CN101344695B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制造方法，其中能抑制具有端子的金属薄膜的腐蚀等。涉及本发明的显示面板具有：公共布线(4)，形成在TFT阵列基板(30)上并具有第一端子(5)；第一透明导电性膜(6)，形成在公共布线(4)上；层间绝缘膜(15)，形成在第一透明导电性膜(6)上，并在显示区域(54)的外侧而且是密封材料(50)的内侧具有第一端子部接触孔(17)；以及端子焊盘(20)，形成在层间绝缘膜(15)上，并在第一端子部接触孔(17)中经由第一透明导电性膜(6)与公共布线(4)电连接。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示面板及其制造方法，例如涉及具有接触孔的显示面板及其制造方法。
背景技术
在显示面板中有无源矩阵(passive matrix)型的面板、和使用薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)作为开关(switching)元件的有源矩阵(active matrix)型的面板。最近，由于显示品质这一点的原因使用TFT的有源矩阵型显示装置被广泛实用化。作为这样的显示面板，例如有液晶显示面板和EL(Electro Luminescence：电致发光)显示面板。液晶显示面板是使用液晶的光电元件，被流行地应用于显示器。由于该液晶显示面板具有薄型且低功耗的特征，所以作为个人计算机等的办公自动化设备、便携式电话、电子记事簿等的便携式信息设备、或具备液晶监视器的汽车导航系统、照相机一体型VTR、TV用而被广泛地使用。此外，近年来也开始使用通过自发光而具有高可见性、高速响应、高视角、薄型、重量轻等特征的EL显示面板。
装载在液晶显示装置上的液晶显示面板，与以往的使用阴极射线(cathode-ray)管和EL元件的显示不同，自身不发光。因此，多是使用在液晶显示面板的背面或侧方设置有被称为背光源(backlight)的包括荧光管等的照明装置的透过型液晶显示面板。在透过型液晶显示面板中，从背光源照射光，控制该光的透过量进行图像显示。这样的透过型液晶显示面板虽然在暗处可见性高，但在亮处可见性降低。
因此，在户外经常携带使用的机会多的便携式信息终端设备等中，不使用背光源作为光源，而是使用利用环境光的反射型液晶显示面板。反射型液晶显示面板对基板的像素电极部不使用透明膜，而使用反射膜。而且，通过使环境光在反射膜表面反射从而进行显示。这样，在反射型液晶显示面板中，由于不需要背光源，所以有能使功耗变少的优点。但是，在环境光暗的情况下，也同时具有可见性极端下降的缺点。
为了消除这些问题，使用使背光源光的一部分透过并且使环境光的一部分反射的半透过型液晶显示面板(专利文献1，第1图～第4图)。半透过型液晶显示面板具备：透过部，对像素电极部使用透过膜；以及反射部，对像素电极部使用反射膜。由此，能使透过型显示和反射型显示双方以一个液晶显示面板实现。
如上述那样，以往，液晶显示面板大致分为透过型、反射型、以及半透过型三种。这里，在图8～图13表示这些代表性的液晶显示面板的构成。首先，使用图8及图9说明透过型液晶显示面板的构成。图8是表示透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。图9是表示透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。再有，在图9中，也一并表示栅极(gate)端子部以及源极(source)端子部的剖面构成。这些为了将来自驱动电路的扫描信号和视频信号(显示信号)送到液晶显示面板，成为与驱动电路的连接部。
透过型液晶显示面板中，按每个像素具有TFT100。此外，作为像素电极使用透过电极101，在像素的大致整个面上形成有透过电极101。通常，作为透过电极101使用包括氧化铟或氧化锡等的ITO那样的透明导电性膜。而且，在成为与驱动电路的连接部的栅极端子102以及源极端子103上，分别形成栅极端子焊盘(pad)104和源极端子焊盘105。此外，TFT100和透过电极101、栅极端子102和栅极端子焊盘104、以及源极端子103和源极端子焊盘105经由接触孔106分别连接。
接着，使用图10以及图11说明半透过型液晶显示面板的构成。图10是表示半透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。图11是表示半透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。再有，在图11中也一并表示栅极端子部以及源极端子部的剖面构成。
与透过型液晶显示面板同样，半透过型液晶显示面板具有：TFT100、透过电极101、栅极端子102、源极端子103、栅极端子焊盘104、以及源极端子焊盘105。这些与透过型液晶显示面板同样，经由接触孔106分别连接。此外，半透过型液晶显示面板中，在TFT100侧在像素的大致一半的区域形成反射电极107。这样，作为像素电极使用透过电极101以及反射电极107。作为反射电极107多使用Ag或Al。
接着，使用图12以及图13说明反射型液晶显示面板的构成。图12是表示反射型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。图13是表示反射型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。再有，在图13中一并表示栅极端子部以及源极端子部的剖面构成。
与透过型液晶显示面板同样，反射型液晶显示面板具有：TFT100、栅极端子102、源极端子103、栅极端子焊盘104、以及源极端子焊盘105。此外，作为像素电极使用反射电极107，在像素的大致整个面上形成有反射电极107。作为反射电极107多使用Ag或Al。这些与透过型液晶显示面板同样，经由接触孔106分别连接。
在任一种液晶显示面板中，在成为与驱动电路的连接部的栅极端子102、源极端子103上形成栅极端子焊盘104、源极端子焊盘105。作为该栅极端子焊盘104、源极端子焊盘105通常使用ITO那样的透明导电性膜。这是为了防止后续工序或工作环境等导致的连接部的氧化所引起的高电阻。此外，在透过型或半透过型液晶显示面板中形成包括ITO等的透过电极101。像这样作为焊盘104、105和透过电极101使用的氧化铟和氧化锡类的ITO膜，覆盖(coverage)特性差(参照专利文献1)。因此，如图9、图11、以及图13所示那样，在成为透过电极101与TFT的连接部的接触孔106、或成为端子与焊盘的连接部的接触孔106上，由于其台阶差而发生ITO膜的覆盖不良处108。即，容易发生透过电极101和焊盘104、105的断线。由此，产生液晶显示面板的显示不良和显示不均匀。
此外，近年来，由于液晶显示面板的窄框缘化，驱动电路被插入到液晶显示面板周边部。其结果是，在液晶显示面板周边部，具体地说是在以包围液晶显示面板的周缘的方式形成的密封材料附近，配置接触孔。密封材料附近的接触孔也与上述同样，在由金属等形成的布线、电极、或端子的上层形成ITO膜。在这样的情况下，由于ITO膜的覆盖特性差，所以在ITO的下层形成的布线、电极、或端子会受到从密封材料侵入的水分或杂质的影响。其结果是，布线、电极或端子被腐蚀或电蚀。
特别是本发明者们进行研究的结果是，发现ITO膜的覆盖特性不良在使用以非晶质形成ITO膜之后使其结晶化的处理的情况下，以非常高的频度发生。通常，ITO膜的图案(pattern)加工常使用利用药液的湿法刻蚀。在结晶质的ITO膜的情况下，作为用于湿法刻蚀的药液需要使用包括盐酸+硝酸类的水溶液的强酸。在这种情况下，当作为栅极信号线、源极信号线、反射电极的Al、Ag、或Mo这样的金属薄膜共存时，在ITO膜的湿法刻蚀时，有使这些金属薄膜腐蚀断线的担忧。
另一方面，在非晶质状态的ITO膜的情况下，能以草酸(oxalic acid)类水溶液这样的弱酸进行湿法刻蚀。因此，即使Al、Ag、或Mo这样的金属薄膜共存，也不会使这些金属薄膜腐蚀断线。因此，首先以非晶质状态成膜ITO膜，使用草酸刻蚀液进行图案加工。之后，优选使用下述处理，即例如使用加热办法等使ITO膜结晶化，最终使其在化学上稳定化。
但是，在ITO膜从非晶质状态向结晶化状态相变时，从原子的无序排列结构向规则排列变化。伴随该变化，结晶原子间距离变小，引起体积的收缩。因此，对ITO膜施加来自基板的拉伸应力。由此，特别是在接触孔那样的台阶差部中ITO膜的台阶切断断线变得容易发生。在表1中表示本发明者们测定的在Si基板上的ITO膜的膜应力结果。刚成膜后的非晶质状态的ITO膜的应力是-200MPa。即，200MPa的压缩应力起作用。相对于此，在将该ITO膜以300℃加热使其结晶化后的膜应力是+200MPa。即，200MPa的拉伸应力起作用。根据以上所述，可知在成膜非晶质状态的ITO膜的情况下，伴随结晶化也增加了拉伸应力。另一方面，在成膜结晶化了的ITO膜的情况下，因为即使进行热处理晶相也不发生变化，所以ITO膜的膜应力不变化。如上所述，当以非晶质ITO膜覆盖接触孔时在刻蚀这一点是好的，但是覆盖性却不好。因此，可能会引起水分或杂质的侵入导致的金属布线的腐蚀。对于这样的问题，例如能考虑使基底的布线为两层的结构(例如参照专利文献2、3)。
[表1]
Figure S2008101361552D00041
专利文献1：日本专利申请公开平11-281992号公报
专利文献2：日本专利申请公开平10-10576号公报
专利文献3：日本专利申请公开2004-205550号公报
但是，仅仅是单纯地层叠金属材料，并不能防止基底的布线的腐蚀。进而，对于与没有被定向膜覆盖的、容易发生水分或杂质的侵入的区域的接触孔有关的已述问题，找不到公开的文献。例如对于与配置在密封材料附近的元件(驱动电路检查电路等)中的接触孔有关的已述问题，找不到公开的文献。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的是提供一种能抑制具有端子的金属薄膜的腐蚀等的显示面板及其制造方法。
涉及本发明的显示面板是第一基板和第二基板经由密封材料粘合起来的显示面板，其具有：第一金属薄膜，形成在所述第一基板上并具有端子；保护用透明导电性膜，形成在所述第一金属薄膜上；绝缘膜，形成在所述保护用透明导电性膜上，并在显示区域的外侧而且是所述密封材料的内侧具有接触孔；以及透明导电性膜，形成在所述绝缘膜上，并在所述接触孔中经由所述保护用透明导电性膜与所述第一金属薄膜电连接。
此外，涉及本发明的显示面板的制造方法是第一基板和第二基板经由密封材料粘合起来的显示面板的制造方法，其具有：在所述第一基板上形成具有端子的金属薄膜的工序；在所述金属薄膜上形成保护用透明导电性膜的工序；在所述保护用透明导电性膜上形成绝缘膜的工序，其中该绝缘膜在显示区域的外侧而且是所述密封材料的内侧具有接触孔；以及在所述绝缘膜上形成透明导电性膜的工序，其中该透明导电性膜在所述接触孔中经由所述保护用透明导电性膜与所述金属薄膜电连接。
根据本发明，能提供一种能抑制具有端子的金属薄膜的腐蚀等的显示面板及其制造方法。
附图说明
图1是表示涉及实施方式的液晶显示面板的构成的平面图。
图2是图1的A部分的放大图。
图3是表示涉及实施方式的液晶显示面板的TFT阵列基板的构成的剖面图。
图4是图1的B部分的放大图。
图5是图1的C部分的放大图。
图6是表示涉及实施方式的驱动电路的一部分构成的平面图。
图7是表示涉及实施方式的液晶显示面板的TFT阵列基板的制造方法的剖面图。
图8是表示以往的透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。
图9是表示以往的透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。
图10是表示以往的半透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。
图11是表示以往的半透过型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。
图12是表示以往的反射型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的平面图。
图13是表示以往的反射型液晶显示面板的TFT和像素电极部的构成的剖面图。
具体实施方式
使用图1、2对作为显示面板的一个例子的液晶显示面板进行说明。图1是表示液晶显示面板的构成的平面图。图2是图1的A部分的放大图。再有，在图2中表示TFT阵列基板的构成。
液晶显示面板具有：作为第一基板的TFT阵列基板30；以及与TFT阵列基板30对置配置的作为第二基板的对置基板31。此外，液晶显示面板是在这些基板30、31的外周缘使用密封材料50粘合并在其间形成液晶层而密封的面板。在密封材料50的内侧形成包括多个像素58的显示区域54。TFT阵列基板30具有：后述的TFT90、像素电极19、公共布线接触部55、点亮检查电路、驱动电路51、52等。对置基板31具有滤色片(color filter)层以及对置电极。滤色片层例如具有黑底(black matrix)(BM)和红(R)、绿(G)、蓝(B)的着色层。通过滤色片层，各像素58能进行红色显示、绿色显示、或蓝色显示。此外，在显示区域54中，在两基板30、31的液晶层侧的面上形成定向膜32。
如图1所示，密封材料50以包围显示区域54的方式形成为框状。而且，在密封材料50的外侧上连接有多个扫描信号驱动电路51、和多个显示信号驱动电路52。多个扫描信号驱动电路51沿液晶显示面板的一条边设置。同样，多个显示信号驱动电路52沿液晶显示面板的另一条边设置。此外，设置了扫描信号驱动电路51的一条边与设置了显示信号驱动电路52的另一条边正交。而且，在其角部上形成点亮检查端子部53。从外部对点亮检查端子部53供给选择信号、检查信号等各种信号。
而且，在密封材料50和显示区域54之间设置：公共布线接触部55、栅极侧点亮检查电路部56、以及源极侧点亮检查电路部57。这些例如在定向膜32的外侧形成。公共布线接触部55连接到后述的公共布线4，对显示区域54供给公共信号。栅极侧点亮检查电路部56连接到后述的栅极信号线3，在点亮检查时对显示区域54供给选择信号。源极侧点亮检查电路部57连接到后述的源极信号线11，在点亮检查时对显示区域54供给检查信号。公共布线接触部55在显示区域54的两侧形成。栅极侧点亮检查电路部56在公共布线接触部55和密封材料50之间形成。显示区域54在栅极侧点亮检查电路部56和扫描信号驱动电路51之间形成。此外，显示区域54在源极侧点亮检查电路部57和显示信号驱动电路52之间形成。
如图2所述，在显示区域54上形成有：多个栅极信号线(扫描信号布线)3、多个公共布线4、以及多个源极信号线(显示信号布线)11。多个栅极信号线3以及多个公共布线4平行地设置。栅极信号线3和公共布线4交替地设置。多个源极信号线11平行地设置。栅极信号线3和源极信号线11以相互交叉的方式形成。同样，公共布线4和源极信号线11以相互交叉的方式形成。栅极信号线3和源极信号线11正交。同样，公共布线4和源极信号线11正交。此外，栅极信号线3从栅极侧点亮检查电路部56附近延伸设置到扫描信号驱动电路51。源极信号线11从源极侧点亮检查电路部57延伸设置到显示信号驱动电路52。由此，来自驱动电路51、52、或点亮检查电路部56、57的各种信号被供给到各个信号线。此外，公共布线4从公共布线接触部55延伸设置到与之对置的公共布线接触部55。而且，以邻接的栅极信号线3以及公共布线4、和邻接的源极信号线11包围的区域成为像素58。因此，在液晶显示面板中，像素58排列为矩阵状。再有，关于公共布线接触部55以及像素58的构成在后面叙述。
来自外部的各种信号供给到驱动电路51、52。扫描信号驱动电路51基于来自外部的控制信号，对栅极信号线3供给栅极信号(扫描信号)。通过该栅极信号依次选择栅极信号线3。显示信号驱动电路52基于来自外部的控制信号、显示数据对源极信号线11供给显示信号(显示电压)。由此，能对各像素58供给对应于显示数据的显示电压。再有，扫描信号驱动电路51和显示信号驱动电路52并不限于配置在液晶显示面板上的构成。例如通过TCP(Tape Carrier Package：带载封装)连接驱动电路也可。
在像素58内形成有至少一个TFT90。TFT90配置在源极信号线11和栅极信号线3的交叉点附近。例如该TFT90对像素电极19供给显示电压。作为开关元件的TFT90的栅极电极连接到栅极信号线3，通过从栅极端子输入的信号控制TFT90的导通和截止。TFT90的源极电极连接到源极信号线11。当对栅极电极施加电压时从源极信号线11流过电流。由此，从源极信号线11对连接到TFT90的漏极电极的像素电极19施加显示电压。然后，在像素19和对置电极之间生成对应于显示电压的电场。
在公共布线接触部55上，与源极信号线11平行地形成公共金属薄膜59以及公共透明导电性膜60。此外，公共布线4的端部、公共金属薄膜59、公共透明导电性膜60分别经由绝缘膜依次重叠。在公共布线接触部55中，重叠这些的部分是作为层(1ayer)转换部的源极/栅极转换部63。
再有，层转换部指的是将在不同层形成的导电膜电连接的部分。具体是将在与栅极信号线3同一层形成的第一金属布线和在与源极信号线11同一层形成的第二金属布线，经由在其上层形成的透明导电性膜从而电连接。即，源极/栅极转换部63中的源极表示与源极信号线11是同一层。源极/栅极转换部63中的栅极表示与栅极信号线3是同一层。
源极/栅极转换部63具有ITO/栅极接触部67以及ITO/源极接触部68。在图2中，在公共布线接触部55的源极/栅极转换部63上形成ITO/栅极接触部67以及ITO/源极接触部68各三个。ITO/栅极接触部67是将在与栅极信号线3同一层上形成的第一金属薄膜(在这里是公共布线4)、和在其上层形成的透明导电性膜(在这里是公共透明导电性膜60)电连接的部分。此外，ITO/源极接触部68是将在与源极信号线11同一层上形成的第二金属薄膜(在这里是公共金属薄膜59)、和在其上层形成的透明导电性膜(在这里是公共透明导电性膜60)电连接的部分。
这样，经由公共透明导电性膜60，将公共布线4和公共金属薄膜59电连接。通过利用透明导电性膜桥接(bridge)，能使在不同层中形成的第一金属薄膜和第二金属薄膜电连接。通过这样的构成，来自公共布线接触部55上形成的公共金属薄膜59或公共透明导电性膜60的公共信号对多个公共布线4供给。再有，关于公共布线4的其他的端部，即在对置的一边上形成的公共布线接触部55，也是同样的构成。
接着，使用图3详细说明上述的像素58以及层转换部的构成。图3是表示TFT阵列基板30的构成的剖面图。在图3中，在右侧表示像素58的构成，在左侧表示层转换部的构成。在这里，作为层转换部的一个例子，说明公共布线接触部55中的源极/栅极转换部63。此外，在图3中，使像素58的构成与图8所示的透过型液晶显示面板的像素相同。当然，也可应用图10、12所示的半透过型、反射型液晶显示面板的像素的构成。
栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、以及第一端子5在玻璃等构成的透明绝缘性基板1上形成。栅极信号线3具有栅极电极2，在端部有栅极端子。栅极电极2构成成为开关元件的TFT90。此外，在TFT阵列基板30上配置有被供给来自外部的各种信号的扫描信号驱动电路51。而且，设置在扫描信号驱动电路51上的焊盘和栅极端子电连接。由此，来自扫描信号驱动电路51的扫描信号通过栅极端子输入到栅极信号线3。然后，栅极信号线3对栅极电极2传输扫描信号。
公共布线4配置在邻接的栅极信号线3之间。此外，公共布线4的一部分沿源极信号线11延伸设置。公共布线4构成用于使施加到像素电极的电压保持一定时间的辅助电容。此外，在公共布线4的端部上有第一端子5。从外部对第一端子5供给公共信号。由此，来自外部的公共信号通过第一端子5输入到公共布线4。
在绝缘性基板1上形成的栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、第一端子5等的布线、电极、或端子能通过第一金属薄膜形成。在本实施方式中，在该第一金属薄膜上作为保护用透明导电性膜形成第一透明导电性膜6。此外，第一透明导电性膜6比第一金属薄膜的各个图案(栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、第一端子5等)形成的稍小。此外，第一透明导电性膜6不从第一金属薄膜的各个图案溢出地形成。
由透明性无机绝缘材料构成的栅极绝缘膜7以覆盖栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、第一端子5、第一透明导电性膜6的方式形成。半导体膜8经由栅极绝缘膜7在栅极电极2上形成，构成TFT90。进而，半导体膜8经由栅极绝缘膜7在栅极信号线3上形成。此外，半导体膜8比栅极电极2以及栅极信号线3的图案形成的大。欧姆接触(ohmic contact)膜9在半导体膜8上形成。此外，在栅极电极2上，欧姆接触膜9的一部分被除去。因此，在栅极电极2上，欧姆接触膜9配置在半导体膜8的两端。形成欧姆接触膜9的一方的区域是源极区域，形成另一方的区域是漏极(drain)区域。然后，除去欧姆接触膜9，夹在源极/漏极区域间的区域是沟道区域。
源极电极10从源极信号线11延伸存在，构成TFT90。此外，源极电极10设置在与公共布线4相反侧的欧姆接触膜9上。在源极信号线11的端部上有源极端子。此外，在TFT阵列基板30上配置有被供给来自外部的各种信号的显示信号驱动电路52。而且，显示信号驱动电路52上设置的焊盘和源极端子电连接。由此，来自显示信号驱动电路52的显示信号通过源极端子输入到源极信号线11。然后，源极信号线11对源极电极10传输显示信号。
在公共布线4侧的欧姆接触膜9上形成漏极电极13。漏极电极13构成TFT90。而且，经由栅极绝缘膜7在第一端子5上形成第二端子12。再有，第二端子12位于公共金属薄膜59上并具有开口。此外，第二端子12和第一端子5经由后述的端子焊盘20电连接。由此，供给到与第一端子5不同层的公共金属薄膜59的公共信号，通过第二端子12输入到第一端子5。当然，对公共透明导电性膜60供给公共信号，通过端子焊盘20对第一端子5输入也可。在比第一金属薄膜靠上层形成的源极电极10、源极信号线11、第二端子12、漏极电极13等的布线、电极、或端子能通过第二金属薄膜形成。在本实施方式中，在该第二金属薄膜上作为保护用透明导电性膜形成第二透明导电性膜14。此外，第二透明导电性膜14比第二金属薄膜的各个图案(源极电极10、源极信号线11、第二端子12、漏极电极13等)形成的稍小。此外，第二透明导电性膜14不从第二金属薄膜的各个图案溢出地形成。
层间绝缘膜15包括透明性无机绝缘材料，以覆盖TFT90的方式形成。也就是说，在第二透明导电性膜14上形成有层间绝缘膜15。而且，在漏极电极13上形成有像素接触孔16。具体地说，在漏极电极13上形成的第二透明导电性膜14上，形成有像素接触孔16。像素接触孔16以贯通层间绝缘膜15的方式形成。而且，在第一端子5上，在第二端子12的开口内设置ITO/栅极接触部67。ITO/栅极接触部67具有第一端子部接触孔17。具体地说，在第一端子5上形成的第一透明导电性膜6上，形成有第一端子部接触孔17。第一端子部接触孔17以贯通栅极绝缘膜7以及层间绝缘膜15的方式形成。进而，在第二端子12上设置ITO/源极接触部68。ITO/源极接触部68具有第二端子部接触孔18。具体地说，在第二端子12上形成的第二透明导电性膜14上，形成有第二端子部接触孔18。第二端子部接触孔18以贯通层间绝缘膜15的方式形成。
而且，像素电极19在层间绝缘膜15上形成。此外，像素电极19充填像素电极接触孔16，连接到漏极电极13上的第二透明导电性膜14上。即，像素电极19经由像素接触孔16电连接到下层的漏极电极13上。像素电极19在除去TFT90邻接的栅极信号线3和公共布线4之间形成。而且，像素电极19与漏极电极13以及公共布线4的至少一部分重叠。也就是说，像素电极19经由栅极绝缘膜7、层间绝缘膜15与下层的公共布线4交叠(overlap)。由此，在公共布线4和像素电极19之间电荷蓄积。而且，公共布线4构成用于使施加到像素电极19的电压保持一定时间的辅助电容。此外，像素电极19包括透明导电性膜、即光透过型的导电性膜，对液晶层施加信号电位。
端子焊盘20形成在层间绝缘膜15上。此外，端子焊盘20充填到第一端子部接触孔17，连接到第一端子5上的第一透明导电性膜6。即，端子焊盘20经由第一端子部接触孔17电连接到下层的第一端子5。进而，端子焊盘20充填到第二端子部接触孔18，连接到第二端子12上的第二透明导电性膜14。即，端子焊盘20经由第二端子部接触孔18电连接到下层的第二端子12。这样，从第一端子部接触孔17遍及到第二端子部接触孔18形成端子焊盘20，电连接第一端子5和第二端子12。端子焊盘20能够由与像素电极19相同的透明导电性膜形成。TFT阵列基板30的像素58以及层转换部如以上方式构成。
在本实施方式中，由透明导电性膜构成的像素电极19以及端子焊盘20在接触孔那样的台阶差部上形成。在该台阶差部中，在这些图案上发生覆盖不良。在覆盖不良处21上，水分或杂质等侵入像素电极19或端子焊盘20的下层。因此，在本实施方式中，在成为覆盖不良处21的接触孔上形成第一透明导电性膜6或第二透明导电性膜14。即，在接触孔上，成为像素电极19或端子焊盘20、和第一透明导电性膜6或第二透明导电性膜14的双层结构。由此，在覆盖不良处21，不是通过第一金属薄膜或第二金属薄膜形成的布线、电极、或端子露出，而是第一透明导电性膜6或第二透明导电性膜14露出。即，即使在覆盖不良处21中，布线、电极、或端子也通过保护用透明导电性膜被覆盖。由此，即使水分从形成像素电极19等的透明导电性膜的覆盖不良处21侵入，也通过保护用透明导电性膜抑制对金属薄膜的水分等的侵入。即，能抑制水分等对在保护用透明导电性膜的下层形成的电极、布线、或端子的影响。由此，抑制了由金属薄膜构成的布线、端子、电极等的腐蚀、电蚀，能确保良好的驱动。其结果是液晶显示面板的显示特性变为良好。
虽然在图3中，在第一金属薄膜上以及第二金属薄膜上形成保护用透明导电性膜，但并不限定于此。当然，在任一个金属薄膜上形成保护用透明导电性膜均可。此外，向密封材料50内侧附近那样，在任意的区域中，在第一金属薄膜上以及第二金属薄膜上形成保护用透明导电性膜也可。此外，也能应用于层转换部以外的端子。
接着，使用图4、5对点亮检查电路进行说明。图4是图1的B部分的放大图。图5是图1的C部分的放大图。再有，在图4以及图5中，表示TFT阵列基板30的构成。
点亮检查电路包括栅极侧点亮检查电路部56、源极侧点亮检查电路部57。首先，对栅极侧点亮检查电路部56进行说明。如图4所示，对应于各个栅极信号线3，从密封材料50侧(与显示区域54相反的一侧)依次形成：栅极/源极转换部61、栅极侧点亮检查用TFT62、源极/栅极转换部63。此外，第一栅极信号供给布线64以及第二栅极信号供给布线65与源极信号线11平行地形成。同样，栅极侧TFT控制用栅极信号线66也与源极信号线11平行地形成。栅极侧TFT控制用栅极信号线66对栅极侧点亮检查用TFT62供给栅极信号。栅极/源极转换部61、栅极侧点亮检查用TFT62、源极/栅极转换部63、第一栅极信号供给布线64、第二栅极信号供给布线65、以及栅极侧TFT控制用栅极信号线66，构成栅极侧点亮检查电路部56。作为层转换部的栅极/源极转换部61连接到第一栅极信号供给布线64或第二栅极信号供给布线65。具体地说，对应于多个栅极信号线3，设置多个栅极/源极转换部61。而且，多个栅极/源极转换部61交替连接到第一栅极信号供给布线64以及第二栅极信号供给布线65。例如，对应于偶数列的栅极信号线3的栅极/源极转换部61，连接到第一栅极信号供给布线64。而且，对应于奇数列的栅极信号线3的栅极/源极转换部61，连接到第二栅极信号供给布线65。
栅极/源极转换部61、源极/栅极转换部63分别具有ITO/栅极接触部67以及ITO/源极接触部68。再有，这些层转换部成为与公共布线接触部55的层转换部同样的构成。即、栅极/源极转换部61成为与图3所示的源极/栅极转换部63相同的构成。在栅极/源极转换部61或源极/栅极转换部63中，通过以透明导电性膜桥接，能电连接在不同层形成的第一金属薄膜和第二金属薄膜。通过这样的构成，在栅极/源极转换部61，将在与栅极信号线3同一层上形成的第一金属薄膜(在这里是栅极信号供给布线)连接到在与源极信号线11同一层上形成的第二金属薄膜。而且，通过栅极/源极转换部61连接的第二金属薄膜，延伸设置到栅极侧点亮检查用TFT62，成为栅极侧点亮检查用源极电极69。此外，栅极侧点亮检查用TFT62的栅极侧点亮检查用漏极电极70，延伸设置到源极/栅极转换部63。而且，通过源极/栅极转换部63，将在与源极信号线11同一层上形成的第二金属薄膜，连接到在与栅极信号线3同一层上形成的第一金属薄膜。具体地说，通过源极/栅极转换部63，将栅极侧点亮检查用漏极电极70电连接到栅极信号线3。
第一栅极信号供给布线64、第二栅极信号供给布线65、以及栅极侧TFT控制用栅极信号线66的端部，在图1所示的点亮检查端子部53中具有端子。而且，对这些端子从外部供给各种信号。由此，从点亮检查端子部53对第一栅极信号供给布线64、第二栅极信号供给布线65、以及栅极侧TFT控制用栅极信号线66供给各种信号。即，经由栅极/源极转换部61，对栅极侧点亮检查用TFT62的栅极侧点亮检查用源极电极69供给选择信号。而且，对栅极侧TFT控制用栅极信号线66施加电压，在栅极侧点亮检查用TFT62是导通的状态时，从栅极侧点亮检查用漏极电极70经由源极/栅极转换部63，对栅极信号线3供给选择信号。此外，如所述那样，将对应于栅极信号线3的偶数列的栅极/源极转换部61连接到第一栅极信号供给布线64。另一方面，对应于栅极信号线3的奇数列的栅极/源极转换部61连接到第二栅极信号供给布线65。因此，通过对第一栅极信号供给布线64或第二栅极信号供给布线65供给选择信号，能有选择地使栅极信号线3的偶数列或奇数列驱动。
接着，对源极侧点亮检查电路部57进行说明。如图5所示那样，对应于各个源极信号线11，从密封材料50侧(与显示区域54侧的相反侧)依次形成栅极/源极转换部61、源极侧点亮检查用TFT80。R(红)用源极电源线81、G(绿)用源极电源线82、B(蓝)用源极电源线83与源极信号线11垂直地形成。此外，R用源极电源线81对应于红色显示用的像素58的源极信号线11。G用源极电源线82对应于绿色显示用的像素58的源极信号线11。B用源极电源线83对应于蓝色显示用的像素58的源极信号线11。与源极电源线同样，源极侧TFT控制用栅极信号线84与源极信号线11垂直地形成。源极侧TFT控制用栅极信号线84对源极侧点亮检查用TFT80供给栅极信号。栅极/源极转换部61、源极侧点亮检查用TFT80、R用源极电源线81、G用源极电源线82、B用源极电源线83、以及源极侧TFT控制用栅极信号线84构成源极侧点亮检查电路部57。
栅极/源极转换部61连接到R用源极电源线81、G用源极电源线82、B用源极电源线83的任一个上。例如，对应于第一行的源极信号线11的栅极/源极转换部61连接到R用源极电源线81。而且，对应于第二行的源极信号线11的栅极/源极转换部61连接到G用源极电源线82。对应于第三行的源极信号线11的栅极/源极转换部61连接到B用源极电源线83。
栅极/源极转换部61与栅极侧点亮检查电路部56同样，具有ITO/栅极接触部67以及ITO/源极接触部68。通过这样的构成，在栅极/源极转换部61，将在与栅极信号线3同一层上形成的第一金属膜(在这里是源极电源线)连接到在与源极信号线11同一层上形成的第二金属膜。而且，通过栅极/源极转换部61连接的第二金属薄膜的图案延伸设置到源极侧点亮检查用TFT80，成为源极侧点亮检查用源极电极85。此外，源极侧点亮检查用TFT80的源极侧点亮检查用漏极电极86电连接到源极信号线11。
R用源极电源线81、G用源极电源线82、B用源极电源线83、以及源极侧TFT控制用栅极信号线84的端部，在图1所示的点亮检查端子部53中具有端子。而且，从外部对这些端子供给各种信号。由此，从点亮检查端子部53对R用源极电源线81、G用源极电源线82、B用源极电源线83、以及源极侧TFT控制用栅极信号线84输入各种信号。即，经由栅极/源极转换部61，对源极侧点亮检查用TFT80的源极侧点亮检查用源极电极85供给检查信号。而且，对源极侧TFT控制用栅极信号线84施加电压，在源极侧点亮检查用TFT80为导通状态时，从源极侧点亮检查用漏极电极86对源极信号线11供给检查信号。此外，如所述那样，R用源极电源线81、G用源极电源线82、B用源极电源线83的任一个上连接栅极/源极转换部61。因此，通过对R用源极电源线81、G用源极电源线82、或B用源极电源线83输入检查信号，能有选择地使源极信号线11驱动。
而且，例如在栅极侧点亮检查电路部56有选择地使第一栅极信号供给布线64驱动。即，仅使对应于偶数列的栅极信号线3的TFT90为导通，使其他的TFT90为截止。而且，在源极侧点亮检查电路部57有选择地使R用源极电源线81驱动。即，仅使对应于红色显示用的像素58的TFT为导通，使其他的TFT90为截止。此外，从配置在液晶显示面板背面的作为光源的背光源单元照射光。而且，能进行对应于偶数列的栅极信号线3的红色显示用像素58的点亮检查。由此，能简单地发现缺陷像素。点亮检查电路如以上方式构成。
外部的水分、杂质等从粘合TFT阵列基板30和对置基板31的密封材料50的间隙侵入。此外，在两基板30、31的液晶层侧的面上形成有定向膜32，但在显示区域54的外侧上没有形成定向膜32。因此，在显示区域54的外侧并且是密封材料50的内侧，特别是在密封材料50内侧附近，容易受水分、杂质等的影响。此外，如所述那样，在该区域中配置点亮检查电路等，存在许多接触孔。而且，通过接触孔连接透明导电性膜和下层的金属薄膜构成的布线、端子、电极等。在接触孔，容易发生透明导电性膜的覆盖不良。因此，在接触孔的一部分，有金属薄膜不被透明导电性膜覆盖的、金属薄膜露出的地方。如所述那样，由于在密封材料50内侧附近容易受水分、杂质等的影响，所以在密封材料50内侧附近形成的接触孔导致的覆盖不良处中，金属薄膜与水分、杂质等接触。而且，金属薄膜构成的布线、端子、电极等由于氧化等腐蚀、电蚀，不再能确保良好的驱动。其结果是，液晶显示面板的显示特性恶化。在本实施方式中，在这些接触孔中，通过使透明导电性膜为双层结构，金属薄膜变得难以受到水分、杂质等的影响。由此，抑制金属薄膜构成的布线、端子、电极等的腐蚀、电蚀，能确保良好的驱动。其结果是，即使在由于窄框缘化，在密封材料50内侧附近形成接触孔的情况下，液晶显示面板的显示特性也良好。
此外，在图1中，在密封材料50的外侧形成作为对显示区域54的布线供给信号的电路的扫描信号驱动电路51以及显示信号驱动电路52。即，在密封材料50的外侧连接驱动电路。本实施方式并不局限于此，在密封材料50和公共布线接触部55之间插入驱动电路也可。由此，能谋求液晶显示面板的窄框缘化。在这里，使用图6对驱动电路的构成进行说明。图6是表示驱动电路的一部分构成的平面图。
驱动电路通过多个TFT而构成。在图6中，驱动电路具有：第一驱动电路用TFT91、第二驱动电路用TFT92。因此，层转换部成为必要，在图6中形成有源极/栅极转换部63。在源极/栅极转换部63中，与公共布线接触部55和点亮检查电路部56、57同样，具有ITO/栅极接触部67以及ITO/源极接触部68。而且，在源极/栅极转换部63中，通过透明导电性膜桥接，电连接在不同层上形成的第一金属薄膜和第二金属薄膜。这样，在驱动电路中也具有层转换部，形成多个接触孔。
虽然作为在显示区域54的外侧并且是密封材料50的内侧特别是密封材料50内侧附近形成的接触孔的一个例子，举出了点亮检查电路、驱动电路，但并不局限于此。只要是在没有形成定向膜32，容易受到水分等的影响的区域中形成的接触孔，就能应用。此外，不仅是所述的区域，使其应用于其他区域的接触孔也可。在这样的情况下也能得到所述效果。
接着，使用图7对液晶显示面板的制造方法进行说明。图7是表示液晶显示面板的TFT阵列基板30的制造方法的剖面图。
最初，形成栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、以及第一端子5。首先，在绝缘性基板1上依次成膜第一金属薄膜、非晶质状态的第一透明导电性膜6。由此，成为第一透明导电性膜6/第一金属薄膜的层叠结构。之后，进行第一次的照相制版工序(photolithography process(光刻工艺))，即：通过旋涂(spin coating)在第一透明导电性膜6上涂敷作为感光性树脂的抗蚀剂(resist)，使涂敷的抗蚀剂曝光并显影。由此，光致抗蚀剂(photo resist)被构图为所希望的形状。之后，刻蚀第一透明导电性膜6以及第一金属薄膜，除去光致抗蚀剂图案。此外，在需要除去栅极电极2上的第一透明导电性膜6的情况下，使用灰阶掩模(gray-tone mask)或半色调掩模(half-tone mask)实施照相制版工序也可。具体是，在第一透明导电性膜6上涂敷光致抗蚀剂，使用灰阶掩模或半色调掩模进行多灰度曝光、显影。由此，在成为栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、以及第一端子5的区域上形成抗蚀剂图案。再有，由于在这里进行多灰度(multiple tone)曝光，所以栅极电极2上的抗蚀剂图案的膜厚变薄。这样，通过从具有两级膜厚的抗蚀剂图案上进行刻蚀，从而除去栅极电极2上的第一透明导电性膜6。通过以上的工序，形成栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、第一端子5、以及第一透明导电性膜6。
在本实施方式中，首先以公知的使用Ar气体的溅射(sputtering)法，将在Al中添加Ni的Al类合金以200nm的厚度作为第一金属薄膜成膜。溅射条件是以DC磁控管(magnetron)溅射方式，成膜功率(power)密度3W/cm2，Ar气体流量6.76×10-2Pa·m3/sec(＝40sccm)。然后，在其上层将非晶质状态的ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜以100nm的厚度作为透明导电性膜6成膜。作为优选例，以公知的在Ar气体中导入H2O气体的溅射法成膜ITO膜。此外作为靶(target)使用将In2O3(氧化铟)和SnO2(氧化锡)以各自重量比为9∶1来混合的ITO靶。在这里在120℃以下成膜非晶质状态的ITO膜。之后，使用公知的包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液进行刻蚀(etching)。这样，在刻蚀非晶质状态的第一透明导电性膜6的情况下，能使用弱酸的刻蚀液。由此，能使用与金属薄膜相同的刻蚀液，能对第一透明导电性膜6以及第一金属薄膜一起进行刻蚀。在这里对第一透明导电性膜6以及第一金属薄膜一起进行刻蚀。而且，刻蚀之后，除去抗蚀剂图案。由此，如图7(a)所示，在绝缘性基板1上形成栅极电极2、栅极信号线3、公共布线4、第一端子5、以及第一透明导电性膜6。
在这之后，以等离子体CVD等各种CVD法依次成膜栅极绝缘膜7、半导体膜8、欧姆接触膜9。然后，通过第二次照相制版工序进行半导体膜8以及欧姆接触膜9的图案形成。作为栅极绝缘膜7使用SiNx(氮化硅)或SiOy(氧化硅)。作为半导体膜8例如使用a-Si(非晶(amorphous)硅)、p-Si(多晶硅(polysilicon))。欧姆接触膜9是n型半导体，使用在a-Si或p-Si中微量掺杂了P(磷(Phosphorus))等的n+a-Si(n+非晶硅)膜、n+p-Si(n+多晶硅)膜等。半导体膜8以及欧姆接触膜9的图案，优选不仅在成为开关元件的TFT90的形成区域，也在栅极信号线3和源极信号线11交叉的区域中形成。由此，栅极信号线3的图案的台阶差通过半导体膜8和欧姆接触膜9的图案被缓和。而且，能抑制源极信号线11在台阶差部分断线。
作为优选的实施例，使用化学气相成膜(CVD)法，依次以400nm成膜SiN膜作为栅极绝缘膜7，以150nm成膜a-Si膜作为半导体膜8，以30nm的厚度成膜a-Si膜作为欧姆接触膜9。作为第一透明导电性膜6使用的非晶质状态的ITO膜，通过进行大约150～170℃以上的加热，从而使结晶化反应深入并多晶化。因此，在栅极绝缘膜7成膜时非晶质状态的ITO膜多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶质状态，成为化学上稳定的状态。由此，对化学药液的耐蚀性飞跃地提高。此外，ITO膜的图案形成后，在层间绝缘膜15成膜前，例如另外设置200℃以上的加热工序(退火(anneal))也可。这样，在栅极绝缘膜7成膜前，通过结晶化并成为化学上稳定的状态，抑制ITO膜质的变化。而且，在欧姆接触膜9中作为杂质添加P(磷)，成为n+a-Si。接着，以公知的使用氟类气体的干法刻蚀法刻蚀半导体膜8和欧姆接触膜9。之后，除去抗蚀剂图案，如图7(b)所示，形成半导体膜8以及欧姆接触膜9的图案。
之后，以溅射等依次成膜成为源极信号线材料的第二金属薄膜、非晶质状态的第二透明导电性膜14。由此，成为第二透明导电性膜14/第二金属薄膜的层叠结构。而且，实施第三次照相制版工序，进行构图。由此，形成源极电极10、源极信号线11、第二端子12、漏极电极13、以及第二透明导电性膜14。然后，将源极电极10以及漏极电极13的图案作为掩模，以刻蚀等除去欧姆接触膜9。通过该处理除去欧姆接触膜9的中央部分，半导体膜8露出。该被除去的欧姆接触膜9的部分是沟道区域。之后，除去光致抗蚀剂图案，形成源极电极10、源极信号线11、第二端子12、漏极电极13、第二透明导电性膜14、以及TFT90的沟道区域的图案。
在本实施方式中，作为第二金属薄膜使用在Mo中添加了2.5mass％～20mass％的Nb的MoNb合金。而且，通过溅射法，将MoNb合金以200nm的厚度成膜。然后，在第二金属薄膜的上层作为第二透明导电性膜14将非晶质状态的ITO以100nm的厚度成膜。作为优选例，以公知的在Ar气体中导入H2O气体的溅射法成膜ITO。此外，作为靶使用将In2O3和SnO2以各自重量比为9∶1来混合的ITO靶。溅射条件是以DC磁控管溅射方式，Ar气体流量1.69×10-1Pa·m3/sec(＝100sccm)，H2O气体流量5.07×10-3Pa·m3/sec(＝3sccm)，成膜功率密度1W/cm2。在这里，在120℃以下成膜非晶质状态的ITO膜。之后，在第三次的照相制版工序中构图抗蚀剂，使用公知的包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液进行刻蚀。
使用包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液的非晶质状态的ITO膜的刻蚀速度(etching rate)比MoNb合金快。因此，在对第二金属薄膜以及第二透明导电性膜14一起进行刻蚀的情况下，上层的第二透明导电性膜14被构图得较小。由此，在下面的工序，能使在第二透明导电性膜14上形成的层间绝缘膜15的覆盖特性提高。通过以上的工序，成为图7(c)所示的构成。
之后，以等离子体CVD等的各种CVD法形成SiNx、SiOy等或这些的混合物以及层叠物的绝缘膜构成的层间绝缘膜15。然后，实施第四次照相制版工序，进行构图。
通过该工序，在漏极电极13上形成的层间绝缘膜15的一部分被除去，漏极电极13上的第二透明导电性膜14露出。由此，形成像素接触孔16。此外，通过该工序，在第一端子5上形成的层间绝缘膜15以及栅极绝缘膜7的一部分被除去，第一端子5上的第一透明导电性膜6露出。由此，形成第一端子部接触孔17。进而，通过该工序，在第二端子12上形成的层间绝缘膜15的一部分被除去，第二端子12上的第二透明导电性膜14露出。由此，形成第二端子部接触孔18。而且，能取得之后成膜的形成像素电极19等的透明导电性膜、与TFT的漏极电极13、第一端子5、以及第二端子12的导通。
作为优选的实施例，使用化学气相成膜(CVD)来成膜层间绝缘膜15。此外，在利用CVD法的成膜中，基板加热温度为230℃。即，在将形成第二透明导电性膜14的基板加热到230℃的状态成膜层间绝缘膜15。作为第二透明导电性膜14使用的非晶质状态的ITO膜，通过进行大约150～170℃以上的加热，使结晶化反应深入，从而多晶化。因此，在层间绝缘膜15成膜时非晶质状态的ITO膜多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶质状态，成为化学上稳定的状态。由此，对化学药液的耐蚀性飞跃地提高。此外，与所述同样，ITO膜的图案形成后，在层间绝缘膜15成膜前，例如另外设置200℃以上的加热工序(退火处理)也可。之后，通过形成接触孔，成为图7(d)所示的构成。
之后，以溅射(sputter)、蒸镀、涂敷、CVD、印刷法、溶胶凝胶法(sol gel)法等手法成膜ITO、SnO2、InZnO等的透明导电性膜。然后，实施第五次照相制版工序，进行构图。通过该工序，形成像素电极19以及端子焊盘20的图案。像素电极19形成在像素接触孔16上，与漏极电极13上的第二透明导电性膜14接触。由此，经由像素接触孔16，像素电极19和漏极电极13电连接。此外，端子焊盘20遍及第一端子部接触孔17以及第二端子部接触孔18而形成。而且，端子焊盘20与第一端子5上的第一透明导电性膜6、以及第二端子12上的第二透明导电性膜14接触。由此，经由第一端子部接触孔17以及第二端子部接触孔18，端子焊盘20、第一端子5、以及第二端子12电连接。
在本实施方式中，作为形成像素电极19以及端子焊盘20的透明导电性膜，使用ITO。作为优选实施例，通过公知的在Ar气体中导入H2O气体的溅射法，成膜100nm膜厚的非晶质状态的ITO膜。此外，作为靶使用将In2O3和SnO2以各自重量比为9∶1来混合的ITO靶。这里，在120℃以下成膜非晶质状态的ITO膜。溅射条件是以DC磁控管溅射方式，Ar气体流量1.69×10-1Pa·m3/sec(＝100sccm)，H2O气体流量5.07×10-3Pa·m3/sec(＝3sccm)，成膜功率密度1W/cm2。之后，在第五次照相制版工序中对抗蚀剂进行构图，使用以公知的以草酸为主要成分的溶液进行刻蚀。
然后，除去抗蚀剂图案之后，进行基板的热处理。在本实施方式中，以大约220℃的温度进行热处理，使非晶质状态的ITO膜多晶化。非晶质状态的ITO膜，通过进行大约150～170℃以上的加热，结晶化反应深入，从而多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶质状态，成为化学上稳定的状态。由此，对化学药液的耐蚀性飞跃地提高。可是，在使非晶质状态的ITO膜多晶化时，会发生ITO膜的体积收缩。由此，在接触孔16、17、18的台阶差部中，会发生ITO膜的覆盖不良。而且，会部分地发生ITO膜的断线，即所谓的台阶切断。因此，在本实施方式中，使接触孔16、17、18部分的透明导电性膜为双层结构。因此，抑制了从外部侵入的水分、杂质等从覆盖不良处21直接接触形成布线、电极、以及端子的金属薄膜。因此，能抑制布线、电极、以及端子的腐蚀和电蚀。通过以上的工序，成为图7(e)所示的构成，制造TFT阵列基板30。
接着，使用公知的技术，在所述TFT阵列基板30的电极形成面上形成定向膜32。此外，对置基板31中，在绝缘性基板上依次形成滤色片(color filter)层、对置电极、定向膜32。这些定向膜32在包括多个像素58的显示区域54形成。用于进行彩色显示的滤色片层，具有成为遮光层的BM(黑底)层、包括R(红)、G(绿)、B(蓝)的着色层。而且，使形成有各个定向膜32的面为内侧，使用密封材料50粘合TFT阵列基板30和对置基板31。之后，通过将液晶注入两基板30、31之间并密封，制造液晶显示面板。
如所述那样，通过使布线、电极、或端子为金属薄膜和透明导电性膜的双层结构，能得到良好的驱动、显示特性。再有，与金属薄膜相比，透明导电性膜难以受到水分等的影响。因此，比起金属薄膜的双层结构，优选金属薄膜和透明导电性膜的双层结构。
虽然在本实施方式中，将在Al中添加Ni的Al类合金作为第一金属薄膜，但并不局限于此。例如在AlNd膜的上层设置了AlNd-N膜的双层膜的AlNd膜的上层，设置对第二金属薄膜使用的MoNb膜的MoNb/AlNd层叠膜也可。此外，作为第一金属薄膜使用MoNb单层膜也可。进而，作为第二金属薄膜，除了本实施方式的MoNb单层膜，也能使用MoNb膜和AlNd膜的层叠膜。在该情况下，与MoNb单层膜相比，能使源极信号线11的布线电阻降低。当然，Al和Mo类的合金膜也不局限于AlNd和MoNb。例如，也能使用AlCu、AlSi、AlTa、AlY、AlNi等的合金类或MoW、MoCr、MoV等的合金类或这些的组合结构等。此外，当然也能使用对强酸溶液耐蚀性优越的现有的Cr、Ta、W、或Ti等的金属膜或以这些为主要成分的合金膜等。
此外，在本实施方式中，由于作为第一金属薄膜上和第二金属薄膜上的非晶质状态的透明导电性膜，通过加工后的热处理能多晶化，所以优选使用ITO膜。进而，在In2O3(氧化铟)中添加ZnO(氧化锌)的IZO膜、或在ITO膜中进一步添加ZnO的ITZO膜也可。在该情况下，不用使H2O气体和H2气体混合，仅以以往公知的Ar气体的溅射就能得到非晶质状态的透明导电性膜。
再有，虽然在本实施方式中，作为一个例子示出了应用于透过型液晶显示面板的例子，但并不局限于此。当然也能应用于半透过型或反射型的液晶显示面板。进而，当然也能应用于例如有机EL显示面板或无机EL显示面板的使用透明导电性膜的其他显示面板或设备。在该情况下，特别是通过在具有接触孔或通孔或台阶差形状部的基板上形成两层透明导电性膜，也能得到与本实施方式同样的效果。

Claims (13)

1. 一种显示面板，第一基板和第二基板经由密封材料粘合起来，其中，具有：
第一金属薄膜，形成在所述第一基板上并具有端子；
保护用透明导电性膜，形成在所述第一金属薄膜上；
绝缘膜，形成在所述保护用透明导电性膜上，并在显示区域的外侧而且是所述密封材料的内侧具有接触孔；以及
透明导电性膜，形成在所述绝缘膜上，并在所述接触孔中经由所述保护用透明导电性膜与所述第一金属薄膜电连接。
2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，
还具有：第二金属薄膜，在所述第一金属薄膜的上层，并形成在所述透明导电性膜的下层；以及层转换部，形成有所述接触孔，
在所述层转换部中，形成在不同层上的所述第一金属薄膜和所述第二金属薄膜经由所述透明导电性膜电连接。
3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，
还具有：设置在所述显示区域的外侧并对所述显示区域的布线供给信号的电路，
所述层转换部形成在所述电路中。
4. 根据权利要求1至3的任何一项所述的显示面板，其中，
所述保护用透明导电性膜是包含氧化铟和氧化锡的ITO膜、或是包含氧化铟和氧化锌的IZO膜。
5. 一种显示面板的制造方法，该显示面板中第一基板和第二基板经由密封材料粘合起来，所述显示面板的制造方法具备：
在所述第一基板上形成具有端子的金属薄膜的工序；
在所述金属薄膜上形成保护用透明导电性膜的工序；
在所述保护用透明导电性膜上形成绝缘膜的工序，其中该绝缘膜在显示区域的外侧而且是所述密封材料的内侧具有接触孔；以及
在所述绝缘膜上形成透明导电性膜的工序，其中该透明导电性膜在所述接触孔中经由所述保护用透明导电性膜与所述金属薄膜电连接。
6. 根据权利要求5所述的显示面板的制造方法，其中，
在形成所述保护用透明导电性膜的工序中，使非晶质状态的所述保护用透明导电性膜成膜，
在形成所述绝缘膜的工序中，利用所述绝缘膜成膜时的基板加热温度使所述保护用透明导电性膜结晶化。
7. 根据权利要求5或6所述的显示面板的制造方法，其中，所述保护用透明导电性膜是包含氧化铟和氧化锡的ITO膜、或是包含氧化铟和氧化锌的IZO膜。
8. 根据权利要求5或6所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述保护用透明导电性膜的工序中，使用弱酸的刻蚀液将所述保护用透明导电性膜和所述金属薄膜一起进行湿法刻蚀。
9. 根据权利要求7所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述保护用透明导电性膜的工序中，使用弱酸的刻蚀液将所述保护用透明导电性膜和所述金属薄膜一起进行湿法刻蚀。
10. 根据权利要求5或6所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述透明导电性膜的工序中，通过以草酸为主要成分的刻蚀液来对所述透明导电性膜进行湿法刻蚀。
11. 根据权利要求7所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述透明导电性膜的工序中，通过以草酸为主要成分的刻蚀液来对所述透明导电性膜进行湿法刻蚀。
12. 根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述透明导电性膜的工序中，通过以草酸为主要成分的刻蚀液来对所述透明导电性膜进行湿法刻蚀。
13. 根据权利要求9所述的显示面板的制造方法，其中，在形成所述透明导电性膜的工序中，通过以草酸为主要成分的刻蚀液来对所述透明导电性膜进行湿法刻蚀。
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