CN106873213B - 液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法。所述液晶显示面板包括第一基底、第二基底和设置在第一基底与第二基底之间的液晶层。第一基底包括：第一基体基底；薄膜晶体管，设置在第一基体基底上；滤色器，设置在第一基体基底上；以及第一取向层，设置在薄膜晶体管和滤色器上。第二基底包括：第二基体基底；第二取向层，设置在第二基体基底的第一表面上；触摸电极，设置在第二基体基底的第二表面上；连接电极，设置在第二表面上；以及连接线，设置在第二表面上。第一表面面对第一基底，第二表面与第一表面相反。触摸电极包括结晶的氧化铟锡。

Description

液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法
技术领域
示例性实施例涉及一种液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法，更具体地，涉及一种具有触摸电极的液晶显示面板和制造该液晶显示面板的方法。
背景技术
液晶显示装置根据液晶层的分子布置的变化使用像素的光学性质(例如，双折射、旋转偏振、二色性和光散射)的变化来显示图像。液晶显示器可以包括像素电极、共电极和液晶层，像素电极和共电极的控制电压将电场提供给液晶层的液晶分子。液晶显示器的液晶分子可以根据电场来重新排列。
液晶显示装置包括触摸面板，触摸面板是通过将用户或物体的接触转换成电信号用来检测触摸位置的输入器件。触摸面板可以通过直接在液晶显示装置的基底上形成触摸电极来集成在液晶显示装置上。在此情况下，触摸电极的耐久性会由于制造工艺而劣化。例如，触摸电极会在触摸面板中使用的偏振板的返工期间被损坏。
在该背景部分中公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种包括具有改善的耐久性和导电性的触摸电极的液晶显示装置。
示例性实施例还提供了一种制造具有改善的良率的液晶显示装置的方法。
附加的方面将在以下详细的描述中进行阐述，并且部分地通过公开将是明显的，或者可以通过发明构思的实施来获知。
示例性实施例公开了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括第一基底、第二基底和设置在第一基底与第二基底之间的液晶层。第一基底包括：第一基体基底；薄膜晶体管，设置在第一基体基底上；滤色器，设置在第一基体基底上；以及第一取向层，设置在薄膜晶体管和滤色器上。第二基底包括：第二基体基底；第二取向层，设置在第二基体基底的第一表面上；触摸电极，在有效区中设置在第二基体基底的第二表面上；连接电极，在外围区中设置在第二表面上，外围区设置为与有效区的边界相邻；以及连接线，设置在第二表面上并将触摸电极连接到连接电极。第一表面面对第一基底，第二表面与第一表面相反，有效区被构造为接收触摸输入。触摸电极包括结晶的氧化铟锡。
示例性实施例还公开了一种制造液晶显示面板的方法，所述方法包括：提供包括第一基体基底、设置在第一基体基底上的薄膜晶体管、设置在第一基体基底上的滤色器以及设置在薄膜晶体管和滤色器上的第一取向层的第一基底；提供独立于第一基底形成的第二基底；以及在第一基底与第二基底的第一表面之间形成液晶层。第二基底包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的第二基体基底。提供第二基底包括：通过高于150℃的高温工艺在第二表面上形成透明导电层，通过将透明导电层图案化形成触摸电极，并在第一表面上形成第二取向层。
上述的总体描述和随后详细的描述是示例性的和解释性的，并意图提供所保护主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用来解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。
图1B是沿图1A的线I-I'截取的剖视图。
图2A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。
图2B是沿图2A的线I-I'截取的剖视图。
图3A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。
图3B是沿图3A的线II-II'截取的剖视图。
图4A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。
图4B是沿图4A的线II-II'截取的剖视图。
图5是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的剖视图。
图6是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的剖视图。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F是示出制造图1A的液晶显示面板的方法的剖视图。
图8A和图8B是示出制造图2A的液晶显示面板的方法的剖视图。
图9A和图9B是示出制造图3A的液晶显示面板的方法的剖视图。
图10A和图10B是示出制造图4A的液晶显示面板的方法的剖视图。
图11A和图11B是示出制造图5的液晶显示面板的方法的剖视图。
图12A、图12B和图12C是示出制造图6的液晶显示面板的方法的剖视图。
具体实施方式
在随后的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，清楚的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例不清楚，以框图形式示出了公知的结构和器件。
在附图中，出于清楚和描述性的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。出于该公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种)”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
出于描述性的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述在附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。除了在图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。另外，装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。另外，术语“包括”及其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应该被理解为局限于区域的具体示出的形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。在附图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不意图示出器件的区域的实际形状，也不意图限制。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在此明确这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的环境中它们的含义相一致的含义，将不会以理想化或过于形式化的含义来进行解释。
图1A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。图1B是沿图1A的线I-I'截取的剖视图。
参照图1A和图1B，液晶显示面板包括第一基底、第二基底、设置在第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、第三绝缘层116、第二电极EL2、第四绝缘层118、第一电极EL1、黑色矩阵BM和第一取向层AL1。
第一基体基底110可以包括透明绝缘基底。例如，第一基体基底110可以包括玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。栅电极GE可以设置在第一基体基底110上。第一绝缘层112可以设置在其上设置有栅电极GE的第一基体基底110上。有源图案ACT可以设置在第一绝缘层112上。源电极SE和漏电极DE可以设置在有源图案ACT上。第二绝缘层114可以设置在其上设置有有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE的第一绝缘层112上。
栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT并可以被设置到每个像素。
滤色器CF设置在第二绝缘层114上。滤色器CF可以为穿过液晶层130的光提供颜色。滤色器CF可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器CF可以具有与相邻像素不同的颜色。
第三绝缘层116可以设置在其上设置有滤色器CF的第二绝缘层114上。第二电极EL2可以设置在第三绝缘层116上。第四绝缘层118可以设置在其上设置有第二电极EL2的第三绝缘层116上。第一电极EL1可以设置在第四绝缘层118上。
第二电极EL2可以是共电极，并且可以接收共电压。第一电极EL1可以是通过穿过第四绝缘层118、第三绝缘层116和第二绝缘层114形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE的像素电极。多个狭缝可以形成在第一电极EL1上。
黑色矩阵BM可以设置在其上设置有第一电极EL1的第四绝缘层118上。黑色矩阵BM可以包括光阻挡材料，并与薄膜晶体管TFT叠置。
第一取向层AL1可以设置在第一电极EL1和黑色矩阵BM上。第一取向层AL1可以包括取向剂以使液晶层130的液晶分子取向。例如，取向剂可以包括聚酰亚胺类化合物、聚酰胺酸类化合物或它们的混合物。另外，取向剂可以包括通过线偏振紫外光使液晶分子取向的光取向剂。
第二基底可以包括第二基体基底120、桥接电极(bridge electrode)205、绝缘图案207、路线金属(router metal)209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线230、连接电极240和第二取向层AL2。
第二基体基底120可以包括透明绝缘基底。例如，第二基体基底120可以包括玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。用于第二基体基底120的透明树脂基底的示例可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、含磺酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂等。
桥接电极205可以在有效区AA中设置在第二基体基底120上。有效区AA是能够接收触摸输入的区域。桥接电极205可以包括透明导电材料。桥接电极205可以包括氧化铟锡(ITO)。根据示例性实施例，桥接电极205可以通过高于150℃的高温工艺来形成。包括在桥接电极205中的氧化铟锡可以根据高温工艺而结晶。
绝缘图案207可以设置在桥接电极205上，并且可以暴露桥接电极205的在第一方向D1上的两端。绝缘图案207可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一触摸电极210可以在有效区AA中设置在第二基体基底120上。多个第一触摸电极210可以布置在第一方向D1和第二方向D2上。第二方向D2可以与第一方向D1交叉。例如，第二方向D2可以基本上垂直于第一方向D1。彼此相邻的第一触摸电极210可以通过桥接电极205电连接。在示例性实施例中，布置在第一方向D1上的第一触摸电极210通过对应的桥接电极电连接。第一触摸电极210可以包括透明导电材料。例如，第一触摸电极210可以包括氧化铟锡。这里，第一触摸电极210可以经由高于150℃的高温工艺来形成。因此，第一触摸电极210可以包括经由高温工艺的结晶的氧化铟锡。
第二触摸电极220可以在有效区AA中设置在第二基体基底120上。多个第二触摸电极220可以布置在第一方向D1和第二方向D2上。布置在第二方向D2上的第二触摸电极220可以彼此电连接，布置在第一方向D1上的第二触摸电极220可以不彼此电连接。在示例性实施例中，构成布置在第二方向D2上的第二触摸电极220的透明导电材料在第二方向D2上延伸。构成布置在第一方向D1上的第二触摸电极220的透明导电材料可以彼此隔开。第二触摸电极220可以通过绝缘图案207与第一触摸电极210隔开。例如，第二触摸电极220的与桥接电极205叠置的一部分设置在绝缘图案207上，并与桥接电极205隔开。第二触摸电极220和第一触摸电极210可以包括相同的材料，并且可以由同一层形成。例如，第二触摸电极220可以包括结晶的氧化铟锡。
路线金属209可以在与有效区AA的边界相邻的外围区PA中设置在第二基体基底120上。每个路线金属209可以与每个连接电极240对应。路线金属209可以包括金属。
每个连接电极240可以通过连接线230电连接到第一触摸电极210或第二触摸电极220。例如，第一连接电极通过第一连接线连接到第一触摸电极210，第二连接电极通过第二连接线连接到第二触摸电极220。连接电极240可以覆盖路线金属209。连接电极240和路线金属209可以电连接到未示出的触摸驱动电路。例如，路线金属209和连接电极240可以电连接到包括被构造为检测触摸位置的驱动器IC的柔性印刷电路板。
连接线230可以设置在第二基体基底120上。每条连接线230可以将第一触摸电极210或第二触摸电极220电连接到连接电极240。例如，第一连接线将第一触摸电极210电连接到第一连接电极，第二连接线将第二触摸电极220电连接到第二连接电极。
第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线230和连接电极240可以由同一层形成。
根据示例性实施例，第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线230和连接电极240可以包括相同的材料，诸如结晶的氧化铟锡。第一触摸电极210和第二触摸电极220、连接线230以及连接电极240可以经由高温工艺形成，使得包括在其中的氧化铟锡可以结晶。因此，表面电阻可以小于经由低温工艺形成的非晶氧化铟锡的表面电阻。在此情况下，第一触摸电极210和第二触摸电极220、连接线230以及连接电极240可以形成为具有相对小的厚度。例如，第一触摸电极210和第二触摸电极220以及连接线230中的每个具有小于大约
Figure BDA0001157401180000071
的厚度。例如，第一触摸电极210和第二触摸电极220以及连接线230中的每个在大约
Figure BDA0001157401180000072
至
Figure BDA0001157401180000073
厚度的范围内。
根据示例性实施例，第一触摸电极210、第二触摸电极220和连接线230中的至少一个具有通过具有小于大约5μm(微米)的宽度的细线而形成的网格结构。细线可以包括选自于由铝、铜、银、钼、铂、钯、钕及其合金组成的组的材料。在此情况下，第一触摸电极210、第二触摸电极220和连接线230可以在大约
Figure BDA0001157401180000081
至
Figure BDA0001157401180000082
厚度的范围内。
第二取向层AL2可以设置在第二基体基底120的面对第一基底且是第一触摸电极210和第二触摸电极220、连接线230以及连接电极240的背面的表面上。第二取向层AL2可以包括取向剂以使液晶层130的液晶分子取向。例如，取向剂可以包括聚酰亚胺类化合物、聚酰胺酸类化合物或它们的混合物。另外，取向剂可以包括通过线偏振紫外光使液晶分子取向的光取向剂。
液晶层130可以设置在第一基底的第一取向层AL1与第二基底的第二取向层AL2之间。液晶层130可以包括具有光学各向异性的液晶分子。液晶分子可以由电场驱动，使得可以通过使光穿过液晶层130或阻挡光穿过液晶层130来显示图像。
液晶层130可以通过在液晶显示面板的边界处在第一基体基底110与第二基体基底120之间形成的密封元件140来密封。密封元件140可以设置在外围区PA处。
下偏振板400可以设置在第一基体基底110的与第一基体基底110的面对第二基底的表面相反的外表面上。下偏振板400可以包括下粘合层410和下偏振层420。下粘合层410可以包括被构造为将下偏振层420附着到第一基底上的压敏粘合剂(PSA)。
上偏振板300可以设置在第二基底的第一触摸电极210和第二触摸电极220上。上偏振板300可以包括上粘合层310和上偏振层320。上粘合层310可以包括被构造为将上偏振层320附着到第二基底上的压敏粘合剂。
根据示例性实施例的液晶显示面板可以包括通过高温工艺形成的第一触摸电极210和第二触摸电极220以及连接线230。因此，第一触摸电极210和第二触摸电极220以及连接线230可以具有相对低的表面电阻，并且具有相对高的强度。第一触摸电极210和第二触摸电极220以及连接线230中的每个可以形成为具有相对小的厚度。另外，尽管第一触摸电极和第二触摸电极以及连接线中的每个具有相对小的厚度，但是可以减少由重复地附着上偏振板300引起的损坏。
图2A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。图2B是沿图2A的线I-I'截取的剖视图。
参照图2A和图2B，除了无机绝缘图案250之外，液晶显示面板可以与图1A和图1B的液晶显示面板基本上相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。
液晶显示面板包括第一基底、第二基底、设置在第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。上偏振板300包括上粘合层310和上偏振层320。下偏振板400包括下粘合层410和下偏振层420。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、第三绝缘层116、第二电极EL2、第四绝缘层118、第一电极EL1、黑色矩阵BM和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构造薄膜晶体管TFT。
第二基底可以包括第二基体基底120、桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240、连接线230、无机绝缘图案250和第二取向层AL2。
无机绝缘图案250可以在与有效区AA相邻的外围区PA中覆盖连接线230。即，无机绝缘图案250在外围区PA中覆盖连接线230而不是上偏振板300，使得连接线230可以受到保护。
无机绝缘图案250可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘图案250包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。无机绝缘图案250可以经由高于150℃的高温工艺来形成。无机绝缘图案250可以具有相对高的强度。因此，尽管上粘合层310的一部分附着在无机绝缘图案250上并从无机绝缘图案250脱离，但是可以减少由重复地附着上偏振板300引起的损坏。因此，可以改善产品良率。
图3A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。图3B是沿图3A的线II-II'截取的剖视图。
参照图3A和图3B，除了触摸电极510、连接电极520和连接线530之外，液晶显示面板与图1A和图1B的液晶显示面板基本上相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。
液晶显示面板包括第一基底、第二基底、设置在第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。上偏振板300包括上粘合层310和上偏振层320。下偏振板400包括下粘合层410和下偏振层420。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、第三绝缘层116、第二电极EL2、第四绝缘层118、第一电极EL1、黑色矩阵BM和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT。
第二基底可以包括第二基体基底120、触摸电极510、连接电极520、连接线530和第二取向层AL2。
触摸电极510可以在有效区AA中设置在第二基体基底120上。有效区AA是能够触摸输入的区域。触摸电极可以布置在第一方向D1和第二方向D2上。第二方向D2可以与第一方向D1交叉。例如，第二方向D2可以基本上垂直于第一方向D1。
连接电极520可以在与有效区AA的边界相邻的外围区PA中设置在第二基体基底120上。连接电极520可以通过连接线530电连接到触摸电极510。例如，每个连接电极520电连接到布置在第二方向D2上的触摸电极510。例如，每个连接电极520电连接到每个触摸电极510。
连接线530可以设置在第二基体基底120上。每条连接线530可以将触摸电极510电连接到连接电极520。
根据示例性实施例，连接线530、触摸电极510和连接电极520可以包括经由高于150℃的高温工艺形成的结晶的氧化铟锡，使得表面电阻可以小于经由低温工艺形成的非晶氧化铟锡。因此，触摸电极510和连接电极520可以形成为具有相对小的厚度。例如，触摸电极510和连接电极520中的每个可以具有小于大约
Figure BDA0001157401180000101
的厚度。
图4A是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的平面图。图4B是沿图4A的线II-II'截取的剖视图。
参照图4A和图4B，除了无机绝缘图案550之外，液晶显示面板与图3A和图3B的液晶显示面板基本上相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。
液晶显示面板包括第一基底、第二基底、位于第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。上偏振板300包括上粘合层310和上偏振层320。下偏振板400包括下粘合层410和下偏振层420。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、第三绝缘层116、第二电极EL2、第四绝缘层118、第一电极EL1、黑色矩阵BM和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT。
第二基底可以包括第二基体基底120、触摸电极510、连接电极520、连接线530和第二取向层AL2。
无机绝缘图案550可以在与有效区AA相邻的外围区PA中覆盖连接线530以保护连接线530。无机绝缘图案550可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘图案550可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。无机绝缘图案550可以经由高于150℃的高温工艺来形成，使得无机绝缘图案550可以具有相对高的强度。
图5是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的剖视图。
参照图5，除了位于第一基体基底110与第二基体基底120之间的液晶显示面板的元件之外，液晶显示面板可以与图1A和图1B的液晶显示面板基本上相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。
液晶显示面板包括第一基底、第二基底、设置在第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。上偏振板300包括上粘合层310和上偏振层320。下偏振板400包括下粘合层410和下偏振层420。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、黑色矩阵BM、第一电极EL1和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT。
第一基体基底110可以包括透明绝缘基底。例如，第一基体基底110可以包括玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。栅电极GE可以设置在第一基体基底110上。第一绝缘层112可以设置在其上设置有栅电极GE的第一基体基底110上。有源图案ACT可以设置在第一绝缘层112上。源电极SE和漏电极DE可以设置在其上设置有有源图案ACT的第一绝缘层112上。第二绝缘层114可以设置在其上设置有有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE的第一绝缘层112上。
滤色器CF设置在第二绝缘层114上。滤色器CF可以为穿过液晶层130的光提供颜色。黑色矩阵BM可以设置在第二绝缘层114上，并与薄膜晶体管TFT叠置。黑色矩阵BM可以包括光阻挡材料。
第一电极EL1可以设置在滤色器CF和黑色矩阵BM上。第一电极EL1可以是通过穿过第二绝缘层114形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE的像素电极。
第一取向层AL1可以设置在第一电极EL1上。
第二基底可以包括第二基体基底120、桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240、连接线(见图1A中的230)、第二电极EL2和第二取向层AL2。
第二电极EL2可以设置在第二基体基底120的面对第一基底并且是第一触摸电极210和第二触摸电极220、连接线以及连接电极240的背面的表面上。第二电极EL2可以是接收共电压的共电极。
第二取向层AL2可以设置在第二电极EL2上。
图6是示出根据示例性实施例的液晶显示面板的剖视图。
参照图6，除了无机绝缘图案250之外，液晶显示面板可以与图5的液晶显示面板基本上相同。因此，将简要地描述或省略关于相同元件的任何进一步详细的描述。
液晶显示面板包括第一基底、第二基底、设置在第一基底与第二基底之间的液晶层130、上偏振板300和下偏振板400。上偏振板300包括上粘合层310和上偏振层320。下偏振板400包括下粘合层410和下偏振层420。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、黑色矩阵BM、第一电极EL1和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT。
第二基底可以包括第二基体基底120、桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240、连接线(见图1A中的230)、无机绝缘图案250、第二电极EL2和第二取向层AL2。
无机绝缘图案250可以在与有效区AA相邻的外围区PA中覆盖连接线230，以保护连接线230。
无机绝缘图案250可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘图案250可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。无机绝缘图案250可以经由高于150℃的高温工艺来形成，使得无机绝缘图案250可以具有相对高的强度。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F是示出制造图1A的显示面板的方法的剖视图。
参照图7A，可以在有效区AA中在第二基体基底120上形成桥接电极205。
可以在第二基体基底120上形成透明导电层，然后将其图案化以形成桥接电极205。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)。
可以经由高于150℃的高温工艺来形成桥接电极205。例如，可以在第二基体基底120上形成包括氧化铟锡(ITO)的透明导电层，然后可以在高于大约150℃的高温下执行退火工艺以使氧化铟锡结晶。因此，具有结晶的氧化铟锡的桥接电极205可以具有比通过低温工艺制造的非晶态氧化铟锡低的表面电阻和高的强度。
参照图7B，可以在桥接电极205上形成绝缘图案207。绝缘图案207可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。可以经由高于150℃的高温工艺来形成绝缘图案207。
参照图7C，可以在外围区PA中在第二基体基底120上形成路线金属209。路线金属209可以包括金属。
参照图7D，可以在其上形成有桥接电极205、绝缘图案207和路线金属209的第二基体基底120上形成第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线(见图1A中的230)和连接电极240。可以在其上形成有桥接电极205、绝缘图案207和路线金属209的第二基体基底120上形成透明导电层，然后可以将透明导电层图案化以形成第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240。透明导电层可以包括氧化铟锡。
可以通过可在高于大约150℃的高温下执行的退火工艺来处理透明导电层以使其中包含的氧化铟锡结晶。因此，第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240可以包括结晶的氧化铟锡。因此，第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240可以具有比通过低温工艺制成的非晶态氧化铟锡低的表面电阻和高的强度。
参照图7E，可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二取向层AL2。背面与第二基体基底120的其上形成有第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240的表面相反。可以通过在第二基体基底120的背面上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。例如，取向剂可以包括聚酰亚胺类化合物、聚酰胺酸类化合物或它们的混合物。另外，取向剂可以包括使用线偏振紫外光使液晶分子取向的光取向剂。
在第二基体基底120的底部面对基底承载器件的条件下，当第二基底之下的基底承载器件支撑第二基底的底部时，可以在第二基体基底120上涂覆取向剂。在此情况下，可以对第二基底的底部(诸如第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240)施加应力。根据示例性实施例，第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240可以因为高温工艺而分别具有高强度。因此，可以减少由基底承载器件的支撑引起的损坏。因此，可以改善产品良率。
参照图7F，第一基底可以被设置为面对第二基底。然后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层130。可以随后形成密封元件140以密封液晶层130。
第一基底可以包括第一基体基底110、栅电极GE、第一绝缘层112、有源图案ACT、源电极SE、漏电极DE、第二绝缘层114、滤色器CF、第三绝缘层116、第二电极EL2、第四绝缘层118、第一电极EL1、黑色矩阵BM和第一取向层AL1。栅电极GE、有源图案ACT、源电极SE和漏电极DE可以构成薄膜晶体管TFT。
在密封液晶层130之后，下偏振板400可以附着在第一基体基底110的与第一基体基底110的面对第二基底的表面相反的外表面上。下偏振板400可以包括下粘合层410和下偏振层420。
上偏振板300可以附着在其上设置有第一触摸电极210和第二触摸电极220的第二基底上。上偏振板300可以包括上粘合层310和上偏振层320。
图8A和图8B是示出制造图2A的液晶显示面板的方法的剖视图。
参照图8A，可以在第二基体基底120上形成桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240和连接线，如参照图7A至图7D描述的。另外，可以在与有效区AA的边界相邻的外围区PA中在第二基体基底120上形成无机绝缘图案250以覆盖连接线。因此，可以保护连接线免受损坏。
无机绝缘图案250可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘图案250可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。可以经由高于150℃的高温工艺来形成无机绝缘图案250。例如，可以在第二基体基底120上形成无机绝缘层，并通过使用高于大约150℃的高温的退火工艺来处理无机绝缘层。然后，被处理的无机绝缘层可以被图案化以形成无机绝缘图案250。根据高温工艺，无机绝缘图案250比通过低温工艺形成的无机或有机绝缘层更强。因此，无机绝缘图案250可以有效地保护连接线免受损坏。
参照图8B，可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二取向层AL2。背面与第二基体基底120的其上形成有第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240的表面相反。可以通过在第二基体基底120的背面上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。
在将第一基底放置为面对第二基底之后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层。然后，可以形成密封元件以密封液晶层。第一基底可以与图7F的第一基底基本上相同。
可以在第一基底和第二基底上附着下偏振板和上偏振板。
图9A和图9B是示出制造图3A的液晶显示面板的方法的剖视图。
参照图9A，可以在第二基体基底120上形成触摸电极510、连接电极520和连接线(参照图3A的530)。可以在第二基体基底120上形成透明导电层，并可以将其图案化以形成触摸电极510、连接电极520和连接线。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)。
可以经由高于150℃的高温工艺来形成触摸电极510、连接电极520和连接线。例如，可以在第二基体基底120上形成包括氧化铟锡的透明导电层，并可以通过使用高于大约150℃的高温的退火工艺来处理透明导电层以使氧化铟锡结晶。触摸电极510、连接电极520和连接线可以因为结晶的氧化铟锡而具有比通过低温工艺制成的非晶态氧化铟锡低的表面电阻和高的强度。
参照图9B，可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二取向层AL2。背面与第二基体基底120的其上形成有触摸电极510、连接线和连接电极520的表面相反。可以通过在第二基体基底120上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。
在将第一基底放置为面对第二基底之后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层。然后，可以形成密封元件以密封液晶层。第一基底可以与图7F的第一基底基本上相同。
下偏振板和上偏振板可以附着在第一基底和第二基底上。
图10A和图10B是示出制造图4A的液晶显示面板的方法的剖视图。
参照图10A，可以在第二基体基底120上形成触摸电极510、连接电极520和连接线。可以在与有效区AA的边界相邻的外围区PA中在第二基体基底120上形成无机绝缘图案550以覆盖连接线。因此，可以保护连接线免受损坏。
无机绝缘图案550可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘图案550可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。可以经由高于150℃的高温工艺来形成无机绝缘图案550。无机绝缘图案550比通过低温工艺形成的无机或有机绝缘层更强。因此，无机绝缘图案550可以有效地保护连接线免受损坏。
参照图10B，可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二取向层AL2。背面与第二基体基底120的其上形成有触摸电极510、连接线和连接电极520的表面相反。可以通过在第二基体基底120的背面上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。
在将第一基底放置为面对第二基底之后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层。然后，可以形成密封元件以密封液晶层。第一基底可以与图7F的第一基底基本上相同。
下偏振板和上偏振板可以附着在第一基底和第二基底上。
图11A和图11B是示出制造图5的液晶显示面板的方法的剖视图。
参照图11A，可以在第二基体基底120上形成桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240和连接线，如参照图7A至图7D描述的。
可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二电极EL2。背面与第二基体基底120的其上形成有第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240的表面相反。第二电极EL2可以包括透明导电材料。例如，第二电极EL2可以包括氧化铟锡(ITO)。第二电极EL2可以经由高于150℃的高温工艺来形成。
参照图11B，可以在有效区AA中在第二电极EL2上形成第二取向层AL2。可以通过在第二电极EL2上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。
在将第一基底放置为面对第二基底之后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层。然后，可以形成密封元件以密封液晶层。
下偏振板和上偏振板可以附着在第一基底和第二基底上。
图12A、图12B和图12C是示出制造图6的液晶显示面板的方法的剖视图。
参照图12A，可以在第二基体基底120上形成桥接电极205、绝缘图案207、路线金属209、第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接电极240和连接线。可以在与有效区AA的边界相邻的外围区PA中在第二基体基底120上形成无机绝缘图案250以覆盖连接线。因此，可以保护连接线免受损坏。
参照图12B，可以在有效区AA中在第二基体基底120的背面上形成第二电极EL2。背面与第二基体基底120的其上形成有第一触摸电极210、第二触摸电极220、连接线和连接电极240的表面相反。
参照图12C，可以在有效区AA中在第二电极EL2上形成第二取向层AL2。可以通过在第二电极EL2上涂覆取向剂来形成第二取向层AL2。
在将第一基底放置为面对第二基底之后，可以在第一基底与第二基底之间形成液晶层。然后，可以形成密封元件以密封液晶层。
下偏振板和上偏振板可以附着在第一基底和第二基底上。
根据示例性实施例，液晶显示面板可以包括通过高温工艺形成的触摸电极和连接线。因此，触摸电极和连接线可以具有相对低的表面电阻和相对高的强度。触摸电极和连接线中的每个可以形成为具有相对小的厚度。另外，尽管触摸电极和连接线中的每个具有相对小的厚度，但是可以减少由重复地附着偏振板引起的损坏。
根据示例性实施例，滤色器和黑色矩阵包括在第一基底中，第二基底通过与第一基底独立的工艺来形成。因此，可以简化能够接收触摸输入的第二基底的制造。
根据示例性实施例，通过高温工艺形成的无机绝缘图案覆盖位于外围区中的连接线，使得可以减少由重复地附着偏振板引起的或者由外部冲击引起的损坏。
尽管已经在这里描述了特定示例性实施例和实施方案，但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是所给出的权利要求的更宽的范围和各种明显的修改以及等同布置。

Claims (8)

1.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：
第一基底，所述第一基底包括：
第一基体基底；
薄膜晶体管，设置在所述第一基体基底上；
滤色器，设置在所述第一基体基底上；以及
第一取向层，设置在所述薄膜晶体管和所述滤色器上；
第二基底，所述第二基底包括：
第二基体基底；
第二取向层，设置在所述第二基体基底的第一表面上，所述第一表面面对所述第一基底；
触摸电极，在有效区中设置在所述第二基体基底的第二表面上，所述有效区被构造为接收触摸输入，所述第二表面与所述第一表面相反；
连接电极，在外围区中设置在所述第二表面上，所述外围区设置为与所述有效区的边界相邻；以及
连接线，设置在所述第二表面上并将所述触摸电极连接到所述连接电极；以及
液晶层，设置在所述第一基底与所述第二基底之间，
其中，所述触摸电极和所述连接线由同一层形成,
其中，所述触摸电极和所述连接线中的每个包括结晶的氧化铟锡，所述结晶的氧化铟锡通过在高于150℃的高温下执行的退火工艺来处理氧化铟锡来形成，并且
其中，所述触摸电极和所述连接线中的每个具有
Figure FDA0002980175370000011
至
Figure FDA0002980175370000012
的范围内的厚度。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述连接电极包括所述结晶的氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述第二取向层直接接触所述第一表面，
其中，所述第一基底还包括：
黑色矩阵，与所述薄膜晶体管叠置；
第一电极，电连接到所述薄膜晶体管；以及
第二电极，与所述第一电极叠置；
所述第一电极包括多个狭缝，
其中，所述液晶显示面板还包括覆盖所述外围区中的所述连接线的无机绝缘图案。
4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其中，所述无机绝缘图案通过高于150℃的高温工艺来形成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中：
所述第二基底包括多个所述触摸电极；
所述第二基底还包括设置在所述第二表面上并连接多个所述触摸电极中的相邻触摸电极的桥接电极；
所述桥接电极包括所述结晶的氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板，所述液晶显示面板还包括：
偏振层，设置在所述触摸电极上；以及
粘合层，设置在所述触摸电极与所述偏振层之间，并直接接触所述触摸电极。
7.一种制造液晶显示面板的方法，所述方法包括：
提供包括第一基体基底、设置在所述第一基体基底上的薄膜晶体管、设置在所述第一基体基底上的滤色器以及设置在所述薄膜晶体管和所述滤色器上的第一取向层的第一基底；
提供独立于所述第一基底形成的第二基底，所述第二基底包括第二基体基底，所述第二基体基底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；以及
在所述第一基底与所述第二基底的所述第一表面之间形成液晶层，
其中，所述提供所述第二基底包括：
在所述第二表面上形成透明导电层，
通过将所述透明导电层图案化形成触摸电极和连接线；以及
在所述第一表面上形成第二取向层，
其中，所述透明导电层包括氧化铟锡，通过在高于150℃的高温下执行的退火工艺来处理所述氧化铟锡以使所述氧化铟锡结晶，并且
其中，所述透明导电层具有
Figure FDA0002980175370000021
至
Figure FDA0002980175370000022
的范围内的厚度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述提供所述第二基底还包括：在所述第一表面上形成第二电极；以及在所述第二电极上形成所述第二取向层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102513362B1 (ko) * 2015-12-11 2023-03-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN106249961B (zh) * 2016-09-12 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 触摸显示屏的制作方法、触摸显示屏和显示装置
KR102329084B1 (ko) 2017-06-30 2021-11-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 일체형 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009259203A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
CN102096221A (zh) * 2009-12-10 2011-06-15 乐金显示有限公司 集成有触摸面板的液晶显示设备
JP2011253519A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル及びこれを備えた映像表示装置
CN102760010A (zh) * 2012-05-22 2012-10-31 友达光电股份有限公司 触控显示面板与触控液晶显示面板
CN104007870A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009020199A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Mitsubishi Electric Corp 表示パネル及びその製造方法
US8080141B2 (en) * 2008-11-18 2011-12-20 Guardian Industries Corp. ITO-coated article and/or method of making the same via heat treating
JP5140018B2 (ja) * 2009-02-24 2013-02-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト 入力機能付き液晶表示装置
CN102067320B (zh) * 2009-05-19 2014-03-19 松下电器产业株式会社 柔性半导体装置的制造方法
KR101799031B1 (ko) 2010-08-09 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지층을 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101165456B1 (ko) 2011-03-07 2012-07-12 이성호 전압변동을 이용한 정전식 터치 검출수단, 검출방법 및 터치스크린패널과, 그러한 정전식 터치스크린패널을 내장한 표시장치
JP5640854B2 (ja) * 2011-03-25 2014-12-17 ソニー株式会社 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤
KR101294569B1 (ko) * 2011-06-29 2013-08-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
US9470941B2 (en) * 2011-08-19 2016-10-18 Apple Inc. In-cell or on-cell touch sensor with color filter on array
CN202512549U (zh) 2012-03-23 2012-10-31 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸液晶显示装置、液晶显示面板及上部基板
WO2013191180A1 (ja) 2012-06-19 2013-12-27 新日鉄住金化学株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに、表示装置支持基材用ポリイミドフィルム及びその製造方法
KR20140016593A (ko) * 2012-07-30 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140057047A (ko) * 2012-11-02 2014-05-12 삼성전기주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 휴대용 전자 장치
KR20140078881A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 (주)인터플렉스 결정질 ito와 비정질 ito를 사용하는 터치패널
JP6161454B2 (ja) * 2013-07-25 2017-07-12 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及びカメラ
KR102302811B1 (ko) * 2013-12-16 2021-09-16 엘지이노텍 주식회사 터치 패널
JP2015153297A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 タッチセンサー基板、画像表示装置、およびタッチセンサー基板の製造方法
JP6257428B2 (ja) * 2014-04-15 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法
KR102513362B1 (ko) * 2015-12-11 2023-03-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009259203A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Epson Imaging Devices Corp 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
CN102096221A (zh) * 2009-12-10 2011-06-15 乐金显示有限公司 集成有触摸面板的液晶显示设备
JP2011253519A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Samsung Mobile Display Co Ltd タッチスクリーンパネル及びこれを備えた映像表示装置
CN102760010A (zh) * 2012-05-22 2012-10-31 友达光电股份有限公司 触控显示面板与触控液晶显示面板
CN104007870A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置

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