃〜１３００℃に加熱された溶融槽に投入し、溶融、清澄、撹拌均質化した後、溶融ガラスをプレス成形してブランク材を作製した。その後、内外周加工、研削・研磨加工を経て、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚み０．６３５ｍｍのガラス基板とした。
作製したガラス基板のそれぞれについて、残留する気泡の数の評価、及び溶融時の失透性の評価を行った。残留する気泡の数の評価は、ガラス基板の全面を対象とし、５０倍の光学顕微鏡を用いて、ガラス基板１枚あたりの気泡の数を測定することにより行った。失透性の評価は、ガラスの溶融粘性がｌｏｇη＝２．５となる温度をＴｌｏｇη＝２．５（℃）、液相温度をＴＬ（℃）としたときの両者の差ΔＴ（℃）（ΔＴ＝Ｔｌｏｇη＝２．５−ＴＬ）の数値で判断することにより行い、１５０℃≦ΔＴの場合を最も良好（◎）、５０℃≦ΔＴ＜１５０℃の場合を良好（○）、ΔＴ＜５０℃の場合を問題有り（×）とした。ここで液相温度ＴＬは、１５５０℃で２時間溶融保持後、温度勾配炉内で勾配を持たせて１０時間保持し急冷した後、ガラスの表面及び内部に失透物の発生が確認された温度である。また、Ｔｌｏｇη＝２．５は、撹拌式粘性測定機を用いて溶融したガラスの粘性を測定したときのｌｏｇη＝２．５となる温度である。各評価結果を表１〜表１０に併せて示す。
測定の評価結果より、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く多価元素を、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３とのモル比率が所定の範囲となるように含有している本発明の実施例は、比較例と比べて残留する気泡の数が顕著に少なく、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を得ることができることが確認された。また、多価元素の含有量の合計がガラス成分全体に対して１質量％以下である場合には、失透性が最も良好であることが確認された。
１． ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＣＳＳ方式の情報記録媒体用ガラス基板を除く。
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＣＳＳ方式の情報記録媒体用ガラス基板を除く。
１． ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ ２ と、
５〜１８質量％のＡｌ ２ Ｏ ３ と、
３〜１０質量％のＬｉ ２ Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ ２ Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ ２ と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ ２ Ｏ ３ に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ ２ Ｏ ３ ）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＣＳＳ方式の情報記録媒体用ガラス基板を除く。
６０〜７５質量％のＳｉＯ ２ と、
５〜１８質量％のＡｌ ２ Ｏ ３ と、
３〜１０質量％のＬｉ ２ Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ ２ Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ ２ と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ ２ Ｏ ３ に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ ２ Ｏ ３ ）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＣＳＳ方式の情報記録媒体用ガラス基板を除く。
１．ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる、レーザーによる加工をされることなく記録層が形成されて情報記録媒体となる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ｓｎ（スズ）、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる、レーザーによる加工をされることなく記録層が形成されて情報記録媒体となる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ｓｎ（スズ）、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
２．Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）及びＣｅ（セリウム）からなる群の中から選ばれる少なくとも１つの多価元素を含有することを特徴とする前記１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＶはＶ２Ｏ５に、ＭｎはＭｎＯ２に、ＮｉはＮｉ２Ｏ３に、ＮｂはＮｂ２Ｏ５に、ＭｏはＭｏＯ３に、ＣｅはＣｅＯ２に、ＴａはＴａ２Ｏ５に、ＢｉはＢｉ２Ｏ３に、それぞれ換算する。
本発明者による検討の結果、上記の各成分を有するガラス基板において、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させることにより、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有させることなく、ガラス中の気泡を十分に除去することができることが明らかになった。即ち、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有している。これらの多価元素の総量の、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）は、０．０２〜０．２０の範囲である。
多価元素には、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種を用いる。１種類の多価元素のみを単独で含有させてもよいし、２種以上の多価元素を含有させてもよい。中でも、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）及びＣｅ（セリウム）は、特に効果的に気泡を除去することができるため好ましい。
更に、耐失透性を低下させることなく、清澄の効果を十分に発揮させるという観点からは、上記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることが好ましい。但し、ＶはＶ２Ｏ５に、ＭｎはＭｎＯ２に、ＮｉはＮｉ２Ｏ３に、ＮｂはＮｂ２Ｏ５に、ＭｏはＭｏＯ３に、ＣｅはＣｅＯ２に、ＴａはＴａ２Ｏ５に、ＢｉはＢｉ２Ｏ３に、それぞれ換算する。
下記の表１〜表１０に示すガラス成分となるように原料を調合した。清澄剤として、Ｖ２Ｏ５（表１）、ＭｎＯ２（表２）、ＣｅＯ２（表４）、Ｎｉ２Ｏ３（表５）、Ｎｂ２Ｏ５（表６）、ＭｏＯ３（表７）、Ｔａ２Ｏ５（表８）、Ｂｉ２Ｏ３（表９）をそれぞれ用いた。また、参考例としてＳｎＯ ２ （表３）及び、ＣｅＯ ２ とＳｎＯ ２ の混合物（表１０）とを用いた例も示す。なお、いずれの場合も、ＡｓとＳｂは含有させなかった。
Claims (6)
- ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ２と、
５〜１８質量％のＡｌ２Ｏ３と、
３〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ（セリウム）、Ｔａ（タンタル）及びＢｉ（ビスマス）からなる群の中から選ばれる少なくとも１種の多価元素を含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ２Ｏ３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ２Ｏ３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。 - Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｓｎ（スズ）及びＣｅ（セリウム）からなる群の中から選ばれる少なくとも１つの多価元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
- 前記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
但し、ＶはＶ２Ｏ５に、ＭｎはＭｎＯ２に、ＮｉはＮｉ２Ｏ３に、ＮｂはＮｂ２Ｏ５に、ＭｏはＭｏＯ３に、ＳｎはＳｎＯ２に、ＣｅはＣｅＯ２に、ＴａはＴａ２Ｏ５に、ＢｉはＢｉ２Ｏ３に、それぞれ換算する。 - 前記多価元素は、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加されたものであることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
- イオン交換による化学強化処理が施されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
- 請求項１〜５のうちいずれか１項に記載された情報記録媒体用ガラス基板の上に、記録層を有していることを特徴とする情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008182490 | 2008-07-14 | ||
| JP2008182490 | 2008-07-14 | ||
| PCT/JP2009/062186 WO2010007902A1 (ja) | 2008-07-14 | 2009-07-03 | 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010146046A Division JP5612921B2 (ja) | 2008-07-14 | 2010-06-28 | 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2010007902A1 true JPWO2010007902A1 (ja) | 2012-01-05 |
Family
ID=41550309
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010504974A Pending JPWO2010007902A1 (ja) | 2008-07-14 | 2009-07-03 | 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 |
| JP2010146046A Expired - Fee Related JP5612921B2 (ja) | 2008-07-14 | 2010-06-28 | 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010146046A Expired - Fee Related JP5612921B2 (ja) | 2008-07-14 | 2010-06-28 | 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8518565B2 (ja) |
| JP (2) | JPWO2010007902A1 (ja) |
| WO (1) | WO2010007902A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9156725B2 (en) * | 2012-05-30 | 2015-10-13 | Corning Incorporated | Down-drawable chemically strengthened glass for information storage devices |
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| JP2004161597A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-06-10 | Minolta Co Ltd | ガラス組成物及びガラス基板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2837134B2 (ja) | 1991-05-20 | 1998-12-14 | ホーヤ株式会社 | 情報記録用基板および情報記録媒体 |
| JP4075161B2 (ja) | 1998-10-21 | 2008-04-16 | 旭硝子株式会社 | 減圧脱泡によるガラスの製造方法 |
| DE60006176T2 (de) | 1999-03-25 | 2004-04-22 | Central Glass Co., Ltd., Ube | Glaszusammensetzung, durch Ionenaustausch verstärkter Glasgegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP4785274B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-10-05 | 日本板硝子株式会社 | ガラス物品およびそれを用いた磁気記録媒体用ガラス基板 |
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| JP4756856B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-08-24 | ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 | ガラス組成物およびその製造方法 |
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| ES2344267T5 (es) * | 2006-03-20 | 2015-11-02 | Schott Ag | Vidrio de litio, alúmina y silicato con unos cortos períodos de tiempo de ceramización |
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| WO2009070237A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Corning Incorporated | Glasses having improved toughness and scratch resistance |
| JP5053948B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-10-24 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
| US20100126225A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-27 | Josh Ding | Method for homogenizing a glass melt |
-
2009
- 2009-07-03 US US13/003,668 patent/US8518565B2/en active Active
- 2009-07-03 WO PCT/JP2009/062186 patent/WO2010007902A1/ja active Application Filing
- 2009-07-03 JP JP2010504974A patent/JPWO2010007902A1/ja active Pending
-
2010
- 2010-06-28 JP JP2010146046A patent/JP5612921B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8518565B2 (en) | 2013-08-27 |
| WO2010007902A1 (ja) | 2010-01-21 |
| JP5612921B2 (ja) | 2014-10-22 |
| JP2010260788A (ja) | 2010-11-18 |
| US20110111263A1 (en) | 2011-05-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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