TWI387569B - Crystallized glass - Google Patents

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Ohara Kk
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Description

結晶化玻璃
本發明係關於一種結晶化玻璃，特別是關於一種資訊磁記錄媒體基板用結晶化玻璃。特別是本發明提供如下之結晶化玻璃，其即便不使用會對人體以及環境造成不良影響之砷成分或銻成分，亦具備作為資訊記錄媒體基板用途之物性。
又，本發明提供如下之玻璃，其即便不使用會對人體以及環境造成不良影響之砷成分或銻成分，亦具備作為資訊記錄媒體基板用途之物性。
再者，本發明中所謂"資訊記錄媒體"，係指用作個人電腦之硬碟之固定型硬碟、可移型硬碟、或卡片式硬碟，數位攝影機、數位相機、或音訊用硬碟，汽車導航用硬碟，行動電話用硬碟或者各種電子裝置用硬碟中可使用之資訊磁記錄媒體。
近年來，為了對應於個人電腦之多媒體化，又，為了可於數位攝影機、數位相機中對動態圖像或音訊等之較大之資料進行處理，需要大容量之資訊磁記錄裝置。其結果，資訊磁記錄媒體為了增大面記錄密度，有使位元以及軌道密度增加，並使位元格之尺寸縮小化之傾向。因此，磁頭必需較先前更接近於碟片表面來作動。
進而，若記錄密度超過100Gb/in2 ，則如此小之磁區會變得熱不穩定，因此相對於超過100Gb/in2 之高記錄密度化之要求，面內記錄方式已到達物理性極限。
為了對應於上述情形，垂直磁記錄方式正被採用及量產化。該垂直磁記錄方式係將易磁化軸作為垂直方向，因此可極大地減小位元尺寸，且由於具有所期望之媒體膜厚(面內記錄方式之5~10倍)，故而亦可期望退磁場之減少或由形狀磁各向異性所產生之效果，因此，可解決於先前之面內方向之磁記錄方式之高密度化中所產生的記錄能量之減少或熱不穩定之問題，從而較面內磁記錄方式可實現更顯著之記錄密度之提高。據此，已能夠於量產水準下，利用垂直磁記錄方式於實用水準達成100Gb/in2 以上之記錄密度，且與超過300Gb/in2 之記錄密度相關之研究亦正在進行。
該垂直磁記錄方式中，為了相對於媒體面而於垂直方向上進行磁化，與先前之於面內方向上具有易磁化軸之媒體不同地，使用了於垂直方向上具有易磁化軸之媒體。作為垂直磁記錄方式之記錄層而經研究以及實用化者，可列舉鐵酸鋇膜，以及Co-γFe2 O3 或Co系合金、FePt等之Fe系合金、Ni系合金等之各種合金膜。
然而，對於該等磁記錄媒體而言，為了使磁性體結晶粒子微細化且為了使該磁性體結晶粒子產生於垂直方向上，必需使該等磁記錄媒體之成膜溫度高溫化。進而根據最近之研究，為了提高磁特性，亦存在以高溫(500~900℃左右)進行退火之情形。
為了對應於此，要求基板之材料形狀於退火處理前後不易變化，且要求基板之耐熱性優異。又，為了伴隨高密度化而可實現磁頭之低浮動化，需要極端平滑之表面平滑度。
一方面需要具有上述物性之基板以及可實現該基板之結晶化玻璃，另一方面，因先前用作玻璃之澄清劑之砷成分有對於人體以及環境造成不良影響之虞，故而需要提供一種不使用該等成分之物品，以對應於將銻成分用作澄清劑。
然而，近年來需要進一步減少有害物質，關於一般認為對人體或環境所造成之影響比較輕微之有害物質的使用，亦有逐漸減少其含量或者禁止使用之傾向，對於一般用作玻璃之澄清劑且較砷成分對人體或環境造成之負荷更輕微的銻，亦逐漸要求相同之對應。
專利文獻1中揭示有一種資訊記錄媒體用結晶化玻璃基板，其不使用砷成分或銻成分且將二矽酸鋰作為主結晶相，然而，該文獻之實施例22、23中，由於楊氏模數為78、81GPa，故而不滿足作為資訊記錄媒體用途之目前所要求之機械強度。因此，業者不清楚於上述文獻所揭示之構成成分之成分範圍中是否存在如下之結晶化玻璃，其能夠獲得充分之澄清效果，並具備以機械強度為代表之目前作為資訊記錄媒體用途所要求的物性，至今尚未獲得如上所述之結晶化玻璃。進而，用作澄清劑之SnO2 成分、CeO2 成分之含量分別為1莫耳，若換算為質量百分比，則分別為超過2.5%之含量。於如此含有大量之SnO2 成分、CeO2 成分之情形時，即便認可熔融玻璃之澄清效果，但所得之結晶化玻璃之比重變大，難以同時滿足作為資訊記錄媒體用所要求之高楊氏模數與低比重特性。
又，若含有大量之SnO2 成分或CeO2 成分，則存在如下結晶相析出之可能性，該結晶相會妨礙作為資訊記錄媒體用途所要求之特性。
[專利文獻1]日本專利特開2001-76336號公報
本發明之目的在於提供一種結晶化玻璃，其即便實質上不使用有可能會對人體以及環境造成不良影響之砷成分或銻成分，亦具有作為垂直磁記錄方式等所代表之下一代資訊記錄媒體基板用途的物性。本發明特別是提供一種生產性高之資訊記錄媒體用碟片基板用等之結晶化玻璃，其具有可耐受高速旋轉化或落下衝擊之高強度，亦兼具有與各驅動器構件相符合之熱膨脹特性或化學耐久性，且熔融溫度低，適合於壓製成形等。
本發明者為了達成上述目的而反覆進行努力試驗研究後發現：將用作澄清劑之成分之含量限定於特定範圍之結晶化玻璃，由於使所期望之結晶相析出之同時，熔融溫度以及玻璃之黏度低，在用於資訊記錄媒體用途之情形時適合於壓製成形等，因此生產性高，可獲得充分之澄清效果。此外，本發明者還發現：上述結晶化玻璃具有可對應於磁頭之低浮動化之極端平滑之基板表面，且兼具有對應於高速旋轉之高楊氏模數與低比重特性，搭載於驅動器時之落下強度亦優異(>1200G)。更具體而言，本發明提供如下所述者。
(構成1)
一種結晶化玻璃，其特徵在於：按照氧化物基準，含有SiO2 成分、Li2 O成分、Al2 O3 成分，含有二矽酸鋰作為結晶相，且含有選自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl以及F之1種以上之元素。
(構成2)
如構成1之結晶化玻璃，其特徵在於：含有選自單矽酸鋰、α-石英、α-石英固溶體、β-石英固溶體中之至少1種以上作為結晶相。
(構成3)
如構成1或2之結晶化玻璃，其中含有選自Sn、Ce之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，SnO2 成分：0~2.5%、CeO2 成分：0~2.5%；其中，SnO2 成分與CeO2 成分之總量為0.01~5.0%。
(構成4)
如構成1~3中任一項之結晶化玻璃，其中藉由使用選自硫酸鹽、氯化物以及氟化物之1種以上作為原料，而含有選自S、Cl以及F之1種以上之元素；上述原料中之上述硫酸鹽、氯化物以及氟化物之含量相對於除了硫酸鹽、氯化物以及氟化物之外的玻璃原料之總質量，按照氧化物基準，硫酸鹽：以SO3 換算為0~1.5質量百分比、氯化物：以Cl2 換算為0~1.5質量百分比、氟化物：以F2 換算為0~1.5質量百分比；其中，SO3 +Cl2 +F2 ：0.01~1.5質量百分比。
(構成5)
如構成1~4中任一項之結晶化玻璃，其中含有選自Mn、W、Ta、Bi以及Nb之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上之總含量為O.01~2.5%。
(構成6)
如構成1~5中任一項之結晶化玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：SiO2 ：60~78%、及Li2 O：5~12%、及A12 O3 ：4~10%、及P2 O5 ：1.5~3.0%、及ZrO2 ：1~10%。
(構成7)
如構成1~6中任一項之結晶化玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：BaO：0~15%、及/或SrO：0~15%、及/或MgO：0~2%、及/或CaO：0~2%、及/或ZnO：0~3%、及/或K2 O：0~3%、及/或Na2 O：0~3%、及/或Cs2 O：0~3%、及/或選自Gd2 O3 成分、La2 O3 成分、Y2 O3 成分、Ga2 O3 成分之1種以上之總含量：0~15%、及/或Sb2 O3 成分：未達0.1%。
(構成8)
如構成1~7中任一項之結晶化玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，Li2 O成分、Na2 O成分、K2 O成分以及Cs2 O成分之1種以上的總量為5%~14%。
(構成9)
如構成1~8中任一項之結晶化玻璃，其中實質上不含有As2 O3 成分以及Sb2 O3 成分。
(構成10)
如構成1~9中任一項之結晶化玻璃，其特徵在於：於25℃~100℃之溫度範圍內之平均線膨脹係數為50~120[10-7 ℃-1 ]。
(構成11)
如構成1~10中任一項之結晶化玻璃，其中上述結晶相之平均粒子徑為100nm以下。
(構成12)
一種資訊記錄媒體用基板，其使用如構成1~11中任一項之結晶化玻璃。
(構成13)
如構成12之資訊記錄媒體用基板，其特徵在於：楊氏模數為85GPa以上。
(構成14)
一種資訊記錄媒體用基板，其於如構成12或13之基板之表面上設有壓縮應力層。
(構成15)
如構成14之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由以較存在於表面層中之鹼性成分之離子半徑為大之鹼性成分進行取代而形成。
(構成16)
如構成14或15之資訊記錄媒體用基板，其特徵在於：上述壓縮應力層係藉由對基板進形加熱後、使該基板驟冷而形成。
(構成17)
如構成12~16中任一項之資訊記錄媒體用基板，其特徵在於：表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)為2以下。
(構成18)
一種資訊記錄媒體，其使用如構成12~17中任一項之資訊記錄媒體用基板。
(構成19)
一種結晶化玻璃之製造方法，其係將原料熔融為熔融玻璃，使上述熔融玻璃成形之後，藉由熱處理而獲得結晶化玻璃者，上述原料之成分以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：SiO2 ：60~78%、及Li2 O：5~12%、及Al2 O3 ：4~10%、及P2 O5 ：1.5~3.0%、及ZrO2 ：1~10%、SnO2 ：0~2.5%、CeO2 ：0~2.5%、MnO2 +WO3 +Ta2 O5 +Bi2 O3 +Nb2 O5 ：0~2.5%；進而相對於上述原料之總質量而含有：硫酸鹽：以SO3 換算為0~2.5質量百分比、氯化物：以Cl2 換算為0~2.5質量百分比、氟化物：以F2 換算為0~2.5質量百分比。
(構成20)
如構成18之結晶化玻璃之製造方法，其中上述原料之成分按照氧化物基準，含有選自SnO2 成分、CeO2 成分之1種以上，以氧化物基準之質量百分比計，SnO2 +CeO2 ：0.01~5.0%。
(構成21)
如構成19或20之結晶化玻璃之製造方法，其中上述原料之成分係含有選自硫酸鹽、氯化物、氟化物之1種以上；於將硫酸鹽換算為SO3 、將氯化物換算為Cl2 、將氟化物換算為F2 之情形時，相對於除了硫酸鹽、氯化物、氟化物之外之原料的總質量，SO3 +Cl2 +F2 ：0.01~1.5質量百分比。
(構成22)
如構成19~21中任一項之結晶化玻璃之製造方法，其中上述原料之成分按照氧化物基準，含有選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上；以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上的總含量為0.01~2.5%。
(構成23)
一種玻璃，其特徵在於：按照氧化物基準，含有SiO2 成分、Li2 O成分、Al2 O3 成分，且含有選自Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl以及F之1種以上之元素。
(構成24)
如構成23之玻璃，其中含有選自Sn、Ce之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，SnO2 成分：0~2.5%、CeO2 成分：0~2.5%；其中，SnO2 成分與CeO2 成分之總量為0.01~5.0%。
(構成25)
如構成23或24中任一項之玻璃，其中藉由使用選自硫酸鹽、氯化物以及氟化物之1種以上作為原料，而含有選自S、Cl以及F之1種以上之元素；上述原料中之上述硫酸鹽、氯化物以及氟化物之含量相對於除了硫酸鹽、氯化物以及氟化物之外的玻璃原料之總質量，按照氧化物基準，硫酸鹽：以SO3 換算為0~1.5質量百分比、氯化物：以Cl2 換算為0~1.5質量百分比、氟化物：以F2 換算為0~1.5質量百分比；其中，SO3 +Cl2 +F2 ：0.01~1.5質量百分比。
(構成26)
如構成23~25中任一項之玻璃，其中含有選自Mn、W、Ta、Bi以及Nb之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上的總含量為0.01~2.5%。
(構成27)
如構成23~27中任一項之玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：SiO2 ：60~78%、及Li2 O：5~12%、及Al2 O3 ：4~10%、及P2 O5 ：1.5~3.0%、及ZrO2 ：1~10%。
(構成28)
如構成23~27中任一項之玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：BaO：0~15%、及/或SrO：0~15%、及/或MgO：0~2%、及/或CaO：0~2%、及/或ZnO：0~3%、及/或K2 O：0~3%、及/或Na2 O：0~3%、及/或Cs2 O：0~3%、及/或選自Gd2 O3 成分、La2 O3 成分、Y2 O3 成分、Ga2 O3 成分之1種以上的總含量：0~15%、及/或Sb2 O3 成分：未達0.1%。
(構成29)
如構成23~28中任一項之玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，Li2 O成分、Na2 O成分、K2 O成分以及Cs2 O成分之1種以上之總量為5%~14%。
(構成30)
如構成23~28中任一項之玻璃，其中實質上不含有As2 O3 成分以及Sb2 O3 成分。
(構成31)
一種資訊記錄媒體用基板，其使用如構成23~30中任一項之玻璃。
(構成32)
一種資訊記錄媒體用基板，其使用對如構成23~30中任一項之玻璃進行熱處理，使該玻璃分相而成者。
(構成33)
一種資訊記錄媒體用基板，其於如構成31或32之基板之表面上設有壓縮應力層。
(構成34)
如構成33之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由以較存在於表面層中之鹼性成分之離子半徑為大之鹼性成分進行取代而形成。
(構成35)
如構成33或34中任一項之資訊記錄媒體用基板，其特徵在於：上述壓縮應力層係藉由對基板進行加熱後、使該基板驟冷而形成。
(構成36)
如構成31~35中任一項之資訊記錄媒體用基板，其特徵在於：表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)為1以下。
(構成37)
一種資訊記錄媒體，其使用如構成31~36中任一項之資訊記錄媒體用基板。
根據本發明，可提供一種結晶化玻璃，其即便實質上不使用有可能會對人體以及環境造成不良影響之砷成分或銻成分，或者即便砷成分或銻成分之含量未達0.1%，亦具有可耐受資訊記錄媒體基板用途之物性，且具有與先前含有大量之砷成分或銻成分之情形同等之澄清作用。
又，本發明之結晶化玻璃藉由對作為結晶化處理前之中間物之玻璃實施研削‧研磨等之機械加工、或用以於表面層中形成應力之加工等，可使用於資訊記錄媒體用基板用途。
上述本發明之玻璃與本發明之結晶化玻璃相比，於機械強度方面稍遜一籌，但其特徵在於：關於研磨加工後所得之表面粗糙度，可獲得更平滑之面。
其次，對本發明之具體實施態樣加以說明。
本發明之結晶化玻璃含有二矽酸鋰作為主結晶相。藉由含有該結晶相，可具有優異之耐熱性、機械強度、以及可耐受高速旋轉化或落下衝擊之高強度，且可實現與各驅動器構件相符合之熱膨脹特性或化學耐久性。
又，亦可含有選自單矽酸鋰、α-石英、α-石英固溶體、β-石英固溶體中之至少1種以上作為結晶相。該等結晶相於二矽酸鋰析出時會附屬地析出，但該等結晶相並不會妨礙資訊記錄媒體用途所要求之特性。然而，除了上述結晶相以外之結晶相存在妨礙資訊記錄媒體用途所要求之特性之可能性，因此若含有該結晶相則不佳。
此處所謂固溶體，係指於α-石英(α-SiO2 )、β-石英(β-SiO2 )各自之結晶中，一部分取代為除了構成結晶之元素以外之元素而成者、或者原子侵入至結晶間而成者。特別是，β-石英固溶體以化學式表示為Lix Alx Si1-x O2 (0<X<1)，進而係包含由其他元素取代或侵入而成者之總稱。
其次，對構成本發明之結晶化玻璃之各組成成分加以敘述。再者，各成分之含量係以氧化物基準之質量百分比而表示。此處，所謂"氧化物基準"，係指假定用作本發明之結晶化玻璃之構成成分之原料的氧化物、硝酸鹽等於熔融時完全分解，並變化為氧化物，表示結晶化玻璃中所含有之各成分之組成的方法，且係將該產生之氧化物之總質量設為100質量百分比，標記結晶化玻璃中所含有之各成分之量。
又，於製造本發明之結晶化玻璃之情形時，將特定成分之原料於鉑坩堝或石英坩堝等中加以熔融、驟冷而製成原玻璃，對該原玻璃進行熱處理而使之結晶化，藉此獲得上述結晶化玻璃。於以氧化物基準來表示上述原料之成分比例之情形時，與構成上述結晶化玻璃之各組成成分的含量基本相同，但一部分原料之成分比例有時會因熔融時之揮發等而與構成結晶化玻璃之成分含量不同。以下之說明中，僅對原料之成分比例與構成結晶化玻璃之成分含量不同之情形加以明示。
本發明之結晶化玻璃中含有選自特定範圍之Sn、Ce、Mn、W、Ta、Bi、Nb、S、Cl以及F之1種以上的元素，藉此可維持資訊記錄媒體用基板所要求之物性，並可獲得與As2 O3 成分或Sb2 O3 成分相同之高澄清效果。本發明中，該等元素係作為澄清劑而發揮作用。
為了維持資訊記錄媒體用基板所要求之物性，並獲得高澄清效果，較好的是含有選自Sn、Ce之1種以上之元素。即便僅使用Sn及/或Ce元素作為澄清劑，亦獲得澄清效果，但亦可與除了Sn、Ce以外之其他澄清劑併用。為了獲得高澄清效果，按照氧化物基準，SnO2 成分或CeO2 成分之總含量之下限較好的是0.01%，更好的是0.05%，最好的是0.1%。然而，於含有除了Sn、Ce以外之澄清劑之情形時，上述總量亦可為0%。又，為了獲得相同之效果，SnO2 成分以及CeO2 成分各自之含量之下限更好的是0.05%，最好的是0.1%。然而，於含有除了Sn、Ce以外之澄清劑之情形時，SnO2 成分以及CeO2 成分各自之含量亦可為0%。
另一方面，為了維持機械強度並降低比重，使所期望之結晶相析出，且獲得高澄清效果，SnO2 成分與CeO2 成分之總含量之上限較好的是5.0%，更好的是4.0%，最好的是3.0%。又，為了獲得相同之效果，SnO2 成分以及CeO2 成分各自之含量之上限較好的是2.5%，更好的是2.0%，最好的是1.5%。
進而，為了維持上述特徵並獲得更高之澄清效果，更好的是含有SnO2 成分以及CeO2 成分該兩種成分。
然而，對於本發明之結晶化玻璃之成分而言，於使用直壓法(以上下模具直接壓製熔融玻璃之方法)來製作資訊記錄媒體用基板之情形時，因壓製時之衝擊等而容易產生再沸(自澄清後之玻璃再次產生氣泡之現象)，難以獲得澄清效果，因此，當將本發明之結晶化玻璃用於直壓用時，較好的是僅含有SnO2 成分或CeO2 成分中之任一者。
選自S、Cl以及F之1種以上之元素亦可維持作為資訊記錄媒體用基板用途所要求之物性，並可獲得澄清效果，從而可單獨含有上述元素之群，或者一併含有其他澄清劑成分。可藉由將硫酸鹽、氯化物、以及氟化物用作原料而含有上述元素，但該等原料之一部分於熔融時會揮發，因此原料中之含量與結晶化玻璃中之含量不同。可於原料中含有例如MgF2 或CaF2 之氟化物成分、例如MgSO4 或BaSO4 之硫酸鹽成分、以及例如BaCl2 或SnCl2 之氯化物成分等。
於藉由該等成分而獲得澄清效果之情形時，相對於除了該等成分以外之以氧化物基準所表示之原料的總質量，換算為F2 之氟化物成分、換算為SO3 之硫酸鹽成分、換算為Cl2 之氯化物成分之1種以上的總質量之比例之下限較好的是0.01質量百分比，更好的是0.03質量百分比，最好的是0.05質量百分比。然而，於含有除了硫酸鹽、氯化物以及氟化物以外之其他澄清劑之情形時，上述總質量之比例亦可為0%。
又，為了獲得相同之效果，相對於除了該等成分以外之以氧化物基準所表示之原料的總質量，換算為F2 之氟化物成分、換算為SO3 之硫酸鹽成分、換算為Cl2 之氯化物成分各自之含量的下限更好的是0.01質量百分比，最好的是0.02質量百分比。然而，於含有除了S、Cl以及F成分以外之澄清劑之情形時，上述成分各自之含量亦可為0%。
又，為了析出所期望之結晶相，維持作為資訊記錄媒體用基板用途所要求之物性並獲得澄清效果，相對於除了該等成分以外之以氧化物基準所表示之原料的總質量，換算為F2 之氟化物成分、換算為SO3 之硫酸鹽成分、換算為Cl2 之氯化物成分之1種以上的總質量之比例之上限為1.5質量百分比則充分，更好的是1.2質量百分比，最好的是1.0質量百分比。
又，為了獲得相同之效果並抑制再沸，相對於除了該等成分以外之以氧化物基準所表示之原料的總質量，換算為F2 之氟化物成分、換算為SO3 之硫酸鹽成分、換算為Cl2 之氯化物成分各自之含量之上限較好的是1.5質量百分比，更好的是1.0質量百分比，特別是自抑制直壓時之再沸之方面來考慮，最好的是實質上不含有上述成分。此處所謂實質上不含有，係指人為地不含有上述成分，且作為雜質而容許含有極微量之上述成分。
選自Mn、W、Ta、Bi以及Nb之1種以上之元素亦可維持作為資訊記錄媒體用基板用途所要求之物性，並可獲得澄清效果，從而可單獨含有上述元素之群，或者一併含有其他澄清劑成分。於獲得澄清效果之情形時，按照氧化物基準，MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上之總含量的下限較好的是0.01%，更好的是0.05%，最好的是0.1%。然而，於含有除了Mn、W、Ta、Bi以及Nb以外之澄清劑之情形時，總量亦可為0%。
又，為了析出所期望之結晶相，維持作為資訊記錄媒體用基板用途所要求之物性並獲得澄清效果，該等成分之總含量之上限為2.5%則充分，更好的是2%，特別是自抑制直壓時之再沸之方面考慮，最好的是實質上不含有上述成分。
As2 O3 成分或Sb2 O3 成分係作為澄清劑而發揮作用，但為於環境上有害之成分，應儘量減少上述成分之使用。本發明之結晶化玻璃即便不含As2 O3 成分或Sb2 O3 成分亦可獲得澄清效果，因此為了減輕對環境造成之影響，As2 O3 成分或Sb2 O3 成分較好的是各自未達0.1%，更好的是實質上不含有As2 O3 成分或Sb2 O3 成分。
SiO2 成分係藉由原玻璃之熱處理而析出上述結晶作為主結晶相所必需的成分，但若該SiO2 成分之量未達60%，則所得之結晶化玻璃之析出結晶會不穩定且組織易肥大化，其結果導致機械強度降低，研磨所得之表面粗糙度亦易變大，因此含量之下限較好的是60%，更好的是62%，最好的是64%。又，若超過78%，則溶解、成形性易變得困難，其結果導致均質性易降低，因此含量之上限較好的是78%，更好的是77%，最好的是76%。
Li2 O成分係構成上述結晶相之成分，且係必需含有者。該Li2 O成分亦係有助於玻璃之低黏性化之重要成分，但若其量未達5%則難以充分地獲得上述效果，因此含量之下限較好的是5%，更好的是5.5%，最好的是6%。又，若Li2 O成分之含量超過12%，則化學耐久性之劣化變得顯著，因此含量之上限較好的是12%，更好的是11%，最好的是10.5%。
K2 O成分對於結晶粒子之微細化、玻璃之低黏性化有效，因此可作為任意成分而添加。若該成分超過3%則難以玻璃化，且難以獲得所期望之結晶相，因此較好的是將含量之上限設為3%。更好的上限值為2.5%，進而好的上限值為2%。
Na2 O成分對於低黏性化有效，因此可作為任意成分而添加。若該成分超過3%則難以玻璃化，且難以獲得所期望之結晶相，因此較好的是將含量之上限設為3%。更好的上限值為2.5%，進而好的上限值為2%。
Cs2 O成分對於低黏性化有效，因此可作為任意成分而添加。若該成分超過3%則難以玻璃化，且難以獲得所期望之結晶相，因此較好的是將含量之上限設為3%。更好的上限值為2.5%，進而好的上限值為2%。
作為資訊記錄媒體基板用途，較好的是儘量減少鹼性成分溶出量。為了達到可作為垂直磁記錄方式等所代表之下一代之資訊記錄媒體用途而使用的鹼性成分之溶出量，較好的是將必需含有之Li2 O成分與視需要而含有之Na2 O成分、K2 O成分、Cs2 O成分之1種以上的總量設為14%以下，更好的是設為13%以下，最好的是設為12%以下。又，為了容易降低玻璃之黏性，較好的是將Li2 O成分與視需要而含有之Na2 O成分、K2 O成分、Cs2 O成分之1種以上的總量設為5%以上，更好的是設為6%以上，最好的是設為7%以上。
Al2 O3 成分與SiO2 同樣係構成上述結晶相之成分，並且係有助於玻璃之穩定化、提高化學耐久性之重要成分，但若該Al2 O3 成分之量未達4%則玻璃化易變得困難，因此含量之下限較好的是4%，更好的是4.5%，最好的是5%。又，若該Al2 O3 成分之量超過10%，則溶解、成形性、耐失透性反而會劣化，其結果導致均質性容易降低，因此含量之上限較好的是10%，更好的是9.5%，最好的是9%。
P2 O5 成分可作為成核劑而添加，由於其有助於低黏性化，並且可藉由與SiO2 之共存而提高原玻璃之熔融、澄清性，因此為了可靠且充分地獲得該等效果，含量之下限較好的是1.5%，更好的是1.6%，最好的是1.7%。然而，若該成分之添加量超過3%則難以玻璃化，且容易產生失透，因此含量之上限較好的是3%，更好的是2.9%，最好的是2.8%。
ZrO2 成分可作為成核劑而添加。該成分較大地有助於玻璃之化學耐久性之提高、物理特性之提高，且有助於獲得微細之結晶，因此為了容易地獲得上述效果，較好的是添加1%以上，更好的是添加1.2%以上，最好的是添加1.4%以上。然而，若上述成分之添加量超過10%，則容易產生殘留或ZrSiO4 (鋯英石)，因此含量之上限較好的是10%，更好的是8%，最好的是6%。
BaO成分由於可於維持所期望之結晶相之狀態下實現玻璃之低黏性化，故而係可任意含有之成分。然而，為了使熔融狀態之玻璃低黏性化，使所期望之結晶析出，並使析出結晶微細化，更好的是含有2.5%以上之BaO成分，最好的是含有3.5%以上。又，為了使比重為適當之值，BaO成分之含量之上限較好的是15%以下，更好的是14%以下，最好的是13%以下。
SrO成分與BaO成分同樣係可於維持所期望之結晶相之狀態下實現玻璃之低黏性化，因而為可任意含有之成分。然而，為了使熔融狀態之玻璃低黏性化，使所期望之結晶析出，並使析出結晶微細化，更好的是含有2.5%以上之SrO成分，最好的是含有3.5%以上。
又，為了使比重為適當之值，SrO成分之含量之上限較好的是15%以下，更好的是14%以下，最好的是13%以下。
BaO成分與SrO成分於使引起化學耐久性劣化之鹼性成分之含量減少之情形時，代替鹼性成分，以獲得所期望之結晶相並滿足工業上所要求之壓製成形性之方式，使熔融狀態之玻璃低黏性化，因此係非常有效之成分。於欲充分地獲得上述效果之情形時，選自SrO成分以及BaO成分之1種以上之總量較好的是超過3.5%，更好的是3.6%以上，最好的是3.7%以上。
又，SrO成分以及BaO成分係即便大量地含有於玻璃成分中，亦不易產生析出結晶之肥大化或對結晶相之固溶的成分，另一方面，由於有比重增加之傾向，因此為了使比重為適當之值，且獲得基於上述見解之效果，選自SrO成分以及BaO成分之1種以上之總量較好的是15%以下，更好的是14%以下，最好的是13%以下。
MgO、CaO、ZnO成分對於玻璃之低黏性化、析出結晶相之微細化有效，因而可作為任意成分而添加。然而，若MgO超過2%、CaO超過2%、或者ZnO超過3%，則析出結晶會不穩定且組織容易肥大化，從而難以獲得所期望之結晶相。又，原玻璃容易失透。因此，該等成分之含量之上限係MgO為2%、CaO為2%、Zn0為3%，更好的上限值係MgO為1.6%、CaO為1.6%、ZnO為2.4%，進而好的上限值係MgO為1.2%、CaO為1.2%、ZnO為1.8%。
Gd2 O3 、La2 O3 、Y2 O3 、Ga2 O3 成分對於玻璃之低黏性化、基於楊氏模數之提高而引起之機械特性的提高、結晶化處理溫度之上升即耐熱性之提高有效，因而可作為任意成分而添加，但對於上述成分之量而言，該等成分之中之1種以上之總量至多為15%，若總量超過15%則不易進行玻璃化以及結晶化。因此，該等成分之總量之上限較好的是15%，更好的是10%，最好的是8%。
B2 O3 成分有助於玻璃之低黏性化，且會提高溶解、成形性，因而可於不損害結晶化玻璃之特性之範圍內作為任意成分而添加。然而，若該成分為5%以上，則原玻璃容易分相，從而難以獲得所期望之結晶相，因此較好的是將含量之上限設為5%。更好的上限值為4%，進而好的上限值為3%。
TiO2 成分可作為成核劑而任意添加。然而，若該成分之添加量超過5%則難以獲得所期望之結晶相，並且亦存在於結晶化之後，TiO2 相作為結晶相而析出之情形，因此含量之上限較好的是5%，更好的是4%，最好的是3%。
其次，對本發明之結晶化玻璃之結晶相的平均粒子徑加以說明，上述平均結晶粒子徑會對在基板上進行加工且對表面進行研磨之後的表面特性產生影響。如上所述，最近伴隨著資訊記錄媒體之面記錄密度之提高，磁頭之浮動高度為15nm以下，今後將逐漸自10nm以下朝近接觸記錄方式或者完全接觸之接觸記錄方式的方向發展，為了對應於此情形，碟片基板等之基板表面之平滑性必需較先前品更為良好。
對於先前水準之平滑性，即便欲對磁記錄媒體進行高密度之輸入輸出，磁頭與媒體間之距離亦必然會變大，因此無法進行磁信號之輸入輸出。又，若欲縮短上述距離，則媒體(碟片基板)之突起會與磁頭碰撞，從而引起磁頭破損或媒體破損。因此，為了於上述顯著較低之浮動高度或接觸狀態下不會引起磁頭破損或碟片基板破損，且不產生磁頭與媒體之吸附，表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)之上限為2。
繼而，為了容易獲得如上所述之平滑之研磨面，結晶化玻璃之結晶粒子之平均粒子徑之上限較好的是100nm以下，更好的是70nm以下，最好的是50nm以下。又，為了使機械強度以及耐熱性為良好，結晶化玻璃之結晶粒子之平均粒子徑之下限較好的是1nm。
於將本發明之結晶化前之玻璃用於資訊記錄媒體用基板用途的情形時，研磨後之表面粗糙度Ra可實現1以下之值，更好的是可實現0.5以下之值。
本發明之結晶化玻璃可藉由使微細之結晶粒子均一地析出而實現機械強度之提高。特別是由於析出結晶粒子會防止微細之龜裂之成長，故而可顯著地減少由研磨加工時之碎屑等產生之微細缺陷。
又，使如上所述之微細結晶均一地析出，且於表面上形成壓縮應力層，藉此可顯著地提高結晶化玻璃之機械強度、特別是環向彎曲強度。自該等觀點考慮，結晶粒子之平均粒子徑之範圍較好的是上述範圍。
因此，例如於將本發明之結晶化玻璃作為磁記錄媒體用碟片基板等之基板之情形時，可增大面記錄密度，即便為了提高記錄密度而使基板本身高旋轉化，亦不會產生彎曲或變形，可減小由上述旋轉所產生之振動，且可使由振動或彎曲引起之資料讀取之錯誤數(TMR)降低。而且，由於耐衝擊特性優異，故而特別是作為移動用途等之資訊記錄媒體，不易產生磁頭碰撞、基板之破壞，其結果表現出優異之穩定動作性。
此處，所謂結晶粒子之平均粒子徑，係指藉由穿透型電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，TEM)圖像所測定之結晶像(n=100)之面積基準之粒子徑的中央累積值("中值粒徑"d50)。粒子徑係於以平行之2條直線夾持所得之結晶像時，2條直線間之距離為最大的值。又，所謂環向彎曲強度，係指利用同心圓彎曲法所測定之彎曲強度，該同心圓彎曲法係製成直徑為65mm且厚度為0.635mm之較薄之圓板狀試料，並藉由圓形之支持環與負重環來測定該圓板狀試料之強度的方法。
其次，對楊氏模數以及比重加以敘述。如上所述，為了提高記錄密度以及資料傳輸速度，資訊記錄媒體碟片基板之高速旋轉化傾向正在發展，為了對應於該傾向，基板材料應防止因高速旋轉時之彎曲導致之碟片振動，且必需具有高剛性、低比重。又，於磁頭接觸或用於如可移記錄裝置般之便攜式記錄裝置中之情形時，較好的是具有可充分耐受上述碟片振動之機械強度、高楊氏模數、及表面硬度，具體而言，楊氏模數較好的是85GPa以上，更好的是88GPa以上，最好的是90GPa以上。
然而，若僅為高剛性而比重較大，則高速旋轉時上述基板之質量大，藉此導致產生彎曲，從而產生振動。相反地，若為低比重而剛性較小，則同樣會產生振動。又，若比重過低，則結果難以獲得所期望之機械強度。因此，必需保持所謂高剛性且低比重之乍看之下相反之特性的平衡，該平衡之較好範圍以楊氏模數[GPa]/比重計為32以上，更好的範圍為33以上，最好的範圍為34以上。又，關於比重，假設即便為高剛性，該比重亦必需為2.7以下，若低於2.2，則實質上難以獲得具有所期望之剛性之基板。
又，對平均線膨脹係數加以說明，為了使與硬碟之各構成零件之平均線膨脹係數之匹配為良好，於25~100℃之範圍內，平均線膨脹係數之下限較好的是50[10-7 ℃-1 ]以上，更好的是52[10-7 ℃-1 ]以上，最好的是55[10-7 ℃-1 ]以上。根據相同之理由，平均線膨脹係數之上限較好的是120[10-7 ℃-1 ]以下，更好的是110[10-7 ℃-1 ]以下，最好的是100[10-7 ℃-1 ]以下。
本發明之結晶化玻璃具有上述平均線膨脹係數，因此可較好地用於要求熱尺寸穩定性之各種精密構件等之用途。本發明之結晶化玻璃於表面上設置有壓縮應力層，藉此可獲得使設置壓縮應力層之前之結晶化玻璃所具有的機械強度進一步提高之效果。
作為壓縮應力層之形成方法，例如有化學強化法，該化學強化法係以較存在於壓縮應力層形成前之結晶化玻璃之表面層中的鹼性成分之離子半徑為大之鹼性成分進行交換反應之方法。又，有加熱結晶化玻璃之後，使之驟冷之熱強化法；以及將離子佈植至結晶化玻璃之表面層之離子佈植法。
作為化學強化法，例如係以300~600℃之溫度，於含有鉀或鈉之鹽，例如硝酸鉀(KNO3 )、硝酸鈉(NaNO3 )或者其複合鹽之熔融鹽中浸漬0.5~12小時。藉此，存在於結晶化玻璃中之殘存玻璃成分中之鋰成分(Li+ 離子)與較Li之離子半徑為大之鹼性成分即鈉成分(Na+ 離子)或鉀成分(K+ 離子)進行交換反應，或者與較存在於殘存玻璃成分中之鈉成分(Na+ 離子)之離子半徑為大的鹼性成分即鉀成分進行交換反應，藉此引起結晶化玻璃之容積增加，於結晶化玻璃表面層中產生壓縮應力，其結果作為衝擊特性之指標之環向彎曲強度增加。
關於熱強化法並無特別限定，例如將結晶化玻璃加熱至300℃~600℃之後實施水冷及/或空冷等之急速冷卻，藉此亦可形成因玻璃之表面與內部之溫差而產生之壓縮應力層。再者，可藉由與上述化學處理法加以組合而更有效地形成壓縮應力層。
上述圧縮層之形成方法亦可同樣適用於將結晶化前之玻璃用於資訊記錄媒體用基板用途之情形。
為了製造本發明之結晶化玻璃，將含有上述各成分之原料之玻璃原料熔融‧驟冷而製成原玻璃，以500℃~650℃對該原玻璃進行熱處理來進行成核步驟，於該成核步驟之後，於600℃~850℃之範圍內，以高於成核步驟之溫度進行熱處理，藉此進行晶體成長步驟。
於將本發明之結晶化前之玻璃用於資訊記錄媒體用基板用途之情形時，以除去材料之應變及提高機械特性為目的，可藉由熱處理形成玻璃中之分相。為了於玻璃中形成分相，較好的是於550℃~600℃之範圍內且於3~12小時之範圍內對玻璃進行熱處理。
又，為了製作資訊記錄媒體用基板，將以上述條件所製得之熔融玻璃滴下至下模具中，且以上下模具進行壓製，藉此成形為碟片狀，視需要而實施形狀加工，以公知之方法實施磨削加工、研磨加工即可。
[實施例]
其次對本發明之較佳實施例加以說明。再者，本發明並不限定於該等實施例。
表1~表7中表示實施例4~34及參考例1~22之玻璃成分、溶解後之非晶玻璃中之每1 cm3 之殘存氣泡數、比重、楊氏模數、楊氏模數/比重、25℃~100℃之平均線膨脹係數(α )、結晶化熱處理最高溫度、平均結晶粒子徑以及主結晶相。再者，各實施例之成分係以質量百分比表示。於在玻璃原料中添加硫酸鹽、氯化物、氟化物之情形時，相對於除了該等成分以外之以氧化物基準所表示之原料的總質量，換算為F2 之氟化物成分、換算為SO3 之硫酸鹽成分、換算為Cl2 之氯化物成分之1種以上的總量係以質量百分比表示。
又，平均線膨脹係數係指根據JOGIS(Japanese Optical Glass Industrial Standards，日本光學硝子工業會標準)16-2003"光學玻璃之常溫附近之平均線膨脹係數之測定方法"，將溫度範圍自25℃改變至100℃而測定之值。
比重係使用阿基米德法而測定，楊氏模數係使用超音波法而測定。
結晶相之鑑定係根據以X射線繞射裝置(PANalytical公司製造，商品名：X'pert-MPD)所得之X射線繞射圖形而求出。
本發明之上述實施例之玻璃係均混合有氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等之原料，參考例4~21係進一步於原料中添加有硫酸鹽、氯化物、氟化物，使用通常之溶解裝置以約1400~1500℃之溫度溶解上述原料，經攪拌而使該原料均質化之後，成形為碟片狀，冷卻後獲得玻璃成形體。其 後，以500~650℃對該玻璃成形體進行約1~12小時之熱處理而結晶成核之後，於600~850℃之範圍內以高於結晶成核溫度之溫度進行約1~12小時之熱處理，藉此進行晶體成長步驟，獲得所期望之結晶化玻璃”繼而，利用平均粒徑為5~30 μm之研磨粒對上述結晶化玻璃進行約10分鐘~60分鐘之研削，於內外徑加工之後，利用平均粒徑為0.5 μm~2 μm之氧化鈰進行約30分鐘~60分鐘之研磨，獲得資訊記錄媒體用之基板。此時之基板之表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)均為2 Å以下。再者，表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)係藉由原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)而測定。
如表1~7所示，本發明之結晶化玻璃之實施例中，結晶粒子徑為90 nm以下，大部分之結晶粒子徑較為微細，為50 nm以下。又，熱膨脹特性亦係25℃~100℃之平均線膨脹係數為60~85(10-7 ℃-1 )之範圍。又，1 cm3 之玻璃中所含之殘存氣泡數為1~16個，表現出不遜色於使用大量之銻成分、砷成分時之結果之澄清特性。又，關於參考例22及實施例32~34，未觀察到於使用直壓法進行壓製時產生之再沸。
(比較例)
以氧化物基準之質量百分比計，不使用澄清劑且將SiO2 成分設為75.5%，除此之外與實施例1相同之成分，於相同之條件下製作結晶化玻璃。觀察1 cm3 之玻璃中所含之殘存氣泡數，殘存氣泡數為70個。
(參考例23)
又，將參考例1之2.5吋HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)用研磨基板(65×0.635 mmt)於400℃之硝酸鉀與硝酸鈉之混合鹽(KNO3 ：NaNO3 =1：3)中浸漬0.5小時，於表面上形成壓縮應力層。已確認該基板之環向彎曲強度提高至形成壓縮應力層之前(500 MPa)之3倍。
(實施例36)
又，將實施例10之2.5吋HDD用研磨基板(65Φ×0.635 mmt)於400℃之硝酸鉀與硝酸鈉之混合鹽(KNO3 ：NaNO3 =1：3)中浸漬0.5小時，於表面上形成壓縮應力層。已確認該基板之環向彎曲強度提高至形成壓縮應力層之前(500 MPa)之5倍。
(參考例24)
又，將參考例1之2.5吋HDD用研磨基板(65Φ×0.635mmt)加熱至300℃~600℃之後，以空冷法實施急速冷卻，於表面上形成壓縮應力層。已確認該基板之環向彎曲強度提高。
(實施例38)
又，將實施例32之2.5吋HDD用研磨基板(65Φ×0.635 mmt)於400℃之硝酸鉀與硝酸鈉之混合鹽(KNO3 ：NaNO3 =3：1)中浸漬0.5小時，於表面上形成壓縮應力層。已確認該基板之環向彎曲強度提高至形成壓縮應力層之前(500 MPa)之8倍。又，已確認浸漬0.16小時之情形時之環向彎曲強度提高至形成壓縮應力層之前的3倍；浸漬0.32小時之情形時之環向彎曲強度提高至形成壓縮應力層之前的5倍。
(實施例39)
又，藉由DC(Direct Current，直流)濺鍍法，於利用上述實施例所得之基板上形成鉻合金基礎層、及鈷合金磁性層，進而形成類鑽碳層，然後塗佈全氟聚醚系潤滑劑，從而獲得資訊磁記錄媒體。
(實施例40)
以600℃對實施例32之結晶化前之玻璃進行6小時之熱處理，以成為65×0.635mmt之方式而實施加工，獲得具有內孔之圓板狀之基板。以TEM(穿透型電子顯微鏡)進行觀察，觀察到已成為分相狀態。加工條件係利用平均粒徑為5~30μm之研磨粒對基板表面進行約10分鐘~60分鐘之磨削，於內外徑加工之後，利用平均粒徑為0.5μm~2μm之氧化鈰對基板表面進行約30分鐘~60分鐘之研磨。研磨後之表面粗糙度Ra良好為0.45。
又，將所得之基板於400℃之硝酸鉀與硝酸鈉之混合鹽(KNO3 ：NaNO3 =3：1)中浸漬0.5小時，於表面上形成壓縮應力層。該基板之環向彎曲強度為2000MPa，雖稍遜於將結晶化玻璃作為基板之情形，但具有作為資訊記錄媒體用基板之充分之強度。
(實施例41)
以490℃對實施例32之結晶化前之玻璃進行2小時之熱處理，以成為65×0.635mmt之方式而實施加工，獲得具有內孔之圓板狀之基板。加工條件係利用平均粒徑為5~30μm之研磨粒對基板表面進行約10分鐘~60分鐘之磨削，於內外徑加工之後，利用平均粒徑為0.5μm~2μm之氧化鈰對基板表面進行約30分鐘~60分鐘之研磨。研磨後之表面粗糙度Ra良好為0.48。
又，將所得之基板於400℃之硝酸鉀與硝酸鈉之混合鹽(KNO3 ：NaNO3 =3：1)中浸漬0.5小時，於表面上形成壓縮應力層。該基板之環向彎曲強度為1800MPa，雖稍遜於將結晶化玻璃作為基板之情形，但具有作為資訊記錄媒體用基板之充分之強度。
 [產業上之可利用性]
根據本發明，於各種資訊磁記錄裝置中所使用之磁記錄媒體用基板中，亦特別是垂直磁記錄媒體或圖案化媒體用媒體、離散軌道用媒體等中所使用之結晶化玻璃中，即便實質上不含有先前所含有之有害物質即砷、銻，作為澄清劑，或者銻成分之含量未達0.1%，亦可獲得與先前之製造方法相同之澄清效果。
又，本發明提供一種結晶化玻璃，其具有可對應於量產水準之壓製成形性之低黏度特性、及可對應於磁頭之低浮動化之極端平滑的基板表面，具備對應於高速旋轉之高楊氏模數與低比重特性，且兼具有優異之機械特性。藉此，有效地用作資訊記錄媒體用基板、特別是面向HDD之垂直磁記錄媒體用基板。
進而，本發明之結晶化玻璃中，實質上不含有砷、銻作為澄清劑，或者銻成分之含量未達0.1%，因此可減少於直接通電之電溶解中所一般使用之鉬電極的腐蝕。
為澄清劑，或者銻成分之含量未達0.1%，因此可減少於直接通電之電溶解中所一般使用之鉬電極的腐蝕。

Claims (29)

  1. 一種直壓用結晶化玻璃，其特徵在於：以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：SiO2 ：60~78%、Li2 O：5~12%、Al2 O3 ：4~10%、P2 O5 ：1.5~3.0%、ZrO2 ：1~10%、BaO+SrO：5.5~15%、SnO2 ：0~2.5%、CeO2 ：0~2.5%，其中，SnO2 成分與CeO2 成分之總量為0.01~5.0%；不含F、S及Cl成分；含有二矽酸鋰作為結晶相。
  2. 如請求項1之結晶化玻璃，其中含有選自單矽酸鋰、α-石英、α-石英固溶體、β-石英固溶體中之至少1種以上作為結晶相。
  3. 如請求項1之結晶化玻璃，其中含有選自Mn、W、Ta、Bi以及Nb之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上之總含量為0.01~2.5%。
  4. 如請求項1之結晶化玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分： BaO：0~15%、及/或SrO：0~15%、及/或MgO：0~2%、及/或CaO：0~2%、及/或ZnO：0~3%、及/或K2 O：0~3%、及/或Na2 O：0~3%、及/或Cs2 O：0~3%、及/或選自Gd2 O3 成分、La2 O3 成分、Y2 O3 成分、Ga2 O3 成分之1種以上的總含量：0~15%、及/或Sb2 O3 成分：未達0.1%。
  5. 如請求項1之結晶化玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，Li2 O成分、Na2 O成分、K2 O成分以及Cs2 O成分之1種以上的總量為5%~14%。
  6. 如請求項1之結晶化玻璃，其中實質上不含有As2 O3 成分以及Sb2 O3 成分。
  7. 如請求項1之結晶化玻璃，其中於25℃~100℃之溫度範圍內之平均線膨脹係數為50~120[10-7 ℃-1 ]。
  8. 如請求項1之結晶化玻璃，其中上述結晶相之平均粒子徑為100 nm以下。
  9. 一種資訊記錄媒體用基板，其使用如請求項1至8中任一項之結晶化玻璃。
  10. 如請求項9之資訊記錄媒體用基板，其中楊氏模數為85 GPa以上。
  11. 一種資訊記錄媒體用基板，其於如請求項9之基板之表面上設有壓縮應力層。
  12. 如請求項11之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由以較存在於表面層中之鹼性成分之離子半徑為大之鹼性成分進行取代而形成。
  13. 如請求項11之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由對基板進行加熱後、使該基板驟冷而形成。
  14. 如請求項9之資訊記錄媒體用基板，其中表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)為2 Å以下。
  15. 一種資訊記錄媒體，其使用如請求項9之資訊記錄媒體用基板。
  16. 一種直壓用結晶化玻璃之製造方法，其係將原料熔融為熔融玻璃，使上述熔融玻璃成形之後，藉由熱處理而獲得結晶化玻璃者，上述原料之成分以氧化物基準之質量百分比計，含有：SiO2 ：60~78%、及Li2 O：5~12%、及Al2 O3 ：4~10%、及P2 O5 ：1.5~3.0%、及ZrO2 ：1~10%、 BaO+SrO：5.5~15%、SnO2 ：0~2.5%、CeO2 ：0~2.5%、其中，SnO2 成分與CeO2 成分之總量為0.01~5.0%，MnO2 +WO3 +Ta2 O5 +Bi2 O3 +Nb2 O5 ：0~2.5%；不含F、S及Cl成分。
  17. 如請求項16之結晶化玻璃之製造方法，其中上述原料之成分按照氧化物基準，含有選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上；以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上的總含量為0.01~2.5%。
  18. 一種直壓用玻璃，其特徵在於：以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：SiO2 ：60~78%、Li2 O：5~12%、Al2 O3 ：4~10%、P2 O5 ：1.5~3.0%、ZrO2 ：1~10%、BaO+SrO：5.5~15%、SnO2 ：0~2.5%、CeO2 ：0~2.5%、其中，SnO2 成分與CeO2 成分之總量為0.01~5.0%；不含F、S及Cl成分。
  19. 如請求項18之玻璃，其中含有選自Mn、W、Ta、Bi以及Nb之1種以上之元素；該等元素之含量以氧化物基準之質量百分比計，選自MnO2 成分、WO3 成分、Ta2 O5 成分、Bi2 O3 成分以及Nb2 O5 成分之1種以上的總含量為0.01~2.5%。
  20. 如請求項18之玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，含有以下各成分：BaO：0~15%、及/或SrO：0~15%、及/或MgO：0~2%、及/或CaO：0~2%、及/或ZnO：0~3%、及/或K2 O：0~3%、及/或Na2 O：0~3%、及/或CS2 O：0~3%、及/或選自Gd2 O3 成分、La2 O3 成分、Y2 O3 成分、Ga2 O3 成分之1種以上的總含量：0~15%、及/或Sb2 O3 成分：未達0.1%。
  21. 如請求項18之玻璃，其中以氧化物基準之質量百分比計，Li2 O成分、Na2 O成分、K2 O成分以及Cs2 O成分之1種以上之總量為5%~14%。
  22. 如請求項18之玻璃，其中實質上不含有As2 O3 成分以及Sb2 O3 成分。
  23. 一種資訊記錄媒體用基板，其使用如請求項18之玻璃。
  24. 一種資訊記錄媒體用基板，其使用對如請求項18之玻璃進行熱處理，使該玻璃分相而成者。
  25. 一種資訊記錄媒體用基板，其於如請求項23或24之基板之表面上設有壓縮應力層。
  26. 如請求項25之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由以較存在於表面層中之鹼性成分之離子半徑為大之鹼性成分進行取代而形成。
  27. 如請求項25之資訊記錄媒體用基板，其中上述壓縮應力層係藉由對基板進行加熱後、使該基板驟冷而形成。
  28. 如請求項23之資訊記錄媒體用基板，其中表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)為1 Å以下。
  29. 一種資訊記錄媒體，其使用如請求項23至28中任一項之資訊記錄媒體用基板。
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