JP2017107158A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐久性が向上したタッチセンサ一体型液晶表示パネルを提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、第１及び第２基板の間に配置される液晶層１３０を含む。第１基板は、第１ベース基板１１０、第１ベース基板１１０上に配置される薄膜トランジスタＴＦＴ、カラーフィルタＣＦ、薄膜トランジスタＴＦＴ及びカラーフィルタＣＦ上に配置される第１配向層ＡＬ１を含む。第２基板は、第１基板と対向する第２ベース基板１２０、第２ベース基板１２０の第１ベース基板１１０と対向する第１面上に配置される第２配向層ＡＬ２と、第１面と対向する第２面上においてタッチ認識が可能なアクティブ領域ＡＡ内に配置されるタッチ電極２１０、２２０、アクティブ領域ＡＡの縁に隣接する周辺領域ＰＡ内に配置される連結電極２４０、及び第２面上に配置され、タッチ電極２１０、２２０と連結電極２４０とを連結する連結ラインを含む。【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は液晶表示パネル及び前記液晶表示パネルの製造方法に関し、より詳しくは、タッチセンサーを一体に含む液晶表示パネル及び前記液晶表示パネルの製造方法に関する。

液晶表示装置は液晶の特定の分子配列に電圧を印加して分子配列を変換させ、このような分子配列の変換により発光する液晶セルの複屈折性、旋光性、２色性、及び光散乱特性などの光学的性質の変化を視覚変化に変換して映像を表示するディスプレイ装置である。

人の手または物体の接触を電気的信号に変換して接触される位置を把握する入力装置であるタッチパネルを含む液晶表示装置が開発されている。一般に、液晶表示装置上に前記タッチパネルを接着させてタッチパネルを含む液晶表示装置を製造するが、最近になって液晶表示装置の基板上に直接タッチセンサーを形成する製造方法が開発されているが、製造方法上のさまざまな問題が発見されている。

特に、前記液晶表示装置の基板上に直接タッチセンサーを形成する場合、工程上の問題によってタッチ電極パターンの耐久性が落ちて、前記タッチ電極パターン上に偏光板を取り付ける再作業時に、前記タッチ電極パターンの損傷が発生する問題があった。

本発明の技術的課題はこのような点から着眼したものであって、本発明の目的は、耐久性が向上したタッチセンサーが一体に形成された液晶表示パネルを提供することにある。

本発明の他の目的は、歩留まりが向上した前記液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。

前記の本発明の目的を実現するための一実施形態に係る液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、及び前記第１及び第２基板の間に配置される液晶層を含む。前記第１基板は、第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置される薄膜トランジスタ、前記第１ベース基板上に配置されるカラーフィルタ、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ上に配置される第１配向層を含む。前記第２基板は、前記第１基板と対向する第２ベース基板、前記第２ベース基板の前記第１ベース基板と対向する第１面上に配置される第２配向層、前記第２ベース基板の前記第１面と対向する第２面上においてタッチ認識が可能なアクティブ領域内に配置されるタッチ電極、前記第２面上において前記アクティブ領域の縁に隣接する周辺領域内に配置される連結電極、及び前記第２面上に配置され、前記タッチ電極と前記連結電極とを連結する連結ラインを含む。

本発明の一実施形態において、前記第２配向層は前記第２ベース基板に直接接触することができる。

本発明の一実施形態において、前記第１基板は前記薄膜トランジスタと重畳するブラックマトリックスをさらに含み、前記薄膜トランジスタと電気的に連結される第１電極、前記第１電極と重畳して配置される第２電極を含むことができる。前記第１電極には複数のスリットが形成できる。

本発明の一実施形態において、前記第２ベース基板上において前記周辺領域内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターンがさらに配置できる。

本発明の一実施形態において、前記無機絶縁パターンは１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

本発明の一実施形態において、前記第２基板は前記第２基板上に配置されるブリッジ電極、及び前記ブリッジ電極上に配置され、前記ブリッジ電極の一部を露出する絶縁パターンをさらに含むことができる。前記タッチ電極は複数の第１タッチ電極及び複数の第２タッチ電極を含み、前記第１タッチ電極は前記ブリッジ電極を通じて隣り合う第１タッチ電極と電気的に連結できる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極及び前記連結ラインは同一な層から形成できる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極及び前記連結ラインは透明導電物質を含み、５００から３０００Åの厚さを有することができる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極及び前記連結ラインは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び／又はこれらの合金を含む５ｕｍ以下の幅を有する微細線により形成されるメッシュ構造を有することができる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極及び前記連結ラインの厚さは２０００から１００００Åでありうる。

本発明の一実施形態において、前記第２基板は前記第２配向層と前記第２ベース基板との間に配置される第２電極をさらに含み、前記第２ベース基板は前記第２電極と直接接触し、前記第２電極は前記第２配向層と直接接触することができる。

本発明の一実施形態において、前記液晶表示装置は前記第２ベース基板上において前記周辺領域内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターンをさらに含むことができる。

本発明の一実施形態において、前記無機絶縁パターンは１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極は１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

本発明の一実施形態において、前記液晶表示装置は前記タッチ電極上に配置される偏光層、及び前記偏光層と前記タッチ電極との間に配置され、前記タッチ電極と直接接触する粘着層をさらに含むことができる。

前記した本発明の目的を実現するための一実施形態に係る液晶表示パネルの製造方法は、第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置される薄膜トランジスタ、前記第１ベース基板上に配置されるカラーフィルタ、及び前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ上に配置される第１配向層を含む第１基板を用意するステップ、第１面及び前記第１面と対向する第２面を含む第２ベース基板の前記第２面上に１５０度（℃）以上の高温工程により透明導電層を形成するステップ、前記透明導電層をパターニングしてタッチ電極を形成するステップ、前記タッチ電極が形成された前記第２ベース基板の前記第１面上に第２配向層を形成して、前記第２ベース基板、前記タッチ電極、及び前記第２配向層を含む第２基板を用意するステップ、及び前記第１基板の前記第１配向層及び前記第２基板の前記第２配向層を対向するように配置させた後、前記第１配向層及び前記第２配向層の間に液晶層を形成するステップを含む。

本発明の一実施形態において、前記透明導電層を形成するステップにおいて、前記透明導電層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及び／又はフッ素ドーピングすず酸化物（ＦＴＯ）を含み、前記透明導電層は１５０度（℃）以上で高温処理して前記インジウムすず酸化物を結晶化させることができる。

本発明の一実施形態において、前記透明導電層の厚さは５００から３０００Åでありうる。

本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記第２ベース基板の前記第２面上にブリッジ電極を形成するステップ、及び前記ブリッジ電極と重畳し、前記ブリッジ電極の一部を露出させる絶縁パターンを形成するステップをさらに含むことができる。前記透明導電層を形成するステップは、前記ブリッジ電極及び前記絶縁パターンが形成された前記第２ベース基板上に前記透明導電層を形成することができる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極を形成するステップは、前記透明導電層をパターニングして前記ブリッジ電極と電気的に連結される第１タッチ電極、及び前記第１タッチ電極と離隔する第２タッチ電極を形成することができる。

本発明の一実施形態において、前記第２基板を用意するステップで、前記第２配向層は前記第２ベース基板の前記第１面上に直接配向剤を塗布して形成できる。

本発明の一実施形態において、前記タッチ電極を形成するステップで、前記透明導電層をパターニングしてアクティブ領域内に前記タッチ電極、前記アクティブ領域の縁に隣接する周辺領域内に連結電極、及び前記タッチ電極と前記連結電極とを連結する連結ラインを形成することができる。

本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記連結ライン上に無機絶縁パターンを形成するステップをさらに含むことができる。

本発明の一実施形態において、前記無機絶縁パターンは１５０度（℃）以上で高温処理して形成できる。

本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記第２ベース基板の前記第１面上に第２電極を形成するステップをさらに含むことができる。前記第２基板を用意するステップで、前記第２配向層は前記第２電極上に形成できる。

本発明の一実施形態において、前記第２基板を用意するステップで、前記第２配向層は前記第２ベース基板の前記第２面が下方を向くようにして基板移送装置に前記第２面が接触して支持された状態で形成できる。

本発明の一実施形態において、前記製造方法は前記液晶層を形成するステップの後に、前記第１基板及び前記第２基板上に各々下部偏光板及び上部偏光板を取り付けるステップをさらに含むことができる。

本発明の一実施形態において、それぞれの前記下部及び上部偏光板は粘着層を含んで脱着及び取り付けが容易で、前記下部及び上部偏光板の取り付け位置が誤った場合、前記下部及び上部偏光板を取り付けるステップが複数回なされることができる。

本発明の実施形態によれば、液晶表示パネルは高温工程により形成されたタッチ電極及び連結ラインを含む。これによって、前記タッチ電極及び前記連結ラインの面抵抗値が低く、強度が優れて、前記タッチ電極及び前記連結ラインの厚さを小さくし、かつ偏光板取り付けの再作業（ｒｅｗｏｒｋ）による損傷がないので、歩留まりが向上できる。

また、カラーフィルタ及びブラックマトリックスが第１基板に含まれ、液晶層形成の前に第２ベース基板上に前記タッチ電極及び第２配向膜を形成するので、タッチ認識機能を含む前記第２基板に対する製造工程が単純化できる。

また、高温工程により形成される無機絶縁パターンが周辺領域の連結ラインをカバーするので、偏光板取り付けの再作業時の損傷や外部環境によるタッチパターン損傷が減少できる。

但し、本発明の効果は前記の効果に限定されるものでなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張できる。

本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図１ＡのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図２ＡのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図３ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。 図４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの断面図である。 図１Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図７Ａに後続する図である。 図７Ｂに後続する図である。 図７Ｃに後続する図である。 図７Ｄに後続する図である。 図７Ｅに後続する図である。 図２Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図８Ａに後続する図である。 図３Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図９Ａに後続する図である。 図４Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図１０Ａに後続する図である。 図５の液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図１１Ａに後続する図である。 図６の液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。 図１２Ａに後続する図である。 図１２Ｂに後続する図である。

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。

図１Ａ及び１Ｂを参照すると、前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、第３絶縁層１１６、第２電極ＥＬ２、第４絶縁層１１８、第１電極ＥＬ１、ブラックマトリックスＢＭ、及び第１配向層ＡＬ１を含む。

前記第１ベース基板１１０は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などでありうる。前記ゲート電極ＧＥは、前記第１ベース基板１１０上に配置される。前記第１絶縁層１１２は、前記ゲート電極ＧＥが配置された前記第１ベース基板１１０上に配置される。前記第１絶縁層１１２上に前記アクティブパターンＡＣＴが配置される。前記アクティブパターンＡＣＴが配置された前記第１絶縁層１１２上に前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥが配置される。前記第２絶縁層１１４が前記アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥが配置された前記第１絶縁層１１２上に配置される。

前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記カラーフィルタＣＦが前記第２絶縁層１１２上に配置される。前記カラーフィルタＣＦは、前記液晶層１３０を透過する光に色を提供するためのものである。前記カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ（ｒｅｄ）、緑色カラーフィルタ（ｇｒｅｅｎ）、及び青色カラーフィルタ（ｂｌｕｅ）でありうる。前記カラーフィルタＣＦは画素に対応して提供され、互いに隣接した画素の間で互いに異なる色を有するように配置できる。

前記第３絶縁層１１６が前記カラーフィルタＣＦが配置された前記第２絶縁層１１４上に配置される。前記第３絶縁層１１６上に第２電極ＥＬ２が配置される。前記第４絶縁層１１８が前記第２電極ＥＬ２が配置された前記第３絶縁層１１６上に配置される。前記第１電極ＥＬ１が前記第４絶縁層１１８上に配置される。

前記第２電極ＥＬ２は共通電極で、前記第２電極ＥＬ２には共通電圧が印加できる。前記第１電極ＥＬ１は画素電極で、前記第４絶縁層１１８、前記第３絶縁層１１６、及び前記第２絶縁層１１４を通じて形成されるコンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスタＴＦＴの前記ドレイン電極ＤＥに電気的に連結できる。前記第１電極ＥＬ１には複数のスリットが形成できる。

前記ブラックマトリックスＢＭは、前記第１電極ＥＬ１が配置された前記第４絶縁層１１８上に配置される。前記ブラックマトリックスＢＭは光を遮断する物質を含み、前記薄膜トランジスタＴＦＴと重畳する。

前記第１配向層ＡＬ１が前記第１電極ＥＬ１及び前記ブラックマトリックスＢＭ上に配置される。前記第１配向層ＡＬ１は、前記液晶層１３０の液晶分子を配向することができる配向剤を含む。例えば、前記配向剤はポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、またはこれらの混合物を含むことができる。また、前記配向剤は紫外線（ＵＶ）線偏光などに反応して液晶を配向可能な光配向剤を含むことができる。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、複数のブリッジ電極２０５、複数の絶縁パターン２０７、複数のルータメタル２０９、複数の第１タッチ電極２１０、複数の第２タッチ電極２２０、複数の連結電極２４０、複数の連結ライン２３０、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記第２ベース基板１２０は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などでありうる。この場合、前記透明樹脂基板は、ポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ−ｂａｓｅｄ）樹脂、アクリル系（ａｃｒｙｌ−ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリアクリレート系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ−ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリカーボネート系（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ−ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリエーテル系（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ−ｂａｓｅｄ）樹脂、スルホン酸系（ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ−ｂａｓｅｄ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート系（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ−ｂａｓｅｄ）樹脂などを含むことができる。

前記ブリッジ電極２０５は、前記第２ベース基板１２０上にアクティブ領域（ＡＡ）内に配置される。前記アクティブ領域（ＡＡ）はユーザのタッチ入力が可能な領域である。前記ブリッジ電極２０５は、透明導電物質を含む。例えば、前記ブリッジ電極２０５はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。この際、前記ブリッジ電極２０５は１５０度（℃）以上の高温工程により形成されることができ、これによって、前記ブリッジ電極２０５は前記高温工程により結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記絶縁パターン２０７は前記ブリッジ電極２０５上に配置され、前記ブリッジ電極２０５の前記第１方向（Ｄ１）の両端部を露出させることができる。前記絶縁パターン２０７は、有機絶縁物質または無機絶縁物質を含むことができる。

前記第１タッチ電極２１０は、前記第２ベース基板１２０上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に配置される。複数の第１タッチ電極２１０が第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）に配列できる。前記第２方向（Ｄ２）は前記第１方向（Ｄ１）と交差し、例えば、実質的に直交できる。前記第１タッチ電極２１０は、前記第１方向（Ｄ１）に沿って前記ブリッジ電極２０５により隣り合う第１タッチ電極と電気的に連結される。前記第１タッチ電極２１０は、透明導電物質を含む。例えば、前記第１タッチ電極２１０はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。この際、前記第１タッチ電極２１０は１５０度（℃）以上の高温工程により形成されることができ、これによって、前記第１タッチ電極２１０は前記高温工程により結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記第２タッチ電極２２０は、前記第２ベース基板１２０上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に配置される。複数の第２タッチ電極２２０が前記第１方向（Ｄ１）及び前記第２方向（Ｄ２）に配列できる。前記第２タッチ電極２２０は、前記第２方向（Ｄ１）に沿って隣り合う第２タッチ電極と電気的に連結される。前記第２タッチ電極２２０は、前記絶縁パターン２０７により前記第１タッチ電極２１０と離隔できる。前記第２タッチ電極２２０は前記第１タッチ電極２１０と同一な物質を含み、同一な層から形成できる。例えば、前記第２タッチ電極２２０は結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記ルータメタル２０９が前記第２ベース基板１２０上において前記アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に配置される。前記ルータメタル２０９は、金属を含むことができる。

前記連結電極２４０は前記ルータメタル２０９上に形成され、前記連結ライン２３０を通じて前記第１または第２タッチ電極２１０、２２０と電気的に連結される。前記連結電極２４０は前記ルータメタル２０９をカバーし、前記連結電極２４０及び前記ルータメタル２０９は外部のタッチ駆動回路と電気的に連結できる。例えば、前記ルータメタル２０９及び前記連結電極２４０にタッチ位置を検出するドライブＩＣを含む軟性回路基板が電気的に連結できる。前記連結電極２４０は前記第１タッチ電極２１０及び前記第２タッチ電極２２０と同一な物質を含み、同一な層から形成できる。例えば、前記連結電極２４０は結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記連結ライン２３０は前記第２ベース基板１２０上に配置され、前記第１または第２タッチ電極２１０、２２０と前記連結電極２４０を電気的に連結することができる。前記連結ライン２３０は、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、及び前記連結電極２４０と同一な物質を含み、同一な層から形成できる。例えば、前記連結ライン２３０は結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０及び前記連結ライン２３０は、高温工程により形成された結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むので、低温工程により形成されたアモルファス状態のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）より相対的に低い面抵抗値を有することができる。したがって、前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０及び前記連結ライン２３０は相対的に薄い厚さを有することができ、この際、前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０及び前記連結ライン２３０の厚さは約３０００Å以下でありうる。

前記第２ベース基板１２０の前記第２ベース基板と対向する面、即ち、前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０、前記連結ライン２３０、前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上には第２配向層ＡＬ２が配置される。前記第２配向層ＡＬ２は、前記液晶層１３０の液晶分子を配向することができる配向剤を含む。例えば、前記配向剤はポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、またはこれらの混合物を含むことができる。また、前記配向剤は紫外線（ＵＶ）線偏光などに反応して液晶を配向可能な光配向剤を含むことができる。

前記液晶層１３０は、前記第１基板の前記第１配向層ＡＬ１及び前記第２基板の間に配置される。前記液晶層１３０は、光学的異方性を有する液晶分子を含む。前記液晶分子は、電界により駆動されて前記液晶層１３０を過ぎる光を透過または遮断させて映像を表示することができる。

前記液晶層１３０は、前記液晶表示パネルの縁で前記第１ベース基板１１０及び前記第２ベース基板１２０の間に形成される封入部材１４０により封入できる。前記封入部材１４０は、前記周辺領域（ＰＡ）に配置できる。

前記下部偏光板４００は前記第１基板の第１ベース基板１１０の外部面、即ち前記第１ベース基板１１０が前記第２ベース基板と対向する面の反対側の面上に配置される。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含むことができる。前記下部粘着層４１０は前記下部偏光層４２０を前記第１基板上に取り付けるためのものであって、前記下部粘着層４１０は減圧粘着剤（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＰＳＡ）を含むことができる。

前記上部偏光板３００は、前記第２基板の前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０上に配置される。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含むことができる。前記上部粘着層３１０は、前記上部偏光層３２０を前記第２基板上に取り付けるためのものであって、前記上部粘着層３１０は減圧粘着剤（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＰＳＡ）を含むことができる。

本実施形態によれば、前記液晶表示パネルは高温工程により形成された前記第１及び第２タッチ電極及び前記連結ラインを含む。これによって、前記第１及び第２タッチ電極及び前記連結ラインの面抵抗値が低く、強度が優れて、前記第１及び第２タッチ電極及び前記連結ラインの厚さを小さくし、かつ偏光素子取り付けの再作業（ｒｅｗｏｒｋ）による損傷がないので、歩留まりが向上できる。

図２Ａは、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。

図２Ａ及び２Ｂを参照すると、前記液晶表示パネルは無機絶縁パターン２５０を除いて、図１Ａ及び１Ｂの液晶表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化または省略する。

前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含む。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、第３絶縁層１１６、第２電極ＥＬ２、第４絶縁層１１８、第１電極ＥＬ１、ブラックマトリックスＢＭ、及び第１配向層ＡＬ１を含む。前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、ブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、複数の第１タッチ電極２１０、複数の第２タッチ電極２２０、複数の連結電極２４０、複数の連結ライン２３０、無機絶縁パターン２５０、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記無機絶縁パターン２５０は、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ライン２３０をカバーする。したがって、前記上部偏光板３００が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ライン２３０をカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン２５０が前記連結ライン２３０をカバーするので、前記連結ライン２３０の損傷を防止することができる。

前記無機絶縁パターン２５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン２５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン２５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

また、前記上部偏光板３００の前記上部粘着層３１０が前記第２基板上に取り付けられる時、前記上部粘着層３１０の一部が前記無機絶縁パターン２５０上に接着及び脱着された後、また接着されても（偏光板の取り付けの再作業がなされる場合）前記無機絶縁パターン２５０は高温工程により形成されて十分に堅いので、偏光板の取り付けの再作業による不良がないので、歩留まりが向上できる。

図３Ａは、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。

図３Ａ及び３Ｂを参照すると、前記液晶表示パネルは、タッチ電極５１０、連結電極５２０、及び連結ライン５３０を除いては、図１Ａ及び１Ｂの液晶表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化または省略する。

前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含む。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、第３絶縁層１１６、第２電極ＥＬ２、第４絶縁層１１８、第１電極ＥＬ１、ブラックマトリックスＢＭ、及び第１配向層ＡＬ１を含む。前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、複数のタッチ電極５１０、複数の連結電極５２０、複数の連結ライン５３０、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記タッチ電極５１０は、前記第２ベース基板１２０上においてアクティブ領域（ＡＡ）内に配置される。前記アクティブ領域（ＡＡ）は、ユーザのタッチ入力が可能な領域である。複数のタッチ電極５１０が第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）に配列できる。前記第２方向（Ｄ２）は前記第１方向（Ｄ１）と交差し、例えば、実質的に直交できる。前記タッチ電極５１０は、透明導電物質を含む。例えば、前記タッチ電極５１０はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。この際、前記タッチ電極５１０は１５０度（℃）以上の高温工程により形成されることができ、これによって、前記タッチ電極５１０は前記高温工程により結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記連結電極５２０は、前記第２ベース基板１２０上に前記アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に配置される。前記連結電極５２０は、前記連結ライン５３０を通じて前記タッチ電極５１０と電気的に連結される。前記連結電極５２０は前記タッチ電極５１０と同一な物質を含み、同一な層から形成できる。例えば、前記連結電極５２０は結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記連結ライン５３０は前記第２ベース基板１２０上に配置され、前記タッチ電極５１０と前記連結電極５２０とを電気的に連結することができる。前記連結ライン５３０は、前記タッチ電極５１０及び前記連結電極５２０と同一な物質を含み、同一な層から形成できる。例えば、前記連結ライン５３０は結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記タッチ電極５１０及び前記連結ライン５３０は高温工程により形成された結晶化されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むので、低温工程により形成されたアモルファス状態のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）より相対的に低い面抵抗値を有することができる。したがって、前記タッチ電極５１０及び前記連結ライン５３０は相対的に薄い厚さを有することができ、この際、前記タッチ電極５１０及び前記連結ライン５３０の厚さは約３０００Å以下でありうる。

図４Ａは、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。

図４Ａ及び４Ｂを参照すると、前記液晶表示パネルは無機絶縁パターン５５０を除いて図３Ａ及び３Ｂの液晶表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化または省略する。

前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含む。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、第３絶縁層１１６、第２電極ＥＬ２、第４絶縁層１１８、第１電極ＥＬ１、ブラックマトリックスＢＭ、及び第１配向層ＡＬ１を含む。前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、複数のタッチ電極５１０、複数の連結電極５２０、複数の連結ライン５３０、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記無機絶縁パターン５５０は、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ライン５３０をカバーする。したがって、前記上部偏光板３００が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ライン５３０をカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン５５０が前記連結ライン５３０をカバーするので、前記連結ライン５３０の損傷を防止することができる。

前記無機絶縁パターン５５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン５５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン５５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

図５は、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの断面図である。

図５を参照すると、前記液晶表示パネルは第１ベース基板１１０と第２ベース基板１２０との間の液晶表示パネルの構成を除いて、図１Ａ及び１Ｂの液晶表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化または省略する。

前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含む。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、ブラックマトリックスＢＭ、第１電極ＥＬ１、及び第１配向層ＡＬ１を含む。

前記第１ベース基板１１０は、ガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などでありうる。前記ゲート電極ＧＥは、前記第１ベース基板１１０上に配置される。前記第１絶縁層１１２は、前記ゲート電極ＧＥが配置された前記第１ベース基板１１０上に配置される。前記第１絶縁層１１２上に前記アクティブパターンＡＣＴが配置される。前記アクティブパターンＡＣＴが配置された前記第１絶縁層１１２上に前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥが配置される。前記第２絶縁層１１４が前記アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥが配置された前記第１絶縁層１１２上に配置される。

前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記カラーフィルタＣＦが前記第２絶縁層１１２上に配置される。前記カラーフィルタＣＦは、前記液晶層１３０を透過する光に色を提供するためのものである。前記カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ（ｒｅｄ）、緑色カラーフィルタ（ｇｒｅｅｎ）、及び青色カラーフィルタ（ｂｌｕｅ）でありうる。前記カラーフィルタＣＦは画素に対応して提供され、互いに隣接した画素の間で互いに異なる色を有するように配置できる。

前記ブラックマトリックスＢＭは、前記カラーフィルタＣＦが配置された前記第２絶縁層１１４上に配置される。前記ブラックマトリックスＢＭは光を遮断する物質を含み、前記薄膜トランジスタＴＦＴと重畳する。

前記第１電極ＥＬ１が前記カラーフィルタＣＦ及び前記ブラックマトリックスＢＭ上に配置される。前記第１電極ＥＬ１は画素電極で、前記カラーフィルタＣＦ及び前記第２絶縁層１１４を通じて形成されたコンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスタＴＦＴの前記ドレイン電極ＤＥに電気的に連結される。

前記第１電極ＥＬ１上に前記第１配向層ＡＬ１が配置される。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、ブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、複数の第１タッチ電極２１０、複数の第２タッチ電極２２０、複数の連結電極２４０、複数の連結ライン（図１Ａの２３０参照）、第２電極ＥＬ２、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記第２ベース基板１２０の前記第１ベース基板と対向する面、即ち、前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０、前記連結ライン、前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上には前記第２電極ＥＬ２が配置される。前記第２電極ＥＬ２は共通電極で、前記第２電極ＥＬ２には共通電圧が印加できる。

前記第２配向層ＡＬ２が前記第２電極ＥＬ２上に配置される。

図６は、本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルの断面図である。

図６を参照すると、前記液晶表示パネルは前記液晶表示パネルは無機絶縁パターン２５０を除いて図５の液晶表示パネルと実質的に同一である。したがって、重複する説明は簡略化または省略する。

前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置される液晶層１３０、上部偏光板３００、及び下部偏光板４００を含む。前記上部偏光板３００は、上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含む。前記下部偏光板４００は、下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含む。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、ブラックマトリックスＢＭ、第１電極ＥＬ１、及び第１配向層ＡＬ１を含む。前記ゲート電極ＧＥ、アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれる。

前記第２基板は、第２ベース基板１２０、ブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、複数の第１タッチ電極２１０、複数の第２タッチ電極２２０、複数の連結電極２４０、複数の連結ライン（図１Ａの２３０参照）、無機絶縁パターン２５０、第２電極ＥＬ２、及び第２配向層ＡＬ２を含む。

前記無機絶縁パターン２５０は、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ラインをカバーする。したがって、前記上部偏光板３００が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ラインをカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン２５０が前記連結ラインをカバーするので、前記連結ラインの損傷を防止することができる。

前記無機絶縁パターン２５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン２５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン２５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

図７Ａから７Ｆは、図１Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図７Ａを参照すると、第２ベース基板１２０上においてアクティブ領域（ＡＡ）内にブリッジ電極２０５を形成する。

前記第２ベース基板１２０上に透明導電層を形成した後、これをパターニングして前記ブリッジ電極２０５を形成することができる。前記透明導電層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記ブリッジ電極２０５は、約１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含む前記透明導電層を前記第２基板１２０上に形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により前記インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を結晶化させることができる。これによって、前記ブリッジ電極２０５は低温工程により形成されたアモルファス状態のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）より相対的に低い面抵抗値を有し、高い強度を有することができる。

図７Ｂを参照すると、前記ブリッジ電極２０５上に絶縁パターン２０７を形成する。前記絶縁パターン２０７は、有機絶縁物質または無機絶縁物質を含むことができる。前記絶縁パターン２０７は約１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

図７Ｃを参照すると、前記第２ベース基板１２０上において周辺領域（ＰＡ）内にルータメタル２０９を形成する。前記ルータメタル２０９は金属を含むことができる。

図７Ｄを参照すると、前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９が形成された前記第２ベース基板１２０上に第１タッチ電極２１０、第２タッチ電極２２０、連結ライン（図１の２３０参照）、及び連結電極２４０を形成する。

前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９が形成された前記第２ベース基板１２０上に透明導電層を形成した後、これをパターニングして前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０を形成することができる。前記透明導電層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０は、約１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含む前記透明導電層を前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９が形成された前記第２ベース基板１２０上に形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により前記インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を結晶化させることができる。これによって、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０は低温工程により形成されたアモルファス状態のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）より相対的に低い面抵抗値を有し、高い強度を有することができる。

図７Ｅを参照すると、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は、配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布して形成することができる。例えば、前記配向剤はポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、またはこれらの混合物を含むことができる。また、前記配向剤は紫外線（ＵＶ）線偏光などに反応して液晶を配向可能な光配向剤を含むことができる。

前記配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、前記連結電極２４０、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

図７Ｆを参照すると、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材１４０で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は、第１ベース基板１１０、ゲート電極ＧＥ、第１絶縁層１１２、アクティブパターンＡＣＴ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、第２絶縁層１１４、カラーフィルタＣＦ、第３絶縁層１１６、第２電極ＥＬ２、第４絶縁層１１８、第１電極ＥＬ１、ブラックマトリックスＢＭ、及び第１配向層ＡＬ１を含む。前記ゲート電極ＧＥ、前記アクティブパターンＡＣＴ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレイン電極ＤＥは、薄膜トランジスタＴＦＴの構成要素として含まれることができる
前記第１基板は、一般的な製造方法により製造できる。前記第１基板及び前記第２基板が用意された後、前記第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材１４０で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

追加で、下部偏光板４００が前記第１基板の外部面、即ち前記第１ベース基板１１０の前記第１ベース基板１１０が前記第２ベース基板と対向する面の反対側の面上に取り付けできる。前記下部偏光板４００は下部粘着層４１０及び下部偏光層４２０を含み、前記下部粘着層４１０が前記第１ベース基板１１０に接着できる。

追加で、前記第２基板の前記第１及び第２タッチ電極２１０、２２０上に上部偏光板３００を取り付けることができる。前記上部偏光板３００は上部粘着層３１０及び上部偏光層３２０を含み、前記上部粘着層３１０が前記第２ベース基板１２０上に接着できる。

図８Ａ及び８Ｂは、図２Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図８Ａを参照すると、前記液晶表示パネルの製造方法は無機絶縁パターン２５０をさらに形成することを除いては、図７Ａから７Ｆの液晶表示パネルの製造方法と実質的に同一である。したがって、重複する説明は省略する。

ブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、第１タッチ電極２１０、第２タッチ電極２２０、連結電極２４０、及び連結ラインが形成された第２ベース基板１２０上において、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターン２５０をさらに形成する。

前記無機絶縁パターン２５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン２５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン２５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、前記第２ベース基板１２０上に無機絶縁層を形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により処理した後、これをパターニングして前記無機絶縁パターン２５０を形成することができる。前記無機絶縁パターン２５０は高温工程により形成されるので、低温工程により形成された無機絶縁層または有機絶縁層に比べて強度が高くて前記連結ラインの損傷をより効率的に防止することができる。

上部偏光板（図２Ｂの３００参照）が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ライン２３０をカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン２５０が前記連結ライン２３０をカバーするので、前記連結ライン２３０の損傷を防止することができる。

図８Ｂを参照すると、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は、配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布して形成することができる。

前記配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しており、また、前記周辺領域（ＰＡ）の前記連結ラインは前記無機絶縁パターン２５０でカバーされているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、前記連結電極２４０、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

以後、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は図７Ｆの第１基板と実質的に同一である。前記第１基板は一般的な製造方法により製造できる。

追加で、下部偏光板及び上部偏光板が各々前記第１基板及び前記第２基板上に接着できる。

図９Ａ及び９Ｂは、図３Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図９Ａを参照すると、前記液晶表示パネルの製造方法は第１基板を除いては、図７Ａから７Ｆの液晶表示パネルの製造方法と実質的に同一である。したがって、重複する説明は省略する。

第２ベース基板１２０上にタッチ電極５１０、連結電極５２０、及び連結ライン（図３Ａの５３０参照）を形成する。

前記第２ベース基板１２０上に透明導電層を形成した後、これをパターニングして、前記タッチ電極５１０、前記連結電極５２０、及び前記連結ラインを形成することができる。前記透明導電層は、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記タッチ電極５１０、前記連結電極５２０、及び前記連結ラインは、約１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含む前記透明導電層を前記第２基板１２０上に形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により前記インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を結晶化させることができる。これによって、前記タッチ電極５１０、前記連結電極５２０、及び前記連結ラインは、低温工程により形成されたアモルファス状態のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）より相対的に低い面抵抗値を有し、高い強度を有することができる。

図９Ｂを参照すると、前記第２ベース基板１２０の前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は、配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布して形成することができる。例えば、前記配向剤はポリイミド系化合物、ポリアミック酸系化合物、またはこれらの混合物を含むことができる。また、前記配向剤は紫外線（ＵＶ）線偏光などに反応して液晶を配向可能な光配向剤を含むことができる。

前記配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、前記連結電極５２０、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

以後、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は、図７Ｆの第１基板と実質的に同一である。前記第１基板は一般的な製造方法により製造できる。

追加で、下部偏光板及び上部偏光板が各々前記第１基板及び前記第２基板上に接着できる。

図１０Ａ及び１０Ｂは、図４Ａの液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図１０Ａを参照すると、前記液晶表示パネルの製造方法は無機絶縁パターン５５０をさらに形成することを除いては、図７Ａから７Ｆの液晶表示パネルの製造方法と実質的に同一である。したがって、重複する説明は省略する。

タッチ電極５１０、連結電極５２０、及び連結ラインが形成された第２ベース基板１２０上において、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターン５５０をさらに形成する。

前記無機絶縁パターン５５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン５５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン５５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、前記第２ベース基板１２０上に無機絶縁層を形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により処理した後、これをパターニングして前記無機絶縁パターン５５０を形成することができる。前記無機絶縁パターン５５０は高温工程により形成されるので、低温工程により形成された無機絶縁層または有機絶縁層に比べて強度が高くて前記連結ラインの損傷をより効率的に防止することができる。

上部偏光板（図４Ｂの３００参照）が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ライン２３０をカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン５５０が前記連結ライン２３０をカバーするので、前記連結ライン２３０の損傷を防止することができる。

図１０Ｂを参照すると、前記第２ベース基板１２０の前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は、配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布して形成することができる。

前記配向剤を前記第２ベース基板１２０上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、及び前記連結電極５２０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しており、また、前記周辺領域（ＰＡ）の前記連結ラインは前記無機絶縁パターン５５０でカバーされているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記タッチ電極５１０、前記連結ライン、前記連結電極５２０、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

以後、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は、図７Ｆの第１基板と実質的に同一である。前記第１基板は一般的な製造方法により製造できる。

追加で、下部偏光板及び上部偏光板が各々前記第１基板及び前記第２基板上に接着できる。

図１１Ａ及び１１Ｂは、図５の液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図１１Ａを参照すると、前記液晶表示パネルの製造方法は第２基板の第２電極を形成するステップ及び第１基板の構成を除いては、図７Ａから７Ｆの液晶表示パネルの製造方法と実質的に同一である。したがって、重複する説明は省略する。

第２ベース基板１２０上にブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、第１タッチ電極２１０、第２タッチ電極２２０、連結ライン、及び連結電極２４０を形成する。

前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２電極ＥＬ２を形成する。前記第２電極ＥＬ２は透明導電物質を含み、例えば、インジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含むことができる。

前記第２電極ＥＬ２は、約１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。

図１１Ｂを参照すると、前記第２電極ＥＬ２上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は配向剤を前記第２電極ＥＬ２上に塗布して形成することができる。

前記配向剤を前記第２電極ＥＬ２上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記ブリッジ電極２０５、前記絶縁パターン２０７、前記ルータメタル２０９、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、前記連結電極２４０、前記第２電極ＥＬ２、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

以後、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は、図５の第１基板と実質的に同一である。前記第１基板は、一般的な製造方法により製造できる。

追加で、下部偏光板及び上部偏光板が各々前記第１基板及び前記第２基板上に接着できる。

図１２Ａから１２Ｃは、図６の液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図１２Ａを参照すると、前記液晶表示パネルの製造方法は無機絶縁パターン２５０をさらに形成することを除いては、図１１Ａ及び１１Ｂの液晶表示パネルの製造方法と実質的に同一である。したがって、重複する説明は省略する。

ブリッジ電極２０５、絶縁パターン２０７、ルータメタル２０９、第１タッチ電極２１０、第２タッチ電極２２０、連結ライン、及び連結電極２４０が形成された第２ベース基板１２０上において、アクティブ領域（ＡＡ）の縁に隣接する周辺領域（ＰＡ）内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターン２５０をさらに形成する。

前記無機絶縁パターン２５０は、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記無機絶縁パターン２５０はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含むことができる。前記無機絶縁パターン２５０は、１５０度（℃）以上の高温工程により形成できる。例えば、前記第２ベース基板１２０上に無機絶縁層を形成した後、約１５０度（℃）以上の高温処理工程（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により処理した後、これをパターニングして前記無機絶縁パターン２５０を形成することができる。前記無機絶縁パターン２５０は高温工程により形成されるので、低温工程により形成された無機絶縁層または有機絶縁層に比べて強度が高くて前記連結ラインの損傷をより効率的に防止することができる。

上部偏光板（図６の３００参照）が前記周辺領域（ＰＡ）内の前記連結ライン２３０をカバーしていない部分で、前記無機絶縁パターン２５０が前記連結ライン２３０をカバーするので、前記連結ライン２３０の損傷を防止することができる。

図１２Ｂを参照すると、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面の反対側の面上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２電極ＥＬ２を形成する。

図１２Ｃを参照すると、前記第２電極ＥＬ２上において前記アクティブ領域（ＡＡ）内に第２配向層ＡＬ２を形成する。前記第２配向層ＡＬ２は、配向剤を前記第２電極ＥＬ２上に塗布して形成することができる。

前記配向剤を前記第２電極ＥＬ２上に塗布するに当たって、前記第２ベース基板１２０の前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０が形成された面が下方を向くようにして、基板移送装置と直接接触することができる。しかしながら、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン、及び前記連結電極２４０の構成は、高温工程を経て相対的に高い強度を有しており、また、前記周辺領域（ＰＡ）の前記連結ラインは前記無機絶縁パターン２５０でカバーされているので、前記基板移送装置との接触による損傷が減少されることができ、これによって、製品の歩留まりが向上できる。

これによって、前記第２ベース基板１２０、前記第１タッチ電極２１０、前記第２タッチ電極２２０、前記連結ライン及び前記連結電極２４０、及び前記第２配向層ＡＬ２を含む第２基板を用意することができる。

以後、第１基板と前記第２基板とを対向するように位置させた後、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を注入した後、前記液晶層を封入部材で封入して前記液晶表示パネルを製造することができる。

前記第１基板は、図６の第１基板と実質的に同一である。前記第１基板は、一般的な製造方法により製造できる。

追加で、下部偏光板及び上部偏光板が各々前記第１基板及び前記第２基板上に接着できる。

本発明の実施形態によれば、液晶表示パネルは高温工程により形成されたタッチ電極及び連結ラインを含む。これによって、前記タッチ電極及び前記連結ラインの面抵抗値が低く、強度が優れて、前記タッチ電極及び前記連結ラインの厚さを小さくし、かつ偏光板取り付けの再作業（ｒｅｗｏｒｋ）による損傷がないので、歩留まりが向上できる。

また、カラーフィルタ及びブラックマトリックスが第１基板に含まれ、液晶層形成の前に第２ベース基板上に前記タッチ電極及び第２配向膜を形成するので、タッチ認識機能を含む前記第２基板に対する製造工程が単純化できる。

また、高温工程により形成される無機絶縁パターンが周辺領域の連結ラインをカバーするので、偏光板の取り付けの再作業時の損傷や外部環境によるタッチパターンの損傷が減少できる。

以上、実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを理解することができる。

１１０ 第１ベース基板
１２０ 第２ベース基板
２１０ 第１タッチ電極
２２０ 第２タッチ電極
２３０ 連結ライン
２４０ 連結電極
２５０ 無機絶縁パターン

Claims (10)

1. 第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置される薄膜トランジスタ、前記第１ベース基板上に配置されるカラーフィルタ、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ上に配置される第１配向層を含む第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２ベース基板、前記第２ベース基板の前記第１ベース基板と対向する第１面上に配置される第２配向層、前記第２ベース基板の前記第１面と対向する第２面上においてタッチ認識が可能なアクティブ領域内に配置されるタッチ電極、前記第２面上において前記アクティブ領域の縁に隣接する周辺領域内に配置される連結電極、及び前記第２面上に配置され、前記タッチ電極と前記連結電極とを連結する連結ラインを含む第２基板と、
   前記第１及び第２基板の間に配置される液晶層と、
   を含むことを特徴とする、液晶表示パネル。
2. 前記第２配向層は、前記第２ベース基板に直接接触することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記第２ベース基板上において前記周辺領域内に前記連結ラインをカバーする無機絶縁パターンがさらに配置され、
   前記無機絶縁パターンは１５０度（℃）以上の高温工程により形成されたことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記第２基板は前記第２基板上に配置されるブリッジ電極、及び前記ブリッジ電極上に配置され、前記ブリッジ電極の一部を露出する絶縁パターンをさらに含み、
   前記タッチ電極は複数の第１タッチ電極及び複数の第２タッチ電極を含み、前記第１タッチ電極は前記ブリッジ電極を通じて隣り合う第１タッチ電極と電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
5. 前記タッチ電極及び前記連結ラインは同一な層から形成され、
   前記タッチ電極及び前記連結ラインは透明導電物質を含み、５００から３０００Åの厚さを有し、
   前記タッチ電極及び前記連結ラインは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び／又はこれらの合金を含む５ｕｍ以下の幅を有する微細線により形成されるメッシュ構造を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
6. 前記第２基板は前記第２配向層と前記第２ベース基板との間に配置される第２電極をさらに含み、前記第２ベース基板は前記第２電極と直接接触し、前記第２電極は前記第２配向層と直接接触することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
7. 第１ベース基板、前記第１ベース基板上に配置される薄膜トランジスタ、前記第１ベース基板上に配置されるカラーフィルタ、及び前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタ上に配置される第１配向層を含む第１基板を用意するステップと、
   第１面及び前記第１面と対向する第２面を含む第２ベース基板の前記第２面上に１５０度（℃）以上の高温工程により透明導電層を形成するステップと、
   前記透明導電層をパターニングしてタッチ電極を形成するステップと、
   前記タッチ電極が形成された前記第２ベース基板の前記第１面上に第２配向層を形成して、前記第２ベース基板、前記タッチ電極、及び前記第２配向層を含む第２基板を用意するステップと、
   前記第１基板の前記第１配向層及び前記第２基板の前記第２配向層を対向するように配置させた後、前記第１配向層及び前記第２配向層の間に液晶層を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする、液晶表示パネルの製造方法。
8. 前記透明導電層を形成するステップにおいて、
   前記透明導電層はインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）を含み、前記透明導電層は１５０度（℃）以上で高温処理して前記インジウムすず酸化物を結晶化させることを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
9. 前記透明導電層の厚さは５００から３０００Åであることを特徴とする、請求項７または請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
10. 前記第２ベース基板の前記第２面上にブリッジ電極を形成するステップと、
    前記ブリッジ電極と重畳し、前記ブリッジ電極の一部を露出させる絶縁パターンを形成するステップと、をさらに含み、
    前記透明導電層を形成するステップは、
    前記ブリッジ電極及び前記絶縁パターンが形成された前記第２ベース基板上に前記透明導電層を形成し、
    前記タッチ電極を形成するステップは、
    前記透明導電層をパターニングして前記ブリッジ電極と電気的に連結される第１タッチ電極、及び前記第１タッチ電極と離隔する第２タッチ電極を形成することを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一項に記載の液晶表示パネルの製造方法。