KR102513362B1 - 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102513362B1
KR102513362B1 KR1020150177150A KR20150177150A KR102513362B1 KR 102513362 B1 KR102513362 B1 KR 102513362B1 KR 1020150177150 A KR1020150177150 A KR 1020150177150A KR 20150177150 A KR20150177150 A KR 20150177150A KR 102513362 B1 KR102513362 B1 KR 102513362B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
liquid crystal
base substrate
display panel
Prior art date
Application number
KR1020150177150A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170070337A (ko
Inventor
황성모
박진우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150177150A priority Critical patent/KR102513362B1/ko
Priority to JP2016111243A priority patent/JP2017107158A/ja
Priority to EP16191677.0A priority patent/EP3179300B1/en
Priority to US15/285,664 priority patent/US10451909B2/en
Priority to CN201611042254.5A priority patent/CN106873213B/zh
Publication of KR20170070337A publication Critical patent/KR20170070337A/ko
Priority to US16/571,524 priority patent/US10809557B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102513362B1 publication Critical patent/KR102513362B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Abstract

액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 컬러 필터, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 제1 배향층을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향하는 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 베이스 기판과 마주보는 제1 면 상에 배치되는 제2 배향층, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면과 대향하는 제2 면 상에 터치 인식이 가능한 액티브 영역 내에 배치되는 터치 전극, 상기 제2 면 상에 상기 액티브 영역의 가장자리에 인접하는 주변 영역 내에 배치되는 연결 전극 및 상기 제2 면 상에 배치되고 상기 터치 전극과 상기 연결 전극을 연결하는 연결 라인을 포함한다

Description

액정 표시 패널 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 패널 및 상기 액정 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터치 센서를 일체로 포함하는 액정 표시 패널 및 상기 액정 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
사람의 손 또는 물체의 접촉을 전기적 신호로 변화하여 접촉되는 위치를 파악하는 입력장치인 터치 패널을 포함하는 액정 표시 장치가 개발되고 있다. 일반적으로 액정 표시 장치 상에 상기 터치 패널을 접착 시켜 터치 패널을 포함하는 액정 표시 장치를 제조하는데, 최근 들어 액정 표시 장치의 기판 상에 직접 터치 센서를 형성하는 제조 방법이 개발되고 있으나, 제조 방법상의 여러 문제가 발견되고 있다.
특히, 상기 액정 표시 장치의 기판 상에 직접 터치 센서를 형성하는 경우, 공정 상의 문제로 인해 터치 전극 패턴의 내구성이 떨어지고, 상기 터치 전극 패턴 상에 편광판 부착의 재 작업 시, 상기 터치 전극 패턴의 손상이 발생하는 문제가 있었다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 내구성이 향상된 터치 센서가 일체로 형성된 액정 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 수율이 향상된 상기 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 컬러 필터, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 제1 배향층을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향하는 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 베이스 기판과 마주보는 제1 면 상에 배치되는 제2 배향층, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면과 대향하는 제2 면 상에 터치 인식이 가능한 액티브 영역 내에 배치되는 터치 전극, 상기 제2 면 상에 상기 액티브 영역의 가장자리에 인접하는 주변 영역 내에 배치되는 연결 전극 및 상기 제2 면 상에 배치되고 상기 터치 전극과 상기 연결 전극을 연결하는 연결 라인을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판에 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 블랙 매트릭스를 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하여 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극에는 복수의 슬릿이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 주변 영역 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴이 더 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제2 기판 상에 배치되는 브릿지 전극 및 상기 브릿지 전극 상에 배치되고 상기 브릿지 전극의 일부를 노출하는 절연 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극 및 복수의 제2 터치 전극을 포함하고, 상기 제1 터치 전극은 상기 브릿지 전극을 통해 이웃하는 제1 터치 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 투명 도전 물질을 포함하고, 500 내지 3000Å의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 백금 (Pt), 팔라듐(Pd), 네오듐(Nd) 및/또는 이들의 합급을 포함하는 5um 이하의 폭을 갖는 미세 선에 의해 형성되는 메쉬 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 두께는 2000 내지 10000 Å 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제2 배향층과 상기 제2 베이스 기판 사이에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 제2 베이스 기판은 상기 제2 전극과 직접 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 배향층과 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 주변 영역 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 상기 터치 전극 상에 배치되는 편광층, 및 상기 편광층과 상기 터치 전극 사이에 배치되고, 상기 터치 전극과직접 접촉하는 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 컬러 필터, 및 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 제1 배향층을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계, 제1 면과 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함하는 제2 베이스 기판의 상기 제2 면 상에 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 투명 도전층을 패터닝 하여 터치 전극을 형성하는 단계, 상기 터치 전극이 형성된 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 제2 배향층을 형성하여, 상기 제2 베이스 기판, 상기 터치 전극 및 상기 제2 배향층을 포함하는 제2 기판을 준비하는 단계, 및 상기 제1 기판의 상기 제1 배향층 및 상기 제2 기판의 상기 제2 배향층을 마주보게 배치시킨후, 상기 제1 배향층 및 상기 제2 배향층 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투명 도전층을 형성하는 단계에서, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 및/또는 불소 도핑 주석 산화물(FTO)을 포함하고, 상기 투명 도전층은 150도(℃) 이상에서 고온 처리 하여 상기 인듐 주석 산화물을 결정화 시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투명 도전층의 두께는 500 내지 3000Å 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제2 면 상에 브릿지 전극을 형성하는 단계, 및 상기 브릿지 전극과 중첩하고 상기 브릿지 전극의 일부를 노출시키는 절연 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 투명 도전층을 형성하는 단계는 상기 브릿지 전극 및 상기 절연 패턴이 형성된 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 투명 도전층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극을 형성하는 단계는 상기 투명 도전층을 패터닝 하여 상기 브릿지 전극과 전기적으로 연결되는 제1 터치 전극, 및 상기 제1 터치 전극과 이격되는 제2 터치 전극을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판을 준비하는 단계에서, 상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 직접 배향제를 도포하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극을 형성하는 단계에서, 상기 투명 도전층을 패터닝하여 액티브 영역 내에 상기 터치 전극, 상기 액티브 영역의 가장자리에 인접하는 주변 영역 내에 연결 전극, 및 상기 터치 전극과 상기 연결 전극을 연결하는 연결 라인을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 연결 라인 상에 무기 절연 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상에서 고온 처리 하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 기판을 준비하는 단계에서, 상기 제2 배향층은 상기 제2 전극 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판을 준비하는 단계에서, 상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제2 면이 지면을 향하도록 하여 기판 이송 장치에 상기 제2 면이 접촉하여 지지된 상태에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 액정층을 형성하는 단계 후에, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 각각 하부 편광판 및 상부 편광판을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각각의 상기 하부 및 상부 편광판들은 점착층을 포함하여 탈착 및 부착이 용이하여, 상기 하부 및 상부 편광판들의 부착위치가 잘못된 경우, 상기 하부 및 상부 편광판들을 부착하는 단계가 복수 회 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예들 에 따르면, 액정 표시 패널은 고온 공정에 의해 형성된 터치전극 및 연결 라인을 포함한다. 이에 따라, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 면저항 값이 낮고, 강도가 우수하여, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 두께를 작게 하면서도 편광판 부착의 재작업(rework)에 의한 손상이 없어 수율이 향상될 수 있다.
또한, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 제1 기판에 포함되고, 액정층 형성 전에 제2 베이스 기판 상에 상기 터치 전극 및 제2 배향막을 형성하므로, 터치 인식 기능을 포함하는 상기 제2 기판에 대한 제조 공정이 단순화 될 수 있다.
또한, 고온 공정에 의해 형성되는 무기 절연 패턴이 주변 영역의 연결 라인을 커버하므로, 편광판 부착의 재작업 시의 손상이나 외부 환경에 의한 터치 패턴 손상이 감소될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 3b는 도 3a 의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다.
도 4b는 도 4a 의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 7a 내지 7f는 도 1a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a 및 8b는 도 2a의 액정 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a 및 9b는 도 3a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a 및 10b는 도 4a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 11a 및 11b는 도 5의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 12a 및 12b는 도 6의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1a 및 1b 를 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 제3 절연층(116), 제2 전극(EL2), 제4 절연층(118), 제1 전극(EL1), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(112)은 상기 게이트 전극(GE)이 배치된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(112) 상에 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된다. 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 제1 절연층(112) 상에 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 제2 절연층(114)이 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된 상기 제1 절연층(112) 상에 배치된다.
상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 컬러 필터(CF)가 상기 제2 절연층(112) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(130)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 제3 절연층(116)이 상기 컬러 필터(CF)가 배치된 상기 제2 절연층(114) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(116) 상에 제2 전극(EL2)이 배치된다. 상기 제4 절연층(118)이 상기 제2 전극(EL2)이 배치된 상기 제3 절연층(116) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1)이 상기 제4 절연층(118) 상에 배치된다.
상기 제2 전극(EL2)은 공통 전극으로 상기 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 화소 전극으로 상기 제4 절연층(118), 상기 제3 절연층(116) 및 상기 제2 절연층(114)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)에는 복수의 슬릿이 형성될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 전극(EL1)이 배치된 상기 제4 절연층(118) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 광을 차단하는 물질을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다.
상기 제1 배향층(AL1)이 상기 제1 전극(EL1) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 배치된다. 상기 제1 배향층(AL1)은 상기 액정층(130)의 액정 분자들을 배향할 수 있는 배향제를 포함한다. 예를 들면, 상기 배향제는 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향제는 자외선(UV) 선평광 등에 반응하여 액정을 배향 가능한 광배향제를 포함할 수 있다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 복수의 브릿지 전극(205), 복수의 절연 패턴(207), 복수의 라우터 메탈(209), 복수의 제1 터치 전극(210), 복수의 제2 터치 전극(220), 복수의 연결 전극(240), 복수의 연결 라인(230) 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 제2 베이스 기판(120)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 브릿지 전극(205)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 액티브 영역(AA)내에 배치된다. 상기 액티브 영역(AA)은 사용자의 터치 입력이 가능한 영역이다. 상기 브릿지 전극(205)은 투명 도전 물질을 포함한다. 예를 들면, 상기 브릿지 전극(205)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 브릿지 전극(205)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 브릿지 전극(205)은 상기 고온 공정을 통해 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 절연 패턴(207)은 상기 브릿지 전극(205) 상에 배치되고, 상기 브릿지 전극(205)의 상기 제1 방향(D1)의 양쪽 끝단을 노출 시킬 수 있다. 상기 절연 패턴(207)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 전극(210)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 복수의 제1 터치 전극(210)들이 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하며, 예를 들면, 실질적으로 수직할 수 있다. 상기 제1 터치 전극(210)은 상기 제1 방향(D1)을 따라 상기 브릿지 전극(205)에 의해 이웃하는 제1 터치 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 터치 전극(210)은 투명 도전 물질을 포함한다. 예를 들면, 상기 제1 터치 전극(210)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 터치 전극(210)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 터치 전극(210))은 상기 고온 공정을 통해 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 제2 터치 전극(220)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 복수의 제2 터치 전극(220)들이 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 제2 터치 전극(220)은 상기 제2 방향(D1)을 따라 이웃하는 제2 터치 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 터치 전극(220)은 상기 절연 패턴(207)에 의해 상기 제1 터치 전극(210)과 이격될 수 있다. 상기 제2 터치 전극(220)은 상기 제1 터치 전극(210)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 터치 전극(220)은 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 라우터 메탈(209)이 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 상기 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 배치된다. 상기 라우터 메탈(209)은 금속을 포함할 수 있다.
상기 연결 전극(240)은 상기 라우터 메탈(209) 상에 형성되고, 상기 연결 라인(230)을 통해 상기 제1 또는 제2 터치 전극(210, 220)과 전기적으로 연결된다. 상기 연결 전극(240)은 상기 라우터 메탈(209)을 커버하고, 상기 연결 전극(240) 및 상기 라우터 메탈(209)은 외부의 터치 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 라우터 메탈(209) 및 상기 연결 전극(240)에 터치 위치를 검출하는 드라이브 IC를 포함하는 연성회로 기판이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결 전극(240)은 상기 제1 터치 전극(210) 및 상기 제2 터치 전극(220)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 전극(240)은 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 연결 라인(230)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 배치되며, 상기 제1 또는 제2 터치 전극(210, 220)과 상기 연결 전극(240)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 연결 라인(230)은 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220) 및 상기 연결 전극(240)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 라인(230)은 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 전극들(210, 220) 및 상기 연결 라인(230)은 고온 공정에 의해 형성된 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하므로, 저온 공정에 의해 형성된 아몰퍼스 상태의 인듐 주석 산화물(ITO) 보다 상대적으로 낮은 면저항 값을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 터치 전극들(210, 220) 및 상기 연결 라인(230)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있고, 이때, 상기 제1 및 제2 터치 전극들(210, 220) 및 상기 연결 라인(230)의 두게는 약 3000Å 이하 일 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제2 베이스 기판(120)이 상기 제2 베이스 기판과 마주보는 면, 즉, 상기 제1 및 제2 터치 전극(210, 220), 상기 연결 라인(230), 상기 연결 전극(240)이 형성된 반대쪽 면 상에는 제2 배향층(AL2)이 배치된다. 상기 제2 배향층(AL2)은 상기 액정층(130)의 액정 분자들을 배향할 수 있는 배향제를 포함한다. 예를 들면, 상기 배향제는 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향제는 자외선(UV) 선평광 등에 반응하여 액정을 배향가능한 광배향제를 포함할 수 있다.
상기 액정층(130)은 상기 제1 기판의 상기 제1 배향층(AL1) 및 상기 제2 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(130)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(130)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시할 수 있다.
상기 액정층(130)은 상기 액정 표시 패널의 가장자리에서 상기 제1 베이스 기판(110) 및 상기 제2 베이스 기판(120) 사이에 형성되는 밀봉 부재(140)에 의해 밀봉될 수 있다. 상기 밀봉 부재(140)는 상기 주변 영역(PA)에 배치될 수 있다.
상기 하부 편광판(400)은 상기 제1 기판의 제1 베이스 기판(110)의 외부면, 즉 상기 제1 베이스 기판(110)이 상기 제2 베이스 기판과 마주보는 면의 반대면 상에 배치된다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함할 수 있다. 상기 하부 점착층(410)은 상기 하부 편광층(420)을 상기 제1 기판 상에 부착시키기 위한 것으로, 상기 하부 점착층(410)은 감압 점착제(pressure sensitive adhesive: PSA)를 포함할 수 있다.
상기 상부 편광판(300)은 상기 제2 기판의 상기 제1 및 제2 터치 전극(210, 220) 상에 배치된다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함할 수 있다. 상기 상부 점착층(310)은 상기 상부 편광층(320)을 상기 제2 기판 상에 부착시키기 위한 것으로, 상기 상부 점착층(310)은 감압 점착제(pressure sensitive adhesive: PSA)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 액정 표시 패널은 고온 공정에 의해 형성된 상기 제1 및 제2 터치 전극들 및 상기 연결 라인을 포함한다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 터치 전극들 및 상기 연결 라인의 면저항 값이 낮고, 강도가 우수하여, 상기 제1 및 제2 터치 전극들 및 상기 연결 라인의 두께를 작게 하면서도 편광 소자 부착의 재작업(rework)에 의한 손상이 없어 수율이 향상될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 무기 절연 패턴(250)을 제외하고 도 1a 및 1b의 액정 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함한다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 제3 절연층(116), 제2 전극(EL2), 제4 절연층(118), 제1 전극(EL1), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 복수의 제1 터치 전극(210), 복수의 제2 터치 전극(220), 복수의 연결 전극(240), 복수의 연결 라인(230), 무기 절연 패턴(250) 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인(230)을 커버한다. 따라서, 상기 상부 편광판(300)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인(230)을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(250)이 상기 연결 라인(230)을 커버하므로, 상기 연결 라인(230)의 손상을 방지할 수 있다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(250)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다.
또한, 상기 상부 편광판(300)의 상기 상부 점착층(310)이 상기 제2 기판 상에 부착될 때, 상기 상부 점착층(310)의 일부가 상기 무기 절연 패턴(250) 상에 접착 및 탈착된 후, 다시 접착되더라도(편광판 부착의 재작업이 이루어지는 경우) 상기 무기 절연 패턴(250)은 고온 공정을 통해 형성되어 충분히 견고하므로, 편광판 부착의 재작업에 의한 불량이 없으므로, 수율이 향상될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 터치 전극(510), 연결 전극(520) 및 연결 라인(530)을 제외하면, 도 1a 및 1b의 액정 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함한다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 제3 절연층(116), 제2 전극(EL2), 제4 절연층(118), 제1 전극(EL1), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 복수의 터치 전극(510), 복수의 연결 전극(520), 복수의 연결 라인(530), 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 터치 전극(510)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 상기 액티브 영역(AA)은 사용자의 터치 입력이 가능한 영역이다. 복수의 터치 전극(510)들이 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하며, 예를 들면, 실질적으로 수직할 수 있다. 상기 터치 전극(510)은 투명 도전 물질을 포함한다. 예를 들면, 상기 터치 전극(510)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 터치 전극(510)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 터치 전극(510)은 상기 고온 공정을 통해 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 연결 전극(520)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 상기 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 배치된다. 상기 연결 전극(520)은 상기 연결 라인(530)을 통해 상기 터치 전극(520)과 전기적으로 연결된다. 상기 연결 전극(520)은 상기 터치 전극(510)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 전극(520)은 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 연결 라인(530)은 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 배치되며, 상기 터치 전극(510)과 상기 연결 전극(520)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 연결 라인(530)은 상기 터치 전극(510) 및 상기 연결 전극(520)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 라인(530)은 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극(510) 및 상기 연결 라인(530)은 고온 공정에 의해 형성된 결정화된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하므로, 저온 공정에 의해 형성된 아몰퍼스 상태의 인듐 주석 산화물(ITO) 보다 상대적으로 낮은 면저항 값을 가질 수 있다. 따라서, 상기 터치 전극들(510) 및 상기 연결 라인(530)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있고, 이때, 상기 터치 전극(510) 및 상기 연결 라인(530)의 두게는 약 3000Å 이하 일 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 평면도이다. 도 4b는 도 4a의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 무기 절연 패턴(550)을 제외하고 도 3a 및 3b의 액정 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함한다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 제3 절연층(116), 제2 전극(EL2), 제4 절연층(118), 제1 전극(EL1), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 복수의 터치 전극(510), 복수의 연결 전극(520), 복수의 연결 라인(530), 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 무기 절연 패턴(550)은 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인(530)을 커버한다. 따라서, 상기 상부 편광판(300)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인(530)을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(550)이 상기 연결 라인(530)을 커버하므로, 상기 연결 라인(530)의 손상을 방지할 수 있다.
상기 무기 절연 패턴(550)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(550)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(550)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 제1 베이스 기판(110)과 제2 베이스 기판(120) 사이의 액정 표시 패널의 구성을 제외하고, 도 1a 및 1b의 액정 표시 패널과실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함한다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 블랙 매트릭스(BM), 제1 전극(EL1), 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(112)은 상기 게이트 전극(GE)이 배치된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(112) 상에 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된다. 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 제1 절연층(112) 상에 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 제2 절연층(114)이 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된 상기 제1 절연층(112) 상에 배치된다.
상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 컬러 필터(CF)가 상기 제2 절연층(112) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(130)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 컬러 필터(CF)가 배치된 상기 제2 절연층(114) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 광을 차단하는 물질을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다.
상기 제1 전극(EL1)이 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1)은 화소 전극으로 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 제2 절연층(114)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 전극(EL1) 상에 상기 제1 배향층(AL1)이 배치된다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 복수의 제1 터치 전극(210), 복수의 제2 터치 전극(220), 복수의 연결 전극(240), 복수의 연결 라인(도 1a의 230 참조), 제2 전극(EL2) 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제2 베이스 기판(120)이 상기 제1 베이스 기판과 마주보는 면, 즉, 상기 제1 및 제2 터치 전극(210, 220), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(240)이 형성된 반대쪽 면 상에는 상기 제2 전극(EL2)이 배치된다. 상기 제2 전극(EL2)은 공통 전극으로 상기 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가될 수 있다.
상기 제2 배향층(AL2)이 상기 제2 전극(EL2) 상에 배치된다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 액정 표시 패널은 상기 액정 표시 패널은 무기 절연 패턴(250)을 제외하고 도 5의 액정 표시 패널과실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층(130), 상부 편광판(300) 및 하부 편광판(400)을 포함한다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함한다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 블랙 매트릭스(BM), 제1 전극(EL1), 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함된다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 복수의 제1 터치 전극(210), 복수의 제2 터치 전극(220), 복수의 연결 전극(240), 복수의 연결 라인(도 1a의 230 참조), 무기 절연 패턴(250), 제2 전극(EL2) 및 제2 배향층(AL2)을 포함한다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인을 커버한다. 따라서, 상기 상부 편광판(300)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(250)이 상기 연결 라인을 커버하므로, 상기 연결 라인의 손상을 방지할 수 있다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(250)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 7a 내지 7f는 도 1a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a를 참조하면, 제2 베이스 기판(120) 상에 액티브 영역(AA) 내에 브릿지 전극(205)을 형성한다.
상기 제2 베이스 기판(120) 상에 투명 도전층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 상기 브릿지 전극(205)을 형성할 수 있다. 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 브릿지 전극(205)은 약 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 상기 투명 도전층을 상기 제2 기판(120) 상에 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 상기 인듐 주석 산화물(ITO)을 결정화 시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 브릿지 전극(205)은 저온 공정에 의해 형성된 아몰퍼스 상태의 인듐 주석 산화물(ITO) 보다 상대적으로 낮은 면저항 값을 갖고, 높은 강도를 가질 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 브릿지 전극(205) 상에 절연 패턴(207)을 형성한다. 상기 절연 패턴(207)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 절연 패턴(207)은 약 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 주변 영역(PA) 내에 라우터 메탈(209)을 형성한다. 상기 라우터 메탈(209)은 금속을 포함할 수 있다.
도 7d를 참조하면, 상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 제1 터치 전극(210), 제2 터치 전극(220), 연결 라인(도 1의 230 참조) 및 연결 전극(240)을 형성한다.
상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 투명 도전층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)을 형성할 수 있다. 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)은 약 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 상기 투명 도전층을 상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209)이 형성된 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 상기 인듐 주석 산화물(ITO)을 결정화 시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)은 저온 공정에 의해 형성된 아몰퍼스 상태의 인듐 주석 산화물(ITO) 보다 상대적으로 낮은 면저항 값을 갖고, 높은 강도를 가질 수 있다.
도 7e를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 배향제는 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향제는 자외선(UV) 선평광 등에 반응하여 액정을 배향가능한 광배향제를 포함할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(102)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240) 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209), 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(240) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
도 7f를 참조하면, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재(140)로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을 제조할수 있다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 게이트 전극(GE), 제1 절연층(112), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 제2 절연층(114), 컬러 필터(CF), 제3 절연층(116), 제2 전극(EL2), 제4 절연층(118), 제1 전극(EL1), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 배향층(AL1)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE), 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구성 요소로 포함될 수 있다
상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다. 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 준비된 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재(140)로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을 제조할 수 있다.
추가적으로 하부 편광판(400)이 상기 제1 기판의 외부면, 즉 상기 제1 베이스 기판(110)의 상기 제1 베이스 기판(110)이 상기 제2 베이스 기판과 마주보는 면의 반대면 상에 부착될 수 있다. 상기 하부 편광판(400)은 하부 점착층(410) 및 하부 편광층(420)을 포함하여, 상기 하부 점착층(410)이 상기 제1 베이스 기판(110) 접착될 수 있다.
추가적으로 상기 제2 기판의 상기 제1 및 제2 터치 전극(210, 220) 상에 상부 편광판(300)을 부착할 수 있다. 상기 상부 편광판(300)은 상부 점착층(310) 및 상부 편광층(320)을 포함하여, 상기 상부 점착층(310)이 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 접착될 수 있다.
도 8a 및 8b는 도 2a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8a를 참조하면, 상기 액정 표시 패널의 제조 방법은 무기 절연 패턴(250)을 더 형성하는 것을 제외하면, 도 7a 내지 7f의 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 제1 터치 전극(210), 제2 터치 전극(220), 연결 전극(240), 연결 라인이 형성된 제2 베이스 기판(120) 상에, 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴(250)을 더 형성한다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(250)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 무기 절연층을 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 처리 한 후, 이를 패터닝 하여 상기 무기 절연 패턴(250)을 형성할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 고온 공정을 통해 형성되므로, 저온 공정에 의해 형성된 무기 절연층 또는 유기 절연층에 비해 강도가 높아 상기 연결 라인의 손상을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
상부 편광판(도2b의 300 참조)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인(230)을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(250)이 상기 연결 라인(230)을 커버하므로, 상기 연결 라인(230)의 손상을 방지할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(102)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240) 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있고, 또한, 상기 주변 영역(PA)의 상기 연결 라인은 상기 무기 절연 패턴(250)으로 커버되어 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209), 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(240) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
이후, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을제조할 수 있다.
상기 제1 기판은 도 7f의 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다.
추가적으로 하부 편광판 및 상부 편광판이 각각 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 접착될 수 있다.
도 9a 및 9b는 도 3a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 9a를 참조하면, 상기 액정 표시 패널의 제조 방법은 제1 기판을 제외하면, 도 7a 내지 7f의 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
제2 베이스 기판(120) 상에 터치 전극(510), 연결 전극(520) 및 연결 라인(도 3a 의 530 참조)을 형성한다.
상기 제2 베이스 기판(120) 상에 투명 도전층을 형성한 후, 이를 패터닝하여 상기 터치 전극(510), 상기 연결 전극(520) 및 상기 연결 라인을 형성할 수 있다. 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극(510), 상기 연결 전극(520) 및 상기 연결 라인은 약 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 상기 투명 도전층을 상기 제2 기판(120) 상에 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 상기 인듐 주석 산화물(ITO)을 결정화 시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 터치 전극(510), 상기 연결 전극(520) 및 상기 연결 라인은 저온 공정에 의해 형성된 아몰퍼스 상태의 인듐 주석 산화물(ITO) 보다 상대적으로 낮은 면저항 값을 갖고, 높은 강도를 가질 수 있다.
도 9b를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 배향제는 폴리이미드계 화합물, 폴리아믹산계 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향제는 자외선(UV) 선평광 등에 반응하여 액정을 배향가능한 광배향제를 포함할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520) 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(520) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
이후, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을 제조할 수 있다.
상기 제1 기판은 도 7f의 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다.
추가적으로 하부 편광판 및 상부 편광판이 각각 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 접착될 수 있다.
도 10a 및 10b는 도 4a의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 10a를 참조하면, 상기 액정 표시 패널의 제조 방법은 무기 절연 패턴(550)을 더 형성하는 것을 제외하면, 도 7a 내지 7f의 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
터치 전극(510), 연결 전극(520) 및 연결 라인이 형성된 제2 베이스 기판(120) 상에, 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴(550)을 더 형성한다.
상기 무기 절연 패턴(550)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(550)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(550)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 무기 절연층을 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 처리 한 후, 이를 패터닝 하여 상기 무기 절연 패턴(550)을 형성할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(550)은 고온 공정을 통해 형성되므로, 저온 공정에 의해 형성된 무기 절연층 또는 유기 절연층에 비해 강도가 높아 상기 연결 라인의 손상을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
상부 편광판(도 4b의 300 참조)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인(230)을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(550)이 상기 연결 라인(230)을 커버하므로, 상기 연결 라인(230)의 손상을 방지할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(520) 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있고, 또한, 상기 주변 영역(PA)의 상기 연결 라인은 상기 무기 절연 패턴(550)으로 커버되어 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 터치 전극(510), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(520) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
이후, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을제조할 수 있다.
상기 제1 기판은 도 7f의 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다.
추가적으로 하부 편광판 및 상부 편광판이 각각 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 접착될 수 있다.
도 11a 및 11b는 도 5의 액정 표시 패널의제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 11a를 참조하면, 상기 액정 표시 패널의 제조 방법은 제2 기판의 제2 전극을 형성하는 단계 및 제1 기판의 구성을 제외하면, 도 7a 내지 7f의 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
제2 베이스 기판(120) 상에 브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 제1 터치 전극(210), 제2 터치 전극(220), 연결 라인 및 연결 전극(240)을 형성한다.
상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 전극(EL2)을 형성한다. 상기 제2 전극(EL2)은 투명 도전 물질을 포함하며, 예를 들면, 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 약 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 상기 제2 전극(EL2) 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 전극(EL2) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 전극(EL2) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240) 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 브릿지 전극(205), 상기 절연 패턴(207), 상기 라우터 메탈(209), 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인, 상기 연결 전극(240) 상기 제2 전극(EL2) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
이후, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을제조할 수 있다.
상기 제1 기판은 도 5의 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다.
추가적으로 하부 편광판 및 상부 편광판이 각각 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 접착될 수 있다.
도 12a 및 12c는 도 6의 액정 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 12a를 참조하면, 상기 액정 표시 패널의 제조 방법은 무기 절연 패턴(250)을 더 형성하는 것을 제외하면, 도 11a 및 11b의 액정 표시 패널의 제조 방법과 실질적으로 동일하다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
브릿지 전극(205), 절연 패턴(207), 라우터 메탈(209), 제1 터치 전극(210), 제2 터치 전극(220), 연결 라인 및 연결 전극(240)이 형성된 제2 베이스 기판(120) 상에, 액티브 영역(AA)의 가장자리에 인접하는 주변 영역(PA) 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴(250)을 더 형성한다.
상기 무기 절연 패턴(250)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 절연 패턴(250)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 150도(℃) 이상의 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 무기 절연층을 형성한 후, 약 150도(℃) 이상의 고온 처리 공정(annealing)을 통해 처리 한 후, 이를 패터닝 하여 상기 무기 절연 패턴(250)을 형성할 수 있다. 상기 무기 절연 패턴(250)은 고온 공정을 통해 형성되므로, 저온 공정에 의해 형성된 무기 절연층 또는 유기 절연층에 비해 강도가 높아 상기 연결 라인의 손상을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.
상부 편광판(도 6의 300 참조)이 상기 주변 영역(PA) 내의 상기 연결 라인(230)을 커버하고 있지 않는 부분에서, 상기 무기 절연 패턴(250)이 상기 연결 라인(230)을 커버하므로, 상기 연결 라인(230)의 손상을 방지할 수 있다.
도 12b를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면의 반대 면 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 전극(EL2)을 형성한다.
상기 제2 전극(EL2) 상에 상기 액티브 영역(AA) 내에 제2 배향층(AL2)을 형성한다. 상기 제2 배향층(AL2)은 배향제를 상기 제2 전극(EL2) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 배향제를 상기 제2 전극(EL2) 상에 도포하는데 있어서, 상기 제2 베이스 기판(120)의 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)이 형성된 면이 지면을 향하게 되어 기판 이송장치와 직접 접촉할 수 있다. 그러나, 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240)들의 구성은 고온 공정을 거쳐 상대적으로 높은 강도를 갖고 있고, 또한, 상기 주변 영역(PA)의 상기 연결 라인은 상기 무기 절연 패턴(250)으로 커버되어 있으므로, 상기 기판 이송 장치와의 접촉에 의한 손상이 감소될 수 있으며, 이에 따라 제품 수율이 향상될 수 있다.
이에 따라 상기 제2 베이스 기판(120), 상기 제1 터치 전극(210), 상기 제2 터치 전극(220), 상기 연결 라인 및 상기 연결 전극(240) 및 상기 제2 배향층(AL2)을 포함하는 제2 기판을 준비할 수 있다.
이후, 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재로 밀봉하여 상기 액정 표시 패널을제조할 수 있다.
상기 제1 기판은 도 6의 제1 기판과 실질적으로 동일하다. 상기 제1 기판은 일반적인 제조 방법으로 제조 될 수 있다.
추가적으로 하부 편광판 및 상부 편광판이 각각 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 접착될 수 있다.
본 발명의 실시예들 에 따르면, 액정 표시 패널은 고온 공정에 의해 형성된 터치전극 및 연결 라인을 포함한다. 이에 따라, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 면저항 값이 낮고, 강도가 우수하여, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 두께를 작게 하면서도 편광판 부착의 재작업(rework)에 의한 손상이 없어 수율이 향상될 수 있다.
또한, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 제1 기판에 포함되고, 액정층 형성 전에 제2 베이스 기판 상에 상기 터치 전극 및 제2 배향막을 형성하므로, 터치 인식 기능을 포함하는 상기 제2 기판에 대한 제조 공정이 단순화 될 수 있다.
또한, 고온 공정에 의해 형성되는 무기 절연 패턴이 주변 영역의 연결 라인을 커버하므로, 편광판 부착의 재작업 시의 손상이나 외부 환경에 의한 터치 패턴 손상이 감소될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 제1 베이스 기판 120: 제2 베이스 기판
210: 제1 터치 전극 220: 제2 터치 전극
230: 연결 라인 240: 연결 전극
250: 무기 절연 패턴

Claims (28)

  1. 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 컬러 필터, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 제1 배향층을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 베이스 기판과 마주보는 제1 면 상에 배치되는 제2 배향층, 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면과 대향하는 제2 면 상에 터치 인식이 가능한 액티브 영역 내에 배치되는 터치 전극, 상기 제2 면 상에 상기 액티브 영역의 가장자리에 인접하는 주변 영역 내에 배치되는 연결 전극 및 상기 제2 면 상에 배치되고 상기 터치 전극과 상기 연결 전극을 연결하는 연결 라인을 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 및 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하고,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 동일한 층으로부터 형성되며,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 결정화된 인듐 주석 산화물을 포함하는 액정 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판에 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 블랙 매트릭스를 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하여 배치되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극에는 복수의 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 베이스 기판 상에 상기 주변 영역 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴이 더 배치된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 제2 기판 상에 배치되는 브릿지 전극 및 상기 브릿지 전극 상에 배치되고 상기 브릿지 전극의 일부를 노출하는 절연 패턴을 더 포함하고,
    상기 터치 전극은 복수의 제1 터치 전극 및 복수의 제2 터치 전극을 포함하고, 상기 제1 터치 전극은 상기 브릿지 전극을 통해 이웃하는 제1 터치 전극과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 500 내지 3000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 백금 (Pt), 팔라듐(Pd), 네오듐(Nd) 및/또는 이들의 합급을 포함하는 5um 이하의 폭을 갖는 미세 선에 의해 형성되는 메쉬 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 라인의 두께는 2000 내지 10000 Å 인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 제2 배향층과 상기 제2 베이스 기판 사이에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 제2 베이스 기판은 상기 제2 전극과 직접 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 배향층과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 베이스 기판 상에 상기 주변 영역 내에 상기 연결 라인을 커버하는 무기 절연 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 전극은 150도(℃) 이상의 고온 공정에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 전극 상에 배치되는 편광층; 및
    상기 편광층과 상기 터치 전극 사이에 배치되고, 상기 터치 전극과 직접 접촉하는 점착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.
  16. 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 컬러 필터, 및 상기 박막 트랜지스터 및 상기 컬러 필터 상에 배치되는 제1 배향층을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계;
    제1 면과 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 포함하는 제2 베이스 기판의 상기 제2 면 상에 투명 도전층을 형성하는 단계
    상기 투명 도전층을 패터닝 하여 터치 전극을 형성하는 단계;
    상기 터치 전극이 형성된 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 제2 배향층을 형성하여, 상기 제2 베이스 기판, 상기 터치 전극 및 상기 제2 배향층을 포함하는 제2 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 제1 기판의 상기 제1 배향층 및 상기 제2 기판의 상기 제2 배향층을 마주보게 배치시킨 후, 상기 제1 배향층 및 상기 제2 배향층 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 투명 도전층을 형성하는 단계에서,
    상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함하고, 상기 투명 도전층은 150도(℃) 이상에서 고온 처리 하여 상기 인듐 주석 산화물을 결정화 시키며,
    상기 터치 전극을 형성하는 단계에서
    상기 투명 도전층을 패터닝하여 액티브 영역 내에 상기 터치 전극, 상기 액티브 영역의 가장자리에 인접하는 주변 영역 내에 연결 전극, 및 상기 터치 전극과 상기 연결 전극을 연결하는 연결 라인을 형성하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 투명 도전층의 두께는 500 내지 3000 Å 인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 베이스 기판의 상기 제2 면 상에 브릿지 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 브릿지 전극과 중첩하고 상기 브릿지 전극의 일부를 노출시키는 절연 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 투명 도전층을 형성하는 단계는
    상기 브릿지 전극 및 상기 절연 패턴이 형성된 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 투명 도전층을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 터치 전극을 형성하는 단계는
    상기 투명 도전층을 패터닝 하여 상기 브릿지 전극과 전기적으로 연결되는 제1 터치 전극, 및 상기 제1 터치 전극과 이격되는 제2 터치 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 기판을 준비하는 단계에서,
    상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 직접 배향제를 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  22. 삭제
  23. 제16 항에 있어서,
    상기 연결 라인 상에 무기 절연 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 무기 절연 패턴은 150도(℃) 이상에서 고온 처리 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  25. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 베이스 기판의 상기 제1 면 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 기판을 준비하는 단계에서,
    상기 제2 배향층은 상기 제2 전극 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  26. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 기판을 준비하는 단계에서,
    상기 제2 배향층은 상기 제2 베이스 기판의 상기 제2 면이 지면을 향하도록 하여 기판 이송 장치에 상기 제2 면이 접촉하여 지지된 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  27. 제16 항에 있어서,
    상기 액정층을 형성하는 단계 후에,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 각각 하부 편광판 및 상부 편광판을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
  28. 제27 항에 있어서,
    각각의 상기 하부 및 상부 편광판들은 점착층을 포함하여 탈착 및 부착이 용이하여, 상기 하부 및 상부 편광판들의 부착위치가 잘못된 경우, 상기 하부 및 상부 편광판들을 부착하는 단계가 복수 회 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
KR1020150177150A 2015-12-11 2015-12-11 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 KR102513362B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150177150A KR102513362B1 (ko) 2015-12-11 2015-12-11 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP2016111243A JP2017107158A (ja) 2015-12-11 2016-06-02 液晶表示パネル及びその製造方法
EP16191677.0A EP3179300B1 (en) 2015-12-11 2016-09-30 Liquid crystal display with an integrated touch panel and its manufacturing method
US15/285,664 US10451909B2 (en) 2015-12-11 2016-10-05 Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
CN201611042254.5A CN106873213B (zh) 2015-12-11 2016-11-21 液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法
US16/571,524 US10809557B2 (en) 2015-12-11 2019-09-16 Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150177150A KR102513362B1 (ko) 2015-12-11 2015-12-11 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170070337A KR20170070337A (ko) 2017-06-22
KR102513362B1 true KR102513362B1 (ko) 2023-03-24

Family

ID=57042804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150177150A KR102513362B1 (ko) 2015-12-11 2015-12-11 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10451909B2 (ko)
EP (1) EP3179300B1 (ko)
JP (1) JP2017107158A (ko)
KR (1) KR102513362B1 (ko)
CN (1) CN106873213B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102513362B1 (ko) * 2015-12-11 2023-03-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN106249961B (zh) * 2016-09-12 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 触摸显示屏的制作方法、触摸显示屏和显示装置
KR102329084B1 (ko) 2017-06-30 2021-11-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 일체형 표시 장치

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009020199A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Mitsubishi Electric Corp 表示パネル及びその製造方法
JP2009259203A (ja) 2008-03-25 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
US8080141B2 (en) * 2008-11-18 2011-12-20 Guardian Industries Corp. ITO-coated article and/or method of making the same via heat treating
JP5140018B2 (ja) 2009-02-24 2013-02-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト 入力機能付き液晶表示装置
CN102067320B (zh) * 2009-05-19 2014-03-19 松下电器产业株式会社 柔性半导体装置的制造方法
KR101309862B1 (ko) * 2009-12-10 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 액정 표시 장치
KR101142566B1 (ko) * 2010-06-01 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 터치스크린패널 및 이를 구비한 영상표시장치
KR101799031B1 (ko) 2010-08-09 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지층을 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101165456B1 (ko) 2011-03-07 2012-07-12 이성호 전압변동을 이용한 정전식 터치 검출수단, 검출방법 및 터치스크린패널과, 그러한 정전식 터치스크린패널을 내장한 표시장치
JP5640854B2 (ja) * 2011-03-25 2014-12-17 ソニー株式会社 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤
KR101294569B1 (ko) * 2011-06-29 2013-08-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
US9470941B2 (en) * 2011-08-19 2016-10-18 Apple Inc. In-cell or on-cell touch sensor with color filter on array
CN202512549U (zh) 2012-03-23 2012-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸液晶显示装置、液晶显示面板及上部基板
TWI477851B (zh) * 2012-05-22 2015-03-21 Au Optronics Corp 觸控顯示面板與觸控液晶顯示面板
CN104380366B (zh) 2012-06-19 2017-09-08 新日铁住金化学株式会社 显示装置及其制造方法、以及显示装置支撑基材用聚酰亚胺膜及其制造方法
KR20140016593A (ko) * 2012-07-30 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140057047A (ko) * 2012-11-02 2014-05-12 삼성전기주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 휴대용 전자 장치
KR20140078881A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 (주)인터플렉스 결정질 ito와 비정질 ito를 사용하는 터치패널
US9417475B2 (en) * 2013-02-22 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6161454B2 (ja) * 2013-07-25 2017-07-12 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及びカメラ
KR102302811B1 (ko) * 2013-12-16 2021-09-16 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
JP2015153297A (ja) 2014-02-18 2015-08-24 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 タッチセンサー基板、画像表示装置、およびタッチセンサー基板の製造方法
JP6257428B2 (ja) * 2014-04-15 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法
KR102513362B1 (ko) * 2015-12-11 2023-03-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3179300A2 (en) 2017-06-14
JP2017107158A (ja) 2017-06-15
US20170168336A1 (en) 2017-06-15
KR20170070337A (ko) 2017-06-22
US10451909B2 (en) 2019-10-22
US10809557B2 (en) 2020-10-20
US20200012135A1 (en) 2020-01-09
EP3179300B1 (en) 2020-05-13
EP3179300A3 (en) 2017-09-06
CN106873213B (zh) 2021-07-02
CN106873213A (zh) 2017-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10823999B2 (en) Display apparatus and related manufacturing method
KR101307260B1 (ko) 라인 온 글라스형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102628939B1 (ko) 액정 표시장치
KR101201304B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
US10809557B2 (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
US8547505B2 (en) Liquid crystal display
KR102535829B1 (ko) 액정 표시 패널의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 액정 표시 패널
US20170097543A1 (en) Thin film transistor substrate, display device including the same, and method of manufacturing thin film transistor substrate
WO2016204056A1 (ja) 表示装置の製造方法及び表示装置
KR20090012131A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US10976624B2 (en) Display device
WO2014034512A1 (ja) 薄膜トランジスタ基板及び表示装置
KR102313861B1 (ko) 웨어러블 디바이스
JP2008276234A (ja) 薄膜トランジスタ表示板と、これを用いた表示装置および表示装置の製造方法
KR102503756B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102319565B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2014157311A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
KR20160043575A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20070003165A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
CN206601548U (zh) 显示装置
KR20070082756A (ko) 액정 표시 장치
KR101747721B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20160055365A (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR100928481B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
JP2010072413A (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant